JP3252621B2 - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子の製造方法Info
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストを使用
する磁気抵抗素子の製造方法に関する。
する磁気抵抗素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気抵抗素子はドライエッチング
後の半硬化状態のフォトレジスト膜の剥離工程における
磁性薄膜の腐触損傷、フォトレジスト膜の残留による信
頼性劣化を解消させる製造方法が要望されるようになっ
てきている。
後の半硬化状態のフォトレジスト膜の剥離工程における
磁性薄膜の腐触損傷、フォトレジスト膜の残留による信
頼性劣化を解消させる製造方法が要望されるようになっ
てきている。
【０００３】以下に従来の磁気抵抗素子の製造方法につ
いて説明する。図３，図４は従来の磁気抵抗素子の断面
図およびその製造方法を示すものである。図３におい
て、絶縁基板１にパターン形成された磁性薄膜２は保護
膜４で被覆されている。
いて説明する。図３，図４は従来の磁気抵抗素子の断面
図およびその製造方法を示すものである。図３におい
て、絶縁基板１にパターン形成された磁性薄膜２は保護
膜４で被覆されている。
【０００４】次に、図４により磁気抵抗素子の製造方法
を説明する。工程１で絶縁基板１上に磁気抵抗材料の磁
性薄膜２の蒸着を行い、工程２でフォトリソグラフィに
よりフォトレジスト膜３のパターンを作成し、次に、工
程３でエッチングより露出磁性薄膜２を除去し、磁性薄
膜２のパターンを形成した後、工程４で半硬化状態にな
ったフォトレジスト膜３を剥離液およびブラッシングで
剥離を行い、残留のないことを十分確認した後、最後
に、工程５で保護膜４を形成していた。
を説明する。工程１で絶縁基板１上に磁気抵抗材料の磁
性薄膜２の蒸着を行い、工程２でフォトリソグラフィに
よりフォトレジスト膜３のパターンを作成し、次に、工
程３でエッチングより露出磁性薄膜２を除去し、磁性薄
膜２のパターンを形成した後、工程４で半硬化状態にな
ったフォトレジスト膜３を剥離液およびブラッシングで
剥離を行い、残留のないことを十分確認した後、最後
に、工程５で保護膜４を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の製造方法では、磁性薄膜２の選択除去時にウェット
エッチング法またはドライエッチング法が使用されてお
り、次のような課題があった。
来の製造方法では、磁性薄膜２の選択除去時にウェット
エッチング法またはドライエッチング法が使用されてお
り、次のような課題があった。
【０００６】まず、ウェットエッチング法を使用した場
合、エッチング液は磁性薄膜２を除去するため微量に残
って磁性薄膜２を腐触する可能性がある。また、ドライ
エッチング法を使用した場合、エッチング時にフォトレ
ジスト膜３表面がプラズマ中にさらされ、表面から硬化
していくため、次工程のフォトレジスト膜３除去時にフ
ォトレジスト膜３の硬化部分が剥離液に溶解せず残留す
る場合があり、このフォトレジスト膜３の硬化部分を除
くため、ブラッシング等により表面をこすって剥離を行
うので、フォトレジスト膜３下の磁性薄膜２の損傷の原
因になる。
合、エッチング液は磁性薄膜２を除去するため微量に残
って磁性薄膜２を腐触する可能性がある。また、ドライ
エッチング法を使用した場合、エッチング時にフォトレ
ジスト膜３表面がプラズマ中にさらされ、表面から硬化
していくため、次工程のフォトレジスト膜３除去時にフ
ォトレジスト膜３の硬化部分が剥離液に溶解せず残留す
る場合があり、このフォトレジスト膜３の硬化部分を除
くため、ブラッシング等により表面をこすって剥離を行
うので、フォトレジスト膜３下の磁性薄膜２の損傷の原
因になる。
【０００７】また、この時使用される剥離液についても
磁性薄膜２に対して腐触性があるため、フォトレジスト
膜３が剥離液を吸収して残留した場合、腐触が発生する
可能性がある。また、フォトレジスト膜３の除去に使用
する剥離液は人体および環境に悪影響を与えるため、そ
の保護として製造装置の大型化、廃液、廃水の処理装置
が必要になるという問題点を有していた。
磁性薄膜２に対して腐触性があるため、フォトレジスト
膜３が剥離液を吸収して残留した場合、腐触が発生する
可能性がある。また、フォトレジスト膜３の除去に使用
する剥離液は人体および環境に悪影響を与えるため、そ
の保護として製造装置の大型化、廃液、廃水の処理装置
が必要になるという問題点を有していた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、磁性薄膜の腐触、損傷とフォトレジスト膜の残留に
よる信頼性劣化を解消する磁気抵抗素子の製造方法を提
供することを目的とする。
で、磁性薄膜の腐触、損傷とフォトレジスト膜の残留に
よる信頼性劣化を解消する磁気抵抗素子の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気抵抗素子の製造方法は、絶縁基板上に磁
性抵抗材料の強磁性体膜を形成する工程と、前記強磁性
体膜上にフォトレジスト膜を形成した後にフォトリソグ
ラフィにより前記フォトレジスト膜をパターン形成する
工程と、エッチングにより前記強磁性体膜のパターン形
成を行う工程と、前記強磁性体膜上の前記フォトレジス
ト膜を残存させた状態で上層に保護膜を形成する工程と
を有し、フォトレジスト膜の樹脂分をエッチング前に熱
硬化させるものである。
に本発明の磁気抵抗素子の製造方法は、絶縁基板上に磁
性抵抗材料の強磁性体膜を形成する工程と、前記強磁性
体膜上にフォトレジスト膜を形成した後にフォトリソグ
ラフィにより前記フォトレジスト膜をパターン形成する
工程と、エッチングにより前記強磁性体膜のパターン形
成を行う工程と、前記強磁性体膜上の前記フォトレジス
ト膜を残存させた状態で上層に保護膜を形成する工程と
を有し、フォトレジスト膜の樹脂分をエッチング前に熱
硬化させるものである。
【００１０】
【作用】この構成によって、フォトレジスト膜を熱硬化
させて残存させて除去不要にすることによって、フォト
レジスト膜剥離のためのブラッシングが不要となり、磁
性薄膜に発生する傷をなくし、また磁性薄膜に有害な剥
離液が不要になるため信頼性の向上した磁気抵抗素子を
得るとともに、フォトレジスト膜除去工程の削減を行
い、環境問題解消にも貢献するものである。
させて残存させて除去不要にすることによって、フォト
レジスト膜剥離のためのブラッシングが不要となり、磁
性薄膜に発生する傷をなくし、また磁性薄膜に有害な剥
離液が不要になるため信頼性の向上した磁気抵抗素子を
得るとともに、フォトレジスト膜除去工程の削減を行
い、環境問題解消にも貢献するものである。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。なお、従来例と同一構成部品には同
じ符号で示し説明は省略する。
しながら説明する。なお、従来例と同一構成部品には同
じ符号で示し説明は省略する。
【００１２】図１に断面図を示すように、本実施例にお
ける磁気抵抗素子は、絶縁基板１上に磁性薄膜２をパタ
ーン形成させたフォトレジスト膜３は除去されずに残存
させた状態で保護膜４により被覆されている。
ける磁気抵抗素子は、絶縁基板１上に磁性薄膜２をパタ
ーン形成させたフォトレジスト膜３は除去されずに残存
させた状態で保護膜４により被覆されている。
【００１３】図２により、その製造方法を説明する。工
程１で、ガラス等の絶縁基板１上に、ニッケル鉄または
ニッケルコバルトのような磁性薄膜２を蒸着によって作
成する。
程１で、ガラス等の絶縁基板１上に、ニッケル鉄または
ニッケルコバルトのような磁性薄膜２を蒸着によって作
成する。
【００１４】続いて、工程２で、フォトリソグラフィに
よりフォトレジスト膜３のパターン形成を行う。この時
更に、フォトレジスト膜３を感光成分や溶剤分を除去し
た後、ベーキング炉等により熱硬化させる。
よりフォトレジスト膜３のパターン形成を行う。この時
更に、フォトレジスト膜３を感光成分や溶剤分を除去し
た後、ベーキング炉等により熱硬化させる。
【００１５】次に、工程３で、ドライエッチングを行い
磁性薄膜２の選択除去を行い、最後に工程４で、フォト
レジスト膜３上に保護膜４を形成する。また、フォトレ
ジスト膜３の熱硬化は工程３の後に行うことも可能であ
る。
磁性薄膜２の選択除去を行い、最後に工程４で、フォト
レジスト膜３上に保護膜４を形成する。また、フォトレ
ジスト膜３の熱硬化は工程３の後に行うことも可能であ
る。
【００１６】以上のようにして製造された磁気抵抗素子
は、磁性薄膜２上にフォトレジスト膜３を残存させた状
態で作動する。
は、磁性薄膜２上にフォトレジスト膜３を残存させた状
態で作動する。
【００１７】以上のように本実施例によれば、磁性薄膜
２をパターン形成に使用したフォトレジスト膜３を、熱
硬化させて残存させ、その上に保護膜４を形成すること
によって、フォトレジスト膜３の除去工程をなくした工
程削減と、剥離液の使用とブラッシング工程削減による
磁性薄膜２の腐触と損傷発生防止ができ、磁気抵抗素子
の信頼性向上とともに環境問題解消にも貢献するもので
ある。
２をパターン形成に使用したフォトレジスト膜３を、熱
硬化させて残存させ、その上に保護膜４を形成すること
によって、フォトレジスト膜３の除去工程をなくした工
程削減と、剥離液の使用とブラッシング工程削減による
磁性薄膜２の腐触と損傷発生防止ができ、磁気抵抗素子
の信頼性向上とともに環境問題解消にも貢献するもので
ある。
【００１８】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明の磁気抵抗素子の製造方法によれば、磁性薄
膜エッチング後のフォトレジスト膜除去工程を削減する
ことにより、従来より困難であったフォトレジスト膜の
剥離および剥離後のフォトレジスト膜残存の有無の確認
管理が不要になり、磁性薄膜に発生する腐触と損傷をな
くし、信頼性の向上と工程削減が行えるとともに、剥離
液が不要になるため、廃液による人体および環境保護も
行うことができるという効果が得られるものである。
に、本発明の磁気抵抗素子の製造方法によれば、磁性薄
膜エッチング後のフォトレジスト膜除去工程を削減する
ことにより、従来より困難であったフォトレジスト膜の
剥離および剥離後のフォトレジスト膜残存の有無の確認
管理が不要になり、磁性薄膜に発生する腐触と損傷をな
くし、信頼性の向上と工程削減が行えるとともに、剥離
液が不要になるため、廃液による人体および環境保護も
行うことができるという効果が得られるものである。
【図１】本発明の実施例における磁気抵抗素子の断面図
【図２】本発明の実施例における磁気抵抗素子の製造工
程図
程図
【図３】従来の磁気抵抗素子の断面図
【図４】従来の磁気抵抗素子の製造工程図
１ 絶縁基板 ２ 磁性薄膜 ３ フォトレジスト膜 ４ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/32 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ 21/768 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｅ 43/08 3/28 Ｇ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ 3/28 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｐ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/12 G01R 33/09 G11B 5/39 H01F 41/14 H01L 21/312 H01L 21/32 H01L 21/768 H01L 43/08 H05K 3/06 H05K 3/28 H01L 21/3105
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に磁性抵抗材料の強磁性体膜
を形成する工程と、前記強磁性体膜上にフォトレジスト
膜を形成した後にフォトリソグラフィにより前記フォト
レジスト膜をパターン形成する工程と、エッチングによ
り前記強磁性体膜のパターン形成を行う工程と、前記強
磁性体膜上の前記フォトレジスト膜を残存させた状態で
上層に保護膜を形成する工程とを有し、フォトレジスト
膜の樹脂分をエッチング前に熱硬化させる磁気抵抗素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25665094A JP3252621B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25665094A JP3252621B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001273136A Division JP2002198586A (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125248A JPH08125248A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3252621B2 true JP3252621B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=17295565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25665094A Expired - Fee Related JP3252621B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252621B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP25665094A patent/JP3252621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125248A (ja) | 1996-05-17 |
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