JP3252550B2

JP3252550B2 - 電界放出型ディスプレイ装置

Info

Publication number: JP3252550B2
Application number: JP20426193A
Authority: JP
Inventors: 諭中田; 敏夫大星; 英輔根岸
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-08-18
Filing date: 1993-08-18
Publication date: 2002-02-04
Anticipated expiration: 2017-02-04
Also published as: JPH0757667A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体を電界放出型カ
ソードからの電子ビームを用いて発光させて発光表示を
行う電界放出型ディスプレイ装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】低電圧励起で比較的解像度の高いディス
プレイ装置として、電界放出型微小電子放出源いわゆる
マイクロチップカソードを用いたフラット型の電界放出
型ディスプレイ装置（ＦＥＤ）の開発が進められてい
る。

【０００３】このフラット型のＦＥＤは、蛍光面に対向
して微細加工によって作製した微小な円錐状のマイクロ
チップカソードを配置し、電界によってその先端から電
子を取出し、これによってディスプレイ面に配列形成し
た画素を構成する蛍光体を励起させて目的とする画像表
示を行うものである。

【０００４】このフラット型のＦＥＤは、例えば図２に
その分解斜視図を示すように、それぞれガラスパネルよ
りなるカソード側の第１のパネル１と、ディスプレイ面
側の第２のパネル２とが所要の小間隔をもって対向配置
されて両パネル１および２の周辺部間がフリットシール
によって気密的に封止され、両パネル１および２間に高
真空度に保持される偏平空間が形成される。

【０００５】第１のパネル１の内面には、一方向例えば
ｘ方向に延びるストライプ状のカソード電極３が平行配
列されて形成され、これの上にＳｉＯ₂等の絶縁層４を
介してストライプ状のゲート電極５がカソード電極３の
延長方向のｘ方向と直交するｙ方向に延長して平行配列
される。

【０００６】各カソード電極３と、ゲート電極５との対
向交叉部に、ゲート電極５と絶縁層４とを貫通して複数
の微細電子透過孔６が穿設され、図３にその更に要部の
斜視図を示すように、各微細電子透過孔６内のカソード
電極３上にそれぞれ円錐状の微小電子放出源７すなわち
マイクロチップカソードが被着形成される。

【０００７】第２のパネル２は、ディスプレイ面となる
前面パネルであり、その内面には、透明電極（図示せ
ず）が形成されこれの上に各画素８となる蛍光体例えば
カラー表示を行うディスプレイ装置では赤，緑および青
の各蛍光体Ｒ，ＧおよびＢがそれぞれ例えば電着法によ
って両電極３および５の対向交叉部に対向して配置形成
されて蛍光面１８が形成される。蛍光面１８の各蛍光体
Ｒ，ＧおよびＢ間には例えばコントラスト向上のための
黒色層によるいわゆるブラックマトリックス９が塗布さ
れる。

【０００８】このような構成によるＦＥＤは、図４に模
式的に示すように、例えばカソード・ゲート間距離が１
μｍとされ、ゲート・蛍光面間が０．２〜１ｍｍとさ
れ、選択されたゲート電極５とカソード電極３との間
に、ゲート電極５側を正とする所要の電圧を印加して、
カソードすなわち微小電子放出源７に所要の電界例えば
１０⁶〜１０⁸Ｖ／ｃｍ程度の電界強度を与えることに
より、微小電子放出源７の先端から電子−ｅを放出さ
せ、これを蛍光面１８に印加された所定の蛍光面電位に
よって与えられた所要の運動エネルギーで蛍光面１８の
所定の画素８すなわち蛍光体Ｒ，ＧおよびＢを励起して
発光表示を行うようになされている。

【０００９】ここで、ゲート電極５の微細電子透過孔６
の直径φは例えば１μｍ前後で、微小電子放出源７すな
わち円錐状マイクロチップカソードの高さｈは例えば１
μｍ前後であり、全画素すなわち各赤，緑および青の各
蛍光体Ｒ，ＧおよびＢの各１に対してそれぞれ複数の微
細電子透過孔６、すなわち同一数の微小電子放出源７が
配置されている。

【００１０】ところで、これら円錐状のマイクロチップ
カソードによる微小電子放出源７からの電界放出電流量
は、その円錐先端の電界強度によって決まる。そして、
この電界強度は、微細電子透過孔６の直径φ、円錐状カ
ソード７の形状すなわちその先端曲率や頂角、円錐状カ
ソード７とゲート電極５との位置関係に大きく影響され
る。

【００１１】図５はカソード先端の電界強度分布、すな
わち円錐状カソード７の中心軸とのなす角度に対する電
界強度分布の、透過孔６の直径φに対する依存性のシミ
ュレーション結果を示すものである。この場合、円錐状
カソード７の高さが１．０μｍ，ゲート・カソード間間
隔が１．０μｍ，ゲート電極５の厚さを０．３μｍとし
た場合で、円錐状カソード７の中心軸に対する角度θ方
向に対する電界強度を示したもので、同図中曲線５１〜
５６は、それぞれゲート電極５の微細電子透過孔６の直
径φを０．６μｍ，０．８μｍ，１．０μｍ，１．２μ
ｍ，１．４μｍおよび１．６μｍにそれぞれ変化させた
場合である。これより明らかなように、微細電子透過孔
６の直径φが大となるほど電界強度は低下し、例えば直
径φが１．０μｍと１．２μｍとではカソード先端の電
界強度は約１０％変化する。

【００１２】また、図６および図７はそれぞれ電界強度
分布の円錐状カソード７の高さｈに対する依存性のシミ
ュレーション結果を示すものである。この場合、円錐状
カソード７の直径φを１．０μｍ，ゲート・カソード間
間隔が１．０μｍ，ゲート電極５の厚さを０．３μｍと
した場合で、円錐状カソード７の中心軸に対する角度θ
方向に対する電界強度を示したもので、図６中曲線６１
〜６８は、それぞれカソード７の高さｈを０．７μｍ，
０．８μｍ，０．９μｍ，１．０μｍ，１．１μｍ，
１．２μｍ，１．３μｍ，および１．４μｍとした場合
であり、これより明らかなように、カソード７の高さｈ
は、ゲート電極との位置関係において、最適状態があ
り、ｈ＝１．２μｍが最適値となっていてｈ＝１．０μ
ｍになると、電界強度は約５％減少する。図７は、この
ことをより理解できるように、図６に示した一部の例を
さらに抜粋したものであり、図７中曲線７１〜７５は、
それぞれカソード７の高さｈを１．０μｍ，１．１μ
ｍ，１．２μｍ，１．３μｍ，および１．４μｍとした
場合を示したものである。

【００１３】ところが、上述のＦＥＤにおいて、例えば
蒸着、スパッタリング等によってカソード７および絶縁
層４を形成すると、パネル１の例えば中心部と周辺部と
では、その膜厚の分布が１０〜２０％も変化するので、
円錐状カソード７の先端の電界強度に約５％の差が生じ
ることになる。

【００１４】円錐状マイクロチップカソードすなわち微
小電子放出源７の形成方法の一例を図８を参照して説明
する。

【００１５】この場合、図８Ａに示すように、第１のパ
ネル１上に、導電膜例えばＣｒ，Ｎｂ，ＩＴＯ（Ｉｎお
よびＳｎの複合酸化物），ＷＳｉ_X等を厚さ２０００〜
４０００Åに全面蒸着し、パターンエッチングによって
一方向ｘに延びる複数のストライプ状のカソード電極３
を平行配列するように被着形成する。そして、これの上
に全面的に絶縁層４を例えばＳｉＯ₂をスパッタリング
やＣＶＤ（化学的気相成長）法によって形成し、更にこ
れの上に全面的に金属層例えばＮｂを２０００〜４００
０Åの厚さにスパッタリング、蒸着等によって形成す
る。この金属層をパターンエッチングしてカソード電極
３の延長方向と例えば直交する方向のｙ方向に延びる複
数のストライプ状のゲート電極５を形成する。

【００１６】そして、これらゲート電極５と、カソード
電極３とが対向交叉する部分に複数（図８においては、
１つのみが示されている）の微細電子透過孔６を、ゲー
ト電極５と絶縁層４とに差し渡って穿設する。

【００１７】図８Ｂに示すように、パネル１を回転さ
せ、かつこのパネル面に対して斜め方向から透孔６内に
入り込むことがないように、ゲート電極５上にアルミニ
ウムＡｌを数１００Å〜１０００Å程度の厚さに蒸着、
あるいはスパッタして中間層１０を形成する。

【００１８】その後、図８Ｃに示すように、パネル１の
面に対して垂直方向から電界放出型のカソード材１１の
例えばＷ，Ｍｏ等を蒸着、スパッタリングする。このよ
うにするとカソード材１１が微細電子透過孔６内の底面
すなわち微細電子透過孔６を通じて露出するカソード電
極３上と、ゲート電極５上とに堆積するが、このとき、
ゲート電極５上に堆積するカソード材１１がその堆積に
伴って微細電子透過孔６の縁部から微細電子透過孔６の
中心に向かってせり出すように堆積し、微細電子透過孔
６を閉塞していくことから、これによって遮ぎられて微
細電子透過孔６内の堆積カソード材１１は円錐状とな
り、これによって円錐状の微小電子放出源７すなわちマ
イクロチップカソードが形成される。

【００１９】このようにして、微小電子放出源７を形成
して後、中間層１０を例えばＮａＯＨ，ＫＯＨ等のアル
カリエッチング液によってエッチング除去し、微細電子
透過孔６内の微小電子放出源７としてのカソード材１１
のみを残して、ゲート電極５上のカソード材１１を中間
層１０の排除と共に除去する。

【００２０】このようにすると、図３で示したように、
各微細電子透過孔６内において、カソード電極３上にカ
ソード材１１の堆積による円錐状微小電子放出源７が形
成される。

【００２１】この方法において、その蒸着，あるいはス
パッタリングは、パネル１をいわゆる自転および公転さ
せて行うとか、パネル１と蒸着源あるいはスパッタ源と
の間にスリットを形成した遮蔽板を介在させてパネル１
を往復移動させてその蒸着あるいはスパッタの厚さの均
一化をはかってはいるものの、このようにしても例えば
パネル１の自転、あるいは公転の中心を中心とする軸対
称の厚みむら、往復移動の移動方向に対して直角方向に
厚みむらが生じ、最終的に形成された例えば円錐状微小
電子放出源すなわち円錐状カソード７の高さｈがパネル
１上の位置によって相違する。

【００２２】そしてこのように円錐状カソード７の高さ
に変化が生じたり、前述したように絶縁層４の厚さすな
わちカソード・ゲート電極間の間隔の変化は、前述した
ところから明らかなように、その先端の電界強度に大き
な影響を与えることから、カソード電極３、ゲート電極
５、蛍光面１８にそれぞれ所定の電圧を印加した状態で
一定の輝度が得られず、ディスプレイ面において輝度む
らが生じる

【００２３】また、実際には、この電界強度は、円錐状
カソード７の高さｈのみならず、この先端部の形状、す
なわち先端の曲率半径にも大きく依存するのでその電界
強度の相違は５％以上となる可能性が高い。

【００２４】そして、この種フラット型ＦＥＤにおける
輝度むらは、特にディスプレイ面積の増大化に伴いより
顕著となり、また高精細度化において問題となるところ
である。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したフ
ラット型ＦＥＤにおいて、上述した発光輝度、すなわち
明るさの差の問題の解決をはかって、ディスプレイの大
面積化、高精細度化において画質の向上をはかる。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述したフラ
ット型ＦＥＤすなわち、電界放出型カソードを用いた電
界放出型ディスプレイ装置であって、ディスプレイ面の
各画素に対向して複数の微小電子放出源とこの微小電子
放出源に対応する微細電子透過孔とを配置して構成し、
ディスプレイ面の１画素当たりの微小電子放出源及び微
細電子透過孔の数を、少なくとも一部の画素について変
化させて、これら各画素に関するそれぞれの総電流量
を、同一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでほぼ
均一化して構成する。

【００２７】

【００２８】また他の本発明は、上述の各電界放出型デ
ィスプレイ装置において、微小電子放出源及び微細電子
透過孔の１画素当たりの数と共に、微細電子透過孔の面
積とを、少なくとも一部の画素について変化させて構成
する。

【００２９】

【００３０】

【作用】上述したように、本発明によれば、各画素に関
するそれぞれの総電流量を同一カソード・ゲート電極間
電圧印加のもとでほぼ均一化するので例えば微小電子放
出源７の高さｈや、カソード・ゲート電極間距離がその
形成位置に応じてむらが発生した場合においても、ディ
スプレイ面での明るさにむらが生じることを回避でき、
大面積のＦＥＤにおいても明るさにむらがなく高画質の
表示を行うことができるものである。

【００３１】また、このような各画素に関するそれぞれ
の総電流量をほぼ均一化するのに、本発明の１において
は、微細電子透過孔すなわち微小電子放出源の１画素当
たりの数を、ディスプレイ面での位置に応じて少なくと
も一部の画素について変化させることによって達成させ
るのでいかなる大面積のディスプレイ面であっても、確
実に明るさの均一化をはかることができる。

【００３２】また、本発明の他の１においては、ディス
プレイ面の各画素に対向して配置されるそれぞれ複数の
微小電子放出源に対応して設けられた微細電子透過孔の
面積すなわち微細電子透過孔の直径を変化させるもので
あるが、この場合は、図５で説明したように、この直径
φによって電界強度を変化させることができることか
ら、この現象を利用することによって、例えば微小電子
放出源の形成位置の相違に基づく高さｈの相違による電
界強度の相違を補償して各画素に関するそれぞれの総電
流量を同一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでほ
ぼ均一化することができるものである。

【００３３】そして、このように複数種の面積を有する
微細電子透過孔によって構成しかつディスプレイ面での
位置に応じて少なくとも一部の画素についてその面積の
異なる微細電子透過孔の１画素当たりの数を変化させて
各画素に関するそれぞれの総電流量をほぼ均一化するの
で、実際上、その直径が小さく選定される微細電子透過
孔において、ディスプレイ面の面積を大とする場合にお
いて、この直径の制御のみで各画素に関する総電流量の
同一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの均一化
をはかり切れない場合でも、この直径の制御とともに、
その面積の異なる微細電子透過孔数の割合も同時に制御
するので、大面積ディスプレイにおいても各部の画素に
関してそれぞれの総電流量の同一カソード・ゲート電極
間電圧印加のもとでの均一化を確実にはかることができ
る。

【００３４】

【実施例】図１を参照して本発明の一実施例を説明する
が、この例で対象としているＦＥＤの基本的構成は、図
２〜図４で説明したＦＥＤに適用した場合である。

【００３５】すなわち、この場合前述したように、例え
ば図１にその分解斜視図を示すように、それぞれガラス
パネルよりなるカソード側の第１のパネル１と、ディス
プレイ面側の第２のパネル２とが所要の小間隔をもって
対向配置されて両パネル１および２の周辺部間がフリッ
トシールによって気密的に封止され、両パネル１および
２間に高真空度に保持される偏平空間が形成される。

【００３６】第１のパネル１の内面には、一方向例えば
ｘ方向に延びるストライプ状のカソード電極３が平行配
列されて形成され、これの上にＳｉＯ₂等の絶縁層４を
介してストライプ状のゲート電極５がカソード電極３の
延長方向のｘ方向と直交するｙ方向に延長して平行配列
される。

【００３７】各カソード電極３と、ゲート電極５との対
向交叉部に、ゲート電極５と絶縁層４とを貫通して複数
の微細電子透過孔６が穿設され、図３にその更に要部の
斜視図を示すように、各微細電子透過孔６内のカソード
電極３上にそれぞれ円錐状の微小電子放出源７すなわち
マイクロチップカソードが被着形成される。

【００３８】これらカソード電極３、ゲート電極５、微
小電子放出源７の形成は、図８で説明したと同様の方法
によって形成することができる。

【００３９】第２のパネル２は、ディスプレイ面となる
前面パネルであり、その内面には透明電極（図示せず）
が形成され、これの上に各画素８となる蛍光体この例で
はカラー表示を行う赤，緑および青の各蛍光体Ｒ，Ｇお
よびＢが両電極３および５の対向交叉部に対向して配置
形成されて蛍光面１８が形成される。蛍光面１８の各蛍
光体Ｒ，ＧおよびＢ間には例えばコントラスト向上のた
めの黒色層によるいわゆるブラックマトリックス９が塗
布される。

【００４０】そして、選択されたゲート電極５とカソー
ド電極３との間に、ゲート電極５側を正とする所要の電
圧を印加して、この選択された両電極３および５の交叉
部に対応する複数の各微小電子放出源７すなわちマイク
ロチップカソードの先端近傍の空間に所要の電界強度を
与えることにより、微小電子放出源７の先端から電子を
放出させ、これを蛍光面１８に印加された所定の蛍光面
電位によって与えられた所要の運動エネルギーで蛍光面
１８の所定の画素すなわち蛍光体Ｒ，ＧおよびＢを励起
して発光表示を行うようになされる。

【００４１】そして、特に本発明においては、この構成
において、各画素８に対向して配置されるそれぞれ複数
の微小電子放出源７と、これに対応して設けられた微細
電子透過孔６の１画素当たりの数を、ディスプレイ面で
の位置に応じて少なくとも一部の画素８について変化さ
せて各画素８に関するそれぞれの総電流量を同一カソー
ド・ゲート電極間電圧印加のもとでほぼ均一化する。

【００４２】この場合の上述した１画素当たりの微小電
子放出源７および微細電子透過孔６のの数の変化は、同
一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの各画素８
に関するそれぞれの総電流量に不均一性をもたらす原因
となる例えば前述した微小電子放出源７の形成における
蒸着ないしはスパッタに際して採ったパネル１の回転あ
るいは往復移動の対称性に対応して、その例えば微小電
子放出源７の高さｈが小となり、ゲート電極５との間隔
が大となる部分においては、その電子の放出量が低下す
ることからこの部分においてはその微小電子放出源７お
よび微細電子透過孔６の１画素当たりの数を大として上
述の各画素８に関する総電流量の同一カソード・ゲート
電極間電圧印加のもとでの不均一性を補償してこれを均
一化する。

【００４３】また、他の本発明においては、各画素８に
対向して配置されるそれぞれ複数の微小電子放出源に対
応して設けられた微細電子透過孔６の数に加えてその面
積を、ディスプレイ面での位置に応じて少なくとも一部
の画素について変化させることによって同様に、各画素
に関するそれぞれの同一カソード・ゲート電極間電圧印
加のもとでの総電流量を補償してほぼ均一化する。

【００４４】すなわち、この場合においても、上述した
例と同様に、微小電子放出源７の形成における蒸着ない
しはスパッタに際して採ったパネル１の回転あるいは往
復移動の対称性に対応して、その例えば微小電子放出源
７の高さｈが小となり、ゲート電極５との間隔が大とな
る部分においては、その電子の放出量が低下することか
らこの部分の画素に関する微細電子透過孔６の面積、す
なわち直径を小として電界強度を高める。

【００４５】そして更に、ディスプレイ面が大面積化さ
れて画素の数が膨大となった場合等において、微細電子
透過孔６の面積の制御のみではディスプレイ面の全域に
渡って各画素に関するそれぞれの総電流量の均一化が充
分はかれない場合において、各画素に対向して配置され
るそれぞれ複数の微小電子放出源に対応して設けられた
微細電子透過孔を、複数種の面積を有する微細電子透過
孔によって構成し、かつディスプレイ面での位置に応じ
て、すなわち上述したと同様に各画素８に関する同一カ
ソード・ゲート電極間電圧印加のもとでのそれぞれの総
電流量に不均一性をもたらす原因となる、例えば前述し
た微小電子放出源７の形成における蒸着ないしはスパッ
タに際して採ったパネル１の回転あるいは往復移動の対
称性に対応して、その例えば微小電子放出源７の高さｈ
が小となり、ゲート電極５との間隔が大となり電子の放
出量が低下する部分においては、微細電子透過孔６の面
積、すなわち直径を小とし、かつ透過孔６すなわち微小
電子放出源７の数を大とする。

【００４６】上述した各本発明における微細電子透過孔
の面積、数等の変化はすべての画素に関して変更する必
要はなく、例えば上述した微小電子放出源すなわちマイ
クロチップカソードの高さｈが、画面の明るさのむらと
なって生じる部分の画素に関して行えば良いことは云う
までもない。

【００４７】尚、上述した例においては、ＦＥＤのカラ
ーディスプレイ装置に本発明を適用した場合であるが、
白黒表示等の単色のＦＥＤのディスプレイ装置に本発明
を適用することもできる。

【００４８】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、同一
カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの各画素に関
するそれぞれの総電流量をほぼ均一化するので、例えば
微小電子放出源７の高さｈがその形成位置に応じてむら
が発生した場合においても、ディスプレイ面での明るさ
にむらが生じることを回避でき、大面積のＦＥＤにおい
ても明るさにむらがなく高画質の表示を行うことがで
き、ひいては高精細度ＦＥＤディスプレイ装置を構成す
ることができるものである。

【００４９】また、このような各画素に関するそれぞれ
の同一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの総電
流量をほぼ均一化するのに、本発明の１においては、微
細電子透過孔の１画素当たりの数を、ディスプレイ面で
の位置に応じて少なくとも一部の画素について変化させ
ることによって達成させるので、いかなる大面積のディ
スプレイ面であっても、確実に明るさの均一化をはかる
ことができる。

【００５０】また、ディスプレイ面の各画素に対向して
配置されるそれぞれ複数の微小電子放出源に対応して設
けられた微細電子透過孔の数に加えて、その面積すなわ
ち微細電子透過孔の直径を変化させてカソードすなわち
微小電子放出源の先端電界強度を変化させることができ
ることから、例えば微小電子放出源の形成位置の相違に
基づく高さｈの相違による電界強度の相違を補償するこ
とができ、この場合においても、いかなる大面積のディ
スプレイ面であっても、確実に明るさの均一化をはかる
ことができる。

【００５１】つまり、本発明の他の１においては、複数
種の面積を有する微細電子透過孔によって構成しかつデ
ィスプレイ面での位置に応じて少なくとも一部の画素に
ついてその面積の異なる微細電子透過孔の１画素当たり
の数を変化させて各画素に関するそれぞれの同一カソー
ド・ゲート電極間電圧印加のもとでの総電流量をほぼ均
一化するので、実際上、その直径が小さく選定される微
細電子透過孔において、ディスプレイ面の面積を大とす
る場合において、この直径の制御のみで各画素に関する
同一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの総電流
量の均一化をはかり切れない場合でも、この直径の制御
とともに、その面積の異なる微細電子透過孔数すなわち
微小電子放出源の割合も同時に制御するので、大面積デ
ィスプレイにおいても各部の画素に関してそれぞれの同
一カソード・ゲート電極間電圧印加のもとでの総電流量
の均一化を確実にはかることができる。

【００５２】上述したように、本発明によれば、大画面
のディスプレイ装置においても高画質の画面を形成する
ことができ、実用に供してその利益は大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電界放出型ディスプレイ装置の一
例の要部の構成図である。

【図２】本発明を適用する電界放出型ディスプレイ装置
の一例の要部の構成図である。

【図３】図２のさらに要部の一部を断面とした斜視図で
ある。

【図４】電界放出型ディスプレイ装置の動作の説明図で
ある。

【図５】微細電子透過孔の直径に関する電界強度分布へ
の依存性を示す図である。

【図６】微細電子透過孔の高さに関する電界強度分布へ
の依存性を示す図である。

【図７】微細電子透過孔の高さに関する電界強度分布へ
の依存性を示す図である。

【図８】本発明を適用する電界放出型ディスプレイ装置
の製造方法の一例を示す工程図である。図８Ａはその一
の工程図である。図８Ｂはその一の工程図である。図８
Ｃはその一の工程図である。

【符号の説明】

１第１のパネル２第２のパネル３カソード電極４絶縁層５ゲート電極６微細電子透過孔７微小電子放出源８画素１８蛍光面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−257551（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 31/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電界放出型カソードを用いた電界放出型
ディスプレイ装置であって、ディスプレイ面の各画素に対向して複数の微小電子放出
源と該微小電子放出源に対応する微細電子透過孔とが配
置されて成り、上記ディスプレイ面の１画素当たりの上記微小電子放出
源及び上記微細電子透過孔の数を、少なくとも一部の上
記画素について変化させて、上記各画素に関するそれぞ
れの総電流量が、同一カソード・ゲート電極間電圧印加
のもとでほぼ均一化されたことを特徴とする電界放出型
ディスプレイ装置。
【請求項２】上記微小電子放出源及び上記微細電子透
過孔の１画素当たりの数と共に、上記微細電子透過孔の
面積とが、少なくとも一部の上記画素について変化され
て成ることを特徴とする上記請求項１に記載の電界放出
型ディスプレイ装置。