JP3248923B2 - クロム系フッ素化触媒の賦活再生方法およびハロゲン化炭化水素の製造方法 - Google Patents

クロム系フッ素化触媒の賦活再生方法およびハロゲン化炭化水素の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲン化炭化水素の
フッ素化反応に用いられる、クロムを主成分とするフッ
素化触媒の賦活再生方法およびハロゲン化炭化水素の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フッ素を含有するハロゲン化炭化水素
は、フロンガスとよばれ、エアロゾル、冷媒、発泡剤、
溶剤等として広い用途を有している。近年塩素を含むフ
ロンガスは、オゾン層を破壊するおそれがあることか
ら、オゾン層を破壊しない、水素を含むハロゲン化炭化
水素(一般にHCFCと略記される)や塩素を全く含ま
ないフッ化炭化水素(一般にHFCと略記される)がオ
ゾン層を破壊するフロンの代替フロンとして注目されて
いる。
【0003】水素を含むハロゲン化炭化水素を気相接触
反応で製造する際には、活性の高いことから従来、クロ
ム系触媒が用いられていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年注
目されている上記水素を含有するフロン(HCFC,H
FC)の製造にクロム系触媒を用いると、水素を含まな
いフロンを製造する場合に較べて、触媒活性の低下が早
いことが認められる。したがって、HCFCやHFCの
製造にクロム系触媒を用いるには、有効な賦活再生方
法、或いは活性を長期にわたって保持させる方法を開発
することが必要となる。
【0005】クロム系触媒の活性を保持する方法として
は、例えば原料にCl2 を同伴させる方法(特公昭52
−33604号公報)、O2 を同伴させる方法(特公昭
56−23407号公報)等があるが、上記水素を含有
するハロゲン化炭化水素の製造においては、いずれも活
性維持効果はほとんど認められないばかりでなく、望ま
しくない副生物が増加するといった欠点を有する。
【0006】また、劣化した触媒の賦活再生方法として
は、酸素で処理したフッ化クロムを10〜50%の割合
で劣化触媒に添加する方法(特公昭49−4715
8)、活性低下が認められた時点で触媒に酸素を通じ再
活性化する方法(特公昭62−44973号、特開平1
−262946号)等があるが、酸素で処理した触媒を
そのままフッ素化反応に使用すると有効成分の飛散が生
じ、長期にわたり使用すると活性低下をまねくとともに
飛散した物質の処理も問題となる。さらに反応によって
は、酸素で処理しただけの触媒では、好ましくない副生
物が増加することもある。
【0007】本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭
意研究した結果、活性が低下したクロムを主成分とする
ハロゲン化炭化水素のフッ素化触媒を再生賦活する場
合、先ず酸化性ガスと接触させる酸化処理およびこれに
引続いて還元性ガスと接触させる還元処理を順次行うこ
とにより、触媒の有効成分を飛散させることなく触媒の
活性を回復させることができることを発見した。触媒の
有効成分が飛散しないため再生後も長期にわたって活性
が維持でき、また、賦活再生を繰返しても初期と同等の
活性を得ることができる。さらに、HCFC−133a
のフッ素化反応などでは酸素で処理しただけの触媒に較
べ還元処理を併用した触媒でより高い選択性が得られる
ことも見出した。
【0008】本発明は上記の発見に基づいてなされたも
ので、活性の低下したクロム系フッ素化触媒を、繰返し
賦活しても、もとの状態に再生できるフッ素化触媒の賦
活再生方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係るクロムを主
成分とするハロゲン化炭化水素のフッ素化触媒を賦活再
生する方法においては、先ず150〜500℃の温度
で、酸化性ガスと接触させる酸化処理、およびこれに引
続いて100〜500℃の温度で還元性ガスと接触させ
る還元処理を順次行なうことを問題解決の手段とした。
【0010】これらの酸化処理、還元処理に引続き、直
に反応を再開してもよいが、HFにより再度触媒をHF
処理した後に反応を再開することが望ましい。これは、
還元処理により生成し触媒に吸着している水や過度に酸
化をうけた触媒が再フッ素化される際に生成する水が装
置の腐食上問題となる為に除去するばかりでなく、HF
処理により触媒を一層活性な状態に変化させることがで
きるためである。
【0011】本発明の触媒賦活再生方法は一般のハロゲ
ン化炭化水素を製造する際に適用できる。すなわちHF
によるフッ素化反応、ハロゲン化炭化水素同志のハロゲ
ン交換反応にクロム系触媒を用いる際に有効である。
【0012】近年注目されているオゾン層を破壊しない
あるいは破壊しにくい含水素ハロゲン化炭化水素を製造
する場合、すなわち、CH2 Cl2 、CHCl3 、CH
Cl=CCl2 、CH2 =CCl2 、CCl2 =CCl
2 、CH3 CCl3 、CF3 CHCl2 、CF3 CH2
Cl、CF2 ClCF2 CHCl2 、等をHFでフッ素
化する反応をクロム系触媒で行う場合には、活性低下が
早いため本発明が特に効力を発揮する。
【0013】クロムを主成分とするフッ素化触媒として
はCr2 3 やCrF3 およびオキシフッ化クロムCr
x y のようにいわゆるクロム単味の触媒、これらク
ロム化合物を活性炭、アルミナ、AlF3 、TiO2
どに担持した担持触媒、さらには、Mg、Ca、Sr、
Ba、Mn、Co、Ni、Cu、Ag、Al等の金属を
少なくとも1種含有する多元系触媒などがあげられる。
【0014】今、含水素ハロゲン化炭化水素である1,
1,1,2−テトラフルオロエタン(HFC−134a
と略記される)の製法を例として上記Cr系触媒を説明
すると、特開昭55−27138にはCrF3 ・3H2
Oを空気で焼成した触媒、水酸化クロムをHFで活性化
した触媒、さらにはCrを活性炭に担持した触媒が開示
されており、また特開平2−172933には、Cr、
Al、Mgの硝酸水溶液から共沈法によって得られた水
酸化物から調製した触媒が耐久性に勝れた触媒として開
示されている。
【0015】上記フッ素化触媒の活性低下の原因とし
て、次の2つのことが考えられる。
【0016】1つは原料あるいは生成する有機物が触媒
表面で多量化して表面に沈着し、活性点の作用を阻害す
るいわゆるコーキングという現象によるものである。
【0017】いま1つは、反応中に触媒がHFにより過
度のフッ素化をうけ、活性な状態でなくなってしまうと
いう現象によるものである。
【0018】Cr系触媒においても、劣化した触媒を解
析するとカーボンの付着や過度のフッ素化を示す触媒の
酸素含有量の減少が観察されることが多く、上記の要因
が活性低下に寄与していることが推定される。
【0019】従って、こうした劣化触媒を再生するため
には、表面に付着した炭素類の除去、およびフッ素化の
進行した触媒を元の酸素含有量になるまで酸素を補給す
ることが必要となる。このための方法として触媒を酸化
性ガスによって処理する方法が考えられる。
【0020】酸化性ガスとしては、O2 、N2 O、O3
等が使用できるが、扱いやすさ、入手しやすさ等の理由
からO2 が好ましい。処理温度としては150℃以下の
温度では触媒自体や付着カーボンの酸化反応が進行せ
ず、また500℃以上では触媒の過剰酸化をひきおこし
たり、粒子成長を促進して比表面積の低下をひきおこす
ため150〜500℃、特に250〜450℃とするの
が好ましい。
【0021】酸化性ガスは0.1〜100%の濃度範囲
で用いることができるが、高濃度の酸化性ガスを用いる
ことは触媒の有効成分の飛散を促進するため好ましくな
い。一方、濃度が低すぎても処理時間が長くなるため、
酸化性ガス濃度が1〜30%になるようにN2 、Ar等
の不活性ガスで希釈して用いることが好ましい。
【0022】処理圧力は特に制限はないが、操作、取扱
い上常圧付近で行うのが適当である。用いるガスの流量
は処理に要する時間、酸化性ガスの有効反応率等を考慮
するとGHSV(標準状態換算)にして10〜1000
0Hr-1が適当である。
【0023】劣化した触媒に以上の条件下で酸化性ガス
を供給すると発熱が生じ、CO、CO2 、H2 O等のガ
スが生成する。CO、CO2 等のガスの生成が認められ
なくなるまで処理を継続することが望ましいが、時間が
かかりすぎる場合には、触媒層に発熱がなくなった時点
で処理を終了してもよい。
【0024】以上のような酸化処理のみを施した触媒に
反応原料であるHFを供給すると触媒の有効成分の飛散
が認められ、長期にわたって触媒を使用する際に活性低
下をまねくとともに飛散物の処理も問題になる。従っ
て、有効成分の飛散を抑制する必要が生じる。
【0025】上記の問題は還元処理を酸化処理に継続し
て併用することで解決できる。すなわち、酸化処理後の
触媒に還元性ガスを以下の条件で供給し還元処理を行
う。処理温度は、100℃以下では還元反応がほとんど
進行せず、500℃以上では好ましくない触媒の過剰還
元が進行するため100〜500℃、好ましくは250
〜450℃の温度範囲で行う。
【0026】還元性ガスとしては、H2 、CO、NOな
どを使用することができるが、還元力、取扱い易さ等の
理由からH2 を用いるのが適当である。還元性ガスの濃
度は、0.01〜100%で行うことができるが、取扱
い上の安全性からH2 の場合は0.1〜4%、COの場
合は0.1〜12%の濃度で使用することが望ましい。
酸素処理同様、圧力は常圧付近、ガス流量はGHSV
(標準状態換算)で10〜10000Hr-1が適当であ
る。還元処理も発熱反応であるため、還元性ガスの反応
率が0%になるまで処理を行うことが望ましいが、触媒
層に発熱がないことを終了基準としてもよい。
【0027】以上のように酸化処理に継続して還元処理
を行うことで有効成分を飛散させることなく初期の活性
レベルにまで活性を回復させることができる。また、実
施例で述べるように還元処理を併用することで反応によ
っては、好ましくない副生物の生成を抑制する効果も期
待できる。
【0028】本発明の賦活再生処理は反応前を含む任意
の時点で行うことができ、例えば、触媒調製時の焼成方
法としても有効である。
【0029】
【実施例】以下実施例および比較例を示して、本発明を
具体的に説明する。なお説明中ガス流量および空間速度
(SV)はすべて標準状態に換算した値である。
【0030】実施例1 (触媒調製)CrCl3 ・6H2 O:111gを純水:
77gに溶解し、高純度(99.93wt%)活性アル
ミナ:100gを浸漬して触媒液を全量吸収させた。こ
れを120℃で3時間乾燥した後、空気流通下(SV=
200hr-1)400℃で3時間、さらにH2 流通下
(SV=200hr-1)350℃で3時間焼成した。
【0031】(HF処理)上記焼成して得られた触媒3
0mlをインコネル製反応管に充填し、以下の条件でH
Fにより処理した。 処理条件 温度:250〜450℃ HF濃度:1〜100モル% (但し希釈はN2 によって行なった) SV:400hr-1
【0032】上記HF処理を行なった時に、反応管の出
口ガスを希硝酸トラップにバブルして、飛散成分を捕集
して分析したが、何も検出されず、触媒成分は飛散して
いないことを示した。
【0033】(フッ素化反応)HF処理をした後、引継
いて反応温度を330℃に設定し、1気圧、HF:40
0ml/min、1,1,1−トリフルオロクロロエタ
ン(HCFC−133a)100ml/minを供給
し、反応を開始した。反応を300時間継続したところ
HCFC−133aの転化率が、初期に比して3.1%
低下した。
【0034】(酸化、還元処理)上記活性が低下した、
インコネル製反応器に充填されている触媒30mlを3
50℃に保持し、空気:63ml/min、N2 :18
7ml/minを供給し、10時間酸化処理を行なっ
た。次いで反応器内部をN2 でパージした後、350℃
に保持して、H23.5ml/min、N2 :172m
l/minを供給し、2時間還元処理を行なった。
【0035】(HF処理)その後、反応器を330℃に
設定し、HFガス:400ml/minを供給し、再度
触媒のHF処理を行なった。このHF処理においても触
媒成分の飛散は認められなかった。
【0036】(フッ素化反応の再開)上記HF:400
ml/minの気流中に、さらにHCFC−133aを
100ml/minで供給し、反応を再開した。HCF
C133aの転化率は、前のフッ素化反応の5時間目と
同率であり、活性が回復していることを示した。また生
成したHFC−134aの選択率も98.7%と初期と
同等になった。
【0037】(賦活処理の繰返し)さらに同一条件で反
応を継続し、300時間毎に反応器内において、酸化処
理、還元処理、HF処理よりなる賦活処理を行なった。
結果を第1表に示す。
【0038】
【表1】
【0039】実施例2 実施例1と同じ触媒を用い、同じ条件で300時間HC
FC−133aのフッ素化反応に使用して劣化した触媒
30mlを350℃に保持し、N2 O10ml/mi
n、N2 160ml/minを供給し、8時間酸化処
理を行った。次いで反応器内部をN2 でパージした後、
350℃に保持してH2 3.5ml/minを供給
し、2時間還元処理を行ってHF処理した後再び同一条
件でHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果
を表2に示す。
【0040】
【表2】
【0041】比較例1 実施例1と同じ触媒を用い、同じ条件で300時間、H
CFC−133aのフッ素化反応に使用した触媒30m
lに、実施例1において行なった賦活処理のうち、酸化
処理とHF処理を行なって、再びHCFC−133aの
フッ素化反応を行なった。
【0042】その結果、HCFC−133aの転化率
は、19.7%で、実施例1と変わらなかったが、副生
物であるジクロロフルオロエチレン(HCFC−112
1)、1,1−ジフルオロ、1,2クロロエタン(HC
FC−132b)等が増加し、HFC−134aの選択
率は、98.2%と実施例1より低く、かつ時間ととも
に低下して、100時間後には96.8%まで低下し
た。
【0043】また、HF処理において触媒が含有するC
rの2%が飛散した。この結果から、還元処理が必要で
あることがわかる。
【0044】実施例3 実施例1と同じにして、調製、賦活した触媒30mlを
300℃に保持し、1気圧でHF:210ml/mi
n、トリクロロエチレン(CHCl=CCl2)42m
l/minを供給し、フッ素化反応を500時間継続し
HCFC−133aを生成せしめた。その後実施例1の
賦活処理を行ない、再び同一条件で反応を行なった。結
果を表3に示す。
【0045】
【表3】
【0046】実施例4 実施例1と同じ方法で調製、賦活した触媒50mlを3
30℃で保持し、1気圧でHF:140ml/min、
パークロロエチレン(CCl2 =CCl2 ):25ml
/minを供給し、フッ素化反応を500時間行なっ
た。その後、実施例1と同じ賦活処理を行ない同一条件
でフッ素化反応を再開した。結果を第4表に示す。
【0047】
【表4】
【0048】実施例5 実施例1と同じにして調製、賦活した触媒30mlを2
50℃に保持し、1気圧でHF:200ml/min、
ジクロロメタン(CH2 Cl2 ):50ml/minを
供給し、フッ素化反応を500時間継続しジフルオロメ
タン(CH2 2 )を得た。次いで実施例1と同じ賦活
処理を行ない同一条件で反応を再開した。結果を第5表
に示す。
【0049】
【表5】
【0050】実施例6 市販のCrF3 ・3H2 Oをペレットに打錠成型し、3
0mlをインコネル製反応器に充填し、空気流通下(S
V200hr-1)500℃で2時間焼成した。次いで、
400℃に保持し、HFガスによりHF処理を行なった
後、HF気流下で350℃まで降温し、1気圧でHF:
180ml/min、HCFC−133a:45ml/
minを供給し、フッ素化反応を200時間継続しHF
C−134aを得た。その後、実施例1と同じ賦活処理
を行ない、同一条件で反応を再開した。結果を表6に示
す。
【0051】
【表6】
【0052】実施例7 Al(NO3 3 ・9H2 O:440g、Cr(N
3 3 ・9H2 O:50g、Mg(NO3 2 ・6H
2 O:16gを1リットルの水に溶解し、これと28%
アンモニア水溶液800gを攪拌しながら、加熱した
1.6リットルの水に添加して得られた沈殿を濾過、水
洗して120℃で乾燥した。乾燥品を450℃で空気気
流下(SV=250hr-1)5時間焼成し、できた酸化
物粉末を打錠成型した。こうして調製した触媒30ml
を反応器に充填してHF処理を行なった。続いて330
℃に保持し1気圧でHF:30ml/min、HCFC
−133a:120ml/minを供給し、フッ素化反
応を300時間継続しHFC−134aを得た後、実施
例1の賦活処理を行ない同一条件で反応を再開した。結
果を表7に示す。
【0053】
【表7】
【0054】比較例2 実施例1の触媒調製操作において乾燥後に空気焼成のみ
を行いH2 焼成を行わずにHF処理を行った。この処理
において触媒が含有するCrの10%が飛散した。この
結果から還元処理は触媒調製時の処理としても有効であ
ることがわかる。
【0055】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るクロム
系フッ素化触媒の賦活再生方法は、先ず酸化処理、引続
いて還元処理を順次行なうので、触媒は、有効成分を失
うことなく賦活され、賦活再生を繰返しても、初期の活
性レベルに再生されるばかりでなく、反応によっては本
賦活再生方法によって選択性が向上する。従って、工業
触媒の賦活再生方法として好適に使用され、経済的にフ
ッ素化反応を行なわせることができる利点がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C07C 17/04 C07C 17/04 17/20 17/20 19/08 19/08 (72)発明者 平山 秀二 神奈川県川崎市川崎区扇町5−1 昭和 電工株式会社 化学品研究所内 (72)発明者 中山 秀俊 神奈川県川崎市川崎区扇町5−1 昭和 電工株式会社 化学品研究所内 (56)参考文献 特開 平1−262946(JP,A) 特開 平2−167238(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 21/00 - 38/74 C07C 17/04 C07C 17/20 C07C 19/08

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロムを主成分とするハロゲン化炭化水
    素のフッ素化触媒の賦活再生方法において、先ず150
    〜500℃の温度で酸化性ガスと接触させる酸化処理お
    よびこれに引続いて100〜500℃の温度で還元性ガ
    スと接触させる還元処理を順次行なうことを特徴とする
    クロム系フッ素化触媒の賦活再生方法。
  2. 【請求項2】 前記酸化処理および還元処理に引続き、
    フッ化水素処理を行うことを特徴とする請求項1に記載
    のクロム系フッ素化触媒の賦活再生方法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のクロム系フッ
    素化触媒の賦活再生方法によりクロム系フッ素化触媒を
    賦活再生した後、ハロゲン化炭化水素のフッ素化反応を
    行うことを特徴とするハロゲン化炭化水素の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記クロム系フッ素化触媒の賦活再生と
    前記ハロゲン化炭化水素のフッ素化反応とを、同じ反応
    器内で引き続き行うことを特徴とする請求項3に記載の
    ハロゲン化炭化水素の製造方法。
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