JP3243474U - 次亜塩素酸水の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】次亜塩素酸水を、噴霧装置により長時間噴霧させた結果、噴霧装置の付近などへの、付着物の低減を図ることができる次亜塩素酸水の製造装置を提供する。【解決手段】次亜塩素酸水の製造装置は、塩素ガス発生部1と、水が貯留されている貯留タンク2と、該貯留タンク内に、塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、貯留タンク内の水は、蒸発残留物、又は、蒸発時に残留する陽イオンが0.5ppm以下、又は、0.1ppm以下の水であることを特徴とする。【選択図】図1
Description
本考案は、蒸発残留物が非常に少ない次亜塩素酸水、又は、蒸発時に残留する陽イオンが非常に少ない(低陽イオン)の次亜塩素酸水を製造する装置に関するものである。
従来、水に、塩素ガス(Cl2ガス)を混入していき、初期の時点では、次亜塩素酸水は低濃度であるが、塩素ガスを混入し続けることにより、濃度を高め、所望の濃度の次亜塩素酸水を作成する装置がある。
図2は、上記次亜塩素酸水の製造装置であり、該製造装置は、塩素ガス発生部1と、水が貯留されている貯留タンク2と、該貯留タンク2内から水を流入循環して該貯留タンク内に戻す循環管路3と、上記塩素ガス発生部1と上記循環管路3間を連結し、該塩素ガス発生部1からの塩素ガスを上記循環管路3中の水に混入して次亜塩素酸水を生成する混入管路4とからなる。
なお、上記塩素ガス発生部1は、例えば、電解槽5と、希塩酸タンク6と、上記電解槽5と上記希塩酸タンク6とを連結した送水管7と、該送水管7に介在した希塩酸ポンプ8とよりなり、該ポンプ8の駆動により、上記希塩酸タンク6内の希塩酸が上記電解槽5に供給されるようになる。
また、上記電解槽5は、例えば、槽5aと、該槽5a内に設けられた、陰陽両極間に隔膜が存在しない陽極5bと陰極5cとよりなり、該陽極5bと陰極5cとにより、希塩酸が電気分解され、塩素ガスが発生するようになる。
なお、12は、上記陽極5bと陰極5cの電源を示す。
また、上記循環管路3は、例えば、該循環管路3の流入管部3aと流出管部3bを上記貯留タンク2に接続すると共に、該循環管路3の中間部に循環ポンプ9を介在し、該循環ポンプ9の駆動により、上記貯留タンク2内の水が上記流入管部3aから流入して上記循環管路3内を流動し、上記流出管部3bより上記貯留タンク2内に流出し、上記循環管路3内を水又は次亜塩素酸水が循環するようになる。
なお、上記循環管路3を設けずに、上記塩素ガス発生部1からの塩素ガスを、上記貯留タンク2に混入するようにしてもよい。
また、上記混入管路4は、その一端部を上記電解槽5に接続すると共に、他端部を上記循環管路3の中間部の混入個所Aに接続し、上記電解槽5内で生成した塩素ガスを、上記混入管路4を介して上記循環管路3内を流動する水に混入し、次亜塩素酸水を生成するようにする。
なお、10は、上記貯留タンク2に設けられた、次亜塩素酸水の排出管、11は、上記貯留タンク2に設けられた、上記電解槽5で発生した水素ガスを外部に排出する排出口を示す。
次に上記装置による次亜塩素酸水の製造方法とその効果について説明する。
上記希塩酸ポンプ8を駆動して上記希塩酸タンク6内の希塩酸を電解槽5内に供給し、該電解槽5において、希塩酸に浸漬されている陰陽両極5b、5cに通電して希塩酸を連続的に電解処理し、塩素ガスを発生させる。
一方、上記循環ポンプ9を駆動して、上記貯留タンク2内の水を循環管路3内を循環流動させる。
そして、発生した上記塩素ガスを上記混入管路4内を流動させて混入個所Aで上記循環管路3内を流動する水に混入し、次亜塩素酸水を生成しながら該次亜塩素酸水を貯留タンク2内に貯留させていく。
初期の時点では、次亜塩素酸水は低濃度であるが、該次亜塩素酸水が循環管路3内の循環を繰り返しながら塩素ガスが混入されて徐々に濃度の高い次亜塩素酸水になってくる。そして貯留タンク2内の次亜塩素酸水が所望の濃度になるまで運転を継続するようにする。
このように次亜塩素酸水を循環しながら塩素ガスを混入する方式であるので、小形の電解槽5で、陰陽電極5b、5cの通電が低電流であっても所望の高濃度の次亜塩素酸水を得ることができる。
上記の方法によれば、生成した塩素ガスを循環する水又は次亜塩素酸水に混入することを繰り返しながら循環しているので、例えば、2ppmの低濃度から80ppm、更には、それ以上、例えば、1000ppm近くまでの高濃度の次亜塩素酸水を生成することができるようになる。
又、貯留タンク2の容量、循環管路3内の循環液量或いは循環時間、又は電解槽5での塩素ガスの発生量を種々に調整することにより、少量から大量の任意の濃度の次亜塩素酸水を生成することができる。
例えば、上記次亜塩素酸水の製造装置としては、例えば、特許文献1がある。
しかしながら、上記従来の製造装置により製造した次亜塩素酸水を噴霧装置により長時間噴霧させた結果、噴霧装置の付近などに、付着物があるのを発見した。
そして、かかる付着物は、蒸発残留物の発生を忌避する場所においては好ましくない。
そこで、本願考案者は、種々実験、検討した結果、その付着物は、水道水内の蒸発残留物、又は、蒸発残留陽イオンが原因で、次亜塩素酸水を製造するための水として、水道水13を用いていたからであることを見出した。
即ち、水道水は、蒸発残留物の水質基準値としては、500mg/L(ppm)であるが、蒸発残留物の濃度が極端に低いと味気がなく、まずくなるため、おいしい水の観点から、蒸発残留物が30~200mg/Lを目標値とされている(厚生労働省の水質基準の見直しにおける検討概要の整理番号23005参照)。
従って、水道水では、蒸発残留物がどうしても多くなってしまう事を見出した。
更に、次亜塩素酸水の製造のための水として、所望の値以下の蒸発残留物の水、又は、所望の値以下の蒸発時の残留陽イオンの水を使用することにより、製造された次亜塩素酸水を噴霧した時に、付着物の発生を防ぎ、蒸発残留物の発生を忌避する場所においても、使用できることが分かった。
本考案は、上記知見に基づくものである。
本考案は、上記知見に基づくものである。
本考案の次亜塩素酸水の製造装置は、塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、上記貯留タンク内の水は、蒸発残留物、又は、蒸発時に残留する陽イオンが0.5ppm以下である水であることを特徴とする。
また、本考案の次亜塩素酸水の製造装置は、塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、上記貯留タンク内の水は、蒸発残留物、又は、蒸発時に残留する陽イオンが0.1ppm以下である水であることを特徴とする。
また、上記水は、蒸留水などであることを特徴とする。
また、上記塩素ガス発生部は、陰陽両極間に隔膜が存在しない陽極と陰極とよりなる電解槽と、希塩酸タンクと、上記電解槽と上記希塩酸タンクとを連結した送水管と、該送水管に介在した希塩酸ポンプとよりなることを特徴とする。
また、上記貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段は、上記貯留タンク内から水を流入循環して該貯留タンク内に戻す循環管路と、上記塩素ガス発生部と上記循環管路間を連結し、該塩素ガス発生部からの塩素ガスを上記循環管路中の水に混入させる混入管路とよりなることを特徴とする。
本考案によれば、蒸発残留物、又は、蒸発時に残留する陽イオンが、0.5ppm、又は、0.1ppm以下の水を使用して、次亜塩素酸水を製造することにより、該製造された次亜塩素酸水を使用しても、付着物が殆ど発生せず、また、蒸発残留物の発生を忌避する場所において使用ができるようになる。
以下図面によって本考案の実施例を説明する。
なお、従来例と同じ部分には同じ符号を付け、説明を省略する、
本考案においては、従来、使用していた水道水の代わりに、蒸発残留物、又は、蒸発時に残留する陽イオンが0.5ppm(mg/L)以下、又は、0.1ppm以下となる水14を用い、図1に示すように、該水14を、上記貯留タンク2に貯留し、次亜塩素酸水を製造するようにする。
該蒸発残留物、又は、蒸発時残留陽イオンが0.5ppm以下、又は、0.1ppm以下となる水は、例えば、蒸発残留物、又は、蒸発時残留陽イオンが0.5ppm以下、又は、0.1ppm以下の蒸留水などを用いる。
水道水は、蒸発残留物の水質基準値として、500mg/L(ppm)であるが、おいしい水の観点から、蒸発残留物が30~200mg/Lを目標値とされているため、この水道水を用いて、次亜塩素酸水を製造すると、塩素ガスは、HCIOと、HClが生成されるが、いずれも噴霧時は気散して、残らないため、水道水に存在する蒸発残留物がそのまま残留するか、HCLと反応して塩化物として残留して、その結果、次亜塩素酸水の蒸発残留物は、30ppm以上となってしまう。
しかしながら、本考案においては、蒸発残留物少ない水、又は、残留する陽イオンが少ない水を利用するので、付着物の低減を図ることができる。
そして、蒸発残留物の発生を忌避する場所において使用ができるようになる。
なお、上記製造した次亜塩素酸水は、噴霧以外に、殺菌料として使用することもできる。
また、上記製造装置は、連続式でも、バッチ式であってもよい。
1 塩素ガス発生部
2 貯留タンク
3 循環管路
3a 流入管部
3b 流出管部
4 混入管路
5 電解槽
5a 槽
5b 陽極
5c 陰極
6 希塩酸タンク
7 送水管
8 希塩酸ポンプ
9 循環ポンプ
10 排出管
11 排出口
12 電源
13 水道水
14 低蒸発残留物の水、又は、低残留陽イオンの水
2 貯留タンク
3 循環管路
3a 流入管部
3b 流出管部
4 混入管路
5 電解槽
5a 槽
5b 陽極
5c 陰極
6 希塩酸タンク
7 送水管
8 希塩酸ポンプ
9 循環ポンプ
10 排出管
11 排出口
12 電源
13 水道水
14 低蒸発残留物の水、又は、低残留陽イオンの水
Claims (6)
- 塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、
上記貯留タンク内の水は、蒸発残留物が0.5ppm以下である水であることを特徴とする次亜塩素酸水の製造装置。 - 塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、
上記貯留タンク内の水は、蒸発残留物が0.1ppm以下である水であることを特徴とする次亜塩素酸水の製造装置。 - 塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、
上記貯留タンク内の水は、蒸発時に残留する陽イオンが0.5ppm以下である水であることを特徴とする次亜塩素酸水の製造装置。 - 塩素ガス発生部と、水が貯留されている貯留タンクと、該貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段とよりなり、
上記貯留タンク内の水は、蒸発時に残留する陽イオンが0.1ppm以下である水であることを特徴とする次亜塩素酸水の製造装置。 - 上記塩素ガス発生部は、陰陽両極間に隔膜が存在しない陽極と陰極とよりなる電解槽と、希塩酸タンクと、上記電解槽と上記希塩酸タンクとを連結した送水管と、該送水管に介在した希塩酸ポンプとよりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の次亜塩素酸水の製造装置。
- 上記貯留タンク内に、上記塩素ガス発生部からの塩素ガスを混入させる手段は、
上記貯留タンク内から水を流入循環して該貯留タンク内に戻す循環管路と、
上記塩素ガス発生部と上記循環管路間を連結し、該塩素ガス発生部からの塩素ガスを上記循環管路中の水に混入させる混入管路とよりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1記載の次亜塩素酸水の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023002331U JP3243474U (ja) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 次亜塩素酸水の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JP3243474U true JP3243474U (ja) | 2023-08-29 |
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Family Applications (1)
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JP2023002331U Active JP3243474U (ja) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 次亜塩素酸水の製造装置 |
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2023
- 2023-06-30 JP JP2023002331U patent/JP3243474U/ja active Active
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