JP3240686B2 - Method for producing high-quality oxide superconducting thin film and superconducting junction - Google Patents
Method for producing high-quality oxide superconducting thin film and superconducting junctionInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高品質な酸化物超電導
薄膜の作製方法およびその方法を応用した超電導接合の
作製方法に関する。より詳細には、オンアクシススパッ
タリング法とオフアクシススパッタリング法とを組み合
わせて、高品質の酸化物超電導薄膜および超電導接合構
造体を作製する方法に関する。The present invention relates to a method for producing a high-quality oxide superconducting thin film and a method for producing a superconducting junction using the method. More specifically, the present invention relates to a method for producing a high-quality oxide superconducting thin film and a superconducting junction structure by combining on-axis sputtering and off-axis sputtering.
【０００２】[0002]
【従来の技術】酸化物超電導薄膜の作製には、各種の方
法が使用されるが、スパッタリング法には、ＭＢＥ法ほ
ど高真空が要求されないこと、スパッタリングガスによ
り成膜時の雰囲気を制御可能であること、等の特長があ
る。酸化物超電導薄膜の作製には、高周波スパッタリン
グ法、高周波マグネトロンスパッタリング法が使用され
るのが一般的である。また、基板とターゲットの配置に
より、オンアクシススパッタリング法とオフアクシスス
パッタリング法とに分けられる。2. Description of the Related Art Various methods are used for producing an oxide superconducting thin film. The sputtering method does not require a high vacuum as compared with the MBE method, and the atmosphere during film formation can be controlled by a sputtering gas. There are certain features. In general, a high-frequency sputtering method or a high-frequency magnetron sputtering method is used for producing an oxide superconducting thin film. Further, it is classified into an on-axis sputtering method and an off-axis sputtering method depending on the arrangement of the substrate and the target.
【０００３】図２を参照してオンアクシススパッタリン
グ法と、オフアクシススパッタリング法との相違を説明
する。図２(a)および(b)はそれぞれオンアクシススパッ
タリング法による成膜に使用するスパッタリング装置
と、オフアクシススパッタリング法による成膜に使用す
るスパッタリング装置とを模式的に示した図である。ど
ちらの装置も基本的には等しい構成であり、真空チャン
バ１内に配置されたターゲット６を搭載できるスパッタ
リング陰極２と、基板５が搭載可能で、基板加熱用ヒー
タ４を内蔵した基板ホルダ３とを備える。図示されてい
ないが、チャンバ１には排気ポンプが接続され、スパッ
タリング陰極２には高周波電源が接続されている。The difference between the on-axis sputtering method and the off-axis sputtering method will be described with reference to FIG. FIGS. 2A and 2B schematically show a sputtering apparatus used for film formation by on-axis sputtering and a sputtering apparatus used for film formation by off-axis sputtering. Both devices have basically the same configuration, and include a sputtering cathode 2 on which a target 6 placed in a vacuum chamber 1 can be mounted, and a substrate holder 3 on which a substrate 5 can be mounted and a substrate heating heater 4 is built. Is provided. Although not shown, an exhaust pump is connected to the chamber 1, and a high-frequency power supply is connected to the sputtering cathode 2.
【０００４】オンアクシススパッタリング法で成膜を行
う場合には、図２(a)に示すよう基板５とターゲット６
とが正対するよう配置される。一方、オフアクシススパ
ッタリング法で成膜を行う場合には、ターゲット６は基
板５の正面以外の位置に配置される。図２(b)では、タ
ーゲット６は、基板５の周辺部上で基板５の中心線方向
に真横に向いて配置されている。When a film is formed by the on-axis sputtering method, a substrate 5 and a target 6 are formed as shown in FIG.
Are arranged to face each other. On the other hand, when performing film formation by the off-axis sputtering method, the target 6 is arranged at a position other than the front of the substrate 5. In FIG. 2B, the target 6 is arranged on the peripheral portion of the substrate 5 so as to be directly lateral to the center line direction of the substrate 5.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】オンアクシススパッタ
リング法で酸化物超電導薄膜を成膜する場合には、逆ス
パッタリングを避けるため、比較的小さい高周波電力で
成膜を行う。この結果、オンアクシススパッタリング法
で成膜された酸化物超電導薄膜は、結晶性が良好で、平
滑であるが、結晶中の酸素が不足しており、成膜しただ
けでは超電導特性が悪かった。この酸化物超電導薄膜の
超電導特性を改善するために、酸素雰囲気中で熱処理を
行うと欠陥が発生する。When an oxide superconducting thin film is formed by an on-axis sputtering method, the film is formed with a relatively small high-frequency power in order to avoid reverse sputtering. As a result, the oxide superconducting thin film formed by the on-axis sputtering method had good crystallinity and was smooth, but lacked oxygen in the crystal. When heat treatment is performed in an oxygen atmosphere to improve the superconducting characteristics of the oxide superconducting thin film, defects are generated.
【０００６】一方、オフアクシススパッタリング法で酸
化物超電導薄膜を成膜するときには、大きい高周波電力
を印加することが可能である。このため、オフアクシス
スパッタリング法で成膜された酸化物超電導薄膜は、成
膜しただけで超電導特性が優れている。例えば、オフア
クシススパッタリング法で成膜されたＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸
化物超電導薄膜の臨界温度は85Ｋ以上で、臨界電流密度
は106Ａ／cm2以上になる。しかしながら、オフアクシス
スパッタリング法で成膜された酸化物超電導薄膜は、ヘ
テロエピタキシャル成長しているために結晶性が悪く、
表面に凹凸が生ずることがあった。On the other hand, when forming an oxide superconducting thin film by an off-axis sputtering method, it is possible to apply a large high-frequency power. For this reason, the oxide superconducting thin film formed by the off-axis sputtering method has excellent superconducting characteristics just by being formed. For example, the critical temperature of the Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin film formed by the off-axis sputtering method is 85 K or more, and the critical current density is 10 6 A / cm 2 or more. However, the oxide superconducting thin film formed by the off-axis sputtering method has poor crystallinity due to heteroepitaxial growth,
Irregularities sometimes occurred on the surface.
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決し、スパッタリング法により高品質の酸化
物超電導薄膜を成膜する方法を提供することにある。It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide a method for forming a high-quality oxide superconducting thin film by a sputtering method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、基板上
に酸化物超電導薄膜をスパッタリング法により作製する
方法において、最初に基板とターゲットとを正対して配
置してスパッタリングを行うオンアクシススパッタリン
グ法で、結晶性が良好で臨界温度が低い酸化物超電導薄
膜を成膜し、その上に該基板の周辺部上に該基板に正対
させずに該基板の中心に向けてターゲットを配置してス
パッタリングを行うオフアクシススパッタリング法で超
電導特性の優れた酸化物超電導薄膜を積層することを特
徴とする酸化物超電導薄膜の作製方法が提供される。According to the present invention, in a method of forming an oxide superconducting thin film on a substrate by a sputtering method, an on-axis sputtering method in which a substrate and a target are first placed facing each other and sputtering is performed. In this, an oxide superconducting thin film having good crystallinity and a low critical temperature is formed, and a target is disposed on the peripheral portion of the substrate toward the center of the substrate without directly facing the substrate. There is provided a method for producing an oxide superconducting thin film, comprising laminating oxide superconducting thin films having excellent superconducting properties by an off-axis sputtering method in which sputtering is performed.
【０００９】また、本発明では、基板上に最初に基板と
ターゲットとを正対して配置してスパッタリングを行う
オンアクシススパッタリング法で、結晶性が良好で臨界
温度が低い酸化物超電導薄膜を成膜し、その上に該基板
の周辺部上に該基板に正対させずに該基板の中心に向け
て基板を配置してスパッタリングを行うオフアクシスス
パッタリング法で超電導特性の優れた酸化物超電導薄膜
を積層し、再度オンアクシススパッタリング法で結晶性
が良好で臨界温度が低い酸化物超電導薄膜を成膜し、最
後にオフアクシススパッタリング法で超電導特性の優れ
た酸化物超電導薄膜を積層することを特徴とする超電導
接合構造体の作製方法が提供される。According to the present invention, an oxide superconducting thin film having good crystallinity and a low critical temperature is formed on a substrate by an on-axis sputtering method in which a substrate and a target are first placed facing each other and sputtering is performed. Then, an oxide superconducting thin film having excellent superconducting properties is formed on the peripheral portion of the substrate by an off-axis sputtering method in which the substrate is disposed toward the center of the substrate without being directly opposed to the substrate and sputtering is performed. It is characterized by laminating, again forming an oxide superconducting thin film with good crystallinity and low critical temperature by on-axis sputtering method, and finally laminating oxide superconducting thin film with excellent superconductivity by off-axis sputtering method. A method for manufacturing a superconducting junction structure is provided.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の方法は、オンアクシススパッタリング
法とオフアクシススパッタリング法とを組み合わせて、
ホモエピタキシャル成長した結晶性、平滑性、超電導特
性のいずれもが優れた酸化物超電導薄膜を熱処理なしで
作製するところにその主要な特徴がある。即ち、本発明
の方法では、オンアクシススパッタリング法で成膜した
結晶性、平滑性の優れた酸化物超電導薄膜上にオフアク
シススパッタリング法で成膜した超電導特性の優れた酸
化物超電導薄膜を積層して、結晶性、平滑性、超電導特
性のいずれもが優れた酸化物超電導薄膜を作製する。The method of the present invention combines the on-axis sputtering method and the off-axis sputtering method,
The main feature is that an oxide superconducting thin film obtained by homoepitaxial growth and having excellent crystallinity, smoothness, and superconductivity is produced without heat treatment. That is, in the method of the present invention, an oxide superconducting thin film having excellent superconducting properties formed by off-axis sputtering is laminated on an oxide superconducting thin film having excellent crystallinity and smoothness formed by on-axis sputtering. Thus, an oxide superconducting thin film having excellent crystallinity, smoothness, and superconducting properties is produced.
【００１１】オンアクシススパッタリング法で成膜した
結晶性、平滑性の優れた酸化物超電導薄膜上にオフアク
シススパッタリング法で酸化物超電導薄膜を成膜する
と、下層の酸化物超電導薄膜の結晶性、平滑性が上層に
成長する酸化物超電導薄膜に受け継がれる。従って、結
晶性、平滑性が優れた酸化物超電導薄膜が得られる。When an oxide superconducting thin film is formed by an off-axis sputtering method on an oxide superconducting thin film having excellent crystallinity and smoothness formed by an on-axis sputtering method, the crystallinity and smoothness of the underlying oxide superconducting thin film are reduced. The properties are inherited by the oxide superconducting thin film growing on the upper layer. Therefore, an oxide superconducting thin film having excellent crystallinity and smoothness can be obtained.
【００１２】一方、上層の酸化物超電導薄膜は、オフア
クシススパッタリング法により、高い高周波電力で発生
したプラズマから成長しているので超電導特性に優れて
いる。従って、本発明の方法では、結晶性、平滑性、超
電導特性のいずれもが優れた酸化物超電導薄膜を作製す
ることが可能である。本発明の方法では、オンアクシス
スパッタリング法で成膜した下層の酸化物超電導薄膜の
厚さは、酸化物超電導体結晶が数ユニットは十分に並ぶ
５nmより厚くすることが好ましいが、100nmを越える程
の厚さにしてもその効果は変わらない。On the other hand, the oxide superconducting thin film of the upper layer is excellent in superconducting characteristics because it is grown from plasma generated by high-frequency power by off-axis sputtering. Therefore, according to the method of the present invention, it is possible to produce an oxide superconducting thin film having excellent crystallinity, smoothness, and superconductivity. In the method of the present invention, the thickness of the lower oxide superconducting thin film formed by the on-axis sputtering method is preferably thicker than 5 nm in which several units of the oxide superconducting crystal are sufficiently lined up. The effect does not change even if the thickness is.
【００１３】また、本発明では、オンアクシススパッタ
リング法とオフアクシススパッタリング法とを組み合わ
せて、トンネル型の超電導接合構造体を作製する方法も
提供される。上述の通り、オンアクシススパッタリング
法で成膜した酸化物超電導薄膜は超電導特性が悪く、液
体窒素温度では絶縁体としての挙動を示す。従って、本
発明の方法では、オンアクシススパッタリング法で成膜
した酸化物超電導薄膜を絶縁体層として使用して超電導
接合構造体を作製する。The present invention also provides a method for producing a tunnel-type superconducting junction structure by combining on-axis sputtering and off-axis sputtering. As described above, the oxide superconducting thin film formed by the on-axis sputtering method has poor superconducting properties, and exhibits a behavior as an insulator at liquid nitrogen temperature. Therefore, in the method of the present invention, a superconducting junction structure is manufactured using an oxide superconducting thin film formed by an on-axis sputtering method as an insulator layer.
【００１４】具体的には、オンアクシス−オフアクシス
−オンアクシス−オフアクシスという順に各スパッタリ
ング法で酸化物超電導薄膜の成膜を行い、絶縁体薄膜
（オンアクシススパッタリング法で成膜された酸化物超
電導薄膜）を挟んで上下に配置された酸化物超電導薄膜
（オフアクシススパッタリング法で成膜された酸化物超
電導薄膜）で構成されたトンネル型の超電導接合構造体
を作製する。本発明の方法で作製された超電導接合構造
体は、非超電導層が超電導特性が悪い酸化物超電導体で
あるので近接効果を利用することができる。従って、非
超電導層の厚さを数nm以下という極薄にする必要がな
く、再現性よくトンネル型超電導接合構造体が作製可能
である。Specifically, an oxide superconducting thin film is formed by each sputtering method in the order of on-axis-off-axis-on-axis-off-axis, and an insulating thin film (an oxide film formed by the on-axis sputtering method) is formed. A tunnel-type superconducting junction structure composed of an oxide superconducting thin film (an oxide superconducting thin film formed by an off-axis sputtering method) disposed above and below a superconducting thin film) is produced. The superconducting junction structure manufactured by the method of the present invention can utilize the proximity effect because the non-superconducting layer is an oxide superconductor having poor superconducting properties. Therefore, it is not necessary to make the thickness of the non-superconducting layer extremely thin, that is, several nm or less, and a tunnel-type superconducting junction structure can be produced with good reproducibility.
【００１５】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following disclosure is merely an example of the present invention and does not limit the technical scope of the present invention.
【００１６】[0016]
【実施例】本発明の方法によりＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超
電導薄膜およびＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を超電
導層に使用したトンネル型超電導接合を作製した。図１
に本発明の方法を実施するスパッタリング装置の一例の
模式図を示す。図１のスパッタリング装置は、真空チャ
ンバ１内の底面および側面にそれぞれ配置され、ターゲ
ット61および62が保持できるスパッタリング陰極21およ
び22と、チャンバ１内の上面に配置され、基板５を保持
可能で、基板加熱用のヒータ４を備える基板ホルダ３と
を具備する。図示されていないが、チャンバ１には排気
ポンプが接続され、スパッタリング陰極21、22には高周
波電源が接続されている。Preparation methods tunnel superconductor junction used in the superconducting layer Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7 -X oxide superconductor thin film and Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7 -X oxide superconductor thin film of the embodiment of the present invention did. FIG.
FIG. 1 shows a schematic view of an example of a sputtering apparatus for performing the method of the present invention. The sputtering apparatus shown in FIG. 1 is disposed on the bottom surface and the side surface in the vacuum chamber 1, respectively, and is capable of holding the sputtering targets 21 and 22 and the sputtering cathodes 21 and 22 on the upper surface in the chamber 1 and holding the substrate 5. A substrate holder 3 having a heater 4 for heating the substrate. Although not shown, an exhaust pump is connected to the chamber 1, and a high-frequency power source is connected to the sputtering cathodes 21 and 22.
【００１７】上記のスパッタリング装置においては、ス
パッタリング陰極21は、オンアクシススパッタリング法
で成膜する際に使用し、スパッタリング陰極22はオフア
クシススパッタリング法で成膜を行う場合に使用する。
また、ターゲット61および62もそれぞれのスパッタリン
グ法に最適な組成のものを使用した。また、基板にはMg
Ｏ（１００）基板を使用した。それぞれのスパッタリン
グ法における成膜条件を以下の表１に示す。In the above sputtering apparatus, the sputtering cathode 21 is used when forming a film by on-axis sputtering, and the sputtering cathode 22 is used when forming a film by off-axis sputtering.
The targets 61 and 62 also had the optimum composition for each sputtering method. In addition, the substrate
An O (100) substrate was used. Table 1 below shows film forming conditions in each sputtering method.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】本発明の方法では、最初にオンアクシスス
パッタリング法で50nmのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄
膜を成膜し、続いてオフアクシススパッタリング法で45
0nmのＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を成膜した。
尚、比較のために、オンアクシススパッタリング法のみ
およびオフアクシススパッタリング法のみでもそれぞれ
Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を成膜し、それぞれの
超電導特性を比較した。結果を以下の表２に示す。In the method of the present invention, first, a Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin film of 50 nm is formed by on-axis sputtering, and then 45 nm by off-axis sputtering.
A 0 nm Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin film was formed.
For comparison, Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin films were formed by only the on-axis sputtering method and the off-axis sputtering method, respectively, and their superconducting properties were compared. The results are shown in Table 2 below.
【００２０】[0020]
【表２】 [Table 2]
【００２１】次に、上記のようにオンアクシススパッタ
リング法とオフアクシススパッタリング法とで、Ｙ1Ba2
Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を成膜し、さらにその上にオ
ンアクシススパッタリング法で臨界温度の低いＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜を積層し、最後に再びオフアク
シススパッタリング法でＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄
膜積層して超電導接合構造体を作製した。成膜条件は、
上記の方法と等しくし、各膜厚は、それぞれ下から10n
m、200nm、10nmおよび200nmとした。この超電導接合構
造体に電極を設け、５μｍ×５μｍのジョセフソン素子
を作製してその特性を測定した。77Ｋに冷却し、周波数
18ＧHz、出力0.2 ｍＷのマイクロ波を印加したところ、
37μＶの倍数の電圧点でシャピロステップが観測され、
ジョセフソン結合が実現していることが確認された。Next, Y 1 Ba 2 is formed by the on-axis sputtering method and the off-axis sputtering method as described above.
A Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin film is formed, and Y 1 Ba 2 Cu having a low critical temperature is further formed thereon by on-axis sputtering.
A 3 O 7-X oxide superconducting thin film was laminated, and finally, a Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7-X oxide superconducting thin film was laminated again by off-axis sputtering to produce a superconducting junction structure. The deposition conditions are
Equivalent to the above method, each film thickness from the bottom 10n
m, 200 nm, 10 nm and 200 nm. An electrode was provided on the superconducting junction structure, a 5 μm × 5 μm Josephson device was fabricated, and its characteristics were measured. Cool to 77K, frequency
When a microwave of 18 GHz and output of 0.2 mW was applied,
Shapiro steps are observed at voltage points that are multiples of 37 μV,
It was confirmed that Josephson coupling was realized.
【００２２】本実施例では、酸化物超電導体にＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導体を使用したが、本発明の方法は、
Bi2Sr2Ca1Cu2Ｏx 、Tl2Ba2Ca2Cu3Ｏx 等任意の酸化物超
電導体に適用可能である。In this embodiment, the oxide superconductor is made of Y 1 Ba 2 Cu
Although a 3 O 7-X oxide superconductor was used, the method of the present invention
The present invention can be applied to any oxide superconductor such as Bi 2 Sr 2 Ca 1 Cu 2 O x and Tl 2 Ba 2 Ca 2 Cu 3 O x .
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従うと、
高品質な酸化物超電導薄膜の作製方法が提供される。本
発明の方法は、オンアクシススパッタリング法と、オフ
アクシススパッタリング法とを組み合わせるだけである
ので容易に実現することが可能である。また、本発明で
は、オンアクシススパッタリング法と、オフアクシスス
パッタリング法とを組み合わせたトンネル型超電導接合
の作製方法も提供される。本発明の方法では、再現性よ
くトンネル型超電導接合を作製することが可能である。As described above, according to the present invention,
A method for producing a high-quality oxide superconducting thin film is provided. The method of the present invention can be easily realized because only the on-axis sputtering method and the off-axis sputtering method are combined. Further, the present invention also provides a method for manufacturing a tunnel-type superconducting junction by combining on-axis sputtering and off-axis sputtering. According to the method of the present invention, a tunnel-type superconducting junction can be produced with good reproducibility.
【図１】本発明の方法を実施するスパッタリング装置の
一例の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of an example of a sputtering apparatus for performing a method of the present invention.
【図２】従来のスパッタリング装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic view of a conventional sputtering apparatus.
１ 真空チャンバ ２、21、22 スパッタリング陰極 ３ 基板ホルダ ４ ヒータ ５ 基板 ６、61、62 ターゲット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum chamber 2, 21, 22 Sputtering cathode 3 Substrate holder 4 Heater 5 Substrate 6, 61, 62 Target
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＢ (56)参考文献 特開 昭63−224112（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/24 H01B 13/00 C30B 1/00 - 35/00 C23C 14/00 - 14/58 C01G 1/00 ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＣＡ（ＳＴＮ)────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 39/24 ZAA H01L 39/24 ZAAB (56) References JP-A-63-224112 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 39/24 H01B 13/00 C30B 1/00-35/00 C23C 14/00-14/58 C01G 1/00 WPI (DIALOG) JICST file (JOIS) CA (STN )
Claims (2)
ング法により作製する方法において、最初に基板とター
ゲットとを正対して配置してスパッタリングを行うオン
アクシススパッタリング法で、結晶性が良好で臨界温度
が低い酸化物超電導薄膜を成膜し、その上に該基板の周
辺部上に該基板に正対させずに該基板の中心に向けてタ
ーゲットを配置してスパッタリングを行うオフアクシス
スパッタリング法で超電導特性の優れた酸化物超電導薄
膜を積層することを特徴とする酸化物超電導薄膜の作製
方法。1. A method for producing an oxide superconducting thin film on a substrate by a sputtering method, wherein an on-axis sputtering method in which a substrate and a target are first placed facing each other and sputtering is performed, and the crystallinity is good and the critical temperature is high. Is formed by forming an oxide superconducting thin film having a low thickness, and arranging a target on the peripheral portion of the substrate toward the center of the substrate without directly facing the substrate, and performing sputtering by an off-axis sputtering method. A method for producing an oxide superconducting thin film, comprising laminating oxide superconducting thin films having excellent characteristics.
対して配置してスパッタリングを行うオンアクシススパ
ッタリング法で、結晶性が良好で臨界温度が低い酸化物
超電導薄膜を成膜し、その上に該基板の周辺部上に該基
板に正対させずに該基板の中心に向けて基板を配置して
スパッタリングを行うオフアクシススパッタリング法で
超電導特性の優れた酸化物超電導薄膜を積層し、再度オ
ンアクシススパッタリング法で結晶性が良好で臨界温度
が低い酸化物超電導薄膜を成膜し、最後にオフアクシス
スパッタリング法で超電導特性の優れた酸化物超電導薄
膜を積層することを特徴とする超電導接合構造体の作製
方法。2. An oxide superconducting thin film having good crystallinity and a low critical temperature is formed by an on-axis sputtering method in which a substrate and a target are first placed facing each other and sputtering is performed on the substrate. An oxide superconducting thin film having excellent superconducting properties is laminated on the peripheral portion of the substrate by an off-axis sputtering method in which the substrate is disposed toward the center of the substrate without being directly opposed to the substrate and sputtering is performed. A superconducting junction structure characterized by forming an oxide superconducting thin film with good crystallinity and a low critical temperature by on-axis sputtering, and finally laminating an oxide superconducting thin film with excellent superconductivity by off-axis sputtering. How to make the body.
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|---|---|---|---|
| JP15588192A JP3240686B2 (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Method for producing high-quality oxide superconducting thin film and superconducting junction |
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| JP15588192A JP3240686B2 (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Method for producing high-quality oxide superconducting thin film and superconducting junction |
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1992
- 1992-05-22 JP JP15588192A patent/JP3240686B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH05319819A (en) | 1993-12-03 |
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