JP3237420B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3237420B2
JP3237420B2 JP25816394A JP25816394A JP3237420B2 JP 3237420 B2 JP3237420 B2 JP 3237420B2 JP 25816394 A JP25816394 A JP 25816394A JP 25816394 A JP25816394 A JP 25816394A JP 3237420 B2 JP3237420 B2 JP 3237420B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、更に
詳しくは出力電流容量の調整機能を有する半導体装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置(以下、単に「IC」
と記す)の電流出力段の構成について図4および図5を
参照して説明する。
【0003】図4は従来のICのシステムブロック図で
あり、チップ10は入力端子5から入力した信号を目的
に応じて処理する論理素子等で構成されているIC回路
部2および前記IC回路部2で信号処理された結果を出
力端子6に付加される電子部品(図示せず)を駆動する
ための出力バッファ回路11を主要な要素として構成さ
れている。
【0004】つぎに、前記出力バッファ回路11につい
て説明すると、図5に示すようにIC回路部2からの出
力信号7はインバータ170、171で受けられた後、
出力バッファ素子150、160に接続され、出力信号
7に対応した電流が出力端子6に接続した電子部品に供
給される。尚、図5においては単一のバッファ回路を示
しているが、出力電流容量を大きくする場合は同一の回
路を複数個並列に接続して構成している。
【0005】一般にICを設計する際にはユーザーが提
示する仕様に示された負荷条件に合わせて設計を行う
が、必ずしもユーザーの提示する条件がユーザーが使用
する状態に合致しているとは限らない。例えば一般に回
路開発においてはボード上に多数のICチップを配し、
線材で結線するためIC間の配線が長くなることが避け
られなく、従って、線材の抵抗および容量の増加のため
回路開発時においてはICの出力電流は製品組み込み時
よりも大きなものを要求されることが一般的である。
【0006】しかし、上述した理由により作成した過大
な出力電流容量を有するICが製品に組み込まれた場
合、前記ICの出力端子に製品の設計値よりも軽い負荷
となる規格からはずれた電子部品が接続されても、これ
をドライブするためにICから過大な電流の流出が可能
であって、製品の作動には問題が生じない。しかし、過
大な動作電流のために出力バッファノイズが大きくなっ
て不要輻射を高めるとともに、負荷回路との特性インピ
ーダンスがミスマッチした場合に生ずる反射ノイズの制
御が困難であった。
【0007】また、最適の出力電流容量を有するICを
作成するためには幾回もの設計変更、マスクの作成およ
びIC製作をしなければならず、時間とコストが大幅に
増加する要因になっていた。
【0008】更にまた、ユーザーの仕様の全てをカバー
するように幾種類ものICを揃えておくことは、メーカ
ーにとって開発項目、開発期間および在庫管理等の仕事
が増大しコストアップの要因となっていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はIC
の過大な負荷電流による出力バッファノイズに起因して
不要幅射が発生することを抑制するとともに、特性イン
ピーダンスのミスマッチによる反射ノイズを制御しよう
とするものである。更に、ICの電流出力段において最
適の出力電流容量を有する回路構成を短期間で作成しよ
うとするものある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、出力端子と、入力信号に応
じた電流を上記出力端子に出力する出力バッファ回路
と、入力される制御信号に応じてそれぞれ動作状態また
は非動作状態に設定され、上記動作状態に設定された場
合、上記入力信号に応じた電流を上記出力端子に出力す
る複数の出力電流調節ユニットと、入力される第1の電
圧または第2の電圧に応じた上記制御信号を、対応する
上記出力電流調節ユニットに出力する複数のインバータ
と、上記第1の電圧の供給ラインと上記インバータの入
力端子との間に接続され、入力されるリセット信号およ
び上記制御信号に応じて導通状態または非導通状態に設
定される複数のスイッチ素子と、上記第2の電圧の供給
ラインと上記インバータの入力端子との間に接続され、
導通状態または切断状態に設定される複数のヒューズ
と、切断状態の上記ヒューズと共通の上記インバータに
接続された上記スイッチ素子を導通状態に設定する上記
リセット信号を発生するリセット信号発生回路とを有
し、上記インバータは、上記第1の電圧が入力された場
合、上記スイッチ素子を導通状態に設定する上記制御信
号を出力する。
【0011】また、前記出力電流調整ユニットの各々に
出力電流容量を累進的に分配し、任意の出力電流調整ユ
ニットを選択して動作状態にすることにより、最少の出
力電流容量のステップで出力電流容量を決定する回路構
成の電流出力段とする。
【0012】また、前記制御回路はヒューズを内蔵した
構成にして、前記ヒューズを切断することにより出力電
流調整ユニットを動作可能な状態にし、更に前記制御回
路にリセット信号を印加して、前記制御回路に対応する
出力電流調整ユニットを動作状態にする回路構成の電流
出力段とする。
【0013】更にまた、各々の制御回路に独立してリセ
ット信号を印加するリセット信号発生回路を設け、ヒュ
ーズを切断した複数の制御回路に前記リセット信号発生
回路からリセット信号を選択的に印加して前記制御回路
に対応する出力電流調整ユニットを動作状態にし、出力
電流容量を調整する回路構成の電流出力段として前記課
題を解決するものである。
【0014】
【作用】本発明の半導体装置によれば、導通状態のヒュ
ーズが入力端子に接続されたインバータには、当該ヒュ
ーズを介して上記第2の電圧が入力される。一方、切断
状態のヒューズが入力端子に接続されたインバータに
は、リセット信号発生回路からのリセット信号によって
当該入力端子に接続されたスイッチ素子が導通状態に設
定されることにより、上記第1の電圧が入力される。上
記第1の電圧が入力されると、インバータが出力する制
御信号によってスイッチ素子が導通状態に設定され、こ
れにより、インバータの入力電圧は上記第1の電圧に保
持される。このように、ヒューズの状態(導通または切
断)に応じて、インバータの入力電圧が上記第1の電圧
または上記第2の電圧に設定されると、これに応じて、
出力電流調節ユニットが動作状態または非動作状態に設
定される。出力電流調節ユニットが動作状態に設定され
ると、上記入力信号に応じた電流が出力バッファ回路の
電流とともに出力端子へ出力される。
【0015】
【実施例】本発明によるICの電流出力段の構成につい
て図1ないし図3を参照して説明する。
【0016】本発明に係わるICのシステムブロック図
は図1に示されていて、従来例とは出力バッファ回路3
に出力電流調整回路4が付加されたことにおいて異なっ
ており、従来例と同一の構成と動作については同一の符
号を付し説明は省略する。
【0017】図2に本発明の要部である出力電流調整回
路4が示されていて、複数の出力電流調整ユニット41
で構成されている。また、出力電流調整ユニット41は
制御回路20、出力バッファコントロール用のNAND
回路30とNOR回路40および出力バッファ素子5
0、60で構成されていて、更に制御回路20にはリセ
ット信号発生回路23が接続されている。
【0018】つぎに、制御回路20の構成と動作につい
て図2および図3(a)〜(b)を参照して説明する。
【0019】制御回路20にはヒューズ19とインバー
タ70、71およびリセット信号を受けるスイッチ素子
69で構成されていて、出力バッファコントロール用の
NAND回路30とNOR回路40に作用して出力バッ
ファ素子50、60をONまたはOFFにし、出力バッ
ファ回路3を作動状態にするか否かを決定するものであ
る。
【0020】まず、ヒューズ切断前においては図3
(a)に示すようにリセット信号(Low Activ
e)のHighあるいはLowに関係なくインバータ7
0の入力はLowであり、従って、XはHigh、Yは
Lowになる。従ってNAND回路30aの入力端10
0はHigh、NOR回路40aの入力端103はLo
wになり、IC回路部2からの出力信号7がHighの
とき、NAND回路30aの出力端104はLowとな
って出力バッファ素子50aをOFFにする。また、出
力信号7がLowのときNOR回路40aの出力端10
5はHighとなり、出力バッファ素子60aをOFF
として、この出力電流調整ユニット41は動作をしな
い。
【0021】つぎに、ヒューズ19をレーザ等で切断し
たあとにおいては図3(b)に示すように、リセット信
号が入力する前はX、Yともに不定であるが、入力後は
XはLow、YはHighになる。従ってNAND回路
30aの入力端100はLowであるから出力端104
は常にHighであり、出力バッファ素子50aはON
になる。また、NOR回路40aの入力端103はHi
ghであるからNOR回路40aの出力端105は常に
Lowであり、出力バッファ素子60aはONになり、
この出力電流調整ユニット41を動作状態にする。
【0022】上述したプロセスで作動する各々の出力電
流調整ユニット41の出力端は従来例で説明した構成と
同一の出力バッファ回路3に接続され、それに対応した
電流が出力端子6に接続された電子部品に供給される。
【0023】以上説明したように、IC作製の後工程に
おいて出力電流調整ユニット41のヒューズ19を選択
的に切断して出力バッファ素子50および60を動作状
態にすることにより、要求されるICの出力電流容量を
決定するものである。
【0024】尚、出力バッファ素子50および60の出
力能力を累乗的に設定することにより、例えば一段目の
容量を20 、二段目の容量を21 、三段目の容量を
2 、・・・に設定することにより、量子化単位で出力
電流容量を決定することができ、一層微細に出力電流容
量の調整をすることができる。
【0025】
【発明の効果】ICに付加する電子部品の入力電流に合
致した出力電流容量を有するICを作成し、電子機器に
組み込むことができるため、付加する電子部品に過大な
電流を流す虞がなく、従って、出力バッファノイズによ
る不要幅射とインピーダンスのミスマッチが生じた場合
に生ずる反射ノイズを低減することができる。
【0026】また、最適の出力電流容量を有するIC
を、後工程において電流容量を決定するヒューズを選択
して切断することにより、短期間で簡単に作成すること
が出来る。従って、目的のIC作成のために幾回もの設
計変更、マスクの作成、IC製作および試験等をする必
要がない。
【0027】ユーザーの要求に対処するために、全ての
出力電流容量の仕様に合致させた幾種類ものICを揃え
ておく必要がない。従って、製作、在庫管理等の仕事を
削減できコストの低減に効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の出力電流調整回路を含むICのシス
テムブロック図である。
【図2】 出力バッファ回路を付加した本発明による出
力電流調整回路の概略構成図である。
【図3】 制御回路のタイムチャートであり、(a)は
制御回路のヒューズ切断前であり、(b)はヒューズ切
断後である。
【図4】 従来の出力バッファ回路を含むICのシステ
ムブロック図である。
【図5】 従来の出力バッファ回路の概略構成図であ
る。
【符号の説明】
1、10 チップ 2 IC回路 3、11 出力バッファ回路 4 出力電流調整回路 19 ヒューズ 20a〜20n 制御回路 23 リセット信号発生回路 30a〜30n NAND回路 40a〜40n NOR回路 41 出力電流調整ユニット 50a〜50n、51 出力バッファ素子 60a〜60n、61 出力バッファ素子 70、71、72、73 インバータ 150 出力バッファ素子 160 出力バッファ素子 170、171 インバータ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】出力端子と、入力信号に応じた電流を上記
    出力端子に出力する出力バッファ回路と、 入力される制御信号に応じてそれぞれ動作状態または非
    動作状態に設定され、 上記動作状態に設定された場合、上記入力信号に応じた
    電流を上記出力端子に出力する複数の出力電流調節ユニ
    ットと、 入力される第1の電圧または第2の電圧に応じた上記制
    御信号を、対応する上記出力電流調節ユニットに出力す
    る複数のインバータと、 上記第1の電圧の供給ラインと上記インバータの入力端
    子との間に接続され、入力されるリセット信号および上
    記制御信号に応じて導通状態または非導通状態に設定さ
    れる複数のスイッチ素子と、 上記第2の電圧の供給ラインと上記インバータの入力端
    子との間に接続され、導通状態または切断状態に設定さ
    れる複数のヒューズと、 切断状態の上記ヒューズと共通の上記インバータに接続
    された上記スイッチ素子を導通状態に設定する上記リセ
    ット信号を発生するリセット信号発生回路とを有し、 上記インバータは、上記第1の電圧が入力された場合、
    上記スイッチ素子を導通状態に設定する上記制御信号を
    出力する、 半導体装置。
  2. 【請求項2】上記複数の出力電流調節ユニットの出力電
    流容量が、2のべき乗に比例して累進的に設定された、 請求項1に記載の半導体装置。
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