JP3237307B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JP3237307B2 JP3237307B2 JP13351193A JP13351193A JP3237307B2 JP 3237307 B2 JP3237307 B2 JP 3237307B2 JP 13351193 A JP13351193 A JP 13351193A JP 13351193 A JP13351193 A JP 13351193A JP 3237307 B2 JP3237307 B2 JP 3237307B2
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- electrode terminals
- semiconductor device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サイリスタ等の半導体
装置に係わり、特に結露による電極間の短絡を防止する
半導体装置に関する。
装置に係わり、特に結露による電極間の短絡を防止する
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電力制御やスイッチングなど
に利用されるパワートランジスタやサイリスタ等を用い
た半導体装置がある。近年、スイッチング特性の向上に
伴って、このような半導体装置が大電力の制御に広く利
用されるようになっている。
に利用されるパワートランジスタやサイリスタ等を用い
た半導体装置がある。近年、スイッチング特性の向上に
伴って、このような半導体装置が大電力の制御に広く利
用されるようになっている。
【０００３】図３は、そのような大電力を制御する半導
体装置の側断面図である。同図に示すように、この半導
体装置１は、四方を囲む枠状のケース２と、このケース
２の下部に接着している銅板３及びケース２の上部を覆
うカバー４からなる筐体を具えている。この筐体内に
は、底部すなわち銅板３上に基板５が接合され、基板５
上には複数の半導体素子６が搭載されている。そして、
これらの半導体素子６と接続している５個の電極端子７
が至端を外部に出して配設されている。
体装置の側断面図である。同図に示すように、この半導
体装置１は、四方を囲む枠状のケース２と、このケース
２の下部に接着している銅板３及びケース２の上部を覆
うカバー４からなる筐体を具えている。この筐体内に
は、底部すなわち銅板３上に基板５が接合され、基板５
上には複数の半導体素子６が搭載されている。そして、
これらの半導体素子６と接続している５個の電極端子７
が至端を外部に出して配設されている。
【０００４】筐体内の下方には、半導体素子６、基板
５、及び５個の電極端子７の半導体素子６との接続端が
埋没するようにゲル状樹脂８が充填され、これによって
半導体素子６及び基板５を保護している。このゲル状樹
脂８の上部にはエポキシ樹脂層９が形成され、これによ
ってゲル状樹脂８の流動を抑えている。
５、及び５個の電極端子７の半導体素子６との接続端が
埋没するようにゲル状樹脂８が充填され、これによって
半導体素子６及び基板５を保護している。このゲル状樹
脂８の上部にはエポキシ樹脂層９が形成され、これによ
ってゲル状樹脂８の流動を抑えている。
【０００５】同図に示す半導体装置１は、通常、およそ
１０ｃｍ×５ｃｍの平面寸法を有する規模のもので数百
アンペアの大電流を制御する。
１０ｃｍ×５ｃｍの平面寸法を有する規模のもので数百
アンペアの大電流を制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような大電力を制御する半導体装置の設置環境は概して
過酷な場合が多い。特に高温多湿で時刻により温度差が
激しい等の環境下では、図３に示す筐体内の空隙１０に
結露を生ずることが多い。そして、このような結露が成
長してエポキシ樹脂層９の表面に水溜りが形成され、こ
の水溜りを介して電極端子７間が電気的に接触すると、
この水溜りを介して電極端子７間が導通し、短絡電流の
発生を誘発するという問題があった。
ような大電力を制御する半導体装置の設置環境は概して
過酷な場合が多い。特に高温多湿で時刻により温度差が
激しい等の環境下では、図３に示す筐体内の空隙１０に
結露を生ずることが多い。そして、このような結露が成
長してエポキシ樹脂層９の表面に水溜りが形成され、こ
の水溜りを介して電極端子７間が電気的に接触すると、
この水溜りを介して電極端子７間が導通し、短絡電流の
発生を誘発するという問題があった。
【０００７】本発明は上記問題を解決するものであり、
その目的はエポキシ樹脂層９上に結露による水溜りが発
生しても電極端子間の短絡を防止できる半導体装置を実
現することである。
その目的はエポキシ樹脂層９上に結露による水溜りが発
生しても電極端子間の短絡を防止できる半導体装置を実
現することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、四方壁、底部
及び上蓋から成るハウジング内に、半導体を搭載した基
板と、該基板を介して一端を上記半導体に接続された少
なくとも３個以上の電極端子と、これら電極端子の一
端、上記半導体及び上記基板を埋設・密閉したゲル状樹
脂と該ゲル状樹脂の上一面を覆う樹脂層を収納した半導
体装置に適用される。
及び上蓋から成るハウジング内に、半導体を搭載した基
板と、該基板を介して一端を上記半導体に接続された少
なくとも３個以上の電極端子と、これら電極端子の一
端、上記半導体及び上記基板を埋設・密閉したゲル状樹
脂と該ゲル状樹脂の上一面を覆う樹脂層を収納した半導
体装置に適用される。
【０００９】本発明の半導体装置では、上記上蓋の内面
は、上記樹脂層の裸面と対向して該裸面との間に空隙を
形成し、上記各電極端子は、上記上蓋、上記空隙及び上
記樹脂層を貫通して一端が上記半導体に接続され他端が
上記上蓋の外部に突出し、上記ハウジングと一体に形成
された絶縁部は、上記各電極端子の各貫通部分を上記空
隙において相互に遮断し、端部が上記樹脂層の裸面に没
入して密着するように構成される。
は、上記樹脂層の裸面と対向して該裸面との間に空隙を
形成し、上記各電極端子は、上記上蓋、上記空隙及び上
記樹脂層を貫通して一端が上記半導体に接続され他端が
上記上蓋の外部に突出し、上記ハウジングと一体に形成
された絶縁部は、上記各電極端子の各貫通部分を上記空
隙において相互に遮断し、端部が上記樹脂層の裸面に没
入して密着するように構成される。
【００１０】上記絶縁部は、例えば請求項２記載のよう
に、両端が開口する中空の鞘を形成し、該鞘の一方の開
口部は上記上蓋に設けられた電極端子挿通孔と一体に形
成されて上記上蓋の外面に突設され、上記鞘の他方の開
口部は上記樹脂層の裸面に没入して密着し、上記中空は
内部に上記各電極端子の各貫通部分を挿通されて構成さ
れる。
に、両端が開口する中空の鞘を形成し、該鞘の一方の開
口部は上記上蓋に設けられた電極端子挿通孔と一体に形
成されて上記上蓋の外面に突設され、上記鞘の他方の開
口部は上記樹脂層の裸面に没入して密着し、上記中空は
内部に上記各電極端子の各貫通部分を挿通されて構成さ
れる。
【００１１】また、上記絶縁部は、例えば請求項３記載
のように、両端が開口する中空の鞘を形成し、該鞘はそ
の胴部を上記四方壁の内壁に設けられた腕木体先端と一
体に形成されてハウジング内に突設され、上記鞘の一方
の開口部は上記上蓋内面の電極端子挿通孔に密着し、上
記鞘の他方の開口部は上記樹脂層の裸面に没入して密着
し、上記中空は内部に上記各電極端子の各貫通部分を挿
通されて構成される。
のように、両端が開口する中空の鞘を形成し、該鞘はそ
の胴部を上記四方壁の内壁に設けられた腕木体先端と一
体に形成されてハウジング内に突設され、上記鞘の一方
の開口部は上記上蓋内面の電極端子挿通孔に密着し、上
記鞘の他方の開口部は上記樹脂層の裸面に没入して密着
し、上記中空は内部に上記各電極端子の各貫通部分を挿
通されて構成される。
【００１２】また、上記絶縁部は、例えば請求項４記載
のように、板状の隔壁を形成し、該隔壁は、その一端を
上記上蓋に設けられた電極端子挿通孔と他の電極端子挿
通孔との間において上記上蓋の内面と一体に形成され、
上記一端に対向する他端は上記樹脂層の裸面に没入して
密着し、残る他の両端は上記四方壁の内壁に密着して構
成される。
のように、板状の隔壁を形成し、該隔壁は、その一端を
上記上蓋に設けられた電極端子挿通孔と他の電極端子挿
通孔との間において上記上蓋の内面と一体に形成され、
上記一端に対向する他端は上記樹脂層の裸面に没入して
密着し、残る他の両端は上記四方壁の内壁に密着して構
成される。
【００１３】
【作用】これによって、上記ハウジング部材の蓋部材内
面と上記樹脂の表面との間の空隙を貫通する複数の電極
端子が、鞘状の絶縁部材によってその中空内に同軸に取
り囲まれて上記空隙から遮断されるか、又は板状の絶縁
隔壁により個別に隔絶されて互いに遮断される。このた
め、上記空隙に結露による水溜りが発生しても電極端子
の空隙貫通部分が水溜りに接触することがなく、又は水
溜まりに接触しても互いに電気的に導通することがなく
電極端子間の絶縁が保たれ、絶縁不良による障害発生の
危険を解消する。
面と上記樹脂の表面との間の空隙を貫通する複数の電極
端子が、鞘状の絶縁部材によってその中空内に同軸に取
り囲まれて上記空隙から遮断されるか、又は板状の絶縁
隔壁により個別に隔絶されて互いに遮断される。このた
め、上記空隙に結露による水溜りが発生しても電極端子
の空隙貫通部分が水溜りに接触することがなく、又は水
溜まりに接触しても互いに電気的に導通することがなく
電極端子間の絶縁が保たれ、絶縁不良による障害発生の
危険を解消する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１(a) は、第１実施例の半導体装置の側断
面図、同図(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す
図（カバーの下面図）である。
説明する。図１(a) は、第１実施例の半導体装置の側断
面図、同図(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す
図（カバーの下面図）である。
【００１５】同図(a) に示すように、半導体装置１１
は、四方を囲む枠形のケース１２、このケース１２の下
部に形成されたフランジ１２ａに接着剤により接着して
いる銅板１３、及びケース１２の上部を覆うカバー１４
からなる筐体（ハウジング）１５を具える。
は、四方を囲む枠形のケース１２、このケース１２の下
部に形成されたフランジ１２ａに接着剤により接着して
いる銅板１３、及びケース１２の上部を覆うカバー１４
からなる筐体（ハウジング）１５を具える。
【００１６】上記ハウジング１５内の底部すなわち銅板
１３上に基板１６を接着剤１７にて接合し、この基板１
６上に複数の半導体素子１８を搭載する。これらの半導
体素子１８をワイヤ（リード線）１９により基板１６の
回路パターン２０に接続し、５個の電極端子２１の一端
を回路パターン２０に接続し他端をカバー１４から外部
に出して配設する。５個の電極端子２１のカバー１４か
ら外部に出ている端部には外部の電極との接合を確実に
するためのボルト孔２１ａを設ける。
１３上に基板１６を接着剤１７にて接合し、この基板１
６上に複数の半導体素子１８を搭載する。これらの半導
体素子１８をワイヤ（リード線）１９により基板１６の
回路パターン２０に接続し、５個の電極端子２１の一端
を回路パターン２０に接続し他端をカバー１４から外部
に出して配設する。５個の電極端子２１のカバー１４か
ら外部に出ている端部には外部の電極との接合を確実に
するためのボルト孔２１ａを設ける。
【００１７】上記ハウジング１５内の下方にゲル状樹脂
２２を充填してこのゲル状樹脂２２内に上記基板１６、
半導体素子１８、及び５個の電極端子２１の回路パター
ン２０との接続端を埋没させて、これらの部材をゲル状
樹脂２２にて保護する。このゲル状樹脂２２上にエポキ
シ樹脂層２３を形成しゲル状樹脂２２の流動を抑える。
この構成において、上記エポキシ樹脂層２３の表面とカ
バー１４の裏面との間には空隙２４が存在する。
２２を充填してこのゲル状樹脂２２内に上記基板１６、
半導体素子１８、及び５個の電極端子２１の回路パター
ン２０との接続端を埋没させて、これらの部材をゲル状
樹脂２２にて保護する。このゲル状樹脂２２上にエポキ
シ樹脂層２３を形成しゲル状樹脂２２の流動を抑える。
この構成において、上記エポキシ樹脂層２３の表面とカ
バー１４の裏面との間には空隙２４が存在する。
【００１８】同図(b) に示すように、カバー１４の裏面
には、中央長手方向に５個のボルト孔２５を等間隔で連
設する。各ボルト孔２５の周縁には、ボルト孔２５に外
部から挿入されるボルト先端部のネジに螺合するナット
を固定するためのナット穴２６を削設する。また、カバ
ー１４の裏面の周囲４辺に沿ってケース１２の上部内縁
に嵌合する凸条２７を周設する。
には、中央長手方向に５個のボルト孔２５を等間隔で連
設する。各ボルト孔２５の周縁には、ボルト孔２５に外
部から挿入されるボルト先端部のネジに螺合するナット
を固定するためのナット穴２６を削設する。また、カバ
ー１４の裏面の周囲４辺に沿ってケース１２の上部内縁
に嵌合する凸条２７を周設する。
【００１９】上記カバー１４の裏面の、上記凸条２７に
よって囲まれ、上記５個のボルト孔２５の中央を結ぶ線
によって２分される一方の面に３個の電極端子挿通孔２
８を設け、他方の面に２個の電極端子挿通孔２８を設け
る。そして各電極端子挿通孔２８には、これに連続する
空洞を有する鞘状絶縁部材２９をカバー１４の裏面に接
合又は一体成型により突設し、この鞘状絶縁部材２９が
突出する長さをカバー１４の裏面からエポキシ樹脂層２
３の表面までの距離より長くなるよう構成する（同図
(a) 参照）。
よって囲まれ、上記５個のボルト孔２５の中央を結ぶ線
によって２分される一方の面に３個の電極端子挿通孔２
８を設け、他方の面に２個の電極端子挿通孔２８を設け
る。そして各電極端子挿通孔２８には、これに連続する
空洞を有する鞘状絶縁部材２９をカバー１４の裏面に接
合又は一体成型により突設し、この鞘状絶縁部材２９が
突出する長さをカバー１４の裏面からエポキシ樹脂層２
３の表面までの距離より長くなるよう構成する（同図
(a) 参照）。
【００２０】このことにより、鞘状絶縁部材２９の突端
は弾性を有するエポキシ樹脂層２３の表面に圧入され樹
脂面と強固に密着する。これによって、エポキシ樹脂層
２３の表面からカバー１４の電極端子挿通孔２８を挿通
して外部に出る５個の電極端子２１を、エポキシ樹脂層
２３の表面とカバー１４の裏面との間の空隙２４から鞘
状絶縁部材２９によって完全に隔絶する。
は弾性を有するエポキシ樹脂層２３の表面に圧入され樹
脂面と強固に密着する。これによって、エポキシ樹脂層
２３の表面からカバー１４の電極端子挿通孔２８を挿通
して外部に出る５個の電極端子２１を、エポキシ樹脂層
２３の表面とカバー１４の裏面との間の空隙２４から鞘
状絶縁部材２９によって完全に隔絶する。
【００２１】したがって、上記空隙２４に結露による水
溜まりが生じても、電極端子２１はその水溜まりから隔
絶されて、水溜まりに接触することがない。すなわち結
露による電極端子２１間の短絡が防止され、絶縁不良に
基づく障害の発生が予防される。
溜まりが生じても、電極端子２１はその水溜まりから隔
絶されて、水溜まりに接触することがない。すなわち結
露による電極端子２１間の短絡が防止され、絶縁不良に
基づく障害の発生が予防される。
【００２２】次に、本発明の第２実施例を説明する。図
２(a) は、第２実施例の半導体装置の側断面図であり、
図１(a) に示した第１実施例と同じ構成部分については
同一の番号を付与して示してある。また図２(b) は、第
２実施例の半導体装置の枠形ケースの上面図である。
２(a) は、第２実施例の半導体装置の側断面図であり、
図１(a) に示した第１実施例と同じ構成部分については
同一の番号を付与して示してある。また図２(b) は、第
２実施例の半導体装置の枠形ケースの上面図である。
【００２３】同図(a),(b) に示す半導体装置３１は、鞘
状絶縁部材２９′及び枠形ケース１２′の構成が、図１
(a),(b) に示した半導体装置１１の鞘状絶縁部材２９及
び枠形ケース１２の構成と異なり、他の部分は夫々同一
である。
状絶縁部材２９′及び枠形ケース１２′の構成が、図１
(a),(b) に示した半導体装置１１の鞘状絶縁部材２９及
び枠形ケース１２の構成と異なり、他の部分は夫々同一
である。
【００２４】この実施例では、同図(b) に示すように、
鞘状絶縁部材２９′を、枠形ケース１２′の空隙２４に
露出する内壁１２ｂの上部（同図(a) 参照）に突設した
腕木体１２ｃの端部に接合又は一体に形成する。この実
施例の場合も、鞘状絶縁部材２９′の長さをカバー１
４′の裏面からエポキシ樹脂層２３の表面までの距離よ
り長くなるよう構成する（同図(a) 参照）。また、鞘状
絶縁部材２９′の空洞２９ａは上下２方向に開口する。
鞘状絶縁部材２９′を、枠形ケース１２′の空隙２４に
露出する内壁１２ｂの上部（同図(a) 参照）に突設した
腕木体１２ｃの端部に接合又は一体に形成する。この実
施例の場合も、鞘状絶縁部材２９′の長さをカバー１
４′の裏面からエポキシ樹脂層２３の表面までの距離よ
り長くなるよう構成する（同図(a) 参照）。また、鞘状
絶縁部材２９′の空洞２９ａは上下２方向に開口する。
【００２５】同図(a) に示すように、上記構成の鞘状絶
縁部材２９′及び枠形ケース１２′を備える半導体装置
３１において、エポキシ樹脂層２３の表面から突き出る
５個の電極端子２１は、鞘状絶縁部材２９′の空洞２９
ａを挿通し、さらにカバー１４′の電極端子挿通孔２８
（図１(b) 参照）を挿通して、至端が外部に突出する。
そして、鞘状絶縁部材２９′の上方開口部はカバー１
４′の電極端子挿通孔２８に密着し、一方、鞘状絶縁部
材２９′の下方開口部はエポキシ樹脂層２３の表面に圧
入され樹脂面と密着する。
縁部材２９′及び枠形ケース１２′を備える半導体装置
３１において、エポキシ樹脂層２３の表面から突き出る
５個の電極端子２１は、鞘状絶縁部材２９′の空洞２９
ａを挿通し、さらにカバー１４′の電極端子挿通孔２８
（図１(b) 参照）を挿通して、至端が外部に突出する。
そして、鞘状絶縁部材２９′の上方開口部はカバー１
４′の電極端子挿通孔２８に密着し、一方、鞘状絶縁部
材２９′の下方開口部はエポキシ樹脂層２３の表面に圧
入され樹脂面と密着する。
【００２６】これによって、エポキシ樹脂層２３の表面
とカバー１４′の裏面間の空隙２４において、該空隙２
４から５個の電極端子２１を鞘状絶縁部材２９′によっ
て完全に隔絶する。
とカバー１４′の裏面間の空隙２４において、該空隙２
４から５個の電極端子２１を鞘状絶縁部材２９′によっ
て完全に隔絶する。
【００２７】したがって、上記空隙２４に結露が生じて
も、その結露による水溜まりから隔絶されることによ
り、電極端子２１の水溜まりとの接触による短絡が防止
され、絶縁不良による障害発生の危険が解消される。
も、その結露による水溜まりから隔絶されることによ
り、電極端子２１の水溜まりとの接触による短絡が防止
され、絶縁不良による障害発生の危険が解消される。
【００２８】続いて、図３に第３実施例を示す。図３
(a) は、第３実施例の半導体装置の側断面図であり、図
１(a) に示した第１実施例と同じ構成部分については同
一の番号を付与して示してある。また図３(b) は、第３
実施例の半導体装置のカバーの裏面を示す図（カバーの
下面図）である。
(a) は、第３実施例の半導体装置の側断面図であり、図
１(a) に示した第１実施例と同じ構成部分については同
一の番号を付与して示してある。また図３(b) は、第３
実施例の半導体装置のカバーの裏面を示す図（カバーの
下面図）である。
【００２９】同図(a) ，(b) に示す半導体装置４１は、
図１又は図２に示した鞘状絶縁部材２９又は２９′が無
く、これらに代わって、隔壁３０がカバー１４の裏面に
一体に設けられる。他の部分は図１(a) ，(b) に示した
半導体装置１１の構成と、夫々同一である。
図１又は図２に示した鞘状絶縁部材２９又は２９′が無
く、これらに代わって、隔壁３０がカバー１４の裏面に
一体に設けられる。他の部分は図１(a) ，(b) に示した
半導体装置１１の構成と、夫々同一である。
【００３０】図３(a) ，(b) に示す本実施例の隔壁３０
は、絶縁部材からなり、電極端子挿通孔２８と他の電極
端子挿通孔２８との間にそれぞれ突設される。この隔壁
３０の突設幅は、同図(b) に示すように、ケース１２の
上部内縁に嵌合するカバー１４の凸条２７の外縁に一致
して形成される。これにより、隔壁３０の両側端部はケ
ース１２の内壁に密着する。また、隔壁３０の突設端
は、同図(a) に示すように、エポキシ樹脂層２３の表面
に圧入され樹脂面と強固に密着する。
は、絶縁部材からなり、電極端子挿通孔２８と他の電極
端子挿通孔２８との間にそれぞれ突設される。この隔壁
３０の突設幅は、同図(b) に示すように、ケース１２の
上部内縁に嵌合するカバー１４の凸条２７の外縁に一致
して形成される。これにより、隔壁３０の両側端部はケ
ース１２の内壁に密着する。また、隔壁３０の突設端
は、同図(a) に示すように、エポキシ樹脂層２３の表面
に圧入され樹脂面と強固に密着する。
【００３１】これによって、エポキシ樹脂層２３の表面
とカバー１４の裏面との間の空隙２４において、この空
隙２４を挿通して外部に出る５個の電極端子２１が個別
に隔絶される。したがって、空隙２４に結露による水溜
まりが生じて電極端子２１がその水溜まりに接触して
も、隔壁３０の存在により互いに電気的に導通すること
がなく、この結果、結露による電極端子間の短絡が防止
され、絶縁不良に基づく障害発生の危険が解消される。
とカバー１４の裏面との間の空隙２４において、この空
隙２４を挿通して外部に出る５個の電極端子２１が個別
に隔絶される。したがって、空隙２４に結露による水溜
まりが生じて電極端子２１がその水溜まりに接触して
も、隔壁３０の存在により互いに電気的に導通すること
がなく、この結果、結露による電極端子間の短絡が防止
され、絶縁不良に基づく障害発生の危険が解消される。
【００３２】尚、上述した第１及び第２の実施例におい
ても、鞘状絶縁部材２９（又は２９′）をハウジング１
５を形成する部材であるカバー１４（又はケース１
２′）に接合又は一体に形成しているが、このように、
ハウジング部材に接合又は一体に形成することなく鞘状
絶縁部材を独立の部材としてもよい。この場合は、半導
体装置のカバー組み立て前に、５個の電極端子に鞘状絶
縁部材を嵌込むようにすればよい。
ても、鞘状絶縁部材２９（又は２９′）をハウジング１
５を形成する部材であるカバー１４（又はケース１
２′）に接合又は一体に形成しているが、このように、
ハウジング部材に接合又は一体に形成することなく鞘状
絶縁部材を独立の部材としてもよい。この場合は、半導
体装置のカバー組み立て前に、５個の電極端子に鞘状絶
縁部材を嵌込むようにすればよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
鞘状絶縁部材をハウジング部材に接合又は一体に形成す
ることにより、自動的にエポキシ樹脂層の表面とハウジ
ングのカバーの裏面間の空隙において、鞘状絶縁部材が
その空洞に電極端子を同軸に取り囲み、空洞の上下開口
部がカバー裏面の電極端子挿通孔及びエポキシ樹脂層の
表面に密着するので、電極端子が鞘状絶縁部材によって
空隙から完全に隔絶される。あるいは、板状絶縁隔壁を
ハウジング部材に一体に形成することによって、エポキ
シ樹脂層の表面とハウジングのカバー裏面間の空隙にお
いて、隔壁のハウジング部材に一体に形成された残りの
三辺がエポキシ樹脂層の表面及びハウジング部材の内壁
に密着するので、複数の電極端子が上記空隙において個
別に隔絶され電気的に互いに遮断される。
鞘状絶縁部材をハウジング部材に接合又は一体に形成す
ることにより、自動的にエポキシ樹脂層の表面とハウジ
ングのカバーの裏面間の空隙において、鞘状絶縁部材が
その空洞に電極端子を同軸に取り囲み、空洞の上下開口
部がカバー裏面の電極端子挿通孔及びエポキシ樹脂層の
表面に密着するので、電極端子が鞘状絶縁部材によって
空隙から完全に隔絶される。あるいは、板状絶縁隔壁を
ハウジング部材に一体に形成することによって、エポキ
シ樹脂層の表面とハウジングのカバー裏面間の空隙にお
いて、隔壁のハウジング部材に一体に形成された残りの
三辺がエポキシ樹脂層の表面及びハウジング部材の内壁
に密着するので、複数の電極端子が上記空隙において個
別に隔絶され電気的に互いに遮断される。
【００３４】したがって、空隙に結露による水溜まりが
生じても電極端子はその水溜まりから隔絶されて、その
水溜まりに接触することがなく、又は水溜まりに接触し
ても互いに電気的に導通することがなく、この結果、結
露による電極端子間の短絡が防止され、絶縁不良に基づ
く障害発生の危険が解消される。
生じても電極端子はその水溜まりから隔絶されて、その
水溜まりに接触することがなく、又は水溜まりに接触し
ても互いに電気的に導通することがなく、この結果、結
露による電極端子間の短絡が防止され、絶縁不良に基づ
く障害発生の危険が解消される。
【図１】(a) は第１実施例の半導体装置の側断面図、
(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す図（カバー
の下面図）である。
(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す図（カバー
の下面図）である。
【図２】(a) は第２実施例の半導体装置の側断面図、
(b) はこの半導体装置の枠形ケースの上面図である。
(b) はこの半導体装置の枠形ケースの上面図である。
【図３】(a) は第３実施例の半導体装置の側断面図、
(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す図である。
(b) はこの半導体装置のカバーの裏面を示す図である。
【図４】従来の半導体装置の側断面図である。
１１、３１ 半導体装置 １２、１２′ 枠形ケース １２ａ フランジ １２ｂ 内壁 １２ｃ 腕木体 １３ 銅板 １４、１４′ カバー １５ 筐体（ハウジング） １６ 基板 １７ 接着剤 １８ 半導体素子 １９ ワイヤ（リード線） ２０ 回路パターン ２１ 電極端子 ２１ａ ボルト孔 ２２ ゲル状樹脂 ２３ エポキシ樹脂層 ２４ 空隙 ２５ ボルト孔 ２６ ナット穴 ２７ 凸条 ２８ 電極端子挿通孔 ２９、２９′ 鞘状絶縁部材 ２９ａ 空洞 ３０ 隔壁
Claims (4)
- 【請求項１】 四方壁、底部及び上蓋から成るハウジン
グ内に、半導体を搭載した基板と、該基板を介して一端
を前記半導体に接続された少なくとも３個以上の電極端
子と、これら電極端子の一端、前記半導体及び前記基板
を埋設・密閉したゲル状樹脂と該ゲル状樹脂の上一面を
覆う樹脂層を収納した半導体装置において、 前記上蓋の内面は、前記樹脂層の裸面と対向して該裸面
との間に空隙を形成し、 前記各電極端子は、前記上蓋、前記空隙及び前記樹脂層
を貫通して一端が前記半導体に接続され他端が前記上蓋
の外部に突出し、 前記ハウジングは、該ハウジングと一体に形成され前記
各電極端子の各貫通部分を前記空隙において相互に遮断
し、端部が前記樹脂層の裸面に没入して密着する絶縁部
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁部は両端が開口する中空の鞘を
形成し、該鞘の一方の開口部は前記上蓋に設けられた電
極端子挿通孔と一体に形成されて前記上蓋の外面に突設
され、前記鞘の他方の開口部は前記樹脂層の裸面に没入
して密着し、前記中空は内部に前記各電極端子の各貫通
部分を挿通されている、ことを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項３】 前記絶縁部は両端が開口する中空の鞘を
形成し、該鞘はその胴部を前記四方壁の内壁に設けられ
た腕木体先端と一体に形成されてハウジング内に突設さ
れ、前記鞘の一方の開口部は前記上蓋内面の電極端子挿
通孔に密着し、前記鞘の他方の開口部は前記樹脂層の裸
面に没入して密着し、前記中空は内部に前記各電極端子
の各貫通部分を挿通されている、ことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記絶縁部は板状の隔壁を形成し、該隔
壁は、その一端を前記上蓋に設けられた電極端子挿通孔
と他の電極端子挿通孔との間において前記上蓋の内面と
一体に形成され、前記一端に対向する他端は前記樹脂層
の裸面に没入して密着し、残る他の両端は前記四方壁の
内壁に密着している、ことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13351193A JP3237307B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13351193A JP3237307B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350024A JPH06350024A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3237307B2 true JP3237307B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=15106495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13351193A Expired - Lifetime JP3237307B2 (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3237307B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3536427B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2004-06-07 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 自動変速機 |
| JP2009071102A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Omron Corp | パワーモジュール構造 |
| JP5897516B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2016-03-30 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| JP6631114B2 (ja) | 2015-09-17 | 2020-01-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の計測方法 |
| JP6727427B2 (ja) | 2017-05-10 | 2020-07-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法、並びに、電力変換装置、及び、移動体 |
| JP6874633B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2021-05-19 | 株式会社豊田自動織機 | パワー半導体モジュール |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP13351193A patent/JP3237307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350024A (ja) | 1994-12-22 |
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