JP3234873U - 携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置を提供する。【解決手段】トップセル層として、np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2、3を設け、ボトムセル層として、np型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層、または、ペレストロイカ半導体薄膜光電変換層10、11、12に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する。トップセル層の入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層1、または蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子1−1ドープCVDダイヤモンド薄膜層を設けた。【選択図】図4
Description
本考案は、高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信及び蓄電池を充電し、透光性、熱伝導率に伴う放熱性を有する携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置に関する。
高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の携帯用端末機のスマートフォンは、特定の方向に飛ぶ電波を送受信をしやすくするため、側面及び背面の上下左右の方向に飛ぶアンテナを設置する。携帯用端末機のスマートフォンが熱くなると、電波の送受信が低下するため、携帯用端末機の放熱が最重要である。国内の基地局は約60万局とされ、「5G」又は「6G」の基地局は10憶局を必要とされる。従来の基地局のアンテナは冷蔵庫ほどの大きさだが、波長が短い「5G」又は「6G」ではアンテナが小型化され、携帯電話の大きさで済むとされる。災害などでは、携帯用端末機の蓄電池の充電が必要とされ、再生可能エネルギーの薄膜太陽電池を携帯用端末機に設けて充電する。総務省は2020年4月、国内で商用化した高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の主要技術を2025年をメドに確立する戦略目標を公表した。すでに海外では中国政府が2019年11月に次世代超高速通信規格「6G」の研究開発を発表している。
日本政府は、2050年までに温暖化ガスの排出量を実質ゼロにする目標を発表した。環境対応は世界的な潮流のため、環境を「成長の柱」と位置づけ、再生可能エネルギーなどの技術革新や投資を促し、次世代産業の育成を支援する方針とされる。
米国バイデン政権が再生可能エネルギーへの転換を急いでいる。補助金で投資を後押し、2022年には発電量で「第2の電源」にする方針とされる。
日本政府は、2050年までに温暖化ガスの排出量を実質ゼロにする目標を発表した。環境対応は世界的な潮流のため、環境を「成長の柱」と位置づけ、再生可能エネルギーなどの技術革新や投資を促し、次世代産業の育成を支援する方針とされる。
米国バイデン政権が再生可能エネルギーへの転換を急いでいる。補助金で投資を後押し、2022年には発電量で「第2の電源」にする方針とされる。
実願2021−002927号
実願2021−001273号
実願2021−001119号
登録第3223430号
監修 藤森直治,鹿田真一、ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》 第4章 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜 p36〜44、第6章 半導体特性 p63〜71、第7章 p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性 p75〜84、第8章 n型ドーピングと半導体特性 p86〜98、2014年版、株式会社 シーエムシー出版。
著作 ▲C▼堀越佳治、「太陽光発電」基礎から電力系への導入まで、第8章 太陽電池に用いられる材料と構造、8.2第一世代の太陽電池 表8.1 第一世代太陽電池,第二世代太陽電池の効率と特性 p95、8.3.6ペロブスカイト太陽電池 p145〜148、2020年版、株式会社 内田老鶴圃。
監修 荒川泰彦、超高効率太陽電池・関連材料の最前線《普及版》 第2章 4・グラフェンを用いた太陽電池用透明導電膜の開発 グラフェンの成膜技術 p44〜45、CVD法によるグラフェンの成膜 p50〜55、5・薄膜太陽電池用ZnO系透明導電膜 p56、5.4 ZnO透明導電膜の電気特性・光学特性の両立 p65〜72、5.3.1 薄膜Si太陽電池用透明導電膜SnO2 p60〜61、第3章 多接合太陽電池 1.2 多接合太陽電池の高効率化の可能性 p93、1.7 多接合太陽電池の将来展望 p104〜106、2017年版、株式会社 シーエムシー出版。
特定の方向に飛ぶ高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信しやすくするため、携帯用端末機のスマートフォン本体が熱くなると、電波の送受信がしにくいという欠点があった。高速通信規格「5G」では高精細映像技術「8K」対応カメラや、あらゆるモノがネットにつながる「IoT」と人工知能(AI)を組み合わせた「AIoT」の技術が活用される。高速通信規格「5G」の電波の飛ぶ距離は数百メートル〜1キロメートル程度とされ、従来より多くの基地局が必要になる。次世代超高速通信規格「6G」では電波の届く距離が100〜200メートルに限られる。アンテナが小型化され、携帯用端末機のスマートフォンに収まる中継基地局が可能とされる。災害や停電には、携帯用端末機の蓄電池への充電がされなく、停止するという欠点があった。携帯用端末機の蓄電池を充電する再生可能エネルギーからなる薄膜太陽電池の利用が望まれる。
したがって、実願2021−001119号に記載のCVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は単層構造であり、光電変換効率に課題があった。本考案では、CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合のCVDa−Si半導体薄膜光電変換層(実願2021−001273号)、または、ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層(実願2021−002927号)を設けた高効率のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置を考案するものである。
高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層2およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層3接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3、またはi型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を用いたnip型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を設け、ボトムセル層として、np型6・7またはnip型シリコン系CVDa−Si半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層2およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層3接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3、またはi型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を用いたnip型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を設け、ボトムセル層として、np型6・7またはnip型シリコン系CVDa−Si半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
ボトムセル層として、np型6・7またはnip型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
ボトムセル層として、n型電子輸送層(TiO2,ZnO/SnO2)10、光吸収ペロブスカイト結晶層(CH3NH3PbI3)11、p型正孔輸送層(Spiro−OMeTAD/CuSCN)12接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
トップセル層の入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド半導体薄膜層1、または、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子1−1ドープCVDダイヤモンド薄膜層1を設けた、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
高速通信規格「5G」または次世代超高速通信規格「6G」の携帯用端末機本体に、高効率のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する。災害や停電における携帯用端末機への充電が不要となる。透光性、熱伝導率に伴う放熱性を有するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を携帯用端末機本体の背面に設けて、送受信や変換効率を良好にする、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置である。
CVDダイヤモンドのバンドギャップは、5.48eVの半導体としての特性を有し、熱伝導率22(W/cm・K)を示す。ヒートシンク材料の熱伝導率は、CVDダイヤモンド22(W/cm・K)であり、銅4.0(W/cm・K)である。CVDダイヤモンドは銅と比較して5.5倍もの熱伝導率である。シリコン1.56(W/cm・K)と比較すると約15倍の熱伝導率を有し、優れた熱伝導率または放熱性、光透過性を有している。CVDダイヤモンドの硬度56〜115(GPa)を有し、フリーエキシトンの束縛エネルギーが80meVもある。CVDナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、低温成膜、高い表面平坦性、可視光線透過率(λ:400〜800nm)=90%である。CVDダイヤモンドは、熱伝導率、透光性、耐熱性、絶縁性など物質中最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
CVDダイヤモンドは、高出力型マイクロ波プラズマCVD法、またはマイクロ波プラズマCVD法、表面平坦性のプラズマCVD法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜が用いられる。CVDダイヤモンドのバンドギャップは、5.48eVの半導体としての特性を有し、透光性、熱伝導率などに優れている。シリコン系CVDa−Siのバンドギャップは、1.4〜1.8eVの半導体である。有機系ペロブスカイト結晶(CH3NH3PbI3)層のバンドギャップは、1.6eVであり、対応してVocも1.1〜1.2eVと高い効率とされる。
CVDダイヤモンド半導体はシリコン(Si)と同じ第14族元素に属している。n型CVDダイヤモンド半導体へのドープは、第15族元素の窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)をドープすることができる。p型CVDダイヤモンド半導体へのドープは、第13族元素のホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)をドープすることができる。本考案では、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型、またはi型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を挟んだnip型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を用いるのである。
CVDダイヤモンドは通常、無色透明である。CVDダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その不純物や欠陥により吸収が起こり、イエロー、グリーン、ブルー、ブラウンなどの着色CVDダイヤモンドとなる。ダイヤモンドの典型的な不純物の一つであるNとBは、イエローダイヤモンドおよびブルーダイヤモンドを形成する着色元素となっている。特に、この典型的なN(窒素)とB(ホウ素)の不純物のダイヤモンド中での含有量と置換位置の種類によって、ダイヤモンドのタイプが詳細に分類される。すでに、ダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その多くは、光学的に活性な発光センタを形成する。典型的な不純物であるNやBの他に、H、He、Li、O、Ne、Si、Ti、Cr、Ni、Zn、Zr、Ag、Xeなどが光学的に活性な発光センタを形成することが知られている。
透明電極はITOやSnO2、ZnOなどのワイドギャップ半導体で対応が可能であった。40%以上の変換効率の太陽電池には、約2μm程度の赤外光まで発電に寄与させることが不可欠になる。ITOやSnO2では長波長光まで光を透過させることは難しい。CVD法によるグラフェンは赤外光までの透過率80%以上に維持する。最近では2層グラフェン、または数層グラフェンなどがあり、適した透明導電膜をCVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層に用いることができる。
本考案のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池の内部は、トップセル層として、透過性および熱伝導率に優れた特性を有するnp型またはnip型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を、ボトムセル層として、シリコン系np型またはnip型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた2層構造のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置である。
図1の参考断面図に示す。高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層2およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層3接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3を設け、ボトムセル層として、n型:SiH4+H2+PH3およびp型:SiH4+H2+B2H6のnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造を設けたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池の入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層1および透明導電膜5を設け、裏側に裏面電極8と保護材9を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層2およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層3接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3を設け、ボトムセル層として、n型:SiH4+H2+PH3およびp型:SiH4+H2+B2H6のnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造を設けたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池の入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層1および透明導電膜5を設け、裏側に裏面電極8と保護材9を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
図2の参考断面図に示す。段落[0019]に記載のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造を設けた入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子1−1ドープ透明、または着色CVDダイヤモンド薄膜層1および透明導電膜5を設け、裏側に裏面電極8と保護材9を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とnp型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層6・7の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
図3の参考断面図に示す。トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層2およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層3接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3を設け、ボトムセル層として、n型電子輸送層(TiO2,ZnO/SnO2)10、光吸収ペロブスカイト結晶層(CH3NH3PbI3)11、p型正孔輸送層(Spiro−OMeTAD/CuSCN)12接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造を設けた入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層1および透明導電膜5を設け、裏側に裏面電極8と保護材9を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
図4の参考断面図に示す。段落[0021]に記載のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合の2層構造を設けた入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子1−1ドープ透明、または着色CVDダイヤモンド薄膜層1および透明導電膜5を設け、裏側に裏面電極8と保護材9を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
np型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層2・3とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層10・11・12の接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層4を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
図5の参考背面図に示す。携帯用端末機本体の背面に、タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池17(8Kカメラ関連を除く)を設けて、蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
1 透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層
1−1 蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子
2 n型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
3 p型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
4 i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層
5 透明導電膜
6 n型CVDa−Si半導体薄膜層
7 p型CVDa−Si半導体薄膜層
8 裏面電極
9 保護材
10 n型電子輸送層(TiO2,ZnO/SnO2)
11 光吸収ペロブスカイト結晶層(CH3NH3PbI3)
12 p型正孔輸送層(Spiro−OMeTAD/CuSCN)
13 8Kカメラ関連
14 中継基地局用アンテナ
15 背面アンテナ
16 側面アンテナ
17 タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池
1−1 蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子
2 n型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
3 p型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
4 i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層
5 透明導電膜
6 n型CVDa−Si半導体薄膜層
7 p型CVDa−Si半導体薄膜層
8 裏面電極
9 保護材
10 n型電子輸送層(TiO2,ZnO/SnO2)
11 光吸収ペロブスカイト結晶層(CH3NH3PbI3)
12 p型正孔輸送層(Spiro−OMeTAD/CuSCN)
13 8Kカメラ関連
14 中継基地局用アンテナ
15 背面アンテナ
16 側面アンテナ
17 タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池
Claims (4)
- 高速通信規格「5G」又は次世代超高速通信規格「6G」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびホウ素ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層、またはi型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を用いたnip型CVDダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を設け、ボトムセル層として、np型またはnip型シリコン系CVDa−Si半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合の2層構造タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。 - ボトムセル層として、np型またはnip型CVDa−Si半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた請求項1に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
- ボトムセル層として、n型電子輸送層、光吸収ペロブスカイト結晶層、p型正孔輸送層接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた請求項1に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
- トップセル層の入射面に、透明または着色CVDダイヤモンド薄膜層、または、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子ドープCVDダイヤモンド薄膜層を設けた請求項1に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
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