JP3230551U - Wafer polishing equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】保持プレートの中心位置に貼付されるウェハに研磨不良が生じる課題と、保持プレート毎にウェハの仕上がり状態にばらつきが生じる課題との解決が可能なウェハ研磨装置を提供する。【解決手段】ウェハ研磨装置1は、保持プレート20に貼付されたウェハを、公転する定盤10に摺接させて研磨を行う装置であって、定盤10を公転面内で所定方向に揺動させる揺動機構16と、保持プレート20に荷重を印加すると共に自転力を付与するトップリング30と、トップリング30を回転駆動する駆動軸38と、駆動軸38を回転可能に吊下げ支持する支持部材62と、支持部材62を上下動させることによって駆動軸38およびトップリング30を上下動させる上下動機構52とを備え、駆動軸38は、下から上へ深溝玉軸受、間座、複列円すいころ軸受の順で配設された軸受機構を介して支持部材62に支持される構成である。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer polishing apparatus capable of solving a problem of poor polishing of a wafer attached to a center position of a holding plate and a problem of variation in the finished state of the wafer for each holding plate. SOLUTION: A wafer polishing device 1 is a device that grinds a wafer attached to a holding plate 20 by sliding contact with a revolving platen 10, and swings the platen 10 in a predetermined direction in a revolving surface. The swing mechanism 16 to move, the top ring 30 that applies a load to the holding plate 20 and applies a rotational force, the drive shaft 38 that rotationally drives the top ring 30, and the drive shaft 38 are rotatably suspended and supported. A support member 62 and a vertical movement mechanism 52 that moves the drive shaft 38 and the top ring 30 up and down by moving the support member 62 up and down are provided, and the drive shaft 38 includes deep groove ball bearings, spacers, and double bearings from bottom to top. It is configured to be supported by the support member 62 via a bearing mechanism arranged in the order of row conical roller bearings. [Selection diagram] Fig. 1
Description
本考案は、ウェハ研磨装置に関し、さらに詳細には、保持プレートの保持面に貼付されたウェハを、公転する定盤に摺接させて研磨を行うウェハ研磨装置に関する。 The present invention relates to a wafer polishing device, and more particularly to a wafer polishing device that grinds a wafer attached to a holding surface of a holding plate by sliding it on a revolving surface plate.
半導体装置等を製造する工程の一つとして、ウェハ(シリコンウェハ等)の研磨を行う工程がある。当該工程において用いられるウェハ研磨装置の一例として、ウェハを保持プレートの保持面に貼付した状態で定盤に加圧状態で摺接させることによって、当該ウェハの研磨を行う装置が開発されている(特許文献1:特開2019−121682号公報参照)。 As one of the steps of manufacturing a semiconductor device or the like, there is a step of polishing a wafer (silicon wafer or the like). As an example of a wafer polishing device used in the process, a device has been developed that polishes the wafer by sliding the wafer on the holding surface of the holding plate under pressure. Patent Document 1: See JP-A-2019-121682).
特許文献1に例示される従来のウェハ研磨装置においては、ウェハが貼付された保持プレートを、センターローラとガイドローラとによって定盤上で自転可能に保持し、トップリングによって当該保持プレートを加圧して研磨を行う構成となっている。ここで、定盤の上面に研磨クロスが貼付されていることにより、研磨工程で重要な作用をなす保持プレートの自転が生じ難いため、トップリングを回転駆動させて保持プレートの自転を補助させる構成となっている。
In the conventional wafer polishing apparatus exemplified in
しかしながら、上記のウェハ研磨装置は、ウェハの研磨を行う際に、保持プレートの中心位置に貼付されるウェハにおいて、保持プレートの自転による研磨作用が周縁位置のウェハよりも小さいため、被研磨面にスジが残ってしまう等の研磨不良が生じ易いという課題があった。 However, in the above-mentioned wafer polishing apparatus, when polishing a wafer, the polishing action due to the rotation of the holding plate is smaller in the wafer attached to the center position of the holding plate than in the wafer at the peripheral position, so that the surface to be polished has a surface to be polished. There is a problem that polishing defects such as streaks remain are likely to occur.
また、上記のウェハ研磨装置は、複数個設けられるトップリングが単独での研磨に対応できるように、それぞれの駆動軸を独立して回転可能且つ上下動可能に吊下げ支持させる構成となっている。しかしながら、駆動軸を回転可能なように支持部材に支持させる部位の締付力を均一に調整することが極めて難しいため、複数個の駆動軸における回転時の摩擦力が不均一となって、複数の保持プレート毎に回転速度の微差が生じて、研磨されるウェハの仕上がり状態にばらつきが生じ得るという課題があった。 Further, the above-mentioned wafer polishing apparatus has a configuration in which each drive shaft is independently rotatably and vertically movable so that a plurality of top rings provided can be used for polishing independently. .. But There is a problem that a slight difference in the rotation speed occurs for each holding plate, and the finished state of the wafer to be polished may vary.
本考案は、上記事情に鑑みてなされ、保持プレートの中心位置に貼付されるウェハに研磨不良が生じる課題と、複数のトップリングにそれぞれ設けられる駆動軸の摩擦力の不均一に起因して、保持プレート毎にウェハの仕上がり状態にばらつきが生じる課題との両方を解決することが可能なウェハ研磨装置を実現することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is caused by the problem that the wafer attached to the center position of the holding plate is poorly polished and the non-uniform frictional force of the drive shafts provided on the plurality of top rings. It is an object of the present invention to realize a wafer polishing apparatus capable of solving both the problem that the finished state of the wafer varies depending on the holding plate.
本考案は、一実施形態として以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。 The present invention solves the above-mentioned problems by means of a solution as described below as an embodiment.
本考案に係るウェハ研磨装置は、保持プレートの保持面に貼付されたウェハを、公転する定盤に摺接させて研磨を行うウェハ研磨装置であって、前記定盤を公転面内で所定方向に揺動させる揺動機構と、前記保持プレートに荷重を印加すると共に自転力を付与するトップリングと、前記トップリングに連結されて、前記トップリングを回転駆動する駆動軸と、前記駆動軸を回転可能に吊下げ支持する支持部材と、前記支持部材を上下動させることによって、前記駆動軸および前記トップリングを上下動させる上下動機構と、を備え、前記駆動軸は、下から上へ深溝玉軸受、間座、複列円すいころ軸受の順で配設された軸受機構を介して前記支持部材に支持される構成であることを要件とする。 The wafer polishing device according to the present invention is a wafer polishing device that grinds a wafer attached to a holding surface of a holding plate by sliding contact with a rotating platen, and the platen is placed in a predetermined direction in the rotating surface. A swing mechanism that swings the top ring, a top ring that applies a load to the holding plate and applies a rotating force, a drive shaft that is connected to the top ring and rotationally drives the top ring, and the drive shaft. A support member that rotatably suspends and supports the support member and a vertical movement mechanism that moves the drive shaft and the top ring up and down by moving the support member up and down are provided, and the drive shaft has a deep groove from bottom to top. It is required that the bearing is supported by the support member via a bearing mechanism arranged in the order of a ball bearing, a spacer, and a double-row conical roller bearing.
本考案によれば、公転する定盤を所定方向に揺動させることができる。したがって、保持プレートの中心位置のウェハに対しても、研磨作用をより多く生じさせることができ、研磨不良の発生を防止することができる。さらに、定盤を揺動させる装置構成において、トップリングを安定して回転可能に吊下げ支持することができ、且つ、複数のトップリングに対してその駆動軸の摩擦力を均一化することができ、研磨の仕上がりにばらつきが生じることを防止することができる。 According to the present invention, the revolving surface plate can be swung in a predetermined direction. Therefore, more polishing action can be generated on the wafer at the center position of the holding plate, and the occurrence of polishing defects can be prevented. Further, in the device configuration for swinging the surface plate, the top ring can be hung and supported in a stable and rotatable manner, and the frictional force of the drive shaft can be made uniform with respect to a plurality of top rings. It is possible to prevent variations in the polishing finish.
以下、図面を参照して、本考案の実施形態について詳しく説明する。図1は、本考案の実施形態に係るウェハ研磨装置1の例を示す概略図(斜視図)である。また、図2は、被研磨対象のウェハWが貼付された保持プレート20の保持面20aの概略図(底面図)である。また、図3は、図1に示すウェハ研磨装置1の上下動機構52および回転駆動機構36の例を示す概略図であり、図3(a)は上下動機構52および回転駆動機構36の斜視図、図3(b)は図3(a)におけるX部の断面図、図3(c)は図3(a)におけるY部の断面図、図3(d)は図3(a)におけるZ部の断面図である。また、図4は、図1に示すウェハ研磨装置1の軸受機構70周辺の概略図(正面断面図)である。なお、説明の便宜上、図中において矢印によりウェハ研磨装置1における前後、左右、上下の方向を説明する場合がある。また、各実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰返しの説明は省略する場合がある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view (perspective view) showing an example of the
本実施形態に係るウェハ研磨装置1は、1枚もしくは複数枚(特に限定されないが、主要例として3〜10枚程度)のウェハ(円板状のシリコンウェハ等)Wが保持面に貼付された保持プレート20を、センターローラ54とガイドローラ56とによって定盤10上で自転可能に保持し、トップリング30によって定盤10へ押圧しつつ、定盤10を回転(公転)させてウェハWの研磨を行う装置である。なお、本願においては、定盤10の回転を「公転」と称し、当該定盤10上における保持プレート20の回転を「自転」と称する場合がある。
In the
先ず、保持プレート20は、保持面20aに1枚もしくは複数枚のウェハWが貼付され、そのウェハWの被研磨面Waを定盤10の研磨面10aに当接させる作用をなす。本実施形態においては、公知の剥離可能な接着剤によって、ウェハWが保持プレート20の保持面20aに接着されて貼付されている。なお、この保持プレート20は、平坦精度が高く、変形しにくい材質であることが要求され、一般に、ガラスもしくはセラミックス等を用いて形成されている。
First, the
次に、定盤10は、金属材料(一例として、ステンレス合金)を用いて平面視円形状に形成され、ウェハWの研磨を行う研磨面(上面)10aを備えている。この研磨面10a上に、ウェハWが貼付された保持プレート20が載置される。なお、研磨面10aには、通常、研磨布(不図示)が貼付された状態で、研磨工程が実施される(したがって、本願における「研磨面10a」は、研磨布が貼付された状態を含むものとする)。また、定盤10は、電気モータを備える回転駆動機構50によって軸心を中心に回転(自転)される。一例として、定盤10の回転(自転)速度は、20rpm程度に設定される。
Next, the
本実施形態においては、定盤10を公転面内で所定方向に揺動させる揺動機構16を備えている。一例として、前後方向(その他の方向でもよい)に60mm程度、揺動させる構成となっている。これによれば、以下の作用効果を得ることができる。
In the present embodiment, a swing mechanism 16 for swinging the
具体的に、ウェハ研磨装置1は、前述の通り、1枚もしくは複数枚のウェハWが貼付された保持プレート20を、トップリング30によって定盤10へ押圧しつつ、定盤10上で自転させながら、定盤10を公転させることによって、当該ウェハWの研磨を行う構成である。幾つかの例として、保持プレート20に貼付されるウェハWが1枚の場合には図2(a)に示すように配置され、複数枚(例えば、3枚)の場合には図2(b)に示すように配置され、複数枚(例えば、5枚)の場合には図2(c)に示すように径方向の中心位置に1枚、周縁位置に4枚が配置される。ここで、保持プレート20を自転させる場合、中心位置は周縁位置よりも速度(周速)が遅くなる。そのため、中心位置のウェハWは、周縁位置のウェハWと比較して保持プレート20の自転による研磨作用が小さくなる。特に、中心位置のウェハWにおける被研磨面Waの中心領域ほど、その影響が顕著に現れ、スジが残ってしまう等の研磨不良が生じ易い。このような課題に対して、上記の構成によれば、定盤10を公転させながら、所定方向に揺動させることができる。これにより、保持プレート20の中心位置のウェハWに対しても、摺動動作(すなわち、研磨作用)をより多く生じさせることができるため、研磨不良の発生を防止することができる。
Specifically, as described above, the
次に、センターローラ54は、定盤10の径方向中心において、回転(自転)可能に配設されている。なお、本実施形態に係るセンターローラ54は、自身が回転力を発生する構成ではなく、支持軸40によって回転可能に支持され、保持プレート20に対して互いの外周面が当接するように配設される。
Next, the
次に、ガイドローラ56は、定盤10の径方向外縁に所定間隔をおいて複数個(一例として、4個)が回転可能に配設されている。ここで、ガイドローラ56は、ウェハWが保持面20aに貼付された状態で定盤10上に載置された保持プレート20を、センターローラ54との間で挟持する位置、およびその挟持を解除してフリーとする位置との間で移動可能に設けられている。なお、本実施形態に係るガイドローラ56は、自身が回転力を発生する構成ではない。
Next, a plurality (for example, four) of
この構成によれば、定盤10上に載置された保持プレート20を、ガイドローラ56とセンターローラ54との間で挟持した所定位置(公転する定盤10に対して静止した所定位置)に位置決めして、後述のトップリング30を押圧させて回転させることによって当該保持プレート20を回転(自転)させる作用が得られる。
According to this configuration, the holding
なお、一例として、センターローラ54およびガイドローラ56は、いずれも保持プレート20と当接(転接)するローラ部分が樹脂材料(一例として、POM樹脂)を用いて形成されている。ただし、これに限定されるものではない。
As an example, in each of the
次に、トップリング30は、下端部に平面視円形状に形成された押圧部(不図示)が設けられており、ウェハWの保持された保持面20aを下にして定盤10の研磨面10aに載置された保持プレート20を上方から押圧し、ウェハWの被研磨面Waと研磨面10aとを圧接させる作用をなす。このトップリング30は、保持プレート20に荷重を印加すると共に、保持プレート20に圧接した状態で回転することによって保持プレート20に自転力を付与する構成となっている。
Next, the
一例として、トップリング30の本体内部には、ウエイト(おもり)が積層状態で保持されており、保持プレート20を介してウェハWを所定の圧力で定盤10へ押圧する構成となっている。このウエイトには、鉛を用いた円板状おもり等を用いることができる。ただし、荷重をかけて押圧する手段は、これに限定されるものではなくなく、上記ウエイトに代えて、もしくはウエイトと共に、シリンダ装置による流体圧等を利用することも可能である(不図示)。
As an example, a weight is held inside the main body of the
また、トップリング30に連結されてトップリング30を回転駆動する駆動軸38と、駆動源(一例として、電気モータ)34を有して駆動軸38を回転させる回転駆動機構36とを備えて構成されている。これによれば、回転駆動機構36を駆動させて、駆動軸38を介して、トップリング30を回転させることができる。したがって、保持プレート20に圧接させた状態でトップリング30を回転させて、保持プレート20に自転力を付与(自転を補助)することができる。
Further, a
さらに、駆動軸38を回転可能に吊下げ支持する支持部材62と、支持部材62を上下動させる(すなわち、研磨面10aに接離する方向に移動させる)ことによって、駆動軸38およびトップリング30を上下動させる上下動機構52とを備えて構成されている。これによれば、上下動機構52を駆動させて、支持部材62を介して、駆動軸38およびトップリング30を上下動させることができる。したがって、ウェハWが貼付された保持プレート20を定盤10上に載置させる際に、トップリング30を上昇させることができ、保持プレート20を押圧してウェハWの研磨を行う際に、トップリング30を下降させることができる。
Further, the
本実施形態においては、複数(一例として、4個)設けられるそれぞれのトップリング30に対して、上下動機構52および支持部材62が配設されている。一例として、上下動機構52は、上下動するピストン68を有するエアシリンダ66を備えて構成されており、支持部材62は、このピストン68に連結されている。これによれば、それぞれの駆動軸38を独立して回転可能且つ上下動可能に吊下げ支持させることができるため、複数個設けられるトップリング30を、単独での研磨に対応させて使用することができる。
In the present embodiment, the
その一方で、複数のトップリング30を同時に使用して研磨を行う際には、各トップリング30の回転速度を一致させることが重要となる。これは、トップリング30毎の速度の不一致が発生すると、保持プレート20の自転速度が不一致となり、それぞれに貼付されて研磨されるウェハWの仕上がりにばらつきが生じる原因となってしまうためである。
On the other hand, when polishing using a plurality of
しかしながら、複数のトップリング30の回転速度を正確に一致させることは極めて難しいという課題があった。その理由として、軸受(後述の軸受機構70)を介して駆動軸38を回転可能なように支持部材62に支持させる構成において、その支持部(軸受を介して回転可能に支持する部位)において、支持(固定)するための締付力(環状の締付部材78によって軸受機構70の締付を行う構成における締付力)を均一に調整することが極めて難しいためである。複数の支持部材62において、支持部の締付力に僅かな差があるだけでも、複数個の駆動軸38における回転時の摩擦力(具体的には、軸受機構70における摺動摩擦力)が不均一となって、複数のトップリング30すなわち複数の保持プレート20毎に回転速度の微差が生じて、研磨されるウェハWの仕上がり状態にばらつきが生じる原因となってしまう。
However, there is a problem that it is extremely difficult to accurately match the rotation speeds of the plurality of top rings 30. The reason for this is that in a configuration in which the
この課題に対して、本実施形態においては、駆動軸38は、下から上へ深溝玉軸受72、間座74、複列円すいころ軸受76の順で配設された軸受機構70を介して支持部材62に支持される構成としている。これによれば、上記課題の解決を図ることができる。すなわち、複数配設される駆動軸38を回転可能なように各支持部材62に支持させる支持部において、支持(固定)するための締付力を均一に調整することが極めて容易となる。したがって、保持プレート20毎に回転速度の微差が生じることを防止でき、研磨されるウェハWの仕上がり状態にばらつきが生じることを防止できる。
In response to this problem, in the present embodiment, the
また、ウェハ研磨装置1は、前述の通り、定盤10を揺動させる揺動機構16を備えている。この揺動によって、駆動軸38にはトップリング30を介して径方向の力(回転軸に直交する方向の力)が作用する。この径方向力は、単に定盤10が公転するだけの構成よりも大きな力として作用する。そのため、本実施形態においては、当該径方向力を受け止めて、駆動軸38が径方向に移動することを規制する支持部64を備えて構成されている。構成例として、駆動軸38において軸方向に所定距離離れた少なくとも二箇所の位置に第1支持部64(64A)および第2支持部64(64B)が設けられている。ここで、第1支持部64(64A)は、駆動源(電気モータ)34の駆動力を駆動軸38に伝達するスプライン機構(ボールスプライン機構を含む)を備えて構成されている。これによれば、定盤10の揺動によって駆動軸38に作用する径方向力を受け止めて、当該駆動軸38が径方向にずれてしまうことや、軸心が傾いてしまうこと等を防止することができ、且つ、駆動軸38を回転可能で上下動可能とする構成を実現することができる。なお、本実施形態においては、第1支持部64(64A)を上方に、第2支持部64(64B)を下方に設ける構成としているが、上下逆の構成としてもよい(不図示)。
Further, as described above, the
続いて、上記の構成を備えるウェハ研磨装置1を用いたウェハ研磨工程の概要について説明する。先ず、定盤10上の保持プレート供給位置に対して定盤回転方向の最遠のガイドローラ56を、保持プレート20の挟持位置に移動する。次いで、前記供給位置に供給された保持プレート20を、定盤10の回転によりセンターローラ54と前記最遠のガイドローラ56との間で挟持する位置まで搬送する。次いで、同様に最遠から2番目のガイドローラ56とセンターローラ54との間で保持プレート20を挟持するという手順で、続けて保持プレート20をセットする(一例として、計4組セットする)。
Subsequently, an outline of the wafer polishing process using the
次いで、保持プレート20を介して複数枚の(一例として、図2(c)のように配置される)ウェハWを、トップリング30によって定盤10へ押圧しつつ、その定盤10を回転(公転)させてウェハWの研磨を行う。保持プレート20は、センターローラ54とガイドローラ56とによって受け止められているため、定盤10と共に回転(公転)することなく定盤10の中心と周辺の周速の差によって自転させられる。これにより、複数枚のウェハWに対して同時且つ均等に研磨を行うことができる。
Next, a plurality of wafers W (arranged as shown in FIG. 2C as an example) are pressed against the
さらに、本実施形態においては、駆動軸38を駆動することにより、保持プレート20に圧接させたトップリング30を回転させて、保持プレート20に対して回転力(自転力)を付与する。これによれば、保持プレート20を確実に、且つ安定した速度(回転速度)で自転させることができる。一例として、保持プレート20の回転(自転)速度が、定盤10の回転(公転)速度と同程度(20rpm程度)になるように、トップリング30の回転(自転)速度が20rpm程度に設定されている。
Further, in the present embodiment, by driving the
また、この研磨工程では、ウェハWの被研磨面Waと定盤10の研磨面10aとが磨り合わせられる部分に、スラリー(研磨加工液)が供給される。このスラリーは、微細な砥粒、およびウェハWを適度に侵蝕し得る薬液を含み、両者の作用によってウェハWの被研磨面Waを高精度の鏡面状となるように研磨を行うことができる。
Further, in this polishing step, a slurry (polishing liquid) is supplied to a portion where the surface to be polished Wa of the wafer W and the polishing
以上、説明した通り、本考案によれば、公転する定盤を所定方向に揺動させることができる。したがって、保持プレートの中心位置のウェハに対しても、研磨作用をより多く生じさせることができ、研磨不良の発生を防止することができる。さらに、定盤を揺動させる装置構成において、トップリングを安定して回転可能に吊下げ支持することができ、且つ、複数のトップリングに対してその駆動軸の摩擦力を均一化することができ、研磨の仕上がりにばらつきが生じることを防止することができる。 As described above, according to the present invention, the revolving surface plate can be swung in a predetermined direction. Therefore, more polishing action can be generated on the wafer at the center position of the holding plate, and the occurrence of polishing defects can be prevented. Further, in the device configuration for swinging the surface plate, the top ring can be hung and supported in a stable and rotatable manner, and the frictional force of the drive shaft can be made uniform with respect to a plurality of top rings. It is possible to prevent variations in the polishing finish.
なお、本考案は、以上説明した実施例に限定されることなく、本考案を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、研磨を行う対象物としてウェハ(シリコンウェハ)を例に挙げて説明を行ったが、これに限定されるものではなく、他の平板状(特に円板状)のワークに対しても同様に適用することができる。 The present invention is not limited to the examples described above, and various modifications can be made without departing from the present invention. For example, a wafer (silicon wafer) has been described as an example of an object to be polished, but the description is not limited to this, and the same applies to other flat plate-shaped (particularly disk-shaped) workpieces. Can be applied to.
1 ウェハ研磨装置
10 定盤
20 保持プレート
30 トップリング
36 回転駆動機構
38 駆動軸
40 支持軸
52 上下動機構
54 センターローラ
56 ガイドローラ
62 支持部材
64、64A、64B 支持部
70 軸受機構
W ウェハ
1
Claims (3)
前記定盤を公転面内で所定方向に揺動させる揺動機構と、
前記保持プレートに荷重を印加すると共に自転力を付与するトップリングと、
前記トップリングに連結されて、前記トップリングを回転駆動する駆動軸と、
前記駆動軸を回転可能に吊下げ支持する支持部材と、
前記支持部材を上下動させることによって、前記駆動軸および前記トップリングを上下動させる上下動機構と、を備え、
前記駆動軸は、下から上へ深溝玉軸受、間座、複列円すいころ軸受の順で配設された軸受機構を介して前記支持部材に支持される構成であること
を特徴とするウェハ研磨装置。 A wafer polishing device that grinds a wafer attached to the holding surface of a holding plate by sliding it against a revolving surface plate.
A swing mechanism that swings the surface plate in a predetermined direction in the revolution plane,
A top ring that applies a load to the holding plate and applies a rotation force,
A drive shaft connected to the top ring and rotationally driving the top ring,
A support member that rotatably suspends and supports the drive shaft,
A vertical movement mechanism for moving the drive shaft and the top ring up and down by moving the support member up and down is provided.
Wafer polishing is characterized in that the drive shaft is supported by the support member via a bearing mechanism arranged in the order of a deep groove ball bearing, a spacer, and a double row tapered roller bearing from bottom to top. apparatus.
前記第1支持部は、電気モータの駆動力を前記駆動軸に伝達するスプライン機構を備えて構成されていること
を特徴とする請求項1記載のウェハ研磨装置。 As a support portion that receives a radial force acting on the drive shaft via the top ring due to the swing of the surface plate and regulates the radial movement, at least two parts of the drive shaft separated by a predetermined distance in the axial direction. The first support part and the second support part are provided at the position of the place,
The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the first support portion includes a spline mechanism for transmitting a driving force of an electric motor to the driving shaft.
それぞれの前記トップリングに対して、前記上下動機構および前記支持部材が配設されており、
前記上下動機構は、上下動するピストンを有するエアシリンダを備えて構成されており、
前記支持部材は、前記ピストンに連結されていること
を特徴とする請求項1または請求項2記載のウェハ研磨装置。 A plurality of the top rings are arranged.
The vertical movement mechanism and the support member are arranged for each of the top rings.
The vertical movement mechanism is configured to include an air cylinder having a piston that moves up and down.
The wafer polishing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the support member is connected to the piston.
Priority Applications (2)
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JP2020004991U JP3230551U (en) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | Wafer polishing equipment |
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JP2020004991U JP3230551U (en) | 2020-11-19 | 2020-11-19 | Wafer polishing equipment |
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Family Applications (1)
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