JP2000042912A - Double-side polishing device - Google Patents

Double-side polishing device

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JP2000042912A
JP2000042912A JP20952798A JP20952798A JP2000042912A JP 2000042912 A JP2000042912 A JP 2000042912A JP 20952798 A JP20952798 A JP 20952798A JP 20952798 A JP20952798 A JP 20952798A JP 2000042912 A JP2000042912 A JP 2000042912A
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polishing
abrasive
surface plate
slurry
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惇 鍛治倉
Norihiko Moriya
紀彦 守屋
Tomoki Kanda
智樹 神田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply a liquid abrasive of a sufficient flow rate to the polishing part by forcibly sending the liquid abrasive from an abrasive supply hole arranged in an upper surface plate and/or a lower surface plate. SOLUTION: An abrasive supply hole 16b is arranged in a lower surface plate 16. A forcibly sending supply device 85 for forcibly sending slurry is composed of a slurry storage tank and a slurry sending pump. A communicating passage 86 is composed of a vertical pipe 86a communicating with the hole 16b by passing through into a hollow autorotating shaft 36a, a horizontal pipe 86b communicating the vertical pipe 86a with the sending supply device 85 and a pipe joint. The slurry pressurized to high pressure is sent through this communicating passage 86 to be delivered from the abrasive supply hole 16b. Since the slurry delivered from the abrasive supply hole 16b flows to the outer periphery from the central part by centrifugal force by being received to the polishing surface of the lower surface plate 16 by this abrasive supply means, the slurry can be sufficiently supplied to the whole polishing part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は両面研磨装置に関す
る。両面研磨装置としては、従来から、エクスターナル
ギヤ(以下、「外歯車」という)とインターナルギヤ
(以下、「内歯車」という)を異なる角速度で回転する
ことによって、加工材料(以下、「ワーク」という)を
担持した遊星歯車に相当するキャリヤを自転させるとと
もに公転させ、そのキャリヤの上下に配された研磨面を
有する上定盤及び下定盤が、ワークを上下から挟むと共
にワークに対して相対的に移動して研磨する遊星歯車機
構を用いたものがある。この両面研磨装置は、ラッピン
グ装置(ラップ盤)、またはポリシング装置として使用
され、精度が高く、両面を同時に研磨できるため加工時
間が短くて済み、半導体チップの素材となるシリコンウ
ェーハ等の薄物研磨加工に適している。
The present invention relates to a double-side polishing apparatus. Conventionally, as a double-side polishing apparatus, a processing material (hereinafter, referred to as a "work") is formed by rotating an external gear (hereinafter, referred to as an "external gear") and an internal gear (hereinafter, referred to as an "internal gear") at different angular velocities. The carrier corresponding to the planetary gear carrying the above-described carrier is rotated and revolved, and the upper and lower stools having polishing surfaces arranged above and below the carrier sandwich the work from above and below and relative to the work. There is one using a planetary gear mechanism that moves and grinds. This double-side polishing device is used as a lapping device (lapping machine) or polishing device. It has high accuracy and can simultaneously polish both surfaces, so that the processing time is short, and a thin material polishing process such as a silicon wafer used as a semiconductor chip material is completed. Suitable for.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の遊星歯車機構を用いたポリシング
装置の構成について、図11に基づいて説明する。11
2は上定盤、114は下定盤であり、それぞれの表面に
は研磨布(クロス)が付けられており、その研磨布によ
って研磨面が形成されている。116は外歯車、118
は内歯車である。また、120はキャリヤであり、この
キャリヤ120に穿設された透孔内にワーク121が保
持され、外歯車116と内歯車118と噛み合って回転
する。上定盤112は上定盤回し金112aに連繋さ
れ、この上定盤回し金112aから垂下したシャフト1
12bの先端にギヤ112cが設けられている。ギヤ1
12cはアイドルギヤ112dに、そのアイドルギヤ1
12dはギヤ112eに噛合している。このギヤ112
eは、スピンドル126と一体に回転すべく、スピンド
ル126と同軸に設けられている。下定盤114は、そ
の下定盤114に同軸に設けられたギヤ114aを介
し、スピンドル126に同軸に設けられたギヤ114b
に連繋している。外歯車116は、その外歯車116に
同軸に設けられたギヤ116aを介し、スピンドル12
6に同軸に設けられた伝達ギヤ116bに連繋してい
る。内歯車118は、その内歯車118に同軸に設けら
れたギヤ118aを介し、スピンドル126に同軸に設
けられた伝達ギヤ118bに連繋している。すなわち、
このポリシング装置は、一つの駆動装置によって、外歯
車116、内歯車118、上定盤及び下定盤112、1
14を回転駆動させる、いわゆる4ウェイ駆動方式とな
っている。なお、スピンドル126は可変減速機132
に連結され、その可変減速機132は、ベルト136を
介してモータ134と連結されており、スピンドル12
6の回転速度を制御する。
2. Description of the Related Art A configuration of a polishing apparatus using a conventional planetary gear mechanism will be described with reference to FIG. 11
Reference numeral 2 denotes an upper surface plate, and 114 a lower surface plate. A polishing cloth (cloth) is attached to each surface, and a polishing surface is formed by the polishing cloth. 116 is an external gear, 118
Is an internal gear. Reference numeral 120 denotes a carrier. A work 121 is held in a through hole formed in the carrier 120, and rotates by meshing with an external gear 116 and an internal gear 118. The upper stool 112 is connected to an upper stool 112a, and the shaft 1 suspended from the upper stool 112a.
A gear 112c is provided at the tip of 12b. Gear 1
Reference numeral 12c denotes an idle gear 112d and an idle gear 1
12d meshes with the gear 112e. This gear 112
e is provided coaxially with the spindle 126 so as to rotate integrally with the spindle 126. The lower platen 114 is provided with a gear 114b coaxially provided with a spindle 126 via a gear 114a provided coaxially with the lower platen 114.
Connected to. The external gear 116 is connected to the spindle 12 via a gear 116 a provided coaxially with the external gear 116.
6 is connected to a transmission gear 116b coaxially provided. The internal gear 118 is connected to a transmission gear 118b provided coaxially with the spindle 126 via a gear 118a provided coaxially with the internal gear 118. That is,
The polishing apparatus includes an external gear 116, an internal gear 118, an upper surface plate and a lower surface plate 112, and a single driving device.
This is a so-called four-way drive system in which the drive 14 is driven to rotate. Note that the spindle 126 is a variable speed reducer 132
The variable speed reducer 132 is connected to a motor 134 via a belt 136,
6 is controlled.

【0003】この遊星歯車機構を用いたポリシング装置
によれば、例えば、外歯車116の角速度に比べて内歯
車118の角速度の方が大きくなるようにギヤ116a
と伝達ギヤ116bの回転比、及びギヤ118aと伝達
ギヤ118bの回転比がそれぞれ設定されている場合、
外歯車116と内歯車118との間に噛合したキャリヤ
120は、内歯車118の回転方向と同一方向(例え
ば、「反時計方向」とする)に公転し、且つ時計方向に
自転する。また、下定盤114も同じく反時計方向に回
転するが、上定盤112はアイドルギヤ112dが介在
するので時計方向に回転する。なお、研磨条件に応じ
て、キャリヤ120の回転方向及び回転速度等は、外歯
車116と内歯車118の角速度の設定によって変更す
ることができる。
According to the polishing apparatus using the planetary gear mechanism, for example, the gear 116a is set so that the angular velocity of the internal gear 118 becomes larger than the angular velocity of the external gear 116.
And the rotation ratio of the transmission gear 116b and the rotation ratio of the gear 118a and the transmission gear 118b, respectively.
The carrier 120 meshed between the external gear 116 and the internal gear 118 revolves in the same direction as the rotation direction of the internal gear 118 (for example, "counterclockwise") and rotates clockwise. The lower platen 114 also rotates counterclockwise, while the upper platen 112 rotates clockwise due to the presence of the idle gear 112d. Note that the rotation direction and rotation speed of the carrier 120 can be changed by setting the angular velocities of the external gear 116 and the internal gear 118 according to the polishing conditions.

【0004】また、ワーク121の表裏の研磨面へは、
砥粒等を含む液状の研磨剤が供給され、その液状の研磨
剤の作用によってワーク121の研磨が好適になされ
る。シリコンウェーハの研磨では、通常、アルカリ性の
研磨液に砥粒が分散されてなる研磨剤(通称「スラリ
ー」)が、シリコンウェーハと研磨用定盤の研磨面との
間に供給されて研磨がなされる。液状の研磨剤を供給す
る方法としては、上定盤112に上下方向へ貫通して設
けられた研磨剤供給用の孔を介し、液状の研磨剤を上方
からポンプ動力及び重力を利用して滴下させて供給する
ことが一般的になされている。研磨剤供給用の孔から吐
出した液状の研磨剤は、上定盤112の研磨面とワーク
121が接触してそのワーク121を研磨する研磨部へ
供給されると共に、隣合うキャリヤ120同士の間を通
過して下定盤114の研磨面上へ流れ、下定盤114の
研磨面とワーク121が接触してそのワーク121を研
磨する研磨部へ供給される。
[0004] In addition, the front and back polished surfaces of the workpiece 121 are
A liquid abrasive containing abrasive particles and the like is supplied, and the work of the liquid abrasive is suitably polished. In polishing a silicon wafer, an abrasive (generally called “slurry”) in which abrasive grains are dispersed in an alkaline polishing liquid is usually supplied between the silicon wafer and a polishing surface of a polishing platen to perform polishing. You. As a method of supplying a liquid abrasive, a liquid abrasive is dripped from above using a pump power and gravity through an abrasive supply hole provided vertically penetrating the upper platen 112. It is generally made to supply. The liquid abrasive discharged from the abrasive supply hole is supplied to a polishing section where the polishing surface of the upper platen 112 comes into contact with the work 121 and polishes the work 121, and is supplied between adjacent carriers 120. , And flows onto the polishing surface of the lower platen 114, and is supplied to a polishing section for polishing the work 121 by bringing the polishing surface of the lower platen 114 into contact with the work 121.

【0005】図12は、図11のポリシング装置にかか
るキャリヤ120の配置例を説明する平面図であり、隣
合うキャリヤ120同士の間には空隙部Aがある。この
空隙部Aは内径部にも外径部にも十分な広さで存在し、
液状の研磨剤は下定盤114の研磨面上へも好適に供給
される。このように、液状の研磨剤は、簡単な上方から
の供給手段によって、ワーク121の両面について十分
に供給される。このポリシング装置によれば、液状の研
磨剤を好適に供給でき、キャリヤ120を複雑に運動さ
せることができるため、研磨むらを防止して均一にワー
ク121(例えば、シリコンウェーハ)研磨できる。従
って、ワークの平坦度を向上できる。また、ワーク12
1の両面を同時に研磨できるため、研磨効率を向上でき
る。
FIG. 12 is a plan view for explaining an example of the arrangement of carriers 120 according to the polishing apparatus of FIG. 11, and there is a gap A between adjacent carriers 120. This gap A exists in both the inner diameter portion and the outer diameter portion with a sufficient width,
The liquid abrasive is also suitably supplied onto the polishing surface of the lower platen 114. As described above, the liquid abrasive is sufficiently supplied to both surfaces of the work 121 by a simple supply unit from above. According to this polishing apparatus, since the liquid abrasive can be suitably supplied and the carrier 120 can be moved in a complicated manner, the work 121 (for example, a silicon wafer) can be uniformly polished while preventing uneven polishing. Therefore, the flatness of the work can be improved. Work 12
Since both surfaces can be simultaneously polished, the polishing efficiency can be improved.

【0006】しかしながら、上記従来の遊星歯車機構を
用いた両面研磨装置では、キャリヤ120が外歯車11
6と内歯車118の間で移動する構造になるため、最近
のシリコンウェーハ等のワーク121の大型化に対応し
にくい。すなわち、キャリヤ120の直径を、定盤の半
径より大きくすることは不可能であり、定盤の研磨面を
効率良く利用することができない。また、従来の遊星歯
車機構を用いた両面研磨装置では、複雑な歯車機構とな
っており、大型化することが難しく、大型の装置を製造
するには材料、加工、配置スペース的な問題など、様々
な面でコストが嵩んでしまう。
However, in the double-side polishing apparatus using the above-mentioned conventional planetary gear mechanism, the carrier 120 is mounted on the external gear 11.
6 and the internal gear 118, it is difficult to cope with the recent increase in size of the work 121 such as a silicon wafer. That is, it is impossible to make the diameter of the carrier 120 larger than the radius of the surface plate, and the polished surface of the surface plate cannot be used efficiently. In addition, in a conventional double-side polishing apparatus using a planetary gear mechanism, a complicated gear mechanism is used, and it is difficult to increase the size of the apparatus. Costs increase in various aspects.

【0007】このため、本願出願人は、背景技術として
次のような両面研磨装置を開発してある。すなわち、そ
の両面研磨装置は、薄平板に透孔が設けられて成るキャ
リヤと、そのキャリヤの透孔内に配された板状のワーク
であるウェーハを、上下から挟むと共にそのウェーハに
対して相対的に移動して研磨する研磨面と有する上定盤
及び下定盤とを備える両面研磨装置であって、前記キャ
リヤを、キャリヤホルダーを介してキャリヤの面と平行
な面内で自転しない円運動をさせ、前記透孔内で上定盤
と下定盤の間に保持されたウェーハを旋回移動させるキ
ャリヤ旋回運動機構を具備する。なお、上定盤及び下定
盤は、各々回転(自転)運動するように設けられてい
る。
Therefore, the present applicant has developed the following double-side polishing apparatus as a background art. That is, the double-side polishing apparatus sandwiches a carrier formed of a thin flat plate with a through-hole and a wafer, which is a plate-shaped work arranged in the through-hole of the carrier, from above and below and at the same time relative to the wafer. A polishing machine comprising an upper surface plate and a lower surface plate having a polishing surface for selectively moving and polishing, wherein the carrier moves a circular motion that does not rotate in a plane parallel to the surface of the carrier via a carrier holder. And a carrier rotating mechanism for rotating the wafer held between the upper surface plate and the lower surface plate in the through hole. In addition, the upper surface plate and the lower surface plate are each provided so as to perform a rotation (rotation).

【0008】そして、上定盤及び下定盤の研磨面とウェ
ーハが接触してそのウェーハを研磨する研磨部へ液状の
研磨剤を供給するには、図10に示すように、液状の研
磨剤(スラリー)を自然落下させている。39はスラリ
ーリングであり、図示しない液状の研磨剤の供給装置に
よって汲み上げられたスラリーを貯留するように、リン
グ状の溝状に形成されている。39aは供給管であり、
スラリーリング39と上定盤14に設けた研磨剤供給用
の孔14bとを連通する管路として設けられている。ス
ラリーは、この供給管39aを通過して自然落下し、研
磨剤供給用の孔14bから排出されて前記研磨部に供給
されるようになっている。なお、72はスプライン軸で
あり、上定盤14を自転させると共に上下動可能に吊り
下げている。76は固定板であり、スプライン軸72の
下端に固定されている。この固定板76には、複数のエ
アバック77の下端と、吊持シャフト79を揺動可能に
軸受けする複数の揺動軸受78が固定されている。ま
た、80は可動板であり、スプライン軸72に固定され
ず上下動可能に設けられ、外周部が前記スラリーリング
39となっていると共に、エアバック77の上端と、下
端が上定盤14に固定された吊持シャフト79の上端が
固定されている。従って、エアバック77を加圧すれ
ば、上定盤14を持ち上げる方向の力を得ることがで
き、上定盤14がウェーハに与える加圧荷重をコントロ
ールできる。また、揺動軸受78の作用によって、下定
盤16(図1参照)の研磨面に上定盤14の研磨面を追
随させて傾動できる。
Then, in order to supply a liquid abrasive to a polishing portion for polishing the wafer by bringing the polishing surfaces of the upper and lower platens into contact with each other, as shown in FIG. Slurry) is allowed to fall naturally. Numeral 39 denotes a slurry ring, which is formed in a ring-like groove shape so as to store the slurry pumped up by a liquid abrasive supply device (not shown). 39a is a supply pipe,
The slurry ring 39 is provided as a conduit communicating with the abrasive supply hole 14 b provided on the upper surface plate 14. The slurry naturally falls through the supply pipe 39a, is discharged from the polishing agent supply hole 14b, and is supplied to the polishing section. Reference numeral 72 denotes a spline shaft, which rotates the upper platen 14 and suspends it vertically. Reference numeral 76 denotes a fixing plate fixed to the lower end of the spline shaft 72. Fixed to the fixed plate 76 are lower ends of a plurality of airbags 77 and a plurality of swing bearings 78 for swingably supporting the suspension shaft 79. Reference numeral 80 denotes a movable plate, which is provided not to be fixed to the spline shaft 72 so as to be vertically movable, has an outer peripheral portion serving as the slurry ring 39, and has an upper end and a lower end of the airbag 77 on the upper surface plate 14. The upper end of the fixed suspension shaft 79 is fixed. Therefore, if the airbag 77 is pressurized, a force in the direction of lifting the upper stool 14 can be obtained, and the pressing load applied to the wafer by the upper stool 14 can be controlled. In addition, by the action of the swing bearing 78, the polished surface of the upper stool 14 can be tilted by following the polished surface of the lower stool 16 (see FIG. 1).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記背
景技術の両面研磨装置では、キャリヤ12が下定盤16
を全面的に覆う形態となり、液状の研磨剤を上定盤14
の研磨剤供給用の孔14bから供給した場合、その液状
の研磨剤が、キャリヤ12の上側に溜まってしまい下方
へ流れず、十分に下定盤16の研磨面に供給されないと
いう課題があった。すなわち、ワークが保持された透孔
の内周面とワークの外周面との僅かな隙間等から、スラ
リーが漏れ出して下定盤16の研磨面へ供給される程度
で、その供給量は十分でなかった。これに対して、図1
又は図3に示すように、キャリヤ12に、スラリーを通
過させるための連通孔15を設けた場合、一定の効果が
あった。しかし、各研磨面とキャリヤ12の表面の間隔
が非常に狭いことから、流れ易いところだけに流れてし
まい、十分な流量のスラリーを全面的に供給することは
困難であった。特に、各定盤の中央付近に、スラリーを
供給することが難しかった。このようにスラリーが研磨
部に好適に供給されないことによって、各定盤の研磨面
に温度のバラツキが生じる。これは、スラリーの供給流
量が十分でない場合、ワークと研磨面の摩擦による研磨
熱を好適に冷却できないことによる。このように研磨面
に温度のバラツキが生じると、研磨条件がワークの各部
によって異なることになり、結果的にワークの研磨精度
を低下させてしまうのである。
However, in the double-side polishing apparatus of the background art, the carrier 12 is mounted on the lower platen 16.
And a liquid abrasive is applied to the upper surface plate 14.
When the abrasive is supplied from the abrasive supply hole 14b, there is a problem that the abrasive in a liquid state accumulates on the upper side of the carrier 12 and does not flow downward, and is not sufficiently supplied to the polishing surface of the lower platen 16. That is, the slurry is leaked from a slight gap between the inner peripheral surface of the through hole holding the work and the outer peripheral surface of the work and supplied to the polishing surface of the lower platen 16, and the supply amount is sufficient. Did not. In contrast, FIG.
Alternatively, as shown in FIG. 3, when the carrier 12 is provided with the communication hole 15 for allowing the slurry to pass, a certain effect was obtained. However, since the distance between each polished surface and the surface of the carrier 12 is very small, it flows only in the easy-to-flow area, and it is difficult to supply a sufficient flow rate of the slurry entirely. In particular, it was difficult to supply the slurry near the center of each platen. Since the slurry is not appropriately supplied to the polishing section, temperature variations occur on the polishing surface of each platen. This is because if the supply flow rate of the slurry is not sufficient, the polishing heat due to the friction between the workpiece and the polishing surface cannot be cooled appropriately. When the temperature variation occurs on the polished surface as described above, the polishing conditions are different for each part of the work, and as a result, the polishing accuracy of the work is reduced.

【0010】そこで、本発明の目的は、自転しない円運
動をするキャリヤを備える両面研磨装置にあって、上定
盤及び下定盤の研磨面とワークが接触してそのワークを
研磨する研磨部へ、十分な流量の液状の研磨剤を供給可
能にすることで、研磨精度を向上させることにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a double-side polishing apparatus provided with a carrier that makes a circular motion that does not rotate, and a polishing section that polishes the work by contacting the work with the polishing surfaces of the upper surface plate and the lower surface plate. Another object of the present invention is to improve the polishing accuracy by enabling a sufficient flow rate of a liquid abrasive to be supplied.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、本発明は、
薄平板に透孔が設けられて成るキャリヤと、該キャリヤ
の透孔内に配された板状のワークを、上下から挟むと共
に該ワークに対して相対的に移動して研磨する研磨面を
有する上定盤及び下定盤と、前記キャリヤを、該キャリ
ヤの面と平行な面内で自転しない円運動をさせ、前記透
孔内で上定盤と下定盤との間に保持された前記ワ−クを
旋回移動させるキャリヤ旋回運動機構と、前記研磨面と
ワークが接触して該ワークを研磨する研磨部へ液状の研
磨剤を供給すべく、上定盤及び/又は下定盤に設けた研
磨剤供給用の孔から、圧送された前記液状の研磨剤を排
出させる研磨剤供給手段とを備える。
To achieve the above object, the present invention has the following arrangement. That is, the present invention
It has a carrier in which a thin plate is provided with a through-hole, and a polishing surface that sandwiches a plate-shaped work arranged in the through-hole of the carrier from above and below and moves relatively to the work to polish the work. An upper platen and a lower platen, and a circular motion that does not rotate on the carrier in a plane parallel to the surface of the carrier, and the wafer held between the upper platen and the lower platen in the through hole. A carrier rotating mechanism for rotating a workpiece, and an abrasive provided on an upper surface plate and / or a lower surface plate for supplying a liquid abrasive to a polishing section for polishing the workpiece by contacting the polishing surface with the workpiece. Abrasive supply means for discharging the liquid abrasive that has been fed under pressure from a supply hole.

【0012】また、前記研磨剤供給手段にあって、前記
研磨剤供給用の孔が、上定盤及び/又は下定盤の径方向
について異なる位置に複数設けられ、該複数の研磨剤供
給用の孔に対応して前記液状の研磨剤を供給する経路が
複数設けられたことで、研磨面全面をバランスよく冷却
することが可能になり、研磨熱に起因する研磨面の研磨
精度の低下をより好適に防止できる。
In the abrasive supply means, a plurality of abrasive supply holes are provided at different positions in the radial direction of the upper surface plate and / or the lower surface plate, and the plurality of abrasive supply holes are provided. By providing a plurality of paths for supplying the liquid abrasive corresponding to the holes, it is possible to cool the entire polishing surface in a well-balanced manner, and to reduce the polishing accuracy of the polishing surface due to polishing heat. It can be suitably prevented.

【0013】また、前記上定盤及び下定盤は、前記キャ
リヤの面に直交する方向に平行な軸心を中心に自転駆動
されることで、ワークと上定盤及び下定盤とを相対的に
複雑に運動させることができ、研磨精度を向上できる。
The upper platen and the lower platen are driven to rotate about an axis parallel to a direction perpendicular to the surface of the carrier, so that the work and the upper platen and the lower platen are relatively moved. The movement can be complicated and the polishing accuracy can be improved.

【0014】また、前記キャリヤ旋回運動機構は、前記
キャリヤを保持するキャリヤホルダーと、前記キャリヤ
の面に直交する方向に軸心が平行であって前記キャリヤ
ホルダーに軸着されるホルダー側の軸、及び該ホルダー
側の軸に軸心が平行であると共に所定の距離をおいて基
体に軸着される基体側の軸を備え、前記基体側の軸を中
心にホルダー側の軸を旋回させることでキャリヤホルダ
ーを基体に対して自転しない円運動をさせるクランク部
材と、該クランク部材を基体側の軸を中心に回転させる
駆動装置とを具備することで、簡単な構成でありなが
ら、キャリヤホルダーに保持されたキャリヤを好適に自
転しない円運動をさせることができる。
[0014] The carrier turning mechanism may further include a carrier holder for holding the carrier, and a holder-side shaft having an axis parallel to a direction perpendicular to a surface of the carrier and being axially mounted on the carrier holder. And a base-side shaft which is parallel to the holder-side shaft and is attached to the base at a predetermined distance from the base-side shaft, and the holder-side shaft is turned around the base-side shaft. It has a simple structure, but has a simple structure while holding the carrier holder with a crank member that makes a circular motion that does not rotate the carrier holder with respect to the base, and a drive device that rotates the crank member about an axis on the base side. It is possible to make the carried carrier make a circular motion that does not preferably rotate.

【0015】また、前記クランク部材が複数設けられ、
該複数のクランク部材は同期して円運動するよう、前記
基体側の軸同士がタイミングチェーン等の同期手段によ
って連繋されていることで、簡単な構成でキャリヤを好
適且つ安定的に運動させることができる。
Also, a plurality of the crank members are provided,
The shafts on the base side are linked by a synchronization means such as a timing chain so that the plurality of crank members circularly move in synchronization with each other, so that the carrier can be suitably and stably moved with a simple configuration. it can.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の両面
研磨装置にかかる基本構成の一実施例を模式的に示した
斜視分解図であり、図2は図1の実施例が作動している
際の各構成の位置関係を示す側断面図である。本実施例
は、板状のワークであるシリコンのウェーハ10を研磨
する両面研磨装置であり、薄平板に透孔12aが設けら
れて成るキャリヤ12と、そのキャリヤ12の透孔内に
配されたウェーハ10を、上下から挟むと共にウェーハ
10に対して相対的に移動して研磨する上定盤14及び
下定盤16とを備える。上定盤14及び下定盤16のそ
れぞれの表面には、クロスと呼ばれる研磨布が付けられ
ており、その研磨布によって研磨面14a、16aが形
成されている。また、本実施例の上定盤14及び下定盤
16は、キャリヤ12の面に直交する方向に平行な軸心
を中心に自転駆動される。ウェーハ10は、円形であり
円形の透孔12a内に遊嵌されており、透孔12aの中
ではフリーに自転可能なサイズになっている。キャリヤ
12は、例えば、ガラスエポキシ板で形成され、厚さ
0、8mmのウェーハ10に対して厚さ0、7mm程度
に設定されたものが一般的である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing an embodiment of a basic configuration of a double-side polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 shows a positional relationship of each configuration when the embodiment of FIG. 1 is operating. FIG. The present embodiment is a double-side polishing apparatus for polishing a silicon wafer 10 which is a plate-shaped work. The carrier 12 has a through-hole 12a formed in a thin flat plate, and is disposed in the through-hole of the carrier 12. An upper surface plate 14 and a lower surface plate 16 for sandwiching the wafer 10 from above and below and moving the wafer 10 relatively to the wafer 10 for polishing are provided. A polishing cloth called a cloth is attached to each surface of the upper stool 14 and the lower stool 16, and the polishing surfaces 14 a and 16 a are formed by the polishing cloth. Further, the upper stool 14 and the lower stool 16 of the present embodiment are driven to rotate about an axis parallel to a direction orthogonal to the surface of the carrier 12. The wafer 10 has a circular shape and is loosely fitted in the circular through hole 12a, and has a size capable of rotating freely in the through hole 12a. The carrier 12 is generally formed of, for example, a glass epoxy plate, and is generally set to have a thickness of about 0.7 mm for the wafer 10 having a thickness of 0.8 mm.

【0017】20はキャリヤ旋回運動機構であり、キャ
リヤ12を、そのキャリヤ12の面と平行な面内で運動
をさせ、透孔12a内で上定盤14と下定盤16との間
に保持されたウェーハ10を運動させる運動機構の一例
である。本実施例におけるキャリヤ旋回運動機構20
は、キャリヤ12を、そのキャリヤ12の面と平行な面
内で自転しない円運動をさせ、透孔12a内で保持され
て上定盤14と下定盤16とによって挟持されたウェー
ハ10を旋回移動させる。すなわち、キャリヤ12の厚
さを考えない場合に、キャリヤ12の面と同一の面内
で、そのキャリヤ12に自転しない円運動をさせること
になる。このキャリヤ旋回運動機構20の具体的な構成
について以下に説明する。
Reference numeral 20 denotes a carrier rotating mechanism for moving the carrier 12 in a plane parallel to the plane of the carrier 12 and held between the upper platen 14 and the lower platen 16 in the through hole 12a. 1 is an example of a movement mechanism for moving a wafer 10 that has been moved. Carrier turning mechanism 20 in the present embodiment
Causes the carrier 12 to make a circular motion that does not rotate in a plane parallel to the plane of the carrier 12, and to pivotally move the wafer 10 held in the through-hole 12 a and sandwiched by the upper platen 14 and the lower platen 16. Let it. That is, when the thickness of the carrier 12 is not considered, the carrier 12 is caused to make a circular motion that does not rotate in the same plane as the plane of the carrier 12. The specific configuration of the carrier turning mechanism 20 will be described below.

【0018】22はキャリヤホルダーであり、リング状
に形成されており、キャリヤ12を保持している。ここ
で、キャリヤ12とキャリヤホルダー22とを連繋する
連繋手段50について説明する。図3はキャリヤ12と
キャリヤホルダー22の一例の全体形態を説明する説明
図((a)は平面図、(b)は断面図)であり、図4は
図3の連繋手段の作用を説明する要部拡大断面図であ
る。連繋手段50は、キャリヤ12を、そのキャリヤ1
2が自転しないと共に、そのキャリヤ12の熱膨張によ
る伸びを吸収するように、キャリヤホルダー22へ連繋
させることで保持させている。本実施例の連繋手段50
では、図4に示すように、キャリヤホルダー22側に設
けられたピン23と、ピン23に遊嵌すべくキャリヤ1
2にそのキャリヤ12の熱膨張による伸び方向(本実施
例では円形のキャリヤ12の径方向)へクリアランスが
設けられて形成された穴12bとを備える。穴12bの
クリアランスは、少なくともキャリヤ12の熱膨張によ
る伸びを吸収する方向に好適に設ければよく、例えば、
長穴に形成されていればよい。
A carrier holder 22 is formed in a ring shape and holds the carrier 12. Here, the connecting means 50 for connecting the carrier 12 and the carrier holder 22 will be described. FIGS. 3A and 3B are explanatory views (FIG. 3A is a plan view and FIG. 4B is a cross-sectional view) illustrating the overall configuration of an example of the carrier 12 and the carrier holder 22, and FIG. It is a principal part expanded sectional view. The linking means 50 connects the carrier 12 with the carrier 1
2 is held by being connected to a carrier holder 22 so that the carrier 2 does not rotate and absorbs the elongation of the carrier 12 due to thermal expansion. Connecting means 50 of the present embodiment
Then, as shown in FIG. 4, a pin 23 provided on the carrier holder 22 side and the carrier 1 for loosely fitting the pin 23 are provided.
2 is provided with a hole 12b provided with a clearance in a direction in which the carrier 12 expands due to thermal expansion (in this embodiment, a radial direction of the circular carrier 12). The clearance of the hole 12b may be suitably provided at least in a direction in which the carrier 12 expands due to thermal expansion.
What is necessary is just to be formed in a long hole.

【0019】また、本実施例において、キャリヤ12
は、その外周縁についても熱膨張した際に好適にスライ
ドできるように、キャリヤホルダー22の内周面22a
との間にクリアランスが生じるように形成されている。
すなわち、内周面22aの内径よりもキャリヤ12の外
径が、所定の寸法小径に形成されている。そして、上述
したようにキャリヤ12の熱膨張を考慮してクリアラン
スを設けておいたキャリヤ12の穴12bを、キャリヤ
ホルダー22のピン23に嵌めることで直接的にセット
してある。このようにキャリヤ12の熱膨張による伸び
を吸収する連繋手段50を備えることで、簡単な構成で
キャリヤ12をキャリヤホルダー22に対して回り止め
をした状態に好適に連繋させることができる。これによ
り、キャリヤ12の伸びを好適に逃がして吸収すること
ができ、キャリヤ12の変形を防止できる。また、キャ
リヤ12は、キャリヤホルダー22に嵌めることで装着
する構成であるので、装着時における作業の簡素化がな
される。
In this embodiment, the carrier 12
The inner peripheral surface 22a of the carrier holder 22 is arranged so that the outer peripheral edge thereof can be suitably slid when thermally expanded.
Is formed so as to generate a clearance between the first and second members.
That is, the outer diameter of the carrier 12 is smaller than the inner diameter of the inner peripheral surface 22a by a predetermined dimension. The hole 12b of the carrier 12, which is provided with a clearance in consideration of the thermal expansion of the carrier 12 as described above, is directly set by being fitted to the pin 23 of the carrier holder 22. By providing the connecting means 50 for absorbing the expansion of the carrier 12 due to the thermal expansion, the carrier 12 can be suitably connected to the carrier holder 22 with a simple configuration in a state where the carrier 12 is prevented from rotating. Thereby, the elongation of the carrier 12 can be suitably released and absorbed, and the deformation of the carrier 12 can be prevented. Further, since the carrier 12 is configured to be mounted by being fitted to the carrier holder 22, the operation at the time of mounting is simplified.

【0020】次に、キャリヤホルダー22に備えられる
キャリヤ12の高さ調整機能について説明する。23a
はフランジ部であり、ピン23の中途部にワッシャー形
状に一体に設けられている。このフランジ部23aは、
キャリヤホルダー22側に設けられ、キャリヤ12を保
持すべく直接的に支持する支持部になっている。ピン2
3のフランジ部23aの下方には、ピン23をキャリヤ
ホルダー22の下段部22bに装着可能にネジ部23b
が設けられている。そのネジ部23bキャリヤホルダー
22の下段部22bに螺合する度合いを調整すること
で、フランジ部23aの高さ調整が可能に設けられてい
る。このようにフランジ部23aを設けたことで、キャ
リヤ12の高さ位置を好適に調整して、キャリヤホルダ
ー22でキャリヤ12を適切に保持することができる。
Next, the function of adjusting the height of the carrier 12 provided in the carrier holder 22 will be described. 23a
Is a flange portion, which is integrally provided in the middle of the pin 23 in a washer shape. This flange portion 23a
The supporting portion is provided on the carrier holder 22 side and directly supports the carrier 12 to hold it. Pin 2
A screw 23b is provided below the third flange 23a so that the pin 23 can be attached to the lower step 22b of the carrier holder 22.
Is provided. The height of the flange portion 23a can be adjusted by adjusting the degree of screwing of the screw portion 23b into the lower portion 22b of the carrier holder 22. By providing the flange portion 23a in this manner, the height position of the carrier 12 can be suitably adjusted, and the carrier 12 can be appropriately held by the carrier holder 22.

【0021】すなわち、フランジ部23aの高さを調整
すれば、下定盤16の研磨布16aが消耗して薄くなっ
た場合等、条件の変化に好適に対応でき、その下定盤1
6の研磨布16a面とほぼ同じ高さで、キャリヤ12が
撓みを生じないように好適に保持できる。従って、キャ
リヤ12を水平に好適に保持することができ、ウェーハ
10の研磨割れや、研磨精度劣化を防止することができ
る。また、フランジ部23aの表面によって、キャリヤ
12の外周面を部分的に受けることになり、キャリヤ1
2の伸縮による摺動を好適に支持することができる。す
なわち、キャリヤ12の外周面(下面)とキャリヤホル
ダー22側の上面との接地面積を小さくすることができ
るため、滑り摩擦抵抗を低減でき、キャリヤ12は好適
に摺動できる。これにより、キャリヤ12の熱等による
伸縮力が好適に開放され、キャリヤ12の歪みの発生を
防止できる。
That is, by adjusting the height of the flange portion 23a, it is possible to suitably cope with a change in conditions, such as when the polishing pad 16a of the lower platen 16 is worn out and becomes thin.
At about the same height as the surface of the polishing pad 16a of No. 6, the carrier 12 can be suitably held so as not to be bent. Accordingly, the carrier 12 can be suitably held horizontally, and cracking of the wafer 10 and deterioration of polishing accuracy can be prevented. Further, the outer peripheral surface of the carrier 12 is partially received by the surface of the flange portion 23a, and the carrier 1
2 can be suitably supported by sliding due to expansion and contraction. That is, since the contact area between the outer peripheral surface (lower surface) of the carrier 12 and the upper surface on the side of the carrier holder 22 can be reduced, the sliding friction resistance can be reduced, and the carrier 12 can slide favorably. Thereby, the expansion and contraction force of the carrier 12 due to heat or the like is suitably released, and the occurrence of distortion of the carrier 12 can be prevented.

【0022】以上の実施例では、ピン23のフランジ部
23aの高さを調整することで、キャリヤ12の支持高
さを調整したが、本発明はこれに限られないのは勿論で
あり、キャリヤ12を所定の高さに支持できる好適な手
段であれば、その構成は特に限定されるものではない。
例えば、キャリヤホルダー22自体を昇降させる機構を
設け、キャリヤ12を保持すべく支持する支持部が基本
的にキャリヤホルダー22の下段部22bの上面であっ
てもよい。なお、下段部22bの上面は、滑り性を向上
させるため、凹凸を設けてもよいのは勿論である。
In the above embodiment, the support height of the carrier 12 is adjusted by adjusting the height of the flange portion 23a of the pin 23. However, the present invention is not limited to this. The configuration is not particularly limited as long as it is a suitable means capable of supporting the 12 at a predetermined height.
For example, a mechanism for raising and lowering the carrier holder 22 itself may be provided, and the supporting portion for supporting the carrier 12 may be basically the upper surface of the lower portion 22b of the carrier holder 22. The upper surface of the lower portion 22b may be provided with irregularities in order to improve the slipperiness.

【0023】次に図5に基づいて本発明にかかる他の連
繋手段について説明する。図5(a)は平面図であり、
図5(b)は断面図である。本実施例は、図に明らかな
ように、前記実施例とは連繋手段50のみが異なり、そ
の連繋手段50は、キャリヤホルダー22側に設けられ
た内歯車状の被係合部52と、その被係合部52に遊び
をもたせて係合するようにキャリヤ12側に設けられた
外歯車状の係合部42とを具備する。すなわち、キャリ
ヤ12の外周に設けたギヤと、リング状のキャリヤホル
ダー22の内周に設けたギヤとを遊びをもたせて噛み合
わせた形態になっている。これによっても、簡単な構成
でキャリヤ12をキャリヤホルダー22に好適に連繋さ
せることができる。そして、前記実施例と同様の効果を
得ることができる。
Next, another linking means according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a plan view,
FIG. 5B is a sectional view. As is apparent from the drawing, this embodiment differs from the above embodiment only in the linking means 50. The linking means 50 includes an internal gear-shaped engaged portion 52 provided on the carrier holder 22 side, and An external gear-shaped engaging portion 42 is provided on the carrier 12 so as to engage with the engaged portion 52 with play. That is, the gear provided on the outer periphery of the carrier 12 and the gear provided on the inner periphery of the ring-shaped carrier holder 22 are engaged with play with play. This also makes it possible to suitably connect the carrier 12 to the carrier holder 22 with a simple configuration. And the same effect as the above embodiment can be obtained.

【0024】次に、図1及び図2に基づいて、キャリヤ
旋回運動機構20の各構成にかかる実施例について説明
する。24はクランク部材であり、上定盤14及び下定
盤16の軸線Lに軸心が平行であってキャリヤホルダー
22に軸着されるホルダー側の軸24a、及びそのホル
ダー側の軸24aに軸心が平行であると共に所定の距離
をおいて基体30(図2参照)に軸着される基体側の軸
24bを備える。すなわち、クランク機構のクランクア
ームと同様な機能を備えるように形成されている。この
クランク部材24は、本実施例では基体30とキャリヤ
ホルダー22との間の4ヶ所に配され、キャリヤホルダ
ー22を支持すると共に、基体側の軸24bを中心にホ
ルダー側の軸24aを旋回させることで、キャリヤホル
ダー22を基体30に対して自転しない円運動をさせ
る。ホルダー側の軸24aは、キャリヤホルダー22の
外周面に突起して設けられた軸受け部22cに回転可能
に挿入されて軸着されている。これにより、キャリヤ1
2は上定盤14及び下定盤16の軸線Lから偏心Mして
旋回(自転しない円運動)する。その旋回円運動の半径
は、ホルダー側の軸24aと基体側の軸24bとの間隔
(偏心Mの距離)と同じであり、キャリヤ12の全ての
点が同一の小円の軌跡を描く運動となる。
Next, an embodiment of each structure of the carrier turning mechanism 20 will be described with reference to FIGS. Reference numeral 24 denotes a crank member, which has an axis parallel to the axis L of the upper stool 14 and the lower stool 16, and a shaft 24 a on the holder side which is mounted on the carrier holder 22, and a shaft center on the shaft 24 a on the holder side. Are provided with a base-side shaft 24b which is parallel and is attached to the base 30 (see FIG. 2) at a predetermined distance. That is, it is formed to have the same function as the crank arm of the crank mechanism. In the present embodiment, the crank members 24 are arranged at four positions between the base 30 and the carrier holder 22, support the carrier holder 22, and rotate the holder-side shaft 24a about the base-side shaft 24b. This causes the carrier holder 22 to make a circular motion that does not rotate with respect to the base 30. The holder-side shaft 24a is rotatably inserted into a bearing portion 22c provided on the outer peripheral surface of the carrier holder 22 so as to protrude therefrom, and is mounted on the shaft. Thereby, the carrier 1
Numeral 2 is eccentric M from the axis L of the upper surface plate 14 and the lower surface plate 16 and turns (circular motion that does not rotate). The radius of the revolving circular motion is the same as the distance between the shaft 24a on the holder side and the shaft 24b on the base side (distance of the eccentricity M), and all points of the carrier 12 draw the same small circle locus. Become.

【0025】また、28はタイミングチェーンであり、
各クランク部材24の基体側の軸24bに同軸に固定さ
れたスプロケット25(本実施例では4個)に掛け回さ
れている。このタイミングチェーン28と4個のスプロ
ケット25は、4個のクランク部材24が同期して円運
動するよう、4個の基体側の軸24b同士を連繋して同
期させる同期手段を構成している。この同期手段は、簡
単な構成であり、キャリヤ12を好適且つ安定的に運動
させることができる。これによって研磨精度を向上で
き、ウェーハの平坦度を向上できる。なお、同期手段と
しては、本実施例に限られることはなく、タイミングベ
ルト、またはギア等を用いてもよいのは勿論である。3
2はモータ(例えば、ギャードモータ、又はサーボモー
タ)であり、34は出力軸に固定された出力ギヤであ
る。出力ギア34はクランク部材24の基体側の軸24
bに同軸に固定されたギア26に噛合している。これに
より、クランク部材24を基体側の軸24bを中心に回
転させる回転駆動装置が構成されている。
Reference numeral 28 denotes a timing chain,
Each crank member 24 is wound around a sprocket 25 (four in this embodiment) fixed coaxially to a shaft 24 b on the base side of each crank member 24. The timing chain 28 and the four sprockets 25 constitute a synchronizing means for connecting and synchronizing the four base shafts 24b so that the four crank members 24 make a circular motion in synchronization. This synchronizing means has a simple configuration, and allows the carrier 12 to move favorably and stably. As a result, the polishing accuracy can be improved, and the flatness of the wafer can be improved. Incidentally, the synchronizing means is not limited to the present embodiment, and it is a matter of course that a timing belt or a gear may be used. Three
Reference numeral 2 denotes a motor (for example, a gear motor or a servo motor), and reference numeral 34 denotes an output gear fixed to an output shaft. The output gear 34 is a shaft 24 on the base side of the crank member 24.
The gear 26 is engaged with a gear 26 fixed coaxially with the gear b. As a result, a rotary driving device that rotates the crank member 24 about the shaft 24b on the base side is configured.

【0026】なお、回転駆動装置としては、各クランク
部材24にそれぞれ対応して配された複数のモータ(例
えば、電動モータ)を利用することもできる。電動モー
タであれば、電気的に同期を取ることで、複数のクラン
ク部材24を同期運動させ、キャリヤ12をスムースに
運動させることができる。また、本実施例ではクランク
部材24を4個配設した場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、クランク部材24は最低3個あれ
ば、キャリヤホルダー22を好適に支持することができ
る。さらに、直交する2軸の直線運動の合成によって2
次元運動を得ることができるXYテーブルの移動体と、
前記キャリヤホルダー22とを一体化して運動できるよ
うにすれば、1個のクランク部材24の駆動によって、
キャリヤホルダー22を自転しない円運動させることが
できる。すなわち、XYテーブルの直交する2軸に延び
るガイドによって案内されることで、前記移動体は自転
しない運動をするのであって、この移動体の運動をキャ
リヤホルダー22の運動(自転しない円運動)に好適に
利用できる。また、クランク部材24を全く用いず、X
Yテーブル自体に駆動手段を設けるようにしてもよい。
すなわち、X軸及びY軸の部材をそれぞれ直接的に駆動
させるサーボモータとボールネジ、又はサーボモータと
タイミングチェーン等の組み合わせから成るX軸及びY
軸の駆動機構を使用することで、前記移動体と一体化し
たキャリヤホルダー22を運動(自転しない円運動)さ
せてもよい。この場合は、最低2個のモータを使用する
ことになるが、モータを制御することで旋回円運動の他
にも自転しない種々の2次元運動を得ることができ、そ
の運動をウェーハ10の研磨に利用できる。
It should be noted that a plurality of motors (for example, electric motors) arranged corresponding to the respective crank members 24 can be used as the rotary drive device. In the case of an electric motor, the plurality of crank members 24 can be synchronously moved by electrically synchronizing, and the carrier 12 can be smoothly moved. In this embodiment, the case where four crank members 24 are provided has been described. However, the present invention is not limited to this, and the carrier holder 22 can be suitably supported if at least three crank members 24 are provided. . Further, by combining linear motions of two orthogonal axes, 2
A moving body of an XY table capable of obtaining a dimensional motion;
If the carrier holder 22 and the carrier holder 22 can be moved integrally, by driving one crank member 24,
The carrier holder 22 can be moved in a circular motion without rotating. That is, the moving body makes a non-rotational movement by being guided by the guides extending in two orthogonal axes of the XY table, and the movement of the moving body is converted into a movement of the carrier holder 22 (a circular movement that does not rotate). It can be suitably used. Also, without using the crank member 24 at all, X
You may make it provide a drive means in the Y table itself.
That is, an X-axis and a Y-axis composed of a combination of a servomotor and a ball screw, or a servomotor and a timing chain, for directly driving the X-axis and Y-axis members, respectively
By using a shaft driving mechanism, the carrier holder 22 integrated with the moving body may be moved (circular movement that does not rotate). In this case, at least two motors are used. By controlling the motors, various two-dimensional motions that do not rotate can be obtained in addition to the turning circular motion. Available to

【0027】36は下定盤回転用モータであり、下定盤
16を自転させる動力装置である。例えば、ギャードモ
ータ又はサーボモータを用いることができ、その出力軸
は下定盤16の回転軸に直結させてもよい。38は上定
盤回転用動力手段であり、上定盤14を自転させる。下
定盤回転用モータ36と同様に電動モータ等回転動力と
なるものを適宜利用すればよい。下定盤回転用モータ3
6及び上定盤回転用動力手段38は、回転方向及び回転
速度を自由に変更できるものとすれば、種々の研磨仕様
に柔軟に対応できる。また、この両面研磨装置では、キ
ャリヤ12の透孔12a内に配されたウェーハ10を、
図2に示すように上定盤14と下定盤16でサンドイッ
チにして、そのウェーハの研磨加工がなされる。この
際、ウェーハ10が挟圧される力は、主に上定盤14側
に設けられた加圧手段による(図10参照)。例えば、
空気圧を利用し、最大加圧力が上定盤14の自重であ
り、空気圧を上昇させることで加圧力を低減させるよう
に作用させるエアバック方式で上定盤14のウェーハ1
0への押圧力を調整するようにしてもよい。このエアバ
ック方式では、空気圧を制御することで好適かつ容易に
加圧力を調整できる。なお、上定盤14側には加圧手段
の他に上定盤14を昇降動させる昇降装置40が設けら
れ、ウェーハ10の給排のときなどに作動する。
A lower platen rotating motor 36 is a power unit for rotating the lower platen 16 on its own axis. For example, a gear motor or a servo motor can be used, and the output shaft of the motor may be directly connected to the rotation shaft of the lower stool 16. Reference numeral 38 denotes a power means for rotating the upper stool, which rotates the upper stool 14 on its own axis. As with the lower platen rotating motor 36, an electric motor or the like that can be used for rotating power may be appropriately used. Lower surface plate rotation motor 3
6 and the upper platen rotating power means 38 can flexibly cope with various polishing specifications as long as the rotating direction and the rotating speed can be freely changed. Further, in this double-side polishing apparatus, the wafer 10 disposed in the through hole 12a of the carrier 12 is
As shown in FIG. 2, the upper platen 14 and the lower platen 16 are sandwiched, and the wafer is polished. At this time, the force for clamping the wafer 10 is mainly generated by the pressing means provided on the upper surface plate 14 side (see FIG. 10). For example,
Utilizing air pressure, the maximum pressure is the weight of the upper surface plate 14, and the wafer 1 of the upper surface plate 14 is operated in an air bag system in which the air pressure is increased to reduce the pressure.
The pressing force to zero may be adjusted. In this airbag system, the pressure can be suitably and easily adjusted by controlling the air pressure. In addition to the pressing means, an elevating device 40 for moving the upper stool 14 up and down is provided on the upper stool 14 side, and operates when the wafer 10 is supplied and ejected.

【0028】また、図1に示すように、62はローラで
あって、上定盤14に当接し、その上定盤14のキャリ
ヤ12の面に平行な方向への揺れを阻止する振動防止手
段の一例である。このローラ62は、適宜に上定盤14
の外周14cに当接するよう、基体30上の上定盤14
近傍に設けられたガイドローラ本体(図示せず)に回転
自在に装着されている。この複数のローラ62によっ
て、研磨工程がなされる際に上定盤14を挟むことで、
上定盤14のキャリヤ12の面に平行な方向への移動を
規制し、振動を防止できるのである。
As shown in FIG. 1, reference numeral 62 denotes a roller, which is an anti-vibration means for abutting against the upper platen 14 and for preventing the upper platen 14 from swinging in a direction parallel to the surface of the carrier 12. This is an example. The roller 62 may be attached to the upper surface plate 14 as appropriate.
The upper surface plate 14 on the base 30 is brought into contact with the outer periphery 14c of
It is rotatably mounted on a guide roller body (not shown) provided in the vicinity. By sandwiching the upper surface plate 14 when the polishing process is performed by the plurality of rollers 62,
The movement of the upper stool 14 in a direction parallel to the surface of the carrier 12 can be restricted to prevent vibration.

【0029】次に、液状の研磨剤の供給手段について、
図1及び図3に基づいて説明する。上定盤14には、そ
の上定盤14の研磨面14aとウェーハ10が接触して
該ウェーハ10を研磨する研磨部へ、スラリー(液状の
研磨剤)を供給する研磨剤供給用の孔14bが設けられ
ている。この研磨剤供給用の孔14bは、ウェーハ10
の研磨部へ液状の研磨剤を十分且つ均一に供給でき、そ
の研磨に悪影響を与えない大きさ等に適宜に設けられれ
ばよく、その形態或いはその数は特に限定されるもので
はない。なお、本実施例の研磨剤供給用の孔14bは、
上定盤14に等密度に分布するよう、合計で21個がマ
トリクス状に位置され、各々が小径に開けられて設けら
れている。なお、本実施例の研磨剤供給用の孔14b
は、上定盤14に上下方向に貫通して設けられている。
また、図3では示さないが、図10のように研磨剤供給
用の孔14bの上端にはチューブ等が連結されており、
ポンプ等によって汲み上げられた液状の研磨剤が、適宜
分配されて供給されるように設けられている。
Next, regarding the supply means of the liquid abrasive,
A description will be given based on FIG. 1 and FIG. The upper surface plate 14 has an abrasive supply hole 14b for supplying a slurry (liquid abrasive) to a polishing portion where the polishing surface 14a of the upper surface plate 14 contacts the wafer 10 to polish the wafer 10. Is provided. The holes 14b for supplying the abrasive are provided in the wafer 10
It is sufficient that a liquid abrasive can be sufficiently and uniformly supplied to the polishing section, and it is appropriately provided in such a size as not to adversely affect the polishing, and the form and the number thereof are not particularly limited. In addition, the hole 14b for supplying the abrasive in the present embodiment is
A total of 21 pieces are arranged in a matrix so as to be distributed at equal density on the upper surface plate 14, and each is provided with a small diameter. In addition, the hole 14b for supplying the abrasive in the present embodiment.
Are provided to penetrate the upper surface plate 14 in the up-down direction.
Although not shown in FIG. 3, a tube or the like is connected to the upper end of the abrasive supply hole 14b as shown in FIG.
The liquid abrasive pumped by a pump or the like is provided so as to be appropriately distributed and supplied.

【0030】そして、キャリヤ12には、研磨剤供給用
の孔14bより供給された液状の研磨剤を通過させて下
の定盤(下定盤16)の研磨面16aとウェーハ10が
接触して該ウェーハ10を研磨する研磨部へ、液状の研
磨液を供給する連通孔15が設けられている。この連通
孔15は、キャリヤ12の強度に影響を与えない位置
に、適当な形態に設けられればよく、そのサイズ、形状
或いはその数は限定されるものではない。なお、図3に
示した実施例では、キャリヤ12の中央と、キャリヤ1
2の円周方向に隣合う透孔12a同士間とに、合計で5
個の円形の連通孔15が開けられている。
Then, the liquid abrasive supplied from the abrasive supply hole 14b is passed through the carrier 12, and the polishing surface 16a of the lower platen (lower platen 16) is brought into contact with the wafer 10 so as to contact the carrier. A communication hole 15 for supplying a liquid polishing liquid is provided to a polishing section for polishing the wafer 10. This communication hole 15 may be provided in a suitable form at a position that does not affect the strength of the carrier 12, and the size, shape, or number thereof is not limited. In the embodiment shown in FIG. 3, the center of the carrier 12 and the carrier 1
2 between the adjacent through holes 12a in the circumferential direction,
A plurality of circular communication holes 15 are formed.

【0031】このキャリヤ12によれば、液状の研磨液
を、研磨されるウェーハ10の両面に好適に供給するこ
とができ、好適に研磨することができる。すなわち、液
状の研磨液が、キャリヤ12に開けた孔である連通孔1
5から流れ落ち、ウェーハ10の裏面(研磨面16aと
接触する面)にも好適に流れ込むことができる。このた
め、研磨条件を均一化でき、ウェーハ10の両面を精度
よく研磨できる。なお、研磨面16a上に供給された液
状の研磨液は、従来の両面研磨装置の場合と同様に、順
次その研磨面16aから外周方向へ溢れ出て排出され、
さらに回収されて適宜循環される。
According to the carrier 12, the liquid polishing liquid can be suitably supplied to both surfaces of the wafer 10 to be polished, and the polishing can be suitably performed. That is, the communication hole 1, which is a hole formed in the carrier 12,
5, and can flow into the back surface of the wafer 10 (the surface in contact with the polishing surface 16a). Therefore, the polishing conditions can be made uniform, and both sides of the wafer 10 can be polished with high precision. In addition, the liquid polishing liquid supplied onto the polishing surface 16a sequentially overflows from the polishing surface 16a in the outer peripheral direction and is discharged as in the case of the conventional double-side polishing apparatus.
It is further collected and circulated as appropriate.

【0032】次に、図6〜図9に基づいて、本発明の特
徴的な構成である研磨剤供給手段の実施例について説明
する。図6は下定盤に設けられた研磨剤供給手段を説明
する断面図である。図7は上定盤に設けられた研磨剤供
給手段を説明する断面図である。また、図8及び図9に
は、上定盤に設けられ、複数系統のスラリー(液状の研
磨剤)の供給経路を備える研磨剤供給手段を説明する説
明図である。なお、以上に説明した実施例と同一の構成
については、同一の符号を付して説明を省略する。
Next, an embodiment of the abrasive supply means, which is a characteristic configuration of the present invention, will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the abrasive supply means provided on the lower platen. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the abrasive supply means provided on the upper platen. FIGS. 8 and 9 are explanatory views illustrating abrasive supply means provided on the upper platen and provided with a supply path for a plurality of systems of slurry (liquid abrasive). Note that the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0033】図6には、前記研磨面12a、14aと前
記ウェーハ10が接触してそのウェーハ10を研磨する
研磨部へ液状の研磨剤(スラリー)を供給すべく、下定
盤16に設けた研磨剤供給用の孔16bから、圧送され
たスラリーを排出させる研磨剤供給手段を示してある。
85はスラリーを圧送する圧送供給装置であり、スラリ
ーを貯留するタンク、及びスラリーを圧送するポンプ等
から構成される。86は連通路であり、下定盤16を自
転させる中空自転軸36aの軸心に上下方向に配されて
研磨剤供給用の孔16bに連通する上下管86a、その
上下管86aと圧送供給装置85とを連通する水平管8
6b、及び管継手等によって構成されている。この連通
路86を介して、高圧に加圧されたスラリーが送られて
研磨剤供給用の孔16bから吐出される。この研磨剤供
給手段によれば、十分な流量のスラリーを強制的に好適
に前記研磨部へ供給(圧送)でき、特に研磨面12a、
14aを好適に冷却し、研磨面12a、14aの表面温
度を均一化できる。なお、下定盤16の中心部に設けら
れた研磨剤供給用の孔16bから吐出したスラリーは、
下定盤16の研磨面16aに受けられ、遠心力で中心部
から外周へ好適に流れる。このため、研磨剤供給用の孔
16bは一つではあるが、スラリーを研磨部全体へ十分
に多く好適に供給できる。
FIG. 6 shows a polishing table provided on the lower platen 16 for supplying a liquid abrasive (slurry) to a polishing section for polishing the wafer 10 by bringing the polishing surfaces 12a and 14a into contact with the wafer 10. A polishing agent supply means for discharging the slurry fed under pressure from the agent supply hole 16b is shown.
Reference numeral 85 denotes a pressure feeder for feeding the slurry under pressure, which is composed of a tank for storing the slurry, a pump for feeding the slurry, and the like. Reference numeral 86 denotes a communication path, which is an upper and lower pipe 86a vertically arranged on the axis of the hollow rotation shaft 36a for rotating the lower platen 16 and communicating with the abrasive supply hole 16b, and the upper and lower pipes 86a and the pressure feeder 85. Horizontal pipe 8 communicating with
6b, a pipe joint, and the like. The slurry pressurized to a high pressure is sent through the communication passage 86 and discharged from the abrasive supply hole 16b. According to this abrasive supply means, a sufficient flow rate of slurry can be forcibly and suitably supplied (pressurized) to the polishing section.
The surface temperature of the polishing surfaces 12a and 14a can be made uniform by suitably cooling the surface 14a. The slurry discharged from the abrasive supply hole 16b provided at the center of the lower platen 16 is:
It is received on the polishing surface 16a of the lower stool 16 and flows from the center to the outer periphery by centrifugal force. For this reason, although the number of holes 16b for supplying the abrasive is one, a sufficient amount of slurry can be suitably supplied to the entire polishing section.

【0034】図7には、前記研磨面12a、14aと前
記ウェーハ10が接触してそのウェーハ10を研磨する
研磨部へ液状の研磨剤(スラリー)を供給すべく、上定
盤14に設けた研磨剤供給用の孔14bから、圧送され
たスラリーを排出させる研磨剤供給手段を示してある。
85aはスラリーを圧送する圧送供給装置であり、スラ
リーを貯留するタンク、及びスラリーを圧送するポンプ
等から構成される。87は連通路であり、上定盤14を
自転させる中空自転軸38aの軸心に上下方向に配され
て圧送供給装置85aに連通する上下管87aと、その
上下管87aから分岐して研磨剤供給用の孔14bに連
通する分岐管87b、及び管継手等によって構成されて
いる。この連通路87を介して、高圧に加圧されたスラ
リーが送られて研磨剤供給用の孔14bから吐出され
る。この研磨剤供給手段によれば、十分な流量のスラリ
ーを強制的に好適に前記研磨部へ供給(圧送)でき、特
に研磨面12a、14aを好適に冷却し、研磨面12
a、14aの表面温度を均一化できる。なお、図6に示
した研磨剤供給手段と、図7に示した研磨剤供給手段と
を同時に利用してもよいのは勿論であり、研磨面12
a、14aの表面温度をさらに好適に均一化できる。
In FIG. 7, an upper platen 14 is provided to supply a liquid abrasive (slurry) to a polishing section for polishing the wafer 10 by bringing the polishing surfaces 12a and 14a into contact with the wafer 10. An abrasive supply means for discharging the slurry fed under pressure from the abrasive supply hole 14b is shown.
Reference numeral 85a denotes a pressure feeding supply device for feeding the slurry under pressure, which includes a tank for storing the slurry, a pump for feeding the slurry, and the like. Reference numeral 87 denotes a communication passage, which is vertically arranged on the axis of a hollow rotation shaft 38a for rotating the upper platen 14, and communicates with a pressure feeder 85a. It is composed of a branch pipe 87b communicating with the supply hole 14b, a pipe joint, and the like. The slurry pressurized to a high pressure is sent through the communication passage 87 and discharged from the abrasive supply hole 14b. According to this abrasive supply means, a sufficient flow rate of slurry can be forcibly and suitably supplied (pressurized) to the polishing unit, and in particular, the polishing surfaces 12a and 14a are suitably cooled and the polishing surface 12a is cooled.
a, the surface temperature of 14a can be made uniform. It is needless to say that the abrasive supply means shown in FIG. 6 and the abrasive supply means shown in FIG.
a, the surface temperature of 14a can be more preferably made uniform.

【0035】次に、図6及び図7の実施例のように、ス
ラリーを圧送することで、十分な流量のスラリーを研磨
部へ供給することができる場合の作用効果について、比
較実験に基づいて説明する。毎分0.5リットルのスラ
リーを研磨部に供給した場合と、毎分3.0リットルの
スラリーを研磨部に供給した場合について、それぞれ、
1回のウェーハの研磨工程を60分とし、5回分の研磨
工程(総計で300分)を連続的に行った。なお、スラ
リーの流量以外の条件は同一とする。下定盤16の表面
(研磨面)の半径方向に異なる位置に8か所の測定ポイ
ントを設定して、その各測定ポイントの表面温度につい
て、研磨工程開始時(0分)を含めて60分置きに測定
した。そして、その各回の測定時における表面温度の平
均値、及び各回の測定時毎における各測定ポイント間の
表面温度のバラツキについて比較した。また、各研磨工
程で加工された各ウェーハ毎に、そのウェーハの半径方
向に異なる位置に8か所の測定ポイントを設定して、そ
の各測定ポイントの厚さを測定してウェーハの厚さのバ
ラツキについて比較した。
Next, based on a comparative experiment, the operation and effect in the case where a sufficient flow rate of the slurry can be supplied to the polishing section by pumping the slurry as in the embodiment of FIGS. 6 and 7 will be described. explain. When the slurry of 0.5 liter per minute was supplied to the polishing unit, and when the slurry of 3.0 liter per minute was supplied to the polishing unit,
One polishing step of the wafer was 60 minutes, and five polishing steps (300 minutes in total) were continuously performed. The conditions other than the flow rate of the slurry are the same. Eight measurement points are set at different positions in the radial direction of the surface (polishing surface) of the lower stool 16, and the surface temperature of each measurement point is set to 60 minutes including the start of the polishing process (0 minute). Was measured. Then, the average value of the surface temperature at each measurement and the variation of the surface temperature between the measurement points at each measurement were compared. In addition, for each wafer processed in each polishing step, eight measurement points are set at different positions in the radial direction of the wafer, and the thickness of each measurement point is measured to determine the thickness of the wafer. The variation was compared.

【0036】以下に実験結果を説明する。先ず、下定盤
16の表面温度について説明する。毎分0.5リットル
を供給した場合は、平均温度が、研磨開始時(0分)で
は摂氏約22度であったものが、300分を経過した時
点では摂氏約34度にまで上昇し、摂氏で約12度のひ
らきが生じた。また、各回の測定時毎の各測定ポイント
間の温度のバラツキは、最高が摂氏で約5度、平均では
摂氏で約3度程度であった。これに対して、毎分3.0
リットルを供給した場合は、平均温度が、全測定時を通
して摂氏約28度でほとんど一定(1度以内の差)であ
り、各回の測定時毎の各測定ポイント間の温度のバラツ
キは、最高が摂氏で約1.5度、平均では1度以下であ
った。
The experimental results will be described below. First, the surface temperature of the lower platen 16 will be described. When 0.5 liter per minute was supplied, the average temperature was about 22 degrees Celsius at the start of polishing (0 minutes), but increased to about 34 degrees Celsius after 300 minutes, About 12 degrees of opening occurred in Celsius. The maximum temperature variation between the measurement points at each measurement was about 5 degrees Celsius and about 3 degrees Celsius on average. In contrast, 3.0 per minute
When liters are supplied, the average temperature is almost constant at about 28 degrees Celsius (difference within 1 degree) throughout the entire measurement, and the temperature variation between each measurement point at each measurement is the highest. It was about 1.5 degrees Celsius and less than 1 degree on average.

【0037】次に、研磨加工されたウェーハの厚さのバ
ラツキについて説明する。毎分0.5リットルを供給し
た場合は、最高で2.2μm、平均では1.3μmのバ
ラツキがあった。これに対して、毎分3.0リットルを
供給した場合は、最高で0.8μm、平均では0.6μ
mのバラツキであった。すなわち、毎分0.5リットル
の場合と比較して倍以上の研磨精度を得ることができ
た。このように、毎分3.0リットルを供給した場合
は、研磨面を均一温度に維持することができ、著しく精
度の高いウェーハの平坦化を行うことができた。すなわ
ち、スラリーの供給量を増やすことによって、各定盤1
4、16の研磨面14a、16aの表面温度(研磨布面
の温度)上昇を防止することができると共に、研磨面1
4a、16aの表面温度のバラツキを小さくすることが
できる。このように研磨面14a、16aの表面温度に
関する研磨条件を均一に保つことによって、ウェーハの
研磨精度を著しく向上できる。
Next, the variation in the thickness of the polished wafer will be described. When 0.5 liter per minute was supplied, there was a variation of 2.2 μm at the maximum and 1.3 μm on average. On the other hand, when 3.0 liters per minute is supplied, the maximum is 0.8 μm and the average is 0.6 μm.
m. In other words, the polishing accuracy was more than doubled as compared with the case of 0.5 liter per minute. As described above, when 3.0 liter per minute was supplied, the polished surface could be maintained at a uniform temperature, and the wafer could be flattened with extremely high precision. That is, by increasing the amount of slurry supplied,
The surface temperature of the polishing surfaces 14a and 16a (temperature of the polishing cloth surface) can be prevented from rising, and the polishing surface 1
Variations in the surface temperatures of 4a and 16a can be reduced. By maintaining uniform polishing conditions relating to the surface temperatures of the polishing surfaces 14a and 16a, the polishing accuracy of the wafer can be significantly improved.

【0038】次に、図8及び図9に基づいて、複数系統
のスラリーの供給経路を備える研磨剤供給手段について
説明する。どちらの実施例も、研磨剤供給用の孔14b
が、上定盤14の径方向について異なる複数の位置に設
けられ、その複数の研磨剤供給用の孔14bに対応し、
スラリーを供給する経路が複数系統に設けられている。
図8の実施例では、複数の圧送供給装置88a、88
b、88cから、回転軸に設けられたディストリビュー
タ89、及び回転軸内を通る管路等から構成される複数
の供給経路98a、98b、98cを介して、スラリー
を各研磨剤供給用の孔14bから吐出させる。なお、デ
ィストリビュータ89は、回転する部材内に流体をシー
ルして供給する公知の技術である。97はシーケンサー
であり、各研磨剤供給用の孔14bの近傍に配設された
温度センサー99a、99b、99cの信号を受けて、
複数の圧送供給装置88a、88b、88cに指令信号
を送る。これにより、各供給経路98a、98b、98
cを流れて各研磨剤供給用の孔14bから吐出されるス
ラリーの流量等についてフィードバック制御し、研磨面
14a、16aを冷却して、その表面温度を一定に維持
する。
Next, with reference to FIGS. 8 and 9, a description will be given of an abrasive supply means having a plurality of slurry supply paths. In both embodiments, the holes 14b for supplying the abrasive are used.
Are provided at a plurality of different positions in the radial direction of the upper platen 14, and correspond to the plurality of holes 14b for supplying the abrasive,
A plurality of paths for supplying the slurry are provided.
In the embodiment shown in FIG. 8, a plurality of pressure feeding devices 88a, 88
b, 88c, through a plurality of supply paths 98a, 98b, 98c composed of a distributor 89 provided on the rotating shaft and a pipe passing through the rotating shaft, etc. From the nozzle. The distributor 89 is a known technique for supplying a fluid in a rotating member while sealing the fluid. Reference numeral 97 denotes a sequencer, which receives signals from temperature sensors 99a, 99b, and 99c disposed near the respective abrasive supply holes 14b,
A command signal is sent to a plurality of pressure feed devices 88a, 88b, 88c. Thereby, each of the supply paths 98a, 98b, 98
Feedback control is performed on the flow rate and the like of the slurry discharged from each of the polishing agent supply holes 14b through c to cool the polishing surfaces 14a and 16a and maintain the surface temperature thereof constant.

【0039】すなわち、各圧送供給装置88a、88
b、88cには、個々に、スラリーの温度を調整するタ
ンクと、圧送するスラリーの流量を可変できるポンプ等
が備えられている。従って、各圧送供給装置88a、8
8b、88cを、シーケンサー97で制御することによ
って、研磨面14a、16aの研磨熱が多く発生する部
位近傍の研磨剤供給用の孔14bへは、スラリーの供給
量を高めるか、或いは低い温度のスラリーを供給でき
る。これによって、研磨面14a、16aの各部位の加
熱状況に対応して好適に冷却でき、その表面温度を全面
的に均一化でき、ウェーハの研磨精度を著しく向上でき
る。
That is, each of the pressure feeding / supplying devices 88a, 88
Each of b and 88c is provided with a tank for adjusting the temperature of the slurry, a pump capable of changing the flow rate of the slurry to be pumped, and the like. Therefore, each of the pressure feeding and supplying devices 88a, 8
8b and 88c are controlled by the sequencer 97 to increase the amount of slurry supplied to the polishing agent supply holes 14b in the vicinity of the polishing surfaces 14a and 16a where a large amount of polishing heat is generated. Can supply slurry. Thereby, cooling can be suitably performed in accordance with the heating condition of each portion of the polishing surfaces 14a and 16a, the surface temperature can be made uniform over the entire surface, and the polishing accuracy of the wafer can be significantly improved.

【0040】また、図9の本実施例では、圧送供給装置
88dから分岐させ、複数の自動流量制御弁83a、8
3b、83c、ディストリビュータ89、及び回転軸内
を通る管路等から構成される複数の供給経路98a、9
8b、98cを介して、スラリーを各研磨剤供給用の孔
14bから吐出させる。97はシーケンサーであり、各
研磨剤供給用の孔14bの近傍に配設された温度センサ
ー99a、99b、99cの信号を受けて、複数の自動
流量制御弁83a、83b、83cに指令信号を送る。
これにより、各供給経路98a、98b、98cを流れ
て各研磨剤供給用の孔14bから吐出されるスラリーの
流量を、複数の自動流量制御弁83a、83b、83c
によって制御し、研磨面14a、16aを冷却して、そ
の表面温度を一定に維持する。
In this embodiment shown in FIG. 9, a plurality of automatic flow control valves 83a, 83b are branched from the pressure feeder 88d.
3b, 83c, a distributor 89, and a plurality of supply paths 98a, 9 including pipes passing through the rotation shaft.
The slurry is discharged from each of the abrasive supply holes 14b through 8b and 98c. Reference numeral 97 denotes a sequencer, which sends a command signal to a plurality of automatic flow control valves 83a, 83b, 83c in response to a signal from a temperature sensor 99a, 99b, 99c disposed near each abrasive supply hole 14b. .
Thus, the flow rate of the slurry flowing through each supply path 98a, 98b, 98c and discharged from each abrasive supply hole 14b is controlled by a plurality of automatic flow control valves 83a, 83b, 83c.
To maintain the surface temperature of the polished surfaces 14a and 16a constant.

【0041】このように、各自動流量制御弁83a、8
3b、83cを、シーケンサー97で制御することによ
って、研磨面14a、16aの研磨熱が多く発生する部
位近傍の研磨剤供給用の孔14bへは、スラリーの供給
量を増やせば、研磨面14a、16aの各部位の加熱状
況に対応して好適に冷却でき、その表面温度を全面的に
均一化できる。従って、ウェーハの研磨精度を著しく向
上できる。なお、シーケンサー97と、温度センサー、
及び圧送供給装置又は自動流量制御弁との信号のやり取
りは、本実施例のように配線で行ってもよいし、無線に
よって行うことができるのは勿論である。また、スラリ
ーを圧送する圧力は、2〜3kg/cm2 程度でよい
が、さらに高圧にしても良い。また、以上の実施例で
は、上定盤14に複数系統のスラリーの供給経路を設け
た場合を説明したが、本発明はこれに限らず、下定盤1
6に設けることも可能である。
As described above, each of the automatic flow control valves 83a, 83
By controlling the 3b and 83c with the sequencer 97, if the supply amount of the slurry is increased to the polishing agent supply hole 14b near the portion of the polishing surface 14a or 16a where a large amount of polishing heat is generated, the polishing surface 14a, 16a can be suitably cooled in accordance with the heating condition of each part, and its surface temperature can be made uniform over the entire surface. Therefore, the polishing accuracy of the wafer can be significantly improved. The sequencer 97, a temperature sensor,
The exchange of signals with the pressure feeder and the automatic flow control valve may be performed by wiring as in this embodiment, or may be performed wirelessly. The pressure at which the slurry is pumped may be about 2 to 3 kg / cm 2 , but may be higher. Further, in the above-described embodiment, the case where a plurality of slurry supply paths are provided in the upper surface plate 14 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the lower surface plate 1
6 can also be provided.

【0042】次に、本発明にかかる両面研磨装置の使用
方法の一例について説明する。先ず、キャリヤ12を運
動させないで、上定盤14と下定盤16とを回転速度の
絶対値は同じであるが反対方向へ回転させた場合を説明
する。すなわち、図1に示すように、例えば、上定盤1
4は時計回転をさせ、下定盤16は反時計回転させる。
この場合は、全く反対方向に摩擦力が作用するから、そ
の運動力が相互に相殺されて、理論的にはウェーハ10
は止まった状態で両面の研磨がなされる。但し、この場
合には、上定盤14及び下定盤16では、その外周へ向
かう程その周速度が大きくなる。従って、ウェーハ10
の上定盤14及び下定盤16の軸線Lに対応する部分か
ら遠い部分ほど研磨が促進され、ウェーハ10が均一に
研磨されない。
Next, an example of a method of using the double-side polishing apparatus according to the present invention will be described. First, a case will be described in which the upper stool 14 and the lower stool 16 are rotated in the same direction but in opposite directions without moving the carrier 12. That is, as shown in FIG.
4 rotates clockwise, and the lower platen 16 rotates counterclockwise.
In this case, since the frictional forces act in completely opposite directions, the kinetic forces cancel each other out, and theoretically the wafer 10
The polishing is performed on both sides in the stopped state. However, in this case, the peripheral speed of the upper surface plate 14 and the lower surface plate 16 becomes larger toward the outer periphery. Therefore, the wafer 10
Polishing is promoted in a portion farther from the portion corresponding to the axis L of the upper platen 14 and the lower platen 16, so that the wafer 10 is not uniformly polished.

【0043】次に、キャリヤ12を前述した構成からな
る運動機構によって、自転しない円運動をさせることに
よる研磨作用について説明する。上定盤14及び下定盤
16の回転を考えず、キャリヤ12の自転しない円運動
のみを考えた場合、その自転しない円運動によれば、運
動をする部材(キャリヤ12)の全ての点で全く同じ運
動がなされることになる。これは、全ての点が同一の運
動となる意味で、一種の揺動運動であり、揺動運動の軌
跡が円になったと考えればよい。従って、自転しない円
運動をするキャリヤ12を介し、ウェーハ10を旋回移
動すれば、この運動による作用に限っていえば、ウェー
ハ10の両面は均一に研磨される。
Next, a description will be given of a polishing action by causing the carrier 12 to make a circular motion without rotating by the motion mechanism having the above-described structure. If only the non-rotating circular motion of the carrier 12 is considered without considering the rotation of the upper stool 14 and the lower stool 16, according to the non-rotating circular motion, at all points of the moving member (carrier 12), The same exercise will be done. This is a kind of oscillating motion in the sense that all points are the same motion, and it can be considered that the trajectory of the oscillating motion is a circle. Therefore, if the wafer 10 is swiveled through the carrier 12 which does not rotate and moves in a circular motion, both surfaces of the wafer 10 are uniformly polished if the action by this motion is limited.

【0044】そして、上定盤14と下定盤16の回転運
動と、キャリヤ12の自転しない円運動とを同時に作動
させた場合は、ウェーハ10が透孔12aの中で回転可
能に保持されているため、特に上定盤14と下定盤16
の回転速度の絶対値に差をつけた場合(一方の定盤に対
して他方の定盤の回転速度を速くした場合)、ウェーハ
10は、その回転速度の速い側の定盤の回転方向へ、連
れ回りする。すなわち、ウェーハ10は所定の方向へ自
転することになる。このようにウェーハ10が自転する
ことで、上定盤14及び下定盤16では、その外周へ向
かう程その周速度が大きくなっているが、その影響をな
くすことができ、ウェーハ10を均一に研磨できる。な
お、ウェーハ10の両面を均一に研磨するには、上定盤
14と下定盤16の回転速度を交互に一方が速くなるよ
うに制御すればよい。
When the rotational motion of the upper and lower stools 14 and 16 and the circular motion of the carrier 12 that do not rotate are simultaneously activated, the wafer 10 is rotatably held in the through hole 12a. Therefore, in particular, the upper surface plate 14 and the lower surface plate 16
When the absolute value of the rotation speed of the base plate is different (when the rotation speed of the other base plate is increased with respect to one base plate), the wafer 10 is moved in the rotation direction of the base plate having the higher rotation speed. Go around. That is, the wafer 10 rotates in a predetermined direction. In this way, the rotation of the wafer 10 causes the peripheral speed of the upper and lower stools 14 and 16 to increase toward the outer periphery thereof. However, the influence can be eliminated and the wafer 10 can be uniformly polished. it can. In order to uniformly polish both surfaces of the wafer 10, the upper platen 14 and the lower platen 16 may be alternately rotated so that one of them becomes faster.

【0045】次に、本発明にかかる両面研磨装置の使用
方法の他の例について説明する。以上の実施例では、複
数の透孔12aが設けられ、複数のワーク(ウェーハ1
0)を同時に研磨する場合について説明したが、本発明
ではこれに限らず、例えば、キャリヤ12には大型なワ
ークが保持される透孔12aを一個のみ設け、その大型
ワークの両面を研磨する研磨装置としても利用できる。
なお、大型なワークとしては、液晶に用いる矩形状のガ
ラス板、或いは枚葉で加工されるウェーハ(円形)等の
ワークがある。この場合、大型なワークは、キャリヤ1
2の中心からその周縁近傍付近にわたってほぼ全面的に
配されることになる。このとき、キャリヤ12による自
転しない円運動を主に利用して研磨し、上定盤14及び
下定盤16の回転速度は、研磨むらが発生しない程度に
遅くすれば、ワークの全体面について均一に且つ好適に
研磨できる。すなわち、上定盤14及び下定盤16で
は、周速度の違いで外周ほど研磨作用が大きくなるが、
その回転速度がキャリヤ12の自転しない円運動に比べ
て非常に遅ければ、研磨作用に直接的には殆ど関与させ
ないようにすることができる。そして、上定盤14及び
下定盤16を回転させることは、ワークに接触する定盤
面を常に更新させ、液状の研磨剤をワークの全面へ平均
的に供給するなど、研磨作用を良好にするため、間接的
に好適に寄与できる。
Next, another example of the method of using the double-side polishing apparatus according to the present invention will be described. In the above embodiment, a plurality of through holes 12a are provided, and a plurality of workpieces (wafer 1) are provided.
In the present invention, the polishing is performed simultaneously. However, the present invention is not limited to this. For example, the carrier 12 is provided with only one through hole 12a for holding a large work, and the polishing is performed on both sides of the large work. It can also be used as a device.
In addition, as a large-sized work, there is a work such as a rectangular glass plate used for liquid crystal, or a wafer (circular) processed by a single wafer. In this case, the large workpiece is the carrier 1
2 is arranged almost entirely from the center to the vicinity of the periphery. At this time, the polishing is performed mainly by using the circular motion of the carrier 12 that does not rotate, and the rotation speed of the upper stool 14 and the lower stool 16 is reduced to such a degree that uneven polishing does not occur. And it can grind suitably. That is, in the upper stool 14 and the lower stool 16, the polishing action becomes larger toward the outer periphery due to the difference in the peripheral speed.
If the rotation speed is much slower than the non-rotating circular motion of the carrier 12, it is possible to make the polishing operation hardly directly involved. The rotation of the upper platen 14 and the lower platen 16 constantly updates the surface of the platen in contact with the work and improves the polishing action, for example, by supplying a liquid abrasive to the entire surface of the work evenly. Indirectly, it can suitably contribute.

【0046】以上の実施例ではポリシング装置について
説明したが、本発明はラッピング装置にも好適に適用で
きるのは勿論である。以上、本発明につき好適な実施例
を挙げて種々説明してきたが、本発明はこの実施例に限
定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内
で多くの改変を施し得るのは勿論のことである。
Although the above embodiment has been described with reference to a polishing apparatus, the present invention can, of course, be suitably applied to a lapping apparatus. As described above, the present invention has been described variously with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and it is needless to say that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. That is.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の両面研磨装置によれば、研磨剤
供給手段によって、上定盤及び下定盤の研磨面とワーク
が接触して該ワークを研磨する研磨部へ液状の研磨剤を
供給すべく、上定盤及び/又は下定盤に設けた研磨剤供
給用の孔から、圧送された液状の研磨剤を排出させる。
これによれば、自転しない円運動をするキャリヤを備え
る両面研磨装置にあって、前記研磨部へ十分な流量の液
状の研磨剤を供給することが可能となり、前記研磨面の
表面温度を均一に維持することができるため、研磨精度
を向上させることができるという著効を奏する。
According to the double-side polishing apparatus of the present invention, the polishing agent supply means supplies the liquid polishing agent to the polishing section for polishing the work by bringing the polishing surfaces of the upper and lower platens into contact with each other. In order to discharge the abrasive in a liquid state, the abrasive is supplied from the abrasive supply holes provided in the upper and / or lower stool.
According to this, in a double-side polishing apparatus having a carrier that makes a circular motion that does not rotate, it is possible to supply a sufficient flow rate of a liquid abrasive to the polishing section, and to make the surface temperature of the polishing surface uniform. Since the polishing accuracy can be maintained, the polishing accuracy can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる両面研磨装置の一実施例の斜視
分解図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an embodiment of a double-side polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の実施例の側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view of the embodiment of FIG. 1;

【図3】図1の実施例のキャリヤとキャリヤホルダーの
全体を示す平面図と断面図である。
FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view showing the entire carrier and carrier holder of the embodiment of FIG. 1;

【図4】本発明にかかる連繋手段の要部を説明する断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a main part of a linking means according to the present invention.

【図5】本発明にかかる連繋手段の他の実施例を示す平
面図と断面図である。
FIG. 5 is a plan view and a sectional view showing another embodiment of the connecting means according to the present invention.

【図6】本発明にかかる研磨剤供給手段の一実施例を説
明する断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of an abrasive supply unit according to the present invention.

【図7】本発明にかかる研磨剤供給手段の他の実施例を
説明する断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the abrasive supply means according to the present invention.

【図8】複数経路を備える研磨剤供給手段の一実施例を
説明する説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating an embodiment of an abrasive supply unit having a plurality of paths.

【図9】複数経路を備える研磨剤供給手段の他の実施例
を説明する説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating another embodiment of the abrasive supply means having a plurality of paths.

【図10】背景技術の研磨剤供給手段を説明する断面図
である。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an abrasive supply means of the background art.

【図11】従来技術を説明する断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a conventional technique.

【図12】従来技術のキャリヤの配置を説明する平面図
である。
FIG. 12 is a plan view illustrating the arrangement of carriers according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ウェーハ 12 キャリヤ 12a 透孔 12b 穴 14 上定盤 14a 研磨面 14b 研磨剤供給用の孔 15 連通孔 16 下定盤 16a 研磨面 20 キャリヤ旋回運動機構 22 キャリヤホルダー 23 ピン 24 クランク部材 24a ホルダー側の軸 24b 基体側の軸 28 タイミングチェーン 30 基体 32 モータ 40 上定盤の昇降装置 85 圧送供給手段 85a 圧送供給手段 86 連通路 87 連通路 88a、88b、88c 圧送供給手段 88d 圧送供給手段 89 ディストリビュータ 97 シーケンサー 98a、98b、98c 供給経路 99a、99b、99c 温度センサー DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 12 Carrier 12a Through-hole 12b Hole 14 Upper surface plate 14a Polishing surface 14b Hole for supplying abrasive 15 Communication hole 16 Lower surface plate 16a Polishing surface 20 Carrier swivel mechanism 22 Carrier holder 23 Pin 24 Crank member 24a Holder side shaft 24b Substrate side shaft 28 Timing chain 30 Substrate 32 Motor 40 Upper platen lifting and lowering device 85 Pressure feed supply means 85a Pressure feed supply means 86 Communication path 87 Communication path 88a, 88b, 88c Pressure feed supply means 88d Pressure feed supply means 89 Distributor 97 Sequencer 98a , 98b, 98c Supply path 99a, 99b, 99c Temperature sensor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神田 智樹 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA16 AB04 AB06 AC04 CB01 DA06 DA18  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Tomoki Kanda 1650 Kiyono, Matsushiro-machi, Nagano-shi, Nagano F-term (reference) in Fujikoshi Machinery Co., Ltd. 3C058 AA07 AA16 AB04 AB06 AC04 CB01 DA06 DA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薄平板に透孔が設けられて成るキャリヤ
と、 該キャリヤの透孔内に配された板状のワークを、上下か
ら挟むと共に該ワークに対して相対的に移動して研磨す
る研磨面を有する上定盤及び下定盤と、 前記キャリヤを、該キャリヤの面と平行な面内で自転し
ない円運動をさせ、前記透孔内で上定盤と下定盤との間
に保持された前記ワ−クを旋回移動させるキャリヤ旋回
運動機構と、 前記研磨面とワークが接触して該ワークを研磨する研磨
部へ液状の研磨剤を供給すべく、上定盤及び/又は下定
盤に設けた研磨剤供給用の孔から、圧送された前記液状
の研磨剤を排出させる研磨剤供給手段とを備えることを
特徴とする両面研磨装置。
1. A carrier in which a thin plate is provided with a through hole, and a plate-like work disposed in the through hole of the carrier is sandwiched from above and below and is moved relatively to the work to polish the work. An upper surface plate and a lower surface plate having a polished surface to be rotated, and the carrier is caused to make a circular motion that does not rotate in a plane parallel to the surface of the carrier, and is held between the upper surface plate and the lower surface plate in the through hole. A carrier rotating mechanism for rotating the work, and an upper surface plate and / or a lower surface plate for supplying a liquid abrasive to a polishing section for polishing the work by contacting the polishing surface with the work. A polishing agent supply means for discharging the pressure-fed liquid abrasive from a polishing agent supply hole provided in the polishing apparatus.
【請求項2】 前記研磨剤供給手段にあって、前記研磨
剤供給用の孔が、上定盤及び/又は下定盤の径方向につ
いて異なる位置に複数設けられ、該複数の研磨剤供給用
の孔に対応して前記液状の研磨剤を供給する経路が複数
設けられたことを特徴とする請求項1記載の両面研磨装
置。
2. The abrasive supply means, wherein a plurality of holes for supplying the abrasive are provided at different positions in a radial direction of an upper surface plate and / or a lower surface plate, and the plurality of holes for supplying the abrasive are provided. 2. The double-side polishing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of paths for supplying the liquid abrasive are provided corresponding to the holes.
【請求項3】 前記上定盤及び下定盤は、前記キャリヤ
の面に直交する方向に平行な軸心を中心に自転駆動され
ることを特徴とする請求項1又は2記載の両面研磨装
置。
3. The double-side polishing apparatus according to claim 1, wherein the upper surface plate and the lower surface plate are driven to rotate around an axis parallel to a direction perpendicular to the surface of the carrier.
【請求項4】 前記キャリヤ旋回運動機構は、 前記キャリヤを保持するキャリヤホルダーと、 前記キャリヤの面に直交する方向に軸心が平行であって
前記キャリヤホルダーに軸着されるホルダー側の軸、及
び該ホルダー側の軸に軸心が平行であると共に所定の距
離をおいて基体に軸着される基体側の軸を備え、前記基
体側の軸を中心にホルダー側の軸を旋回させることでキ
ャリヤホルダーを基体に対して自転しない円運動をさせ
るクランク部材と、 該クランク部材を基体側の軸を中心に回転させる駆動装
置とを具備することを特徴とする請求項1、2又は3記
載の両面研磨装置。
4. The carrier swiveling mechanism comprises: a carrier holder for holding the carrier; a holder-side shaft having an axis parallel to a direction perpendicular to a surface of the carrier and being axially mounted on the carrier holder; And a base-side shaft which is parallel to the holder-side shaft and is attached to the base at a predetermined distance from the base-side shaft, and the holder-side shaft is turned around the base-side shaft. 4. A crank member for rotating the carrier holder in a circular motion without rotating with respect to the base, and a driving device for rotating the crank member about a shaft on the base side. Double-side polishing machine.
【請求項5】 前記クランク部材が複数設けられ、該複
数のクランク部材は同期して円運動するよう、前記基体
側の軸同士がタイミングチェーン等の同期手段によって
連繋されていることを特徴とする請求項4記載の両面研
磨装置。
5. The apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the crank members are provided, and the shafts on the base side are connected to each other by a synchronization means such as a timing chain so that the plurality of crank members make a circular motion in synchronization. The double-side polishing apparatus according to claim 4.
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