JP3229414U - Led発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光強度が高く、均一性にすぐれ、熱放射による静電防止デバイスの劣化を防止できるLED発光装置を提供する。【解決手段】くぼみを具えた基板と、くぼみ内に取り付けられたLEDチップ40および静電防止デバイス50と、を含むLED発光装置であって、基板の上表面には、導電層20が形成されると共に、導電層が隙間30によって少なくとも2つの電気的に隔離された区域に区分され、隙間は、少なくとも1つの曲がり角を有し、曲がり角により互いに連続するが同一直線上にはない第1のセクションD1および第2のセクションD2に区分され、LEDチップは、隙間の第1のセクションに取り付けられ、静電防止デバイスは、隙間の第2のセクションに取り付けられる。【選択図】図2
Description
本考案は、半導体の技術分野に関し、特にLED発光装置に関する。
発光ダイオード(略称:LED)は、固体半導体発光デバイスの一種である。LED技術の発展に伴い、LEDモジュールのバンドが近紫外、更には深紫外に向かって徐々に発展している。
近年、深紫外(略称:DUV)LEDは、空気浄化や殺菌消毒といった分野において広く適用されている。p−GaNの吸収により、DUV LEDは、一般的にフリップ方式で裏面から発光し、一般的なブルーライトのフリップチップに比べると、DUVのフリップチップにおけるサファイヤ層のほうが厚く、そのためDUV LEDの側面側の発光の強度が増大し、且つ、チップサイズの影響を受けることによって、チップサイズが小さければ小さいほど、側面側の発光が正面側の発光よりも発光量が大きくなるので、全体的な光の強度分布が不均一になる。また、DUV LEDは、外部量子効率が低く、発光強度が弱く、大部分の電気エネルギーが熱エネルギーになってしまう。DUV LEDは、耐静電性が現段階でブルーライトのフリップチップよりも悪いので、常にESD防止電子デバイスを組み合わせる必要があり、しかし、一般的なESD防止電子デバイスは、受熱及び紫外放射で無効になる可能性がある。現在、現存のDUVパッケージにおいては、ESD防止電子デバイスとDUV光源との相互影響をあまり考えていない。或いは、ESD防止電子デバイスがフリップDUV LEDチップの側面側の発光を吸収することを考えて、ESD防止電子デバイスを直接に基板に嵌め込む設計を採用している。このような設計は、ESD防止電子デバイスの放熱に対して不利となって、熱放射の影響を受けてESD防止能力が無効になりやすい。
よって、どのようにして発光の強度を上げたり、発光の均一性を改善したり、パッケージ部品のDUV光源に対する余分な吸収を避けてパッケージ部品が無効になる可能性を低くしたりするかが、後端パッケージにおいて大きな挑戦の1つとなる。
従来技術の不足を克服するために、本考案は、LED発光装置を提供する。
上記目的を達成すべく、本考案は、くぼみを具えた基板と、前記くぼみ内に取り付けられたLEDチップおよび静電防止デバイスと、を含むLED発光装置であって、前記基板の上表面には、導電層があると共に、該導電層が隙間によって少なくとも2つの電気的に隔離された区域に区分され、前記隙間は、少なくとも1つの曲がり角があり、該曲がり角により互いに連続するが同一直線上にはない第1のセクションおよび第2のセクションに区分され、前記LEDチップは、前記隙間の前記第1のセクションに取り付けられ、前記静電防止デバイスは、前記隙間の前記第2のセクションに取り付けられる、ことを特徴とする、LED発光装置を提供する。
前記隙間は、S字形状に形成され、中間部分が前記LEDチップを配置するための前記第1のセクションであり、該S字形状の上または下の部分が前記静電防止デバイスを配置するための前記第2のセクションであることが好ましい。
前記隙間は、L字形状に形成され、前記第1のセクションは前記LEDチップを配置し、前記第2のセクションは前記静電防止デバイスを配置することが好ましい。
前記基板の前記くぼみは、矩形または略矩形に形成され、前記隙間の前記第1のセクションは、前記くぼみの対角線にあることが好ましい。
前記隙間の前記第1のセクションおよび前記第2のセクションが形成する夾角αは、60〜120°の範囲内にあることが好ましい。
前記LEDチップおよび前記静電防止デバイスは、いずれも矩形に形成され、前記隙間の前記第1のセクションおよび前記第2のセクションが形成する夾角をαと定義し、前記静電防止デバイスの長さおよび幅をそれぞれa1およびa2と定義し、前記LEDチップの長さおよび幅をそれぞれb1およびb2と定義すると、
前記隙間の前記第1のセクションの長さは、d1≧b2+(b1+a1×cosα−b1×sin2α)/(2×sinα×cosα)となり、
前記隙間の前記第2のセクションの長さは、d2≧(b1+a1×cosα)/(2×sinα)+a2+a1/[2×tan(α−45°)]となることが好ましい
前記LEDチップおよび前記静電防止デバイスは、いずれも矩形に形成され、前記静電防止デバイスは、第1の頂点から前記LEDチップにおける最近傍の1つの頂点までの距離が他の任意の頂点から前記LEDチップまでの距離よりも小さいことが好ましい。
前記LEDチップにおける1つの頂角と、前記静電防止デバイスにおける1つの頂角とが対向していることが好ましい。
前記静電防止デバイスの頂角と前記LEDチップの頂角との間の間隔dは、≧0.2mmとなることが好ましい。
前記LEDチップの平面内にある幾何学中心を円中心とし、前記静電防止デバイスの第1の頂点と隣り合う第2の頂点および第3の頂点が形成する開き角度βは、≦36°となることが好ましい。
前記静電防止デバイスの表面には、例えば金属Alメッキである反射層があることが好ましい。
前記静電防止デバイスは、フリップ構造であり、4つの側面および表面に例えばBaSO4、MgOなどで覆うことによる反射層があることが好ましい。
前記LEDチップは、矩形に形成され、前記基板の前記くぼみの中心位置にあり、30〜60°に回転されてから取り付けられていることが好ましい。
前記LEDチップは、フリップチップであり、且つ発光波長が200〜380nmの範囲内にあることが好ましい。
従来技術と比べて、本考案により提供されるLED発光装置は、少なくとも以下の効果が得られる。
(1)静電防止デバイスによるLEDチップの側面側発光の吸収を減少して、全体的な発光量を高める。
(2)静電防止デバイスが受熱および光放射で無効になる可能性を低下する。
(3)平面ガラスによるパッケージを使用するLEDの発光の均一性を改善する。
本考案の他の特徴及び利点は以下の明細書の中に説明される。また、部分的に明細書の中から明らかとなり、もしくは本考案を実施することにより理解できる。本考案の目的及び他の利点は、明細書、実用新案登録請求の範囲及び添付の図面に特別に示した構造により実現及び獲得することができる。
添付の図面は本考案に対する更なる理解を提供し、そして明細書の一部を構成し、本考案の実施形態と共に本考案の解釈に用いられるが、本考案に対して制限するものではない。この他、添付図面のデータは概要を説明するものであり、実物のスケールに対応するものではない。
以下は説明図を参照しながら本考案のLED発光装置について詳しく説明する。本考案を更に説明する前に、特定の実施例に対しては変更が可能なため、本考案は以下の特定の実施例により限定されるものではないことを理解されたい。更に、本考案の範囲は特許請求の範囲のみにより限定されるものであり、採用された実施例は説明のために用いられるもので制限するものではないことも理解されたい。
本考案に使用される用語は、実施形態を具体的に説明することのみを目的とするものであり、本考案を限定するものではないことを理解されたい。本考案に使用される「一」、「一種」、および「前記」は、文脈において明確に示されない限り、複数形を含むことも意図する。更に、本考案において「含む」、「包括する」、「含有する」という用語が使用されることは、述べられた特徴、全体、ステップ、操作、要素、および/またはパッケージの存在を示すために使用されることを理解すべきであり、1つまたは複数の特徴、全体、ステップ、操作、要素、パッケージ、および/またはそれらの組み合わせの存在または追加が排除されない。
特に定義がない限り、本考案に使用されるすべての用語(技術用語および科学用語を含む)は、本考案が所属する技術分野の当業者により一般的に理解されるものと同じ意味を有するものである。更に、本考案に使用される用語は、本明細書および関連分野の文脈においてこれらの用語の意味と一致する意味を持つものと理解されるべきであり、且つ、本考案においてこのように明確に定義されない限り、理想化または正式過ぎる意味で理解されるべきではない。
実施例1
図1および図2に示されるように、本実施例が提供するLED発光装置は、主に基板10と、LEDチップ40と、静電防止デバイス50と、上部ガラスカバープレート70と、の4つの部分を含んでいる。
図1および図2に示されるように、本実施例が提供するLED発光装置は、主に基板10と、LEDチップ40と、静電防止デバイス50と、上部ガラスカバープレート70と、の4つの部分を含んでいる。
具体的に、基板10は、基板基層11と、碗状構造12と、から構成されて上表面にくぼみ13が形成されている。基板基層11は、セラミックス材料のような絶縁材料を含むものを採用し、セラミックス材料は、同時焼成の低温共焼成セラミック(略称:LTCC)および高温共焼成セラミック(略称:HTCC)を含んでおり、本実施形態において3D成形のDPCセラミック基板を採用して成形することが好ましく、パッケージのより良い三次元の気密性が得られるようにすると同時に、コストを低く抑える。碗状構造12の材料は、金属を採用することが好ましく、該碗状の壁の幅が0.3mmよりも大きいことが好ましい。
基板のくぼみ13の底部の上表面には、導電層20が形成されている。漏電を防止するために、碗状構造12と導電層20との間にチャネル80を形成することができ、その幅は0.12mm以上にすることが好ましい。該導電層20は隙間30により少なくとも2つの電気的に隔離された区域21、22に区分されている。該隙間30は、少なくとも1つの曲がり角31があり、それにより隙間30は互いに連続するが同一直線上にはない第1のセクションD1および第2のセクションD2に区分され、第1のセクションD1はLEDチップが取り付けられ、第2のセクションD2は静電防止デバイスが取り付けられる。なお、第1のセクションD1および第2のセクションD2が形成する夾角αは、60〜120°の範囲内にあることが好ましいが、それに限定されない。基板のくぼみが矩形または略矩形である設計においては、LEDチップ40が一定角度に回転されて取り付けられて、基板のくぼみ13の空間利用率を高められ、回転される角度としては30〜60°にすることが好ましい。対応する隙間の第1のセクションD1はくぼみ13の辺に対して一定角度に傾斜するが(非平行)、該傾斜角がLEDチップの回転角度であり、一具体的な応用において、LEDチップを直接に矩形のくぼみの対角線上に取り付けることができ、すなわち、隙間の第1のセクションがくぼみの対角線上にある。隙間30の第1のセクションおよび第2のセクションの長さは、主に夾角α、LEDチップ40と静電防止デバイス50とのサイズ次第である。以下、一般的な正方形のくぼみ13を例として、隙間30の第1のセクションおよび第2のセクションの好ましい長さの設計を簡単に説明する。静電防止デバイス50の長さおよび幅を、それぞれa1およびa2と定義し、LEDチップ40の長さおよび幅を、それぞれb1およびb2と定義すると、LEDチップの一種の好ましい取付方式は、該LEDチップを45°回転させてくぼみの真ん中に取り付け、また、隙間30の第1のセクションD1の長さd1および第2のセクションD2の長さd2は以下の公式によって設計を実行することができ、それらは、d1≧b2+(b1+a1×cosα−b1×sin2α)/(2×sinα×cosα)、d2≧(b1+a1×cosα)/(2×sinα)+a2+a1/[2×tan(α−45°)]である。LEDチップおよび静電防止デバイスがいずれも正方形であることを例として、aを静電防止デバイスの辺長と定義し、bをLEDチップの辺長と定義すると、D1の長さは、d1≧b+(b+a×cosα−b×sin2α)/(2×sinα×cosα)であり、そしてD2の長さは、d2≧(b+a×cosα)/(2×sinα)+a+a/[2×tan(α−45°)]である。夾角αを90°にした場合、d1≧b+1/2a、d2≧3/2a+1/2bである。
本実施形態において、図2に示されるように、該隙間30は、S字形状に形成され、中間部分が主にLEDチップを配置するための第1のセクションD1であり、該S字形状の上または下の部分が主に静電防止デバイスを配置するための第2のセクションD2である。その内、全体的な発光装置の発光の幾何学中心は、該S字形状の隙間の中心と重なり、前記S字形状の曲がり角の角度は、直角であることが好ましく、すなわち、夾角αを90°にする。
LEDチップ40は、発光波長が200〜380nmの範囲内にあることが好ましく、具体的には長波(略称UV−A、波長315〜380nm)、中波(UV−B、280〜315nm)、短波(UV−C、200〜285nm)であることができ、発光波長が、例えば、表面殺菌や表面固化などの実際の用途の需要に従って選択することができる。図3には、LEDチップ40および静電防止デバイス50の取付方式が開示されている。静電防止デバイス50は、第1の頂点A1からLEDチップ40における最近傍の1つの頂点B1までの距離が他の任意の頂点(A2〜A4)からLEDチップ40までの距離よりも小さい。具体的には、LEDチップにおける1つの頂角は、静電防止デバイスにおける1つの頂角50と対向し、LEDチップの平面内にある幾何学中心を円中心とし、静電防止デバイスの第1の頂点A1と隣り合う第2の頂点A2および第3の頂点A3が形成する開き角度βは36°以下となり、そして、対向する2つの頂角の間の間隔dは0.2mm以上となることが好ましい。本実施形態において、LEDチップ40は、フリップ構造を採用して、基板10に対する正向位置に対して45°回転した対角線の中心位置上にある。
図4には、LEDチップ40および静電防止デバイスの一般的な配置方式の相互作用の原理図と、実施例1におけるLEDチップおよび静電防止デバイスの配置方式の相互作用の原理図と、が示されている。図中、図(b)に示される方式(即ち、LEDチップ40における1つの頂角と、静電防止デバイスにおける1つの頂角50とが対向する方式)で配置すると、チップおよびESD電子デバイスを平行に配置した場合に静電防止デバイスがフリップLEDチップに対して側面側の発光を吸収することを改善すると同時に、静電防止デバイスがLEDチップの側面側の熱放射および光照射を受けて、無効になる可能性を低くし、発光装置の全体的な発光効率を効果的に高める。
上部ガラスカバープレート70は、LEDチップ40および静電防止デバイス50を基板10のくぼみ30内に密封するためのものであり、LEDが発する光に対して高透過率である材料を選択して作成されている。一種の変形として、他の方式を採用してLEDチップ40および静電防止デバイス50に対して密封を実行することもでき、例えば、ガラスカバープレートの代わりに封入剤を採用することもできる。更に、ガラスカバープレートの上方にレンズ構造をさらに設置することもできる。
実施例2
図5に示されるように、実施例1と相違するのは、本実施例のLEDチップ40がフェイスアップの向きで該くぼみ内に取り付けられ、隙間30は、L字形状に形成され、その中に第1のセクションD1および第2のセクションD2の間の曲がり角は、90°であることが好ましく、そして、静電防止デバイスの長さおよび幅をそれぞれa1およびa2と定義し、LEDチップの長さおよび幅をそれぞれb1およびb2と定義すると、隙間のD1の長さは、d1≧1/2a1+b2であり、そしてD2の長さは、d2≧a2+1/2b1である。
図5に示されるように、実施例1と相違するのは、本実施例のLEDチップ40がフェイスアップの向きで該くぼみ内に取り付けられ、隙間30は、L字形状に形成され、その中に第1のセクションD1および第2のセクションD2の間の曲がり角は、90°であることが好ましく、そして、静電防止デバイスの長さおよび幅をそれぞれa1およびa2と定義し、LEDチップの長さおよび幅をそれぞれb1およびb2と定義すると、隙間のD1の長さは、d1≧1/2a1+b2であり、そしてD2の長さは、d2≧a2+1/2b1である。
実施例3
図6に示されるように、本実施例においても、LEDチップが同じく一定角度に回転してから基板の真ん中に取り付けられるが、実施例1と相違するのは、本実施例の隙間がL字形状に形成されたので、LEDチップの取り付けに対して有利である。
図6に示されるように、本実施例においても、LEDチップが同じく一定角度に回転してから基板の真ん中に取り付けられるが、実施例1と相違するのは、本実施例の隙間がL字形状に形成されたので、LEDチップの取り付けに対して有利である。
以上、上記具体的な実施方式は本項案の部分的な好ましい実施例を示すのみであり、上記実施例は各種組み合わせや変更も可能である。本考案の範囲は上記実施例に限定されるものではなく、本考案に基づくあらゆる変更も、本実用新案登録請求の範囲に包含されるものとする。
10 基板
11 基板基層
12 碗状構造
13 くぼみ
20 基板の上表面の導電層
30 隙間(gap)
40 LEDチップ
50 静電防止デバイス
60 ガラスカバープレート
70 基板の下表面の導電層
11 基板基層
12 碗状構造
13 くぼみ
20 基板の上表面の導電層
30 隙間(gap)
40 LEDチップ
50 静電防止デバイス
60 ガラスカバープレート
70 基板の下表面の導電層
Claims (13)
- くぼみを具えた基板と、前記くぼみ内に取り付けられたLEDチップおよび静電防止デバイスと、を含むLED発光装置であって、
前記基板の上表面には、導電層があると共に、該導電層が隙間によって少なくとも2つの電気的に隔離された区域に区分され、
前記隙間は、少なくとも1つの曲がり角があり、該曲がり角により互いに連続するが同一直線上にはない第1のセクションおよび第2のセクションに区分され、
前記LEDチップは、前記隙間の前記第1のセクションに取り付けられ、
前記静電防止デバイスは、前記隙間の前記第2のセクションに取り付けられる、ことを特徴とする、LED発光装置。 - 前記隙間は、S字形状に形成され、中間部分が前記LEDチップを配置するための前記第1のセクションであり、該S字形状の上または下の部分が前記静電防止デバイスを配置するための前記第2のセクションである、請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記隙間は、L字形状に形成され、前記第1のセクションは前記LEDチップを配置し、前記第2のセクションは前記静電防止デバイスを配置する、請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記基板の前記くぼみは、矩形または略矩形に形成され、
前記隙間の前記第1のセクションは、前記くぼみの対角線にある、請求項1に記載のLED発光装置。 - 前記隙間の前記第1のセクションおよび前記第2のセクションが形成する夾角αは、60〜120°の範囲内にある、請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記LEDチップおよび前記静電防止デバイスは、いずれも矩形に形成され、
前記隙間の前記第1のセクションおよび前記第2のセクションが形成する夾角をαと定義し、前記静電防止デバイスの長さおよび幅をそれぞれa1およびa2と定義し、前記LEDチップの長さおよび幅をそれぞれb1およびb2と定義すると、
前記隙間の前記第1のセクションの長さは、d1≧b2+(b1+a1×cosα−b1×sin2α)/(2×sinα×cosα)となり、
前記隙間の前記第2のセクションの長さは、d2≧(b1+a1×cosα)/(2×sinα)+a2+a1/[2×tan(α−45°)]となる、請求項1に記載のLED発光装置。 - 前記LEDチップおよび前記静電防止デバイスは、いずれも、矩形に形成され、
前記静電防止デバイスは、第1の頂点から前記LEDチップにおける最近傍の1つの頂点までの距離が他の任意の頂点から前記LEDチップまでの距離よりも小さい、請求項1に記載のLED発光装置。 - 前記LEDチップにおける1つの頂角と、前記静電防止デバイスにおける1つの頂角とが対向している、請求項7に記載のLED発光装置。
- 前記静電防止デバイスの頂角と前記LEDチップの頂角との間の間隔dは、≧0.2mmとなる、請求項8に記載のLED発光装置。
- 前記LEDチップの平面内にある幾何学中心を円中心とし、
前記静電防止デバイスの第1の頂点と隣り合う第2の頂点および第3の頂点が形成する開き角度βは、≦36°となる、請求項7に記載のLED発光装置。 - 前記LEDチップは、矩形に形成され、前記基板の前記くぼみの中心位置にあり、30〜60°に回転されてから取り付けられている、請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記LEDチップは、フリップチップであり、且つ発光波長が200〜380nmの範囲内にある、請求項1に記載のLED発光装置。
- 前記静電防止デバイスは、フリップ構造であり、側面および上表面に反射層が設けられる、請求項1に記載のLED発光装置。
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