JP3223022B2 - Plate making method of master for forming fine patterns - Google Patents

Plate making method of master for forming fine patterns

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は微細パターン形成用原版
の製版方法に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工
程における微細パターンの形成を高い精度で効率よく行
うことができる微細パターン形成用原版の製版方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for making an original plate for forming a fine pattern, and more particularly to a method for forming an original plate for forming a fine pattern in which a fine pattern can be efficiently formed with high precision in a fine processing step such as a semiconductor process. Related to plate making method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子、プリント
基板等の製造工程においては、被加工物に微細パターン
を形成し、その後、被加工物をエッチング処理して加工
することが行われていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a process of manufacturing a thin film transistor, a thin film diode, a solar cell, a thin film sensor, various semiconductor elements, a printed circuit board, and the like, a fine pattern is formed on a work, and then the work is etched. Processing was done.

【0003】被加工物への微細パターンの形成方法の一
つとして、凹部を備えた原版を用いる方法がある。この
方法に用いられる原版は、ステンレス基板上に形成した
レジスト膜を所定の微細パターンを有するフォトマスク
を介して露光・現像することによりマスキング層とした
ものである。そして、この原版のマスキング層が形成さ
れていない部分(凹部導電パターン)に析出された電着
物質を被加工物に転写するものである。
As one of the methods for forming a fine pattern on a workpiece, there is a method using an original plate having a concave portion. The master used in this method is a masking layer formed by exposing and developing a resist film formed on a stainless steel substrate through a photomask having a predetermined fine pattern. Then, the electrodeposited material deposited on the portion of the original plate where the masking layer is not formed (the concave conductive pattern) is transferred to the workpiece.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述のような微細パタ
ーン形成用原版に用いるステンレス基板は、その製造段
階で圧延されて長尺板状に成形された後、通常、テンシ
ョンをかけてロール状に巻き上げられている。そして、
微細パターン形成用原版の製版に際して、ロール状のス
テンレス板を所定の長さに切断して基板とするが、ステ
ンレス基板には圧延方向による残留応力、およびロール
巻上時のテンションによる残留応力が存在している。こ
のため、微細パターン形成用原版が製版された後におい
てステンレス基板が収縮を生じ、フォトマスクの寸法に
比較して微細パターンの寸法が縮むという現象がみら
れ、高精度の微細パターン形成用原版が得られないとい
う問題があった。また、このステンレス基板の収縮は製
造ロットにより40〜100μm/400mm程度の範
囲で異なるため、予めステンレス基板の収縮を考慮して
作成されたフォトマスクを使用して高精度の微細パター
ン形成用原版を製造しようとしても、ステンレス基板の
製造ロット毎、あるいはロール状態の外側と内側毎に異
なったフォトマスクを使用する必要があり、工程管理が
煩雑で量産に適さないという問題もあった。
The stainless steel substrate used for the fine pattern forming master as described above is rolled in the manufacturing stage to be formed into a long plate shape, and then, usually, tensioned into a roll shape. It has been rolled up. And
When making a master for forming a fine pattern, a roll-shaped stainless steel plate is cut into a predetermined length to form a substrate, and the stainless substrate has residual stress due to the rolling direction and residual stress due to tension when the roll is wound up. are doing. For this reason, after the master for fine pattern formation is made, the stainless substrate shrinks, and the phenomenon of shrinking the size of the fine pattern compared to the size of the photomask is observed. There was a problem that it could not be obtained. Further, since the shrinkage of the stainless steel substrate varies in the range of about 40 to 100 μm / 400 mm depending on the production lot, a high-precision micropattern forming master using a photomask previously created in consideration of the shrinkage of the stainless steel substrate is used. Even if it is attempted to manufacture, it is necessary to use a different photomask for each production lot of the stainless steel substrate or for each of the outside and inside of the roll state, and there is a problem that the process management is complicated and not suitable for mass production.

【0005】本発明は、上述のような実情に鑑みてなさ
れたものであり、被加工物に高い精度で効率的に微細パ
ターンを形成することのできる微細パターン形成用原版
の製版方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a plate making method of a fine pattern forming master plate capable of efficiently forming a fine pattern on a workpiece with high accuracy. The purpose is to:

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明はステンレス基板に加熱処理を施した
後、該ステンレス基板上にレジスト膜を成膜し、所望の
微細パターンを有するフォトマスクを介して前記レジス
ト膜を露光・現像して前記ステンレス基板上にレジスト
微細パターンを形成するような構成とした。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a heat treatment is performed on a stainless steel substrate, and then a resist film is formed on the stainless steel substrate to obtain a desired fine pattern. The resist film was exposed and developed through a photomask to form a fine resist pattern on the stainless steel substrate.

【0007】本発明においてステンレス基板に施す加熱
処理の条件は、加熱温度を150〜300℃程度、加熱
時間を1〜3時間の範囲とすることができる。加熱温度
および加熱時間が上記の範囲に満たない場合、ステンレ
ス基板に存在する圧延方向による残留応力あるいはロー
ル巻上時のテンションによる残留応力を完全に取り除く
ことができず、微細パターン形成用原版の製版が終了し
た後においてステンレス基板の収縮が発生する。また、
上記の加熱温度および加熱時間を超えるような加熱処理
を施しても、加熱処理による更なる効果は得られず、製
造コストの上昇を来すのみで好ましくない。
In the present invention, the conditions of the heat treatment applied to the stainless steel substrate can be set to a heating temperature of about 150 to 300 ° C. and a heating time of 1 to 3 hours. If the heating temperature and the heating time are less than the above ranges, the residual stress due to the rolling direction or the residual stress due to the tension during roll winding existing on the stainless steel substrate cannot be completely removed, and the plate making of the fine pattern forming master plate is not performed. After the completion of the above, the contraction of the stainless steel substrate occurs. Also,
Even if the heat treatment is performed so as to exceed the above-mentioned heating temperature and heating time, no further effect is obtained by the heat treatment, and only the production cost is increased, which is not preferable.

【0008】本発明の適用対象となるステンレス基板は
特に制限はなく、従来より微細パターン形成用原版の基
板として用いられているものを挙げることができる。具
体的には、SUS304、SUS301、SUS43
0、SUS405、SUS403、SUS410等のス
テンレス基板を挙げることができる。
The stainless steel substrate to which the present invention is applied is not particularly limited, and examples thereof include those conventionally used as a substrate of a master for forming a fine pattern. Specifically, SUS304, SUS301, SUS43
0, SUS405, SUS403, SUS410 and the like.

【0009】本発明においては、ステンレス基板に加熱
処理を施す前に、予めステンレス基板を洗浄しておくこ
とが好ましい。このステンレス基板の洗浄は、有機溶剤
洗浄、アルカリ液中での電解脱脂、水洗浄等の公知の洗
浄手段を用いることができる。
In the present invention, it is preferable that the stainless steel substrate is washed before the heat treatment is performed on the stainless steel substrate. For the cleaning of the stainless steel substrate, known cleaning means such as organic solvent cleaning, electrolytic degreasing in an alkaline solution, and water cleaning can be used.

【0010】本発明において使用するレジストは、公知
の有機レジストでよく、例えば、ゼラチン、カゼイン、
グルー、卵白アルブミン等の天然タンパク質、カルボキ
シメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリアク
リル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、
ポリエチレンオキサイド、無水マレイン酸共重合体およ
び上記の樹脂のカルボン酸変性物あるいはスルホン酸変
性物等の1種または2種以上を混合したものに対し、例
えば、ジアゾ基を有するジアゾニウム化合物およびパラ
ホルムアルデヒドの反応生成物であるジアゾ樹脂、アジ
ド基を有するアジド化合物、ポリビニルアルコールにケ
イ皮酸を縮合したケイ皮酸縮合樹脂、スチルバゾリウム
塩を用いた樹脂、重クロム酸塩等の光硬化型の感光性基
を有するものを添加することにより、感光性を付与した
ものを挙げることができる。尚、感光性基は上述の光硬
化型感光性基に限定されるものではない。
The resist used in the present invention may be a known organic resist, for example, gelatin, casein,
Glue, natural proteins such as ovalbumin, carboxymethylcellulose, polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone,
Polyethylene oxide, a mixture of two or more of a maleic anhydride copolymer and a carboxylic acid-modified or sulfonic acid-modified product of the above resin, for example, a diazonium compound having a diazo group and a paraformaldehyde Reaction products such as diazo resin, azide compound having azide group, cinnamic acid condensed resin obtained by condensing cinnamic acid with polyvinyl alcohol, resin using stilbazolium salt, photocurable photosensitive group such as dichromate By adding a compound having the following, a compound having photosensitivity can be given. Incidentally, the photosensitive group is not limited to the above-mentioned photocurable photosensitive group.

【0011】上記のようなレジストを用いて形成される
レジスト膜の厚さは、0.5〜4μm程度が好ましい。
レジスト膜の形成は、スピンコート法、ロールコート
法、浸漬・引き上げ法、かけ流し法、スプレー法等によ
り行うことができる。
The thickness of a resist film formed using the above-described resist is preferably about 0.5 to 4 μm.
The formation of the resist film can be performed by a spin coating method, a roll coating method, a dipping / pulling-up method, a pouring method, a spray method, or the like.

【0012】[0012]

【作用】ステンレス基板上にはレジスト膜が形成され、
このレジスト膜は所望の微細パターンを有するフォトマ
スクを介して露光・現像されてレジスト微細パターンと
され、上記ステンレス基板はレジスト膜の成膜前記に加
熱処理が施されて、ステンレス基板に存在する圧延方向
による残留応力あるいはロール巻上時のテンションによ
る残留応力が予め取り除かれており、これにより、形成
されたレジスト微細パターンは、フォトマスクの寸法精
度を維持し、高精度の微細パターン形成用原版が得られ
る。
[Action] A resist film is formed on a stainless steel substrate,
The resist film is exposed and developed through a photomask having a desired fine pattern to form a resist fine pattern, and the stainless steel substrate is subjected to a heat treatment to form a resist film. The residual stress due to the direction or the residual stress due to the tension when the roll is wound up has been removed in advance, so that the formed resist fine pattern maintains the dimensional accuracy of the photomask, and a high precision can get.

【0013】[0013]

【実施例】ステンレス基板(SUS304−H、長さ8
60mm、幅400mm、厚さ0.25mm)を洗浄し
た。洗浄は、まず、ステンレス基板を有機溶剤(アセト
ン)の槽に1分間浸漬し、ガーゼで機械的に有機溶剤を
ステンレス基板にこすりつけた。その後、有機溶剤とし
てエタノールを用いて同様の洗浄を行った。この溶剤洗
浄が終了した後、ステンレス基板を流水により30秒間
洗浄し、窒素ブローで乾燥させた。次に、ステンレス基
板を60〜80℃に保温された下記の組成のアルカリ液
に浸漬し、下記の条件で電解脱脂を行った。
EXAMPLE A stainless steel substrate (SUS304-H, length 8)
(60 mm, width 400 mm, thickness 0.25 mm). First, the stainless steel substrate was immersed in a bath of an organic solvent (acetone) for 1 minute, and the organic solvent was mechanically rubbed with a gauze. Thereafter, the same cleaning was performed using ethanol as an organic solvent. After the completion of the solvent washing, the stainless steel substrate was washed with running water for 30 seconds, and dried by blowing nitrogen. Next, the stainless steel substrate was immersed in an alkaline solution of the following composition kept at 60 to 80 ° C., and subjected to electrolytic degreasing under the following conditions.

【0014】(アルカリ液の組成) ・三リン酸ナトリウム … 25g/l ・メタけい酸ナトリウム … 25g/l ・界面活性剤(純正化学(株)製 ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩)…0.7g/l (脱脂条件) ・電流密度 : 10A/dm2 ・脱脂時間 : 1分間 電解脱脂が終了した後、ステンレス基板を純水に充分浸
漬し、さらに塩酸(濃度10vol%)に5秒間浸漬し
てアルカリを中和させた。その後、純水で洗浄し、窒素
ブローで乾燥して洗浄を終了した。
(Composition of alkaline solution) Sodium triphosphate: 25 g / l Sodium metasilicate: 25 g / l Surfactant (sodium salt of dodecylbenzenesulfonic acid manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.): 0.7 g / l (degreasing conditions) current density: 10A / dm 2 · degreasing time: 1 minute after the electrolytic degreasing is completed, the stainless steel substrate was sufficiently immersed in pure water and then immersed for 5 seconds in hydrochloric acid (concentration 10 vol%) alkali Was neutralized. Thereafter, the substrate was washed with pure water and dried by blowing nitrogen to complete the cleaning.

【0015】次に、ステンレス基板を200℃のオーブ
ンに2時間放置して加熱処理を施した。その後、充分に
冷却したステンレス基板上にネガレジスト(東京応化工
業(株)製 OMR85)をロールコータで塗布してレ
ジスト膜(厚さ1.0μm)を形成した。このレジスト
膜に85℃、30分間のプリベーク処理を施した後、フ
ォトマスク(長さ400mm、幅300mm、厚さ5.
0mm)を介して、ステンレス基板上のレジスト膜を露
光した。露光用の光源は無電極ランプを用い、15秒間
照射した。
Next, the stainless steel substrate was heated in a 200 ° C. oven for 2 hours. Thereafter, a negative resist (OMR85 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on a sufficiently cooled stainless steel substrate by a roll coater to form a resist film (1.0 μm thick). After pre-baking the resist film at 85 ° C. for 30 minutes, a photomask (length 400 mm, width 300 mm, thickness 5.
0 mm), the resist film on the stainless steel substrate was exposed. The light source for exposure was an electrodeless lamp, which was irradiated for 15 seconds.

【0016】次に、現像液(東京応化工業(株)製 O
MR現像液)を用いて現像、リンスを行った後、150
℃、30分間のポストベーク処理を施して微細パターン
形成用原版(実施例1)とした。
Next, a developing solution (O, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
After developing and rinsing using an MR developer,
A post-baking treatment at 30 ° C. for 30 minutes was performed to obtain a master for forming a fine pattern (Example 1).

【0017】また、加熱処理の条件を150℃、1時間
とした他は実施例1と同様にして微細パターン形成用原
版(実施例2)を作成した。
A master for forming a fine pattern (Example 2) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed at 150 ° C. for 1 hour.

【0018】さらに、加熱処理の条件を300℃、3時
間とした他は実施例1と同様にして微細パターン形成用
原版(実施例3)を作成した。
Further, a master for forming a fine pattern (Example 3) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed at 300 ° C. for 3 hours.

【0019】上記のようにして製版された微細パターン
形成用原版(実施例1〜3)と、この微細パターン形成
用原版の製版に使用したフォトマスクの長寸法を測定し
た。この測定は、図1に示されるように、微細パターン
形成用原版上およびフォトマスク上に8か所の測定点
(a1 ,a2 ,a3 ,b1 ,b2 ,c1 ,c2 ,c3
を定め、下記の6つの測定箇所において、それぞれ2点
間の長寸法を測定した。この測定結果を下記の表1に示
した。
The length of the master for forming a fine pattern formed as described above (Examples 1 to 3) and the length of the photomask used for plate making of the master for forming a fine pattern were measured. As shown in FIG. 1, the measurement was performed at eight measurement points (a 1 , a 2 , a 3 , b 1 , b 2 , c 1 , c 2) on the master for forming a fine pattern and on the photomask. , C 3 )
Was determined, and the long dimension between two points was measured at each of the following six measurement points. The measurement results are shown in Table 1 below.

【0020】(測定箇所) a1 −a3 間…、 b1 −b2 間…、 c1 −c3
間… a1 −c1 間…、 a2 −c2 間…、 a3 −c3
間…
(Measurement points) between a 1 and a 3, between b 1 and b 2 , c 1 and c 3
Between between ... a 1 -c 1 ..., between a 2 -c 2 ..., a 3 -c 3
while…

【0021】[0021]

【表1】 表1に示されるように、微細パターン形成用原版とフォ
トマスクの長寸法変化は、±5μm/400mmの範囲
内にあり、高精度の微細パターン形成用原版の製版が可
能であることが確認された。
[Table 1] As shown in Table 1, the long dimension change of the fine pattern forming master and the photomask was within the range of ± 5 μm / 400 mm, and it was confirmed that high precision master making of the fine pattern forming master was possible. Was.

【0022】一方、加熱処理の条件を100℃、1時間
とした他は実施例1と同様にして微細パターン形成用原
版(比較例1)を作成した。
On the other hand, a master for forming a fine pattern (Comparative Example 1) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour.

【0023】また、ステンレス基板に加熱処理を施さな
かった他は実施例1と同様にして微細パターン形成用原
版(比較例2)を作成した。
A master for forming a fine pattern (Comparative Example 2) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was not performed on the stainless steel substrate.

【0024】次に、上記のようにして製版された微細パ
ターン形成用原版(比較例1、2)と、この微細パター
ン形成用原版の製版に使用したフォトマスクの長寸法
を、上記のように6つの測定箇所において測定し、この
測定結果を下記の表2に示した。
Next, the lengths of the fine pattern forming masters (Comparative Examples 1 and 2) produced as described above and the photomask used for the plate making of the fine pattern forming masters were as described above. The measurement was performed at six measurement points, and the measurement results are shown in Table 2 below.

【0025】[0025]

【表2】 表2に示されるように、ステンレス基板の加熱処理が不
十分であったり、加熱処理が施されないことにより、微
細パターン形成用原版の収縮が発生し、特にステンレス
基板の圧延方向、巻き上げ時のテンション方向に沿った
測定箇所(〜)においては、40μm/400mm
程度の収縮が発生し、微細パターン形成用原版の精度の
低下が確認された。
[Table 2] As shown in Table 2, when the heat treatment of the stainless steel substrate is insufficient or the heat treatment is not performed, the original for forming a fine pattern shrinks, and particularly, the rolling direction of the stainless steel substrate, the tension at the time of winding, and the like. 40 μm / 400 mm at measurement points (() along the direction
A degree of shrinkage occurred, and it was confirmed that the precision of the master for forming a fine pattern was lowered.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればス
テンレス基板はレジスト膜の成膜前に加熱処理が施さ
れ、ステンレス基板に存在する圧延方向による残留応力
あるいはロール巻上時のテンションによる残留応力が予
め取り除かれているため、ステンレス基板の製造ロット
が異なっても、形成されたレジスト微細パターンはフォ
トマスクの寸法精度を維持することとなり、高精度の微
細パターン形成用原版を効率的に製版することが可能と
なる。
As described above in detail, according to the present invention, the stainless steel substrate is subjected to a heat treatment before the formation of the resist film, and the residual stress due to the rolling direction existing in the stainless steel substrate or the tension at the time of rolling the roll. Since the residual stress due to the above is removed in advance, even if the production lot of the stainless steel substrate is different, the formed resist fine pattern will maintain the dimensional accuracy of the photomask, making it possible to efficiently use the high precision fine pattern forming master. Plate making is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】微細パターン形成用原版およびフォトマスクの
長寸法の測定箇所を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a measurement point of a long dimension of a master for forming a fine pattern and a photomask.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ステンレス基板に加熱処理を施した後、
該ステンレス基板上にレジスト膜を成膜し、所望の微細
パターンを有するフォトマスクを介して前記レジスト膜
を露光・現像して前記ステンレス基板上にレジスト微細
パターンを形成することを特徴とする微細パターン形成
用原版の製版方法。
After subjecting a stainless steel substrate to a heat treatment,
Forming a resist film on the stainless steel substrate, exposing and developing the resist film through a photomask having a desired fine pattern to form a resist fine pattern on the stainless steel substrate, Plate making method of the original plate for forming.
【請求項2】 前記ステンレス基板は、オーステナイト
系、マルテンサイト系、フェライト系のいずれかである
ことを特徴とする請求項1記載の微細パターン形成用原
版の製版方法。
2. The method according to claim 1, wherein the stainless steel substrate is one of austenite, martensite, and ferrite.
【請求項3】 前記加熱処理は、150〜300℃の温
度範囲で行うことを特徴とする請求項1または請求項2
のいずれかに記載の微細パターン形成用原版の製版方
法。
3. The heat treatment according to claim 1, wherein the heat treatment is performed in a temperature range of 150 to 300 ° C.
The plate making method of the master for forming a fine pattern according to any one of the above.
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