JP3222316B2 - パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法 - Google Patents
パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パルス・レーザによる
基板表面薄膜の除去方法に関し、さらに詳細には、半導
体素子、磁性体素子、光学素子ならびにオプトエレクト
ロニクス素子などの製造工程において、基板の表面に付
着した薄膜たる基板表面薄膜を除去する際に用いて好適
な、パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法に関
する。
基板表面薄膜の除去方法に関し、さらに詳細には、半導
体素子、磁性体素子、光学素子ならびにオプトエレクト
ロニクス素子などの製造工程において、基板の表面に付
着した薄膜たる基板表面薄膜を除去する際に用いて好適
な、パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子、磁性体素子、光
学素子ならびにオプトエレクトロニクス素子などの製造
工程における基板表面薄膜の除去は、マスクの作製→レ
ジストの塗布→露光→エッチング→レジストの除去など
の多数の工程を経て行われていた。
学素子ならびにオプトエレクトロニクス素子などの製造
工程における基板表面薄膜の除去は、マスクの作製→レ
ジストの塗布→露光→エッチング→レジストの除去など
の多数の工程を経て行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の基板表面薄膜の除去方法にあっては、多
数の工程を経なければならないため、処理のために長時
間要するようになってしまうとともに、製造コストも増
大するという問題点があった。
たような従来の基板表面薄膜の除去方法にあっては、多
数の工程を経なければならないため、処理のために長時
間要するようになってしまうとともに、製造コストも増
大するという問題点があった。
【０００４】また、上記したような従来の基板表面薄膜
の除去方法においては、基板表面から除去する薄膜のパ
ターンは、マスクのパターンによって決定されてしまう
ので、基板表面薄膜を必要に応じて多様なパターンで適
宜除去することができず、薄膜除去のパターンの柔軟性
に欠けるという問題点も指摘されていた。
の除去方法においては、基板表面から除去する薄膜のパ
ターンは、マスクのパターンによって決定されてしまう
ので、基板表面薄膜を必要に応じて多様なパターンで適
宜除去することができず、薄膜除去のパターンの柔軟性
に欠けるという問題点も指摘されていた。
【０００５】即ち、上記したような従来の基板表面薄膜
の除去方法においては、処理時間の短時間化、処理費用
の低コスト化あるいは除去パターンの多様化を図ること
ができず、そうした市場のニーズに答えることができな
いという問題点があった。
の除去方法においては、処理時間の短時間化、処理費用
の低コスト化あるいは除去パターンの多様化を図ること
ができず、そうした市場のニーズに答えることができな
いという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記したような従来の技術の有
する種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、処理時間に長時間を要し、処理費用
が高価となり、さらには薄膜除去のパターンの柔軟性に
欠ける従来の多数の工程を経る基板表面薄膜の除去方法
とは全く異なり、単一工程により処理時間の短縮化、処
理費用の低コスト化ならびに除去パターンの多様化を図
ることのできる、実用性に優れた新規なパルス・レーザ
による基板表面薄膜の除去方法を提供することにある。
する種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、処理時間に長時間を要し、処理費用
が高価となり、さらには薄膜除去のパターンの柔軟性に
欠ける従来の多数の工程を経る基板表面薄膜の除去方法
とは全く異なり、単一工程により処理時間の短縮化、処
理費用の低コスト化ならびに除去パターンの多様化を図
ることのできる、実用性に優れた新規なパルス・レーザ
による基板表面薄膜の除去方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明におけるパルス・レーザによる基板表面薄膜
の除去方法は、基板表面に付着した薄膜たる基板表面薄
膜を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、
基板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基
板に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・
レーザを、上記基板表面から除去したい上記基板表面薄
膜の領域部位に対してのみ照射して、当該パルス・レー
ザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみを単一工程
により除去するようにしたものである。
に、本発明におけるパルス・レーザによる基板表面薄膜
の除去方法は、基板表面に付着した薄膜たる基板表面薄
膜を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、
基板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基
板に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・
レーザを、上記基板表面から除去したい上記基板表面薄
膜の領域部位に対してのみ照射して、当該パルス・レー
ザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみを単一工程
により除去するようにしたものである。
【０００８】
【作用】基板表面薄膜に対して透明な波長を有するとと
もに、基板に対して吸収ならびに反射する波長を有する
パルス・レーザを、当該基板表面から除去したい基板表
面薄膜の領域部位に対してのみ照射すると、パルス・レ
ーザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみが当該基
板から剥離され、パルス・レーザを照射された領域部位
の基板表面薄膜のみを当該基板から除去することができ
る。
もに、基板に対して吸収ならびに反射する波長を有する
パルス・レーザを、当該基板表面から除去したい基板表
面薄膜の領域部位に対してのみ照射すると、パルス・レ
ーザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみが当該基
板から剥離され、パルス・レーザを照射された領域部位
の基板表面薄膜のみを当該基板から除去することができ
る。
【０００９】従って、基板の全面に付着された基板表面
薄膜を全て除去したい場合には、基板の表面全体に上記
した波長のパルス・レーザを照射することにより、基板
全面に付着された基板表面薄膜を除去することができ
る。
薄膜を全て除去したい場合には、基板の表面全体に上記
した波長のパルス・レーザを照射することにより、基板
全面に付着された基板表面薄膜を除去することができ
る。
【００１０】また、基板の全面に付着された基板表面薄
膜の一部のみを除去したい場合などには、除去したい基
板表面薄膜の領域部位のみに上記した波長のパルス・レ
ーザを照射することにより、基板表面から当該領域部位
に位置する基板表面薄膜を除去することができる。
膜の一部のみを除去したい場合などには、除去したい基
板表面薄膜の領域部位のみに上記した波長のパルス・レ
ーザを照射することにより、基板表面から当該領域部位
に位置する基板表面薄膜を除去することができる。
【００１１】このように、上記した波長のパルス・レー
ザを選択的に基板表面に照射することにより、照射した
領域部位に位置する基板表面薄膜を確実に除去できる。
ザを選択的に基板表面に照射することにより、照射した
領域部位に位置する基板表面薄膜を確実に除去できる。
【００１２】ところで、上記した波長のパルス・レーザ
の照射による基板表面薄膜の除去は、以下の三つのメカ
ニズムが総合的に作用して実現されるものと考えられる
ものであり、図１に示す基板表面薄膜Ｃを付着された基
板Ｂたる基板表面薄膜付着基板１００の断面図を参照し
ながら、それら三つのメカニズムを詳細に説明する。
の照射による基板表面薄膜の除去は、以下の三つのメカ
ニズムが総合的に作用して実現されるものと考えられる
ものであり、図１に示す基板表面薄膜Ｃを付着された基
板Ｂたる基板表面薄膜付着基板１００の断面図を参照し
ながら、それら三つのメカニズムを詳細に説明する。
【００１３】即ち、それら三つのメカニズムとは、 （１）パルス・レーザＡの照射による基板Ｂと基板表面
薄膜Ｃとの界面Ｄへの瞬間運動量の伝達 （２）パルス・レーザＡの照射による界面Ｄに存在する
物質（界面物質）の光化学分解 （３）パルス・レーザＡの照射による基板Ｂおよび基板
表面薄膜Ｃの熱膨張の際における基板Ｂの材料と基板表
面薄膜Ｃの材料との熱膨張率の相違 である。
薄膜Ｃとの界面Ｄへの瞬間運動量の伝達 （２）パルス・レーザＡの照射による界面Ｄに存在する
物質（界面物質）の光化学分解 （３）パルス・レーザＡの照射による基板Ｂおよび基板
表面薄膜Ｃの熱膨張の際における基板Ｂの材料と基板表
面薄膜Ｃの材料との熱膨張率の相違 である。
【００１４】まず、上記（１）のメカニズムについて説
明すると、パルス・レーザＡの照射によるレーザ・パル
スの中の光子は、運動量源として界面Ｄに作用する。一
光子当たりでは、ｈ／λ（ｈ：プランク定数、λ：パル
ス・レーザＡの波長）の運動量を持っている。パルス・
レーザＡの波長は、基板表面薄膜Ｃに対して透明な波長
であるとともに基板Ｂに対して吸収ならびに反射する波
長とされているので、基板Ｂの表面に対して照射された
パルス・レーザＡは基板表面薄膜Ｃを透過して、基板Ｂ
で吸収ならびに反射される。このため、光子の運動量は
界面Ｄに与えられることになる。
明すると、パルス・レーザＡの照射によるレーザ・パル
スの中の光子は、運動量源として界面Ｄに作用する。一
光子当たりでは、ｈ／λ（ｈ：プランク定数、λ：パル
ス・レーザＡの波長）の運動量を持っている。パルス・
レーザＡの波長は、基板表面薄膜Ｃに対して透明な波長
であるとともに基板Ｂに対して吸収ならびに反射する波
長とされているので、基板Ｂの表面に対して照射された
パルス・レーザＡは基板表面薄膜Ｃを透過して、基板Ｂ
で吸収ならびに反射される。このため、光子の運動量は
界面Ｄに与えられることになる。
【００１５】この際に、連続レーザと異なりパルス・レ
ーザの瞬間エネルギー密度は非常に高いので、光子の運
動量による界面Ｄへの衝撃は瞬間的に極めて大きなもの
となる。この衝撃により界面Ｄに振動が生起され、界面
Ｄの上に付着している基板表面薄膜Ｃが剥離されること
になる。
ーザの瞬間エネルギー密度は非常に高いので、光子の運
動量による界面Ｄへの衝撃は瞬間的に極めて大きなもの
となる。この衝撃により界面Ｄに振動が生起され、界面
Ｄの上に付着している基板表面薄膜Ｃが剥離されること
になる。
【００１６】なお、エネルギー密度の高い連続レーザを
照射すると、連続的にエネルギー密度の高いレーザが基
板表面薄膜付着基板１００に照射されることになって、
基板Ｂ自体に損傷を発生させる恐れがあるが、パルス・
レーザによれば瞬間エネルギー密度を非常に高くするこ
とはできるが、エネルギー密度の高いレーザが連続的に
照射されることにはならないので、基板Ｂ自体に物理的
なダメージや化学的なダメージを与える恐れはない。
照射すると、連続的にエネルギー密度の高いレーザが基
板表面薄膜付着基板１００に照射されることになって、
基板Ｂ自体に損傷を発生させる恐れがあるが、パルス・
レーザによれば瞬間エネルギー密度を非常に高くするこ
とはできるが、エネルギー密度の高いレーザが連続的に
照射されることにはならないので、基板Ｂ自体に物理的
なダメージや化学的なダメージを与える恐れはない。
【００１７】次に、上記（２）のメカニズムについて説
明すると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄには、基
板表面薄膜Ｃの成長前または基板表面薄膜Ｃの成長中
に、吸収ガスやその他の残留物などの不純物（主に有機
不純物である。）よりなる界面物質が生成される。こう
した界面物質は、パルス・レーザＡの照射により光化学
分解されて気相へと変化する。このため、界面Ｄにおけ
る圧力Ｐが高まり、この圧力により基板Ｂから基板表面
薄膜Ｃが剥離されるようになる。
明すると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄには、基
板表面薄膜Ｃの成長前または基板表面薄膜Ｃの成長中
に、吸収ガスやその他の残留物などの不純物（主に有機
不純物である。）よりなる界面物質が生成される。こう
した界面物質は、パルス・レーザＡの照射により光化学
分解されて気相へと変化する。このため、界面Ｄにおけ
る圧力Ｐが高まり、この圧力により基板Ｂから基板表面
薄膜Ｃが剥離されるようになる。
【００１８】さらに、上記（３）のメカニズムについて
説明すると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとは一般的に異な
る材料で形成されているために、両者の熱膨張率には差
異がある。従って、パルス・レーザＡの照射によって界
面Ｄで温度上昇が生じると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃと
は異なる熱膨張率で膨張する。このため、界面Ｄにおい
て大きな応力が発生し、この応力により基板Ｂから基板
表面薄膜Ｃが剥離されるようになる。
説明すると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとは一般的に異な
る材料で形成されているために、両者の熱膨張率には差
異がある。従って、パルス・レーザＡの照射によって界
面Ｄで温度上昇が生じると、基板Ｂと基板表面薄膜Ｃと
は異なる熱膨張率で膨張する。このため、界面Ｄにおい
て大きな応力が発生し、この応力により基板Ｂから基板
表面薄膜Ｃが剥離されるようになる。
【００１９】以上において説明したように、上記（１）
乃至（３）のメカニズムはいずれも、パルス・レーザＡ
による基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄにおける作用
に基づくものであるため、本発明のパルス・レーザによ
る基板表面薄膜の除去方法は、大気中は勿論のことであ
るが、溶液中あるいは真空中においても界面Ｄが外部雰
囲気に影響されない限りは、任意の雰囲気中において実
施することができる。
乃至（３）のメカニズムはいずれも、パルス・レーザＡ
による基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄにおける作用
に基づくものであるため、本発明のパルス・レーザによ
る基板表面薄膜の除去方法は、大気中は勿論のことであ
るが、溶液中あるいは真空中においても界面Ｄが外部雰
囲気に影響されない限りは、任意の雰囲気中において実
施することができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明のパルス・レ
ーザによる基板表面薄膜の除去方法の一実施例を詳細に
説明する。
ーザによる基板表面薄膜の除去方法の一実施例を詳細に
説明する。
【００２１】図２には、本発明のパルス・レーザによる
基板表面薄膜の除去方法を実施するためのシステムの概
略構成が示されており、図１に示すような基板表面薄膜
付着基板１００の基板表面薄膜Ｂを除去するものであ
る。
基板表面薄膜の除去方法を実施するためのシステムの概
略構成が示されており、図１に示すような基板表面薄膜
付着基板１００の基板表面薄膜Ｂを除去するものであ
る。
【００２２】図１に示されたシステムにおいては、パル
ス・レーザとして短波長のパルス・レーザを生成できる
エキシマ・レーザの中のＫｒＦエキシマ・レーザを採用
しており、符号１０はＫｒＦエキシマ・レーザ発振器を
示している。このＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１０か
らは、波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓのパルス状の
出力ビーム（パルス・ビーム）が出力されるものであ
る。
ス・レーザとして短波長のパルス・レーザを生成できる
エキシマ・レーザの中のＫｒＦエキシマ・レーザを採用
しており、符号１０はＫｒＦエキシマ・レーザ発振器を
示している。このＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１０か
らは、波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓのパルス状の
出力ビーム（パルス・ビーム）が出力されるものであ
る。
【００２３】さらに、このシステムは、ＫｒＦエキシマ
・レーザ発振器１０から出力されるパルス・ビームを、
均一の光強度分布を持つビームに変換するビーム・ホモ
ジェナイザ１２と、ビーム・ホモジェナイザ１２から出
力されるパルス・ビームのサイズと形状を制御するアパ
ーチャ１４ａを可変できる電動アパーチャ１４と、移動
可能な電動ステージ１６上に配設され、電動アパーチャ
１４のアパーチャ１４ａから出力されるパルス・ビーム
を縮小あるいは拡大するための石英ガラス製の集光レン
ズ１８と、複数の基板１００を載置して順次移動するベ
ルト・コンベア２０と、ベルト・コンベアの移動速度を
調節するスピード・コントローラ２２と、集光レンズ１
８から出力されたパルス・ビームをベルト・コンベア２
０上の基板表面薄膜付着基板１００へ反射するためのミ
ラー２４と、上記したＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１
０のパワーを検出して表示するパワー計測器２６と、基
板表面薄膜付着基板１００の表面を観察するための受像
装置としてのＣＣＤカメラ３２と、ＣＣＤカメラ３２に
より受像した映像を表示するための表示装置３４とを有
している。
・レーザ発振器１０から出力されるパルス・ビームを、
均一の光強度分布を持つビームに変換するビーム・ホモ
ジェナイザ１２と、ビーム・ホモジェナイザ１２から出
力されるパルス・ビームのサイズと形状を制御するアパ
ーチャ１４ａを可変できる電動アパーチャ１４と、移動
可能な電動ステージ１６上に配設され、電動アパーチャ
１４のアパーチャ１４ａから出力されるパルス・ビーム
を縮小あるいは拡大するための石英ガラス製の集光レン
ズ１８と、複数の基板１００を載置して順次移動するベ
ルト・コンベア２０と、ベルト・コンベアの移動速度を
調節するスピード・コントローラ２２と、集光レンズ１
８から出力されたパルス・ビームをベルト・コンベア２
０上の基板表面薄膜付着基板１００へ反射するためのミ
ラー２４と、上記したＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１
０のパワーを検出して表示するパワー計測器２６と、基
板表面薄膜付着基板１００の表面を観察するための受像
装置としてのＣＣＤカメラ３２と、ＣＣＤカメラ３２に
より受像した映像を表示するための表示装置３４とを有
している。
【００２４】なお、電動アパーチャ１４のアパーチャ１
４ａと集光レンズ１８の位置とにより、基板表面薄膜付
着基板１００表面に照射するパルス・ビームの大きさと
光強度とが調節されることになる。
４ａと集光レンズ１８の位置とにより、基板表面薄膜付
着基板１００表面に照射するパルス・ビームの大きさと
光強度とが調節されることになる。
【００２５】そして、ＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１
０と、電動アパーチャ１４と、電動ステージ１６と、ス
ピード・コントローラ２２と、パワー計測器２６とは、
インターフェース２８を介して、ＣＰＵ３０ａ、ＲＯＭ
３０ｂおよびＲＡＭ３０ｃを備えた制御部３０に接続さ
れている。
０と、電動アパーチャ１４と、電動ステージ１６と、ス
ピード・コントローラ２２と、パワー計測器２６とは、
インターフェース２８を介して、ＣＰＵ３０ａ、ＲＯＭ
３０ｂおよびＲＡＭ３０ｃを備えた制御部３０に接続さ
れている。
【００２６】ＲＯＭ３０ｂには、ＫｒＦエキシマ・レー
ザ発振器１０から出力されるＫｒＦエキシマ・レーザの
パルス・ビームの繰り返し周波数、電動アパーチャ１４
により形成されるアパーチャ１４ａのサイズと形状、電
動ステージ１６の移動位置により決定される集光レンズ
１８の位置およびスピード・コントローラ２２により調
節されるベルト・コンベア２０の位置ならびに移動速度
を、基板表面薄膜付着基板１００の基板Ｂと基板表面薄
膜Ｃとの材料組成、除去する基板表面薄膜Ｃの領域なら
びに基板表面薄膜Ｃの膜厚とに適した条件を設定できる
ように、所定のプログラムが記憶されている。
ザ発振器１０から出力されるＫｒＦエキシマ・レーザの
パルス・ビームの繰り返し周波数、電動アパーチャ１４
により形成されるアパーチャ１４ａのサイズと形状、電
動ステージ１６の移動位置により決定される集光レンズ
１８の位置およびスピード・コントローラ２２により調
節されるベルト・コンベア２０の位置ならびに移動速度
を、基板表面薄膜付着基板１００の基板Ｂと基板表面薄
膜Ｃとの材料組成、除去する基板表面薄膜Ｃの領域なら
びに基板表面薄膜Ｃの膜厚とに適した条件を設定できる
ように、所定のプログラムが記憶されている。
【００２７】また、ＲＡＭ３０ｃは、ＣＰＵ３０ａがＲ
ＯＭ３０ｂに記憶されたプログラムを実行する際のワー
キング・エリアとして使用されるものである。
ＯＭ３０ｂに記憶されたプログラムを実行する際のワー
キング・エリアとして使用されるものである。
【００２８】なお、上記システムは、大気中において構
成することができるものであるが、基板表面薄膜付着基
板１００の基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄが影響を
受けない限りは、溶液中あるいは真空中において構成し
てもよいことは勿論である。
成することができるものであるが、基板表面薄膜付着基
板１００の基板Ｂと基板表面薄膜Ｃとの界面Ｄが影響を
受けない限りは、溶液中あるいは真空中において構成し
てもよいことは勿論である。
【００２９】以上の構成において、制御部３０によっ
て、ＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１０から出力される
ＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームの周波数、電
動アパーチャ１４により形成されるアパーチャ１４ａの
サイズと形状、電動ステージ１６の移動位置により決定
される集光レンズ１８の位置およびスピード・コントロ
ーラ２２により調節されるベルト・コンベア２０の位置
ならびに移動速度が制御され、基板表面薄膜付着基板１
００の基板Ｂの材料と基板Ｂの表面に付着した除去対象
物たる基板表面薄膜Ｃの材料とに適した条件が設定され
る。
て、ＫｒＦエキシマ・レーザ発振器１０から出力される
ＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームの周波数、電
動アパーチャ１４により形成されるアパーチャ１４ａの
サイズと形状、電動ステージ１６の移動位置により決定
される集光レンズ１８の位置およびスピード・コントロ
ーラ２２により調節されるベルト・コンベア２０の位置
ならびに移動速度が制御され、基板表面薄膜付着基板１
００の基板Ｂの材料と基板Ｂの表面に付着した除去対象
物たる基板表面薄膜Ｃの材料とに適した条件が設定され
る。
【００３０】こうして、条件設定された状態で、基板表
面薄膜付着基板１００の表面にＫｒＦエキシマ・レーザ
発振器１０から出力されるＫｒＦエキシマ・レーザのパ
ルス・ビームが照射されると、当該照射された領域の基
板表面薄膜Ｃが、上記において作用の項で説明した、 （１）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による基板Ｂと基
板表面薄膜Ｃとの界面Ｄへの瞬間運動量の伝達 （２）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による界面Ｄに存
在する物質（界面物質）の光化学分解 （３）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による基板Ｂおよ
び基板表面薄膜Ｃの熱膨張の際における基板Ｂの材料と
基板表面薄膜Ｃの材料との熱膨張率の相違 の総合作用によって基板Ｂから剥離されて、基板Ｂ表面
から除去されることになる。
面薄膜付着基板１００の表面にＫｒＦエキシマ・レーザ
発振器１０から出力されるＫｒＦエキシマ・レーザのパ
ルス・ビームが照射されると、当該照射された領域の基
板表面薄膜Ｃが、上記において作用の項で説明した、 （１）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による基板Ｂと基
板表面薄膜Ｃとの界面Ｄへの瞬間運動量の伝達 （２）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による界面Ｄに存
在する物質（界面物質）の光化学分解 （３）ＫｒＦエキシマ・レーザの照射による基板Ｂおよ
び基板表面薄膜Ｃの熱膨張の際における基板Ｂの材料と
基板表面薄膜Ｃの材料との熱膨張率の相違 の総合作用によって基板Ｂから剥離されて、基板Ｂ表面
から除去されることになる。
【００３１】即ち、リソグラフィやエッチングなどを要
せずに、パルス・レーザの照射という単一の工程のみよ
って、基板Ｂから基板表面薄膜Ｃを除去することができ
る。
せずに、パルス・レーザの照射という単一の工程のみよ
って、基板Ｂから基板表面薄膜Ｃを除去することができ
る。
【００３２】以下に、上記のようなシステムによる基板
Ｂからの基板表面薄膜Ｃの除去の効果を詳細に説明する
が、基板表面薄膜付着基板１００としては、基板Ｂとし
てＧａＡｓ基板を用い、このＧａＡｓ基板上に基板表面
薄膜ＣとしてＳｉＯ2薄膜を蒸着したものを用いた場合
を示し、ＫｒＦエキシマ・レーザの照射によりＧａＡｓ
基板上に蒸着したＳｉＯ2薄膜を除去した場合を示す。
Ｂからの基板表面薄膜Ｃの除去の効果を詳細に説明する
が、基板表面薄膜付着基板１００としては、基板Ｂとし
てＧａＡｓ基板を用い、このＧａＡｓ基板上に基板表面
薄膜ＣとしてＳｉＯ2薄膜を蒸着したものを用いた場合
を示し、ＫｒＦエキシマ・レーザの照射によりＧａＡｓ
基板上に蒸着したＳｉＯ2薄膜を除去した場合を示す。
【００３３】なお、ＧａＡｓ基板上に蒸着したＳｉＯ2
薄膜のパターンの形成は、配線部以外の場所に予めホト
レジスト膜のパターンを付けておき、その上にＳｉＯ2
膜を付着させた後に、ホトレジスト膜の除去とともに配
線部以外のＳｉＯ2膜を除去してパターンを形成する、
リフトオフ法により行った。
薄膜のパターンの形成は、配線部以外の場所に予めホト
レジスト膜のパターンを付けておき、その上にＳｉＯ2
膜を付着させた後に、ホトレジスト膜の除去とともに配
線部以外のＳｉＯ2膜を除去してパターンを形成する、
リフトオフ法により行った。
【００３４】図３には、本発明によるシステムにより、
ＫｒＦエキシマ・レーザの照射によってＧａＡｓ基板上
に蒸着したＳｉＯ2薄膜を除去する前の基板表面薄膜付
着基板１００の表面の顕微鏡写真が示されている。
ＫｒＦエキシマ・レーザの照射によってＧａＡｓ基板上
に蒸着したＳｉＯ2薄膜を除去する前の基板表面薄膜付
着基板１００の表面の顕微鏡写真が示されている。
【００３５】図３に示されているように、ＳｉＯ2薄膜
は１μｍの幅と５０ｎｍの厚さとを持ち、１μｍの間隔
でＧａＡｓ基板上に付着されている。
は１μｍの幅と５０ｎｍの厚さとを持ち、１μｍの間隔
でＧａＡｓ基板上に付着されている。
【００３６】この図３に示す基板表面薄膜付着基板１０
０の表面の略半面に対して、上記システムにより、５０
０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度と２０ｎｓのパルス幅
のＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームを１パルス
照射すると、図４に示すように、ＧａＡｓ基板上におけ
るＫｒＦエキシマ・レーザの照射領域部分のＳｉＯ2薄
膜を剥離することができる。なお、図４においては、Ｇ
ａＡｓ基板上から剥離されたＳｉＯ2薄膜の細線が、Ｇ
ａＡｓ基板上に浮いている状態が示されている。
０の表面の略半面に対して、上記システムにより、５０
０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度と２０ｎｓのパルス幅
のＫｒＦエキシマ・レーザのパルス・ビームを１パルス
照射すると、図４に示すように、ＧａＡｓ基板上におけ
るＫｒＦエキシマ・レーザの照射領域部分のＳｉＯ2薄
膜を剥離することができる。なお、図４においては、Ｇ
ａＡｓ基板上から剥離されたＳｉＯ2薄膜の細線が、Ｇ
ａＡｓ基板上に浮いている状態が示されている。
【００３７】なお、ＧａＡｓ基板上から除去するＳｉＯ
2薄膜の領域が狭い場合には、図４に示されるように、
ＧａＡｓ基板上にＳｉＯ2薄膜の細線が浮いている状態
とはならずに、ＧａＡｓ基板上から剥離されたＳｉＯ2
薄膜の細線は、ＧａＡｓ基板上から完全に排除されるこ
とになる。
2薄膜の領域が狭い場合には、図４に示されるように、
ＧａＡｓ基板上にＳｉＯ2薄膜の細線が浮いている状態
とはならずに、ＧａＡｓ基板上から剥離されたＳｉＯ2
薄膜の細線は、ＧａＡｓ基板上から完全に排除されるこ
とになる。
【００３８】従って、本発明のパルス・レーザによる基
板表面薄膜の除去方法においては、ウェット・エッチン
グを行うことなしに、ＧａＡｓ基板上からＳｉＯ2薄膜
を確実に除去することができるものである。
板表面薄膜の除去方法においては、ウェット・エッチン
グを行うことなしに、ＧａＡｓ基板上からＳｉＯ2薄膜
を確実に除去することができるものである。
【００３９】さらに、図４に示す状態において、アセト
ンの中で超音波洗浄を行うと、図５（ａ）（ｂ）に示す
ように、ＧａＡｓ基板上から剥離されてＧａＡｓ基板上
に浮いている状態のＳｉＯ2薄膜の細線を、ＧａＡｓ基
板上から容易に取り除くことができる。
ンの中で超音波洗浄を行うと、図５（ａ）（ｂ）に示す
ように、ＧａＡｓ基板上から剥離されてＧａＡｓ基板上
に浮いている状態のＳｉＯ2薄膜の細線を、ＧａＡｓ基
板上から容易に取り除くことができる。
【００４０】図５（ａ）には、アセトンの中での超音波
洗浄後における、ＫｒＦエキシマ・レーザを照射された
領域と照射されない領域との境界が示されているが、照
射されない領域ではＳｉＯ2薄膜パターンが依然として
残っているのに対して、照射された領域ではＳｉＯ2薄
膜パターンは全て除去されている（図５（ａ）中の白枠
部分の拡大写真である図５（ｂ）参照）。
洗浄後における、ＫｒＦエキシマ・レーザを照射された
領域と照射されない領域との境界が示されているが、照
射されない領域ではＳｉＯ2薄膜パターンが依然として
残っているのに対して、照射された領域ではＳｉＯ2薄
膜パターンは全て除去されている（図５（ａ）中の白枠
部分の拡大写真である図５（ｂ）参照）。
【００４１】このように、本発明のパルス・レーザによ
る基板表面薄膜の除去方法によれば、パルス・レーザを
照射する領域を選択することにより、基板表面薄膜を除
去する領域を任意に選択することができるようになる。
る基板表面薄膜の除去方法によれば、パルス・レーザを
照射する領域を選択することにより、基板表面薄膜を除
去する領域を任意に選択することができるようになる。
【００４２】なお、ＳｉＯ2薄膜が除去されたＧａＡｓ
基板表面においては、欠陥や残留物は観察されていな
い。
基板表面においては、欠陥や残留物は観察されていな
い。
【００４３】即ち、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）によ
ってＧａＡｓ基板表面の組成比を分析し、図６にそのＡ
ＥＳスペクトルを示すものであるが、（ａ）は、大気中
でＫｒＦエキシマ・レーザを照射した後に、ＳｉＯ2薄
膜が除去された後のＧａＡｓ基板表面のＡＥＳスペクト
ルである。たしかに、この（ａ）に示すスペクトルの中
には、Ｇａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）のピークの
他に、Ｃ（炭素）とＯ（酸素）との強いピークが観察さ
れている。
ってＧａＡｓ基板表面の組成比を分析し、図６にそのＡ
ＥＳスペクトルを示すものであるが、（ａ）は、大気中
でＫｒＦエキシマ・レーザを照射した後に、ＳｉＯ2薄
膜が除去された後のＧａＡｓ基板表面のＡＥＳスペクト
ルである。たしかに、この（ａ）に示すスペクトルの中
には、Ｇａ（ガリウム）およびＡｓ（砒素）のピークの
他に、Ｃ（炭素）とＯ（酸素）との強いピークが観察さ
れている。
【００４４】しかしながら、（ａ）に示すスペクトルを
備えたＧａＡｓ基板に対して、５秒間だけアルゴン・イ
オン・スパッタリングを行って、表面から厚さ３ｎｍの
表面層を取り除くと、（ｂ）に示すように、そのスペク
トルからＣのピークが消えるとともに、Ｏのピークも著
しく小さくなった。
備えたＧａＡｓ基板に対して、５秒間だけアルゴン・イ
オン・スパッタリングを行って、表面から厚さ３ｎｍの
表面層を取り除くと、（ｂ）に示すように、そのスペク
トルからＣのピークが消えるとともに、Ｏのピークも著
しく小さくなった。
【００４５】このことより、（ａ）におけるＧａＡｓ基
板表面のＣやＯの存在は、ＫｒＦエキシマ・レーザを照
射したことによるＧａＡｓ基板表面の欠陥や残留物によ
るものではなく、長時間（本測定の場合には、２〜３日
間である。）にわたってＧａＡｓ基板表面が大気中にさ
らされたことによるものであると考えられる。
板表面のＣやＯの存在は、ＫｒＦエキシマ・レーザを照
射したことによるＧａＡｓ基板表面の欠陥や残留物によ
るものではなく、長時間（本測定の場合には、２〜３日
間である。）にわたってＧａＡｓ基板表面が大気中にさ
らされたことによるものであると考えられる。
【００４６】また、１分間までアルゴン・イオン・スパ
ッタリングを行って、表面から厚さ４０ｎｍの表面層を
取り除くと、（ｃ）に示すように、ＧａＡｓのバルク・
スペクトルが観察される。このように、本発明のパルス
・レーザによる基板表面薄膜の除去方法によれば、エッ
チングやアニーリングなどの他の方法において観察され
るような、Ａｓ成分の減少は観察されない。
ッタリングを行って、表面から厚さ４０ｎｍの表面層を
取り除くと、（ｃ）に示すように、ＧａＡｓのバルク・
スペクトルが観察される。このように、本発明のパルス
・レーザによる基板表面薄膜の除去方法によれば、エッ
チングやアニーリングなどの他の方法において観察され
るような、Ａｓ成分の減少は観察されない。
【００４７】従って、ＧａＡｓ基板に対してＫｒＦエキ
シマ・レーザ照射によって与えられる物理的ならびに化
学的ダメージは、極めて少ないものと考えることができ
る。
シマ・レーザ照射によって与えられる物理的ならびに化
学的ダメージは、極めて少ないものと考えることができ
る。
【００４８】なお、上記においては、ＳｉＯ2薄膜が除
去された後のＧａＡｓ基板表面の状態に関して説明した
が、図７に示すように、ＧａＡｓ基板から剥離されたＳ
ｉＯ2薄膜は、ＧａＡｓ基板上に形成されたときと同一
の形状を保ったままで剥離されることになる。従って、
本発明のパルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
によれば、予め基板表面に所望の微細形状の薄膜を形成
しておき、その後にパルス・レーザを照射して当該基板
表面から所望の微細形状の薄膜を剥離することにより、
所望の微細形状（微細構造）の立体物を作製することが
できるようになるものであり、微細加工技術に応用する
ことができる。
去された後のＧａＡｓ基板表面の状態に関して説明した
が、図７に示すように、ＧａＡｓ基板から剥離されたＳ
ｉＯ2薄膜は、ＧａＡｓ基板上に形成されたときと同一
の形状を保ったままで剥離されることになる。従って、
本発明のパルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
によれば、予め基板表面に所望の微細形状の薄膜を形成
しておき、その後にパルス・レーザを照射して当該基板
表面から所望の微細形状の薄膜を剥離することにより、
所望の微細形状（微細構造）の立体物を作製することが
できるようになるものであり、微細加工技術に応用する
ことができる。
【００４９】また、本発明のパルス・レーザによる基板
表面薄膜の除去方法において用いるパルス・レーザとし
ては、熱的効果が低く、かつ光的効果（光子の運動、光
化学分解）の大きい短波長のパルス・レーザが好まし
く、例えば、６００ｎｍ以下のパルス・レーザを用いる
ことが望ましい。
表面薄膜の除去方法において用いるパルス・レーザとし
ては、熱的効果が低く、かつ光的効果（光子の運動、光
化学分解）の大きい短波長のパルス・レーザが好まし
く、例えば、６００ｎｍ以下のパルス・レーザを用いる
ことが望ましい。
【００５０】しかしながら、基板の材質と、基板表面に
付着された薄膜の材質との関係によって、６００ｎｍ以
上のパルス・レーザを用いてもよいことは勿論である。
付着された薄膜の材質との関係によって、６００ｎｍ以
上のパルス・レーザを用いてもよいことは勿論である。
【００５１】図８には、基板の材質と、基板表面に付着
された薄膜の材質と、基板に照射するパルス・レーザの
波長との関係を示した表が示されており、合わせてその
応用分野も示されている。図８に示されているように、
基板として半導体を用い、基板に付着された薄膜の材質
がＬｉＮｂＯ3やＤｉａｍｏｎｄ（ダイヤモンド）であ
る場合には、６００ｎｍ以上の波長のパルス・レーザを
使用することができる。
された薄膜の材質と、基板に照射するパルス・レーザの
波長との関係を示した表が示されており、合わせてその
応用分野も示されている。図８に示されているように、
基板として半導体を用い、基板に付着された薄膜の材質
がＬｉＮｂＯ3やＤｉａｍｏｎｄ（ダイヤモンド）であ
る場合には、６００ｎｍ以上の波長のパルス・レーザを
使用することができる。
【００５２】なお、上記実施例においては、１パルスの
照射によりＧａＡｓ基板表面からＳｉＯ2薄膜を除去す
ることができたが、１パルスによりＧａＡｓ基板表面か
らＳｉＯ2薄膜を除去できない場合には、複数パルス照
射するようにしてもよい。
照射によりＧａＡｓ基板表面からＳｉＯ2薄膜を除去す
ることができたが、１パルスによりＧａＡｓ基板表面か
らＳｉＯ2薄膜を除去できない場合には、複数パルス照
射するようにしてもよい。
【００５３】また、上記実施例においては、短波長パル
ス・レーザとしてエキシマ・レーザのＫｒＦエキシマ・
レーザを用いたが、これに限られることなしに、上記し
た図８に例示するように、基板の材質と、基板表面に付
着された薄膜の材質との関係から、適宜の波長のパルス
・レーザを用いることができるものであり、例えば、Ｘ
ｅＣｌエキシマ・レーザ（波長３０８ｎｍ）、ＡｒＦエ
キシマ・レーザ（波長１９３ｎｍ）などのエキシマ・レ
ーザの他に、波長が６００ｎｍ以下の短波長のパルス状
の出力ビームである固体レーザ、半導体レーザなどや、
波長が６００ｎｍ以上のパルス・レーザを適宜用いるこ
とができることは勿論である。また、パルス幅に関して
も、適宜設定することができる。
ス・レーザとしてエキシマ・レーザのＫｒＦエキシマ・
レーザを用いたが、これに限られることなしに、上記し
た図８に例示するように、基板の材質と、基板表面に付
着された薄膜の材質との関係から、適宜の波長のパルス
・レーザを用いることができるものであり、例えば、Ｘ
ｅＣｌエキシマ・レーザ（波長３０８ｎｍ）、ＡｒＦエ
キシマ・レーザ（波長１９３ｎｍ）などのエキシマ・レ
ーザの他に、波長が６００ｎｍ以下の短波長のパルス状
の出力ビームである固体レーザ、半導体レーザなどや、
波長が６００ｎｍ以上のパルス・レーザを適宜用いるこ
とができることは勿論である。また、パルス幅に関して
も、適宜設定することができる。
【００５４】さらにまた、上記実施例に示すように、有
機溶剤などの化学薬品を使用することなく、大気中にお
けるパルス・レーザの照射によるドライ・プロセスによ
り基板表面薄膜の除去を行うことができるため、ＣＣＤ
カメラ３２および表示装置３４を用いた観察、レーザ・
プローブによる表面反射率の測定、レーザ誘起表面振動
による音波の発生などの、処理中におけるリアル・タイ
ムのその場観察を行うことができる。
機溶剤などの化学薬品を使用することなく、大気中にお
けるパルス・レーザの照射によるドライ・プロセスによ
り基板表面薄膜の除去を行うことができるため、ＣＣＤ
カメラ３２および表示装置３４を用いた観察、レーザ・
プローブによる表面反射率の測定、レーザ誘起表面振動
による音波の発生などの、処理中におけるリアル・タイ
ムのその場観察を行うことができる。
【００５５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５６】基板表面に付着した薄膜たる基板表面薄膜
を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、基
板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基板
に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・レ
ーザを、基板表面から除去したい基板表面薄膜の領域部
位に対してのみ照射するという単一工程により、パルス
・レーザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみが基
板から剥離され、パルス・レーザを照射された領域部位
の基板表面薄膜のみを基板から除去することができるの
で、処理時間の短縮化、処理費用の低コスト化ならびに
除去パターンの多様化を図ることができるようになる。
を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、基
板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基板
に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・レ
ーザを、基板表面から除去したい基板表面薄膜の領域部
位に対してのみ照射するという単一工程により、パルス
・レーザを照射された領域部位の基板表面薄膜のみが基
板から剥離され、パルス・レーザを照射された領域部位
の基板表面薄膜のみを基板から除去することができるの
で、処理時間の短縮化、処理費用の低コスト化ならびに
除去パターンの多様化を図ることができるようになる。
【図１】本発明のパルス・レーザによる基板表面薄膜の
除去方法の処理対象である基板表面薄膜付着基板の断面
図である。
除去方法の処理対象である基板表面薄膜付着基板の断面
図である。
【図２】本発明のパルス・レーザによる基板表面薄膜の
除去方法を実施するためのシステムを示す概略構成説明
図である。
除去方法を実施するためのシステムを示す概略構成説明
図である。
【図３】本発明によるシステムにより、ＫｒＦエキシマ
・レーザの照射によってＧａＡｓ基板上に蒸着したＳｉ
Ｏ2薄膜を除去する前の基板表面薄膜付着基板の表面の
顕微鏡写真である。
・レーザの照射によってＧａＡｓ基板上に蒸着したＳｉ
Ｏ2薄膜を除去する前の基板表面薄膜付着基板の表面の
顕微鏡写真である。
【図４】図３に示す基板表面薄膜付着基板の表面の略半
面に対して、本発明によるシステムにより、５００ｍＪ
／ｃｍ2のエネルギー密度と２０ｎｓのパルス幅のＫｒ
Ｆエキシマ・レーザのパルス・ビームを１パルス照射し
た後の状態を示す顕微鏡写真である。
面に対して、本発明によるシステムにより、５００ｍＪ
／ｃｍ2のエネルギー密度と２０ｎｓのパルス幅のＫｒ
Ｆエキシマ・レーザのパルス・ビームを１パルス照射し
た後の状態を示す顕微鏡写真である。
【図５】（ａ）は、図４に示す基板表面薄膜付着基板の
アセトンの中での超音波洗浄後における、ＫｒＦエキシ
マ・レーザを照射された領域と照射されない領域との境
界が部位を示す顕微鏡写真であり、（ｂ）は、（ａ）中
の白枠部分の拡大写真である。
アセトンの中での超音波洗浄後における、ＫｒＦエキシ
マ・レーザを照射された領域と照射されない領域との境
界が部位を示す顕微鏡写真であり、（ｂ）は、（ａ）中
の白枠部分の拡大写真である。
【図６】オージェ電子分光法（ＡＥＳ）によってＧａＡ
ｓ基板表面の組成比を分析した結果によるＡＥＳスペク
トルを示し、（ａ）は、大気中でＫｒＦエキシマ・レー
ザを照射した後に、ＳｉＯ2薄膜が除去された後のＧａ
Ａｓ基板表面のＡＥＳスペクトルであり、（ｂ）は、
（ａ）に示すスペクトルを備えたＧａＡｓ基板に対し
て、５秒間だけアルゴン・イオン・スパッタリングを行
って、表面から厚さ３ｎｍの表面層を取り除いた後のＡ
ＥＳスペクトルを示し、（ｃ）は、（ａ）に示すスペク
トルを備えたＧａＡｓ基板に対して、１分間までアルゴ
ン・イオン・スパッタリングを行って、表面から厚さ４
０ｎｍの表面層を取り除いた後のＡＥＳスペクトルを示
す。
ｓ基板表面の組成比を分析した結果によるＡＥＳスペク
トルを示し、（ａ）は、大気中でＫｒＦエキシマ・レー
ザを照射した後に、ＳｉＯ2薄膜が除去された後のＧａ
Ａｓ基板表面のＡＥＳスペクトルであり、（ｂ）は、
（ａ）に示すスペクトルを備えたＧａＡｓ基板に対し
て、５秒間だけアルゴン・イオン・スパッタリングを行
って、表面から厚さ３ｎｍの表面層を取り除いた後のＡ
ＥＳスペクトルを示し、（ｃ）は、（ａ）に示すスペク
トルを備えたＧａＡｓ基板に対して、１分間までアルゴ
ン・イオン・スパッタリングを行って、表面から厚さ４
０ｎｍの表面層を取り除いた後のＡＥＳスペクトルを示
す。
【図７】本発明のパルス・レーザによる基板表面薄膜の
除去方法により、ＧａＡｓ基板から剥離されたＳｉＯ2
薄膜を示す顕微鏡写真である。
除去方法により、ＧａＡｓ基板から剥離されたＳｉＯ2
薄膜を示す顕微鏡写真である。
【図８】基板の材質と、基板表面に付着された薄膜の材
質と、基板に照射するパルス・レーザの波長との関係な
らびにその応用分野を示す表である。
質と、基板に照射するパルス・レーザの波長との関係な
らびにその応用分野を示す表である。
１０ ＫｒＦエキシマ・レーザ発振器 １２ ビーム・ホモジャイザ １４ 電動アパーチャ １４ａ アパーチャ １６ 電動ステージ １８ 集光レンズ ２０ ベルト・コンベア ２２ スピード・コントローラ ２４ ミラー ２６ パワー計測器 ２８ インターフェース ３０ 制御部 ３０ａ ＣＰＵ ３０ｂ ＲＯＭ ３０ｃ ＲＡＭ ３２ ＣＣＤカメラ ３４ 表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−296623（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−15625（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−119725（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188620（ＪＰ，Ａ) 米国特許4172741（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/302 B23K 26/00
Claims (8)
- 【請求項１】 基板表面に付着した薄膜たる基板表面薄
膜を除去するための基板表面薄膜の除去方法において、 基板表面薄膜に対して透明な波長を有するとともに、基
板に対して吸収ならびに反射する波長を有するパルス・
レーザを、前記基板表面から除去したい前記基板表面薄
膜の領域部位に対してのみ照射して、該パルス・レーザ
を照射された領域部位の基板表面薄膜のみを単一工程に
より除去することを特徴とするパルス・レーザによる基
板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項２】 前記基板が半導体または磁性体であり、
前記薄膜がＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＬｉＮｂＯ３または
ダイヤモンドである請求項１記載のパルス・レーザによ
る基板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項３】 前記パルス・レーザの波長は短波長であ
る請求項１または２のいずれか１項に記載のパルス・レ
ーザによる基板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項４】 前記パルス・レーザの波長は６００ｎｍ
以下である請求項１または２のいずれか１項に記載のパ
ルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項５】 前記基板が半導体であり、前記薄膜がＬ
ｉＮｂＯ３またはダイヤモンドであるとき、前記パルス
・レーザの波長が６００ｎｍ以上である請求項１記載の
パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項６】 大気中において前記パルス・レーザを、
前記基板表面から除去したい前記基板表面薄膜の領域部
位に対してのみ照射する請求項１、２、３、４または５
のいずれか１項に記載のパルス・レーザによる基板表面
薄膜の除去方法。 - 【請求項７】 エキシマ・レーザをＳｉＯ２薄膜を付着
したＧａＡｓ基板上の所望の領域に照射し、前記ＧａＡ
ｓ基板上の前記所望の領域から前記ＳｉＯ２薄膜を剥離
させて除去することを特徴とするパルス・レーザによる
基板表面薄膜の除去方法。 - 【請求項８】 波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓ、エ
ネルギー密度５００ｍＪ／ｃｍ２のＫｒＦエキシマ・レ
ーザを、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ２薄膜を蒸着したＧａＡ
ｓ基板上の所望の領域に１パルス照射し、前記ＧａＡｓ
基板上の前記所望の領域から前記ＳｉＯ２薄膜を剥離さ
せて除去することを特徴とするパルス・レーザによる基
板表面薄膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12079694A JP3222316B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12079694A JP3222316B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307314A JPH07307314A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3222316B2 true JP3222316B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=14795215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12079694A Expired - Fee Related JP3222316B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222316B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343717A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
| JP5606024B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体加熱処理方法及び被処理体加熱処理装置 |
| JP2013021263A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜剥離装置および膜剥離方法 |
| KR102270936B1 (ko) * | 2019-06-17 | 2021-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP12079694A patent/JP3222316B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07307314A (ja) | 1995-11-21 |
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