JP3218801B2 - Defect detection device for solid-state imaging device, defect correction device using the same, and camera - Google Patents

Defect detection device for solid-state imaging device, defect correction device using the same, and camera

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JP3218801B2
JP3218801B2 JP13112393A JP13112393A JP3218801B2 JP 3218801 B2 JP3218801 B2 JP 3218801B2 JP 13112393 A JP13112393 A JP 13112393A JP 13112393 A JP13112393 A JP 13112393A JP 3218801 B2 JP3218801 B2 JP 3218801B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子の画素
(点)欠陥を検出する欠陥検出装置及びこれを用いた欠
陥補正装置並びにカメラに関し、特に通常の撮像時にフ
ィールド読出し(フィールド蓄積モード)にて駆動され
る固体撮像素子の欠陥検出装置及びその欠陥補正装置
びにこれら装置を用いたカメラに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect detection device for detecting a pixel (point) defect of a solid-state image pickup device, a defect correction device using the same , and a camera , and more particularly to a field readout (field accumulation mode) during normal image pickup. defect detecting apparatus of a solid-state imaging element driven by and defect correction apparatus parallel
And a camera using these devices .

【0002】[0002]

【従来の技術】CCD等の半導体で形成した固体撮像素
子では、半導体の局部的な結晶欠陥等によって感度が低
下する欠陥画素が生じることがあり、このような場合、
その欠陥画素の撮像出力に起因する画質劣化が生じるこ
とが知られている。このような欠陥画素を検出する場
合、従来は、固体撮像素子の製造上の検査工程で膨大な
メモリやアベレージング装置など高価な装置を用いて検
出し、固体撮像素子毎にその欠陥画素についての欠陥デ
ータを付加して出荷するようにしており、セット内で自
動的に検出することは行っていなかった。したがって、
出荷以降に何らかのストレス要因で発生してしまう傷な
どに伴う画素欠陥には全く対処できなかった。
2. Description of the Related Art In a solid-state imaging device formed of a semiconductor such as a CCD, a defective pixel whose sensitivity is reduced due to a local crystal defect of the semiconductor may occur.
It is known that the image quality deteriorates due to the imaging output of the defective pixel. Conventionally, when such a defective pixel is detected, it is conventionally detected using an expensive device such as a huge memory or an averaging device in an inspection process in the manufacture of the solid-state imaging device, and the defective pixel is detected for each solid-state imaging device. They are shipped with defect data added, and have not been automatically detected in the set. Therefore,
Pixel defects due to scratches or the like caused by some stress factor after shipment could not be dealt with at all.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】そこで、近年、ビデオ
カメラなどの機器に組み込んだ状態でも、欠陥画素を検
出してこれを補正できる欠陥検出補正システムが提案さ
れている。ところで、通常問題となる欠陥のレベルは非
常に小さいため欠陥画素を簡単には検出することができ
ない。その検出感度を上げるべく信号を増幅すると、ノ
イズも一緒に増幅されてしまう。このため、欠陥のレベ
ルだけを効果的に増幅することにより、検出感度を向上
できることが望まれる。
In recent years, therefore, there has been proposed a defect detection / correction system which can detect and correct defective pixels even when the defective pixels are incorporated in a device such as a video camera. By the way, since the level of a defect which is usually a problem is very small, a defective pixel cannot be easily detected. If the signal is amplified to increase the detection sensitivity, noise is also amplified. Therefore, it is desired that the detection sensitivity can be improved by effectively amplifying only the defect level.

【0004】また、最近では、ビデオカメラで手振れ補
正を行う方法の1つとして、通常の撮像時に必要とする
画素数よりも多い画素数を有する固体撮像素子、例えば
NTSC方式TV信号を導出する場合にはPAL方式対
応の固体撮像素子を用い、その画素領域の一部分を手振
れ補正に使用する方法が知られている。この手振れ補正
機能を有する固体撮像素子の場合には、実際の動作上で
は、後で詳述するように、通常の読出し駆動ではなく、
使用しない画素の信号電荷を掃き捨てる動作が行われ
る。したがって、この種の固体撮像素子の欠陥検出を行
う場合、上述した駆動条件の下では、一部分の画素の信
号電荷が掃き捨てられてしまうことから、全画素の情報
を読み取れないことになる。
Recently, as one method of performing camera shake correction with a video camera, a method of deriving a solid-state imaging device having a larger number of pixels than that required for normal imaging, for example, an NTSC system TV signal. There is known a method in which a solid-state imaging device compatible with the PAL system is used, and a part of the pixel region is used for camera shake correction. In the case of a solid-state imaging device having this camera shake correction function, in actual operation, as will be described in detail later, instead of normal read driving,
An operation of sweeping out signal charges of unused pixels is performed. Therefore, when performing this type of solid-state imaging device defect detection, the signal charges of some pixels are swept away under the above-described driving conditions, so that information of all pixels cannot be read.

【0005】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、欠陥のレベルだけを
効果的に増幅することで欠陥画素を精度良く検出でき、
しかも手振れ補正機能を有する固体撮像素子にも対応可
能な欠陥検出装置及びこれを用いた欠陥補正装置並びに
カメラを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to detect a defective pixel accurately by effectively amplifying only the defect level.
In addition, a defect detection device capable of supporting a solid-state imaging device having a camera shake correction function, a defect correction device using the same , and
It is to provide a camera .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明による欠陥検出装
置は、マトリクス状に2次元配列されたフォトセンサ及
びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直転送レジ
スタを具備した固体撮像素子において、フォトセンサか
ら垂直転送レジスタへ信号電荷を読み出すための読み出
しパルス及び垂直転送レジスタを駆動して信号電荷を垂
直転送するための垂直転送クロックを発生するととも
に、通常の撮像時には固体撮像素子をフィールド読出し
にて駆動し、欠陥検出時に固体撮像素子をフレーム読
出しにて駆動するタイミングジェネレータと、欠陥検出
時に上記読出しパルスの発生を4以上の偶数の数のフィ
ールドだけ停止し、その後に当該読み出しパルスを発生
させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ上記垂直
転送クロックを連続して発生させて全ての画素の信号電
荷を出力させるべくタイミングジェネレータを制御する
制御手段と、固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて
欠陥画素を検出する欠陥検出手段と、この欠陥画素につ
いての欠陥データを記憶するメモリとを備えた構成とな
っている。また、本発明による欠陥補正装置は、上記構
成の欠陥検出装置を用いるとともに、メモリから読み出
した欠陥データによって与えられるタイミングで欠陥補
正パルスを発生する補正パルス発生手段と、欠陥補正パ
ルスに応答して固体撮像素子の撮像出力に対して欠陥補
正を行う欠陥補正手段とを備えた構成となっている。そ
して、この欠陥検出装置は、固体撮像素子を撮像デバイ
スとするカメラに用いられる。
According to the present invention, there is provided a defect detection apparatus comprising: a solid-state imaging device having photosensors arranged two-dimensionally in a matrix and vertical transfer registers arranged for each vertical column of the photosensors; A read pulse for reading signal charges from the photosensor to the vertical transfer register and a vertical transfer clock for driving the vertical transfer register to vertically transfer the signal charges are generated, and during normal imaging, the solid-state image sensor is field-read.
Driven by, at the time of defect detection stop state imaging device and a timing generator for driving at frame read only Fi <br/> Rudo number of 4 or more even occurrence of the read pulse during defect detection, then Generates the read pulse
To read the signal charges of all the pixels, and continuously generate the vertical transfer clock to generate the signal charges of all the pixels.
A control unit for controlling a timing generator to output a load; a defect detection unit for detecting a defective pixel based on an imaging output level of the solid-state imaging device; and a memory for storing defect data for the defective pixel It has become. Further, the defect correction device according to the present invention uses the defect detection device having the above configuration, and generates a correction pulse at a timing given by the defect data read from the memory. Defect correction means for performing defect correction on the imaging output of the solid-state imaging device. This defect detection device is used for a camera that uses a solid-state imaging device as an imaging device.

【0007】[0007]

【作用】一般的な駆動方式として採用されているフィー
ルド読出しにて駆動される固体撮像素子において、欠陥
検出時にはフレーム読出しにて駆動し、しかも長時間蓄
積駆動にて欠陥検出を行う。フレーム読出し駆動では、
各画素に蓄積された信号電荷を2フィールドに亘って画
素混合無しで読み出すことができる。したがって、画素
単位での欠陥検査を短時間で行うことができる。しか
も、長時間蓄積によって欠陥のレベルだけを増幅できる
ため、欠陥画素を精度良く検出できる。また、長時間蓄
積の際に、読出しパルスの発生を4以上の偶数の数の
ィールドだけ停止し、その後に当該読み出しパルスを発
生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ上記垂
直転送クロックを連続して発生させて全ての画素の信号
電荷を出力させることにより、全画素の情報を読み取る
ことができるため、手振れ補正対応の固体撮像素子にお
いても、全ての画素について欠陥検査を行える。
In a solid-state image pickup device driven by field reading, which is adopted as a general driving method, when a defect is detected, it is driven by frame reading, and the defect is detected by long-time accumulation driving. In frame read drive,
The signal charges accumulated in each pixel can be read out over two fields without pixel mixing. Therefore, it is possible to perform a defect inspection in a pixel unit in a short time. Moreover, since only the level of the defect can be amplified by the long-term accumulation, the defective pixel can be detected with high accuracy. Further, originating during prolonged storage, and stopped for four or more even number of full <br/> field generation of the read pulse, then to the read pulse
And read out the signal charges of all the pixels, and continuously generate the vertical transfer clock to generate the signal charges of all the pixels.
Read information of all pixels by outputting charge
Therefore , even in a solid-state imaging device that supports camera shake correction, defect inspection can be performed for all pixels.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、CCDカメラに適用された例えば
ディジタル信号処理構成の本発明の一実施例を示すブロ
ック図である。図1において、被写体はレンズ1及び絞
り(IRIS)2からなる光学系によってCCD固体撮像素子
3の撮像面上に結像される。この光学系の絞り2は、後
述する欠陥検出/補正時にマイコン4によって開閉制御
される。タイミングジェネレータ5は、適当なタイミン
グで各種の信号を発生し、CCD固体撮像素子3におけ
る各画素(フォトセンサ)からの垂直転送レジスタへの
信号電荷の読出し、垂直転送レジスタによる垂直転送、
水平転送レジスタによる水平転送等の駆動を行うための
ものである。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention having, for example, a digital signal processing configuration applied to a CCD camera. In FIG. 1, a subject is imaged on an imaging surface of a CCD solid-state imaging device 3 by an optical system including a lens 1 and an iris (IRIS) 2. The aperture 2 of the optical system is controlled to be opened and closed by the microcomputer 4 at the time of defect detection / correction described later. The timing generator 5 generates various signals at appropriate timing, reads out signal charges from each pixel (photo sensor) in the CCD solid-state imaging device 3 to a vertical transfer register, performs vertical transfer by the vertical transfer register,
This is for driving such as horizontal transfer by a horizontal transfer register.

【0009】図2に、手振れ補正機能を有するCCD固
体撮像素子3の一構成例を示す。同図において、マトリ
クス状に2次元配列された多数のフォトセンサ31と、
これらフォトセンサ31の垂直列毎に配されかつ読出し
ゲート32を介して読み出された信号電荷を垂直方向に
転送する複数本の垂直転送レジスタ33とによって撮像
部34が構成されている。垂直転送レジスタ33に読み
出された信号電荷は、1走査線に相当する部分ずつ順に
水平転送レジスタ35へ転送される。この1走査線分の
信号電荷は、水平転送レジスタ35によって水平方向に
順次転送されて電荷検出部36に供給される。
FIG. 2 shows an example of the configuration of a CCD solid-state imaging device 3 having a camera shake correction function. In the figure, a large number of photosensors 31 are two-dimensionally arranged in a matrix,
An image pickup section 34 is constituted by a plurality of vertical transfer registers 33 which are arranged for each vertical column of the photosensors 31 and transfer the signal charges read out via the readout gate 32 in the vertical direction. The signal charges read by the vertical transfer register 33 are sequentially transferred to the horizontal transfer register 35 by a portion corresponding to one scanning line. The signal charges for one scanning line are sequentially transferred in the horizontal direction by the horizontal transfer register 35 and supplied to the charge detection unit 36.

【0010】電荷検出部36は、例えばフローティング
・ディフュージョン・アンプによって構成され、水平転
送レジスタ35によって転送されてきた信号電荷を検出
して信号電圧に変換し、TV信号として出力する。水平
転送レジスタ35には不要電荷排出ゲート37が連続し
て設けられ、さらにこの不要電荷排出ゲート37には水
平転送レジスタ35中の電荷を排出する不要電荷排出ド
レイン38が連続して設けられている。この不要電荷排
出ドレイン38には、ポテンシャルが十分に深くなり、
不要電荷排出ゲート37が開いたときに、水平転送レジ
スタ35中に存在する電荷が流れ込めるような電圧が印
加されている。
The charge detecting section 36 is constituted by, for example, a floating diffusion amplifier, detects the signal charge transferred by the horizontal transfer register 35, converts the signal charge into a signal voltage, and outputs it as a TV signal. An unnecessary charge discharging gate 37 is continuously provided in the horizontal transfer register 35, and an unnecessary charge discharging drain 38 for discharging the charges in the horizontal transfer register 35 is continuously provided in the unnecessary charge discharging gate 37. . The potential of the unnecessary charge discharging drain 38 becomes sufficiently deep,
When the unnecessary charge discharging gate 37 is opened, a voltage is applied so that charges existing in the horizontal transfer register 35 can flow.

【0011】先述したタイミングジェネレータ5から
は、CCD固体撮像素子3のフォトセンサ31に蓄積さ
れた信号電荷を垂直転送レジスタ33に読み出す読出し
パルスXSG、この読出しパルスXSGによって読み出
された信号電荷を垂直転送する垂直転送クロックVCL
K、水平転送レジスタ35に転送された信号電荷を水平
転送する水平転送クロックHCLK、不要電荷排出ゲー
ト37をオン/オフ制御するドレインパルスSG、及び
後述するスイッチ39をオン/オフ制御するスイッチパ
ルスSP等の各種のタイミング信号が適宜発生される。
電荷検出部36の出力ラインと接地間には、スイッチ3
9及び抵抗40が直列接続されている。このスイッチ3
9は、通常はオフ(開)状態にあり、スイッチパルスS
Pが印加されることによってオン(閉)状態となり、出
力ラインを接地レベルとする。
From the above-described timing generator 5, a read pulse XSG for reading the signal charges accumulated in the photosensor 31 of the CCD solid-state image sensor 3 into the vertical transfer register 33, and the signal charges read by the read pulse XSG are vertically read. Vertical transfer clock VCL to transfer
K, a horizontal transfer clock HCLK for horizontally transferring the signal charges transferred to the horizontal transfer register 35, a drain pulse SG for turning on / off the unnecessary charge discharging gate 37, and a switch pulse SP for turning on / off a switch 39 described later. And the like are generated as appropriate.
A switch 3 is provided between the output line of the charge detection unit 36 and the ground.
9 and the resistor 40 are connected in series. This switch 3
9 is normally in the off (open) state, and the switch pulse S
When P is applied, the output line is turned on (closed), and the output line is set to the ground level.

【0012】上記構成の手振れ補正対応のCCD固体撮
像素子3としては、画面に写る範囲よりも大きな撮像面
積を有するもの、例えば、NTSC方式のTV信号を導
出する場合には、NTSC方式のものよりもライン数の
多いPAL方式対応のものが用いられる。そして、例え
ば上下方向の手振れ補正の際には、撮像部34の上下の
不用部分の信号電荷を高速の垂直転送クロックVCLK
によって高速転送し、不要電荷排出ゲート37を介して
不要電荷排出ドレイン38に掃き捨て、NTSC方式に
相当するライン分の信号電荷のみ用いる。すなわち、こ
の上下の不用部分を、撮像中に生じる手振れ量(その検
出機構については図示せず)に応じた動きデータに基づ
いて移動させることで、CCD固体撮像素子3に写る面
のぶれが吸収され、手振れ補正が実現されるのである。
The CCD solid-state image pickup device 3 having the above-mentioned configuration and capable of correcting camera shake has an image pickup area larger than the range shown on the screen. For example, when an NTSC system TV signal is derived, it is better than the NTSC system. Also for the PAL system having a large number of lines is used. Then, for example, in the case of vertical camera shake correction, the signal charges in the upper and lower unnecessary parts of the imaging unit 34 are transferred to the high-speed vertical transfer clock VCLK.
High-speed transfer, is swept away to the unnecessary charge discharging drain 38 via the unnecessary charge discharging gate 37, and uses only the signal charges for the lines corresponding to the NTSC system. That is, by moving the upper and lower unnecessary portions based on motion data according to the amount of camera shake (the detection mechanism is not shown) generated during imaging, the blurring of the surface shown on the CCD solid-state imaging device 3 is absorbed. Thus, camera shake correction is realized.

【0013】CCD固体撮像素子3の撮像出力は、S/
H(サンプル/ホールド)&AGC(自動利得制御)回
路6を経た後、A/D変換器7でA/D変換されて例え
ば10bit のデータとして欠陥補正回路8及び欠陥検出
回路9に供給される。欠陥補正回路8で欠陥補正された
撮像出力は、信号処理回路10で各種の信号処理が行わ
れて輝度(Y)信号及びクロマ(C)信号として出力さ
れ、しかる後エンコーダ11を経てビデオ出力となる。
The imaging output of the CCD solid-state imaging device 3 is S / S
After passing through an H (sample / hold) & AGC (automatic gain control) circuit 6, it is A / D converted by an A / D converter 7 and supplied to a defect correction circuit 8 and a defect detection circuit 9 as, for example, 10-bit data. The image output corrected for defects by the defect correction circuit 8 is subjected to various kinds of signal processing in a signal processing circuit 10 and output as a luminance (Y) signal and a chroma (C) signal. Become.

【0014】欠陥検出回路9は、フレーム読出し駆動で
のCCD固体撮像素子3の撮像出力レベルを所定の検出
レベルと比較することによって欠陥画素を検出するコン
パレータ21と、このコンパレータ21の検出出力に基
づいて欠陥画素のアドレスを特定しかつこのフレーム読
出し駆動でのアドレスをフィールド読出し駆動でのアド
レスに変換するアドレス検出変換回路22と、このアド
レス検出変換回路22によって与えられるアドレスデー
タを奇数・偶数の各フィールド毎に記憶するRAM23
とから構成されている。RAM23からの読出しアドレ
スは補正パルス発生回路12に供給される。この補正パ
ルス発生回路12は、RAM23からの読出しアドレス
に応じたタイミングで欠陥補正パルスDEFを発生して
欠陥補正回路8に供給する。
The defect detecting circuit 9 compares the image pickup output level of the CCD solid-state image pickup device 3 in the frame readout drive with a predetermined detection level to detect a defective pixel, and based on the detection output of the comparator 21. Address detection and conversion circuit 22 for specifying the address of the defective pixel and converting the address in the frame readout drive to the address in the field readout drive, and converts the address data given by the address detection and conversion circuit 22 into odd and even numbers. RAM 23 for storing for each field
It is composed of The read address from the RAM 23 is supplied to the correction pulse generation circuit 12. The correction pulse generation circuit 12 generates a defect correction pulse DEF at a timing according to a read address from the RAM 23 and supplies the defect correction pulse DEF to the defect correction circuit 8.

【0015】ところで、通常、CCD固体撮像素子3の
欠陥画素は1画素単位で存在する。CCD固体撮像素子
3を、一般的な駆動方式として採用されているフィール
ド読出し駆動(フィールド蓄積モード)にて動作させた
場合、1フィールド期間蓄積されたフォトセンサ31の
信号電荷は、垂直方向の隣接する2画素間にて混合され
て出力されることになる。したがって、フィールド毎に
全ての画素の信号電荷が読み出され、1画素の欠陥はラ
インを変えて2フィールドに亘って出力される。このた
め、欠陥補正は1画素に対して2フィールドの補正が必
要となる。
By the way, usually, defective pixels of the CCD solid-state imaging device 3 exist in a unit of one pixel. When the CCD solid-state imaging device 3 is operated in a field read drive (field accumulation mode) adopted as a general driving method, signal charges of the photosensor 31 accumulated for one field period are adjacent to each other in the vertical direction. Are mixed and output between the two pixels. Therefore, signal charges of all pixels are read out for each field, and a defect of one pixel is output over two fields by changing the line. For this reason, defect correction requires two fields of correction for one pixel.

【0016】このことから、フィールド読出し駆動にて
欠陥検出を行おうとすると、2フィールドに亘る検査が
必要となる。すなわち、フィールド読出し駆動では、フ
ィールド毎に全画素が読み出されるため、各画素におけ
る信号電荷の蓄積時間を延長することによって欠陥レベ
ルを増幅する場合には、各フィールド毎に蓄積動作が必
要となり、蓄積時間が単純に2倍かかる計算となり、欠
陥検出に要する時間が長くなってしまう。図3は、フィ
ールド読出し駆動のタイミングチャートであり、(A)
は通常動作の場合を、(B)は長時間蓄積の場合をそれ
ぞれ示している。
For this reason, when trying to detect a defect by field read driving, inspection over two fields is required. That is, in the field read drive, all pixels are read for each field. Therefore, when the defect level is amplified by extending the accumulation time of the signal charge in each pixel, an accumulation operation is required for each field. The calculation simply takes twice as much time, and the time required for defect detection becomes longer. FIG. 3 is a timing chart of the field read drive, and FIG.
Shows the case of normal operation, and (B) shows the case of long-time accumulation.

【0017】図3において、VDはNTSC方式TV信
号の垂直同期信号、FLDは(EVEN/ODD)判別信号、XS
Gは各画素から信号電荷を読み出すための読出しパル
ス、ST/SPは欠陥検出開始/停止信号(立上がりが
開始、立下がりが停止)、VCLKは垂直転送クロッ
ク、S/H OUTはCCD固体撮像素子3の撮像出力のサ
ンプルホールド出力、Wパルスは欠陥検出パルス、DE
Fは欠陥補正パルスをそれぞれ示している。また、サン
プルホールド出力S/H OUTにおいて、パルスaはレベ
ルの小なる欠陥出力、パルスbはレベルの大なる欠陥出
力をそれぞれ表している。
In FIG. 3, VD is a vertical synchronization signal of an NTSC system TV signal, FLD is an (EVEN / ODD) discrimination signal, XS
G is a readout pulse for reading out signal charges from each pixel, ST / SP is a defect detection start / stop signal (rise starts, fall stops), VCLK is a vertical transfer clock, and S / H OUT is a CCD solid-state image sensor. 3, the sample hold output of the imaging output, W pulse is a defect detection pulse, DE
F indicates a defect correction pulse. In the sample-and-hold output S / H OUT, a pulse a indicates a defect output having a low level, and a pulse b indicates a defect output having a high level.

【0018】ところで、手振れ補正対応のシステムで
は、通常の読出し動作では、先述したようにNTSC分
の画素の信号電荷しか読み出されないため、使用する全
ての画素、本例ではPAL分の画素全ての検査ができな
いことになる。そこで、本発明では、欠陥検出に時間が
かからず、しかも手振れ補正対応のシステムにも適用し
得るように、欠陥検出時にはCCD固体撮像素子3をフ
レーム読出し駆動(フレーム蓄積モード)とし、かつ読
出しパルスXSG1,XSG2及び垂直転送クロックV
CLKのタイミングを制御するようにしている。なお、
この欠陥検出時には、当然のことながら、手振れ補正の
際の不用部分の信号電荷を掃き捨てる動作は行われない
ものとする。図4に、フレーム読出し駆動の場合のタイ
ミングチャートを示す。同図において、(A)は通常動
作の場合を、(B)は通常の長時間蓄積の場合を、
(C)は手振れ対応での長時間蓄積の場合をそれぞれ示
している。
By the way, in the system corresponding to the camera shake correction, in the normal read operation, only the signal charges of the pixels of NTSC are read out as described above, so that all the pixels to be used, in this example, all the pixels of PAL are read out. Inspection will not be possible. Therefore, in the present invention, the CCD solid-state imaging device 3 is set to a frame readout drive (frame accumulation mode) at the time of defect detection so that it does not take much time to detect a defect and can be applied to a system corresponding to camera shake correction. Pulses XSG1, XSG2 and vertical transfer clock V
The timing of CLK is controlled. In addition,
At the time of this defect detection, of course,
No action is taken to sweep away signal charges in unnecessary parts
Shall be. FIG. 4 shows a timing chart in the case of frame read driving. In the figure, (A) shows a case of normal operation, (B) shows a case of normal long-time accumulation,
(C) shows the case of long-time accumulation corresponding to camera shake, respectively.

【0019】ここで、手振れ補正対応のシステムの場合
には、全ての画素について欠陥検査を行うためには、
AL方式の画素数分の信号電荷を読み出す必要があり、
また先述したように、PAL方式ではNTSC方式に比
べてライン数が多く、その全画素分の信号電荷を1フィ
ールドの期間では読み出せないことから、片フィールド
の信号電荷を2フィールドに亘って読み出す必要がある
ことがわかる。そのため、奇数(ODD)と偶数(EV
EN)の両フィールドの信号電荷を各フィールドごとの
2フィールドに亘って読み出すには、例えば奇数フィー
ルドを読み出し、2フィールド後の偶数フィールドを読
み出そうとすると、そのときのフィールドが再び奇数フ
ィールドとなることから、偶数フィールドの読出しはそ
次のフィールド、即ち最初の奇数フィールドから3フ
ィールド目の偶数フィールドから行われることになるた
め、奇数/偶数両フィールドの全画素分の信号電荷を読
み出すのに、トータル5フィールドの時間がかかること
になる。また、そのときの各フィールド信号の読出しの
タイミングは3フィールド相当の時間だけずれている。
Here, in the case of a system for camera shake correction
In order to perform defect inspection on all pixels, P
Must read out the signal charges of the number of pixels at AL system is,
Also, as described above, the PAL system is more efficient than the NTSC system.
In all, the number of lines is large, and signal charges for all pixels are
Since the data cannot be read in the period of the field, it is understood that it is necessary to read the signal charges of one field over two fields. Therefore, odd (ODD) and even (EV)
EN) for each field.
To read over two fields, the odd fees
Field and read the even field two fields later.
If an attempt is made to read them out, the field at that time becomes an odd field again, so that the reading of the even field is performed three times after the next field, that is, the first odd field.
Since the operation is performed from the even field of the field , the signal charges for all pixels in both the odd and even fields are read.
It takes a total of five fields to find out . At this time, the read timing of each field signal is shifted by a time corresponding to three fields.

【0020】このように、両フィールドの読出しのタイ
ミングが3フィールド相当の時間だけずれることから
(図4(C)を参照)、両フィールドの信号電荷の蓄積
時間を揃えるためには、蓄積の開始タイミングを読出し
タイミングに合わせて予めずらしておく必要があり、よ
って蓄積の開始タイミングを3フィールド分ずらしてあ
る。このことから、蓄積するフィールド数をnとすれ
ば、フレーム読出し駆動でのトータルの検出時間は、n
+5フィールドとなる。このような駆動タイミングの読
出しでは、欠陥検出の開始時のフィールドに関係なく欠
陥画素の検出及びそのアドレスの記憶を終了することが
できる。すなわち、終了時のフィールドが異なるだけ
で、欠陥データの記憶に関してはどのフィールドが後で
も関係がない。
In this manner, the read time of both fields is
Because the ming shifts by 3 fields worth of time
(See FIG. 4 (C).) In order to make the accumulation times of the signal charges in both fields uniform, it is necessary to shift the accumulation start timing in advance in accordance with the readout timing. Staggered. From this, assuming that the number of fields to be stored is n, the total detection time in the frame read drive is n
+5 fields. In such readout of drive timing, detection of a defective pixel and storage of its address can be completed regardless of the field at the start of defect detection. In other words, only the field at the end is different, and it does not matter which field is used later for storing the defect data.

【0021】この駆動法では、信号電荷の読出しを停止
するタイミングを垂直同期信号VDのパルス数で指定す
ると、読出しパルスXSGを停止するのは、ST/SP
信号の立上がり(START)後の垂直同期信号VDの
カウント数で次に示すタイミングで行えば良い。すなわ
ち、停止する読出しパルスXSGは、1,3〜n−2,
n,n+1,n+3となる。例えば、図4(C)の場合
にはn=6に設定していることから、同図から明らかな
ように、停止する読出しパルスXSGは、1,3,4,
6,7,9となる。ここで、蓄積するフィールド数n
は、検出精度と検出下限の設定から4以上の偶数の数の
条件の下に任意に決められる値である。なお、読出しパ
ルスXSGの停止中は、垂直転送クロックVCLKは垂
直ブランキング中の変調がかからずに連続パルスとなる
ものとする。
In this driving method, when the timing for stopping the reading of the signal charge is designated by the number of pulses of the vertical synchronizing signal VD, the reading pulse XSG is stopped in ST / SP.
It may be performed at the following timing based on the count number of the vertical synchronization signal VD after the signal rise (START). That is, the read pulse XSG to be stopped is 1,3 to n−2,
n, n + 1, and n + 3. For example, in the case of FIG.
Since n = 6 is set in FIG.
As described above, the read pulse XSG to be stopped is 1, 3, 4,
6, 7, and 9. Here, the number n of fields to be stored
Is an even number of 4 or more from the setting of detection accuracy and detection lower limit .
It is a value arbitrarily determined under conditions . While the read pulse XSG is stopped, the vertical transfer clock VCLK is a continuous pulse without any modulation during vertical blanking.

【0022】上述したフレーム読出し駆動での欠陥検出
の動作は、マイコン4により、読出しパルスXSGの発
生を上記のタイミングで停止しかつこの停止期間中垂直
転送クロックVCLKを連続して発生させるようにタイ
ミングジェネレータ5を制御することによって実現され
る。このように、欠陥検出をフレーム読出し駆動で行う
ことにより、フィールド読出し駆動の場合に比して、検
出時間を大幅に短縮できる。図5に、例えば10フレー
ム(20フィールド)蓄積とした場合のタイミングチャ
ートを示す。同図において、(A)は通常の長時間蓄積
の場合を、(B)は手振れ対応での長時間蓄積の場合を
それぞれ示している。同図(B)の場合、トータルの検
出時間は、フレーム読出し駆動では20フィールド+5
フィールドの時間で済む。これに対し、フィールド読出
し駆動では、各フィールド毎に蓄積動作が必要なため、
蓄積時間が単純に2倍かかる。
The above-described defect detection operation in the frame read driving is performed by the microcomputer 4 so that the generation of the read pulse XSG is stopped at the above-described timing and the vertical transfer clock VCLK is continuously generated during the stop period. This is realized by controlling the generator 5. As described above, by performing the defect detection by the frame read drive, the detection time can be significantly reduced as compared with the case of the field read drive. FIG. 5 shows a timing chart when, for example, 10 frames (20 fields) are accumulated. In the same figure, (A) shows a case of normal long-time accumulation, and (B) shows a case of long-time accumulation corresponding to camera shake. In the case of FIG. 9B, the total detection time is 20 fields + 5 in the frame read driving.
It only takes time in the field. On the other hand, in the field read drive, since an accumulation operation is required for each field,
The accumulation time simply doubles.

【0023】次に、本発明に係る欠陥検出及び欠陥補正
のアルゴリズムにつき、図6のフローチャートにしたが
って説明する。CCDカメラの電源が投入されると、マ
イコン4は先ず、絞り2を閉じてCCD固体撮像素子3
への光入射が無い全黒の状態とし(ステップS1)、続
いてCCD固体撮像素子3をフレーム読出しにて駆動す
る(ステップS2)。続いて、CCD固体撮像素子3に
対してタイミングジェネレータ5から発生される読出し
パルスXSG1,XSG2を停止する(ステップS
3)。このように、読出しパルスXSG1,XSG2を
停止することで、図4(B)のタイミングチャートから
明かなように、各フォトセンサ31に信号電荷を長時間
蓄積できることから、画素欠陥信号を実質的に増幅でき
るため、欠陥画素を精度良く検出できることになる。
Next, an algorithm of defect detection and defect correction according to the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. When the power of the CCD camera is turned on, the microcomputer 4 first closes the aperture 2 and opens the CCD solid-state imaging device 3.
The CCD solid-state imaging device 3 is driven by frame reading (step S2). Subsequently, the read pulses XSG1 and XSG2 generated from the timing generator 5 for the CCD solid-state imaging device 3 are stopped (Step S).
3). By stopping the read pulses XSG1 and XSG2 in this manner, as is clear from the timing chart of FIG. 4B, signal charges can be accumulated in each of the photosensors 31 for a long time. Since amplification can be performed, defective pixels can be accurately detected.

【0024】次に、CCD固体撮像素子3の撮像出力を
検査信号として欠陥検出回路9のコンパレータ21に入
力する(ステップS4)。欠陥検出回路9においては、
CCD固体撮像素子3の撮像出力レベルが所定の検出レ
ベル以上となったときのコンパレータ21の比較出力に
よって欠陥画素を検出し(ステップS5)、続いてアド
レス検出変換回路22で欠陥画素のアドレスを検出する
とともに、このフレーム読出し駆動でのラインアドレス
をフィールド読出し駆動でのラインアドレスに変換し
(ステップS6,S7)、このラインアドレスデータを
RAM23に記憶する(ステップS8)。以上により、
フレーム読出し駆動での欠陥検出の一連の処理が終了す
る。
Next, the imaging output of the CCD solid-state imaging device 3 is input as an inspection signal to the comparator 21 of the defect detection circuit 9 (step S4). In the defect detection circuit 9,
A defective pixel is detected by the comparison output of the comparator 21 when the imaging output level of the CCD solid-state imaging device 3 becomes equal to or higher than a predetermined detection level (step S5), and then the address of the defective pixel is detected by the address detection conversion circuit 22. At the same time, the line address in the frame read drive is converted to the line address in the field read drive (steps S6 and S7), and the line address data is stored in the RAM 23 (step S8). From the above,
A series of processes of the defect detection in the frame read driving is completed.

【0025】欠陥検出の一連の処理の終了後、欠陥補正
を行う必要のある通常の撮像モードに移行すると(ステ
ップS9)、マイコン4による制御により、タイミング
ジェネレータ5はCCD固体撮像素子3をフィールド読
出しにて駆動する(ステップS10)。このフィールド
読出し駆動状態においては、RAM23から欠陥画素に
ついてのアドレスデータを読み出して補正パルス発生回
路12に与える(ステップS11)。補正パルス発生回
路12では、RAM23からの読出しデータで与えられ
るタイミングで欠陥補正パルスを発生し(ステップS1
2)、欠陥補正回路8に供給する。
After a series of processing for defect detection is completed, the mode shifts to a normal imaging mode in which defect correction needs to be performed (step S9). Under the control of the microcomputer 4, the timing generator 5 reads the CCD solid-state imaging device 3 in the field. (Step S10). In this field read driving state, the address data for the defective pixel is read from the RAM 23 and given to the correction pulse generation circuit 12 (step S11). The correction pulse generation circuit 12 generates a defect correction pulse at a timing given by the data read from the RAM 23 (step S1).
2), supply to the defect correction circuit 8;

【0026】欠陥補正回路8は、この欠陥補正パルスに
より、CCD出力中の欠陥画素についての撮像出力を特
定し、例えば、その欠陥画素の撮像出力を1画素前の画
素出力で置換することによって欠陥補正を行う(ステッ
プS13)。そして、レンズ絞り2が開いているか否か
を判断し(ステップS14)、開いていなければ、レン
ズ絞り2を開いてCCD固体撮像素子3へ光を入射させ
(ステップS15)、通常の撮像モードへ入る。以降、
撮像モードが終了するまで、上述した一連の欠陥補正の
処理を繰り返して実行する。
The defect correction circuit 8 specifies the imaging output of the defective pixel in the CCD output by using the defect correction pulse, and replaces the imaging output of the defective pixel with the pixel output of the immediately preceding pixel. Correction is performed (step S13). Then, it is determined whether or not the lens aperture 2 is open (step S14). If it is not open, the lens aperture 2 is opened and light is incident on the CCD solid-state imaging device 3 (step S15), and a normal imaging mode is set. enter. Or later,
Until the imaging mode ends, the above-described series of defect correction processing is repeatedly executed.

【0027】上述したように、欠陥検出時にはCCD固
体撮像素子3をフレーム読出しで、しかも長時間蓄積に
て駆動することにより、フレーム読出し駆動では各画素
に蓄積された信号電荷を2フィールドに亘って画素混合
無しで読み出すことができるため、画素単位での欠陥検
査を短時間で行うことができ、しかも長時間蓄積によっ
て欠陥のレベルだけを増幅できるため、欠陥画素を精度
良く検出できる。また、長時間蓄積の際に、読出しパル
スXSGの発生を所定フィールドだけ停止しかつこの停
止期間中垂直転送クロックVCLKを連続して発生させ
るようにしたことにより、CCD固体撮像素子3が手振
れ補正対応のものであっても、全ての画素について欠陥
検査を行うことができる。
As described above, the CCD solid-state image pickup device 3 is driven in a frame read mode for a long period of time when a defect is detected. In the frame read operation, the signal charges stored in each pixel are transmitted over two fields. Since reading can be performed without pixel mixing, defect inspection in a pixel unit can be performed in a short time, and since only a defect level can be amplified by accumulation for a long time, a defective pixel can be detected with high accuracy. In addition, in the case of long-time accumulation, the generation of the read pulse XSG is stopped only for a predetermined field, and the vertical transfer clock VCLK is continuously generated during the stop period. Defect inspection can be performed on all pixels.

【0028】なお、上記実施例では、手振れ補正対応の
CCD固体撮像素子3に適用した場合について説明した
が、本発明は、この種のCCD固体撮像素子にも対応で
きるものであって、これに限定されるものではなく、通
常のCCD固体撮像素子にも同様に対応でき、しかもN
TSC方式対応のものでも、PAL方式対応のものでも
全く同じ動作で画素欠陥を検出できる。また、上記実施
例においては、CCDビデオカメラにおける信号処理系
をディジタル的に構成した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、本発明は、アナログ的に
構成した場合にも適用し得るものである。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the CCD solid-state image pickup device 3 capable of correcting camera shake has been described. However, the present invention is applicable to this type of CCD solid-state image pickup device. The present invention is not limited to this.
Pixel defects can be detected by exactly the same operation regardless of whether it is compatible with the TSC system or PAL system. In the above embodiment, the case where the signal processing system in the CCD video camera is digitally described has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is also applicable to the case where the signal processing system is configured analogly. What you get.

【0029】さらに、タイミングジェネレータ5が垂直
同期信号VDを基準として全てのタイミング信号を生成
する構成の場合には、タイミングジェネレータ5に入力
する垂直同期信号VDに対し、読出しパルスXSGの発
生を停止したい部分にブランキングをかけるようにして
も、上記実施例の場合と同様の欠陥検出の駆動動作を実
現できる。
Further, when the timing generator 5 generates all timing signals based on the vertical synchronizing signal VD, it is desired to stop the generation of the read pulse XSG for the vertical synchronizing signal VD input to the timing generator 5. Even when blanking is applied to the portion, the same drive operation for defect detection as in the above embodiment can be realized.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一般的な駆動方式として採用されているフィールド読出
しにて駆動される固体撮像素子において、欠陥検出時に
はフレーム読出しで、しかも長時間蓄積にて駆動するよ
うにしたことにより、フレーム読出し駆動では各画素に
蓄積された信号電荷を2フィールドに亘って画素混合無
しで読み出すことができるため、画素単位での欠陥検査
を短時間で行うことができ、さらに長時間蓄積によって
欠陥のレベルだけを増幅できるため、欠陥画素を精度良
く検出できることになる。
As described above, according to the present invention,
In a solid-state imaging device driven by field reading, which is adopted as a general driving method, a frame is read when a defect is detected, and driving is performed by accumulation for a long time. Since the stored signal charges can be read out without mixing pixels over two fields, defect inspection can be performed in a short period of time on a pixel-by-pixel basis, and furthermore, only a defect level can be amplified by long-time accumulation. Defective pixels can be accurately detected.

【0031】また、長時間蓄積駆動の際に、読出しパル
スの発生を4以上の偶数の数のフィールドだけ停止し、
その後に当該読み出しパルスを発生させて全ての画素の
信号電荷を読み出し、かつ上記垂直転送クロックを連続
して発生させて全ての画素の信号電荷を出力させるよう
にしたことにより、全画素の情報を読み取ることができ
るため、手振れ補正対応の固体撮像素子においても、全
ての画素について欠陥検査を行えることになる。さら
に、読出しパルスと垂直転送クロックのタイミング制御
のみで簡単に実現できるため、現行のカメラシステムに
も容易に適用できることになる。
In addition, during the long-time accumulation driving, generation of the read pulse is stopped for an even number of fields of 4 or more ,
After that, the read pulse is generated to
By reading the signal charges and continuously generating the vertical transfer clock to output the signal charges of all the pixels, the information of all the pixels can be read.
Because, in the corresponding solid-state imaging device camera shake correction, thereby capable of performing a defect inspection for all the pixels. Furthermore, since it can be easily realized only by the timing control of the read pulse and the vertical transfer clock, it can be easily applied to the current camera system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】CCDカメラに適用されたディジタル信号処理
構成の本発明の一実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention having a digital signal processing configuration applied to a CCD camera.

【図2】手振れ補正対応のCCD固体撮像素子の一構成
例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of a CCD solid-state imaging device that supports camera shake correction.

【図3】フィールド読出し駆動時のタイミングチャート
であり、(A)は通常動作の場合を、(B)は手振れ対
応、長時間蓄積の場合をそれぞれ示している。
FIGS. 3A and 3B are timing charts at the time of field read driving, in which FIG. 3A shows a case of normal operation, and FIG. 3B shows a case of camera shake response and long-time accumulation.

【図4】フレーム読出し駆動時のタイミングチャートで
あり、(A)は通常動作の場合を、(B)は通常の長時
間蓄積の場合を、(C)は手振れ対応での長時間蓄積の
場合をそれぞれ示している。
4A and 4B are timing charts at the time of frame readout driving, where FIG. 4A shows a case of normal operation, FIG. 4B shows a case of normal long-time accumulation, and FIG. 4C shows a case of long-time accumulation for camera shake. Are respectively shown.

【図5】10フレーム(20フィールド)蓄積時のタイ
ミングチャートであり、(A)は通常の長時間蓄積の場
合を、(B)は手振れ対応での長時間蓄積の場合をそれ
ぞれ示している。
5A and 5B are timing charts at the time of accumulation of 10 frames (20 fields), where FIG. 5A shows a case of normal long-time accumulation and FIG. 5B shows a case of long-time accumulation corresponding to camera shake.

【図6】本発明に係る欠陥検出及び欠陥補正のアルゴリ
ズムを示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an algorithm of defect detection and defect correction according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 CCD固体撮像素子 4 マイコン 5 タイミングジェネレータ 8 欠陥補正回路 9 欠陥検出回路 12 補正パルス発生回路 21 コンパレータ 22 アドレス検出変換回路 23 RAM Reference Signs List 3 CCD solid-state imaging device 4 Microcomputer 5 Timing generator 8 Defect correction circuit 9 Defect detection circuit 12 Correction pulse generation circuit 21 Comparator 22 Address detection conversion circuit 23 RAM

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/335 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H04N 5/335

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マトリクス状に2次元配列されたフォト
センサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直
転送レジスタを具備した固体撮像素子において、 前記フォトセンサから前記垂直転送レジスタへ信号電荷
を読み出すための読み出しパルス及び前記垂直転送レジ
スタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送
クロックを発生するとともに、通常の撮像時には前記固
体撮像素子をフィールド読出しにて駆動し、欠陥検出時
前記固体撮像素子をフレーム読出しにて駆動するタ
イミングジェネレータと、 欠陥検出時に前記読出しパルスの発生を4以上の偶数の
数のフィールドだけ停止し、その後に前記読み出しパル
スを発生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ
前記垂直転送クロックを連続して発生させて全ての画素
の信号電荷を出力させるべく前記タイミングジェネレー
タを制御する制御手段と、 前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素
を検出する欠陥検出手段と、 前記欠陥画素についての欠陥データを記憶するメモリと
を備えたことを特徴とする欠陥検出装置。
1. A solid-state imaging device comprising a photosensor two-dimensionally arranged in a matrix and vertical transfer registers arranged for each vertical column of the photosensors, wherein a signal charge is transferred from the photosensor to the vertical transfer register. together with the read pulses and to drive the vertical transfer register to generate the vertical transfer clock for vertical transfer of signal charges to be read, the solid in normal imaging
Drives the body image pickup device in the field reading, at the time of defect detection <br/> the timing generator for solid-state image pickup element driving at frame readout, four or more even occurrence of the read pulse when the defect detection
Number of fields and then the readout pulse
To read out the signal charges of all the pixels, and to continuously generate the vertical transfer clocks to read out all the pixels.
Control means for controlling the timing generator so as to output the signal charge of the defect, defect detection means for detecting a defective pixel based on an imaging output level of the solid-state imaging device, and a memory for storing defect data for the defective pixel. A defect detection device comprising:
【請求項2】 前記固体撮像素子は、手振れ補正機能を
有することを特徴とする請求項1記載の欠陥検出装置。
2. The defect detection device according to claim 1, wherein the solid-state imaging device has a camera shake correction function.
【請求項3】 請求項1又は2記載の欠陥検出装置を用
いた欠陥補正装置であって、 前記メモリから読み出した欠陥データによって与えられ
るタイミングで欠陥補正パルスを発生する補正パルス発
生手段と、 前記欠陥補正パルスに応答して前記固体撮像素子の撮像
出力に対して欠陥補正を行う欠陥補正手段とを備えたこ
とを特徴とする欠陥補正装置。
3. A defect correction device using the defect detection device according to claim 1, wherein the correction pulse generation means generates a defect correction pulse at a timing given by defect data read from the memory; A defect correction unit that performs defect correction on an imaging output of the solid-state imaging device in response to a defect correction pulse.
【請求項4】 マトリクス状に2次元配列されたフォト
センサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直
転送レジスタを具備した固体撮像素子と、 前記フォトセンサから前記垂直転送レジスタへ信号電荷
を読み出すための読み 出しパルス及び前記垂直転送レジ
スタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送
クロックを発生するとともに、通常の撮像時には前記固
体撮像素子をフィールド読出しにて駆動し、欠陥検出時
には前記固体撮像素子をフレーム読出しにて駆動するタ
イミングジェネレータと を備えたことを特徴とする固体
撮像装置。
4. A photo two-dimensionally arranged in a matrix.
Sensors and verticals arranged for each vertical column of the photosensors
A solid-state imaging device having a transfer register; and a signal charge from the photosensor to the vertical transfer register.
Pulse and the vertical transfer register read for reading
Vertical transfer to drive the signal and vertically transfer the signal charge
A clock is generated, and during normal imaging, the fixed
When the body image sensor is driven by field reading and a defect is detected
Is a driver for driving the solid-state imaging device by frame reading.
A solid characterized by comprising an imming generator
Imaging device.
【請求項5】 マトリクス状に2次元配列されたフォト
センサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直
転送レジスタを有する固体撮像素子と、 前記フォトセンサから前記垂直転送レジスタへ信号電荷
を読み出すための読み出しパルス及び前記垂直転送レジ
スタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送
クロックを発生するとともに、通常の撮像時には前記固
体撮像素子をフィールド読出しにて駆動し、欠陥検出時
前記固体撮像素子をフレーム読出しにて駆動するタ
イミングジェネレータと、 欠陥検出時に前記読出しパルスの発生を4以上の偶数の
数のフィールドだけ停止し、その後に前記読み出しパル
スを発生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ
前記垂直転送クロックを連続して発生させて全ての画素
の信号電荷を出力させるべく前記タイミングジェネレー
タを制御する制御手段と、 前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素
を検出する欠陥検出手段と、 前記欠陥画素についての欠陥データを記憶するメモリと
を備えたことを特徴とするカメラ。
5. A solid-state imaging device having photosensors arranged two-dimensionally in a matrix and vertical transfer registers arranged for each vertical column of the photosensors, and reading out signal charges from the photosensors to the vertical transfer registers. And a vertical transfer clock for vertically transferring signal charges by driving the vertical transfer register, and at the time of ordinary imaging , the fixed transfer signal is read.
Drives the body image pickup device in the field reading, at the time of defect detection <br/> the timing generator for solid-state image pickup element driving at frame readout, four or more even occurrence of the read pulse when the defect detection
Number of fields and then the readout pulse
To read out the signal charges of all the pixels, and to continuously generate the vertical transfer clocks to read out all the pixels.
Control means for controlling the timing generator so as to output the signal charge of the defect, defect detection means for detecting a defective pixel based on an imaging output level of the solid-state imaging device, and a memory for storing defect data for the defective pixel. A camera comprising:
【請求項6】 請求項5記載のカメラにおいてさらに、 前記メモリから読み出した欠陥データによって与えられ
るタイミングで欠陥補正パルスを発生する補正パルス発
生手段と、 前記欠陥補正パルスに応答して前記固体撮像素子の撮像
出力に対して欠陥補正を行う欠陥補正手段とを備えたこ
とを特徴とするカメラ。
6. The camera according to claim 5, further comprising: a correction pulse generator that generates a defect correction pulse at a timing given by the defect data read from the memory; and the solid-state imaging device in response to the defect correction pulse. And a defect correcting means for performing defect correction on the imaging output of the camera.
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