JP3214662B2 - 放電灯用点灯装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はメタルハライドラン
プ又は水銀灯等（ＨＩＤランプ）の放電灯用点灯装置、
特に放電灯が点灯を開始するまでの時間の短縮（クイッ
クスタート）を図った放電灯用点灯装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来の放電灯用点灯装置は例えば図５に
示すように、商用交流電源とコンデンサ入力型整流平滑
回路又はこれらと力率改善用直流コンバータ回路から構
成されかつ平滑な直流電力を発生する直流電源１と、直
流電源１の出力端子に入力側平滑コンデンサ２を介して
接続された交流変換回路（インバータ）３と、交流変換
回路３の出力端子に接続された放電灯４と、放電灯４の
点灯開始時に放電灯４に印加する高圧パルス電圧を発生
する高圧パルス発生回路５とを備えている。交流変換回
路３は、第１〜第４のＭＯＳ-ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効
果トランジスタ）６〜９をブリッジ接続して構成され、
第１及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ６、９と第２及び第３の
ＭＯＳ-ＦＥＴ７、８とを交互にオン・オフ動作させる
ことにより、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ６、７の接
続点及び第３及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ８、９の接続点
から矩形波交流電圧を発生する。このときの第１〜第４
のＭＯＳ-ＦＥＴ６〜９のドレイン−ソース間電圧Ｖ_DS1
〜Ｖ_DS4の波形を図６(Ａ)〜(Ｄ)にそれぞれ示す。図６
(Ａ)〜(Ｄ)において、第１〜第４のＭＯＳ-ＦＥＴ６〜
９のドレイン−ソース間電圧Ｖ_DS1〜Ｖ_DS4が０Ｖのとき
はＭＯＳ-ＦＥＴがオン状態を示し、高レベル電圧のと
きはＭＯＳ-ＦＥＴがオフ状態を示している。また、高
圧パルス発生回路５は、第１及び第３のＭＯＳ-ＦＥＴ
６、８の接続点と第２及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ７、９
の接続点との間に直列接続された直列抵抗１０及び高圧
発生用コンデンサ１１と、直列抵抗１０及び高圧発生用
コンデンサ１１の接続点に接続される１次巻線１２aと
放電灯４に直列に接続される２次巻線１２bとを有する
高圧発生用トランス１２と、高圧発生用コンデンサ１１
及び高圧発生用トランス１２の１次巻線１２aに対して
直列に接続されたＮＰＮ形トランジスタ１３と、直列抵
抗１０及び高圧発生用コンデンサ１１の接続点とＮＰＮ
形トランジスタ１３のベース端子との間に直列接続され
たトリガ素子としてのサイダック（双方向性２端子サイ
リスタ：ＳＳＳ）１４及び直列抵抗１５とから構成され
ている。また、放電灯４にはメタルハライドランプ又は
水銀灯等（ＨＩＤランプ）の放電電極を有するものが使
用される。

【０００３】図５に示す構成において、直流電源１から
交流変換回路３の直流入力端子にリプル成分を含まない
３００Ｖ程度の平滑な直流電圧が供給され、第１及び第
４のＭＯＳ-ＦＥＴ６、９と第２及び第３のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ７、８とを図６(Ａ)〜(Ｄ)に示すタイミングで交互に
オン・オフ動作させると、放電灯４に矩形波交流電圧が
印加される。これと共に、入力側平滑コンデンサ２が充
電され、入力側平滑コンデンサ２の充電電圧により直列
抵抗１０を通して高圧パルス発生回路５内の高圧発生用
コンデンサ１１が徐々に充電される。高圧発生用コンデ
ンサ１１の充電電圧がサイダック１４のブレークオーバ
ー電圧以上になると、サイダック１４が導通状態とな
り、直列抵抗１５を通してＮＰＮ形トランジスタ１３の
ベース端子に電流が流れてＮＰＮ形トランジスタ１３が
オン状態となる。このとき、高圧発生用コンデンサ１
１、高圧発生用トランス１２の１次巻線１２a及びＮＰ
Ｎ形トランジスタ１３の経路で高圧発生用コンデンサ１
１の放電電流が流れ、高圧発生用トランス１２の２次巻
線１２bに５kＶ程度の高圧パルス電圧が発生する。この
高圧パルス電圧は、交流変換回路３の矩形波交流電圧に
重畳されて放電灯４に数秒間に亘り数回印加され、放電
灯４が点灯を開始する。このときの放電灯４の両端の電
圧Ｖ_OUTの波形を図７に示す。放電灯４の点灯開始後
は、放電灯４のインピーダンスが低くなり、高圧発生用
コンデンサ１１の充電電圧がサイダック１４のブレーク
オーバー電圧以下となるので、サイダック１４が阻止状
態となり、ＮＰＮ形トランジスタ１３がオフ状態とな
る。これにより、高圧パルス発生回路５から放電灯４へ
の高圧パルス電圧の印加が停止され、これ以降は交流変
換回路３の矩形波交流電圧により放電灯４に矩形波交流
電流が流れ続け、放電灯４の点灯状態が維持される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の放電
灯用点灯装置では、サイダック１４等の高価なトリガ素
子を特別に必要とするため、製造コストが高騰する欠点
があった。また、直列抵抗１０、高圧発生用コンデンサ
１１及びサイダック１４の電気的特性のばらつきによ
り、高圧パルス発生回路５の高圧パルス電圧の値がばら
ついたり、発生周期が不規則となる場合がある。特に、
メタルハライドランプ又は水銀灯等の放電電極を有する
放電灯４は、単発の高圧パルス電圧が印加されたのみで
は点灯を開始しないので、放電灯４が点灯を開始するま
での数秒間に亘って複数発の高圧パルス電圧を印加する
必要がある。また、放電灯４は図７の符号Ｈで示す高圧
パルス電圧印加後のオープン電圧期間ができるだけ長い
方が点灯し易い特性を有するため、放電灯４への高圧パ
ルス電圧の印加時点は第１及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ
６、９のオン期間中のできるだけ前の時点が望ましい。
したがって、高圧パルス発生回路５の高圧パルス電圧の
発生周期が不規則になると、図７に示すように高圧パル
ス電圧印加後のオープン電圧期間Ｈにばらつきを生じる
ため、放電灯４が点灯を開始するまでの時間が長くなる
欠点があった。

【０００５】そこで、本発明は放電灯を迅速に点灯させ
ることが可能な放電灯用点灯装置を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による放電灯用点
灯装置は、直流電力を発生する直流電源(1)と、直流電
源(1)の出力端子に接続されかつ交流出力を発生する交
流変換回路(3)と、交流変換回路(3)の出力端子に接続さ
れた放電灯(4)と、放電灯(4)の点灯開始時に放電灯(4)
に印加する高圧パルス電圧を発生する高圧パルス発生回
路(21)とを備えている。この放電灯用点灯装置では、交
流変換回路(3)は、ブリッジ接続されかつ交互にオン・
オフ動作される第１及び第２のスイッチング素子(6, 7)
を備えている。高圧パルス発生回路(21)は、１次巻線(1
2a)及び放電灯(4)に印加する高圧パルス電圧を発生する
２次巻線(12b)を有する高圧発生用トランス(12)と、高
圧発生用トランス(12)の１次巻線(12a)と直列に接続さ
れた高圧発生用スイッチング素子(17, 22, 24)と、第１
のスイッチング素子(6)がオン状態でかつ第２のスイッ
チング素子(7)がオフ状態の時に交流変換回路(3)により
充電される高圧発生用コンデンサ(11)とを備えている。
第１のスイッチング素子(6)がオンからオフに切り替え
られかつ第２のスイッチング素子(7)がオフからオンに
切り替えられた時に、高圧発生用コンデンサ(11)に充電
されたエネルギが放出されて第２のスイッチング素子
(7)を通って電流が流れると共に、高圧発生用スイッチ
ング素子(17, 22, 24)がオンして高圧発生用コンデンサ
(11)に充電されたエネルギが高圧発生用スイッチング素
子(17, 22, 24)を通して高圧発生用トランス(12)の１次
巻線(12a)に印加され、これにより２次巻線(12b)に高圧
パルス電圧が発生する。

【０００７】放電灯(4)の点灯開始の際、第１のスイッ
チング素子(6)がオン状態でかつ第２のスイッチング素
子(7)がオフ状態の時、即ち、交流変換回路(3)の交流出
力電圧が一方の半周期の時に、交流変換回路(3)により
高圧パルス発生回路(21)内の高圧発生用コンデンサ(11)
が充電される。次に、第１のスイッチング素子(6)がオ
ンからオフに切り替えられかつ第２のスイッチング素子
(7)がオフからオンに切り替えられた時、即ち、交流出
力電圧が一方の半周期から他方の半周期に切り替えられ
た時に、高圧パルス発生回路(21)内の高圧発生用スイッ
チング素子(17, 22, 24)がオンして高圧発生用コンデン
サ(11)に充電されたエネルギが高圧発生用スイッチング
素子(17, 22, 24)を通して高圧発生用トランス(12)の１
次巻線(12a)へ放出される。このとき、高圧発生用トラ
ンス(12)の１次巻線(12a)に電流が流れて２次巻線(12b)
に高圧パルス電圧が誘起され、この高圧パルス電圧は交
流変換回路(3)の交流出力電圧に重畳されて放電灯(4)に
印加される。本発明では、交流変換回路(3)の交流出力
周波数に同期した周期で高圧発生用トランス(12)の２次
巻線(12b)から高圧パルス電圧が出力される。従って、
交流変換回路(3)の交流出力電圧に同期した交流出力電
圧の初期印加時点で放電灯(4)に高圧パルス電圧が印加
されるので、高圧パルス電圧印加後のオープン電圧期間
が長くなり、放電灯(4)を迅速に点灯できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による放電灯用点灯
装置の一実施形態を図１及び図２に基づいて説明する。
但し、図１では図５に示す箇所と実質的に同一の部分に
は同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態
の放電灯用点灯装置は、図１に示すように、図５に示す
放電灯用点灯装置において高圧パルス発生回路５の代わ
りに、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ６、７の接続点と
第２及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ７、９の接続点との間に
直列接続された直列抵抗１０、放電防止用ダイオード１
６及び高圧発生用コンデンサ１１と、１次巻線１２aと
放電灯４に直列に接続される２次巻線１２bとを有する
高圧発生用トランス１２と、一方及び他方の主端子
Ｔ₁、Ｔ₂がそれぞれ放電防止用ダイオード１６と高圧発
生用コンデンサ１１との接続点及び高圧発生用トランス
１２の１次巻線１２aに接続されたスイッチング素子と
してのトライアック（双方向性３端子サイリスタ：ＴＲ
ＩＡＣ）１７と、トライアック１７のゲート端子及び一
方の主端子Ｔ₁間に接続されたトリガパルス形成用抵抗
１８と、トリガパルス形成用抵抗１８及び放電防止用ダ
イオード１６の間に直並列に接続されたトリガパルス形
成用コンデンサ１９及び逆流防止用ダイオード２０とか
ら構成される高圧パルス発生回路２１を設けたものであ
る。したがって、図１に示す高圧パルス発生回路２１で
は、直列抵抗１０の接続位置が図５に示す高圧パルス発
生回路５と相違すると共に、サイダック１４と直列抵抗
１５との直列回路及びＮＰＮ形トランジスタ１３が省略
されている。その他の構成は、図５に示す放電灯用点灯
装置と略同一である。

【０００９】次に、図１に示す放電灯用点灯装置の動作
について説明する。直流電源１から入力側平滑コンデン
サ２を通して交流変換回路３の直流入力端子にリプル成
分を含まない３００Ｖ程度の平滑な直流電圧を供給し、
第１及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ６、９と第２及び第３の
ＭＯＳ-ＦＥＴ７、８とを図６(Ａ)〜(Ｄ)に示すタイミ
ングで交互にオン・オフ動作させると、放電灯４に矩形
波交流電圧が印加される。放電灯４の点灯開始時におい
て、交流変換回路３の矩形波交流電圧が正の半周期のと
き、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ６がオン状態で第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ７がオフ状態であるとすると、交流変換回路３の
直流入力電圧により第１のＭＯＳ-ＦＥＴ６、直列抵抗
１０及び放電防止用ダイオード１６を通して電流が流
れ、高圧パルス発生回路２１内の高圧発生用コンデンサ
１１が充電される。その後、交流変換回路３の矩形波交
流電圧が正の半周期から負の半周期に切り替えられたと
き、第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ６、７がそれぞれオ
ン状態からオフ状態及びオフ状態からオン状態になる
と、高圧発生用コンデンサ１１からトライアック１７、
トリガパルス形成用抵抗１８、トリガパルス形成用コン
デンサ１９、逆流防止用ダイオード２０及び直列抵抗１
０を通して第２のＭＯＳ-ＦＥＴ７の経路で電流が流れ
る。これと同時に、トリガパルス形成用抵抗１８の両端
に発生した電圧がトライアック１７のゲート端子に印加
されてトライアック１７がオン状態となり、高圧発生用
コンデンサ１１からトライアック１７を通して高圧発生
用トランス１２の１次巻線１２aへ充電されたエネルギ
が放出される。このとき、高圧発生用トランス１２の１
次巻線１２aに電流が流れて２次巻線１２bに正極性で５
kＶ程度の高圧パルス電圧が誘起され、更にこの高圧パ
ルス電圧は交流変換回路３の矩形波交流電圧に重畳され
て放電灯４に印加される。このため、図２に示すよう
に、交流変換回路３の矩形波交流電圧が負の半周期から
正の半周期に切り替わる時点、即ち交流変換回路３の第
１及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ６、９が共にオフ状態から
オン状態となる時点で放電灯４に高圧パルス電圧Ｖ_Pが
印加される。以上の動作が放電灯４の点灯開始前の数秒
間に亘って繰り返されることにより、交流変換回路３の
矩形波交流出力の周波数に同期した周期で放電灯４に５
kＶ程度の高圧パルス電圧が複数回印加され、放電灯４
が点灯を開始する。放電灯４の点灯開始後は、放電灯４
のインピーダンスが低くなるので、高圧パルス発生回路
２１内の高圧発生用コンデンサ１１に電流が殆ど流れ
ず、両端の電圧が略０Ｖとなる。したがって、トライア
ック１７のゲート端子に電圧が印加されず、トライアッ
ク１７がオフ状態となる。これにより、高圧パルス発生
回路２１から放電灯４への高圧パルス電圧の印加が停止
され、これ以降は交流変換回路３の矩形波交流電圧によ
り放電灯４に矩形波交流電流が流れ続け、放電灯４の点
灯状態が維持される。

【００１０】上記のように、本実施形態では、交流変換
回路３の矩形波交流出力電圧に同期した矩形波交流出力
電圧の初期印加時点で放電灯４に高圧パルス電圧が印加
されるので、図２に示すように高圧パルス電圧Ｖ_P印加
後のオープン電圧期間Ｈが長くなり、少ない本数の高圧
パルス電圧で確実に放電灯４を点灯させることができ
る。このため、放電灯４を迅速に点灯させることが可能
である。また、図５に示す放電灯用点灯装置におけるＮ
ＰＮ形トランジスタ１３及びサイダック１４の代わりに
トライアック１７を使用したので、サイダック等の高価
で特別なトリガ素子を省略して、放電灯用点灯装置の製
造コストを低減することができる。なお、トライアック
１７を高速で確実にターンオンさせることができる場合
は、トリガパルス形成用抵抗１８、トリガパルス形成用
コンデンサ１９及び逆流防止用ダイオード２０を省略し
て、トライアック１７のゲート端子を直列抵抗１０及び
放電防止用ダイオード１６の接続点に直接接続してもよ
い。

【００１１】本発明の実施態様は前記の実施形態に限定
されず、更に種々の変更が可能である。例えば、図３に
示す実施形態の放電灯用点灯装置は、高圧発生用トラン
ス１２の１次巻線１２aの一端を高圧発生用コンデンサ
１１及び放電防止用ダイオード１６の接続点に接続し、
高圧発生用トランス１２の１次巻線１２aの他端と第２
及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ７、９の接続点との間にスイ
ッチング素子としてサイリスタ（逆阻止３端子サイリス
タ：ＳＣＲ）２２を接続し、サイリスタ２２と逆並列に
逆導通ダイオード２３を接続し、トライアック１７のゲ
ート端子及び一方の主端子Ｔ₁を放電防止用ダイオード
１６の両端に接続し、トライアック１７の他方の主端子
Ｔ₂を直列抵抗１５を介してサイリスタ２２のゲート端
子に接続して高圧パルス発生回路２１を構成したもので
ある。その他の構成は、図１に示す放電灯用点灯装置と
略同一である。図３の回路では、第１及び第２のＭＯＳ
-ＦＥＴ６、７がそれぞれターンオフ及びターンオンし
たときにトライアック１７がオン状態となり、トライア
ック１７から直列抵抗１５を介してサイリスタ２２のゲ
ート端子に電流が流れ、サイリスタ２２がオン状態とな
る。このとき、高圧発生用トランス１２の１次巻線１２
aに電流が流れて２次巻線１２bに高圧パルス電圧が誘起
され、交流変換回路３の矩形波交流電圧に重畳される。
これにより、交流変換回路３の交流出力周波数に同期し
た周期で放電灯４に高圧パルス電圧が印加される。した
がって、図３に示す実施形態においても、図１に示す実
施形態と同様に放電灯４を迅速に点灯させることができ
る。なお、図３に示す放電灯用点灯装置は、図５に示す
従来の放電灯用点灯装置において、直列抵抗１０の一端
の接続位置を第１及び第３のＭＯＳ-ＦＥＴ６、８の接
続点から第１及び第２のＭＯＳ-ＦＥＴ６、７の接続点
に変更し、直列抵抗１０及び高圧発生用コンデンサ１１
間に放電防止用ダイオード１６を挿入し、サイダック１
４及びＮＰＮ形トランジスタ１３をそれぞれトライアッ
ク１７及びサイリスタ２２に置き換えたものであるか
ら、図１の場合に比較して従来の放電灯用点灯装置から
の改造が容易である利点がある。

【００１２】また、図４に示す実施形態の放電灯用点灯
装置は、図３に示す放電灯用点灯装置におけるトライア
ック１７をＰＮＰ形トランジスタ２４に置き換えたもの
である。したがって、図４に示す実施形態においても、
図３に示す実施形態と略同様の回路動作が行われるの
で、図１に示す実施形態と同様に放電灯４を迅速に点灯
させることができる。特に、図４に示す実施形態ではト
ライアック１７に比較して安価なＰＮＰ形トランジスタ
２４を使用したので、図３に示す実施形態に比較して放
電灯用点灯装置の製造コストを更に低減できる利点があ
る。

【００１３】また、上記の各実施形態では交流変換回路
３が４個のＭＯＳ-ＦＥＴ６〜９をブリッジ接続した所
謂フルブリッジ形インバータである例を示したが、例え
ば第３及び第４のＭＯＳ-ＦＥＴ８、９をそれぞれコン
デンサに置き換えてハーフブリッジ形インバータとして
もよい。また、図３及び図４に示す実施形態におけるサ
イリスタ２２及び逆導通ダイオード２３の並列回路を逆
導通３端子サイリスタに置き換えて回路構成を更に簡略
化してもよい。また、交流変換回路３の各ＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ６〜９の代わりに、バイポーラ形トランジスタ、接合
形電界効果トランジスタ（Ｊ-ＦＥＴ）又は逆阻止３端
子サイリスタ（ＳＣＲ）等の他のスイッチング素子を使
用してもよい。更に、放電灯４への高圧パルス電圧の印
加時点は交流出力電圧の初期印加時点に限らず、若干の
遅延を伴って印加してもよい。

【００１４】

【発明の効果】本発明によれば、交流変換回路の交流出
力電圧に同期した交流出力電圧の初期印加時点で放電灯
に高圧パルス電圧が印加されるので、放電灯が点灯を開
始するまでの時間を短縮して放電灯を迅速に点灯（クイ
ックスタート）させることが可能である。また、従来の
放電灯用点灯装置において必要としたサイダック等の高
価なトリガ素子が不要となるので、放電灯用点灯装置の
製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による放電灯用点灯装置の一実施形態
を示す電気回路図

【図２】 図１に示す放電灯の点灯開始時における両端
の電圧を示す波形図

【図３】 図１の放電灯用点灯装置の変更実施形態を示
す電気回路図

【図４】 図３の放電灯用点灯装置の変更実施形態を示
す電気回路図

【図５】 従来の放電灯用点灯装置を示す電気回路図

【図６】 図１及び図５における各ＭＯＳ-ＦＥＴのド
レイン−ソース間の電圧を示す波形図

【図７】 図５に示す放電灯の点灯開始時における両端
の電圧を示す波形図

【符号の説明】

１．．．直流電源、２．．．入力側平滑コンデンサ、
３．．．交流変換回路、４．．．放電灯、５，２
１．．．高圧パルス発生回路、６〜９．．．第１〜第４
のＭＯＳ-ＦＥＴ、１０，１５．．．直列抵抗、１
１．．．高圧発生用コンデンサ、１２．．．高圧発生用
トランス、１２a．．．１次巻線、１２b．．．２次巻
線、１３．．．ＮＰＮ形トランジスタ、１４．．．サイ
ダック（トリガ素子）、１６．．．放電防止用ダイオー
ド、１７．．．トライアック（スイッチング素子）、１
８．．．トリガパルス形成用抵抗、１９．．．トリガパ
ルス形成用コンデンサ、２０．．．逆流防止用ダイオー
ド、２２．．．サイリスタ（スイッチング素子）、２
３．．．逆導通ダイオード、２４．．．ＰＮＰ形トラン
ジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−151072（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−21594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−71596（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−71195（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−179694（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12495（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151071（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−122378（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263157（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−184895（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−5191（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 41/14 - 41/298

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直流電力を発生する直流電源と、該直流
   電源の出力端子に接続されかつ交流出力を発生する交流
   変換回路と、該交流変換回路の出力端子に接続された放
   電灯と、該放電灯の点灯開始時に前記放電灯に印加する
   高圧パルス電圧を発生する高圧パルス発生回路とを備え
   た放電灯用点灯装置において、 前記交流変換回路は、ブリッジ接続されかつ交互にオン
   ・オフ動作される第１及び第２のスイッチング素子を備
   え、 前記高圧パルス発生回路は、１次巻線及び前記放電灯に
   印加する高圧パルス電圧を発生する２次巻線を有する高
   圧発生用トランスと、該高圧発生用トランスの１次巻線
   と直列に接続された高圧発生用スイッチング素子と、前
   記第１のスイッチング素子がオン状態でかつ前記第２の
   スイッチング素子がオフ状態の時に前記交流変換回路に
   より充電される高圧発生用コンデンサとを備え、 前記第１のスイッチング素子がオンからオフに切り替え
   られかつ前記第２のスイッチング素子がオフからオンに
   切り替えられた時に、前記高圧発生用コンデンサに充電
   されたエネルギが放出されて前記第２のスイッチング素
   子を通って電流が流れると共に、前記高圧発生用スイッ
   チング素子がオンして前記高圧発生用コンデンサに充電
   されたエネルギが前記高圧発生用スイッチング素子を通
   して前記高圧発生用トランスの１次巻線に印加され、こ
   れにより前記２次巻線に高圧パルス電圧が発生すること
   を特徴とする放電灯用点灯装置。