JP3211594B2 - 化合物半導体結晶基板 - Google Patents
化合物半導体結晶基板Info
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- semiconductor crystal
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体結晶基板
に関するものであり、特に、ＬＥＤ、レーザダイオード
等の光デバイスもしくはＩＣを作製する際に基板として
利用される化合物半導体結晶基板に関するものである。
に関するものであり、特に、ＬＥＤ、レーザダイオード
等の光デバイスもしくはＩＣを作製する際に基板として
利用される化合物半導体結晶基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板として利用されるＧａＡｓ等の化合
物半導体単結晶は、従来、水平ブリッジマン法（ＨＢ
法）、液体封止引上げ法（ＬＥＣ法）、垂直ブリッジマ
ン法（ＶＢ法）および垂直温度勾配法（ＶＧＦ法）等様
々な工業的方法により製造されることが知られている。
これらの方法のうち、ＶＢ法は、他の方法に比べて欠陥
密度の低い良質の結晶を低コストで製造できる方法とし
て有望視されている。このＶＢ法に関する従来技術とし
ては、たとえば、特開平４−３６７５８９号に開示され
ているように、Ｂ2 Ｏ3 封止剤を用いたＧａＡｓ結晶の
製造方法がある。
物半導体単結晶は、従来、水平ブリッジマン法（ＨＢ
法）、液体封止引上げ法（ＬＥＣ法）、垂直ブリッジマ
ン法（ＶＢ法）および垂直温度勾配法（ＶＧＦ法）等様
々な工業的方法により製造されることが知られている。
これらの方法のうち、ＶＢ法は、他の方法に比べて欠陥
密度の低い良質の結晶を低コストで製造できる方法とし
て有望視されている。このＶＢ法に関する従来技術とし
ては、たとえば、特開平４−３６７５８９号に開示され
ているように、Ｂ2 Ｏ3 封止剤を用いたＧａＡｓ結晶の
製造方法がある。
【０００３】ＶＢ法による化合物半導体単結晶の製造方
法では、るつぼの底部に種結晶を配置し、さらにその上
方に原料固体を配置した後、原料固体の全部を融解する
とともに種結晶の上部を融解し、融解された原料融液を
冷却することによって種結晶から出発して上方へ向かっ
て固化させることにより、単結晶を成長させていく。
法では、るつぼの底部に種結晶を配置し、さらにその上
方に原料固体を配置した後、原料固体の全部を融解する
とともに種結晶の上部を融解し、融解された原料融液を
冷却することによって種結晶から出発して上方へ向かっ
て固化させることにより、単結晶を成長させていく。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなＶＢ法により得られた化合物半導体結晶基板
は、転位密度の点でさらに改善されるべき余地が残され
ている。化合物半導体結晶基板を光デバイスやＩＣの作
製において利用する際には、１枚の基板からとれる素子
の歩留りやデバイスの寿命を左右するため、さらに転位
密度が低下していることが要求されるからである。
たようなＶＢ法により得られた化合物半導体結晶基板
は、転位密度の点でさらに改善されるべき余地が残され
ている。化合物半導体結晶基板を光デバイスやＩＣの作
製において利用する際には、１枚の基板からとれる素子
の歩留りやデバイスの寿命を左右するため、さらに転位
密度が低下していることが要求されるからである。
【０００５】この発明の目的は、転位密度がより低下さ
れた化合物半導体結晶基板を提供することにある。
れた化合物半導体結晶基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明による化合物半
導体結晶基板は、不純物が添加された化合物半導体結晶
からなる基板であって、化合物半導体結晶は、そのキャ
リア濃度をｃ．ｃ．、活性化率をηとしたとき、以下の
関係を満たすことを特徴としている。
導体結晶基板は、不純物が添加された化合物半導体結晶
からなる基板であって、化合物半導体結晶は、そのキャ
リア濃度をｃ．ｃ．、活性化率をηとしたとき、以下の
関係を満たすことを特徴としている。
【０００７】 η≦ｃ．ｃ．／（７．８×１０15）…（１） η≦（１０／１９）×（１９７−２．５４×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（２） η≧ｃ．ｃ．／（３．６×１０16）…（３） 好ましくは、化合物半導体結晶は、さらに以下の関係を
満たすことを特徴とするとよい。
満たすことを特徴とするとよい。
【０００８】 η≦（１０／１９）×（１９７−３．５×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（４） また、好ましくは、化合物半導体結晶は、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体結晶であるとよい。
化合物半導体結晶であるとよい。
【０００９】さらに、好ましくは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体結晶は、砒化ガリウム半導体結晶であるとよい。
半導体結晶は、砒化ガリウム半導体結晶であるとよい。
【００１０】また、好ましくは、添加された不純物は、
Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｇｅ、ＴｅおよびＳｎからなる群より
選ばれる少なくとも１種のｎ型不純物であるとよい。
Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｇｅ、ＴｅおよびＳｎからなる群より
選ばれる少なくとも１種のｎ型不純物であるとよい。
【００１１】さらに、好ましくは、化合物半導体結晶
は、１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上６×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 以下の濃度のボロンを含むとよい。
は、１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上６×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 以下の濃度のボロンを含むとよい。
【００１２】また、好ましくは、化合物半導体結晶は、
５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下の濃度のカーボンを
含むとよい。
５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下の濃度のカーボンを
含むとよい。
【００１３】
【作用】本願発明者らは、キャリア濃度ｃ．ｃ．（ｃｍ
-3）および活性化率η（％）がそれぞれ異なる、不純物
としてＳｉが添加されたＧａＡｓ化合物半導体結晶を種
々作製し、得られた結晶の転位密度を測定した。その結
果、上述の式（１）、式（２）および式（３）を満たす
場合に、低転位密度化された結晶が得られることを見い
出した。
-3）および活性化率η（％）がそれぞれ異なる、不純物
としてＳｉが添加されたＧａＡｓ化合物半導体結晶を種
々作製し、得られた結晶の転位密度を測定した。その結
果、上述の式（１）、式（２）および式（３）を満たす
場合に、低転位密度化された結晶が得られることを見い
出した。
【００１４】ここで、式（１）および式（３）は、Ｓｉ
（シリコン）濃度によって決定されるものであり、式
（１）を満たさない場合は、Ｓｉ濃度が不足し、一方、
式（３）を満たさない場合は、Ｓｉ濃度が過剰で析出し
てしまうため、好ましくない。
（シリコン）濃度によって決定されるものであり、式
（１）を満たさない場合は、Ｓｉ濃度が不足し、一方、
式（３）を満たさない場合は、Ｓｉ濃度が過剰で析出し
てしまうため、好ましくない。
【００１５】また、式（２）および式（４）は、Ｂ（ボ
ロン）濃度によって決定されるものであり、式（２）を
満たす範囲においては、Ｂの一部がｐ型キャリアとして
活性化し、その結果、結晶の転位密度が減少するものと
考えられる。さらに、式（４）を満たす場合には、ｐ型
キャリア濃度がさらに増加するため、結晶の転位密度は
より減少すると考えられる。
ロン）濃度によって決定されるものであり、式（２）を
満たす範囲においては、Ｂの一部がｐ型キャリアとして
活性化し、その結果、結晶の転位密度が減少するものと
考えられる。さらに、式（４）を満たす場合には、ｐ型
キャリア濃度がさらに増加するため、結晶の転位密度は
より減少すると考えられる。
【００１６】なお、本明細書において、活性化率η
（％）は、 η＝｛（ｎ−ｃ．ｃ．）−（ｐ−ｃ．ｃ．）＋（ｏ−
ｃ．ｃ．）｝／（Ｓｉ濃度） で表わされた値をいう。
（％）は、 η＝｛（ｎ−ｃ．ｃ．）−（ｐ−ｃ．ｃ．）＋（ｏ−
ｃ．ｃ．）｝／（Ｓｉ濃度） で表わされた値をいう。
【００１７】ここで、 ｎ−ｃ．ｃ．：Ｓｉ等によるｎ型キャリア濃度 ｐ−ｃ．ｃ．：Ｂ等によるｐ型キャリア濃度 ｏ−ｃ．ｃ．：Ｓｉ、Ｂ以外の不純物によるキャリア濃
度 この式より明らかなように、活性化率η（％）は、Ｓｉ
濃度とＢ濃度の差引きによって決定される値である。
度 この式より明らかなように、活性化率η（％）は、Ｓｉ
濃度とＢ濃度の差引きによって決定される値である。
【００１８】
（実験１）ＶＢ法を用いて、以下に示すように、直径８
０〜９０ｍｍφの１９種のＳｉ添加ＧａＡｓ単結晶を育
成した。
０〜９０ｍｍφの１９種のＳｉ添加ＧａＡｓ単結晶を育
成した。
【００１９】まず、ｐＢＮ（パイロリティック・ボロン
・ナイトライド）製るつぼに種結晶を設置し、その上に
表１に示す量のＧａＡｓ多結晶原料融液をチャージし
た。次に、Ｓｉ濃度とＢ濃度を制御するため、必要量の
ＳｉとＢ2 Ｏ3 封止剤を入れた後、るつぼを炉内の下軸
上にセットした。これを、結晶を凝固させるのに必要な
温度勾配を有した温度分布内において、るつぼの相対移
動速度を４ｍｍ／Ｈとして、冷却により結晶成長させ
た。
・ナイトライド）製るつぼに種結晶を設置し、その上に
表１に示す量のＧａＡｓ多結晶原料融液をチャージし
た。次に、Ｓｉ濃度とＢ濃度を制御するため、必要量の
ＳｉとＢ2 Ｏ3 封止剤を入れた後、るつぼを炉内の下軸
上にセットした。これを、結晶を凝固させるのに必要な
温度勾配を有した温度分布内において、るつぼの相対移
動速度を４ｍｍ／Ｈとして、冷却により結晶成長させ
た。
【００２０】
【表１】
【００２１】このようにして得られたＧａＡｓ結晶につ
いて、製品重量（ｇ）、キャリア濃度（ｃｍ-3）、Ｓｉ
濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）、活性化率η（％）、転位
密度ＥＰＤ（ｃｍ-2）、Ｂ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）
およびＣ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）を測定した。これ
らの結果を表１に併わせて示す。
いて、製品重量（ｇ）、キャリア濃度（ｃｍ-3）、Ｓｉ
濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）、活性化率η（％）、転位
密度ＥＰＤ（ｃｍ-2）、Ｂ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）
およびＣ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）を測定した。これ
らの結果を表１に併わせて示す。
【００２２】また、図１は、キャリア濃度と活性化率と
の関係を示す図である。図１において、横軸はキャリア
濃度ｃ．ｃ．（×１０17ｃｍ-3）を示し、縦軸は活性化
率η（％）を示す。
の関係を示す図である。図１において、横軸はキャリア
濃度ｃ．ｃ．（×１０17ｃｍ-3）を示し、縦軸は活性化
率η（％）を示す。
【００２３】図１において、グラフ（１′）〜（４′）
は、それぞれ以下の式を表わす。 η＝ｃ．ｃ．／（７．８×１０15）…（１′） η＝（１０／１９）×（１９７−２．５４×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（２′） η＝ｃ．ｃ．／（３．６×１０16）…（３′） η＝（１０／１９）×（１９７−３．５×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（４′） この図１に、上述のようにして得られたＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．１９のサンプルの結果をプロットした。
は、それぞれ以下の式を表わす。 η＝ｃ．ｃ．／（７．８×１０15）…（１′） η＝（１０／１９）×（１９７−２．５４×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（２′） η＝ｃ．ｃ．／（３．６×１０16）…（３′） η＝（１０／１９）×（１９７−３．５×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（４′） この図１に、上述のようにして得られたＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．１９のサンプルの結果をプロットした。
【００２４】表１および図１より明らかなように、本発
明によれば、より低転位密度化された化合物半導体結晶
基板が得られることがわかる。
明によれば、より低転位密度化された化合物半導体結晶
基板が得られることがわかる。
【００２５】なお、キャリア濃度は、ファンデルパウ法
（Van der Pauw Method ）により、以下の条件で測定し
た。
（Van der Pauw Method ）により、以下の条件で測定し
た。
【００２６】試料の大きさ：３〜５ｍｍ角チップ 試料の厚さ：１００〜２０００μｍ 電極：ＡｕＧｅ−Ｎｉ合金 磁場：３０００〜６０００Ｇａｕｓｓ 電流：１ｍＡ〜１００ｍＡ Ｓｉ濃度は、本実施例においては、黒鉛炉原子吸光分析
装置（ＧＦＡＡＳ：Graphite Furnace Atomic Absorpti
on Spectrometer ）を用いて測定した。Ｓｉ濃度は、こ
の他に、二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ：Secondar
y Ion Mass Spectrometer ）またはプラズマ発光分析装
置（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plazma Atomic Emis
sion Spectrometer ）を用いて測定することも可能であ
る。
装置（ＧＦＡＡＳ：Graphite Furnace Atomic Absorpti
on Spectrometer ）を用いて測定した。Ｓｉ濃度は、こ
の他に、二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ：Secondar
y Ion Mass Spectrometer ）またはプラズマ発光分析装
置（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plazma Atomic Emis
sion Spectrometer ）を用いて測定することも可能であ
る。
【００２７】Ｂ濃度は、本実施例においては、グロー放
電質量分析装置（ＧＤＭＳ：Glow Discharge Mass Spec
trometer）を用いて測定した。Ｂ濃度は、この他に、プ
ラズマ発光分析装置（ＩＣＰ）を用いて測定することも
可能である。
電質量分析装置（ＧＤＭＳ：Glow Discharge Mass Spec
trometer）を用いて測定した。Ｂ濃度は、この他に、プ
ラズマ発光分析装置（ＩＣＰ）を用いて測定することも
可能である。
【００２８】Ｃ濃度は、フーリエ変換赤外分光分析装置
（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectromete
r ）を用いて測定した。
（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectromete
r ）を用いて測定した。
【００２９】（実験２）実験１で作製したＮｏ．１の結
晶から、スライスおよびポリッシュすることにより、３
５０μｍの３インチウェハを作製した。ウェハのキャリ
ア濃度は８×１０17ｃｍ-3、ＥＰＤは３００ｃｍ-2であ
った。このウェハ上に、液相エピタキシャル成長法によ
り、第１エピタキシャル層を形成し、さらにその上に第
２エピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハ
を作製した。
晶から、スライスおよびポリッシュすることにより、３
５０μｍの３インチウェハを作製した。ウェハのキャリ
ア濃度は８×１０17ｃｍ-3、ＥＰＤは３００ｃｍ-2であ
った。このウェハ上に、液相エピタキシャル成長法によ
り、第１エピタキシャル層を形成し、さらにその上に第
２エピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハ
を作製した。
【００３０】なお、第１エピタキシャル層は、不純物と
してＳｉが添加されたｐ−ＧａＡｓからなり、厚さ４０
〜８０μｍの層であった。また、第２エピタキシャル層
は、不純物としてＳｉが添加されたｎ−ＧａＡｓからな
り、厚さ３０〜１２０μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3以上の層であった。
してＳｉが添加されたｐ−ＧａＡｓからなり、厚さ４０
〜８０μｍの層であった。また、第２エピタキシャル層
は、不純物としてＳｉが添加されたｎ−ＧａＡｓからな
り、厚さ３０〜１２０μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3以上の層であった。
【００３１】このようにして得られたエピタキシャルウ
ェハは、その表面が良好であった。また、光出力も、所
望したものが得られた。さらに、エピタキシャル成長中
に、ウェハの割れも起こらなかった。また、このエピタ
キシャルウェハを用いて光素子を作製した場合のその光
素子の寿命は、従来と比較して平均１．３倍の値を示し
た。
ェハは、その表面が良好であった。また、光出力も、所
望したものが得られた。さらに、エピタキシャル成長中
に、ウェハの割れも起こらなかった。また、このエピタ
キシャルウェハを用いて光素子を作製した場合のその光
素子の寿命は、従来と比較して平均１．３倍の値を示し
た。
【００３２】（実験３）実験１で作製したＮｏ．２の結
晶から、スライスおよびポリッシュすることにより、５
００μｍの３インチウェハを作製した。ウェハのキャリ
ア濃度は２×１０18ｃｍ-3、ＥＰＤは２１０ｃｍ-2であ
った。このウェハ上に、気相エピタキシャル成長法によ
り、第１エピタキシャル層を形成し、さらにその上に第
２エピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハ
を作製した。
晶から、スライスおよびポリッシュすることにより、５
００μｍの３インチウェハを作製した。ウェハのキャリ
ア濃度は２×１０18ｃｍ-3、ＥＰＤは２１０ｃｍ-2であ
った。このウェハ上に、気相エピタキシャル成長法によ
り、第１エピタキシャル層を形成し、さらにその上に第
２エピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハ
を作製した。
【００３３】なお、第１エピタキシャル層は、不純物と
してＳｉが添加されたｎ−ＧａＡｓからなり、厚さ３〜
７μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3以上の層であっ
た。また、第２エピタキシャル層は、不純物としてＳｉ
が添加されたｎ−ＧａＡｓからなり、厚さ０．３〜０．
５μｍ、キャリア濃度１〜２×１０17ｃｍ-3以上の層で
あった。
してＳｉが添加されたｎ−ＧａＡｓからなり、厚さ３〜
７μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3以上の層であっ
た。また、第２エピタキシャル層は、不純物としてＳｉ
が添加されたｎ−ＧａＡｓからなり、厚さ０．３〜０．
５μｍ、キャリア濃度１〜２×１０17ｃｍ-3以上の層で
あった。
【００３４】このようにして得られたエピタキシャルウ
ェハは、その表面が良好な品質で、所望とする電気特性
を得ることができた。また、エピタキシャル成長中に、
ウェハの割れも起こらなかった。さらに、このエピタキ
シャルウェハから取れるデバイス歩留りは、従来の６０
％から７２％に向上した。
ェハは、その表面が良好な品質で、所望とする電気特性
を得ることができた。また、エピタキシャル成長中に、
ウェハの割れも起こらなかった。さらに、このエピタキ
シャルウェハから取れるデバイス歩留りは、従来の６０
％から７２％に向上した。
【００３５】なお、上述の実施例においては、砒化ガリ
ウム半導体結晶について説明したが、他のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体結晶についても、同様の効果が得られるこ
とが予測できる。
ウム半導体結晶について説明したが、他のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体結晶についても、同様の効果が得られるこ
とが予測できる。
【００３６】また、添加される不純物についても、Ｓｉ
に限らず、この他Ｓ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ等を添加
した場合にも、同様の効果が得られることが予測でき
る。
に限らず、この他Ｓ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ等を添加
した場合にも、同様の効果が得られることが予測でき
る。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、より低転位密度化された化合物半導体結晶基板が得
られる。
ば、より低転位密度化された化合物半導体結晶基板が得
られる。
【図１】キャリア濃度と活性化率との関係を示す図であ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02 C30B 11/00 C30B 29/40 H01L 21/477
Claims (5)
- 【請求項１】 不純物が添加された化合物半導体結晶か
らなる基板であって、 前記化合物半導体結晶は、 そのキャリア濃度をｃ．ｃ．、活性化率をηとしたと
き、以下の関係を満たすことを特徴とする、化合物半導
体結晶基板。 η≦ｃ．ｃ．／（７．８×１０15）…（１） η≦（１０／１９）×（１９７−２．５４×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（２） η≧ｃ．ｃ．／（３．６×１０16）…（３） - 【請求項２】 前記化合物半導体結晶は、さらに以下の
関係を満たすことを特徴とする、請求項１記載の化合物
半導体結晶基板。 η≦（１０／１９）×（１９７−３．５×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（４） - 【請求項３】 前記化合物半導体結晶は、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体結晶である、請求項１または請求項２記載
の化合物半導体結晶基板。 - 【請求項４】 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶は、
砒化ガリウム半導体結晶である、請求項３記載の化合物
半導体結晶基板。 - 【請求項５】 前記添加された不純物は、Ｓｉ、Ｓ、Ｓ
ｅ、Ｇｅ、ＴｅおよびＳｎからなる群より選ばれる少な
くとも１種のｎ型不純物である、請求項１〜請求項４の
いずれかに記載の化合物半導体結晶基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30072494A JP3211594B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 化合物半導体結晶基板 |
| US08/509,384 US5612014A (en) | 1994-08-10 | 1995-07-31 | Compound semiconductor crystal |
| US08/710,580 US5728212A (en) | 1994-08-10 | 1996-09-19 | Method of preparing compound semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30072494A JP3211594B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 化合物半導体結晶基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162378A JPH08162378A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3211594B2 true JP3211594B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=17888346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30072494A Expired - Lifetime JP3211594B2 (ja) | 1994-08-10 | 1994-12-05 | 化合物半導体結晶基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3211594B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053005A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
| JP2002033553A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US7100131B2 (en) * | 2002-11-07 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy/Laboratory Co., Ltd. | Evaluation method of semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, design management system of device comprising the semiconductor device, dose amount control program for the semiconductor device, computer-readable recording medium recording the program, and dose amount control apparatus |
| EP1739210B1 (de) | 2005-07-01 | 2012-03-07 | Freiberger Compound Materials GmbH | Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall |
| DE102008032628A1 (de) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung von dotierten Galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen Absorptionskoeffizienten |
| US8329295B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-12-11 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for producing doped gallium arsenide substrate wafers having low optical absorption coefficient |
| JP2010103254A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ基板、積層基板及びそれを用いた電子デバイス、ダミー用途ＧａＡｓ基板、再利用用途のＧａＡｓ基板 |
| CN110376143A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-10-25 | 华南师范大学 | 掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质 |
| WO2024142270A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
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1994
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