CN110376143A - 掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质 - Google Patents

掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质 Download PDF

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CN110376143A CN201910495657.2A CN201910495657A CN110376143A CN 110376143 A CN110376143 A CN 110376143A CN 201910495657 A CN201910495657 A CN 201910495657A CN 110376143 A CN110376143 A CN 110376143A
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郑树文
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李京波
王立云
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Abstract

本发明公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质，方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。本发明无需利用霍尔效应或者C‑V方法测量载流子浓度，降低了测量误差，提高了精确度；另外，本发明可不采用SIMS或ICP方法就能获取掺杂原子浓度，降低了测量成本且操作简单，可广泛应用于半导体检测技术领域。

Description

掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质
技术领域
本发明涉及半导体检测技术领域，尤其是掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质。
背景技术
掺杂半导体是一种在本征半导体材料中注入其它掺杂元素的半导体。由于掺杂半导体可以通过外来元素的掺杂，来调控其能带结构和光学性能，使材料具有更好的物理和化学特点，在微纳米器件，生物制药、光电子器件等领域得到广泛应用。对于掺杂半导体而言，激活率是一个很重要的物理参数。掺杂半导体是通过不同实验条件获得的，所以实验上得到的掺杂半导体总会存在一定的缺陷问题，而这些缺陷问题往往成为掺杂元素的浮获中心，从而影响到材料的激活率。为了评估掺杂半导体中掺杂元素的激活性能，一般都是分析该材料的激活率，所以获取准确的掺杂半导体激活率是一个很重要的工作。
掺杂半导体激活率为掺杂半导体的载流子浓度和掺杂原子浓度之比，其中掺杂半导体的载流子浓度主要通过实验方法得到，现有技术的实验方法主要是利用霍尔效应或者C-V方法直接测量得到，而掺杂原子浓度是由SIMS(Secondary Ion Micro Spectroscopy)或ICP(Inductive Coupled Plasma Emission Spectrometer)方法直接测量得到。
其中，采用霍尔效应和C-V方法测量半导体的载流子浓度需要对样品制作电极，电极制作容易引起肖特基接触而不是欧姆接触，从而影响测量结果，而且电极制作往往对样品表面产生破坏和污染。当样品尺寸过小，电极没办法制作从而得不到可靠的掺杂半导体载流子浓度。
另外，采用SIMS或ICP等测试方法直接得到样品的掺杂原子浓度，但它们的测量成本极高，不利于对大量样品进行测量分析。所以采用传统实验方法直接通过测量掺杂半导体载流子浓度和掺杂原子浓度来求解激活率的方法存在测量误差大、对样品要求高等不足问题，所以需要进一步改进。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种精确度高且操作简单的，掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质。
一方面，本发明实施例提供了一种掺杂半导体的激活率确定方法，包括以下步骤：
确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
进一步，所述确定待测掺杂半导体的吸收光谱这一步骤，具体为：
通过光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱。
进一步，所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
进一步，所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
进一步，所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过EDS或XPS等测试方法获得待测掺杂半导体的元素百分比；
根据所述元素百分比构建掺杂半导体模型；
根据掺杂半导体模型，通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。
进一步，所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，其具体为：
通过SIMS或ICP等方法直接测量出待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。
另一方面，本发明实施例还提供了一种掺杂半导体的激活率确定系统，包括：
吸收光谱确定模块，用于确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
载流子浓度确定模块，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
掺杂原子浓度确定模块，用于确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
激活率确定模块，用于根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
进一步，所述载流子浓度确定模块包括：
第一计算单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
关系式确定单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
第二计算单元，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
另一方面，本发明实施例还提供了一种掺杂半导体的激活率确定系统，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
另一方面，本发明实施例还提供了一种存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于执行所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
上述本发明实施例中的一个或多个技术方案具有如下优点：本发明的实施例通过确定待测掺杂半导体的吸收光谱，然后通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度，接着确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度，最后根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率；本发明无需利用霍尔效应或者C-V方法测量载流子浓度，降低了测量误差，提高了精确度；另外，本发明可以不采用SIMS或ICP方法获取掺杂原子浓度，降低了测量成本且操作简单。
附图说明
图1为本发明实施例的第一步骤流程示意图；
图2为本发明实施例的第二步骤流程示意图；
图3为本发明实施例的第三步骤流程示意图；
图4为本发明实施例的第四步骤流程示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步解释和说明。对于本发明实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
本发明实施例提供了一种掺杂半导体的激活率确定方法，包括以下步骤：
确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
进一步作为优选的实施方式，所述确定待测掺杂半导体的吸收光谱这一步骤，具体为：
通过光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱。
进一步作为优选的实施方式，所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
进一步作为优选的实施方式，所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
进一步作为优选的实施方式，所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过EDS或XPS等方法获得待测掺杂半导体的元素百分比；
根据所述元素百分比构建掺杂半导体模型；
根据掺杂半导体模型，通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。
进一步作为优选的实施方式，所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，其具体为：
通过SIMS或ICP等方法得到待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。
本发明实施例还提供了一种掺杂半导体的激活率确定系统，包括：
吸收光谱确定模块，用于确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
载流子浓度确定模块，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
掺杂原子浓度确定模块，用于确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
激活率确定模块，用于根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
进一步作为优选的实施方式，所述载流子浓度确定模块包括：
第一计算单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
关系式确定单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
第二计算单元，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
本发明实施例还提供了一种掺杂半导体的激活率确定系统，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
本发明实施例还提供了一种存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于执行所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
下面详细描述本发明的掺杂半导体的激活率确定方法的具体实施步骤：
参照图1，本实施例的掺杂半导体的激活率确定方法的计算步骤如下：
S101.用光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，对它们的实验结果进行分析得出载流子浓度与吸收光谱能隙的关系式。
S102.利用光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱，并根据步骤S101得到的吸收光谱能隙与载流子浓度关系式求解出掺杂半导体的载流子浓度。
S103.用SIMS或ICP等方法测量得到待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。
S104.把步骤S102得到的载流子浓度除以步骤S103得到的掺杂原子浓度，得到的结果为待测掺杂半导体的激活率。
参照图2，本实施例的掺杂半导体的激活率确定方法的计算步骤还可以如下：
S201.先构建不同载流子浓度的掺杂半导体材料模型，然后采用第一性原理对材料模型进行计算得到对应的吸收光谱。通过分析得到掺杂半导体材料的载流子浓度和吸收光谱能隙的关系式。
S202.利用光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱，并根据步骤S201得到的吸收光谱能隙与载流子浓度关系式求解出掺杂半导体的载流子浓度。
S203.用SIMS或ICP等方法测量得到待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。
S204.把步骤S202得到的载流子浓度除以步骤S203得到的掺杂原子浓度，得到的结果为待测掺杂半导体的激活率。
参照图3，本实施例的掺杂半导体的激活率确定方法的计算步骤还可以如下：
S301.用光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，对它们的实验结果进行分析得出载流子浓度与吸收光谱能隙的关系式。
S302.利用光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱，并根据步骤S301得到的吸收光谱能隙与载流子浓度关系式求解出掺杂半导体的载流子浓度。
S303.用EDS或XPS等方法获得待测掺杂半导体的元素百分比，再根据该元素百分比构建对应的掺杂半导体模型，然后通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。
S304.把步骤S302得到的载流子浓度除以步骤S303得到的掺杂原子浓度，得到的结果为待测掺杂半导体的激活率。
参照图4，本实施例的掺杂半导体的激活率确定方法的计算步骤还可以如下：
S401.先构建不同载流子浓度的掺杂半导体材料模型，然后采用第一性原理对材料模型进行计算得到对应的吸收光谱。通过分析得到掺杂半导体材料的载流子浓度和吸收光谱能隙的关系式。
S402.利用光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱，并根据步骤S401得到的吸收光谱能隙与载流子浓度关系式求解出掺杂半导体的载流子浓度。
S403.用EDS测试手段获得待测掺杂半导体的元素百分比，再根据该元素百分比构建对应的掺杂半导体模型，然后通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。
S404.把步骤S402得到的载流子浓度除以步骤S403得到的掺杂原子浓度，得到的结果为待测掺杂半导体的激活率。
下面以“Si掺杂β-Ga2O3薄膜激活率的计算方法”为例，并以图4所示的计算步骤进行举例说明：
A.先获得Si掺杂β-Ga2O3材料的载流子浓度和吸收光谱能隙关系式：
a)通过第一性原理Materials Studio软件，构建10个不同载流子浓度nc的Si掺杂β-Ga2O3材料模型；
b)对该10个Si掺杂β-Ga2O3材料模型进行结构优化和光学特性计算，得到对应的吸收光谱α(hν)；其中，h代表普朗克常数；v为入射光的频率。
c)根据材料吸收光谱与能隙关系求解出这10个吸收光谱的光谱吸收能隙值其中，F为拟合系数。
d)对于n型掺杂半导体材料而言，其光谱吸收能隙值与载流子浓度nc存在以下的关系：
其中ΔEBM为Burstein-Moss效应产生的带隙扩宽量，ΔEBGN为Bandgap-renormalization效应造成的能隙变窄量；Ego为本征半导体的能隙值；为本征半导体的电子有效质量，参数P、Q、no和γ为拟合常数。
对于β-Ga2O3材料，其能隙值Ego在4.6～5.1eV之间，可通过拟合得到具体值。
本实施例把步骤c)的10个载流子浓度下Si掺杂β-Ga2O3对应的光谱吸收能隙值代入上述关系式中，拟合得到Ego、P、Q、no和γ的值分别为0.485eV、0.342mo(mo为静态电子质量)、0.096、0.073eV、0.66×1021cm-3和0.448。
B.求解某一个Si掺杂β-Ga2O3薄膜样品的激活率(该样品采用磁控溅射法沉积得到)
e)采用光度计对该样品进行光谱测量得到吸收光谱，并结合公式求解得到该样品的光谱吸收能隙值为5.32eV，把该吸收能隙值代入步骤d)的关系式中，得到该样品的载流子浓度nc值为2.87×1020cm-3。
f)采用电子能量散射谱EDS设备对该Si掺杂β-Ga2O3薄膜样品进行元素成分的分析，得到掺杂Si原子的百分比为5at％。
g)根据步骤f)得到的测试结果，采用Materials Studio软件构建相同掺杂Si原子百分比的Si掺杂β-Ga2O3材料模型，并对模型进行结构优化和计算，得到Si的掺杂原子浓度nd值为4.42×1021cm-3。
h)根据上述步骤e)和g)得到的载流子浓度nc和Si掺杂原子浓度nd值，并结合激活率公式η＝nc/nd，求解出该Si掺杂β-Ga2O3样品的激活率η为6.49％。
本发明实施例还提供了一种掺杂半导体的激活率确定系统，包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中，本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
此外，本发明实施例还提供了一种存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于执行所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
在一些可选择的实施例中，在方框图中提到的功能/操作可以不按照操作示图提到的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/操作，连续示出的两个方框实际上可以被大体上同时地执行或所述方框有时能以相反顺序被执行。此外，在本发明的流程图中所呈现和描述的实施例以示例的方式被提供，目的在于提供对技术更全面的理解。所公开的方法不限于本文所呈现的操作和逻辑流程。可选择的实施例是可预期的，其中各种操作的顺序被改变以及其中被描述为较大操作的一部分的子操作被独立地执行。
此外，虽然在功能性模块的背景下描述了本发明并且采用方块图的形式举例说明，但应当理解的是，除非另有相反说明，所述的功能和/或特征中的一个或多个可以被集成在单个物理装置和/或软件模块中，或者一个或多个功能和/或特征可以在单独的物理装置或软件模块中被实现。还可以理解的是，有关每个模块的实际实现的详细讨论对于理解本发明是不必要的。更确切地说，考虑到在本文中公开的装置中各种功能模块的属性、功能和内部关系的情况下，在工程师的常规技术内将会了解该模块的实际实现。因此，本领域技术人员运用普通技术就能够在无需过度试验的情况下实现在权利要求书中所阐明的本发明。还可以理解的是，所公开的特定概念仅仅是说明性的，并不意在限制本发明的范围，本发明的范围由所附权利要求书及其等同方案的全部范围来决定。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：包括以下步骤：
确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
2.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的吸收光谱这一步骤，具体为：
通过光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱。
3.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
4.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：
根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
5.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，包括以下步骤：
通过EDS测试方法或XPS测试方法获得待测掺杂半导体的元素百分比；
根据所述元素百分比构建掺杂半导体模型；
根据掺杂半导体模型，通过第一性原理计算得到掺杂原子浓度。
6.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，其具体为：
通过SIMS测试方法或ICP测试方法直接测量出待测掺杂半导体的掺杂原子浓度。
7.掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：包括：
吸收光谱确定模块，用于确定待测掺杂半导体的吸收光谱；
载流子浓度确定模块，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；
掺杂原子浓度确定模块，用于确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；
激活率确定模块，用于根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。
8.根据权利要求7所述的掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：所述载流子浓度确定模块包括：
第一计算单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；
关系式确定单元，用于根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；
第二计算单元，用于根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。
9.掺杂半导体的激活率确定系统，其特征在于：包括：
至少一个处理器；
至少一个存储器，用于存储至少一个程序；
当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现如权利要求1-6中任一项所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
10.一种存储介质，其中存储有处理器可执行的指令，其特征在于：所述处理器可执行的指令在由处理器执行时用于执行如权利要求1-6中任一项所述的掺杂半导体的激活率确定方法。
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