JP3208348B2

JP3208348B2 - 回路電極部の製造方法及び回路電極部

Info

Publication number: JP3208348B2
Application number: JP07441197A
Authority: JP
Inventors: 明矢澤; 譲二土谷; 真由美湊
Original assignee: 有限会社オーシャン; シプレイ・ファーイースト株式会社
Priority date: 1997-03-10
Filing date: 1997-03-10
Publication date: 2001-09-10
Anticipated expiration: 2017-03-10
Also published as: JPH10256708A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路電極部の製造
方法及び回路電極部に係り、特に、プリント回路基板上
のボンディングパッドを形成する場合に好適な技術に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、プリント基板等の基板上に設
けられたボンディングパッドと、ＩＣチップ等の端子と
を互いに導電接続させる際には、ボンディングパッドと
端子との間を半田等の導電性ペーストで固着させたり、
金ワイヤを介して接続する方法がとられている。ここ
で、ボンディングパッドと導電材料との間の密着性を高
めたり、接触抵抗を低減させる目的で、パッド基部上に
金被膜を形成する場合が多い。

【０００３】パッド基部が銅パターンで構成されている
場合には、直接に金被膜を形成することが困難であるこ
とから、パッド基部上にニッケル被膜を形成し、このニ
ッケル被膜上に金被膜を形成するようにしている。この
ような被膜を形成する方法としては、従来、基板上の配
線パターンに電極を取り付けて被膜を形成する電気めっ
きによるものが一般的であった。しかし、電子機器部品
類の小型化あるいは高密度化に伴い、配線パターン上に
電極を取り付けることが困難になってきたため、電極を
必要としない無電解めっきによるパッド基部へのめっき
被覆方法が多用されるようになってきた。

【０００４】従来の製造工程においては、初めに、図５
（ａ）に示すように、パッド基部２１を含む銅パターン
の形成された配線基板２０を濃度約１０ｐｐｍ程度の塩
化パラジウム溶液中に浸漬させることにより、パッド基
部２１の表面にパラジウムを吸着させる。次に、パラジ
ウムが吸着したパッド基部２１上に、無電解めっきによ
りリンを含むニッケル被膜２２を形成する。この後、ニ
ッケル被膜２２上に、置換型による無電解金めっきによ
り、厚さ約０．０５μｍ程度に金被膜を薄付けした後、
還元型による無電解金めっきにより、厚さ約０．５μｍ
程度の金被膜２３を形成する。

【０００５】ここで、金被膜を約０．５μｍ程度に厚く
形成するには、通常は、還元型の無電解金めっきが用い
られている。しかし、ニッケル被膜２２のリンの含有率
が少ない場合には、めっき浴の管理に手間のかからない
置換型の金めっきを用いても金被膜を厚く形成すること
ができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造工程においては、図５（ｂ）に示すように、パッド
基部２１の表面に多少の凹凸が形成されていたり、メッ
キ層の密着性を高めるために意図的に凹凸を形成してい
る場合、その上に形成されるニッケル被膜２２に膜質の
劣化した部分が形成される。このようなニッケル被膜２
２上に置換型の無電解金メッキを施すと、ニッケル被膜
２２に部分的に置換反応による浸触部が形成される。こ
の侵食部は、金被膜を厚く付けるためにメッキ処理時間
が長くなる程、ニッケル被膜２２の表面から内部へと深
く進行し、場合によってはニッケル被膜を貫通して銅表
面に達することもある。この浸触作用により、金被膜２
３の表面２３ａにシミができたり、あるいは変色した
り、また、後の製造工程において基板が加熱される際に
熱によるひび割れ（クラック）が発生するなどの問題点
がある。

【０００７】ここで、ニッケル被膜２２にリンを或る程
度含有させると、置換型金メッキを行う際のニッケル被
膜２２の侵食を防止することができるが、同時に、置換
型メッキの形成速度が低下し、リンの含有率によっては
メッキ層の形成そのものができなくなるという問題点が
ある。

【０００８】そこで、本発明は、上記問題点を解決する
ものであり、その課題は、置換型の無電解金めっきを行
う際のニッケル被膜の浸触を抑制することにより、金被
膜表面に現れるシミや変色、或いはパッド部のクラック
の発生を低減し、ボンディング性の良好な回路電極部を
形成することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、基板上に設けられた回路パタ
ーンにおける少なくとも表面が銅を主体とする材料で構
成された回路電極部上に、無電解めっきによりパラジウ
ム被膜を全面的に形成する工程と、該パラジウム被膜上
に無電解めっきによりリンを含有するニッケル被膜を形
成する工程と、該ニッケル被膜上に置換反応による無電
解金めっきを行うことにより金被膜を形成する工程とを
有することを特徴とする回路電極部の製造方法である。

【００１０】この手段によれば、銅を主体とする材料で
構成された回路電極部上に無電解メッキによりパラジウ
ム被膜を全面的に形成し、その上にニッケル被膜を形成
すると、パラジウム被膜に近い下層部では、ニッケル被
膜中のリンの含有率が高くなり、上層部にいく程リンの
含有率は低下していく。このため、ニッケル被膜上に置
換型の無電解金めっきを行うと、ニッケル被膜の上層部
はリンの含有率が低いことから支障なく金被膜を形成す
ることができるとともに、仮にニッケル被膜の膜質の劣
った部分にて侵食が発生しても、リンの含有率の高い下
層部において侵食が停止し、侵食は縦方向よりもむしろ
リンの含有率の低い上層部において均一に発生するよう
になるので、従来よりもニッケル被膜の浸触が抑制さ
れ、金被膜表面のシミや変色が少なくなるとともに、ク
ラックの発生も防止される。

【００１１】また、このようなニッケル被膜上に形成さ
れた置換型の無電解メッキによる金被膜には、きめが細
かく、凹凸が少ない滑らかな表面が形成されるので、回
路電極部のボンディング性が向上する。

【００１２】さらに、無電解メッキによりパラジウム被
膜を全面的に形成したことにより、従来よりもニッケル
被膜が形成されやすくなり、ニッケル被膜の形成速度が
向上するとともに、ニッケル被膜の上層部のリンの含有
率が低くなることにより、金被膜の形成速度も向上す
る。したがって、メッキ被覆工程の処理時間を短縮する
ことができる。

【００１３】ここで、前記ニッケル被膜を形成する工程
において用いられるめっき液は、形成されるニッケル被
膜のリンの平均含有率が３〜１０ｗｔ％となるように調
製されているものであることが好ましい。

【００１４】この手段によれば、ニッケル被膜のリンの
平均含有率を３〜１０ｗｔ％の範囲内にすることによっ
て、耐蝕性の高い下層部と置換型の無電解金メッキを行
うことのできる上層部とを有するニッケル層を形成する
ことができる。ニッケル被膜のリンの平均含有率が１０
ｗｔ％を越えると、ニッケル被膜の上層部のリン濃度が
高くなり過ぎて金被膜の形成が困難になり、一方、ニッ
ケル被膜のリンの平均含有率が３ｗｔ％未満になると、
置換型の無電解金メッキに対する耐蝕性を得るに充分な
リンの含有率をニッケル被膜の下層部においても得るこ
とができない。

【００１５】ニッケル被膜のリンの含有率としては、上
層部において３〜７ｗｔ％程度、下層部において８〜１
２ｗｔ％程度であることが望ましい。上層部のリンの含
有率を単一のめっき工程にて上記範囲より低くすること
は困難であり、上記範囲よりも高くすると置換型の無電
解金メッキを施すことが困難になる。一方、下層部のリ
ンの含有率を上記範囲より低くすると置換型の無電解金
メッキを行う際の耐蝕性に問題が生じ、上記範囲より高
くすると、上層部におけるリンの含有率を上記範囲内に
収めることが困難になる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明に係る回路電極部の製造方法及び回路電極部の構造の
実施形態について説明する。

【００１７】図１は、本実施形態における製造工程を示
す断面工程図である。本実施形態においては、図１
（ａ）に示すように、プリント基板あるいは絶縁基板等
の配線基板１上に予め銅めっき等により配線パターンが
形成され、この配線パターンの一部として端子接続用の
パッド基部２が形成されている。パッド基部２の平面形
状は図３に記載されている。配線基板１上に形成された
配線パターン１１の先端部にやや拡幅したパッド基部２
が複数並列するように形成されている。配線基板１上の
配線パターン１１には、パッド基部２の表面を除いてレ
ジスト１２が被覆されている。

【００１８】上記の配線基板１の表面に対して、脱脂及
び酸によるソフトエッチングを順次行った後に、ＰＤＣ
−１０Ｗ（石原薬品株式会社製、製品番号）に浸漬し、
銅表面を活性化させる。このＰＤＣ−１０Ｗは、塩化パ
ラジウム０．４２％、酢酸ナトリウム２０％を主成分と
する水溶液である。

【００１９】次に、配線基板１を無電解パラジウムめっ
き浴に浸漬させ、図１（ｂ）に示すようにパラジウム被
膜３の形成を行う。この無電解パラジウムめっきに用い
るめっき液は、イオン交換水１リットルに対してＡＰＰ
−１０（石原薬品株式会社製、製品番号）を１６０〜２
４０ミリリットル、好ましくは２００ミリリットル、Ａ
ＰＰ−２０Ｗ（石原薬品株式会社製、製品番号）を４０
〜６０ミリリットル、好ましくは５０ミリリットル、そ
れぞれ加えて混合し、浴温を４５〜５５℃、好ましくは
５０℃としたものである。めっき浴のｐＨは７．５〜
８．５、好ましくは８．２である。

【００２０】上記のＡＰＰ−１０には、主成分として塩
化パラジウムが０．９％、エチレンジアミン４酢酸４ナ
トリウムが６．０％含まれている。また、ＡＰＰ−２０
Ｗには、ホスフィン酸ナトリウムが２０％含まれてい
る。なお、上記めっき液には、リンの化合物が少量含有
されており、パラジウム被膜の合金組成としてはパラジ
ウムが約９６ｗｔ％、リンが約４ｗｔ％となる。

【００２１】本実施形態では、上記条件により５分のめ
っき処理を行い、前記パッド基部２上にパラジウム被膜
３を約０．１〜０．２μｍの厚さとなるように形成し
た。

【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、無電解め
っきにより、パラジウム被膜３上にニッケル被膜４を形
成する。この無電解ニッケルめっきには、イオン交換水
１リットルに対して、ニムデンＮＰＲ−４−Ｍ（上村工
業株式会社製、製品番号）を１５０ミリリットルと、ニ
ムデンＮＰＲ−４−Ａ（上村工業株式会社製、製品番
号）を４５ミリリットルと、ニムデンＮＰＲ−４−Ｄ
（上村工業株式会社製、製品番号）を５ミリリットルと
をそれぞれ加えて撹拌し、液温７９〜８１℃、好ましく
は８０℃としたものである。めっき液のｐＨは４．５〜
４．７、好ましくは４．６である。

【００２３】上記のめっき液に約３０分間浸漬し、約５
μｍのニッケル被膜４を形成した。上記のめっき液に
は、ニッケルとともにリンの化合物（次亜リン酸塩等）
が含まれており、ニッケル被膜４の平均組成としてニッ
ケルが約９３ｗｔ％、リンが約７ｗｔ％となるように調
製されている。

【００２４】最後に、ニッケル被膜４上には、図１
（ｄ）に示すように、置換型の無電解金めっきを行うこ
とにより、金被膜５を形成する。本実施形態における無
電解金めっきは、２段階で行う。初めにニッケル被膜の
表面４ａにストライク浴の使用により約１０分で厚さ
０．０５μｍ程度に金被膜（図示なし）を薄く置換めっ
きを行う。次に、この薄付けした金被膜上に、中性浴を
用いて置換型の無電解金めっきを約１０〜１５分程度行
い、最終的に厚さ約０．５μｍ程度の金被膜５を形成す
る。

【００２５】上記ストライク浴には、オーリカルＴＳＳ
−２２（上村工業株式会社製、製品名）を用いた。これ
は、イオン交換水１リットルに対してオーリカルＴＳＳ
−２２−Ｍ２０（上村工業株式会社製、製品名）を１０
０ミリリットル、シアン化第１金カリウムを６．０ｇ、
シアン化カリウムを１００ミリリットルの割合で混合し
て、アンモニア水やクエン酸等によってｐＨを４．５〜
６．０、好ましくは４．８に調整し、液温を７５〜８５
℃、好ましくは７５℃としたものである。

【００２６】また、上記中性浴には、オーリカルＴＴＴ
−１１（上村工業株式会社製、製品名）を用いた。これ
は、イオン交換水１リットルに対してオーリカルＴＴＴ
−１１−Ｍ２（上村工業株式会社製、製品名）を５００
ミリリットル、シアン化第１金カリウムを５．９ｇ、シ
アン化カリウムを０．０５ミリリットルの割合で混合し
てｐＨ調整し、適宜各成分を補給して、液温を７５℃、
金濃度を３．６〜４．１ｇ／リットル、好ましくは４ｇ
／リットル、ｐＨを４．６〜５．０、好ましくは４．８
としたものである。

【００２７】上記のようにして形成されたパッド基部２
上の積層構造は図２に示されている。この図２は、配線
基板１を切断した断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観
察した状態を示すものである。銅で形成されたパッド基
部２の表面には薄いパラジウム被膜３が全面的に被覆
し、この上にニッケル被膜４が積層されている。ニッケ
ル被膜４の断面においては、ニッケル被膜４の厚さのほ
ぼ中間位置４ｂより下方部分（以下、下層部という。）
では図示しない水平方向の縞状線が見られ、複数の層が
積層しているように観察される。中間位置４ｂよりも上
方部分（以下、上層部という。）においては、上記の縞
は見られず、ほぼ全体が均一に成膜されているように観
察される。

【００２８】ニッケル被膜４の上層部には、ニッケル被
膜４を被覆する金被膜５との界面５ａから下方に伸びる
侵食部４ｃが形成されている。これらの侵食部４ｃは、
置換型の無電解めっき処理により発生するニッケル被膜
４の侵食によって形成された空洞部、或いは侵食によっ
て膜質が粗化された変性部である。これらの侵食部４ｃ
のうち最も深いものでも、その先端位置は上層部の下部
若しくは下層部の上部に止まっている。

【００２９】図５（ｂ）に示す従来の積層構造の断面と
比較すると、従来構造では、侵食部がニッケル層の下層
部まで侵入し、極端な場合には銅パターンの部分まで伸
びているが、本実施形態の断面においては、侵食部４ｃ
はいずれもニッケル被膜４の内部にて停止し、ニッケル
被膜４の下層部にまでは侵入していない。

【００３０】また、上記の断面構造の変化に関連してい
ると思われるが、上記金被膜５の表面５ｂの表面態様も
かなり変化している。従来の金被膜の表面には、顕微鏡
等で観察すると、粗い凹凸が形成されていることが判る
が、本実施形態では、従来よりも１／１０倍程度の細か
い凹凸形状に変化しており、凹凸の上下高さも小さく、
平滑化されている。また、従来の金被膜の表面に見られ
たしみや変色がほとんど発生していない。

【００３１】本実施形態による形成された積層構造にお
いて、上記ＳＥＭで観察した断面に対して電子線マイク
ロプローブＸ線分析法により分析を行った。この分析に
おいては、ニッケル被膜を構成する原子種を特定し、さ
らにＺＡＦ法により原子種毎に定量分析を行った。その
結果、下層部においてはリン含有率が５．１８ｗｔ％で
あったのに対し、上層部においては、リン含有率は３．
９２ｗｔ％であった。さらに、断面の研磨面に形成され
た表面損傷層を酸によるソフトエッチングにより除いて
から、同様の測定、定量を行った結果、下層部において
はリン含有率が７．３２ｗｔ％、上層部においてはリン
含有率が６．５９ｗｔ％となった。

【００３２】上記のように、本実施形態では、ニッケル
被膜の上層部と下層部とで、膜質及びリン含有率が異な
り、その結果、上層部ではリン含有率が少ないために置
換型の無電解金めっきが容易に行えるとともに、下層部
ではリン含有率が高くなっているため、ニッケル被膜の
深さ方向には侵食がされにくく、上記の侵食部４ｃも下
層部の内部にまでは侵入しない。したがって、ニッケル
被膜４の表面状態も従来よりも平滑化され、金被膜も均
一に形成することができ、金被膜の表面も従来よりも均
一かつ平坦に形成することができる。

【００３３】上記の製造工程においては、パラジウム被
膜３を形成したことによって、ニッケル被膜４の形成速
度が向上し、さらに、ニッケル被膜４の表面状態も向上
し、かつ、ニッケル被膜の上層部のリン含有率が減少し
たことによって、金被膜の形成速度も向上した。従来方
法で本実施形態と同一のめっき液を用いて形成したニッ
ケル被膜上に０．５μｍ厚さの金被膜を本実施形態と同
一のめっき液を用いて形成する場合、約２５分間かかっ
ていたのが、本実施形態では約１０分間で形成できるよ
うになった。

【００３４】上記実施形態においては、パラジウムめっ
き液及びパラジウム被膜にはリンが含有されているが、
リンを含有しないパラジウム被膜でも支障なく同様の効
果を得ることができる。

【００３５】また、本実施形態によれば、パラジウム被
膜は０．１μｍ〜０．２μｍの厚さに形成されている
が、パラジウム被膜はパッド基部２上に全面的に形成さ
れていればよい。実際には、パラジウム被膜の厚さは
０．０１μｍ以上であるとほぼ全面的な被覆ができてい
ると思われる。パラジウム被膜の厚さの上限は、０．２
μｍ程度が好ましい。これ以上厚く形成しても効果に差
は見られず、またメッキ処理の時間や材料コストがかか
るため、経済的でないからである。

【００３６】本実施形態では、無電解ニッケルめっき浴
にリン酸化合物を混入させ、ニッケル被膜中に全体とし
てリンが６〜７ｗｔ％程度含有されるようにしている
が、その結果、上記のように、ニッケル被膜の下層部に
はリンが５〜９ｗｔ％程度、上層部には３〜７ｗｔ％程
度含まれることが判明した。この原因は明らかではない
が、パラジウム被膜上に対しては、上記ニッケルめっき
液中のリンがニッケルよりもより析出し易くなっている
ことが考えられる。また、上層部と下層部との被膜の膜
質が異なることから、膜質によって析出組成が異なる可
能性もある。

【００３７】このニッケル被膜には、全体として被膜中
のリンの平均含有率が３〜１０ｗｔ％になるようにめっ
き液を調製すれば、パッド基部上へ金被覆を施す場合の
下地としては有効である。ニッケル被膜中のリンの平均
含有率が３ｗｔ％未満では、パラジウム被膜に近い下層
部においても、置換型の無電解金めっき液に対する耐蝕
性を充分に得ることができず、また、ニッケル被膜中の
リンの平均含有率が１０ｗｔ％を越えると、表面に近い
上層部においても、置換型の無電解金めっきを有効に行
うことのできる程度のニッケル被膜の低いリン含有率を
得ることができない。

【００３８】一般に、置換型の無電解金めっきにおいて
は、前記ニッケル被膜４のリン含有率が低い方が置換反
応が起こりやすくなり、逆に、ニッケル被膜４中のリン
含有率が高くなると置換反応は起きにくくなる。置換型
の無電解金めっきを行うことのできるニッケル被膜のリ
ン含有率の臨界領域は、６〜８ｗｔ％程度であると考え
られる。本実施形態においては、ニッケル被膜４の上層
部は、ニッケル被膜中の平均含有率よりもリン含有率が
低くなるため、ニッケル被膜４は形成されやすくなって
いる。したがって、ニッケル被膜中の平均含有率が１０
ｗｔ％未満であれば、置換型の無電解金めっきによりニ
ッケル被膜上に金被膜を形成することは充分に可能であ
る。

【００３９】特に、ニッケル被膜のリンの含有率として
は、上層部において３〜７ｗｔ％程度、下層部において
８〜１２ｗｔ％程度であることが望ましい。上層部のリ
ンの含有率を単一のめっき工程にて上記範囲より低くす
ることは困難であり、上記範囲よりも高くすると置換型
の無電解金メッキを施すことが困難になる。一方、下層
部のリンの含有率を上記範囲より低くすると置換型の無
電解金メッキを行う際の耐蝕性に問題が生じ、上記範囲
より高くすると、上層部におけるリンの含有率を上記範
囲内に収めることが困難になる。

【００４０】金被膜５とニッケル被膜４との界面５ａか
らは侵食部４ｃが下方に向かって伸びている。この侵食
部４ｃはニッケル被膜４の膜質の弱い部分がめっき液中
に溶け出して形成されるものと思われる。侵食部４ｃの
深さは場所によって様々であるが、最も深く形成された
ものにおいても、ニッケル被膜４の下層部の上部にて停
止している。これは、ニッケル被膜４においては、下層
に進む程にリン含有率が高くなっているため、めっき液
とニッケル被膜との置換反応が発生しにくいため、侵食
部４ｃが下方に伸びにくくなっているためであると思わ
れる。

【００４１】なお、ニッケル被膜４の下層部にて金めっ
きによる浸触が止まることにより、従来のように、侵食
部４ｃがパッド基部２まで到達することによって発生す
る銅による金めっき浴の汚染を防ぐことができ、金めっ
き浴の寿命を高めることができる。

【００４２】図４は、本実施形態におけるレジスト層１
２の外縁付近のパッド基部２上の積層構造を示す縦断面
図である。各めっき被膜の構造は図１（ｄ）と同様であ
るので、同一構造部には同一符号を付し、その説明は省
略する。図４に示すように、配線パターン１１上を被覆
するレジスト層１２の側面部１２ａに接触する部分にお
いて、各被膜ともにやや膜厚が大きくなって程度であ
り、特に成膜の乱れもなく、比較的滑らかな外縁部とな
っている。

【００４３】一方、図６には、上記従来の製造方法にて
成膜を行った場合であって、ニッケルめっき工程の前に
配線基板１を浸漬する溶液中の塩化パラジウム濃度を１
０ｐｐｍから２０ｐｐｍへと上昇させた場合のレジスト
層１２との接触部を示す。ここで、パッド基部２１の上
に、ニッケル被膜２２、金被膜２３の順で積層してい
る。パッド基部２１とニッケル被膜２２との間には、触
媒としてのパラジウムが付着している程度であり、パッ
ド基部２１の表面上に全面的にパラジウム被膜が形成さ
れているわけではない。この場合には、レジスト２４の
側面部２４ａに接触する部分のニッケル被膜２２が異常
に厚く形成されてしまい、ニッケル被膜２２がレジスト
層２４の側面部２４ａに沿って上方に盛り上がった断面
形状となっている。

【００４４】図６に示すニッケル被膜２２の外縁部の異
常形状の原因は明らかではないが、従来の触媒液として
用いる塩化パラジウム溶液への浸漬では、レジスト２４
とパッド基部２１との界面部にパラジウム溶液が溜り、
ここからニッケル被膜２２が異常成長するのではないか
と思われる。

【００４５】本実施形態では、パッド基部上にパラジウ
ム被膜を形成するため、パッド基部周辺に触媒液を接触
させ、付着させたパラジウムの付着状態を保持する必要
がないことから、レジストとの界面部分におけるニッケ
ルの異常析出も防止できるているものと考えられる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、銅
を主体とする材料で構成された回路電極部上に無電解メ
ッキによりパラジウム被膜を全面的に形成し、その上に
ニッケル被膜を形成すると、パラジウム被膜に近い下層
部では、ニッケル被膜中のリンの含有率が高くなり、上
層部にいく程リンの含有率は低下していく。このため、
ニッケル被膜上に置換型の無電解金めっきを行うと、ニ
ッケル被膜の上層部はリンの含有率が低いことから支障
なく金被膜を形成することができるとともに、仮にニッ
ケル被膜の膜質の劣った部分にて侵食が発生しても、リ
ンの含有率の高い下層部において侵食が停止し、侵食は
縦方向よりもむしろリンの含有率の低い上層部において
均一に発生するようになるので、従来よりもニッケル被
膜の浸触が抑制され、金被膜表面のシミや変色が少なく
なるとともに、クラックの発生も防止される。

【００４７】また、このようなニッケル被膜上に形成さ
れた置換型の無電解メッキによる金被膜には、きめが細
かく、凹凸が少ない滑らかな表面が形成されるので、回
路電極部のボンディング性が向上する。

【００４８】さらに、無電解メッキによりパラジウム被
膜を全面的に形成したことにより、従来よりもニッケル
被膜が形成されやすくなり、ニッケル被膜の形成速度が
向上するとともに、ニッケル被膜の上層部のリンの含有
率が低くなることにより、金被膜の形成速度も向上す
る。したがって、メッキ被覆工程の処理時間を短縮する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回路電極部の製造方法の実施形態
を示す工程断面図（ａ）〜（ｄ）である。

【図２】本発明に係る回路電極部の積層構造の実施形態
を示す拡大縦断面図である。

【図３】上記実施形態における配線基板の平面形状の一
部を示す拡大平面図である。

【図４】上記実施形態におけるレジスト層と各めっき被
膜との接触部の形状を示す拡大縦断面図である。

【図５】従来のパッド基部上のめっき被膜の積層構造を
示す拡大縦断面図（ａ）と積層されためっき被膜の状態
を示す拡大縦断面図である。

【図６】従来のパッド基部のめっき被膜の積層構造にお
ける、レジスト層と各めっき被膜との接触部の形状を示
す拡大縦断面図である。

【符号の説明】

１、２０配線基板２、２１パッド基部３パラジウム被膜４、２２ニッケル被膜５、２３金被膜１１、２４レジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者湊真由美長野県茅野市豊平1528番地有限会社オーシャン内 (56)参考文献特開平７−268640（ＪＰ，Ａ) 特公平８−1980（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/10 - 3/38

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に設けられた回路パターンにおけ
る少なくとも表面が銅を主体とする材料で構成された回
路電極部上に、無電解めっきによりパラジウム被膜を全
面的に形成する工程と、該パラジウム被膜上に無電解め
っきによりリンを含有するニッケル被膜を形成する工程
と、該ニッケル被膜上に置換反応による無電解金めっき
を行うことにより金被膜を形成する工程とを有すること
を特徴とする回路電極部の製造方法。
【請求項２】請求項１において、前記ニッケル被膜を
形成する工程において用いられるニッケルめっき液は、
形成されるニッケル被膜のリンの平均含有率が３〜１０
ｗｔ％となるように調製されているものであることを特
徴とする回路電極部の製造方法。
【請求項３】請求項１において、前記ニッケル被膜の
上層部におけるリンの含有率が７ｗｔ％未満、前記ニッ
ケル被膜の下層部におけるリンの含有率が８ｗｔ％以上
となるように、前記ニッケル被膜を形成する工程におけ
るニッケルめっき液のリン濃度を調整して成膜すること
を特徴とする回路電極部の製造方法。
【請求項４】基板上に設けられた回路パターンにおけ
る少なくとも表面が銅を主体とする材料で構成された回
路電極部上に、全面的に形成されたパラジウム被膜と、
該パラジウム被膜の表面上に形成されたリンを含有する
ニッケル被膜と、該ニッケル被膜の表面を置換すること
によって形成された金被膜とを備え、前記ニッケル被膜
の下層部のリンの含有率が相対的に高く、前記ニッケル
被膜の上層部のリンの含有率が相対的に低くなるように
形成されていることを特徴とする回路電極部。
【請求項５】請求項４において、前記ニッケル被膜の
上層部のリンの含有率は３〜７ｗｔ％、前記ニッケル被
膜の下層部のリンの含有率は８〜１２ｗｔ％であること
を特徴とする回路電極部。