JP3206207B2 - レーザートリミング方法 - Google Patents
レーザートリミング方法Info
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- JP3206207B2 JP3206207B2 JP10529693A JP10529693A JP3206207B2 JP 3206207 B2 JP3206207 B2 JP 3206207B2 JP 10529693 A JP10529693 A JP 10529693A JP 10529693 A JP10529693 A JP 10529693A JP 3206207 B2 JP3206207 B2 JP 3206207B2
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- Japan
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- film resistor
- laser
- layer
- energy
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オンチップ薄膜抵抗体
のレーザートリミングに関し、特にＳＯＩ（Silicon On
Insulator）層を有する半導体装置の薄膜抵抗体の抵抗
値調整に用いた場合に好適である。
のレーザートリミングに関し、特にＳＯＩ（Silicon On
Insulator）層を有する半導体装置の薄膜抵抗体の抵抗
値調整に用いた場合に好適である。
【０００２】
【従来技術】従来、抵抗体を半導体基板上に薄膜抵抗と
して搭載することで、半導体素子の小型化および低コス
ト化が可能となっている。この薄膜抵抗の抵抗値の調整
方法としては、レーザー光を照射して薄膜抵抗体を切断
し抵抗値を調整するレーザートリミング法が一般的であ
る。
して搭載することで、半導体素子の小型化および低コス
ト化が可能となっている。この薄膜抵抗の抵抗値の調整
方法としては、レーザー光を照射して薄膜抵抗体を切断
し抵抗値を調整するレーザートリミング法が一般的であ
る。
【０００３】また、半導体素子としては、より高速化と
高集積化の要求が高まっている。そして、この要求を満
たすべく考案されたものが、素子を酸化シリコン等で分
離したＳＯＩ層を有する半導体素子である。これは、酸
化シリコン等の絶縁膜により基板と素子部とが分離され
ているため、基板と素子間の容量が小さくなり高速化が
可能となることと、絶縁層により分離層を設けるように
して、素子を積層化することで三次元ＩＣを実現できる
などの高集積化が可能となるといったものである。
高集積化の要求が高まっている。そして、この要求を満
たすべく考案されたものが、素子を酸化シリコン等で分
離したＳＯＩ層を有する半導体素子である。これは、酸
化シリコン等の絶縁膜により基板と素子部とが分離され
ているため、基板と素子間の容量が小さくなり高速化が
可能となることと、絶縁層により分離層を設けるように
して、素子を積層化することで三次元ＩＣを実現できる
などの高集積化が可能となるといったものである。
【０００４】そして、このＳＯＩ構造を有する半導体素
子上に上記薄膜抵抗の搭載が要求されることは必然的で
ある。ここで、ＳＯＩ構造を有する半導体素子上の薄膜
抵抗をレーザートリミングする場合を考えてみる。図２
に示すような基板７，ＳｉＯ2 埋込み層６，シリコン層
５，ＢＰＳＧ膜およびＣｏｘ膜からなる下地酸化膜４，
薄膜抵抗３，Ａｌ配線２，プラズマシリコン窒化膜１ａ
およびＴＥＯＳ酸化膜１ｂからなる保護膜１を順次形成
したＳＯＩ構造の素子において、薄膜抵抗３の抵抗値調
整に技術的に確立されたＹＡＧレーザー光（波長１０６
４ｎｍ）を用いてレーザートリミングを施す。
子上に上記薄膜抵抗の搭載が要求されることは必然的で
ある。ここで、ＳＯＩ構造を有する半導体素子上の薄膜
抵抗をレーザートリミングする場合を考えてみる。図２
に示すような基板７，ＳｉＯ2 埋込み層６，シリコン層
５，ＢＰＳＧ膜およびＣｏｘ膜からなる下地酸化膜４，
薄膜抵抗３，Ａｌ配線２，プラズマシリコン窒化膜１ａ
およびＴＥＯＳ酸化膜１ｂからなる保護膜１を順次形成
したＳＯＩ構造の素子において、薄膜抵抗３の抵抗値調
整に技術的に確立されたＹＡＧレーザー光（波長１０６
４ｎｍ）を用いてレーザートリミングを施す。
【０００５】この場合、ＹＡＧレーザー光が薄膜抵抗３
を透過し下地酸化膜４，シリコン層５，ＳｉＯ2 埋込み
層６にまで達し各層の界面ａ，ｂ，ｃ，ｄにおいて反射
する。そしてこの反射光が薄膜抵抗３に達し入射光と干
渉を起こし、薄膜抵抗３でのレーザー光のエネルギー吸
収率が大きく変動してしまう。そして薄膜抵抗３での吸
収されるレーザー光エネルギーの最小値がトリミングに
必要なエネルギーよりも小さくなりトリミングができな
いといった問題が発生する。
を透過し下地酸化膜４，シリコン層５，ＳｉＯ2 埋込み
層６にまで達し各層の界面ａ，ｂ，ｃ，ｄにおいて反射
する。そしてこの反射光が薄膜抵抗３に達し入射光と干
渉を起こし、薄膜抵抗３でのレーザー光のエネルギー吸
収率が大きく変動してしまう。そして薄膜抵抗３での吸
収されるレーザー光エネルギーの最小値がトリミングに
必要なエネルギーよりも小さくなりトリミングができな
いといった問題が発生する。
【０００６】そこで、この問題を解決する方法として特
開平３−２４２９６６号公報が挙げられる。これは、薄
膜抵抗３下の絶縁膜の膜厚を制御して反射光を抑え、薄
膜抵抗３でのレーザー光エネルギーの吸収率を安定化す
るものである。そしてこの方法を利用し、ＳＯＩ層など
の各膜厚を制御することで、薄膜抵抗３でのレーザー光
エネルギーの吸収率を安定化することが考えられる。
開平３−２４２９６６号公報が挙げられる。これは、薄
膜抵抗３下の絶縁膜の膜厚を制御して反射光を抑え、薄
膜抵抗３でのレーザー光エネルギーの吸収率を安定化す
るものである。そしてこの方法を利用し、ＳＯＩ層など
の各膜厚を制御することで、薄膜抵抗３でのレーザー光
エネルギーの吸収率を安定化することが考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＯＩ
構造では上述のようにＳＯＩ層を構成するシリコン膜５
をレーザー光が透過するため、薄膜抵抗３に達する反射
光は各界面からの反射光の複雑な干渉光となる。特にＳ
ＯＩ層を構成するシリコン膜５においては、その膜厚の
変動が約１．５μｍあり、また、レーザー光に対する周
期膜厚が１５２ｎｍと小さいため、シリコン膜５の膜厚
での反射光の制御は非常に困難となる。さらに、下地酸
化膜４およびＳｉＯ2 埋込み層６下からの反射光がシリ
コン膜５の膜厚変動の影響を受ける。従って、たとえ下
地酸化膜４およびＳｉＯ2 埋込み層６の膜厚を制御して
それらからの反射光を制御しても、工程バラツキを考慮
すると、シリコン層５の影響があるかぎり薄膜抵抗３へ
の反射光を完全に制御することはできない。そのため、
各層の膜厚を制御することで薄膜抵抗３でのレーザー光
エネルギーの吸収率の変動を抑えることはかなり困難な
ものとなってしまう。
構造では上述のようにＳＯＩ層を構成するシリコン膜５
をレーザー光が透過するため、薄膜抵抗３に達する反射
光は各界面からの反射光の複雑な干渉光となる。特にＳ
ＯＩ層を構成するシリコン膜５においては、その膜厚の
変動が約１．５μｍあり、また、レーザー光に対する周
期膜厚が１５２ｎｍと小さいため、シリコン膜５の膜厚
での反射光の制御は非常に困難となる。さらに、下地酸
化膜４およびＳｉＯ2 埋込み層６下からの反射光がシリ
コン膜５の膜厚変動の影響を受ける。従って、たとえ下
地酸化膜４およびＳｉＯ2 埋込み層６の膜厚を制御して
それらからの反射光を制御しても、工程バラツキを考慮
すると、シリコン層５の影響があるかぎり薄膜抵抗３へ
の反射光を完全に制御することはできない。そのため、
各層の膜厚を制御することで薄膜抵抗３でのレーザー光
エネルギーの吸収率の変動を抑えることはかなり困難な
ものとなってしまう。
【０００８】従って本発明は上記問題点に鑑み、薄膜抵
抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えら
れるレーザートリミング方法を提供することを目的とす
る。
抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えら
れるレーザートリミング方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記問題を解
決するためになされた本発明によるレーザートリミング
技術は、基板上に下層膜および薄膜抵抗体を順次形成す
るようにした半導体装置の該薄膜抵抗体の抵抗値を調整
するレーザートリミング方法であって、該レーザー光
は、前記薄膜抵抗体の下層膜の膜厚をｄ，屈折率をｎと
し、また、前記レーザー光の中心波長をλとし、前記下
層膜が前記薄膜抵抗体の前記レーザー光エネルギーの吸
収率に与える影響の度合いによって決まる任意の数をＫ
として、Δλ≧λ2 ／Ｋ・ｎｄとなる前記中心波長λか
らの波長幅Δλを有することを特徴としている。
決するためになされた本発明によるレーザートリミング
技術は、基板上に下層膜および薄膜抵抗体を順次形成す
るようにした半導体装置の該薄膜抵抗体の抵抗値を調整
するレーザートリミング方法であって、該レーザー光
は、前記薄膜抵抗体の下層膜の膜厚をｄ，屈折率をｎと
し、また、前記レーザー光の中心波長をλとし、前記下
層膜が前記薄膜抵抗体の前記レーザー光エネルギーの吸
収率に与える影響の度合いによって決まる任意の数をＫ
として、Δλ≧λ2 ／Ｋ・ｎｄとなる前記中心波長λか
らの波長幅Δλを有することを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明によると、薄膜抵抗体の抵抗値を調整す
るレーザー光に、薄膜抵抗体の下層膜の膜厚をｄ，およ
びその屈折率をｎとし、前記レーザー光の中心波長をλ
とし、また前記下層膜が前記薄膜抵抗体の前記レーザー
光エネルギーの吸収率に与える影響の度合いによって決
まる任意の数をＫとして、該中心波長λからΔλ≧λ2
／Ｋ・ｎｄという波長幅を持たせるようにしているた
め、前記薄膜抵抗体を透過し、前記下層膜を透過したレ
ーザー光による該下層膜下の界面からの反射光エネルギ
ーの変動を抑えることができる。
るレーザー光に、薄膜抵抗体の下層膜の膜厚をｄ，およ
びその屈折率をｎとし、前記レーザー光の中心波長をλ
とし、また前記下層膜が前記薄膜抵抗体の前記レーザー
光エネルギーの吸収率に与える影響の度合いによって決
まる任意の数をＫとして、該中心波長λからΔλ≧λ2
／Ｋ・ｎｄという波長幅を持たせるようにしているた
め、前記薄膜抵抗体を透過し、前記下層膜を透過したレ
ーザー光による該下層膜下の界面からの反射光エネルギ
ーの変動を抑えることができる。
【００１１】
【実施例】まず、本発明におけるレーザー光の波長幅に
ついて説明する。平行平板に入射する入射光強度を
Ｉ0 ，反射光強度をＩR ，透過光強度をＩT，吸収され
た光強度をＩA とすると、反射度Ｒ1 ＝ＩR ／Ｉ0 ，透
過度Ｔ1 ＝Ｉ T ／Ｉ0 ，吸収度Ａ1 ＝ＩA ／Ｉ0 であ
り、またエネルギー保存則によって、
ついて説明する。平行平板に入射する入射光強度を
Ｉ0 ，反射光強度をＩR ，透過光強度をＩT，吸収され
た光強度をＩA とすると、反射度Ｒ1 ＝ＩR ／Ｉ0 ，透
過度Ｔ1 ＝Ｉ T ／Ｉ0 ，吸収度Ａ1 ＝ＩA ／Ｉ0 であ
り、またエネルギー保存則によって、
【００１２】
【数１】Ｒ1 ＋Ｔ1 ＋Ａ1 ＝１ という式が成り立つ。そして、平行平板に対してレーザ
ー光が垂直に入射され、透過光がある場合、反射度ある
いは透過度を表す式はその分子または分母に正弦関数を
含んでいる。そして、その正弦関数の位相には波長が含
まれている。もしレーザー光の波長が連続的に変えられ
るものであるならば、透過度も反射度も共に波状曲線を
描くことになる。
ー光が垂直に入射され、透過光がある場合、反射度ある
いは透過度を表す式はその分子または分母に正弦関数を
含んでいる。そして、その正弦関数の位相には波長が含
まれている。もしレーザー光の波長が連続的に変えられ
るものであるならば、透過度も反射度も共に波状曲線を
描くことになる。
【００１３】ここで、単色光である波長λのレーザー光
に波長幅を持たせるようにする。その幅を２Δλとす
る。λ±Δλ内で平行平板の屈折率をｎ一定と考えてよ
いが、透過度Ｔはθ（λ）＝２πｎｄ／λに依存するか
ら、λ±ΔλにおけるＴの値は異なるようになる。Δλ
に対応するθの違いをΔθとすれば、波長幅２Δλを持
つ光が入射したときの透過度は、
に波長幅を持たせるようにする。その幅を２Δλとす
る。λ±Δλ内で平行平板の屈折率をｎ一定と考えてよ
いが、透過度Ｔはθ（λ）＝２πｎｄ／λに依存するか
ら、λ±ΔλにおけるＴの値は異なるようになる。Δλ
に対応するθの違いをΔθとすれば、波長幅２Δλを持
つ光が入射したときの透過度は、
【００１４】
【数２】ＴAVE.＝（１／２Δθ）∫Ｔｄθ で与えられる。このときの積分範囲は０から２Δθであ
る。また、Δθは、θ（λ−Δλ）−θ（λ＋Δλ）で
与えられ、Δθ＝４πｎｄΔλ／λ2 と表される。従っ
て積分範囲２Δθが２πよりも小さい場合、すなわち、
る。また、Δθは、θ（λ−Δλ）−θ（λ＋Δλ）で
与えられ、Δθ＝４πｎｄΔλ／λ2 と表される。従っ
て積分範囲２Δθが２πよりも小さい場合、すなわち、
【００１５】
【数３】２Δθ＝２・４πｎｄΔλ／λ2 ＜２π のとき、数２式で与えられるＴAVE.は変動する。しかし
積分範囲２Δθが２πよりも大きい場合、すなわち、
積分範囲２Δθが２πよりも大きい場合、すなわち、
【００１６】
【数４】２Δθ＝２・４πｎｄΔλ／λ2 ≧２π のとき、数２式よりＴAVE.は一定となる。すなわち、こ
の一定となった透過度Ｔ AVE.を有する透過光が反射され
たとすると、その反射光の反射度も一定となる。ここ
で、例えばＳＯＩ層に注目した場合を考えるとき、ＳＯ
Ｉ層の屈折率をｎ，膜厚をｄとすると、数４より位相差
Δθに対応するΔλ≧λ2 ／４πｎｄという波長幅をト
リミングに使用するレーザー光に持たせるようにすれ
ば、平行平板と考えられるＳＯＩ構造を有する半導体素
子の薄膜抵抗に到達する各層からの反射光の反射度は、
ＳＯＩ層の膜厚の影響を受けず、一定となる。
の一定となった透過度Ｔ AVE.を有する透過光が反射され
たとすると、その反射光の反射度も一定となる。ここ
で、例えばＳＯＩ層に注目した場合を考えるとき、ＳＯ
Ｉ層の屈折率をｎ，膜厚をｄとすると、数４より位相差
Δθに対応するΔλ≧λ2 ／４πｎｄという波長幅をト
リミングに使用するレーザー光に持たせるようにすれ
ば、平行平板と考えられるＳＯＩ構造を有する半導体素
子の薄膜抵抗に到達する各層からの反射光の反射度は、
ＳＯＩ層の膜厚の影響を受けず、一定となる。
【００１７】上記のような波長幅を有するレーザー光を
使用し、図１に示すＳＯＩ構造を有する半導体素子上に
配設された薄膜抵抗体に、レーザートリミングを行った
場合のシミュレーション結果を図２に示す。図２は、Ｓ
ＯＩ層５の膜厚を変動させた時のレーザー光の波長幅に
対する薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の
変動を表す図である。なお、レーザー光は中心波長が１
０６４ｎｍのＹＡＧレーザー光を仮定した。このとき、
図１における各層の膜厚を、シリコン窒化膜１ａは１．
６μｍ，ＴＥＯＳ酸化膜１ｂは０．８μｍ，ＣｒＳｉか
らなる薄膜抵抗３は１５ｎｍ，下地酸化膜４は工程バラ
ツキを考えた場合（０．９＋０．１μｍ）の限界値の１
つである１．０μｍ，ＳＯＩ層５は１８μｍ，埋込みＳ
ｉＯ2 層６は０．９２μｍとした。なお、図１の２はＡ
ｌ配線，７はシリコン基板を表す。
使用し、図１に示すＳＯＩ構造を有する半導体素子上に
配設された薄膜抵抗体に、レーザートリミングを行った
場合のシミュレーション結果を図２に示す。図２は、Ｓ
ＯＩ層５の膜厚を変動させた時のレーザー光の波長幅に
対する薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の
変動を表す図である。なお、レーザー光は中心波長が１
０６４ｎｍのＹＡＧレーザー光を仮定した。このとき、
図１における各層の膜厚を、シリコン窒化膜１ａは１．
６μｍ，ＴＥＯＳ酸化膜１ｂは０．８μｍ，ＣｒＳｉか
らなる薄膜抵抗３は１５ｎｍ，下地酸化膜４は工程バラ
ツキを考えた場合（０．９＋０．１μｍ）の限界値の１
つである１．０μｍ，ＳＯＩ層５は１８μｍ，埋込みＳ
ｉＯ2 層６は０．９２μｍとした。なお、図１の２はＡ
ｌ配線，７はシリコン基板を表す。
【００１８】図２には、レーザー光に波長幅Δλが全く
ない状態，すなわち波長幅に対応する位相差がゼロのと
きから、波長幅Δλがλ2 ／４ｎｄ，すなわち位相差が
πのとき付近までを示し、薄膜抵抗４でのレーザー光エ
ネルギーの最大吸収率と最小吸収率とをそれぞれ
Ａmax ，Ａmin として示す。図より、位相差がπ付近に
なると薄膜抵抗４でのレーザー光エネルギーの吸収率は
約４７％に安定することが分かる。
ない状態，すなわち波長幅に対応する位相差がゼロのと
きから、波長幅Δλがλ2 ／４ｎｄ，すなわち位相差が
πのとき付近までを示し、薄膜抵抗４でのレーザー光エ
ネルギーの最大吸収率と最小吸収率とをそれぞれ
Ａmax ，Ａmin として示す。図より、位相差がπ付近に
なると薄膜抵抗４でのレーザー光エネルギーの吸収率は
約４７％に安定することが分かる。
【００１９】ここで、薄膜抵抗４におけるレーザー光エ
ネルギーの吸収率において問題になることは吸収率が低
くて薄膜抵抗３をトリミングできないことである。従っ
て、最小吸収率がどの程度であればトリミング可能かを
知る必要がある。そこで、本発明者らの実験によると薄
膜抵抗３でのレーザー光エネルギーのトリミングに必要
な最小エネルギー吸収率は、シリコン窒化膜１ａ，ＴＥ
ＯＳ酸化膜１ｂを破壊しない程度の大きなエネルギーの
場合で、およそ２０％であればよいことが分かった。従
って、図２より位相差をπ／４以上とするようにする。
すなわち、数４式よりΔλ≧λ2 ／１６ｎｄとする。こ
のときの最小吸収率は２０％を上回る。このようにすれ
ば、レーザー光の波長幅をあまり広げなくてもよくな
る。
ネルギーの吸収率において問題になることは吸収率が低
くて薄膜抵抗３をトリミングできないことである。従っ
て、最小吸収率がどの程度であればトリミング可能かを
知る必要がある。そこで、本発明者らの実験によると薄
膜抵抗３でのレーザー光エネルギーのトリミングに必要
な最小エネルギー吸収率は、シリコン窒化膜１ａ，ＴＥ
ＯＳ酸化膜１ｂを破壊しない程度の大きなエネルギーの
場合で、およそ２０％であればよいことが分かった。従
って、図２より位相差をπ／４以上とするようにする。
すなわち、数４式よりΔλ≧λ2 ／１６ｎｄとする。こ
のときの最小吸収率は２０％を上回る。このようにすれ
ば、レーザー光の波長幅をあまり広げなくてもよくな
る。
【００２０】以上のように、本実施例によると薄膜抵抗
体のレーザートリミングに使用するレーザー光にＳＯＩ
層の膜厚および屈折率から決定される波長幅を持たせる
ようにしているため、ＳＯＩ層を透過した透過光の透過
度、すなわち透過光エネルギーは一定となる。そのた
め、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー吸収率に最も
影響を及ぼすＳＯＩ層とその下の絶縁膜との界面での反
射度の変動、すなわち反射光エネルギーの変動を抑える
ことができる。これにより薄膜抵抗体での入射光と反射
光との干渉光のエネルギーの変動を抑えることができ、
その結果、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収
率の変動を抑えることができる。
体のレーザートリミングに使用するレーザー光にＳＯＩ
層の膜厚および屈折率から決定される波長幅を持たせる
ようにしているため、ＳＯＩ層を透過した透過光の透過
度、すなわち透過光エネルギーは一定となる。そのた
め、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー吸収率に最も
影響を及ぼすＳＯＩ層とその下の絶縁膜との界面での反
射度の変動、すなわち反射光エネルギーの変動を抑える
ことができる。これにより薄膜抵抗体での入射光と反射
光との干渉光のエネルギーの変動を抑えることができ、
その結果、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収
率の変動を抑えることができる。
【００２１】上記に示されるレーザー光に波長幅を持た
せた薄膜抵抗体のレーザートリミング技術はどのような
構造の素子のものにも適用でき、これを用いることで、
例えば特開平３−２４２９６６に示されるような薄膜抵
抗体の下層酸化膜厚の制御によるエネルギー吸収率の安
定化を図る必要がなくなり、下層酸化膜厚形成工程を減
らすというように工程数を減らすことができるといった
効果が得られる。
せた薄膜抵抗体のレーザートリミング技術はどのような
構造の素子のものにも適用でき、これを用いることで、
例えば特開平３−２４２９６６に示されるような薄膜抵
抗体の下層酸化膜厚の制御によるエネルギー吸収率の安
定化を図る必要がなくなり、下層酸化膜厚形成工程を減
らすというように工程数を減らすことができるといった
効果が得られる。
【００２２】また、上記のような単一レーザーを使用す
るほかに、複数のレーザー光を混合することにより、疑
似的に波長幅を広げても同等な効果が得られる。
るほかに、複数のレーザー光を混合することにより、疑
似的に波長幅を広げても同等な効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によると、薄膜抵抗
体の抵抗値を調整するためのレーザー光に該レーザー光
の中心波長λからΔλ≧λ2 ／Ｋ・ｎｄという波長幅を
持たせることにより、前記薄膜抵抗体の下層からの反射
光の反射エネルギーの変動を抑えるようにしているた
め、薄膜抵抗体での入射光と反射光との干渉による干渉
光のエネルギー変動を抑えることができる。その結果、
薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の変動を
抑えることができる。これにより、薄膜抵抗体でのレー
ザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えられるレーザー
トリミング方法を提供することができる。
体の抵抗値を調整するためのレーザー光に該レーザー光
の中心波長λからΔλ≧λ2 ／Ｋ・ｎｄという波長幅を
持たせることにより、前記薄膜抵抗体の下層からの反射
光の反射エネルギーの変動を抑えるようにしているた
め、薄膜抵抗体での入射光と反射光との干渉による干渉
光のエネルギー変動を抑えることができる。その結果、
薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の変動を
抑えることができる。これにより、薄膜抵抗体でのレー
ザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えられるレーザー
トリミング方法を提供することができる。
【図１】ＳＯＩ構造を有し、薄膜抵抗体を備える半導体
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図２】薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー吸収率の
レーザー光波長幅依存性を表す図である。
レーザー光波長幅依存性を表す図である。
【符号の説明】 １ 保護膜 １ａシリコン窒化膜 １ｂＴＥＯＳ酸化膜 ２ Ａｌ配線 ３ 薄膜抵抗 ４ 下地酸化膜 ５ シリコン層 ６ 埋込みＳｉＯ2 ７ 基板 ８ 高濃度Ｎ+ 拡散部 ９ 高濃度Ｎ+ 拡散層 １０ Ｎ- 型基板 １１ ＴｉＷ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−155660（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−226006（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−226005（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−48686（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/822
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下層膜および薄膜抵抗体を順次
形成するようにした半導体装置の該薄膜抵抗体の抵抗値
を調整するレーザートリミング方法であって、該レーザ
ー光は、 前記薄膜抵抗体の下層膜の膜厚をｄ，屈折率をｎとし、
また、前記レーザー光の中心波長をλとし、前記下層膜
が前記薄膜抵抗体の前記レーザー光エネルギーの吸収率
に与える影響の度合いによって決まる任意の数をＫとし
て、 Δλ≧λ2 ／Ｋ・ｎｄ となる前記中心波長λからの波長幅Δλを有することを
特徴とするレーザートリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529693A JP3206207B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | レーザートリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529693A JP3206207B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | レーザートリミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318675A JPH06318675A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3206207B2 true JP3206207B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=14403734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10529693A Expired - Lifetime JP3206207B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | レーザートリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206207B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003076151A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Procede et systeme de traitement de materiaux fragiles |
| JP2012079885A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Panasonic Electric Works Sunx Co Ltd | レーザ光出射装置およびレーザ光の中心波長および波長帯域幅の変更方法 |
-
1993
- 1993-05-06 JP JP10529693A patent/JP3206207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318675A (ja) | 1994-11-15 |
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