JP3203043B2 - 光弾性変調子の残留歪除去装置 - Google Patents
光弾性変調子の残留歪除去装置Info
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- JP3203043B2 JP3203043B2 JP11307492A JP11307492A JP3203043B2 JP 3203043 B2 JP3203043 B2 JP 3203043B2 JP 11307492 A JP11307492 A JP 11307492A JP 11307492 A JP11307492 A JP 11307492A JP 3203043 B2 JP3203043 B2 JP 3203043B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光弾性変調子の残留歪除
去装置、特に光学的機構を用いた残留歪除去装置に関す
る。
去装置、特に光学的機構を用いた残留歪除去装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光に所定の変調を与え、該変調光を被測
定試料等に照射してその光学的特性を測定する装置が各
種開発されており、例えば左右の円偏光に対する吸光度
の違いを測定する円偏光二色性（ＣＤ）測定装置や、旋
光角の波長依存性を測定する旋光分散計（ＯＲＤ）、直
線偏光に対する微小な複屈折を測定する複屈折（ＬＢ）
解析装置、直交する二つの直線偏光に対する吸光度の相
違を測定する直線二色性（ＬＤ）測定装置、さらに前記
ＬＢ及びＬＤを同時に測定するエリプソメータ等も開発
されている。
定試料等に照射してその光学的特性を測定する装置が各
種開発されており、例えば左右の円偏光に対する吸光度
の違いを測定する円偏光二色性（ＣＤ）測定装置や、旋
光角の波長依存性を測定する旋光分散計（ＯＲＤ）、直
線偏光に対する微小な複屈折を測定する複屈折（ＬＢ）
解析装置、直交する二つの直線偏光に対する吸光度の相
違を測定する直線二色性（ＬＤ）測定装置、さらに前記
ＬＢ及びＬＤを同時に測定するエリプソメータ等も開発
されている。
【０００３】このような装置において、光を変調するた
め光弾性変調子（ＰＥＭ）が広く用いられ、機械的変調
法に比較して変調周波数が高いことによる高速のデータ
取込みが可能である点、或いは光透過媒体を選択するこ
とにより広い波長範囲への拡張性に優れる等の利点を有
する。しかしながら、ＰＥＭの製造時にその光透過媒体
に歪が生じ、微小の信号を精度良く測定しようとすると
きに前記ＰＥＭの残留歪がアーティファクトとして重畳
するため、測定精度を向上させることができず、特にこ
の点はＣＤ測定装置、ＬＢ測定装置、エリプソメータに
おいて顕著である。
め光弾性変調子（ＰＥＭ）が広く用いられ、機械的変調
法に比較して変調周波数が高いことによる高速のデータ
取込みが可能である点、或いは光透過媒体を選択するこ
とにより広い波長範囲への拡張性に優れる等の利点を有
する。しかしながら、ＰＥＭの製造時にその光透過媒体
に歪が生じ、微小の信号を精度良く測定しようとすると
きに前記ＰＥＭの残留歪がアーティファクトとして重畳
するため、測定精度を向上させることができず、特にこ
の点はＣＤ測定装置、ＬＢ測定装置、エリプソメータに
おいて顕著である。
【０００４】例えば分光エリプソメータの場合、合成石
英の複屈折分散を調べてみると、ＰＥＭの残留歪は短波
長側ほど大きく、通常透明と考えられている波長領域に
おいても消衰係数がゼロから外れてくることが確認され
ている。また、膜厚測定にエリプソメータを用いる場合
には、５０オングストローム以下の極薄膜の膜厚値の正
確さが低下するなどの問題が生じる。そこで、従来にお
いては、ＰＥＭの残留歪の影響を含んだベースラインを
予め測定・記憶しておき、実際の取込みデータからこの
ベースラインを差引いていた。
英の複屈折分散を調べてみると、ＰＥＭの残留歪は短波
長側ほど大きく、通常透明と考えられている波長領域に
おいても消衰係数がゼロから外れてくることが確認され
ている。また、膜厚測定にエリプソメータを用いる場合
には、５０オングストローム以下の極薄膜の膜厚値の正
確さが低下するなどの問題が生じる。そこで、従来にお
いては、ＰＥＭの残留歪の影響を含んだベースラインを
予め測定・記憶しておき、実際の取込みデータからこの
ベースラインを差引いていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｐ
ＥＭの残留歪を含んだベースラインを差引く方式では、
電気的にオフセットをとっているのと等価であり、実質
的な補正にはなっていないという課題があった。本発明
は前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、ＰＥ
Ｍの残留歪自体の影響を除去することのできる残留歪除
去装置を提供することにある。
ＥＭの残留歪を含んだベースラインを差引く方式では、
電気的にオフセットをとっているのと等価であり、実質
的な補正にはなっていないという課題があった。本発明
は前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、ＰＥ
Ｍの残留歪自体の影響を除去することのできる残留歪除
去装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明にかかる残留歪除去装置は、光透過手段と、加
圧手段と、回転手段を有し、前記光弾性変調子と同一光
路上に配置されることを特徴とする。そして、前記光透
過手段は、光弾性変調子の光透過媒体と同程度の残留歪
を持つ光透過媒体よりなる。また、加圧手段は、光透過
手段に圧力を加えて、光弾性変調子の残留歪をキャンセ
ルする歪を生じさせる。回転手段は、前記光透過手段を
光軸を中心として回転可能とする。
に本発明にかかる残留歪除去装置は、光透過手段と、加
圧手段と、回転手段を有し、前記光弾性変調子と同一光
路上に配置されることを特徴とする。そして、前記光透
過手段は、光弾性変調子の光透過媒体と同程度の残留歪
を持つ光透過媒体よりなる。また、加圧手段は、光透過
手段に圧力を加えて、光弾性変調子の残留歪をキャンセ
ルする歪を生じさせる。回転手段は、前記光透過手段を
光軸を中心として回転可能とする。
【０００７】
【作用】本発明にかかる光弾性変調子の残留歪除去装置
は、前述したように光透過手段の光透過媒体を光弾性変
調子と同一の光路上に配置し、光透過手段に光弾性変調
子の残留歪をキャンセルするように、加圧手段により前
記光透過手段を加圧する。なお、この際、光弾性変調子
の残留歪の方向性に適合させるため、回転手段により光
透過手段を光軸を中心として回転させる。以上のように
して、光弾性変調子により変調された光は、光弾性変調
子の残留歪の影響を受けないものとなり、正確な測定等
を行なうことが可能となる。
は、前述したように光透過手段の光透過媒体を光弾性変
調子と同一の光路上に配置し、光透過手段に光弾性変調
子の残留歪をキャンセルするように、加圧手段により前
記光透過手段を加圧する。なお、この際、光弾性変調子
の残留歪の方向性に適合させるため、回転手段により光
透過手段を光軸を中心として回転させる。以上のように
して、光弾性変調子により変調された光は、光弾性変調
子の残留歪の影響を受けないものとなり、正確な測定等
を行なうことが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の好適な実施例を
説明する。図１には本発明にかかる残留歪除去装置が適
用されたエリプソメータが示されている。同図に示すエ
リプソメータ１０は、出光系１０と、サンプル保持系１
２と、受光系１４と、制御系１６とを備える。前記出光
系１０は、光源１８を備えたモノクロメータ２０と、Ｐ
ＥＭ２２と、前記モノクロメータ２０とＰＥＭ２２の間
の光路上に配置された残留歪除去装置２４とを含む。そ
して、光源１８からの光はモノクロメータ２０により所
定波長の光のみが抽出され、さらに残留歪除去装置２４
及びＰＥＭ２２を介してサンプル保持系１２に向け出射
する。
説明する。図１には本発明にかかる残留歪除去装置が適
用されたエリプソメータが示されている。同図に示すエ
リプソメータ１０は、出光系１０と、サンプル保持系１
２と、受光系１４と、制御系１６とを備える。前記出光
系１０は、光源１８を備えたモノクロメータ２０と、Ｐ
ＥＭ２２と、前記モノクロメータ２０とＰＥＭ２２の間
の光路上に配置された残留歪除去装置２４とを含む。そ
して、光源１８からの光はモノクロメータ２０により所
定波長の光のみが抽出され、さらに残留歪除去装置２４
及びＰＥＭ２２を介してサンプル保持系１２に向け出射
する。
【０００９】また、サンプル保持系１２は本実施例にお
いて反射型サンプルステージ２６よりなり、その保持し
たサンプルのＸ，Ｙ位置及び入射角を変更可能としてい
る。受光系１４は、検光子２８及びフォトマル３０より
なり、前記サンプル保持系１２よりのサンプル反射光
を、検光子２８を介してフォトマル３０が受光する。制
御系１６は、ＣＰＵ３２と、該ＣＰＵ３２の指示に基づ
き前記反射型サンプルステージ２６を駆動制御するステ
ージドライバ３４と、前記フォトマル３０に駆動電流を
供給し、該フォトマル３０の交流出力を増幅してＣＰＵ
３２に供給するアンプユニット３６と、アンプユニット
３６からの出力に基づき前記ＰＥＭ２２を駆動制御する
ＰＥＭコントローラ３８と、ＣＰＵ３２の指示に基づき
前記モノクロメータ２０を駆動制御するモノクロドライ
バ４０と、ＣＰＵ３２から所望のデータの供給を受け、
データ処理を行なうコンピュータ４２と、コンピュータ
４２の出力を表示するＣＲＴ４４及びプリンタ４６と、
コンピュータ４２に指示を与えるキーボード４８と、前
記光源１８に点灯電流を供給するＸｅ電源５０を備え
る。
いて反射型サンプルステージ２６よりなり、その保持し
たサンプルのＸ，Ｙ位置及び入射角を変更可能としてい
る。受光系１４は、検光子２８及びフォトマル３０より
なり、前記サンプル保持系１２よりのサンプル反射光
を、検光子２８を介してフォトマル３０が受光する。制
御系１６は、ＣＰＵ３２と、該ＣＰＵ３２の指示に基づ
き前記反射型サンプルステージ２６を駆動制御するステ
ージドライバ３４と、前記フォトマル３０に駆動電流を
供給し、該フォトマル３０の交流出力を増幅してＣＰＵ
３２に供給するアンプユニット３６と、アンプユニット
３６からの出力に基づき前記ＰＥＭ２２を駆動制御する
ＰＥＭコントローラ３８と、ＣＰＵ３２の指示に基づき
前記モノクロメータ２０を駆動制御するモノクロドライ
バ４０と、ＣＰＵ３２から所望のデータの供給を受け、
データ処理を行なうコンピュータ４２と、コンピュータ
４２の出力を表示するＣＲＴ４４及びプリンタ４６と、
コンピュータ４２に指示を与えるキーボード４８と、前
記光源１８に点灯電流を供給するＸｅ電源５０を備え
る。
【００１０】以上のように構成されたエリプソメータ
は、出光系１０から出射された光がサンプルステージ２
６上のサンプルにより反射され、該サンプルの情報を含
んだ反射光がフォトマル３０により光電変換され、所望
の光学的情報を得ることとなる。本発明において特徴的
なことは、ＰＥＭの残留歪を光学的に除去することであ
り、このために本発明はＰＥＭ２２とサンプルステージ
２６の間に残留歪除去装置２４が設けられている。
は、出光系１０から出射された光がサンプルステージ２
６上のサンプルにより反射され、該サンプルの情報を含
んだ反射光がフォトマル３０により光電変換され、所望
の光学的情報を得ることとなる。本発明において特徴的
なことは、ＰＥＭの残留歪を光学的に除去することであ
り、このために本発明はＰＥＭ２２とサンプルステージ
２６の間に残留歪除去装置２４が設けられている。
【００１１】該残留歪除去装置２４の構成が図２及び図
３に詳細に示されている。図２に示す残留歪除去装置２
４は、基台５０と、該基台５０に回転可能に取付けられ
た枠体５２と、該枠体５２内にはめ込まれ、前記ＰＥＭ
の光透過媒体と同程度の残留歪を持つ光透過媒体よりな
る光透過手段５４と、枠体５２の上枠５２ａと光透過手
段５４の間に配置された押圧部材５６と、上枠５２ａの
左部分、右部分にそれぞれ螺合されたガイドネジ５８
ａ，５８ｂとを備える。そして、押圧ネジ６０を押圧す
ることにより、ガイドネジ５８ａ，５８ｂにより支持さ
れた押圧部材５６を介して光透過手段５４が図中下方向
に押圧され、ガイドネジ５８ａ，５８ｂと上枠５２ａと
ではさまれたバネ５９ａ，５９ｂの復元力によりバラン
スされて所望の歪を光透過手段５４に与えることができ
る。
３に詳細に示されている。図２に示す残留歪除去装置２
４は、基台５０と、該基台５０に回転可能に取付けられ
た枠体５２と、該枠体５２内にはめ込まれ、前記ＰＥＭ
の光透過媒体と同程度の残留歪を持つ光透過媒体よりな
る光透過手段５４と、枠体５２の上枠５２ａと光透過手
段５４の間に配置された押圧部材５６と、上枠５２ａの
左部分、右部分にそれぞれ螺合されたガイドネジ５８
ａ，５８ｂとを備える。そして、押圧ネジ６０を押圧す
ることにより、ガイドネジ５８ａ，５８ｂにより支持さ
れた押圧部材５６を介して光透過手段５４が図中下方向
に押圧され、ガイドネジ５８ａ，５８ｂと上枠５２ａと
ではさまれたバネ５９ａ，５９ｂの復元力によりバラン
スされて所望の歪を光透過手段５４に与えることができ
る。
【００１２】また、枠体５２は基台５０に設けられた開
口５０ａに回転可能に嵌合され、固定ネジ６５を締めつ
けることにより枠体５２の回転位置を固定し、また固定
ネジ６５を緩めることにより、枠体５２の光軸Ｌに対す
る回転を行なうことができる。本実施例にかかる残留歪
除去装置は概略以上のように構成され、次にその作用に
ついて図２、図３及びポアンカレ球を示す図４を参照し
つつ説明する。 まず、光透過手段としての石英板５４を枠体５２にセ
ットする。 そして、押圧ネジ６０を調整して該石英板５４に歪を
過剰に与える。 この状態で、入射角を９０度に設定して透過測定の配
置としプリズムをその透過軸が４５度方位になるように
セットする。 そして、例えば５０ｋＨｚ信号がゼロとなるように石
英板を回転させる（図３）。この結果、石英板５４の軸
出しが行なわれる。 次にサンプルプリズムをその透過軸が０度方位（入射
面と一致）にセットする。 そして、同じく５０ｋＨｚの信号がゼロとなるよう
に、押圧ネジ５８を操作し、歪（リターデーション）を
調整する。 上記〜を繰返し、サンプルプリズムの０度方位、
４５度方位での５０ｋＨｚ成分の絶対値が最小となるよ
うに調整する。
口５０ａに回転可能に嵌合され、固定ネジ６５を締めつ
けることにより枠体５２の回転位置を固定し、また固定
ネジ６５を緩めることにより、枠体５２の光軸Ｌに対す
る回転を行なうことができる。本実施例にかかる残留歪
除去装置は概略以上のように構成され、次にその作用に
ついて図２、図３及びポアンカレ球を示す図４を参照し
つつ説明する。 まず、光透過手段としての石英板５４を枠体５２にセ
ットする。 そして、押圧ネジ６０を調整して該石英板５４に歪を
過剰に与える。 この状態で、入射角を９０度に設定して透過測定の配
置としプリズムをその透過軸が４５度方位になるように
セットする。 そして、例えば５０ｋＨｚ信号がゼロとなるように石
英板を回転させる（図３）。この結果、石英板５４の軸
出しが行なわれる。 次にサンプルプリズムをその透過軸が０度方位（入射
面と一致）にセットする。 そして、同じく５０ｋＨｚの信号がゼロとなるよう
に、押圧ネジ５８を操作し、歪（リターデーション）を
調整する。 上記〜を繰返し、サンプルプリズムの０度方位、
４５度方位での５０ｋＨｚ成分の絶対値が最小となるよ
うに調整する。
【００１３】この結果、例えば図５に示すように従来
０．４％程度存在した残留歪が、図６に示すように０．
１％以下に補正される。なお、本実施例においては残留
歪除去装置をＰＥＭの直後に設置した例について説明し
たが、例えばＰＥＭの直前に設置することも可能であ
る。
０．４％程度存在した残留歪が、図６に示すように０．
１％以下に補正される。なお、本実施例においては残留
歪除去装置をＰＥＭの直後に設置した例について説明し
たが、例えばＰＥＭの直前に設置することも可能であ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明にかかる残留
歪除去装置によれば、ＰＥＭの残留歪を光学的に除去す
るので、極めて精度の高い光変調特性を得ることができ
る。
歪除去装置によれば、ＰＥＭの残留歪を光学的に除去す
るので、極めて精度の高い光変調特性を得ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例にかかる残留歪除去装置が適
用されたエリプソメータの概略構成の説明図である。
用されたエリプソメータの概略構成の説明図である。
【図２】前記図１に示したエリプソメータに用いられた
残留歪除去装置の詳細構造の説明図である。
残留歪除去装置の詳細構造の説明図である。
【図３】前記図２に示した残留歪除去装置の進相軸の回
転状態の説明図である。
転状態の説明図である。
【図４】本実施例にかかる残留歪除去装置の作用を示す
ポアンカレ球の説明図である。
ポアンカレ球の説明図である。
【図５】本実施例にかかる残留歪除去装置を用いない場
合の、ＰＥＭによる変調状態の説明図である。
合の、ＰＥＭによる変調状態の説明図である。
【図６】本実施例にかかる残留歪除去装置を用いた場合
の、ＰＥＭによる変調状態の説明図である。
の、ＰＥＭによる変調状態の説明図である。
２４ 残留歪除去装置 ５０ 基台 ５０ａ 開口（回転手段） ５２ 枠体（回転手段） ５４ 光透過手段 ５６ 押圧部材（加圧手段） ６０ 押圧ネジ（加圧手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/125 G01J 3/00 - 4/04 G01J 7/00 - 9/04 G01N 21/00 - 21/01 G01N 21/17 - 21/61 G02B 27/28 G02B 5/18
Claims (1)
- 【請求項１】 光弾性変調子の光透過媒体と同程度の残
留歪を持つ光透過媒体よりなる光透過手段と、 前記光透過手段に圧力を加えて、光弾性変調子の残留歪
をキャンセルする歪を生じさせる加圧手段と、 前記光透過手段を光軸として回転可能とする回転手段
と、 を備え、前記光弾性変調子と同一光路上に配置されるこ
とを特徴とする光弾性変調子の残留歪除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307492A JP3203043B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 光弾性変調子の残留歪除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307492A JP3203043B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 光弾性変調子の残留歪除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05289031A JPH05289031A (ja) | 1993-11-05 |
| JP3203043B2 true JP3203043B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=14602827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307492A Expired - Lifetime JP3203043B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 光弾性変調子の残留歪除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3203043B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886810A (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-23 | Hinds Instruments, Inc. | Mounting apparatus for an optical assembly of a photoelastic modulator |
| JP5461020B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2014-04-02 | 株式会社堀場製作所 | 分光エリプソメータ |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP11307492A patent/JP3203043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05289031A (ja) | 1993-11-05 |
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Legal Events
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