JP3202012B1 - 圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置 - Google Patents
圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置Info
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- JP3202012B1 JP3202012B1 JP2000091530A JP2000091530A JP3202012B1 JP 3202012 B1 JP3202012 B1 JP 3202012B1 JP 2000091530 A JP2000091530 A JP 2000091530A JP 2000091530 A JP2000091530 A JP 2000091530A JP 3202012 B1 JP3202012 B1 JP 3202012B1
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Abstract
【要約】
【課題】 耐電圧性の高い薄膜の圧電膜を備えた圧電ア
クチュエータ及びそれを備えたインクジェットヘッド並
びにインクジェット式記録装置を提供する。 【解決手段】 インクジェットヘッド１のアクチュエー
タとして、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型
構造を有し且つ膜厚が１μｍ〜１０μｍの圧電膜を備え
た圧電アクチュエータ１６を用いる。圧電膜１８は、比
誘電率が１５０〜５００であり、Ｘ線回折ピークの強度
が最大となる面が（００１）面であり、抗電界が１０Ｖ
／μｍ程度であり、誘電損失が５％以下であり、Ｐｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５であり、組成比の異な
る複数の圧電薄膜１８ａ，１８ｂが積み重ねられて形成
されている。
クチュエータ及びそれを備えたインクジェットヘッド並
びにインクジェット式記録装置を提供する。 【解決手段】 インクジェットヘッド１のアクチュエー
タとして、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型
構造を有し且つ膜厚が１μｍ〜１０μｍの圧電膜を備え
た圧電アクチュエータ１６を用いる。圧電膜１８は、比
誘電率が１５０〜５００であり、Ｘ線回折ピークの強度
が最大となる面が（００１）面であり、抗電界が１０Ｖ
／μｍ程度であり、誘電損失が５％以下であり、Ｐｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５であり、組成比の異な
る複数の圧電薄膜１８ａ，１８ｂが積み重ねられて形成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電アクチュエー
タ、インクジェットヘッド、及びインクジェット式記録
装置に関する。
タ、インクジェットヘッド、及びインクジェット式記録
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電気信号が与えられると機械
的動作を行うアクチュエータとして、上部電極と下部電
極との間に圧電体が設けられてなる圧電アクチュエータ
が知られている。圧電アクチュエータは、圧電体の圧電
効果を利用して電気的エネルギーを機械的エネルギーに
変換するものであり、例えばインクジェット式記録装置
のヘッド等のアクチュエータなど、幅広い用途に利用さ
れている。
的動作を行うアクチュエータとして、上部電極と下部電
極との間に圧電体が設けられてなる圧電アクチュエータ
が知られている。圧電アクチュエータは、圧電体の圧電
効果を利用して電気的エネルギーを機械的エネルギーに
変換するものであり、例えばインクジェット式記録装置
のヘッド等のアクチュエータなど、幅広い用途に利用さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年はイン
クジェットヘッド等の小型化に伴い、圧電アクチュエー
タ自体の小型化が望まれており、そのために、圧電体の
薄膜化が切望されている。しかし、圧電膜は、膜自体の
性質を変えることなく単に薄膜化しただけでは、絶縁破
壊を起こしやすくなる。従って、耐電圧性を確保する観
点から、圧電膜の薄膜化には一定の限界があった。そこ
で、圧電アクチュエータの更なる小型化、ひいては圧電
アクチュエータを利用したインクジェットヘッド及びイ
ンクジェット式記録装置のより一層の小型化を進めるた
めには、従来と異なる性質を有する耐電圧性に優れた圧
電膜が必要とされる。
クジェットヘッド等の小型化に伴い、圧電アクチュエー
タ自体の小型化が望まれており、そのために、圧電体の
薄膜化が切望されている。しかし、圧電膜は、膜自体の
性質を変えることなく単に薄膜化しただけでは、絶縁破
壊を起こしやすくなる。従って、耐電圧性を確保する観
点から、圧電膜の薄膜化には一定の限界があった。そこ
で、圧電アクチュエータの更なる小型化、ひいては圧電
アクチュエータを利用したインクジェットヘッド及びイ
ンクジェット式記録装置のより一層の小型化を進めるた
めには、従来と異なる性質を有する耐電圧性に優れた圧
電膜が必要とされる。
【０００４】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、耐電圧性の高い薄膜
の圧電膜を備えた圧電アクチュエータ及びそれを備えた
インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置
を提供することにある。
であり、その目的とするところは、耐電圧性の高い薄膜
の圧電膜を備えた圧電アクチュエータ及びそれを備えた
インクジェットヘッド並びにインクジェット式記録装置
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイ
ト型構造を有する膜厚が１μｍ〜１０μｍの圧電膜であ
って、従来とは異なる性質を有するものを備えることと
した。
に、本発明は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイ
ト型構造を有する膜厚が１μｍ〜１０μｍの圧電膜であ
って、従来とは異なる性質を有するものを備えることと
した。
【０００６】具体的には、本発明に係る圧電アクチュエ
ータは、上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられ
てなる圧電アクチュエータであって、上記圧電体は、ス
パッタリング、ＣＶＤ法およびゾルゲル法のいずれか１
の成膜方法により成膜され、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含む
ペロブスカイト型構造を有し、 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）
＝１．１〜１．５（但し１．１を除く）で、膜厚が１μ
ｍ〜１０μｍ且つ比誘電率が１５０〜５００の圧電膜に
よって形成されていることとしたものである。
ータは、上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられ
てなる圧電アクチュエータであって、上記圧電体は、ス
パッタリング、ＣＶＤ法およびゾルゲル法のいずれか１
の成膜方法により成膜され、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含む
ペロブスカイト型構造を有し、 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）
＝１．１〜１．５（但し１．１を除く）で、膜厚が１μ
ｍ〜１０μｍ且つ比誘電率が１５０〜５００の圧電膜に
よって形成されていることとしたものである。
【０００７】このように、従来の圧電体よりも低い比誘
電率を有することにより、圧電膜の耐電圧性は向上す
る。また、圧電アクチュエータを駆動するために必要な
電源容量を少なくすることができ、省エネルギー化を図
ることができる。
電率を有することにより、圧電膜の耐電圧性は向上す
る。また、圧電アクチュエータを駆動するために必要な
電源容量を少なくすることができ、省エネルギー化を図
ることができる。
【０００８】本発明に係る他の圧電アクチュエータは、
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つＸ線回折ピークの強度が最大となる
面が（００１）面である圧電膜によって形成されている
こととしたものである。
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つＸ線回折ピークの強度が最大となる
面が（００１）面である圧電膜によって形成されている
こととしたものである。
【０００９】上記圧電アクチュエータにおいて、圧電膜
の（００１）面のＸ線回折ピーク強度は、（１１０）
面、（１０１）面及び（１１１）面のＸ線回折ピーク強
度のうちの最大の強度の５倍以上であることが好まし
い。
の（００１）面のＸ線回折ピーク強度は、（１１０）
面、（１０１）面及び（１１１）面のＸ線回折ピーク強
度のうちの最大の強度の５倍以上であることが好まし
い。
【００１０】圧電膜においては、（００１）面に垂直に
電界をかけた場合に、結晶学的に安定な高い圧電特性が
得られる。そのため、上記事項により、絶縁破壊を生じ
るおそれは少なくなる。結晶方位の中に占める（００
１）成分の量を多くすることにより、圧電膜の結晶構造
はほぼ単結晶に近い均質な結晶構造となり、耐電圧性は
向上する。
電界をかけた場合に、結晶学的に安定な高い圧電特性が
得られる。そのため、上記事項により、絶縁破壊を生じ
るおそれは少なくなる。結晶方位の中に占める（００
１）成分の量を多くすることにより、圧電膜の結晶構造
はほぼ単結晶に近い均質な結晶構造となり、耐電圧性は
向上する。
【００１１】本発明に係る他の圧電アクチュエータは、
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つ抗電界が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜に
よって形成されていることとしたものである。
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つ抗電界が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜に
よって形成されていることとしたものである。
【００１２】一般に、抗電界が大きいほど分極の安定性
は高いため、たとえ擾乱があっても分極の反転は起こり
にくくなる。上記事項によれば、従来よりも抗電界が大
きいため、従来よりも分極の反転は起こりにくくなる。
そのため、圧電膜の劣化が抑制され、絶縁破壊は生じに
くくなる。
は高いため、たとえ擾乱があっても分極の反転は起こり
にくくなる。上記事項によれば、従来よりも抗電界が大
きいため、従来よりも分極の反転は起こりにくくなる。
そのため、圧電膜の劣化が抑制され、絶縁破壊は生じに
くくなる。
【００１３】本発明に係る他の圧電アクチュエータは、
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つ誘電損失が５％以下の圧電膜によっ
て形成されていることとしたものである。
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つ誘電損失が５％以下の圧電膜によっ
て形成されていることとしたものである。
【００１４】このことにより、電圧印加時の発熱等の損
失が低減し、耐電圧性は向上する。
失が低減し、耐電圧性は向上する。
【００１５】本発明に係る他の圧電アクチュエータは、
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜
１．５の圧電膜によって形成されていることとしたもの
である。
上部電極と下部電極との間に圧電体が設けられてなる圧
電アクチュエータであって、上記圧電体は、Ｐｂ、Ｚｒ
及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を有する膜厚が１
μｍ〜１０μｍ且つＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜
１．５の圧電膜によって形成されていることとしたもの
である。
【００１６】従来より、酸化物薄膜の形成における問題
点として、各金属元素が十分に酸化されず、その酸素欠
損のために圧電特性や耐電圧性の低下を招くことがあっ
た。しかし、上記事項によれば、ＰＺＴの組成の中で特
に酸化しやすい元素であるＰｂが過剰に加えられている
ので、Ｐｂの酸化に伴って、他の金属元素も十分に酸化
した状態になりやすい。その結果、圧電特性及び耐電圧
性は向上する。
点として、各金属元素が十分に酸化されず、その酸素欠
損のために圧電特性や耐電圧性の低下を招くことがあっ
た。しかし、上記事項によれば、ＰＺＴの組成の中で特
に酸化しやすい元素であるＰｂが過剰に加えられている
ので、Ｐｂの酸化に伴って、他の金属元素も十分に酸化
した状態になりやすい。その結果、圧電特性及び耐電圧
性は向上する。
【００１７】ところで、Ｐｂの成分量が多すぎると、結
晶成長の際に、結合に結びつかないＰｂ原子が増えるこ
とになり、却って圧電特性の低下を引き起こす。一方、
Ｐｂの成分量が少なすぎると、酸素欠損気味の領域が存
在しやすくなり、耐電圧性の低下を招く。そのため、上
述の通り、成分比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、１．１〜
１．５の範囲内にあることが好ましい。
晶成長の際に、結合に結びつかないＰｂ原子が増えるこ
とになり、却って圧電特性の低下を引き起こす。一方、
Ｐｂの成分量が少なすぎると、酸素欠損気味の領域が存
在しやすくなり、耐電圧性の低下を招く。そのため、上
述の通り、成分比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、１．１〜
１．５の範囲内にあることが好ましい。
【００１８】なお、前記圧電膜は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ
を含むペロブスカイト型構造を有する複数の圧電薄膜が
積み重ねられて形成されていることが好ましい。
を含むペロブスカイト型構造を有する複数の圧電薄膜が
積み重ねられて形成されていることが好ましい。
【００１９】このことにより、圧電膜の特性を局所的に
変化させることが可能となる。
変化させることが可能となる。
【００２０】上記圧電膜において、下層の圧電薄膜は、
上層の圧電薄膜よりもＺｒの含有量が少ないことが好ま
しい。
上層の圧電薄膜よりもＺｒの含有量が少ないことが好ま
しい。
【００２１】下部電極、圧電膜、上部電極の順に成膜を
行う場合、圧電膜の下部電極側にＺｒ原子が多く含まれ
ると、圧電膜の成膜時にＺｒは単独で結晶化しやすくな
り、圧電特性及び耐電圧性は低下しやすくなる。しか
し、上記事項によれば、下層の薄膜の方が上層の薄膜よ
りもＺｒの含有量が少ないので、圧電特性及び耐電圧性
は良好に保たれる。
行う場合、圧電膜の下部電極側にＺｒ原子が多く含まれ
ると、圧電膜の成膜時にＺｒは単独で結晶化しやすくな
り、圧電特性及び耐電圧性は低下しやすくなる。しか
し、上記事項によれば、下層の薄膜の方が上層の薄膜よ
りもＺｒの含有量が少ないので、圧電特性及び耐電圧性
は良好に保たれる。
【００２２】本発明に係るインクジェットヘッドは、複
数のノズル及び該各ノズルにそれぞれ連通する複数のイ
ンク室が形成されたヘッド本体部と、上記ヘッド本体部
の各インク室にそれぞれ対応して設けられ、所定の記録
信号を受けると該インク室のインクを上記ノズルから押
し出すように変形するアクチュエータとを備えたインク
ジェットヘッドであって、上記アクチュエータは、前記
のいずれか一の圧電アクチュエータによって形成されて
いることとしたものである。
数のノズル及び該各ノズルにそれぞれ連通する複数のイ
ンク室が形成されたヘッド本体部と、上記ヘッド本体部
の各インク室にそれぞれ対応して設けられ、所定の記録
信号を受けると該インク室のインクを上記ノズルから押
し出すように変形するアクチュエータとを備えたインク
ジェットヘッドであって、上記アクチュエータは、前記
のいずれか一の圧電アクチュエータによって形成されて
いることとしたものである。
【００２３】このことにより、小型且つ高性能のインク
ジェットヘッドが得られる。
ジェットヘッドが得られる。
【００２４】本発明に係るインクジェット式記録装置
は、上記インクジェットヘッドと、上記インクジェット
ヘッドと記録媒体とを相対移動させる移動手段と、上記
インクジェットヘッドに記録信号を供給する信号供給手
段とを備えていることとしたものである。
は、上記インクジェットヘッドと、上記インクジェット
ヘッドと記録媒体とを相対移動させる移動手段と、上記
インクジェットヘッドに記録信号を供給する信号供給手
段とを備えていることとしたものである。
【００２５】このことにより、高性能のインクジェット
式記録装置が得られる。
式記録装置が得られる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２７】図１に示すように、本実施形態に係るイン
クジェット式記録装置は、インクジェットヘッド１を備
えたインクジェットプリンタ６である。インクジェット
ヘッド１は、キャリッジ軸３に沿って往復移動するキャ
リッジ２に搭載され、キャリッジ２と共に主走査方向Ｘ
に往復移動を行う。ローラ５は、キャリッジ２が主走査
方向Ｘに一走査分移動する毎に、紙等の記録媒体４を副
走査方向Ｙに搬送するように構成されている。
クジェット式記録装置は、インクジェットヘッド１を備
えたインクジェットプリンタ６である。インクジェット
ヘッド１は、キャリッジ軸３に沿って往復移動するキャ
リッジ２に搭載され、キャリッジ２と共に主走査方向Ｘ
に往復移動を行う。ローラ５は、キャリッジ２が主走査
方向Ｘに一走査分移動する毎に、紙等の記録媒体４を副
走査方向Ｙに搬送するように構成されている。
【００２８】図２に示すように、インクジェットヘッド
１は、共通インク室１０と複数の圧力室１１と複数のノ
ズル１２とが形成されたヘッド本体部１５と、図示しな
い信号供給手段からの記録信号に応じて圧力室１１のイ
ンクに圧力を付与する圧電アクチュエータ１６とを備え
ている。なお、圧電アクチュエータ１６は、実際にはヘ
ッド本体部１５に比べてはるかに薄いものであるが、図
２においては、理解が容易なように誇張して図示してい
る。
１は、共通インク室１０と複数の圧力室１１と複数のノ
ズル１２とが形成されたヘッド本体部１５と、図示しな
い信号供給手段からの記録信号に応じて圧力室１１のイ
ンクに圧力を付与する圧電アクチュエータ１６とを備え
ている。なお、圧電アクチュエータ１６は、実際にはヘ
ッド本体部１５に比べてはるかに薄いものであるが、図
２においては、理解が容易なように誇張して図示してい
る。
【００２９】ヘッド本体部１５の圧力室１１は、副走査
方向Ｙに沿って所定間隔毎に配設されている。各圧力室
１１は、開口断面（ＸＹ断面）が主走査方向Ｘに細長い
略矩形状に形成され、その底部の長手方向の一端（図２
の右側端）には、共通インク室１０と圧力室１１とをつ
なぐインク供給口２１が形成され、その他端（図２の左
側端）には、圧力室１１とノズル１２とをつなぐインク
流路１３が形成されている。
方向Ｙに沿って所定間隔毎に配設されている。各圧力室
１１は、開口断面（ＸＹ断面）が主走査方向Ｘに細長い
略矩形状に形成され、その底部の長手方向の一端（図２
の右側端）には、共通インク室１０と圧力室１１とをつ
なぐインク供給口２１が形成され、その他端（図２の左
側端）には、圧力室１１とノズル１２とをつなぐインク
流路１３が形成されている。
【００３０】圧電アクチュエータ１６は、厚さ２μｍ〜
５μｍの振動板２３と、振動板２３上に形成された厚さ
０．１μｍ〜０．３μｍの白金（Ｐｔ）からなる共通電
極１７と、共通電極１７上に形成された圧電膜１８と、
圧電膜１８上に形成された厚さ０．１μｍ〜０．３μｍ
の白金からなる個別電極１９とを備えている。圧電膜１
８の厚みは１μｍ〜１０μｍが好ましく、本実施形態で
は、その厚みは３μｍに設定されている。圧電膜１８及
び個別電極１９は、ヘッド本体部１５の各圧力室１１に
対応した位置にそれぞれ設けられている。
５μｍの振動板２３と、振動板２３上に形成された厚さ
０．１μｍ〜０．３μｍの白金（Ｐｔ）からなる共通電
極１７と、共通電極１７上に形成された圧電膜１８と、
圧電膜１８上に形成された厚さ０．１μｍ〜０．３μｍ
の白金からなる個別電極１９とを備えている。圧電膜１
８の厚みは１μｍ〜１０μｍが好ましく、本実施形態で
は、その厚みは３μｍに設定されている。圧電膜１８及
び個別電極１９は、ヘッド本体部１５の各圧力室１１に
対応した位置にそれぞれ設けられている。
【００３１】圧電膜１８は、圧電材料であるＰｂＺｒ
1-xＴｉxＯ3（０≦ｘ≦１）を主成分とする圧電膜であ
り、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を
有している。後述するように、本実施形態に係る圧電膜
１８はスパッタリング等の成膜方法を用いて形成された
ものであり、従来の焼結法による圧電体と異なり、以下
のような性質を有している。
1-xＴｉxＯ3（０≦ｘ≦１）を主成分とする圧電膜であ
り、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型構造を
有している。後述するように、本実施形態に係る圧電膜
１８はスパッタリング等の成膜方法を用いて形成された
ものであり、従来の焼結法による圧電体と異なり、以下
のような性質を有している。
【００３２】すなわち、本圧電アクチュエータ１６の圧
電膜１８は、比誘電率が１５０〜５００に設定されてい
る。従来の焼結体構造の圧電体においては、比誘電率は
１０００以上であった。しかし、本発明者は、スパッタ
リング等の成膜技術を用いることにより圧電体の比誘電
率を低下させることができ、また、比誘電率が１５０〜
５００の範囲にあると耐電圧性が向上することを見いだ
した。そこで、本実施形態では、圧電膜１８を比誘電率
が１５０〜５００になるように形成することとした。
電膜１８は、比誘電率が１５０〜５００に設定されてい
る。従来の焼結体構造の圧電体においては、比誘電率は
１０００以上であった。しかし、本発明者は、スパッタ
リング等の成膜技術を用いることにより圧電体の比誘電
率を低下させることができ、また、比誘電率が１５０〜
５００の範囲にあると耐電圧性が向上することを見いだ
した。そこで、本実施形態では、圧電膜１８を比誘電率
が１５０〜５００になるように形成することとした。
【００３３】また、本圧電アクチュエータ１６の圧電膜
１８は、Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が（００
１）面に設定されている。従来の焼結体構造の圧電体で
は、図３（ｂ）に示すように、Ｘ線回折ピークの強度が
最大となる面は（１０１）面であった。しかし、図３
（ａ）に示すように、本実施形態に係る圧電膜１８にお
いては、Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面は（００
１）面になっている。このような結晶構造を採用するこ
とにより、（００１）面に垂直に電界をかけた場合に安
定的に高い圧電特性を得ることができ、耐電圧性も向上
する。また、結晶方位の中に占める（００１）成分の量
を多くすることにより、圧電膜１８の結晶構造は単結晶
に近い均質な結晶構造となる。そのため、耐電圧性は向
上する。
１８は、Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が（００
１）面に設定されている。従来の焼結体構造の圧電体で
は、図３（ｂ）に示すように、Ｘ線回折ピークの強度が
最大となる面は（１０１）面であった。しかし、図３
（ａ）に示すように、本実施形態に係る圧電膜１８にお
いては、Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面は（００
１）面になっている。このような結晶構造を採用するこ
とにより、（００１）面に垂直に電界をかけた場合に安
定的に高い圧電特性を得ることができ、耐電圧性も向上
する。また、結晶方位の中に占める（００１）成分の量
を多くすることにより、圧電膜１８の結晶構造は単結晶
に近い均質な結晶構造となる。そのため、耐電圧性は向
上する。
【００３４】また、本圧電アクチュエータ１６の圧電膜
１８では、（００１）面、（１１０）面、（１０１）
面、（１１１）面の回折ピークの強度をそれぞれＩ(０
０１)、Ｉ(１１０)、Ｉ(１０１)、Ｉ(１１１)としたと
き、Ｉ(００１)を、（００１）面を除く回折ピークの強
度のうちで最大の強度（この場合、Ｉ(１０１)）の５倍
以上になるようにした。その理由は、図４に示すよう
に、ピーク強度比α＝Ｉ(１０１)／Ｉ(００１)が１／５
以下になると、圧電膜１８の耐電圧性が顕著に向上する
からである。
１８では、（００１）面、（１１０）面、（１０１）
面、（１１１）面の回折ピークの強度をそれぞれＩ(０
０１)、Ｉ(１１０)、Ｉ(１０１)、Ｉ(１１１)としたと
き、Ｉ(００１)を、（００１）面を除く回折ピークの強
度のうちで最大の強度（この場合、Ｉ(１０１)）の５倍
以上になるようにした。その理由は、図４に示すよう
に、ピーク強度比α＝Ｉ(１０１)／Ｉ(００１)が１／５
以下になると、圧電膜１８の耐電圧性が顕著に向上する
からである。
【００３５】また、本圧電アクチュエータ１６の圧電膜
１８では、分極を反転させるために必要な電界、すなわ
ち抗電界は１０Ｖ／μｍ程度になっている。一般に、抗
電界が大きいほど分極の安定性は高いため、外部からの
擾乱があっても分極の反転は起こりにくくなる。従来の
焼結体構造の圧電体においては、抗電界は１Ｖ／μｍ程
度であった。しかし、本発明者は、スパッタリング等の
成膜技術を用いることにより、抗電界を従来以上に高め
ることができることを見出し、圧電膜１８の抗電界を２
Ｖ／μｍ以上に設定することとした。その結果、分極の
不要な反転を防止することができ、圧電膜１８の劣化を
抑制することができる。
１８では、分極を反転させるために必要な電界、すなわ
ち抗電界は１０Ｖ／μｍ程度になっている。一般に、抗
電界が大きいほど分極の安定性は高いため、外部からの
擾乱があっても分極の反転は起こりにくくなる。従来の
焼結体構造の圧電体においては、抗電界は１Ｖ／μｍ程
度であった。しかし、本発明者は、スパッタリング等の
成膜技術を用いることにより、抗電界を従来以上に高め
ることができることを見出し、圧電膜１８の抗電界を２
Ｖ／μｍ以上に設定することとした。その結果、分極の
不要な反転を防止することができ、圧電膜１８の劣化を
抑制することができる。
【００３６】また、本圧電アクチュエータ１６の圧電膜
１８では、誘電損失は５％以下になっている。そのた
め、電圧を印加した際の発熱等のエネルギー損失は低減
する。
１８では、誘電損失は５％以下になっている。そのた
め、電圧を印加した際の発熱等のエネルギー損失は低減
する。
【００３７】また、本圧電アクチュエータ１６の圧電膜
１８では、従来よりもＰｂの含有比率が多くなってい
る。従来より、酸化物薄膜の形成においては、各金属元
素を十分に酸化することが難しいという問題があった。
そのため、成膜技術を利用する際に、各金属元素の酸素
欠損のために圧電特性や耐電圧性の低下を招くおそれが
あった。ところで、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉの金属元素の中で
特に酸化しやすい元素はＰｂであり、このＰｂを過剰に
加えると、Ｐｂの酸化に伴ってＺｒ及びＴｉの酸化が促
され、酸素欠損は生じにくくなる。しかし、従来の焼結
法による圧電体においては、製造プロセスにおいて結晶
方位の制御が困難であったので、Ｐｂを過剰に加えると
結晶構造が乱れて圧電特性及び耐電圧性は低下すること
となった。ところが、スパッタリングなどの薄膜形成プ
ロセスを用いれば、配向性の制御は容易である。そこ
で、本発明者は薄膜形成技術を利用し、結晶構造を乱す
ことなくＰｂを過剰に加えることとした。具体的には、
Ｐｂと、Ｚｒ及びＴｉとの成分比＝Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）を、１．１〜１．５とすることとした。これによ
り、酸素欠損による耐電圧性の低下を防止することがで
きる。
１８では、従来よりもＰｂの含有比率が多くなってい
る。従来より、酸化物薄膜の形成においては、各金属元
素を十分に酸化することが難しいという問題があった。
そのため、成膜技術を利用する際に、各金属元素の酸素
欠損のために圧電特性や耐電圧性の低下を招くおそれが
あった。ところで、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉの金属元素の中で
特に酸化しやすい元素はＰｂであり、このＰｂを過剰に
加えると、Ｐｂの酸化に伴ってＺｒ及びＴｉの酸化が促
され、酸素欠損は生じにくくなる。しかし、従来の焼結
法による圧電体においては、製造プロセスにおいて結晶
方位の制御が困難であったので、Ｐｂを過剰に加えると
結晶構造が乱れて圧電特性及び耐電圧性は低下すること
となった。ところが、スパッタリングなどの薄膜形成プ
ロセスを用いれば、配向性の制御は容易である。そこ
で、本発明者は薄膜形成技術を利用し、結晶構造を乱す
ことなくＰｂを過剰に加えることとした。具体的には、
Ｐｂと、Ｚｒ及びＴｉとの成分比＝Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）を、１．１〜１．５とすることとした。これによ
り、酸素欠損による耐電圧性の低下を防止することがで
きる。
【００３８】また、図２に示すように、圧電膜１８は下
層１８ａ及び上層１８ｂからなる多層構造に形成されて
おり、両層１８ａ，１８ｂはＰｂＺｒ1-xＴｉxＯ3を主
成分とする圧電薄膜によって形成されている。両層１８
ａ，１８ｂは、金属元素の組成比が異なっている。詳し
くは、下層１８ａは上層１８ｂよりもＺｒの含有量が少
なくなっている。
層１８ａ及び上層１８ｂからなる多層構造に形成されて
おり、両層１８ａ，１８ｂはＰｂＺｒ1-xＴｉxＯ3を主
成分とする圧電薄膜によって形成されている。両層１８
ａ，１８ｂは、金属元素の組成比が異なっている。詳し
くは、下層１８ａは上層１８ｂよりもＺｒの含有量が少
なくなっている。
【００３９】次に、図５（ａ）〜（ｆ）を参照しなが
ら、インクジェットヘッド１の製造方法について説明す
る。なお、本実施形態では以下の成膜工程はスパッタリ
ングによって行うこととしたが、ＣＶＤ法やゾルゲル法
などの他の成膜方法を利用することも可能である。
ら、インクジェットヘッド１の製造方法について説明す
る。なお、本実施形態では以下の成膜工程はスパッタリ
ングによって行うこととしたが、ＣＶＤ法やゾルゲル法
などの他の成膜方法を利用することも可能である。
【００４０】まず、図５（ａ）に示すように、Ｓｉまた
はＭｇＯからなる基板３０の表面に、振動板となるＣｒ
層２３を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、Ｃ
ｒ層２３の表面に、共通電極となるＰｔ層１７を形成す
る。
はＭｇＯからなる基板３０の表面に、振動板となるＣｒ
層２３を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、Ｃ
ｒ層２３の表面に、共通電極となるＰｔ層１７を形成す
る。
【００４１】その後、図５（ｃ）に示すように、Ｚｒの
含有量の異なる２種類のＰｂＺｒ1- xＴｉxＯ3ターゲッ
トを順次用い、Ｐｔ層１７の表面に２層構造の圧電膜１
８を形成する。ここでは、ターゲットを真空槽内に設置
し、酸素雰囲気のガス中でプラズマを発生させ、スパッ
タ蒸発したターゲット物質を加熱した基板上に蒸着させ
るスパッタリングにより形成する。詳しくは、始めにＺ
ｒの含有量の少ないターゲットを用いてＰｔ層１７上に
下層１８ａを形成し、その後、Ｚｒの含有量の多いター
ゲットを用いて下層１８ａ上に上層１８ｂを形成する。
含有量の異なる２種類のＰｂＺｒ1- xＴｉxＯ3ターゲッ
トを順次用い、Ｐｔ層１７の表面に２層構造の圧電膜１
８を形成する。ここでは、ターゲットを真空槽内に設置
し、酸素雰囲気のガス中でプラズマを発生させ、スパッ
タ蒸発したターゲット物質を加熱した基板上に蒸着させ
るスパッタリングにより形成する。詳しくは、始めにＺ
ｒの含有量の少ないターゲットを用いてＰｔ層１７上に
下層１８ａを形成し、その後、Ｚｒの含有量の多いター
ゲットを用いて下層１８ａ上に上層１８ｂを形成する。
【００４２】このように圧電膜１８を２層構造にした理
由は、以下の通りである。すなわち、ＰｂＺｒ1-xＴｉx
Ｏ3を主成分とする圧電膜の形成に際し、Ｐｔ層１７と
の界面の近傍にＺｒが多く含まれていると、Ｚｒは単独
で結晶化しやすくなり、界面近傍ではペロブスカイト構
造の膜は形成されにくくなる。そこで、本実施形態で
は、界面近傍においても良好なペロブスカイト構造の膜
が形成されるように、界面近傍にはＺｒ含有量の少ない
圧電薄膜１８ａを配することとした。そして、圧電膜１
８全体としては所定の圧電特性を発揮できるように、圧
電薄膜１８ａ，１８ｂを上方に向かうに従ってＺｒの含
有量が多くなるように順次積層することとした。このこ
とにより、界面近傍におけるＺｒの結晶化による圧電特
性及び耐電圧性の低下を抑制することができる。
由は、以下の通りである。すなわち、ＰｂＺｒ1-xＴｉx
Ｏ3を主成分とする圧電膜の形成に際し、Ｐｔ層１７と
の界面の近傍にＺｒが多く含まれていると、Ｚｒは単独
で結晶化しやすくなり、界面近傍ではペロブスカイト構
造の膜は形成されにくくなる。そこで、本実施形態で
は、界面近傍においても良好なペロブスカイト構造の膜
が形成されるように、界面近傍にはＺｒ含有量の少ない
圧電薄膜１８ａを配することとした。そして、圧電膜１
８全体としては所定の圧電特性を発揮できるように、圧
電薄膜１８ａ，１８ｂを上方に向かうに従ってＺｒの含
有量が多くなるように順次積層することとした。このこ
とにより、界面近傍におけるＺｒの結晶化による圧電特
性及び耐電圧性の低下を抑制することができる。
【００４３】次に、図５（ｄ）に示すように、圧電膜１
８の表面に、個別電極となるＰｔ層１９を形成する。そ
して、図５（ｅ）に示すように、Ｐｔ層１９及び圧電膜
１８を個別化するようにエッチングを行い、Ｐｔ層１９
及び圧電膜１８のパターンニングを実行する。その後、
図５（ｆ）に示すように、基板３０をエッチングし、圧
力室１１等を形成する。
８の表面に、個別電極となるＰｔ層１９を形成する。そ
して、図５（ｅ）に示すように、Ｐｔ層１９及び圧電膜
１８を個別化するようにエッチングを行い、Ｐｔ層１９
及び圧電膜１８のパターンニングを実行する。その後、
図５（ｆ）に示すように、基板３０をエッチングし、圧
力室１１等を形成する。
【００４４】なお、上記実施形態では、圧電膜１８をＺ
ｒの含有率の異なる２種類の圧電薄膜１８ａ，１８ｂで
形成したが、本発明における圧電膜はこのような形態に
限定されるものではない。例えば、複数種類の圧電薄膜
を、Ｚｒ以外の組成を変調させるように積層してもよ
い。また、２層構造に限らず、組成比の異なる圧電薄膜
を３層以上に積層してもよい。
ｒの含有率の異なる２種類の圧電薄膜１８ａ，１８ｂで
形成したが、本発明における圧電膜はこのような形態に
限定されるものではない。例えば、複数種類の圧電薄膜
を、Ｚｒ以外の組成を変調させるように積層してもよ
い。また、２層構造に限らず、組成比の異なる圧電薄膜
を３層以上に積層してもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る一の圧電ア
クチュエータによれば、比誘電率が１５０〜５００の圧
電膜を備えることとしたので、耐電圧性を向上させるこ
とができるとともに、省エネルギー化を図ることができ
る。
クチュエータによれば、比誘電率が１５０〜５００の圧
電膜を備えることとしたので、耐電圧性を向上させるこ
とができるとともに、省エネルギー化を図ることができ
る。
【００４６】また、他の圧電アクチュエータによれば、
Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が（００１）面で
ある圧電膜を備えることとしたので、耐電圧性を向上さ
せることができる。
Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が（００１）面で
ある圧電膜を備えることとしたので、耐電圧性を向上さ
せることができる。
【００４７】また、圧電膜の（００１）面のＸ線回折ピ
ーク強度を、（１１０）面、（１０１）面及び（１１
１）面のＸ線回折ピーク強度のうちの最大強度の５倍以
上とすることにより、耐電圧性を向上させることができ
る。
ーク強度を、（１１０）面、（１０１）面及び（１１
１）面のＸ線回折ピーク強度のうちの最大強度の５倍以
上とすることにより、耐電圧性を向上させることができ
る。
【００４８】他の圧電アクチュエータによれば、抗電界
が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜を備えることとしたので、分
極の反転が起こりにくくなり、耐電圧性を向上させるこ
とができる。
が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜を備えることとしたので、分
極の反転が起こりにくくなり、耐電圧性を向上させるこ
とができる。
【００４９】他の圧電アクチュエータによれば、誘電損
失が５％以下の圧電膜を備えることとしたので、電圧印
加時の発熱等の損失が低減し、耐電圧性を向上させるこ
とができる。
失が５％以下の圧電膜を備えることとしたので、電圧印
加時の発熱等の損失が低減し、耐電圧性を向上させるこ
とができる。
【００５０】他の圧電アクチュエータによれば、Ｐｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５の圧電膜を備えること
としたので、酸素欠損領域を低減することができ、耐電
圧性を向上させることができる。
（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜１．５の圧電膜を備えること
としたので、酸素欠損領域を低減することができ、耐電
圧性を向上させることができる。
【００５１】圧電膜を複数の圧電薄膜を積み重ねること
によって形成することにより、圧電膜の特性を局所的に
変化させることができる。
によって形成することにより、圧電膜の特性を局所的に
変化させることができる。
【００５２】下層の圧電薄膜のＺｒの含有量を、上層の
圧電薄膜のＺｒの含有量よりも少なくすることにより、
成膜時にＺｒの結晶化を抑制することができ、圧電特性
及び耐電圧性を向上させることができる。
圧電薄膜のＺｒの含有量よりも少なくすることにより、
成膜時にＺｒの結晶化を抑制することができ、圧電特性
及び耐電圧性を向上させることができる。
【００５３】上記の圧電アクチュエータをインク吐出の
ためのアクチュエータとして利用することにより、高性
能のインクジェットヘッドを得ることができる。
ためのアクチュエータとして利用することにより、高性
能のインクジェットヘッドを得ることができる。
【００５４】また、上記インクジェットヘッドを利用す
ることにより、高性能のインクジェット式記録装置を得
ることができる。
ることにより、高性能のインクジェット式記録装置を得
ることができる。
【図１】インクジェットプリンタの要部の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】インクジェットヘッドの斜視図である。
【図３】Ｘ線回折ピークの分布図であり、（ａ）は実施
形態に係る圧電膜の分布図を示し、（ｂ）は従来の圧電
体の分布図を示す。
形態に係る圧電膜の分布図を示し、（ｂ）は従来の圧電
体の分布図を示す。
【図４】Ｘ線回折ピークの強度比と絶縁破壊電圧との関
係を示した図であり、
係を示した図であり、
【図５】インクジェットヘッドの製造工程を示す工程図
である。
である。
１ インクジェットヘッド ２ キャリッジ（移動手段） ４ 記録媒体 ６ インクジェットプリンタ（インクジェット式記録
装置） １１ 圧力室 １２ ノズル １５ ヘッド本体部 １６ 圧電アクチュエータ １７ 共通電極（下部電極） １８ 圧電膜 １８ａ 下層の圧電薄膜 １８ｂ 上層の圧電薄膜 １９ 個別電極（上部電極） ２３ 振動板 ３０ 基板
装置） １１ 圧力室 １２ ノズル １５ ヘッド本体部 １６ 圧電アクチュエータ １７ 共通電極（下部電極） １８ 圧電膜 １８ａ 下層の圧電薄膜 １８ｂ 上層の圧電薄膜 １９ 個別電極（上部電極） ２３ 振動板 ３０ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−5874（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−350154（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−235864（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−241870（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−241823（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−162623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−27396（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−238921（ＪＰ，Ａ) 特開2000−52559（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−286953（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−116103（ＪＰ，Ａ) 「セラミック誘電体工学（第４ 版）」、岡崎清著、学献社、1992年発行 （第334〜335頁) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 41/08
Claims (10)
- 【請求項１】 上部電極と下部電極との間に圧電体が設
けられてなる圧電アクチュエータであって、上記圧電体
は、スパッタリング、ＣＶＤ法およびゾルゲル法のいず
れか１の成膜方法により成膜され、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ
を含むペロブスカイト型構造を有し、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）＝１．１〜１．５（但し１．１を除く）で、膜厚が
１μｍ〜１０μｍ且つ比誘電率が１５０〜５００の圧電
膜によって形成されている圧電アクチュエータ。 - 【請求項２】 上部電極と下部電極との間に圧電体が設
けられてなる圧電アクチュエータであって、上記圧電体
は、スパッタリング、ＣＶＤ法およびゾルゲル法のいず
れか１の成膜方法により成膜されたＰｂ、Ｚｒ及びＴｉ
を含むペロブスカイト型構造を有する圧電膜で形成さ
れ、前記圧電膜は、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１〜
１．５、膜厚が１μｍ〜１０μｍ、抗電界が２Ｖ／μｍ
以上且つ誘電損失が５％以下である圧電アクチュエータ - 【請求項３】 Ｘ線回折ピークの強度が最大となる面が
（００１）面である圧電膜によって形成されている請求
項１または２のいずれか１記載の圧電アクチュエータ。 - 【請求項４】 請求項３に記載の圧電アクチュエータに
おいて、圧電膜の（００１）面のＸ線回折ピーク強度
は、（１１０）面、（１０１）面及び（１１１）面のＸ
線回折ピーク強度のうちの最大の強度の５倍以上である
圧電アクチュエータ。 - 【請求項５】 抗電界が２Ｖ／μｍ以上の圧電膜によっ
て形成されている請求項１記載の圧電アクチュエータ。 - 【請求項６】 誘電損失が５％以下の圧電膜によって形
成されている請求項１または５のいずれか１記載の圧電
アクチュエータ。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一つに記載の圧
電アクチュエータにおいて、圧電膜は、Ｐｂ、Ｚｒ及び
Ｔｉを含むペロブスカイト型構造を有する複数の圧電薄
膜が積み重ねられて形成されている圧電アクチュエー
タ。 - 【請求項８】 請求項７に記載の圧電アクチュエータに
おいて、下層の圧電薄膜は、上層の圧電薄膜よりもＺｒ
の含有量が少ない圧電アクチュエータ。 - 【請求項９】 複数のノズル及び該各ノズルにそれぞれ
連通する複数のインク室が形成されたヘッド本体部と、
上記ヘッド本体部の各インク室にそれぞれ対応して設け
られ、所定の記録信号を受けると該インク室のインクを
上記ノズルから押し出すように変形するアクチュエータ
とを備えたインクジェットヘッドであって、上記アクチ
ュエータは、請求項１〜８のいずれか一つに記載の圧電
アクチュエータによって形成されているインクジェット
ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のインクジェットヘッ
ドと、上記インクジェットヘッドと記録媒体とを相対移
動させる移動手段と、上記インクジェットヘッドに記録
信号を供給する信号供給手段とを備えているインクジェ
ット式記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091530A JP3202012B1 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091530A JP3202012B1 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3202012B1 true JP3202012B1 (ja) | 2001-08-27 |
| JP2001284670A JP2001284670A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18606983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000091530A Expired - Lifetime JP3202012B1 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202012B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005002765B4 (de) | 2005-01-20 | 2018-12-27 | BSH Hausgeräte GmbH | Einbauküche mit einem Schrank und mit einem Bildschirmgerät zum Einbau in den Schrank |
| KR102203547B1 (ko) | 2018-10-23 | 2021-01-14 | 김철준 | 연막 소독기가 구비된 시신 이송용 위생팩 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303425A (ja) | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
| JP5170356B2 (ja) | 2005-03-22 | 2013-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
| JP2008153674A (ja) * | 2007-12-25 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド及び圧電体素子 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000091530A patent/JP3202012B1/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「セラミック誘電体工学（第４版）」、岡崎清著、学献社、１９９２年発行（第３３４〜３３５頁） |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005002765B4 (de) | 2005-01-20 | 2018-12-27 | BSH Hausgeräte GmbH | Einbauküche mit einem Schrank und mit einem Bildschirmgerät zum Einbau in den Schrank |
| KR102203547B1 (ko) | 2018-10-23 | 2021-01-14 | 김철준 | 연막 소독기가 구비된 시신 이송용 위생팩 |
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|---|---|
| JP2001284670A (ja) | 2001-10-12 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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