JP3200787B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents

Manufacturing method of magnetic recording medium

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JP3200787B2
JP3200787B2 JP25295593A JP25295593A JP3200787B2 JP 3200787 B2 JP3200787 B2 JP 3200787B2 JP 25295593 A JP25295593 A JP 25295593A JP 25295593 A JP25295593 A JP 25295593A JP 3200787 B2 JP3200787 B2 JP 3200787B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
に関し、特に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、
スチルカメラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium, and more particularly, to a magnetic disk, a flexible disk,
The present invention relates to a method for manufacturing a metal thin film medium for magnetic recording such as a still camera or a video.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、磁気記録媒体用合金として保磁
力(Hc)及び残留磁化膜厚積(Mr・δ)の高いCo
Pt系合金が用いられている。このCoPt系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。例えば、特公平4−1684
8号公報(以下「文献1」と呼ぶ)には、下地層にCr
V又はCrFeを含み、磁性層にCoPtを含む磁気記
録媒体が示されており、この磁気記録媒体では保磁力及
び磁化曲線の角型比を向上できる旨記載されている。
2. Description of the Related Art In general, as an alloy for a magnetic recording medium, Co having a high coercive force (Hc) and a high remanence film thickness product (Mr · δ) is used.
A Pt-based alloy is used. When a magnetic recording medium is formed using this CoPt-based alloy, an underlayer is generally formed between the substrate and the magnetic layer in order to improve the magnetic properties. For example,
No. 8 (hereinafter referred to as "Document 1") discloses that the underlayer is made of Cr.
A magnetic recording medium containing V or CrFe and a magnetic layer containing CoPt is disclosed, and it is described that in this magnetic recording medium, the coercive force and the squareness ratio of the magnetization curve can be improved.

【0003】さらに、磁気記録媒体においては、その保
磁力及び残留磁化膜厚積を高めるため、CoPt磁性膜
に第3成分を添加することが行われており、このような
磁気記録媒体として、例えば、テレビジョン学会誌第4
0巻第6番第475頁乃至第480頁(1986年)
(以下「文献2」と呼ぶ)に記載された磁気記録媒体が
知られている。この磁気記録媒体では、CoPtに第3
成分としてMoが添加された磁性層を直接ガラス基板上
に形成している。そして、この磁気記録媒体ではその保
磁力が500エルステッド(Oe)以上であって、しか
も広範囲に保磁力を制御することができるばかりでなく
高密度記録を行うことができる旨記載されている。
[0003] Further, in a magnetic recording medium, a third component is added to a CoPt magnetic film in order to increase the coercive force and the product of the residual magnetization film thickness. , The Journal of the Institute of Television Engineers of Japan
Vol. 0, No. 6, pp. 475-480 (1986)
(Hereinafter referred to as “Document 2”) is known. In this magnetic recording medium, CoPt has a third
A magnetic layer to which Mo is added as a component is formed directly on a glass substrate. The document states that this magnetic recording medium has a coercive force of not less than 500 Oe (Oe) and is capable of controlling the coercive force over a wide range as well as performing high-density recording.

【0004】また、この種の磁気記録媒体が、ジャーナ
ル オブ アプライド フィジックス(J.Appl.
Phys.67(12),15 June 1990
pp7507−7509)(以下「文献3」と呼ぶ)に
記載されており、この磁気記録媒体では、下地層として
Crに少量のMoが添加された金属を用い、この下地層
上にCoNiCrからなる磁性層を形成している。
Further, this type of magnetic recording medium is disclosed in Journal of Applied Physics (J. Appl.
Phys. 67 (12), 15 June 1990
pp 7507-7509) (hereinafter referred to as “Reference 3”). In this magnetic recording medium, a metal obtained by adding a small amount of Mo to Cr is used as an underlayer, and a magnetic layer made of CoNiCr is formed on the underlayer. Forming a layer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、文献1に記
載された磁気記録媒体ではある程度高い保磁力を得るこ
とが可能であるが、保磁力は最高でも1600Oe程度
であり、高密度記録を行うためには満足できる値ではな
い。
By the way, the magnetic recording medium described in Document 1 can obtain a high coercive force to some extent, but the coercive force is at most about 1600 Oe. Is not a satisfactory value.

【0006】また、文献2に記載された磁気記録媒体で
は、前述のように、下地層を介することなくガラス基板
上に直接磁性層を形成しており、CoPtからなる磁性
層の保磁力が1000Oe以上あるにもかかわらず、C
oPtMoからなる磁性層ではその保磁力がMo濃度を
増加させると減少してしまうという傾向がある。例え
ば、Mo濃度が約14at%の場合、保磁力が約350
Oeとなってしまう。
In the magnetic recording medium described in Document 2, as described above, a magnetic layer is formed directly on a glass substrate without an intervening underlayer, and the coercive force of the magnetic layer made of CoPt is 1000 Oe. Despite the above, C
In a magnetic layer made of oPtMo, the coercive force tends to decrease as the Mo concentration increases. For example, when the Mo concentration is about 14 at%, the coercive force is about 350
Oe.

【0007】加えて、文献2に記載された磁気記録媒体
では、Mo濃度の増加につれて飽和磁束密度(Bs)も
減少してしまい、飽和磁束密度(Bs)の減少によって
残留磁化膜厚積(Mr・δ)も減少することになってし
まう。
In addition, in the magnetic recording medium described in Document 2, the saturation magnetic flux density (Bs) decreases as the Mo concentration increases, and the saturation magnetization density (Bs) decreases.・ Δ) will also decrease.

【0008】このように、文献2においては、CoPt
にMoを添加した磁性層を用いると、保磁力及び残留磁
化膜厚積ともに減少してしまうことがわかる。
As described above, in Reference 2, CoPt
It is understood that when the magnetic layer to which Mo is added is used, both the coercive force and the product of the residual magnetization thickness are reduced.

【0009】一方、文献3に示された磁気記録媒体で
は、その保磁力は1120Oeであって、Cr単独で形
成された下地層を用いた磁気記録媒体の保磁力(128
0Oe)よりも保磁力が減少してしまう。
On the other hand, the coercive force of the magnetic recording medium disclosed in Document 3 is 1120 Oe, and the coercive force of the magnetic recording medium using the underlayer formed of Cr alone (128
0 Oe).

【0010】文献2及び3の記載から理解できるよう
に、CrにMoが添加された下地層及びCoPtにMo
が添加された磁性層を有する磁気記録媒体では保磁力及
び残留磁化膜厚積が低下してしまう。
As can be understood from the descriptions in References 2 and 3, Mo is added to the underlayer in which Mo is added to Cr and Mo is added to CoPt.
In a magnetic recording medium having a magnetic layer to which is added, the coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness decrease.

【0011】本発明の目的は十分な保磁力及び残留磁化
膜厚積が得られ、しかも、経時変化の少ない磁気記録媒
体の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which can obtain a sufficient coercive force and a product of a residual magnetization film thickness and has little change with time.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基板上に少なくとも下地層及び磁性層を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、前記非磁性基板はガラス基板
とし、前記下地層は主としてCrとMoとを含むCrM
o系合金であって組成比でMoを2乃至40at%含ん
でおり、前記磁性層は主としてCoとPtとを含むCo
Pt系合金であって組成比でPtを5乃至30at%含
んでおり、保持力が前記下地層の(110)面における
格子間隔と前記磁性層の(002)面における格子間隔
とが接近して1750Oe以上にとなるように前記下地
層及び前記磁性層の組成比を設定するとともに前記下地
層及び前記磁性層成膜時の基板温度を100℃から40
0℃の範囲内で設定して、前記下地層及び前記磁性層を
成膜するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法が得られる。
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a magnetic recording medium having at least an underlayer and a magnetic layer on a nonmagnetic substrate, wherein the nonmagnetic substrate is a glass substrate, Is CrM mainly containing Cr and Mo
An o-based alloy containing 2 to 40 at% of Mo in a composition ratio, and the magnetic layer is mainly composed of Co and Pt.
It is a Pt-based alloy containing 5 to 30 at% of Pt in a composition ratio, and the coercive force is such that the lattice spacing on the (110) plane of the underlayer is close to the lattice spacing on the (002) plane of the magnetic layer. The composition ratio of the underlayer and the magnetic layer is set so as to be 1750 Oe or more, and the substrate temperature at the time of forming the underlayer and the magnetic layer is from 100 ° C. to 40 ° C.
A method for manufacturing a magnetic recording medium, wherein the temperature is set within the range of 0 ° C. and the underlayer and the magnetic layer are formed, is obtained.

【0013】さらに、本発明では、磁性層にさらにモリ
ブデン(Mo)を含有するようにしてもよい。また、磁
性層にはさらにTa、B、Cr、O、N、Nb、Mn、
Zn、W、Pb、Re、V、及びZrのうち少なくとも
一種を含有するようにしてもよい。
Further, in the present invention, the magnetic layer may further contain molybdenum (Mo). The magnetic layer further includes Ta, B, Cr, O, N, Nb, Mn,
At least one of Zn, W, Pb, Re, V, and Zr may be contained.

【0014】加えて、本発明では、下地層にさらにW、
B、V、Nb、Ta、Fe、Ni、Re、Cu、Zr、
Zn、P、Si、Ga、Ge、Hf、Al、Tiのうち
少なくとも一種を含有するようにしてもよい。
In addition, in the present invention, W,
B, V, Nb, Ta, Fe, Ni, Re, Cu, Zr,
At least one of Zn, P, Si, Ga, Ge, Hf, Al, and Ti may be contained.

【0015】下地層を形成する際には非磁性基板から磁
性層に向かう方向にMo濃度が増加するようにしてもよ
い。
When forming the underlayer, the Mo concentration may be increased in the direction from the nonmagnetic substrate to the magnetic layer.

【0016】また、磁性層上に保護層を形成する際に
は、保護層にCr及びMoを含有させることが望まし
い。
When a protective layer is formed on the magnetic layer, it is desirable that the protective layer contains Cr and Mo.

【0017】[0017]

【作用】本発明ではCr及びMoが含有された下地層に
おいて、MoがCrと固溶体を形成する。そして、Mo
の添加量に応じて格子が膨脹してクロムの(110)面
における格子間隔がCo及びPtを含有する磁性層の格
子(002)面に接近する。この結果、磁性層の配向が
変化して磁性層の保磁力を向上させることができる。
According to the present invention, Mo forms a solid solution with Cr in the underlayer containing Cr and Mo. And Mo
The lattice expands in accordance with the addition amount of chromium, and the lattice spacing on the (110) plane of chromium approaches the lattice (002) plane of the magnetic layer containing Co and Pt. As a result, the orientation of the magnetic layer changes and the coercive force of the magnetic layer can be improved.

【0018】磁性層にさらにMoを添加することによっ
て、磁壁のピン止め効果により保磁力が増加するばかり
でなく磁性粒の磁気的孤立化が促進されて保磁力が増加
する。また、磁性粒子の微細化によって保磁力が増加す
る。この保磁力に増加によって再生波におけるピーク幅
が小さくなって媒体ノイズが低下する。さらに、磁性層
へMoを添加することによってピン止め数が増加してジ
グザク壁の幅が減少することによっても媒体ノイズが低
減する。
The addition of Mo to the magnetic layer not only increases the coercive force due to the pinning effect of the domain wall, but also promotes the magnetic isolation of the magnetic grains and increases the coercive force. Further, the coercive force increases due to the miniaturization of the magnetic particles. Due to the increase in the coercive force, the peak width in the reproduction wave is reduced, and the medium noise is reduced. Further, by adding Mo to the magnetic layer, the number of pinned pins increases and the width of the zigzag wall decreases, thereby reducing the medium noise.

【0019】加えて、下地層と磁性層とに同一成分を含
有させることによって(つまり、Moを含有させること
によって)、下地層と磁性層との界面でMoの拡散が容
易となり、その結果、磁性粒の磁気的な孤立化がより促
進されるとともに下地層と磁性層との付着強度を高める
ことができる。
In addition, when the same component is contained in the underlayer and the magnetic layer (that is, by containing Mo), diffusion of Mo at the interface between the underlayer and the magnetic layer is facilitated. The magnetic isolation of the magnetic grains is further promoted, and the adhesion strength between the underlayer and the magnetic layer can be increased.

【0020】また、Cr及びMoを含む下地層に上述の
Zr、Zn、及びCu等を添加すると、これら添加元素
は下地層中のCr又はMoに固溶しにくく、その結果、
添加元素が下地層中の結晶粒子の粒界に偏析する等して
結晶粒子の微細化及び粒子間の分離が促進される。これ
によって、下地層の膜構造を反映して磁性層中の結晶粒
子の微細化及び粒子間の分離(磁気的孤立化)が促進さ
れて、保磁力が増大するとともに媒体ノイズを低減させ
ることができる。
When the above-mentioned Zr, Zn, Cu and the like are added to the underlayer containing Cr and Mo, these added elements are unlikely to form a solid solution with Cr or Mo in the underlayer.
The additive element segregates at the grain boundaries of the crystal grains in the underlayer, for example, thereby promoting the miniaturization of the crystal grains and the separation between the grains. Thereby, the miniaturization of crystal grains and the separation (magnetic isolation) between grains in the magnetic layer are promoted by reflecting the film structure of the underlayer, and the coercive force is increased and the medium noise is reduced. it can.

【0021】[0021]

【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。ここでは、本発明の実施例だけでなく、本発明の前
提となる参考例についても説明する。尚、参考例では、
全て基板温度を室温に保った状態で、各膜を成膜する
The present invention will be described below by way of examples.
You. Here, not only the embodiment of the present invention but also the
A reference example will be described. In the reference example,
Each film is formed while keeping the substrate temperature at room temperature .

【0022】(参考例1) 図1を参照して、直径65mm厚さ0.9mmのガラス
基板1を準備して、このガラス基板1をRFマグネトロ
ンスパッタ装置(図示せず)のチャンバー内に装着す
る。そして、チャンバー内を5×10-7Torr以下の
圧力まで減圧する。その後、アルゴンガスをスパッタガ
スとしてガス圧10mTorrでスパッタ装置に供給
し、基板温度を室温として投入電力密度を2.5W/c
2 、Cr80Mo20(at%)をターゲットとしてガラ
ス基板1上に膜厚1000オングストロームの下地層2
を形成した(一般式Cr100-x Mox (x=0〜10
0)においてx=20の場合)。続いて、同様にしてア
ルゴンガスをスパッタガスとして用いてCo82Pt
18(at%)をターゲットとして、Co82Pt18の組成
を有する膜厚400オングストロームの磁性層3を下地
層2上に形成した。そして、アルゴンガスをスパッタガ
スとして用いて磁性層3上に膜厚50オングストローム
のCr80Mo20層4a及び膜厚400オングストローム
のカーボン層4bを形成し、これらCr80Mo20層4a
及びカーボン層4bを保護層5とした。この保護層4上
にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層5を20オ
ングストロームの厚さ塗布して磁気ディスク(磁気記録
媒体)6を得、この磁気ディスク6をディスクAとし
た。
( Reference Example 1) Referring to FIG. 1, a glass substrate 1 having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm is prepared, and the glass substrate 1 is mounted in a chamber of an RF magnetron sputtering apparatus (not shown). I do. Then, the pressure in the chamber is reduced to 5 × 10 −7 Torr or less. Thereafter, argon gas was supplied as a sputtering gas to the sputtering apparatus at a gas pressure of 10 mTorr, the substrate temperature was set to room temperature, and the input power density was 2.5 W / c.
m 2 , Cr 80 Mo 20 (at%) as a target, a 1000 Å thick underlayer 2 on a glass substrate 1.
(Formula Cr 100-x Mo x (x = 0 to 10)
0) when x = 20). Subsequently, in the same manner, Co 82 Pt was
A magnetic layer 3 having a composition of Co 82 Pt 18 and a thickness of 400 Å was formed on the underlayer 2 with a target of 18 (at%). Then, a Cr 80 Mo 20 layer 4a having a thickness of 50 Å and a carbon layer 4b having a thickness of 400 Å are formed on the magnetic layer 3 by using argon gas as a sputtering gas, and these Cr 80 Mo 20 layers 4a are formed.
And the carbon layer 4b was used as the protective layer 5. A lubricating layer 5 made of perfluoropolyether was applied on the protective layer 4 to a thickness of 20 angstroms to obtain a magnetic disk (magnetic recording medium) 6.

【0023】さらに、一般式Cr100-x Mox (x=0
〜100)におけるxをそれぞれ0,10,30,4
0,50,60,70,80,90として、つまり、C
r、Cr90Mo10、Cr70Mo30、Cr60Mo40、Cr
50Mo50、Cr40Mo60、Cr30Mo70、Cr20
80、Cr10Mo90(at%)をそれぞれ下地層として
有する磁気ディスクを作成した。この際、ガラス基板、
磁性層、保護層、及び潤滑層は上記のディスクAと同様
とし、さらに膜厚等他の条件もディスクAと同様とし
た。
Further, the general formula Cr 100-x Mo x (x = 0
To 100) are 0, 10, 30, and 4 respectively.
0, 50, 60, 70, 80, 90, ie, C
r, Cr 90 Mo 10, Cr 70 Mo 30, Cr 60 Mo 40, Cr
50 Mo 50 , Cr 40 Mo 60 , Cr 30 Mo 70 , Cr 20 M
Magnetic disks each having o 80 and Cr 10 Mo 90 (at%) as underlayers were prepared. At this time, a glass substrate,
The magnetic layer, the protective layer, and the lubricating layer were the same as those of the disk A, and other conditions such as the film thickness were the same as those of the disk A.

【0024】これらディスクからそれぞれ直径8mmの
試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、各試料
について保磁力(Hc)および残留磁化膜厚積(Mr・
δ)を測定した。この際、膜面方向に最大外部印加磁場
を12kOeとして磁場を印加した。この結果を図2に
示す。なお、図2において、◎が各試料の保磁力を示
す。
Samples each having a diameter of 8 mm were cut out from each of these disks, and the coercive force (Hc) and the product of the residual magnetization film (Mr.
δ) was measured. At this time, a magnetic field was applied in the direction of the film surface with a maximum external applied magnetic field of 12 kOe. The result is shown in FIG. In FIG. 2, ◎ indicates the coercive force of each sample.

【0025】図2から明らかなように、CoPtからな
る磁性層を用いるとともにCrMoからなる下地層を用
いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒体が
得られることがわかる。特に、一般式Cr100-x Mox
(x=0〜100)において、x=10〜80の下地層
を用いることによって保磁力がより高くなることがわか
る。
As is apparent from FIG. 2, a magnetic recording medium having a high coercive force can be obtained by using the magnetic layer made of CoPt and the underlayer made of CrMo. In particular, the general formula Cr 100-x Mo x
In (x = 0 to 100), it can be seen that the coercive force becomes higher by using the underlayer of x = 10 to 80.

【0026】次に、Co74Pt18Mo8 の磁性層を有す
るとともに一般式Cr100-x Mox(x=0〜100)
で示される組成の下地層を有する磁気ディスクを上述の
ようにして、xを0乃至90の範囲で変化させて作成し
た。この際、ガラス基板、保護層、及び潤滑層は上記の
ディスクAと同様とし、さらに膜厚等他の条件もディス
クAと同様とした。これらディスクからそれぞれ直径8
mmの試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、
各試料について保磁力(Hc)および残留磁化膜厚積
(Mr・δ)を測定した。この結果を図2に示す。な
お、図2において、○が各試料の保磁力を示す。
Next, a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 and a general formula Cr 100-x Mo x (x = 0-100)
A magnetic disk having an underlayer having a composition represented by the following formula was prepared by changing x in the range of 0 to 90 as described above. At this time, the glass substrate, the protective layer, and the lubricating layer were the same as those of the disk A, and other conditions such as the film thickness were the same as those of the disk A. Each of these disks has a diameter of 8
mm sample, and using a vibrating sample magnetometer,
The coercive force (Hc) and the product of the residual magnetization film thickness (Mr · δ) were measured for each sample. The result is shown in FIG. In FIG. 2, ○ indicates the coercive force of each sample.

【0027】図2から明らかなように、CoPtMoか
らなる磁性層を用いるとともにCrMoからなる下地層
を用いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒
体が得られることがわかる。特に、一般式Cr100-x
x (x=0〜100)において、x=10〜80の下
地層を用いることによって保磁力がより高くなることが
わかる。
As is apparent from FIG. 2, a magnetic recording medium having a high coercive force can be obtained by using the magnetic layer made of CoPtMo and the underlayer made of CrMo. In particular, the general formula Cr 100-x M
In o x (x = 0~100), it can be seen that the coercive force becomes higher by using the underlayer of x = 10 to 80.

【0028】さらに、ディスクAを作製した際と同様の
方法を用いて、一般式Cr100-x-yMoy Zrx (at
%)の組成を有する下地層及びCo74Pt18Mo8 (a
t%)の組成を有する磁性層をガラス基板上に順次形成
して磁気ディスクを得た。この際、下地層中のMo濃度
を9at%として(つまり、y=9として)、Zr濃度
を0乃至50at%の範囲で変化させて(つまり、x=
0〜50として)、複数の磁気ディスクを得た。同様に
して、下地層中のMo濃度を18at%として(つま
り、y=18として)、Zr濃度を0乃至50at%の
範囲で変化させて(つまり、x=0〜50として)、複
数の磁気ディスクを得た。そして、これら磁気ディスク
の保磁力をディスクAと同様にして測定した。この測定
結果を図3に示す(図3において、◇がMo濃度が9a
t%の場合を表し、◆がMo濃度が18at%の場合を
表す)。
Furthermore, using the same method as the case of preparing the disc A, the general formula Cr 100-xy Mo y Zr x (at
%) And Co 74 Pt 18 Mo 8 (a
(% by mass) on a glass substrate to obtain a magnetic disk. At this time, the Mo concentration in the underlayer is 9 at% (that is, y = 9), and the Zr concentration is changed in the range of 0 to 50 at% (that is, x =
0 to 50) to obtain a plurality of magnetic disks. Similarly, when the Mo concentration in the underlayer is 18 at% (that is, y = 18) and the Zr concentration is changed in the range of 0 to 50 at% (that is, x = 0 to 50), a plurality of magnetic layers are formed. Got a disc. The coercive force of these magnetic disks was measured in the same manner as for disk A. The measurement results are shown in FIG. 3 (in FIG. 3, ◇ indicates that the Mo concentration is 9a).
represents the case of t%, and ◆ represents the case of the Mo concentration of 18 at%).

【0029】図3から明らかなように、CrMoからな
る下地層にZrを添加することによって、磁気ディスク
の保磁力を高くすることができることがわかる。そし
て、下地層におけるZrの添加量が0.1〜30at%
の範囲において、保磁力が高くなり、特に、0.1〜4
at%の範囲で、CrMoのみからなる下地層を用いた
磁気ディスクよりも保磁力が高くなることがわかる。
As is apparent from FIG. 3, the coercive force of the magnetic disk can be increased by adding Zr to the underlayer made of CrMo. The amount of Zr added in the underlayer is 0.1 to 30 at%.
, The coercive force is increased, and in particular, 0.1 to 4
It can be seen that in the range of at%, the coercive force is higher than that of the magnetic disk using the underlayer consisting of only CrMo.

【0030】次に、Cr80Mo20(at%)の下地層及
びCo74Pt18Mo8 (at%)の磁性層を有する磁気
ディスク(以下この磁気ディスクを「ディスクB」と呼
ぶ、なお、ディスクBの他の構成要素及び膜厚はディス
クAと同様である)及びCr80Mo18Zr2 (at%)
の下地層及びCo74Pt18Mo8 (at%)の磁性層を
有する磁気ディスク(以下の磁気ディスクを「ディスク
C」と呼ぶ、なお、ディスクCの他の構成要素及び膜厚
はディスクAと同様である)を用いて記録再生出力を測
定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が0.055μm
の薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッドとディスクBの
相対速度を6m/sとし、線記録密度80kfci(1
インチ当たり80,000ビットの線記録密度)におけ
る記録再生出力を測定した。この結果を表1に示す(表
1には、記録再生出力の他に保磁力及び残留磁化膜厚積
も示し、比較例として下地層にCrのみを用いた磁気デ
ィスクの測定結果も示す。なお、表1ではディスクB及
びCをそれぞれ参考例2及び3とした)。なお、上述の
測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数50、トラッ
ク幅6μm、磁気ヘッドギャップ長0.25μmであ
る。
Next, a magnetic disk having an underlayer of Cr 80 Mo 20 (at%) and a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) (hereinafter, this magnetic disk is referred to as “disk B”. Other components and the film thickness of the disc B are the same as those of the disc A) and Cr 80 Mo 18 Zr 2 (at%)
A magnetic disk having an underlayer and a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) (hereinafter, the magnetic disk is referred to as “disk C”. The same was used to measure the recording / reproducing output. Here, the flying height of the magnetic head is 0.055 μm.
And the relative speed between the thin film head and the disc B was set to 6 m / s, and the linear recording density was 80 kfci (1).
The recording / reproducing output at a linear recording density of 80,000 bits per inch) was measured. The results are shown in Table 1. (In addition to the recording / reproducing output, Table 1 also shows the coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness. As a comparative example, the measurement results of a magnetic disk using only Cr for the underlayer are also shown. In Table 1, disks B and C were referred to as Reference Examples 2 and 3, respectively). The thin film head used in the above-described measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.

【0031】[0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】表1から明らかなように、ディスクBでは
下地層としてCrMoを用いているからCrのみの下地
層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく高
くなることがわかる。同様に、ディスクCにおいても下
地層としてCrMoZrを用いているからCrのみの下
地層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく
高くなることがわかる。
As is clear from Table 1, since the disk B uses CrMo as the underlayer, the magnetic recording / reproducing characteristics are remarkably improved as compared with the comparative example using the underlayer of only Cr. Similarly, since the disk C also uses CrMoZr as the underlayer, it can be seen that the magnetic recording / reproducing characteristics are significantly higher than the comparative example using the Cr-only underlayer.

【0033】さらに、ディスクA及びBを温度80℃、
湿度80%の恒温恒湿槽中に1000時間放置して耐蝕
性試験を行った。そして、ディスクA及びBについて耐
蝕性試験直前から1000時間経過後までの飽和磁化
(Ms)を測定した。この測定結果を図4に示す。
Further, the disks A and B were heated at a temperature of 80 ° C.
A corrosion resistance test was performed by leaving the substrate in a constant temperature and humidity chamber of 80% humidity for 1000 hours. The saturation magnetization (Ms) of the disks A and B was measured immediately before the corrosion resistance test and after 1000 hours. FIG. 4 shows the measurement results.

【0034】図4において、横軸は時間を表し、縦軸は
各時間における飽和磁化を耐蝕性試験開始直前の飽和磁
化(Ms0 )で規格化した値を表す。図4から明らかな
ように、CoPt(ディスクA)及びCoPtMo(デ
ィスクB)の磁性層は耐蝕性に優れており、特に、Co
PtにMoを添加することによって、耐蝕性が著しく向
上することがわかる。
In FIG. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the value obtained by normalizing the saturation magnetization at each time with the saturation magnetization (Ms 0 ) immediately before the start of the corrosion resistance test. As is clear from FIG. 4, the magnetic layers of CoPt (disk A) and CoPtMo (disk B) have excellent corrosion resistance.
It can be seen that the addition of Mo to Pt significantly improves the corrosion resistance.

【0035】次に、キャリア周波数を9.4MHz、測
定帯域を15MHzとしてスペクトルアナライザーによ
ってディスクA、B、及びCについて信号記録再生時に
おけるノイズスペクトラムを測定した(媒体ノイズNm
で表す)。この結果、ディスクAでは媒体ノイズが7.
58μVrmsであったのに対してディスクBでは媒体
ノイズが5.08μVrmsであり、磁性層としてCo
PtMoを用いることによってより媒体ノイズが低減で
きた。また、ディスクCでは媒体ノイズは4.85μV
rmsであり、磁性層としてCoPtMoを用い、下地
層としてCrMoZrを用いることによって媒体ノイズ
をさらに低減することができる。
Next, with the carrier frequency set to 9.4 MHz and the measurement band set to 15 MHz, the noise spectrum of the disks A, B and C during signal recording and reproduction was measured by a spectrum analyzer (medium noise Nm).
). As a result, the medium noise of the disk A is 7.
The medium noise of the disk B was 5.08 μVrms, whereas the medium noise was 58 μVrms.
By using PtMo, the medium noise could be further reduced. The medium noise of the disk C is 4.85 μV
rms, medium noise can be further reduced by using CoPtMo for the magnetic layer and using CrMoZr for the underlayer.

【0036】(参考例4〜10) 参考例1 と同様にしてターゲットとしてCr80Mo
20(at%)を用いて、直径65mm厚さ0.9mmの
ガラス基板上に膜厚1500オングストロームの下地層
(Cr80Mo20層)を形成した。続いて、Co70Pt18
Mo12(at%)をターゲットとして、Co70Pt18
12の組成を有する膜厚400オングストロームの磁性
層を下地層上に形成した。磁性層上に保護層としてSi
2 を膜厚50オングストロームで形成して磁気ディス
クとした(参考例4)。そして、この磁気ディスクの保
磁力及び残留磁化膜厚積を参考例1と同様にして測定し
た。この結果を表2に示す。
(Reference Examples 4 to 10) In the same manner as in Reference Example 1 , Cr 80 Mo was used as a target.
20 with (at%), was formed a film thickness 1500 Å underlayer (Cr 80 Mo 20 layer) on a glass substrate having a diameter of 65mm thickness of 0.9 mm. Subsequently, Co 70 Pt 18
Co 70 Pt 18 M with Mo 12 (at%) as the target
The magnetic layer having a thickness of 400 Å having a composition of o 12 was formed on the base layer. Si as a protective layer on the magnetic layer
O 2 was formed to a thickness of 50 Å to form a magnetic disk (Reference Example 4) . Then, the coercive force and the product of the residual magnetization thickness of the magnetic disk were measured in the same manner as in Reference Example 1. Table 2 shows the results.

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】さらに、下地層、磁性層、及び保護層の組
成を表2に示す組成として、磁気ディスクを作成した
参考例5乃至参考例10)。そして、これら磁気ディ
スクについて参考例4と同様にして保磁力及び残留磁化
膜厚積を測定した。
Further, magnetic disks were prepared with the compositions of the underlayer, the magnetic layer, and the protective layer as shown in Table 2 ( Reference Examples 5 to 10 ). Then, the coercive force and the product of the residual magnetization thickness of these magnetic disks were measured in the same manner as in Reference Example 4 .

【0039】表2から明らかなように、下地層としてC
rMoを用い、磁性層としてCoPtに30at%まで
のMoが添加された磁性層を用いることよって保磁力及
び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。
As is apparent from Table 2, C is used as the underlayer.
It can be seen that the coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness can be increased by using rMo and using a magnetic layer in which Mo is added to CoPt up to 30 at% as the magnetic layer.

【0040】次に、本発明の実施例1〜5を説明する。
これら実施例では、直径65mm厚さ0.9mmのガラ
ス基板を準備して、このガラス基板をDCマグネトロン
スパッタ装置(図示せず)のチャンバー内に装着する。
そして、チャンバー内を8×10-7Torr以下の圧力
まで減圧する。その後、アルゴンガスをスパッタガスと
してガス圧15mTorrでスパッタ装置に供給し、投
入電力密度を18W/cm2 、基板温度をそれぞれ10
0℃(実施例1)、200℃(実施例2)、250℃
(実施例3)、300℃(実施例4)、及び400℃
(実施例5)としてCr70Mo30(at%)をターゲッ
トとしてガラス基板上に膜厚2000オングストローム
の下地層(Cr70Mo30層)を形成した。続いて、アル
ゴンガスをスパッタガスとしてCo68Pt17Mo15(a
t%)をターゲットとして、Co68Pt17Mo15の組成
を有する膜厚350オングストロームの磁性層を下地層
上に形成した。そして、アルゴンガスをスパッタガスと
してCr70Mo30(at%)をターゲットして用いて磁
性層上に膜厚80オングストロームの保護膜を形成し、
さらにこの保護膜上に膜厚150オングストロームのS
iO2 からなる保護層を形成して磁気ディスクを作製し
た。
Next, Examples 1 to 5 of the present invention will be described.
In these examples, a glass substrate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm is prepared, and this glass substrate is mounted in a chamber of a DC magnetron sputtering device (not shown).
Then, the pressure in the chamber is reduced to a pressure of 8 × 10 −7 Torr or less. Thereafter, argon gas was supplied as a sputtering gas to the sputtering apparatus at a gas pressure of 15 mTorr, the input power density was 18 W / cm 2 , and the substrate temperature was 10
0 ° C ( Example 1), 200 ° C (Example 2), 250 ° C
(Example 3), 300 ° C (Example 4), and 400 ° C
It was formed (Example 5) as a Cr 70 Mo 30 film thickness 2000 Å underlayer on a glass substrate (at%) as a target (Cr 70 Mo 30 layers). Subsequently, Co 68 Pt 17 Mo 15 (a
(t%) as a target, a magnetic layer having a composition of Co 68 Pt 17 Mo 15 and a thickness of 350 Å was formed on the underlayer. Then, a protective film having a thickness of 80 Å is formed on the magnetic layer using Cr 70 Mo 30 (at%) as a sputtering gas with argon gas as a target,
Further, a 150 Å thick S film is formed on the protective film.
A magnetic disk was manufactured by forming a protective layer made of iO 2 .

【0041】これら実施例1乃至5の磁気ディスクにつ
いて参考例1と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を
測定した。この測定結果を表3に示す。
With respect to the magnetic disks of Examples 1 to 5 , the coercive force and the product of the residual magnetization thickness were measured in the same manner as in Reference Example 1. Table 3 shows the measurement results.

【0042】[0042]

【表3】 [Table 3]

【0043】表3から明らかなように、基板温度を40
0℃まで上げて磁気ディスクを作成しても磁気特性が劣
化することなく、良好な磁気特性が得られることがわか
る。
As is apparent from Table 3, the substrate temperature was set at 40
It can be seen that even if the temperature is increased to 0 ° C. and a magnetic disk is prepared, good magnetic characteristics can be obtained without deterioration of the magnetic characteristics.

【0044】更に、上記した実施例に関連する参考例1
1〜30を説明する。参考例1と同様の方法を用いて、
表4に示す組成の下地層、磁性層、及び保護層を有する
磁気ディスク(参考例11乃至30)を作製して、これ
参考例11乃至30の磁気ディスクについて参考例1
と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を測定した。
Further, Reference Example 1 related to the above-described embodiment.
1 to 30 will be described. Using the same method as in Reference Example 1 ,
Magnetic disks (Reference Examples 11 to 30) having an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer having the compositions shown in Table 4 were prepared, and the magnetic disks of Reference Examples 11 to 30 were referred to.
The coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness were measured in the same manner as described above.

【0045】[0045]

【表4】 [Table 4]

【0046】表4から明らかなようにCrMoにZr以
外の他の追加成分が添加された下地層を用いても保磁力
及び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。
As is evident from Table 4, it is possible to increase the coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness even if an underlayer in which an additional component other than Zr is added to CrMo is used.

【0047】更に、参考例31〜56について説明す
る。参考例4と同様の方法を用いて、表5に示す組成の
下地層(膜厚2000オングストローム)、磁性層(膜
厚450オングストローム)、及び保護層(膜厚150
オングストローム)を有する磁気ディスク(参考例31
乃至56)を作製して、これら参考例31乃至56の磁
気ディスクについて参考例4と同様にして保磁力及び残
留磁化膜厚積を測定した。
Further, Reference Examples 31 to 56 will be described.
You. Using the same method as in Reference Example 4 , an underlayer (film thickness of 2000 Å), a magnetic layer (film thickness of 450 Å), and a protective layer (film thickness of 150 Å) having the compositions shown in Table 5 were used.
Angstrom magnetic disk ( Reference Example 31)
To 56 ), and the coercive force and the product of the residual magnetization thickness of the magnetic disks of Reference Examples 31 to 56 were measured in the same manner as in Reference Example 4 .

【0048】[0048]

【表5】 [Table 5]

【0049】表5から明らかなように、CoPtMoに
他の追加成分が添加された磁性層を用いても保磁力及び
残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。
As is clear from Table 5, it can be seen that the coercive force and the product of the remnant magnetization film thickness can be increased by using a magnetic layer in which CoPtMo is added with other additional components.

【0050】更に、参考例57を上げる。この参考例5
7の作成の際、まず、直径65mm厚さ0.9mmのガ
ラス基板をRFマグネトロンスパッタ装置(図示せず)
のチャンバー内に装着して、チャンバー内を5×10-7
Torr以下の圧力まで減圧する。その後、アルゴンガ
スをスパッタガスとしてガス圧10mTorrでスパッ
タ装置に供給し、基板温度を室温として、Crターゲッ
ト及びMoターゲットを同時に放電させた。この際、C
rターゲットに対する投入電力密度を2.5W/cm2
とし、Moターゲットに対する投入電力密度を0.1W
/cm2 から1.2W/cm2 まで変化させ、ガラス基
板上に膜厚1500オングストロームの下地層を形成し
た。この結果、下地層において下方から上方に向かって
順次Mo濃度が増加した。
Reference Example 57 will be further described. Reference Example 5
In the preparation of 7, a glass substrate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm was first placed on an RF magnetron sputtering apparatus (not shown).
5 × 10 -7
The pressure is reduced to a pressure equal to or lower than Torr. Thereafter, an argon gas was supplied as a sputtering gas to the sputtering apparatus at a gas pressure of 10 mTorr, the substrate temperature was set to room temperature, and the Cr target and the Mo target were simultaneously discharged. At this time, C
The input power density for the r target is 2.5 W / cm 2
And the input power density for the Mo target is 0.1 W
/ Cm 2 to 1.2 W / cm 2 , and a 1500 Å thick underlayer was formed on a glass substrate. As a result, the Mo concentration in the underlayer increased sequentially from below to above.

【0051】同様にして、アルゴンガスをスパッタガス
として用いてCr74Pt18Mo8(at%)をターゲッ
トとして、Cr74Pt18Mo8 の組成を有する膜厚40
0オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。そ
して、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性層
上に膜厚50オングストロームのCr層及び膜厚300
オングストロームのSiO2 を形成し、これらCr層及
びSiO2 層を保護層とした。その後、この保護層上に
パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を20オング
ストロームの厚さ塗布して磁気ディスク(磁気記録媒
体)を得た。
Similarly, a film having a composition of Cr 74 Pt 18 Mo 8 and a target of Cr 74 Pt 18 Mo 8 (at%) using an argon gas as a sputtering gas.
A 0 Å magnetic layer was formed on the underlayer. Then, a Cr layer having a thickness of 50 Å and a thickness of 300 Å are formed on the magnetic layer by using argon gas as a sputtering gas.
Angstrom SiO 2 was formed, and these Cr layer and SiO 2 layer were used as protective layers. Thereafter, a lubricating layer made of perfluoropolyether was applied on the protective layer to a thickness of 20 angstroms to obtain a magnetic disk (magnetic recording medium).

【0052】この磁気ディスクについて振動試料型磁力
計を用いて、その保磁力(Hc)を測定した。この際、
膜面方向に最大外部印加磁場を12kOeとして磁場を
印加した。この結果、保磁力は2500Oeであった。
The coercive force (Hc) of the magnetic disk was measured using a vibrating sample magnetometer. On this occasion,
A magnetic field was applied in the direction of the film surface with a maximum external applied magnetic field of 12 kOe. As a result, the coercive force was 2500 Oe.

【0053】さらに、上記の磁気ディスクについて記録
再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が
0.055μmの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッド
とディスクBの相対速度を6m/sとし、線記録密度8
0kfciにおける記録再生出力を測定した。この結
果、記録再生出力は225μVであった。
Further, the recording / reproducing output of the magnetic disk was measured. Here, a thin film head having a magnetic head flying height of 0.055 μm is used, the relative speed between the thin film head and the disk B is set to 6 m / s, and the linear recording density is 8
The recording / reproducing output at 0 kfci was measured. As a result, the recording / reproducing output was 225 μV.

【0054】また、キャリア周波数を9.4MHz、測
定帯域を15MHzとしてスペクトルアナライザーによ
って上記の磁気ディスクについて信号記録再生時におけ
るノイズスペクトラムを測定した(媒体ノイズNmで表
す)。この結果、媒体ノイズは5.15μVrmsであ
った。
Also, the carrier spectrum was measured at a signal frequency of 9.4 MHz and the measurement band was 15 MHz, and the noise spectrum of the above magnetic disk during signal recording / reproduction was measured by a spectrum analyzer (expressed as medium noise Nm). As a result, the medium noise was 5.15 μVrms.

【0055】なお、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコ
イルターン数50、トラック幅6μm、磁気ヘッドギャ
ップ長0.25μmである。
The thin-film head used in the above measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.

【0056】このようにして、下地層におけるMo濃度
を上方に向かって(基板から磁性層に向う方向)増加さ
せるように変化させると、良好な磁気特性が得られる。
As described above, when the Mo concentration in the underlayer is changed so as to increase upward (in the direction from the substrate to the magnetic layer), good magnetic characteristics can be obtained.

【0057】更に、以下のようにして製作された参考例
58について説明する。投入電力密度を2.5W/cm
2 とし、他の条件は参考例57と同様にしてRFマグネ
トロン装置を用い、Crターゲット、Cr95Mo5 ター
ゲット、Cr90Mo10ターゲット、Cr85Mo15ターゲ
ット、及びCr80Mo20ターゲットを同時に放電させ
て、基板上にCr、Cr95Mo5 、Cr90Mo10、Cr
85Mo15、及びCr80Mo20の順に膜が形成されるよう
に基板をRFマグネトロン装置内で順次搬送する。これ
によって、基板上に膜厚1500オングストロームの下
地層を形成した。このようにして、Mo濃度が異なるタ
ーゲットに対して基板を順次搬送することによって、下
地層では上方に向かって順次Mo濃度が増加することに
なる。その後、参考例57と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、参考例57と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ2550O
e、225μV、及び5.10μVrmsであった。
Further, a reference example manufactured as follows :
58 will be described. 2.5 W / cm input power density
The Cr target, Cr 95 Mo 5 target, Cr 90 Mo 10 target, Cr 85 Mo 15 target, and Cr 80 Mo 20 target were discharged simultaneously using an RF magnetron apparatus in the same manner as in Reference Example 57 except for using the RF magnetron apparatus. by, Cr on the substrate, Cr 95 Mo 5, Cr 90 Mo 10, Cr
The substrates are sequentially conveyed in an RF magnetron device so that a film is formed in the order of 85 Mo 15 and Cr 80 Mo 20 . Thus, an underlayer having a thickness of 1500 angstroms was formed on the substrate. In this manner, by sequentially transporting the substrate to targets having different Mo concentrations, the Mo concentration sequentially increases upward in the underlayer. Thereafter, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer in the same manner as in Reference Example 57 to obtain a magnetic disk. Then, the coercive force, recording / reproducing output, and medium noise were measured in the same manner as in Reference Example 57 . As a result, the coercive force,
Recording and reproduction output and medium noise are 2550O each
e, 225 μV and 5.10 μV rms.

【0058】このように、順次Mo濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。
As described above, good magnetic characteristics can be obtained even when the underlayer is formed using a plurality of films whose Mo concentration sequentially increases.

【0059】更に、参考例59及び60について説明す
る。まず、参考例59は、次のようにして製作された。
Crターゲット、Moターゲット、及びZrターゲット
を用いて、これらターゲットを同時に放電させた。この
際、Crターゲットに対する投入電力密度を2.5W/
cm2 とし、Zrターゲットに対する投入電力密度を
0.1W/cm2 に固定し、Moターゲットに対する投
入電力密度を0.1W/cm2 から1.2W/cm2
で連続的に変化させ、他の条件は参考例57と同様にし
て、基板上に膜厚1500オングストロームの下地層を
形成した。この結果、下地層において下方から上方に向
かって順次Mo濃度が増加した。その後、参考例57
同様に下地層上に順次磁性層、保護層、及び潤滑層を形
成して磁気ディスクを得た。そして、参考例57と同様
にして保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズを測定し
た。その結果、保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズ
はそれぞれ2600Oe、230μV、及び4.90μ
Vrmsであった。
Further, Reference Examples 59 and 60 will be described.
You. First, Reference Example 59 was manufactured as follows.
These targets were simultaneously discharged using a Cr target, a Mo target, and a Zr target. At this time, the input power density for the Cr target was 2.5 W /
cm 2, and the input power density for Zr target was fixed at 0.1 W / cm 2, the input power density for a Mo target from 0.1W / cm 2 1.2W / cm 2 continuously varied from, other Under the same conditions as in Reference Example 57, an underlayer having a thickness of 1500 Å was formed on the substrate. As a result, the Mo concentration in the underlayer increased sequentially from below to above. Thereafter, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer in the same manner as in Reference Example 57 to obtain a magnetic disk. Then, the coercive force, recording / reproducing output, and medium noise were measured in the same manner as in Reference Example 57 . As a result, the coercive force, recording / reproducing output, and medium noise were 2600 Oe, 230 μV, and 4.90 μm, respectively.
Vrms.

【0060】このようにして、下地層におけるMo濃度
を上方に向って順次増加するようにしても同様に良好な
磁気特性を得ることができる。
In this way, even if the Mo concentration in the underlayer is sequentially increased upward, similarly good magnetic characteristics can be obtained.

【0061】(参考例60) 投入電力密度を2.5W/cm2 とし、他の条件は参考
例57と同様にしてRFマグネトロン装置を用い、Cr
ターゲット、Cr95Mo3 Zr2 ターゲット、Cr90
8 Zr2 ターゲット、Cr85Mo13Zr2 ターゲッ
ト、及びCr80Mo18Zr2 ターゲットを同時に放電さ
せて、基板上にCr、Cr95Mo3 Zr2、Cr90Mo
8 Zr2 、Cr85Mo13Zr2 、及びCr80Mo18Zr
2 の順に膜が形成されるように基板をRFマグネトロン
装置内で順次搬送する。これによって、基板上に膜厚1
500オングストロームの下地層を形成した。このよう
にして、Mo濃度が異なるターゲットに対して基板を順
次搬送することによって、下地層では上方に向かって順
次Mo濃度が増加することになる。その後、参考例57
と同様に下地層上に順次磁性層、保護層、及び潤滑層を
形成して磁気ディスクを得た。そして、参考例57と同
様にして保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイズを測定
した。その結果、保磁力、記録再生出力、及び媒体ノイ
ズはそれぞれ2630Oe、225μV、及び4.88
μVrmsであった。
(Reference Example 60) The input power density was set to 2.5 W / cm 2 , and the other conditions were the same as in Reference Example 57 using an RF magnetron apparatus.
Target, Cr 95 Mo 3 Zr 2 target, Cr 90 M
The o 8 Zr 2 target, the Cr 85 Mo 13 Zr 2 target, and the Cr 80 Mo 18 Zr 2 target are simultaneously discharged, and Cr, Cr 95 Mo 3 Zr 2 , Cr 90 Mo are discharged on the substrate.
8 Zr 2, Cr 85 Mo 13 Zr 2, and Cr 80 Mo 18 Zr
The substrates are sequentially transported in the RF magnetron device so that the films are formed in the order of 2 . As a result, a film thickness of 1
An underlayer of 500 angstroms was formed. In this manner, by sequentially transporting the substrate to targets having different Mo concentrations, the Mo concentration sequentially increases upward in the underlayer. Then, Reference Example 57
Similarly, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer to obtain a magnetic disk. Then, the coercive force, recording / reproducing output, and medium noise were measured in the same manner as in Reference Example 57 . As a result, the coercive force, recording / reproducing output, and medium noise were 2630 Oe, 225 μV, and 4.88, respectively.
μVrms.

【0062】このように、順次Mo濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。
As described above, good magnetic characteristics can be obtained even when the underlayer is formed using a plurality of films whose Mo concentration sequentially increases.

【0063】なお、上述の参考例では下地層において基
板から磁性層に向う方向にMo濃度を増加させるように
したが、Moに限らず、Cr又はZr濃度を変化させる
ようにしてもよい。
In the above-described reference example , the Mo concentration is increased in the direction from the substrate to the magnetic layer in the underlayer. However, not limited to Mo, the Cr or Zr concentration may be changed.

【0064】以上の実施例及び参考例から明らかなよう
に、下地層としては少なくともCr及びMoが含まれる
ことが必要であり、例えば、下地層がCrと及びMoで
構成させる場合、十分な保磁力を得るためには、その割
合はCr100-x Mox (1≦x≦90)であることが望
ましく、特に、10≦x≦80であることが好ましい。
As is clear from the above Examples and Reference Examples , it is necessary that the underlayer contains at least Cr and Mo. For example, when the underlayer is made of Cr and Mo, sufficient protection is required. In order to obtain magnetic force, the ratio is preferably Cr 100-x Mo x (1 ≦ x ≦ 90), and particularly preferably 10 ≦ x ≦ 80.

【0065】また、磁性層としては少なくともCo及び
Ptが含まれることが必要であり、例えば、下地層がC
o及びPtで構成させる場合、十分な保磁力を得るため
には、その割合はCo100-y Moy (5≦y≦30)で
あることが望ましい。
It is necessary that the magnetic layer contains at least Co and Pt.
In the case of using o and Pt, the ratio is preferably Co 100-y Mo y (5 ≦ y ≦ 30) in order to obtain a sufficient coercive force.

【0066】さらに、磁性層にCo及びPtの他にMo
を添加すると、残留磁化(Mr)が低下する傾向にある
けれども、媒体ノイズが低減されてS/N比が高くな
る。残留磁化の低減による出力の低下を必要最小限に抑
えるためには、Co、Pt、及びMoの割合は、Co
100-y-z Pty Moz (at%)(5≦y≦30、0<
z≦30)であることが望ましく、特に、5≦y≦3
0、5≦z≦20であることが好ましい。
Further, in addition to Co and Pt, Mo is added to the magnetic layer.
, The residual noise (Mr) tends to decrease, but the medium noise is reduced and the S / N ratio is increased. In order to minimize the reduction in output due to the reduction in remanent magnetization, the proportions of Co, Pt, and Mo must be Co
100-yz Pt y Mo z ( at%) (5 ≦ y ≦ 30,0 <
z ≦ 30), and in particular, 5 ≦ y ≦ 3
It is preferable that 0 and 5 ≦ z ≦ 20.

【0067】加えて、下地層にはさらに他の成分を添加
してもよい。例えば、W、B、V、Nb、Ta、Fe、
Ni、Re、Cu、Zr、Zn、P、Si、Ga、G
e、Hf、Al、及びTiのうち少なくとも一種をさら
に含有するようにしてもよい。そして、十分な保磁力を
得るためには、これら添加成分の添加量は30at%以
下とすることが望ましい。Cu、Zr、B、Zn、T
a、及びNbを添加することによって媒体ノイズが低減
できる(つまり、S/N比を高くすることができる)。
特に、Zrを添加することによって、媒体ノイズ低減上
の効果が大きい。
In addition, other components may be further added to the underlayer. For example, W, B, V, Nb, Ta, Fe,
Ni, Re, Cu, Zr, Zn, P, Si, Ga, G
At least one of e, Hf, Al, and Ti may be further contained. Then, in order to obtain a sufficient coercive force, it is desirable that the addition amount of these additional components be 30 at% or less. Cu, Zr, B, Zn, T
By adding a and Nb, the medium noise can be reduced (that is, the S / N ratio can be increased).
In particular, by adding Zr, the effect on reducing the medium noise is great.

【0068】また、磁性層には、例えば、Ta、B、C
r、O、N、Nb、Mn、Zn、W、Pb、Re、V、
及びZrのうち少なくとも一種を添加するようにしても
よい。そして、十分な保磁力を得るためには、これら添
加成分の添加量は30at%以下とすることが望まし
い。
In the magnetic layer, for example, Ta, B, C
r, O, N, Nb, Mn, Zn, W, Pb, Re, V,
And at least one of Zr and Zr. Then, in order to obtain a sufficient coercive force, it is desirable that the addition amount of these additional components be 30 at% or less.

【0069】上述の実施例では非磁性基板としてガラス
基板を用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はな
く、例えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も
用いることができる。
Although a glass substrate is used as the non-magnetic substrate in the above-described embodiment, there is no particular limitation as long as it is non-magnetic. For example, a crystallized glass substrate and an aluminum substrate can be used.

【0070】保護層を形成する場合には保護層の種類は
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては、例えば、酸化ケイ素(S
iO2 )、カーボン(C)、酸化ジルコニウム(ZrO
2 )、窒化ケイ素(Si3 4 )、窒化ホウ素(B
N)、クロム(Cr)、及びクロムモリブデン合金(C
rMo)が用いられるが、特に、下地層と同一の組成を
有する保護層、例えば、Cr及びMoを含む金属を用い
ることが拡散効果を磁性層の上下から発生させる点にお
いて望ましい。
When the protective layer is formed, the type of the protective layer is not particularly limited, and a single-layer or multiple-layer protective layer may be provided. As this protective layer, for example, silicon oxide (S
iO 2 ), carbon (C), zirconium oxide (ZrO
2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), boron nitride (B
N), chromium (Cr), and chromium molybdenum alloy (C
Although rMo) is used, it is particularly preferable to use a protective layer having the same composition as that of the underlayer, for example, a metal containing Cr and Mo in terms of generating a diffusion effect from above and below the magnetic layer.

【0071】潤滑層を形成する際には潤滑層の種類は特
に限定されず、例えば、パーフルオロポリエーテル、脂
肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、及びフルオロカ
ーボンを単品又は混合物として用いてもよい。
When forming the lubricating layer, the type of the lubricating layer is not particularly limited, and for example, perfluoropolyether, fatty acid, fatty acid amide, fatty acid ester, and fluorocarbon may be used alone or as a mixture.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によって製造された磁気記録媒体では保磁力及び残留磁
化膜厚積を高くすることができるばかりでなく耐腐食性
を高くすることができるという効果がある。特に、磁性
層にCo、Pt、及びMoを含むことによって、高線記
録密度において高記録再生出力が得られるばかりでなく
媒体ノイズを低減させることができる。この結果、高線
記録密度において記録再生時のS/N比を向上させるこ
とができるという効果がある。
As described above, the production method of the present invention
The magnetic recording medium manufactured by the method has an effect that not only the coercive force and the product of the residual magnetization film thickness can be increased, but also the corrosion resistance can be enhanced. In particular, by including Co, Pt, and Mo in the magnetic layer, not only high recording / reproducing output can be obtained at a high linear recording density, but also medium noise can be reduced. As a result, there is an effect that the S / N ratio at the time of recording and reproduction can be improved at a high linear recording density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。
Is a sectional view showing an embodiment of a magnetic recording medium according to the present invention; FIG.

【図2】本発明に係る磁気記録媒体において磁性層とし
てCo82Pt18(◎)及びCo74Pt18Mo8 (○)
(at%)を用い下地層(CrMo)におけるMo含有
量を変化させた際の保磁力の変化を示す図である。
[2] The present invention Co 82 Pt 18 as a magnetic layer in a magnetic recording medium according (◎) and Co 74 Pt 18 Mo 8 (○ )
FIG. 6 is a diagram showing a change in coercive force when the Mo content in the underlayer (CrMo) is changed using (at%).

【図3】本発明に係る磁気記録媒体において磁性層とし
てCo74Pt18Mo8 (at%)を用い下地層(CrM
oZr)を用いMoを9at%(◇)及び18at%
(◆)として下地層におけるMo含有量を変化させた際
の保磁力の変化を示す図である。
[Figure 3] Co 74 Pt 18 Mo 8 as a magnetic layer in a magnetic recording medium according to the present invention (at%) underlayer using (CrM
Using oZr), 9 at% (◇) and 18 at% of Mo
FIG. 7B is a diagram illustrating a change in coercive force when the Mo content in the underlayer is changed as (◆).

【図4】耐蝕性試験における試験時間と飽和磁化との関
係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a test time and a saturation magnetization in a corrosion resistance test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 下地層 3 磁性層 4 保護層 5 潤滑層 6 磁気記録媒体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Underlayer 3 Magnetic layer 4 Protective layer 5 Lubrication layer 6 Magnetic recording medium

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 正人 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホ ーヤ株式会社内 (72)発明者 野沢 順 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホ ーヤ株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−120030(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01F 10/16 G11B 5/66 C23C 14/14 H01F 10/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masato Kobayashi 2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Inside of Hoya Co., Ltd. (72) Inventor Jun Nozawa 2- 7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo (56) References JP-A-6-120030 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01F 10/16 G11B 5/66 C23C 14 / 14 H01F 10/30

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 非磁性基板上に少なくとも下地層及び磁
性層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記非
磁性基板はガラス基板とし、前記下地層は主としてCr
とMoとを含むCrMo系合金であって組成比でMoを
2乃至40at%含んでおり、前記磁性層は主としてC
oとPtとを含むCoPt系合金であって組成比でPt
を5乃至30at%含んでおり、保持力が前記下地層の
(110)面における格子間隔と前記磁性層の(00
2)面における格子間隔とが接近して1750Oe以上
にとなるように前記下地層及び前記磁性層の組成比を設
定するとともに前記下地層及び前記磁性層成膜時の基板
温度を100℃から400℃の範囲内で設定して、前記
下地層及び前記磁性層を成膜するようにしたことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
1. A method of manufacturing a magnetic recording medium having at least an underlayer and a magnetic layer on a nonmagnetic substrate, wherein the nonmagnetic substrate is a glass substrate, and the underlayer is mainly made of Cr.
And a Mo alloy containing Mo in a composition ratio of 2 to 40 at%, and the magnetic layer is mainly composed of C
CoPt-based alloy containing o and Pt
5 to 30 at%, and the coercive force has a lattice spacing on the (110) plane of the underlayer and (00) of the magnetic layer.
2) The composition ratio of the underlayer and the magnetic layer is set so that the lattice spacing on the plane is close to 1750 Oe or more, and the substrate temperature during the formation of the underlayer and the magnetic layer is from 100 ° C. to 400 ° C. A method for manufacturing the magnetic recording medium, wherein the underlayer and the magnetic layer are formed at a temperature within the range of ° C.
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