JP3200385B2

JP3200385B2 - 真空処理方法

Info

Publication number: JP3200385B2
Application number: JP02338597A
Authority: JP
Inventors: 和俊佐藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-02-06
Filing date: 1997-02-06
Publication date: 2001-08-20
Anticipated expiration: 2016-06-07
Also published as: JPH09324269A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理方法に関
し、特に真空処理容器内に処理ガスを導入して真空処理
を行う真空処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、スパッタリング装置等の真空処理
装置の処理容器内の不純物ガスの検出は、処理容器に質
量分析計を取り付け、そのセンサ内部を差動排気するこ
とにより行われていた。または、処理室内を排気するた
めのクライオポンプ等に質量分析計を取り付けて、不純
物ガスの分圧を測定していた。不純物ガス量を測定する
ことにより、真空系の漏れ等の異常を発見することがで
きる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】質量分析計には、通
常、微小なイオン電流を増幅するために二次電子増倍管
等の増幅手段が用いられている。質量分析計によりガス
分圧の測定を継続して行うと、二次電子増倍管に付着す
るコンタミネーションや増倍管内に形成される自然酸化
膜等により、二次電子増倍管の利得が低下する。また、
各質量に対応する検出信号のピークの質量座標上の位置
が、正規の位置からずれる場合がある。

【０００４】二次電子増倍管の利得の低下、検出信号の
ピークの位置ずれ等が発生すると、不純物ガスの正確な
分圧測定が困難になる。

【０００５】また、不純物ガスの分圧は、時間的に変動
している。質量分析計で測定されるガス分圧は、時間変
動する分圧の瞬時値である。従って、真空処理に実質的
に悪影響を及ぼさない程度の瞬間的なガス分圧の異常値
をも、装置の異常として検出してしまう場合がある。

【０００６】本発明の目的は、ガス量検出器の感度を補
正し、安定して不純物ガスの含有量を検出することがで
きる真空処理技術を提供することである。

【０００７】本発明の他の目的は、不純物ガスの含有量
の瞬間的な異常値を隠蔽し、実質的に処理に悪影響を及
ぼすおそれのある異常値のみを検出することができる真
空処理技術を提供することである。

【０００８】本発明の一観点によると、真空排気可能な
処理容器と、前記処理容器内にＡｒを含む処理ガスを導
入するためのガス導入手段と、前記処理容器内のガス分
圧に対応するガス量信号をガス種別ごとに出力するガス
量検出器であって、外部から与えられる感度補正信号に
応じて検出感度が設定され、設定された検出感度でガス
量信号を生成し出力する前記ガス量検出器とを備えた真
空処理装置による真空処理方法であって、前記ガス量検
出器から出力されたガス量信号を受信し、前記処理ガス
に含まれる質量数３６のＡｒに対応するガス量信号の大
きさが目標値に近づくように、前記ガス量検出器に対し
て感度補正信号を送出することを特徴とする真空処理方
法が提供される。

【０００９】基準ガスに対応するガス量信号の大きさが
許容範囲内に納まるように感度補正される。処理容器内
の不純物ガスの対応するガス量信号の大きさを観測する
ことにより、処理ガスに対する不純物ガスの相対濃度を
得ることが可能になる。

【００１０】本発明の他の観点によると、真空排気可能
な処理容器内に、処理対象物を配置し、処理ガスを導入
して真空処理を行う真空処理方法であって、処理対象物
に対して真空処理を行っている期間に、処理容器内の処
理ガス以外の測定対象不純物ガスのガス量の時間変化
を、不純物ガスごとに測定するガス量測定工程と、前記
不純物ガスのガス量の時間平均を計算しガス量の平均値
を求める工程と、前記ガス量の平均値を基準値と比較
し、比較結果に対応した処理を行う工程とを有する真空
処置方法が提供される。

【００１１】不純物ガスのガス量の平均値と基準値とを
比較するため、瞬間的な不純物ガス量の増大をその度に
検出し、不要な警報等が発生することを抑制することが
できる。

【００１２】本発明の他の観点によると、真空排気可能
な処理容器内に、処理対象物を配置し、処理ガスを導入
して真空処理を行う真空処理方法であって、処理ガスに
含まれるガスのうち１種のガスを基準ガスとし、該基準
ガスに含まれる１つの元素が複数の同位体原子を有し、
複数の同位体原子のうち存在比の最大でない同位体原子
を含む基準ガスの分子もしくは原子の量を、感度可変の
質量分析計で測定する測定工程と、前記測定工程で得ら
れた測定値を目標値と比較し、測定値が該目標値に近づ
くように前記質量分析計の感度を調整する工程とを含む
真空処理方法が提供される。

【００１３】一般的に処理ガスに対する不純物ガスの濃
度は非常に低い。処理ガス中の１種の基準ガスに合わせ
て質量分析計の感度を調整すると、感度が低くなりすぎ
て不純物ガスの検出が困難になる。基準ガスに含まれる
１つの元素が複数の同位体原子を有する場合、複数の同
位体原子のうち存在比の最大でない同位体原子を含む基
準ガスの分子もしくは原子に合わせて質量分析計の感度
を調整することにより、不純物ガスの検出が容易にな
る。

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例によるス
パッタリング装置の概略を示す。気密な処理室１にメイ
ンバルブ２を介してクライオポンプ３が取り付けられて
いる。処理室１内がクライオポンプ３により真空排気さ
れる。処理室１にはガス管１５が開口し、ガス管１５を
通して処理室１内に処理ガスが導入される。ガス管１５
に取り付けられた流量調整弁１６により、処理ガスの導
入量が調整される。

【００１７】処理室１に、四重極型質量分析計４が取り
付けられている。質量分析計４内は、ターボ分子ポンプ
６により差動排気されている。ターボ分子ポンプ６は、
粗引ポンプ７により粗引きされる。質量分析計４は、ガ
スをイオン化するイオン化部、イオン化したガスをその
質量ごとに分離する分離部、及び分離部により質量ごと
に分離されたガスイオンが入射する二次電子増倍管によ
り構成されている。二次電子増倍管の利得は可変であ
り、その利得は、質量分析計制御装置８から与えられる
感度補正信号により制御される。

【００１８】クライオポンプ３に質量分析計５が取り付
けられ、ポンプ内の各種ガスの分圧が測定される。質量
分析計５は質量分析計４と同様の構成を有し、その二次
電子増倍管の利得は、質量分析計制御装置８により制御
される。質量分析計４及び５により測定されたガス分圧
に対応する信号は、質量分析計制御装置８に入力され
る。

【００１９】スパッタリング装置のコントローラ１３
は、流量調整弁１６を制御して処理ガスの流量を調整す
る。さらに、質量分析計制御装置８に対して、後述する
各種信号を送出する。

【００２０】バーコードリーダ１０が、複数の処理ウエ
ハを格納したウエハキャリア１１に付されているバーコ
ード１２を読み取り、質量分析計制御装置８に送出す
る。

【００２１】記憶装置１４は、ウエハキャリア１１に付
されるバーコードに対応する記憶領域を有する。質量分
析系制御装置８は、質量分析計４及び５から受信したガ
ス分圧情報を、処理中のウエハキャリア３のバーコード
に対応する記憶領域に格納する。さらに、ガス分圧情報
が工場のホストコンピュータ９にも送出され、ホストコ
ンピュータ９により集中管理される。

【００２２】図２は、図１に示すスパッタリング装置の
概略平面図を示す。搬送室２０に、ゲートバルブを介し
て２つの処理室１Ａ及び１Ｂが取り付けられている。ま
た、搬送室２０には、予備加熱室２１、冷却室２２、搬
入用ロードロック室２３及び搬出用ロードロック室２４
が、それぞれゲートバルブを介して取り付けられてい
る。搬送室２０内には、ロボットアーム２５が格納され
ている。ロボットアーム２５は、搬送室２０に取り付け
られた各室間で処理対象ウエハを移送する。

【００２３】処理室１Ａ及び１Ｂでは、ウエハの表面上
にスパッタリングによる成膜が行われる。予備加熱室２
１では、成膜前にウエハの予備加熱が行われる。冷却室
２２では、成膜後のウエハが室温近傍まで冷却される。

【００２４】ウエハキャリア載置台２８に、処理前のウ
エハが格納されたウエハキャリア１１Ａ及び１１Ｂが載
置されている。ウエハキャリア１１Ａ、１１Ｂには、そ
れぞれバーコードラベル１２Ａ、１２Ｂが付されてい
る。処理前のウエハキャリア１１Ａ、１１Ｂは、ロボッ
トアーム２６により搬入用ロードロック室２３内に搬入
される。このとき、バーコードリーダ１０によりロット
番号が読み取られる。

【００２５】搬入用ロードロック室２３に搬入された各
ウエハは、ロボットアーム２５により１枚ずつ予備加熱
室２１に移送され、予備加熱される。予備加熱が終了し
たウエハは、処理室１Ａもしくは１Ｂ内に移送され、ス
パッタリングによる成膜処理が行われる。成膜が終了す
ると、冷却室２２に移送され室温近傍まで冷却される。
冷却されたウエハは、搬出用ロードロック室２４内のウ
エハキャリアに格納される。

【００２６】１ロット中の全ウエハの処理が終了する
と、搬出用ロードロック室２４内のウエハキャリアがロ
ボットアーム２７により取り出され、ウエハキャリア載
置台２８上に載置される。ウエハキャリア１１Ｃ、１１
Ｄは、例えば処理済のものである。

【００２７】次に、図１及び図２に示すスパッタリング
装置を用いたスパッタリング方法を、図１〜図３を参照
しながら説明する。なお、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを用い、図２に示す処理室１Ａ及び１Ｂのいずれか一
方のみを使用する場合を説明する。また、ウエハの予備
加熱、冷却等の処理の説明は省略する。

【００２８】図３は、１ロット分の処理のフローチャー
トを示す。ステップｓ１において、ロットの処理を開始
する。例えば１ロットは、５０枚の処理対象ウエハから
構成される。５０枚の処理対象ウエハは、１つのウエハ
キャリア１１に格納されている。ウエハキャリア１１に
は、ロットを識別するためのロット番号をバーコードで
表すバーコードラベル１２が付されている。

【００２９】ロットの処理が開始されると、ウエハキャ
リア１１が搬入用ロードロック室２３（図２）内に配置
される。このとき、処理されるロットのロット番号がバ
ーコードリーダ１０により読み取られる。バーコードリ
ーダ１０により読み取られたロット番号は、質量分析計
制御装置８に転送される。当該ロットの１枚目のウエハ
を処理室１内に配置する。

【００３０】ステップｓ２に進み、コントローラ１３が
流量調整弁１６を制御して、スパッタガスを処理室１内
に導入する。コントローラ１３から質量分析計制御装置
８にロット内のウエハ番号が通知される。ウエハ番号
は、１ロット内の各ウエハを識別するための番号であ
る。

【００３１】ステップｓ３に進み、処理室１内にプラズ
マを発生させ、成膜を開始する。質量分析計４及び５が
処理室１内の各種ガス分圧に比例するイオン電流を発生
する。ガス分圧に対応するイオン電流値は、質量分析計
制御装置８に転送される。

【００３２】図４は、質量分析計４もしくは５によるガ
ス分圧の測定結果の一例を示す。横軸は分子もしくは原
子の質量数を表し、縦軸はガス分圧に対応するイオン電
流値を任意目盛りで表す。質量数２、１８、２８、３
２、及び４４の位置に現れているピークは、それぞれＨ
₂、Ｈ₂Ｏ、Ｎ₂、Ｏ₂、及びＣＯ₂に対応する。ま
た、質量数２０及び４０の位置に⁴⁰Ａｒに対応する大き
なピークが現れている。さらに、質量数３６の位置に、
³⁶Ａｒに対応する小さなピークが現れている。

【００３３】処理ガスであるＡｒに対する不純物ガスの
相対的な濃度を知るためには、質量分析計の感度を調整
してＡｒに対応するイオン電流値を一定の目標値に合わ
せ、不純物ガスに対応するイオン電流の大きさを観測す
ればよい。⁴⁰Ａｒに対応するイオン電流値と不純物ガス
に対応するイオン電流値との比が大きいため、⁴⁰Ａｒに
対応するイオン電流値を目標値に合わせると、不純物ガ
スに対応するイオン電流値が小さくなりノイズに隠れて
しまう。このため、不純物ガス濃度の測定が困難にな
る。

【００３４】本実施例では、³⁶Ａｒに対応するイオン電
流値が目標値になるように、質量分析計の二次電子増倍
管の利得を調節することにした。³⁶Ａｒのように、処理
ガスに含まれる複数の同位体原子のうち存在比の小さい
ものに対応するイオン電流値を目標値に合わせることに
より、不純物ガスに対応するイオン電流値を大きくする
ことができる。不純物ガスに対応するイオン電流値が大
きくなるため、不純物ガスの濃度を測定し易くなる。

【００３５】図３のステップｓ４において、³⁶Ａｒに対
応するイオン電流値が目標値に近づくように、質量分析
計４及び５の感度を補正する。感度の補正は、質量分析
計制御装置８から質量分析計４及び５に感度補正信号を
送出することにより行われる。質量分析計４及び５は、
受信した感度補正信号に応じて二次電子増倍管の利得を
増減させる。

【００３６】このとき、質量分析計制御装置８は、予め
指定されている質量数に対応するイオン電流値、すなわ
ち不純物ガスの分圧に相当する情報を、記憶装置１４の
記憶領域のうち、現在処理中のロット番号及びウエハ番
号により特定される記憶領域へ格納する。記憶装置に格
納された情報は、例えばロットの処理終了後の製品検査
の参考に供される。

【００３７】ステップｓ５に進み、プラズマを消滅さ
せ、成膜処理を停止する。ステップｓ６に進み、スパッ
タガスの導入を停止する。ステップｓ７に進み、成膜後
のウエハを処理室１から取り出し、新たなウエハを処理
室１内に配置する。コントローラ１３から質量分析計制
御装置８に対して、新たなウエハのウエハ番号が通知さ
れる。

【００３８】ステップｓ８に進み、スパッタガスの導入
を停止する直前における³⁶Ａｒに対応するイオン電流値
と目標値とを比較する。イオン電流の測定値が目標値と
等しいかまたは許容範囲内であればステップｓ９へ進
む。それ以外の場合は、ステップｓ２へ戻り、新しいウ
エハに対してステップｓ２〜ｓ７の処理を実行する。

【００３９】このようにして、³⁶Ａｒに対応するイオン
電流値が目標値もしくは許容範囲内の値になるまで、ス
テップｓ２〜ｓ８の処理を繰り返し実行する。

【００４０】図５（Ａ）は、ステップｓ２〜ｓ８の処理
実行中の³⁶Ａｒに対応するイオン電流値の時間変動の一
例を示す。時刻ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁が、図３のスパッタガ
スの導入（ステップｓ２）に対応し、時刻ｔ₁₂、ｔ₂₂、
ｔ₃₂が、成膜開始（ステップｓ３）に対応し、時刻
ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃が、成膜終了（ステップｓ５）及びス
パッタガス停止（ステップｓ６）に対応する。

【００４１】時刻ｔ₁₂からｔ₁₃までの期間、ｔ₂₂からｔ
₂₃までの期間、及びｔ₃₂からｔ₃₃までの期間に、質量分
析計４及び５の感度補正が行われる。このため、³⁶Ａｒ
のイオン電流値は、これらの感度補正期間に目標値Ｉ_O
に徐々に近づいている。時刻ｔ₃₃において、³⁶Ａｒのイ
オン電流値がほぼ目標値Ｉ_Oに等しくなっている。時刻
ｔ₃₃の直後に行われる図３のステップｓ８において、感
度補正完了と判断され、ステップｓ９に進む。

【００４２】一旦、³⁶Ａｒのイオン電流値が目標値の許
容範囲内に設定されると、１ロット処理期間中は、質量
分析計の感度を一定に保つ。

【００４３】図３のステップｓ９において、処理室１内
にスパッタガスを導入し、プラズマを発生させて成膜処
理を開始する。

【００４４】ステップｓ１０において、不純物ガスに対
応するイオン電流値を測定する。測定すべき不純物ガス
の質量数は、予め質量分析計制御装置８に設定されてい
る。 ³⁶Ａｒに対応するイオン電流値が目標値に合ってい
るため、不純物ガスに対応するイオン電流値は、Ａｒガ
ス分圧に対する不純物ガス分圧の相対値を表す。

【００４５】ステップｓ１１に進み、プラズマを消滅さ
せて成膜を終了する。スパッタガスの導入を停止する。

【００４６】ステップｓ１２において、成膜後のウエハ
を処理室１から取り出し、新しいウエハを処理室１内に
配置する。コントローラ１３から質量分析計制御装置８
に対して、新しいウエハのウエハ番号が通知される。ウ
エハ交換中に、ステップｓ１０で測定された不純物ガス
分圧の時間平均を、測定対象不純物ガスの各々について
計算する。

【００４７】図６は、１つの不純物ガスに対応するイオ
ン電流値の時間変動を示す。時刻ｕ _i1〜ｕ_i2（ｉ＝１、
２、・・・）が、ステップｓ９〜ｓ１１の成膜中に対応
し、時刻ｕ_i2〜ｕ_{i+1 1}が、ステップｓ１２のウエハ交
換中及びガス分圧平均値の計算中に対応する。

【００４８】例えば、時刻ｕ₁₁においてスパッタガスを
導入すると、一時的に不純物ガスに対応するイオン電流
値が鋭いピークを示す。これは、経験的に確かめられた
現象である。このスパッタガス導入直後のピーク幅は、
約１秒程度である。図６は、このピークの高さが警報レ
ベルＩ_ALを超えた場合を示している。その後ガス分圧は
安定し、一定の範囲でわずかに変動する。ステップｓ１
２で、時刻ｕ₁₁〜ｕ₁₂の期間における各不純物ガスに対
応するイオン電流の時間平均が計算され、平均値Ｉ_AVが
得られる。

【００４９】図３のステップｓ１３に進み、平均値Ｉ_AV
と警報レベルＩ_ALとを比較する。平均値Ｉ_AVが警報レベ
ルＩ_ALを超えている場合は、ステップｓ１４に進み、警
報を発生する。平均値Ｉ_AVが警報レベルＩ_AL以下の場合
は、ステップｓ１５に進む。

【００５０】通常のスパッタリングにおいては、極短時
間の不純物ガスの濃度の増加は、成膜すべき膜の品質に
悪影響を与えないと考えられる。ステップｓ１２で、イ
オン電流の時間平均を計算し、平均値と警報レベルとを
比較することにより、図６に示す処理ガス導入直後の一
時的な不純物ガス濃度の増加による不要な警報の発生を
抑制することができる。

【００５１】なお、処理ガス導入直後に発生するピーク
の幅は、経験上約１秒程度であることがわかった。この
ようなピークを平均値の計算に取り込むためには、ステ
ップｓ１０における不純物ガスの各々に対するイオン電
流測定周期を３００ｍｓ以下とすることが好ましい。

【００５２】ステップｓ１５において、ロット内の全ウ
エハの処理が終了したか否か判断する。未処理のウエハ
が残っている場合には、新しいウエハに対してステップ
ｓ９〜ｓ１５までの処理を実行する。ロット内のすべて
のウエハ処理が終了したら、ステップｓ１６に進む。

【００５３】ステップ１６において、５０枚の処理済ウ
エハが格納されたウエハキャリアを、搬出用ロードロッ
ク室２４から取り出す。

【００５４】上記実施例では、図５（Ａ）に示すよう
に、ロット内の１枚目以降のウエハの処理を行いなが
ら、質量分析計の感度補正を行う場合を説明したが、１
枚目のウエハ処理前に感度補正を行い、感度を調節した
のちウエハの処理を開始してもよい。

【００５５】図５（Ｂ）は、質量分析計の感度を調節し
た後に、ウエハの処理を開始する場合の³⁶Ａｒに対応す
るイオン電流値の時間変動を示す。時刻ｖ₁₁においてス
パッタガスの導入を開始し、成膜を行う前に感度補正を
行う。³⁶Ａｒに対応するイオン電流値が目標値Ｉ_Oに等
しくなった後、時刻ｖ₁₂〜ｖ₁₃の間、成膜を行う。時刻
ｖ₁₃以降は、図５（Ａ）の時刻ｔ₃₃以降と同様の処理を
行う。

【００５６】図５（Ａ）に示すように、ウエハ処理を行
いながら質量分析計の感度補正を行う場合は、³⁶Ａｒに
対応するピークの高さが基準値に等しくなるまで不純物
ガス量の測定ができない。これに対し、図５（Ｂ）の方
法では、１枚目のウエハの処理から不純物ガス量の測定
を行うことができる。ただし、感度補正が終了するまで
ウエハ処理を待ち合わせるため、図５（Ａ）の場合に比
べてスループットが小さくなる。

【００５７】質量分析計で不純物ガス量の測定を継続す
ると、各質量数に対応するイオン電流のピークの位置が
正規の位置からずれる場合がある。ピークの位置がずれ
ると、正しい不純物ガス量を検出することができなくな
る。このため、図３のステップｓ１２において、ピーク
の位置ずれを修正することが好ましい。

【００５８】上記実施例では、スパッタリングにより成
膜を行う場合を例にとって説明したが、上記実施例は、
真空容器内に処理ガスを導入して真空処理を行う場合、
例えばイオン注入、プラズマエッチング、プラズマＣＶ
Ｄ等に適用することが可能である。

【００５９】また、上記実施例では、質量分析計の感度
補正のために、³⁶Ａｒに対応するイオン電流の大きさを
基準としたが、処理ガスに含まれる他のガスに対応する
イオン電流の大きさを基準としてもよい。このとき、基
準としたガスを構成する元素の同位体原子のうち存在比
の最大のものを基準とすると、不純物ガスに対応するイ
オン電流が小さくなりすぎて検出困難になる。このた
め、基準としたガスを構成する元素の同位体原子のうち
存在比の最大でないものを基準とすることが好ましい。

【００６０】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス量検出器の感度を自動補正して、不純物ガス濃度を
安定して観測することができる。また、不純物ガス濃度
の瞬間的な異常値による警報の発生を抑制し、真空処理
に悪影響が出るおそれのある異常のみに対して警報を発
生することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による真空処理装置の概略を示
す図である。

【図２】図１の真空処理装置の概略を示す平面図であ
る。

【図３】本発明の実施例による真空処理方法を示すフロ
ーチャートである。

【図４】図１に示す質量分析計による観測結果の一例を
示すグラフである。

【図５】本発明の実施例の真空処理方法により質量分析
計の感度補正を行う場合の、³⁶Ａｒに対応するピークの
高さの時間変化を示すグラフである。

【図６】本発明の実施例の真空処理方法により不純物ガ
ス量を観測する場合の、観測結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１処理室２メインバルブ３クライオポンプ４、５質量分析計６ターボ分子ポンプ７粗引ポンプ８質量分析計制御装置９ホストコンピュータ１０バーコードリーダ１１ウエハキャリア１２バーコードラベル１３スパッタリング装置コントローラ１４記憶装置１５ガス管１６流量調整弁２０搬送室２１予備加熱室２２冷却室２３搬入用ロードロック室２４搬出用ロードロック室２５、２６、２７ロボットアーム２８ウエハキャリア載置台

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/265 ６０３ 21/265 ６０３Ｚ 21/3065 21/302 Ｅ (56)参考文献特開昭62−211377（ＪＰ，Ａ) 特開平１−268859（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−34931（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−128139（ＪＰ，Ａ) 特開平５−82079（ＪＰ，Ａ) 実開昭55−153757（ＪＰ，Ｕ) 特表平７−501105（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 G01N 27/62 H01J 49/26 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/3065

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内にＡｒを含む処理ガスを導入するための
ガス導入手段と、前記処理容器内のガス分圧に対応するガス量信号をガス
種別ごとに出力するガス量検出器であって、外部から与
えられる感度補正信号に応じて検出感度が設定され、設
定された検出感度でガス量信号を生成し出力する前記ガ
ス量検出器とを備えた真空処理装置による真空処理方法
であって、前記ガス量検出器から出力されたガス量信号を受信し、
前記処理ガスに含まれる質量数３６のＡｒに対応するガ
ス量信号の大きさが目標値に近づくように、前記ガス量
検出器に対して感度補正信号を送出することを特徴とす
る真空処理方法。
【請求項２】前記真空処理装置が、さらに処理対象物
に付された識別符号を読み取り、読み取られた識別符号
に対応する識別信号を出力する識別符号読取装置と、前記識別符号に対応して記憶領域が確保された記憶手段
とを有し、さらに、前記識別符号読取装置から出力された識別信号
を受信し、前記記憶手段の記憶領域のうち、受信した識
別信号により特定される識別符号に対応する記憶領域
に、前記ガス量信号に基づいて生成したガス種別ごとの
ガス量情報を記憶させる工程を有する請求項１に記載の
真空処理方法。
【請求項３】前記ガス量検出器が、前記処理容器内のガスをイオン化するイオン化部と、イオン化されたガスイオンを、ガスイオンの質量ごとに
分離する分離部と、前記分離部で分離されたガスイオンが入射し、入射した
ガスイオンの数に応じた大きさの電気信号を出力する二
次電子増倍管であって、前記感度補正信号に応じて利得
が付与される前記二次電子増倍管とを有する請求項１ま
たは２に記載の真空処理方法。