JP3199997B2 - Multi-chip module and production method thereof - Google Patents

Multi-chip module and production method thereof

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、立体回路を形成し
た多層配線回路基板に、多数のLSIチップ等のチップ
部品を搭載してなるマルチチップモジュール及びその生
産方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-chip module comprising a multi-layered circuit board on which a three-dimensional circuit is formed and a number of chip components such as LSI chips mounted thereon, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、セラミック多層配線回路基板の
表面に薄膜回路層を形成し、その薄膜回路層の表面配線
上に、LSI(大規模集積回路)チップを、フェイスダ
ウンボンディングにより接続搭載する、フリップチップ
実装方式のマルチチップモジュールは公知である。この
種マルチチップモジュールにおいては、LSIの高集積
化により個々のLSIチップの入力端子数が増えると共
に多層配線回路基板内の信号配線数も増大するため、L
SIを搭載する多層配線回路基板も、多端子化と多層化
が必要になり、必然的に大規模化してくる。このような
大規模の多層配線回路基板においては、微細配線パター
ンの製造工程上での不良(製造プロセスに伴う欠陥)が
不可避的に発生し、歩留まりが低下するとともに、超高
密度実装であるがために技術回避困難となり、不良品廃
棄処分が課題となってくる。そこで、この課題に対処す
るために、下記の従来技術で改善しようとすると解決が
困難となってきる。
2. Description of the Related Art For example, a thin film circuit layer is formed on a surface of a ceramic multilayer wiring circuit board, and an LSI (large scale integrated circuit) chip is connected and mounted on the surface wiring of the thin film circuit layer by face-down bonding. A multi-chip module of a flip-chip mounting type is known. In this type of multi-chip module, the number of input terminals of each LSI chip increases and the number of signal wirings in the multilayer wiring circuit board increases due to the high integration of the LSI.
The multi-layer wiring circuit board on which the SI is mounted also needs to be multi-terminal and multi-layered, and the scale is inevitably increased. In such a large-scale multilayer wiring circuit board, defects (defects caused by the manufacturing process) in the manufacturing process of the fine wiring pattern are inevitably generated, and the yield is reduced. Therefore, it becomes difficult to avoid technology, and disposal of defective products becomes an issue. Therefore, in order to address this problem, it is difficult to improve the conventional technology described below.

【0003】その一つは、特開平4−102395号に
示されるように、多層配線回路基板の製造に際し、各層
毎に、検査と修正を入念に行って、次の層を形成するこ
とにより、不良品を極力出さないようにする方法で、多
層配線回路基板を、無欠陥で積層することにより、歩留
まりの向上と、信頼性の向上を図ろうとするものであ
る。しかし、この方法は、前の層までは無欠陥で積層さ
れかつ次層形成以降の工程での影響により以前の層に不
良が発生しないことを前提にした方法であり、超高密度
実装においては現実的でないばかりでなく、セラミック
多層配線回路基板のように、各々回路パターンを印刷し
た多層のグリーンシートを、一括して積層、焼成するも
の、すなわち、多層配線回路基板を一括して作り上げる
工程を含むものに対しては、適用できない欠点があっ
た。この欠点を補う方法として、特開昭63−2133
99号公報に記載されているように、プリント基板のよ
うな多層配線回路基板の内層に予め改造用パターンを設
けておき、改造の必要が生じたときには、多層配線回路
基板の表面から、上記内層の改造用パターンにアクセス
して、上記内層の改造用パターンをカットしたり、接続
することにより、内層のショート回路箇所、オープン回
路箇所等の配線不良箇所を直接的に修正加工するものが
ある。しかしながらこの方法もセラミック多層配線回路
基板のように、一旦、焼成を行うと、内層の配線パター
ンへのアクセスが著しく困難又は不可能なものに対して
は適用できない欠点があった。
One of them is that, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-102395, when manufacturing a multilayer wiring circuit board, inspection and correction are carefully performed for each layer, and the next layer is formed. An attempt is made to improve the yield and the reliability by stacking the multilayer wiring circuit boards with no defect by using a method for minimizing defective products. However, this method is a method based on the premise that the previous layer is stacked without any defect and that no defect occurs in the previous layer due to the influence of the steps after the formation of the next layer, and in the case of ultra-high density mounting, Not only is it impractical, but also a process of collectively laminating and firing multi-layer green sheets each printed with a circuit pattern, such as a ceramic multi-layer circuit board, that is, a process of collectively manufacturing a multi-layer circuit board There was a drawback that could not be applied to those containing. Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-2133 discloses a method for compensating for this disadvantage.
As described in JP-A-99-99, a remodeling pattern is provided in advance on an inner layer of a multilayer wiring circuit board such as a printed circuit board, and when remodeling becomes necessary, the inner layer is removed from the surface of the multilayer wiring circuit board. In some cases, the remodeling pattern of the inner layer is accessed to cut or connect the remodeling pattern of the inner layer, thereby directly correcting and processing a wiring defective portion such as a short circuit portion or an open circuit portion of the inner layer. However, this method also has a drawback that it cannot be applied to a method in which access to an inner wiring pattern is extremely difficult or impossible once firing is performed, like a ceramic multilayer wiring circuit board.

【0004】また、従来、前記したような大規模の多層
配線回路基板を使用して構成したマルチチップモジュー
ルに対して若干の機能変更の必要が生じ、多層配線回路
基板の配線に変更(機能変更に伴う配線変更)の必要が
生じた場合でも、その変更必要箇所に対して変更のため
の加工ができない場合、多層配線回路基板を新たに開発
設計からやり直しているために、製品化までに長期間を
要する欠点があった。すなわち、マルチチップモジュー
ルの開発期間短縮の低減のニーズが高かったにもかかわ
らず、それに応えられる有力な方法がなかった。
Conventionally, it is necessary to slightly change the function of a multi-chip module constructed using a large-scale multilayer wiring circuit board as described above. Even if it is necessary to change the wiring, it is not possible to process the change at the required location. There was a drawback that required time. That is, although there is a strong need to reduce the development period of a multi-chip module, there has been no effective method that can meet the need.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、製造プロセス欠陥救済や機能変更の必要が生じ
たときに、新たに多層配線回路基板を作り直すことな
く、元の(元と同種の)多層配線回路基板を有効活用し
て、所定の品質と所要の機能を達成するマルチチップモ
ジュールを短期間で開発、生産可能とするマルチチップ
モジュール及びその生産方法を提供することにある。本
発明の他の目的は、製造プロセス欠陥救済や機能変更の
必要が生じたときに、新たに多層配線回路基板を作り直
すことなく、元の(元と同種の)多層配線回路基板を有
効活用して、開発や生産の歩留まりを高め、必要最小限
の数と種類の多層配線回路基板で所要の数と種類のマル
チチップモジュールの生産を可能とし、多層配線回路基
板やマルチチップモジュールの不良品や不要廃棄物を極
力出さないか、激減させるマルチチップモジュール及び
その生産方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an original (same type as the original) without recreating a new multilayer wiring circuit board when it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function. It is an object of the present invention to provide a multi-chip module and a method for producing the multi-chip module capable of developing and producing a multi-chip module achieving a predetermined quality and a required function in a short time by effectively utilizing a multilayer wiring circuit board. Another object of the present invention is to make effective use of an original (same type as the original) multilayer wiring circuit board without recreating a new multilayer wiring circuit board when it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function. In order to increase the yield of development and production, it is possible to produce the required number and types of multi-chip modules with the minimum number and types of multilayer wiring circuit boards, It is an object of the present invention to provide a multi-chip module that minimizes or drastically reduces unnecessary waste and a method for producing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題及び目的を達成
するための本発明の特徴を概括すれば、次の通りであ
る。本発明の最大の特徴は、マルチチップモジュールに
おいて、製造プロセスに伴う欠陥箇所や機能変更に伴う
変更箇所等の修正必要箇所が、直接的に修正が可能な場
合は当該修正必要箇所を修正実施箇所として直接的に修
正加工し、直接修正が不可能な場合は、当該修正必要箇
所と電気接続的に関連しかつ当該修正必要箇所より上層
又はチップ部品に設けられた修正実施箇所で間接的に修
正加工するようにした点である。当該修正必要箇所が直
接的に修正が可能な場合とは、当該修正必要箇所が、多
層配線回路基板の表面又は表面近くの層にある場合等の
ように露出可能な場合であり、当該修正必要箇所が直接
的に修正が不可能な場合とは、当該修正必要箇所が、セ
ラミック多層配線回路基板の内層にある場合等のように
露出不可能な場合である。
SUMMARY OF THE INVENTION The features of the present invention for achieving the above objects and objects are summarized as follows. The most significant feature of the present invention is that, in a multi-chip module, if a portion requiring correction such as a defective portion due to a manufacturing process or a change due to a function change can be directly corrected, the portion requiring correction is corrected. If it is not possible to make the correction directly, it is indirectly corrected at the place where the correction is required, which is electrically connected to the part requiring the correction and which is provided on the upper layer or on the chip component. The point is that it is processed. The case where the portion requiring correction can be directly corrected is the case where the portion requiring correction can be exposed, for example, when the portion requiring correction is located on the surface of the multilayer wiring circuit board or a layer near the surface. The case where the portion cannot be directly corrected is a case where the portion requiring correction cannot be exposed, such as when it is located in an inner layer of the ceramic multilayer wiring circuit board.

【0007】本発明は、マルチチップモジュールにおい
て、製造プロセスに伴う欠陥箇所や機能変更に伴う変更
箇所等の修正必要箇所は、基本的には、オープン(開
放)かショート(短絡)のいずれかである点に着目し、
上記露出不可能な修正必要箇所は無修正又は無変更のま
ま多層配線回路基板の内層に残留させても、その修正
を、多層配線回路基板の上層又はチップ部品に設けた修
正実施箇所で行う、すなわち、修正必要箇所と修正実施
箇所とを物理的あるいは幾何学的に分離してもよいとい
う新しい知見を採用したことを特徴としている。これに
対して、従来の技術においては、ある層での欠陥修正又
は配線変更は、当該層に直接的に修正加工を施すことに
より行うという、修正必要箇所=修正実施箇所の修正手
法だけであったので、直接的に修正加工ができない欠陥
箇所又は配線変更箇所の修正には対処できなかった。本
発明は、上記二つの修正手法、すなわち、修正必要箇所
・修正実施箇所一致修正手法及び修正必要箇所・修正実
施箇所分離修正手法を、多層配線回路基板のみならずチ
ップ部品も含めたマルチチップモジュールに総合適用す
ることにより、不良品の廃棄等の無駄をなくし、目的の
製品を短日程でユーザに提供できるようにしたものであ
る。
According to the present invention, in a multi-chip module, a portion requiring correction such as a defective portion associated with a manufacturing process or a changed portion associated with a function change is basically either open (open) or short (short). Focusing on a certain point,
Even if the above-mentioned non-exposed necessary correction portion is left unmodified or unmodified in the inner layer of the multilayer wiring circuit board, the correction is performed at the upper layer of the multilayer wiring circuit board or at the repaired portion provided on the chip component. That is, the present invention is characterized by adopting a new finding that a portion requiring correction and a portion to be corrected may be physically or geometrically separated from each other. On the other hand, in the conventional technology, the defect correction or the wiring change in a certain layer is performed by directly performing a correction process on the layer. Therefore, correction of a defective portion or a wiring change portion that cannot be directly corrected cannot be dealt with. The present invention provides a multi-chip module including not only a multilayer wiring circuit board but also a chip component by using the above two correction methods, that is, a correction required portion / correction location matching correction method and a correction required portion / correction location separation / correction method. By applying the invention comprehensively, waste such as disposal of defective products can be eliminated, and a target product can be provided to a user in a short time.

【0008】本発明の目的を解決する手段を列挙すれ
ば、以下の通りである。即ち、本発明は、複数のチップ
部品を多層立体回路基板の表面に搭載接続するマルチチ
ップモジュールであって、上記多層立体回路基板の多層
立体回路の配線に発生した製造プロセスに伴う欠陥箇所
のうち、直接修正可能な第1種の箇所については該第1
種の箇所またはその近傍において直接的に修正され、直
接修正不可能な第2種の箇所については該第2種の箇所
と電気接続的に関連付けられた上層の修正箇所または上
記チップ部品において間接的に修正されたことを特徴と
するマルチチップモジュールである。また本発明は、複
数のチップ部品を多層立体回路基板の表面に搭載接続す
るマルチチップモジュールであって、上記多層立体回路
基板の多層立体回路の配線における機能変更に伴う変更
箇所のうち、直接変更可能な第1種の箇所については該
第1種の箇所またはその近傍において直接的に変更さ
れ、直接変更不可能な第2種の箇所については該第2種
の箇所と電気接続的に関連付けられた上層の変更箇所ま
たは上記チップ部品において間接的に変更されたことを
特徴とするマルチチップモジュールである。
[0008] Means for solving the object of the present invention are as follows. That is, the present invention is a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on the surface of a multilayer three-dimensional circuit board. For the first type parts that can be directly corrected,
For a second type portion that is directly corrected at or near the type portion and cannot be directly corrected, an upper layer correction portion electrically connected to the second type portion or indirectly in the chip component. A multi-chip module, characterized in that it has been modified to: The present invention also relates to a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on the surface of a multilayer three-dimensional circuit board. Possible first type places are directly changed at or near the first type places, and second type places that cannot be directly changed are electrically connected to the second type places. A multi-chip module characterized by being changed indirectly in an upper layer change portion or the chip component.

【0009】また本発明は、第1の多層立体回路の上に
第2の多層立体回路を接続形成した多層立体回路基板の
表面に複数のチップ部品を搭載接続したマルチチップモ
ジュールであって、上記第1の多層立体回路の内層に存
在する製造プロセスに伴う配線欠陥箇所を間接的に修正
した修正配線回路を上記第2の多層立体回路に形成した
ことを特徴とするマルチチップモジュールである。また
本発明は、第1の多層立体回路の上に第2の多層立体回
路を接続形成した多層立体回路基板の表面に複数のチッ
プ部品を搭載接続したマルチチップモジュールであっ
て、上記第1の多層立体回路の内層に存在する製造プロ
セスに伴う配線欠陥箇所を間接的に修正した第1の修正
配線回路と上記第2の多層立体回路に発生した製造プロ
セスに伴う配線欠陥箇所を直接的に修正した第2の修正
配線回路とを上記第2の多層立体回路に形成したことを
特徴とするマルチチップモジュールである。
The present invention is also a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on a surface of a multilayer three-dimensional circuit board formed by connecting a second multilayer three-dimensional circuit on a first multilayer three-dimensional circuit. A multi-chip module characterized in that a modified wiring circuit in which a wiring defective part in the inner layer of the first multilayer three-dimensional circuit due to a manufacturing process is indirectly corrected is formed in the second multilayer three-dimensional circuit. The present invention also provides a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on a surface of a multilayer three-dimensional circuit board having a second multilayer three-dimensional circuit connected and formed on a first multilayer three-dimensional circuit. A first repair wiring circuit that indirectly corrects a wiring defect caused by a manufacturing process existing in an inner layer of a multi-layer three-dimensional circuit, and a wire correction defect directly generated by the manufacturing process generated in the second multi-layer three-dimensional circuit. And a second modified wiring circuit formed in the second multilayer three-dimensional circuit.

【0010】また本発明は、第1の多層立体回路の上に
第2の多層立体回路を接続形成した多層立体回路基板の
表面に複数のチップ部品を搭載接続したマルチチップモ
ジュールであって、上記第1の多層立体回路の内層にお
ける機能変更に伴う配線変更箇所を間接的に変更した配
線変更回路を上記第2の多層立体回路に形成したことを
特徴とするマルチチップモジュールである。また本発明
は、第1の多層立体回路の上に第2の多層立体回路を接
続形成した多層立体回路基板の表面に複数のチップ部品
を搭載接続したマルチチップモジュールであって、上記
第1の多層立体回路の内層における機能変更に伴う配線
変更箇所を間接的に変更した第1の配線変更回路と上記
第2の多層立体回路における機能変更に伴う配線変更箇
所を直接的に変更した第2の配線変更回路とを上記第2
の多層立体回路に形成したことを特徴とするマルチチッ
プモジュールである。
The present invention is also a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on a surface of a multilayer three-dimensional circuit board having a second multilayer three-dimensional circuit connected and formed on a first multilayer three-dimensional circuit. A multi-chip module, wherein a wiring change circuit in which a wiring change portion accompanying a function change in an inner layer of the first multilayer three-dimensional circuit is indirectly changed is formed in the second multilayer three-dimensional circuit. The present invention also provides a multi-chip module in which a plurality of chip components are mounted and connected on a surface of a multilayer three-dimensional circuit board having a second multilayer three-dimensional circuit connected and formed on a first multilayer three-dimensional circuit. A first wiring change circuit that indirectly changes a wiring change location due to a function change in an inner layer of a multi-layer three-dimensional circuit, and a second wiring change circuit that directly changes a wiring change location due to a function change in the second multilayer three-dimensional circuit. The wiring change circuit and the second
A multi-chip module characterized by being formed in a multi-layer three-dimensional circuit.

【0011】また本発明は、前記マルチチップモジュー
ルをプリント回路基板に電気接続して実装したことを特
徴とする電子回路モジュール装置(マルチチップモジュ
ール実装構造体)である。また本発明は、多層立体回路
基板を製作する多層立体回路基板製作工程と、該多層立
体回路基板製作工程で製作された多層立体回路の表面に
複数のチップ部品を搭載接続するチップ部品搭載接続工
程とを有するマルチチップモジュールの生産方法であっ
て、前記多層立体回路基板製作工程で製作された多層立
体回路基板の多層立体回路の配線に発生した製造プロセ
スに伴う欠陥箇所が直接修正可能な箇所か否かを判断
し、直接修正可能な第1種の箇所については該第1種の
箇所またはその近傍において直接的に修正し、直接修正
不可能な第2種の箇所については該第2種の箇所と電気
接続的に関連付けられた上層の修正箇所または上記チッ
プ部品において間接的に修正する配線修正工程を有する
ことを特徴とするマルチチップモジュールの生産方法で
ある。
The present invention is also an electronic circuit module device (multi-chip module mounting structure), wherein the multi-chip module is electrically connected to a printed circuit board and mounted. Further, the present invention provides a multilayer three-dimensional circuit board manufacturing process for manufacturing a multilayer three-dimensional circuit board, and a chip component mounting connection process for mounting and connecting a plurality of chip components on a surface of the multilayer three-dimensional circuit manufactured in the multilayer three-dimensional circuit board manufacturing process. A method of producing a multi-chip module having a multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process, wherein a defect caused by a manufacturing process occurring in a wiring of a multi-layer three-dimensional circuit can be directly corrected. It is determined whether or not the first type portion that can be directly corrected is directly corrected at or near the first type portion, and the second type portion that cannot be directly corrected is the second type portion. A multi-chip module having a wiring correction step of indirectly correcting an upper-layer correction portion electrically connected to the portion or the chip component. It is a method.

【0012】また本発明は、多層立体回路基板を製作す
る多層立体回路基板製作工程と、該多層立体回路基板製
作工程で製作された多層立体回路の表面に複数のチップ
部品を搭載接続するチップ部品搭載接続工程とを有する
マルチチップモジュールの生産方法であって、前記多層
立体回路基板製作工程で製作された多層立体回路基板の
多層立体回路の配線における機能変更に伴う変更箇所が
直接変更可能な箇所か否かを判断し、直接変更可能な第
1種の箇所については該第1種の箇所またはその近傍に
おいて直接的に変更し、直接変更不可能な第2種の箇所
については該第2種の箇所と電気接続的に関連付けられ
た上層の変更箇所または上記チップ部品において間接的
に変更する配線変更工程を有することを特徴とするマル
チチップモジュールの生産方法である。また本発明は、
第1の多層立体回路を製作する第1の多層立体回路製作
工程、該第1の多層立体回路製作工程で製作された第1
の多層立体回路を検査して、第1の多層立体回路の内層
に存在する製造プロセスに伴う欠陥箇所を検出する第1
の多層立体回路の検査工程、および上記第1の多層立体
回路製作工程で製作された第1の多層立体回路上に、上
記第1の多層立体回路の検査工程で検出された欠陥箇所
を修正する修正回路を組み込んで第2の多層立体回路を
接続形成する第2の多層立体回路形成工程を有して第1
及び第2の多層立体回路からなる多層立体回路基板を製
作する多層立体回路基板製作工程と、該多層立体回路基
板製作工程で製作された多層立体回路基板の表面に複数
のチップ部品を搭載接続してマルチチップモジュールを
得るチップ部品搭載接続工程とを有することを特徴とす
るマルチチップモジュールの生産方法である。
The present invention also provides a multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process for manufacturing a multi-layer three-dimensional circuit board, and a chip component for mounting and connecting a plurality of chip components on a surface of the multi-layer three-dimensional circuit manufactured in the multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process. A method for producing a multi-chip module having a mounting and connecting step, wherein a change in the wiring of the multilayer three-dimensional circuit of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the multilayer three-dimensional circuit board manufacturing step is directly changeable. It is determined whether or not the first type portion that can be directly changed is directly changed at or near the first type portion, and the second type portion that cannot be directly changed is the second type portion. A multi-chip module having a wiring change step of indirectly changing an upper layer change portion or the above-mentioned chip component electrically connected to the above-mentioned portion. It is a method of production. The present invention also provides
A first multi-layer three-dimensional circuit manufacturing process for manufacturing a first multi-layer three-dimensional circuit, a first multi-layer three-dimensional circuit manufacturing process;
Inspecting the multi-layer three-dimensional circuit of (i) to detect a defective portion in the inner layer of the first multi-layer three-dimensional circuit due to the manufacturing process.
Correcting a defective portion detected in the inspection process of the first multilayer three-dimensional circuit on the first multilayer three-dimensional circuit manufactured in the inspection process of the multilayer three-dimensional circuit and the first multilayer three-dimensional circuit manufacturing process A second multilayer three-dimensional circuit forming step of connecting and forming a second multilayer three-dimensional circuit by incorporating a correction circuit;
A multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process for manufacturing a multi-layer three-dimensional circuit board including a second multi-layer three-dimensional circuit, and mounting and connecting a plurality of chip components on a surface of the multi-layer three-dimensional circuit board manufactured in the multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process. And a chip component mounting connection step of obtaining a multi-chip module by using the above method.

【0013】また本発明は、第1の多層立体回路を製作
する第1の多層立体回路製作工程、該第1の多層立体回
路製作工程で製作された第1の多層立体回路を検査し
て、第1の多層立体回路の内層に存在する製造プロセス
に伴う欠陥箇所を検出する第1の多層立体回路の検査工
程、および上記第1の多層立体回路製作工程で製作され
た第1の多層立体回路上に、上記第1の多層立体回路の
検査工程で検出された欠陥箇所を修正する修正回路を組
み込んで第2の多層立体回路を接続形成する第2の多層
立体回路形成工程を有して第1及び第2の多層立体回路
からなる多層立体回路基板を製作する多層立体回路基板
製作工程と、該多層立体回路基板製作工程で製作された
多層立体回路基板の表面に複数のチップ部品を搭載接続
してマルチチップモジュールを得るチップ部品搭載接続
工程と、該チップ部品搭載接続工程で得られたマルチチ
ップモジュールの機能検査を行うマルチチップモジュー
ル機能検査工程と、該マルチチップモジュール機能検査
工程で得られたマルチチップモジュールの機能検査に基
づき上記第2の多層立体回路の該当箇所を直接的に修正
又は変更する工程とを有することを特徴とするマルチチ
ップモジュールの生産方法である。
The present invention also provides a first multi-layer three-dimensional circuit manufacturing step for manufacturing a first multi-layer three-dimensional circuit, and inspecting the first multi-layer three-dimensional circuit manufactured in the first multi-layer three-dimensional circuit manufacturing step. Inspection step of the first multi-layer three-dimensional circuit for detecting a defective part in the inner layer of the first multi-layer three-dimensional circuit due to the manufacturing process, and first multi-layer three-dimensional circuit manufactured in the first multi-layer three-dimensional circuit manufacturing step A second multi-layer three-dimensional circuit forming step of connecting and forming a second multi-layer three-dimensional circuit by incorporating a correction circuit for correcting a defective portion detected in the first multi-layer three-dimensional circuit inspection step; A multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process for manufacturing a multi-layer three-dimensional circuit board including the first and second multi-layer three-dimensional circuits, and mounting and connecting a plurality of chip components on a surface of the multi-layer three-dimensional circuit board manufactured in the multi-layer three-dimensional circuit board manufacturing process Multi chip model Chip component mounting connection step for obtaining a module, a multi chip module function inspection step for performing a function inspection of the multi chip module obtained in the chip component mounting connection step, and a multi chip module obtained in the multi chip module function inspection step Directly modifying or changing a corresponding portion of the second multilayer three-dimensional circuit based on the function test described above.

【0014】また本発明は、多層立体回路基板の下層部
を製作する多層立体回路基板下層部製作工程と、該多層
立体回路基板下層部製作工程で製作された多層立体回路
基板の下層部内に存在する製造プロセスによる欠陥配線
を検査する第1の検査工程と、上記多層立体回路基板下
層部製作工程で製作された多層立体回路基板の下層部上
に、上記第1の検査工程で検出された欠陥配線を修正す
る修正回路を組み込んで多層立体回路基板の上層部を接
続形成する多層立体回路基板上層部形成工程と、該多層
立体回路基板上層部形成工程で製作された多層立体回路
基板の表面に複数のチップ部品を搭載接続してマルチチ
ップモジュールを得るチップ部品搭載接続工程とを有す
ることを特徴とするマルチチップモジュールの生産方法
である。また本発明は、多層立体回路基板の下層部を製
作する下層部製作工程と、該下層部製作工程で製作され
た多層立体回路基板の下層部内に存在する製造プロセス
による欠陥配線を検査する第1の検査工程と、上記多層
立体回路基板下層部製作工程で製作された多層立体回路
基板の下層部上に、上記第1の検査工程で検出された欠
陥配線を修正する修正回路を組み込んで多層立体回路基
板の上層部を接続形成する上層部形成工程と、該上層部
形成工程で製作された多層立体回路基板の上層部におけ
る配線を検査する第2の検査工程と、該第2の検査工程
で検査された結果に応じて多層立体回路基板の上層部に
おける配線を修正する上層部配線修正工程と、該上層部
配線修正工程で修正された多層立体回路基板の表面に複
数のチップ部品を搭載接続してマルチチップモジュール
を得るチップ部品搭載接続工程とを有することを特徴と
するマルチチップモジュールの生産方法である。
Further, the present invention provides a multi-layer three-dimensional circuit board lower layer manufacturing step for manufacturing a lower layer part of a multi-layer three-dimensional circuit board, and a multi-layer three-dimensional circuit board manufactured in the lower layer part manufacturing step. A first inspection step of inspecting a defective wiring by a manufacturing process to be performed, and a defect detected in the first inspection step on a lower layer portion of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the lower layer part manufacturing step of the multilayer three-dimensional circuit board. A multilayer three-dimensional circuit board upper layer forming step of connecting and forming an upper layer part of the multilayer three-dimensional circuit board by incorporating a correction circuit for correcting wiring, and a surface of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the multilayer three-dimensional circuit board upper layer forming step. A chip component mounting connection step of mounting and connecting a plurality of chip components to obtain a multi-chip module. Further, according to the present invention, there is provided a lower layer manufacturing step for manufacturing a lower layer of a multilayer three-dimensional circuit board, and a first step of inspecting a defective wiring in the lower layer of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the lower layer manufacturing step. And a correction circuit for correcting the defective wiring detected in the first inspection step is mounted on the lower layer of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the lower layer part manufacturing step of the multilayer three-dimensional circuit board manufacturing step. An upper layer portion forming step of connecting and forming an upper layer portion of the circuit board, a second inspection step of inspecting wiring in the upper layer portion of the multilayer three-dimensional circuit board manufactured in the upper layer portion forming step, and a second inspection step. An upper layer wiring correction step of correcting wiring in an upper layer part of the multilayer three-dimensional circuit board according to the inspection result, and mounting and connecting a plurality of chip components on the surface of the multilayer three-dimensional circuit board corrected in the upper layer wiring correction step A method for producing a multi-chip module and having a chip component mounting connection to obtain a multi-chip module Te.

【0015】また本発明は、論理変更されたチップ部品
を多層立体回路基板の表面に搭載接続してマルチチップ
モジュールの機能充足/変更(論理変更)を行うことを
特徴とするマルチチップモジュールの生産方法である。
また本発明は、チップ部品の空きパッドを使用して論理
変更されたチップ部品を多層立体回路基板の表面に搭載
接続してマルチチップモジュールの機能充足/変更(論
理変更)を行うことを特徴とするマルチチップモジュー
ルの生産方法である。また本発明は、論理変更されたチ
ップ部品を多層立体回路基板の表面に搭載接続し、該多
層立体回路基板に表面側から裏面側に延びた導電体であ
るスルーラインを用いてマルチチップモジュールの機能
充足/変更(論理変更)を行うことを特徴とするマルチ
チップモジュールの生産方法である。
According to the present invention, a multi-chip module is characterized in that the logic-changed chip parts are mounted and connected on the surface of a multilayer three-dimensional circuit board to fulfill / change (logic change) the function of the multi-chip module. Is the way.
Further, the present invention is characterized in that the function of the multi-chip module is satisfied / changed (logic change) by mounting and connecting the chip component whose logic has been changed using the empty pad of the chip component on the surface of the multilayer three-dimensional circuit board. This is a method for producing a multi-chip module. Also, the present invention provides a multi-chip module in which a logic-changed chip component is mounted and connected to the surface of a multilayer three-dimensional circuit board, and the multilayer three-dimensional circuit board is provided with a through-line that is a conductor extending from the front side to the back side. This is a method for producing a multi-chip module, which performs function fulfillment / change (logic change).

【0016】以上説明したように、本発明によれば、製
造プロセス欠陥救済や機能変更の必要が生じたときに、
新たに多層配線回路基板を作り直すことなく、元の(元
と同種の)多層配線回路基板を有効活用して、所定の品
質と所要の機能を達成するマルチチップモジュールを短
期間で開発、生産可能とすることができる。また本発明
によれば、製造プロセス欠陥救済や機能変更の必要が生
じたときに、新たに多層配線回路基板を作り直すことな
く、元の(元と同種の)多層配線回路基板を有効活用し
て、開発や生産の歩留まりを高め、必要最小限の数と種
類の多層配線回路基板で所要の数と種類のマルチチップ
モジュールの生産を可能とし、多層配線回路基板やマル
チチップモジュールの不良品や不要廃棄物を極力出さな
いか、激減させることができる。
As described above, according to the present invention, when it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function,
Multi-chip modules that achieve the required quality and required functions can be developed and manufactured in a short period of time by effectively utilizing the original (same type as the original) multilayer wiring circuit board without recreating a new multilayer wiring circuit board. It can be. Further, according to the present invention, when it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function, the original (same type) multilayer wiring circuit board can be effectively utilized without recreating a new multilayer wiring circuit board. , Increasing the yield of development and production, enabling the production of the required number and types of multi-chip modules with the required minimum number and types of multilayer wiring circuit boards, and the defective and unnecessary multilayer wiring circuit boards and multi-chip modules Waste can be reduced or reduced as much as possible.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマルチチップ
モジュール及びその生産方法のいくつかの実施の形態に
ついて図面を用いて具体的に説明する。図1は、本発明
に係るマルチチップモジュールをプリント回路基板5に
搭載してなる電子回路モジュール装置の一実施例を示す
斜視図である。図2は、本発明に係るマルチチップモジ
ュールの一実施例を示す断面図である。図1および図2
に示すように、多層配線回路基板31は、厚膜プロセス
により印刷して積層・焼結して製作されたセラミック回
路基板(基本多層配線回路基板)1に、薄膜配線及びパ
ッド等を有する薄膜配線層2を形成してなるものであ
る。この薄膜配線層2の表面に形成された端子接続パッ
ド12に、多数のLSIチップ部品(LSI等の電子部
品)14がはんだボール等の接合材13により搭載接続
されてマルチチップモジュールが構成される。即ちマル
チチップモジュールは、多層配線回路基板31の表面に
多数のLSIチップ部品14を搭載接続して構成され
る。そして大規模な電子回路モジュール装置は、複数の
多層配線回路基板31の各々の裏面に植設された入出力
ピン33をプリント回路基板35に設けられたコネクタ
34に挿入して電気接続をとることによって構成され
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Several embodiments of a multi-chip module and a method for producing the same according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of an electronic circuit module device in which a multi-chip module according to the present invention is mounted on a printed circuit board 5. FIG. 2 is a sectional view showing one embodiment of the multichip module according to the present invention. 1 and 2
As shown in the figure, a multilayer wiring circuit board 31 is a ceramic circuit board (basic multilayer wiring circuit board) 1 manufactured by printing, laminating and sintering by a thick film process, and a thin film wiring having a thin film wiring and a pad. It is obtained by forming a layer 2. A large number of LSI chip components (electronic components such as LSI) 14 are mounted and connected to terminal connection pads 12 formed on the surface of the thin film wiring layer 2 by a bonding material 13 such as a solder ball, thereby forming a multi-chip module. . That is, the multi-chip module is configured by mounting and connecting a large number of LSI chip components 14 on the surface of the multilayer wiring circuit board 31. In the large-scale electronic circuit module device, the electrical connection is established by inserting the input / output pins 33 implanted on the back surface of each of the plurality of multilayer wiring circuit boards 31 into the connectors 34 provided on the printed circuit board 35. Composed of

【0018】第1の回路配線グループ16aは、セラミ
ック回路基板(基本多層配線回路基板)1を厚膜プロセ
スにより印刷して積層・焼結して製作した際、セラミッ
ク回路基板1の表面(最終端面)に形成され、且つ正常
に内層配線接続された厚膜接続パッド4aを有する箇所
に対応する。そして第1の回路配線グループ16aは、
この正常な内層配線に接続された最終端面の厚膜接続パ
ッド4aに、薄膜配線層2である第1の絶縁層10に形
成されたコンタクトホール5aにスパッタ等で成膜され
たCr等の導電膜により形成された中間パッド7aで接
続し、この中間パッド7aに、薄膜配線層2である第2
の絶縁層11に形成されたコンタクトホールに無電解め
っき等により形成された下地にNiめっきを施し、その
上にAuめっきを施して端子接続パッド12aを接続し
て形成される。これら厚膜接続パッド4aと中間パッド
7aと端子接続パッド12aとは、高密度実装を可能に
するために全て同心状に重ねて配置させる必要がある。
The first circuit wiring group 16a is formed by printing and laminating and sintering a ceramic circuit board (basic multilayer wiring circuit board) 1 by a thick film process, and the surface (final end face) of the ceramic circuit board 1 ) And has a thick film connection pad 4a normally connected to the inner layer wiring. And the first circuit wiring group 16a is
The thick film connection pad 4a on the final end face connected to the normal inner layer wiring is provided with a conductive material such as Cr formed by sputtering or the like in the contact hole 5a formed in the first insulating layer 10 as the thin film wiring layer 2. The connection is made by an intermediate pad 7a formed of a film, and the second pad which is the thin film wiring layer 2 is connected to the intermediate pad 7a.
The contact holes formed in the insulating layer 11 are formed by applying Ni plating to a base formed by electroless plating or the like, applying Au plating thereon, and connecting the terminal connection pads 12a. The thick film connection pads 4a, the intermediate pads 7a, and the terminal connection pads 12a need to be all concentrically overlapped to enable high-density mounting.

【0019】第2の回路配線グループ16bは、セラミ
ック回路基板(基本多層配線回路基板)1を厚膜プロセ
スにより印刷して積層・焼結して製作した際、セラミッ
ク回路基板(基本多層配線回路基板)1の内層である配
線層において短絡欠陥(ショート欠陥:配線間において
離れていなければならない箇所において短絡して生じる
不良欠陥)9が発生して箇所に対応する。即ち、セラミ
ック回路基板1を製作した際、内層である配線層におい
て短絡欠陥9が発生し、セラミック回路基板1の表面
(最終端面)に形成された厚膜接続パッド4dと厚膜接
続パッド4eとはセラミック回路基板1において短絡し
ていることになる。この短絡欠陥9については、図6に
示すようにセラミック回路基板1が完成した段階におけ
る〈SC8〉電気回路検査によって検出することができ
る。しかし、セラミック回路基板1は、図6に(SC
1)〜(SC7)の工程で示す如く、高密度の配線が印
刷して形成された多数のグリーンシートを積層して焼結
して製作されているため、セラミック回路基板1の単体
の状態で、穴堀り加工を行って内層配線に傷を付けるこ
となく上記短絡欠陥9を切断することは不可能である。
そこで、セラミック回路基板1内において生じた短絡欠
陥9については、セラミック回路基板1の表面に薄膜配
線層2を形成しながら修復させることにする。ただし、
第2の回路配線グループ16bの箇所においても、厚膜
接続パッド4dと中間パッド7dと端子接続パッド12
dとは、高密度実装を可能にするために全てほぼ同心状
に重ねて配置させる必要がある。これらを実現するため
に、セラミック回路基板1の表面に形成される薄膜配線
層2である第1の絶縁層10に形成されたコンタクトホ
ール5dを第1の絶縁層10に用いたのと同一または同
様な絶縁物a6で塞ぎ、この絶縁物6の上に中間パッド
7aと同様にスパッタ等でCr等の導電膜を成膜するこ
とによって中間パッド7dを形成する。これにより中間
パッド7dを、短絡欠陥9を介して厚膜接続パッド4e
に短絡している厚膜接続パッド4dから切り離すことが
できる。しかしながら中間パッド7dを、厚膜接続パッ
ド4dから切り離しただけでは修正したことにならな
い。即ち、中間パッド7dを本来厚膜接続パッド4dが
つながっている相手先と接続する必要がある。
The second circuit wiring group 16b is formed by printing a ceramic circuit board (basic multilayer wiring circuit board) 1 by a thick film process, laminating and sintering the ceramic circuit board (basic multilayer wiring circuit board). 1) A short-circuit defect (short defect: a defective defect caused by short-circuiting at a position that must be separated between wirings) 9 occurs in the wiring layer which is an inner layer of 1), and corresponds to the position. That is, when the ceramic circuit board 1 is manufactured, a short-circuit defect 9 occurs in the wiring layer as an inner layer, and the thick film connection pads 4d and 4e formed on the surface (final end face) of the ceramic circuit board 1 Is short-circuited in the ceramic circuit board 1. This short-circuit defect 9 can be detected by <SC8> electrical circuit inspection at the stage when the ceramic circuit board 1 is completed as shown in FIG. However, the ceramic circuit board 1 is shown in FIG.
As shown in the steps 1) to (SC7), since a large number of green sheets formed by printing high-density wiring are laminated and sintered, the ceramic circuit board 1 is in a single state. In addition, it is impossible to cut the short-circuit defect 9 without digging and damaging the inner wiring.
Therefore, the short-circuit defect 9 generated in the ceramic circuit board 1 is repaired while forming the thin film wiring layer 2 on the surface of the ceramic circuit board 1. However,
Also in the second circuit wiring group 16b, the thick film connection pad 4d, the intermediate pad 7d, and the terminal connection pad 12
In order to enable high-density mounting, d needs to be arranged almost concentrically. In order to realize these, the contact holes 5d formed in the first insulating layer 10 which is the thin film wiring layer 2 formed on the surface of the ceramic circuit board 1 are the same as those used in the first insulating layer 10 or the same. The intermediate pad 7d is formed by covering with a similar insulator a6 and forming a conductive film such as Cr on the insulator 6 by sputtering or the like in the same manner as the intermediate pad 7a. Thereby, the intermediate pad 7d is connected to the thick film connection pad 4e via the short-circuit defect 9.
Can be separated from the thick film connection pad 4d which is short-circuited. However, simply removing the intermediate pad 7d from the thick film connection pad 4d does not mean that the correction has been made. That is, it is necessary to connect the intermediate pad 7d to the other party to which the thick film connection pad 4d is originally connected.

【0020】そのため、中間パッド7を形成する際、第
1の絶縁層10の表面において全ての中間パッド7の間
に一方向に延ばした修正用ラインパターン(引出用ライ
ンパターン)8を形成する。そしてこの修正用ラインパ
ターン(引出用ラインパターン)8は、図1に示すよう
に、LSIチップ部品14の間においては、互いに交叉
しないように延ばしている方向を例えば90度変えても
良い。何れにしても、セラミック回路基板1の表面に第
1の絶縁層10を形成し、この第1の絶縁層10にホト
リソのプロセスでコンタクトホール5を形成し、この第
1の絶縁層10上にCr等の導電膜をスパッタで成膜
し、レジストを塗布してマスクを用いた露光により決め
られたパターン配列の中間パッド7のパターンと修正用
ラインパターン(引出用ラインパターン)8のパターン
とを形成すると共に、レーザ光のスポット露光により中
間パッド7dと修正ラインパターン8dまたは8eとの
間を接続する補修導体ライン15のパターン(Cr等の
導電膜パターン)を形成してエッチングを施すことによ
って、全ての中間パッド7および修正用ラインパターン
(引出用ラインパターン)8が形成されると共に中間パ
ッド7dは補修導体ライン15により修正用ラインパタ
ーン8dまたは8eと接続される。そしてこの中間パッ
ド7dに接続される相手が中間パッドの場合、その相手
の中間パッド7nにおいても近接して形成された修正用
ラインパターン8nに補修導体ライン15を用いて接続
する。そしてこれら修正ラインパターン8dまたは8e
と相手の修正用ラインパターン8nとを接続する必要が
ある。そこでレーザ光のスポット露光により、Cr等の
導電膜を残して導体ラインを形成してこれら修正ライン
パターン8dまたは8eと修正用ラインパターン8nと
を接続する。ただし、これら修正ラインパターン8dま
たは8e及び修正用ラインパターン8nが他の修正ライ
ンパターンと接続されていてはだめの場合には、他の修
正ラインパターンの所望箇所に集束されたレーザ光を照
射して他の修正ラインパターンを蒸発させて切断を施せ
ば良い。そしてCr等の導電膜をパターン化した中間パ
ッド7及び修正用ラインパターン8上に第2の絶縁層1
1を形成してホトリソのプロセスでコンタクトホールを
形成し、無電解めっき技術により下地のNiと表面のA
uとからなる端子接続パッド12を形成する。これによ
り中間パッド7dと端子接続パッド12dとは同心状態
で接続され、厚膜接続パッド4eと中間パッド7eと端
子接続パッド12eとは同心状態で積み重ねられて接続
される。
Therefore, when the intermediate pads 7 are formed, a correction line pattern (lead line pattern) 8 extending in one direction is formed between all the intermediate pads 7 on the surface of the first insulating layer 10. As shown in FIG. 1, the extending direction of the correction line pattern (leading line pattern) 8 may be changed, for example, by 90 degrees between the LSI chip components 14 so as not to cross each other. In any case, a first insulating layer 10 is formed on the surface of the ceramic circuit board 1, a contact hole 5 is formed in the first insulating layer 10 by a photolithography process, and the first insulating layer 10 is formed on the first insulating layer 10. A conductive film of Cr or the like is formed by sputtering, a resist is applied, and the pattern of the intermediate pad 7 and the pattern of the repair line pattern (lead line pattern) 8 in the pattern arrangement determined by exposure using a mask are determined. In addition to forming the pattern, a pattern (conductive film pattern of Cr or the like) of the repair conductor line 15 that connects between the intermediate pad 7d and the repair line pattern 8d or 8e by spot exposure of a laser beam is formed and etched. All the intermediate pads 7 and the repair line pattern (lead-out line pattern) 8 are formed, and the intermediate pad 7d is connected to the repair conductor line. It is connected to the modified line pattern 8d or 8e by 5. If the partner connected to the intermediate pad 7d is an intermediate pad, the repairing conductor line 15 is used to connect to the correction line pattern 8n formed close to the partner intermediate pad 7n. And these modified line patterns 8d or 8e
And the correction line pattern 8n of the other party. Therefore, conductor lines are formed by laser beam spot exposure while leaving a conductive film of Cr or the like, and these repair line patterns 8d or 8e are connected to the repair line patterns 8n. However, if the correction line pattern 8d or 8e and the correction line pattern 8n are not connected to another correction line pattern, it is not possible to irradiate a laser beam focused on a desired portion of the other correction line pattern. Then, the other corrected line pattern may be evaporated and cut. Then, the second insulating layer 1 is formed on the intermediate pad 7 and the repair line pattern 8 in which a conductive film such as Cr is patterned.
1 and a contact hole is formed by a photolithography process.
A terminal connection pad 12 made of u is formed. Thereby, the intermediate pad 7d and the terminal connection pad 12d are connected concentrically, and the thick film connection pad 4e, the intermediate pad 7e and the terminal connection pad 12e are stacked and connected concentrically.

【0021】上記Cr等の導電膜の状態で、修正用ライ
ンパターン(引出用ラインパターン)8dまたは8e
(8’)と相手の修正用ラインパターン8n(8”)と
を接続することができない場合には、この後、図1に示
すように、集束されたエキシマレーザ光を照射して絶縁
層11に穴をあけて接続すべき2つの修正用ラインパタ
ーン(引出用ラインパターン)8dまたは8e
(8’)、8n(8”)の端部(パッド)を露出させ、
これら2つの端部(パッド)の間を修正用線材32でボ
ンディング接続し、この端部を絶縁物で封止することに
よっても修正が可能となる。上記修正用線材32として
は、両端の接合部分のみ被覆が除去されているポリウレ
タン被覆Au線が望ましい。以上により、セラミック回
路基板1内に発生した短絡欠陥9は、該短絡欠陥9につ
ながる厚膜接続パッド4dを絶縁物6により中間パッド
7dと切り離し、端子接続パッド12dを中間パッド7
dを介して修正用ラインパターン8に接続することによ
って修正される。即ち、セラミック回路基板1内に発生
した短絡欠陥9は、セラミック回路基板1の表面に薄膜
配線層2を形成しながら修正されることになる。
In the state of the conductive film such as Cr, a repair line pattern (lead line pattern) 8d or 8e
If it is not possible to connect (8 ′) and the correction line pattern 8n (8 ″) of the other party, thereafter, as shown in FIG. Correction line patterns (drawing line patterns) 8d or 8e to be connected by making holes in
(8 ′), 8n (8 ″) end (pad) is exposed,
The correction can also be performed by bonding between these two ends (pads) with a correction wire 32 and sealing the ends with an insulator. As the correction wire 32, a polyurethane-coated Au wire in which the coating is removed only at the joints at both ends is desirable. As described above, the short-circuit defect 9 generated in the ceramic circuit board 1 is such that the thick film connection pad 4d leading to the short-circuit defect 9 is separated from the intermediate pad 7d by the insulator 6, and the terminal connection pad 12d is changed to the intermediate pad 7
The correction is made by connecting to the correction line pattern 8 via d. That is, the short-circuit defect 9 generated in the ceramic circuit board 1 is corrected while forming the thin film wiring layer 2 on the surface of the ceramic circuit board 1.

【0022】またセラミック回路基板1内に発生した断
線欠陥についても、短絡欠陥9と同様にセラミック回路
基板1内で修復させることはできないので、セラミック
回路基板1の表面に薄膜配線層2を形成しながら修正す
ることになる。即ち、セラミック回路基板1において、
例えば厚膜接続パッド4bと厚膜接続パッド4eとの間
が断線している場合には、中間パッド7bと修正用ライ
ンパターン8bとを上記と同様に補修導体ライン15に
より接続し、中間パッド7eと修正用ラインパターン8
eとを上記と同様に補修導体ライン15により接続す
る。そしてこれら修正ラインパターン8bと相手の修正
用ラインパターン8eとを接続する必要がある。そこで
レーザ光のスポット露光により、Cr等の導電膜を残し
て導体ラインを形成してこれら修正ラインパターン8b
と修正用ラインパターン8eとを接続する。ただし、こ
れら修正ラインパターン8b及び修正用ラインパターン
8eが他の修正ラインパターンと接続されていてはだめ
の場合には、他の修正ラインパターンの所望箇所に集束
されたレーザ光を照射して他の修正ラインパターンを蒸
発させて切断を施せば良い。そして上記説明したとお
り、中間パッド7及び修正用ラインパターン8上に第2
の絶縁層11を形成してホトリソのプロセスでコンタク
トホールを形成し、無電解めっき技術により下地のNi
と表面のAuとからなる端子接続パッド12を形成す
る。これにより厚膜接続パッド4と中間パッド7と端子
接続パッド12とは同心状態で積み重ねられて接続され
る。上記Cr等の導電膜の状態で、修正用ラインパター
ン(引出用ラインパターン)8b(8’)と相手の修正
用ラインパターン8e(8”)とを接続することができ
ない場合には、この後、図1に示すように、集束された
エキシマレーザ光を照射して絶縁層11に穴をあけて接
続すべき2つの修正用引き出しパターン8b(8’)、
8e(8”)の端部(パッド)を露出させ、これら2つ
の端部(パッド)の間を修正用線材32でボンディング
接続し、この端部を絶縁物で封止することによってセラ
ミック回路基板1内に発生した断線欠陥についても修正
が可能となる。
Since a disconnection defect generated in the ceramic circuit board 1 cannot be repaired in the ceramic circuit board 1 like the short-circuit defect 9, the thin film wiring layer 2 is formed on the surface of the ceramic circuit board 1. It will be corrected while. That is, in the ceramic circuit board 1,
For example, if there is a disconnection between the thick film connection pad 4b and the thick film connection pad 4e, the intermediate pad 7b and the repair line pattern 8b are connected by the repair conductor line 15 in the same manner as described above, and the intermediate pad 7e And correction line pattern 8
e is connected by the repair conductor line 15 in the same manner as described above. Then, it is necessary to connect these correction line patterns 8b and the other party's correction line patterns 8e. Accordingly, conductor lines are formed by spot exposure of a laser beam while leaving a conductive film such as Cr, and these modified line patterns 8b are formed.
And the correction line pattern 8e. However, in a case where the correction line pattern 8b and the correction line pattern 8e are not connected to another correction line pattern, it is impossible to irradiate a laser beam focused on a desired portion of the other correction line pattern. It is only necessary to evaporate the corrected line pattern and perform cutting. As described above, the second pad is formed on the intermediate pad 7 and the correction line pattern 8.
Is formed, a contact hole is formed by a photolithographic process, and the underlying Ni is formed by an electroless plating technique.
And a terminal connection pad 12 made of Au on the surface. Thus, the thick film connection pad 4, the intermediate pad 7, and the terminal connection pad 12 are stacked and connected concentrically. If it is not possible to connect the correction line pattern (lead-out line pattern) 8b (8 ') and the partner's correction line pattern 8e (8 ") in the state of the conductive film such as Cr, As shown in FIG. 1, two correction extraction patterns 8b (8 ') to be connected by making a hole in the insulating layer 11 by irradiating a focused excimer laser beam,
The end (pad) of 8e (8 ") is exposed, the two ends (pads) are connected by bonding with a correction wire 32, and the ends are sealed with an insulator to thereby form a ceramic circuit board. It is also possible to correct a disconnection defect that has occurred within 1.

【0023】次に、本発明に係る多層配線回路基板31
における回路修正方法について、図3を用いて説明す
る。
Next, the multilayer wiring circuit board 31 according to the present invention
Will be described with reference to FIG.

【0024】(1)まず、図3(a)に示すように、一
部の内部配線パターン3aと3bがその製造工程におい
て短絡不良9を起こしたセラミック回路基板(基本多層
配線回路基板)1において、このベース基板となるセラ
ミック回路基板1上に薄膜形成技術を用いた薄膜配線層
2を形成する。即ち、セラミック回路基板1の厚膜接続
パッド4a〜4fの上に例えばポリイミド樹脂で第1の
絶縁層10を形成し、この第1の絶縁層10に厚膜接続
パッド4a〜4fとの導電接続を取るために厚膜接続パ
ッド4a〜4fとほぼ同心状のコンタクトホール5a〜
5fをホトリソのプロセスを用いて形成する。なお、コ
ンタクトホール5の形成にはホトエッチング等の技術を
用いることも可能である。
(1) First, as shown in FIG. 3A, in a ceramic circuit board (basic multilayer wiring circuit board) 1 in which some of the internal wiring patterns 3a and 3b have a short circuit failure 9 in the manufacturing process. Then, a thin film wiring layer 2 is formed on the ceramic circuit substrate 1 serving as the base substrate by using a thin film forming technique. That is, a first insulating layer 10 is formed of, for example, a polyimide resin on the thick film connection pads 4a to 4f of the ceramic circuit board 1, and the first insulating layer 10 is electrically connected to the thick film connection pads 4a to 4f. Contact holes 5a to 5c, which are substantially concentric with the thick film connection pads 4a to 4f,
5f is formed using a photolithographic process. Note that a technique such as photoetching can be used to form the contact hole 5.

【0025】(2)次に、図3(b)に示すように、コ
ンタクトホール5a〜5fのうち、短絡不良9を起こし
ている内部配線3bにつながっている厚膜接続パッド4
dに対応するコンタクトホール5dの内部を、インジエ
クションノズルをマニュピュレータでx−y−z方向に
微動できるように構成された絶縁樹脂微量供給機により
ポリイミド樹脂等の絶縁用樹脂を超微量供給して絶縁物
6として埋め、レーザ光による局所加熱で固化し、上記
厚膜接続パッド4dを次工程で形成する上層部の配線
(中間パッド7d)と切り離す(分離する)。なお、上
記実施例においては、形成されたコンタクトホール5d
に絶縁用樹脂を超微量供給して絶縁物6で埋める場合に
ついて説明したが、スポット露光によってコンタクトホ
ール5dを形成させない(コンタクトホール5dの穴明
けを行わない)ことによっても厚膜接続パッド4dを次
工程で形成する上層部の配線(中間パッド7d)と切り
離すことができる。
(2) Next, as shown in FIG. 3B, of the contact holes 5a to 5f, the thick film connection pads 4 connected to the internal wiring 3b causing the short-circuit failure 9.
An extremely small amount of insulating resin such as polyimide resin is supplied to the inside of the contact hole 5d corresponding to d by an insulating resin minute supply machine configured so that the injection nozzle can be finely moved in the xyz direction by a manipulator. The thick film connection pad 4d is separated (separated) from an upper layer wiring (intermediate pad 7d) formed in the next step by filling the insulator 6 with local heat by laser light and solidifying it. In the above embodiment, the formed contact hole 5d
In the above description, a very small amount of insulating resin is supplied and filled with the insulator 6, but the contact hole 5d is not formed by spot exposure (the contact hole 5d is not drilled). It can be separated from the upper layer wiring (intermediate pad 7d) formed in the next step.

【0026】(3)この後、図3(c)に示すように、
コンタクトホール5内も含め、第1の絶縁層10上にC
r等の導電膜をスパッタ等で成膜する。そしてこのCr
等の導電膜上にレジストを塗布して、中間パッド7a〜
7fおよび中間パッドの間に互いに交叉しないようにほ
ぼ一方向に延ばした修正用ラインパターン8a〜8fを
決められたパターンで露光し、補修導体ライン15を形
成する部分についてはスポット露光を行い、その後エッ
チングを施すことによって中間パッド7a〜7fおよび
修正用ラインパターン(引出用ラインパターン)8a〜
8fが形成されると共に中間パッド7dと修正用ライン
パターン8dまたは8eとの間において補修導体15が
エッチングされずに残ることによってつながる(接続さ
れる)。即ち、絶縁物6によりセラミック回路基板1の
厚膜接続パッド4dから切り離された中間パッド7d
と、後に所望の配線パターンと接続される修正用ライン
パターン8dまたは8eとは、中間パッド7および修正
用ラインパターン8における例えばネガレジスト露光と
併せてスポット露光を行うことにより、中間パッド7お
よび修正用ラインパターン8と同一のCr等の導電膜か
らなる補修導体ライン15で接続することができる。セ
ラミック回路基板1において、厚膜接続パッド4dと本
来接続される相手の厚膜接続パッド4nが存在する場合
には、この厚膜接続パッド4nについても絶縁物6で切
り離し、その上の中間パッド7nと修正用ラインパター
ン8nとの間において補修導体ライン15で接続する必
要がある。そこでレーザ光のスポット露光により、Cr
等の導電膜を残して導体ラインを形成してこれら修正ラ
インパターン8dまたは8eと相手の修正用ラインパタ
ーン8nとを接続する。ただし、これら修正ラインパタ
ーン8dまたは8e及び修正用ラインパターン8nが他
の修正ラインパターンと接続されていてはだめの場合に
は、他の修正ラインパターンの所望箇所に集束されたレ
ーザ光を照射して他の修正ラインパターンを蒸発させて
切断を施せば良い。
(3) Thereafter, as shown in FIG.
C is formed on the first insulating layer 10 including the inside of the contact hole 5.
A conductive film such as r is formed by sputtering or the like. And this Cr
A resist is applied on a conductive film such as
The correction line patterns 8a to 8f extending in substantially one direction so as not to intersect with each other between the 7f and the intermediate pad are exposed with a predetermined pattern, and a portion where the repair conductor line 15 is formed is spot-exposed, and thereafter, By performing the etching, the intermediate pads 7a to 7f and the correction line pattern (leading line pattern) 8a to
8f is formed, and the repair conductor 15 is connected (connected) between the intermediate pad 7d and the repair line pattern 8d or 8e by remaining without being etched. That is, the intermediate pad 7d separated from the thick film connection pad 4d of the ceramic circuit board 1 by the insulator 6.
And the correction line pattern 8d or 8e to be connected to a desired wiring pattern later by performing spot exposure together with, for example, negative resist exposure on the intermediate pad 7 and the correction line pattern 8, thereby forming the intermediate pad 7 and the correction And the repair conductor line 15 made of the same conductive film as Cr as the line pattern 8 for use. In the case where there is a thick film connection pad 4n which is originally connected to the thick film connection pad 4d in the ceramic circuit board 1, this thick film connection pad 4n is also separated by the insulator 6, and the intermediate pad 7n thereon It is necessary to connect between the repair conductor line 15 and the repair line pattern 8n. Therefore, spot exposure of laser light
The conductor lines are formed while leaving the conductive film such as above, and these repair line patterns 8d or 8e are connected to the partner repair line pattern 8n. However, if the correction line pattern 8d or 8e and the correction line pattern 8n are not connected to another correction line pattern, it is not possible to irradiate a laser beam focused on a desired portion of the other correction line pattern. Then, the other corrected line pattern may be evaporated and cut.

【0027】(4)さらに、図3(d)に示すように、
中間パッド7a〜7fおよび修正用ラインパターン8a
〜8f上に例えばポリイミド樹脂で第2の絶縁層11を
形成し、この第2の絶縁層11に中間パッド7a〜7f
との導電接続を取るために中間パッド7a〜7fとほぼ
同心状のコンタクトホールをホトリソのプロセスを用い
て形成する。そして中間パッド7a〜7fとの導電接続
をとる端子接続パッド12a〜12fを無電解めっきに
より下地にNiめっき、その上にAuめっきを施して形
成する。以上によりセラミック回路基板1とその上に形
成した薄膜配線層2とからなり回路修正のされた多層配
線回路基板31が形成される。
(4) Further, as shown in FIG.
Intermediate pads 7a to 7f and correction line pattern 8a
A second insulating layer 11 is formed of, for example, a polyimide resin on the second insulating layer 11 and the intermediate pads 7a to 7f.
In order to make a conductive connection with the intermediate pads 7a to 7f, contact holes substantially concentric with the intermediate pads 7a to 7f are formed using a photolithographic process. Then, the terminal connection pads 12a to 12f for making a conductive connection with the intermediate pads 7a to 7f are formed by electroless plating with Ni plating on the base and Au plating thereon. As described above, a multilayer wiring circuit board 31 including the ceramic circuit board 1 and the thin film wiring layer 2 formed thereon and having a modified circuit is formed.

【0028】多層配線回路基板31完成後、検査して短
絡欠陥及び断線欠陥が検出された場合、次のようにして
修正される。例えば端子接続パッド7aと端子接続パッ
ド7dとの間において断線欠陥が生じた場合、図13に
示すように、まず端子接続パッド7aの周辺で、絶縁層
11の一部をレーザ加工により除去して、端子接続パッ
ド7aのパターンの一部と、修正用ラインパターン8a
の一部とを露出させ、両者を、例えば、金箔等の金属箔
を超音波チップ、加熱チップを用いて、冶金的に接合
し、さらに、ろう材広がりや、金等の金属拡散防止のた
めのダム121を形成し、絶縁樹脂109’を充填、固
化する。そして相手の端子接続パッド7dについても、
この端子接続パッド7dの周辺で、絶縁層11の一部を
エキシマレーザ加工により除去して、端子接続パッド7
dのパターンの一部と、修正用ラインパターン8dの一
部とを露出させ、両者を、例えば、金箔等の金属箔を超
音波チップ、加熱チップを用いて、冶金的に接合し、さ
らに、ろう材広がりや、金拡散防止のためのダム121
を形成し、絶縁樹脂109’を充填、固化する。その
後、図1に示すように、集束されたエキシマレーザ光を
照射して絶縁層11に穴をあけて接続すべき2つの修正
用引き出しパターン8a(8’)、8d(8”)の端部
(パッド)を露出させ、これら2つの端部(パッド)の
間を修正用線材32でボンディング接続し、この端部を
絶縁物で封止することによって断線欠陥について修正が
可能となる。上記修正用線材32としては、両端の接合
部分のみ被覆が除去されているポリウレタン被覆Au線
が望ましい。
When the short circuit defect and the disconnection defect are detected by inspection after the completion of the multilayer wiring circuit board 31, it is corrected as follows. For example, when a disconnection defect occurs between the terminal connection pad 7a and the terminal connection pad 7d, as shown in FIG. 13, first, a part of the insulating layer 11 is removed around the terminal connection pad 7a by laser processing. A part of the pattern of the terminal connection pad 7a and the correction line pattern 8a.
And, for example, metallurgical bonding of metal foil such as gold foil using an ultrasonic chip and a heating chip, and metallurgical bonding. Is formed, and the insulating resin 109 ′ is filled and solidified. And about the other party terminal connection pad 7d,
Around the terminal connection pad 7d, a part of the insulating layer 11 is removed by excimer laser processing.
A part of the pattern d and a part of the correction line pattern 8d are exposed, and both are metallurgically bonded using, for example, a metal foil such as a gold foil using an ultrasonic chip and a heating chip. Dam 121 to prevent brazing material spread and gold diffusion
Is formed, and the insulating resin 109 ′ is filled and solidified. After that, as shown in FIG. 1, the ends of two correction lead patterns 8a (8 ') and 8d (8 ") to be connected by making a hole in the insulating layer 11 by irradiating the focused excimer laser beam. The pad (pad) is exposed, the two ends (pads) are connected by bonding with a correction wire 32, and the ends are sealed with an insulator, so that a disconnection defect can be corrected. As the use wire 32, a polyurethane-coated Au wire in which the coating is removed only at the joint portions at both ends is desirable.

【0029】また短絡欠陥については、絶縁層11の一
部をエキシマレーザ加工により除去してその下の短絡欠
陥箇所を露出し、この露出した短絡欠陥箇所にレーザ光
を照射してCr等の導電膜で形成されたラインパターン
を切断し、その後この箇所に絶縁樹脂109’を充填、
固化することによって修正することができる。図4及び
図5は、本発明の特徴及び効果を簡明に示すための図で
あり、図4は、従来の考え方の薄膜層の部分平面図と、
該薄膜層を施された多層配線回路基板の部分断面図を示
し、図5は、本発明を実施した場合の薄膜層の部分平面
図と、該薄膜層を施された多層配線回路基板の部分断面
図を示す。ベースとなるセラミック回路基板(厚膜回路
基板)1において、その製造工程上、短絡不良がある頻
度で発生することは不可避であるが、その場合セラミッ
ク回路基板1は、図6に(SC1)〜(SC7)の工程
で示す如く、高密度の配線が印刷して形成された多数の
グリーンシートを積層して焼結して製作されているた
め、セラミック回路基板1の単体の状態で、穴堀り加工
を行って内層配線に傷を付けることなく上記短絡欠陥9
を切断することは不可能である。そこで、セラミック回
路基板(厚膜回路基板)1内の配線パターンの不良を、
上層の薄膜配線層2において修正する必要が生じる。
As for the short-circuit defect, a part of the insulating layer 11 is removed by excimer laser processing to expose a short-circuit defect portion thereunder, and the exposed short-circuit defect portion is irradiated with a laser beam to form a conductive material such as Cr. The line pattern formed by the film is cut, and thereafter, this portion is filled with the insulating resin 109 ′,
It can be corrected by solidification. FIGS. 4 and 5 are diagrams for briefly showing the features and effects of the present invention. FIG.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the multilayer printed circuit board provided with the thin film layer, and FIG. 5 is a partial plan view of the thin film layer when the present invention is implemented, and a portion of the multilayer printed circuit board provided with the thin film layer. FIG. In the manufacturing process of the ceramic circuit board (thick film circuit board) 1 serving as a base, it is inevitable that short-circuit defects occur at a certain frequency. In that case, the ceramic circuit board 1 is shown in FIG. As shown in the step (SC7), a large number of green sheets formed by printing high-density wiring are laminated and manufactured by sintering. The short-circuit defect 9 is performed without damaging the
It is impossible to cut. Therefore, the defect of the wiring pattern in the ceramic circuit board (thick film circuit board) 1 is
It is necessary to modify the upper thin film wiring layer 2.

【0030】この場合、従来の考え方では、図4に示す
ように、厚膜接続パッド4上に形成されたコンタクトホ
ール25を介して引出し用パッド27を形成し、この引
出し用パッド27に対して、上層の端子接続パッド12
との接続を行なうための中間パッド28と、この中間パ
ッド28と引出し用パッド27との接続及び回路分離用
を兼ねたパターン23とが、平面的に別位置に設けられ
ている。回路修正が必要になった場合、回路分離を行な
うために、パターン23の一部24をカット位置におい
て、切断除去するとともに、他の部分を、修正配線位置
において、補修導体22により修正用ラインパターン2
1に接続する。修正用ライン21は図示しない所望の回
路に接続される。このように、従来技術によれば、短絡
不良につながっている厚膜接続パッドとそれを電気的に
引き出す引出パッドの位置p1と、短絡不良を回路的に
分離するための配線カット位置p2と、上層の端子接続
パッド12を接続するための中間パッド位置p3とが全
て別位置であったために、回路の実装効率上も、修正生
産効率上も極めて、望ましくないものであった。
In this case, according to the conventional concept, as shown in FIG. 4, a lead-out pad 27 is formed through a contact hole 25 formed on the thick film connection pad 4, and the lead-out pad 27 is , Upper layer terminal connection pad 12
An intermediate pad 28 for making a connection with the pattern 23 and a pattern 23 which is also used for connection between the intermediate pad 28 and the lead-out pad 27 and for circuit isolation are provided at different positions in plan view. When the circuit needs to be corrected, a part 24 of the pattern 23 is cut and removed at the cut position to separate the circuit, and the other part is repaired by the repair conductor 22 at the repair wiring position. 2
Connect to 1. The correction line 21 is connected to a desired circuit (not shown). As described above, according to the related art, the thick film connection pad leading to the short-circuit failure and the position p1 of the lead-out pad for electrically drawing out the short-circuit failure, the wiring cut position p2 for separating the short-circuit failure from the circuit, and Since all of the intermediate pad positions p3 for connecting the terminal connection pads 12 in the upper layer were located at different positions, the mounting efficiency of the circuit and the modified production efficiency were extremely undesirable.

【0031】これに対し本発明によれば、図5に示すよ
うに、短絡不良につながっている厚膜接続パッド4上に
形成されたコンタクトホール5は、絶縁物6が充填さ
れ、その上に中間パッド7が、さらにその上に上層の端
子接続パッド12が、唯一の位置p1において形成され
ている。すなわち、厚膜接続パッド4、絶縁物6が充填
されたコンタクトホール5、中間パッド7、上層の端子
接続パッド12が、平面的には同位置、積層方向にはほ
ぼ一直線上(ほぼ同心状)に形成され、中間パッド7と
厚膜接続パッド4との絶縁分離は、絶縁物6により行わ
れ、上層の端子接続パッド12との接続は接続パッド7
から直接行なわれるようになっている。全ての中間パッ
ド7は、中間パッド7の間にほぼ一方向に延ばして形成
された修正用ラインパターン8との接続をするためのパ
ターン7’を有しており、補修導体15により、補修配
線位置p3で、修正用ラインパターン8に接続可能にな
っている。このように、本発明では、回路修正が必要と
なった場合、コンタクトホール5内の絶縁物6で絶縁を
確保し、パターン7’と修正用ライン8とに補修導体1
5による接続を行ない、修正用ラインパターンは所望の
回路に接続される。従って、従来のものにおけるパター
ンカットするためのパターン23の一部24並びにパタ
ーンカット位置及びその作業が不要となり、さらに、従
来のものにおける上層の端子接続パッド12への接続の
ための接続パッド28を、別位置に設ける必要がないの
で、接続パッド28の面積部分が必要でなくなることに
より、その分接続パッド数を増やす等、高密度実装化が
可能となるとともに、全てのパッドを同一位置で形成で
きるので、生産プロセス上も、極めて有利である。
On the other hand, according to the present invention, as shown in FIG. 5, the contact hole 5 formed on the thick film connection pad 4 leading to the short-circuit failure is filled with the insulator 6, and the contact hole 5 is formed thereon. The intermediate pad 7 and the terminal connection pad 12 in the upper layer are further formed thereon at the unique position p1. That is, the thick film connection pad 4, the contact hole 5 filled with the insulator 6, the intermediate pad 7, and the terminal connection pad 12 in the upper layer are located at the same position in plan view and substantially linearly in the stacking direction (substantially concentric). The insulating separation between the intermediate pad 7 and the thick film connection pad 4 is performed by the insulator 6, and the connection with the terminal connection pad 12 in the upper layer is performed by the connection pad 7.
It is done directly from. All the intermediate pads 7 have a pattern 7 ′ for connection with a repair line pattern 8 formed extending in substantially one direction between the intermediate pads 7, and the repair conductor 15 is used for repair wiring. At the position p3, it can be connected to the correction line pattern 8. As described above, according to the present invention, when the circuit needs to be repaired, the insulation is secured by the insulator 6 in the contact hole 5 and the repair conductor 1 is connected to the pattern 7 ′ and the repair line 8.
5, and the correction line pattern is connected to a desired circuit. Therefore, the part 24 of the pattern 23 for pattern cutting and the pattern cutting position and the operation thereof in the conventional device become unnecessary, and the connection pad 28 for connection to the upper-layer terminal connection pad 12 in the conventional device is eliminated. Since it is not necessary to provide the connection pads at different positions, the area of the connection pads 28 is not required, so that the number of connection pads can be increased and high-density mounting can be achieved, and all pads can be formed at the same position. This is very advantageous in the production process.

【0032】更に本発明について図1を用いて説明す
る。多数のLSIチップ14が実装された複数の多層配
線回路基板31をプリント回路基板35に組み込むこと
によって構成される。上記多層配線回路基板31は、セ
ラミック回路基板1上に薄膜配線層2を形成することに
よって作成される。この多層配線回路基板31の薄膜配
線層2上の2つの修正用引出しパターン8’と8”との
間を修正用線材32(両端の接合部分のみ被覆除去して
ある例えばポリウレタン被覆Au線)により回路接合す
ることによって修正することができる。またプリント回
路基板35において、オープン回路欠陥パターン36
a、36bが存在した場合、断線が生じており、これら
オープン回路欠陥パターン36aとオープン回路欠陥パ
ターン36bとの間を修正用線材(両端の接合部分のみ
被覆が除去されているポリウレタン被覆Au線)37で
接合することによって修正することができる。またプリ
ント回路基板35において、回路パターン39と40と
の間に余剰金属が存在するショート回路欠陥箇所41は
レーザ光等を照射することによって除去修正することが
できる。これについては、セラミック回路基板1上に形
成された薄膜配線層2における中間パッド7等の導電膜
等においても、余剰金属によるショート欠陥(短絡欠
陥)についても同様に除去修正(図7に示す工程SPn+
2)することができる。また絶縁層10、11における
ピンホール等の欠陥についても、絶縁樹脂微量塗布し、
固化することによって修正することができる。上記各修
正は修正必要箇所と修正実施箇所とが一致する修正の実
施例を示す。
Further, the present invention will be described with reference to FIG. It is configured by incorporating a plurality of multilayer wiring circuit boards 31 on which a large number of LSI chips 14 are mounted into a printed circuit board 35. The multilayer wiring circuit board 31 is formed by forming the thin film wiring layer 2 on the ceramic circuit board 1. The correction wire 32 (for example, a polyurethane-coated Au wire in which only the joints at both ends are removed) is provided between the two correction lead patterns 8 ′ and 8 ″ on the thin film wiring layer 2 of the multilayer wiring circuit board 31. It can be corrected by circuit bonding, and the open circuit defect pattern 36 on the printed circuit board 35 can be corrected.
In the case where a and 36b are present, a disconnection has occurred, and a wire for correction (a polyurethane-coated Au wire in which the coating is removed only at the joints at both ends) is provided between the open circuit defect pattern 36a and the open circuit defect pattern 36b. It can be corrected by joining at 37. Further, in the printed circuit board 35, the short circuit defect portion 41 in which excess metal exists between the circuit patterns 39 and 40 can be removed and corrected by irradiating a laser beam or the like. In this regard, the short-circuit defect (short-circuit defect) due to excess metal is similarly removed and corrected in the conductive film such as the intermediate pad 7 in the thin film wiring layer 2 formed on the ceramic circuit board 1 (step shown in FIG. 7). SPn +
2) Can be. Also, for defects such as pinholes in the insulating layers 10 and 11, a small amount of insulating resin is applied,
It can be corrected by solidification. Each of the above-mentioned corrections shows an embodiment of the correction in which the correction required portion and the correction execution portion match.

【0033】次にセラミック回路基板1の具体的救済方
法について図6〜図10を用いて説明する。図6及び図
7は、図1に示す電子回路モジュール装置全体の生産フ
ローを示すもので、図6は、多数のLSIチップをセラ
ミック回路基板に搭載したマルチチップモジュールを作
るまでのプロセスを示し、図7は、マルチチップモジュ
ールを、プリント回路基板に搭載して電子回路モジュー
ル装置を生産するプロセスを示すものである。
Next, a specific rescue method for the ceramic circuit board 1 will be described with reference to FIGS. 6 and 7 show a production flow of the entire electronic circuit module device shown in FIG. 1, and FIG. 6 shows a process until a multi-chip module in which a large number of LSI chips are mounted on a ceramic circuit board. FIG. 7 shows a process for producing an electronic circuit module device by mounting a multichip module on a printed circuit board.

【0034】図6のセラミック回路基板1の生産フロー
中、(SC1)のグリーンシート製作から(SC7)の
焼成までの工程は、図1に示す多層回路基板のベース基
板となるセラミック回路基板1が製作される。即ち、工
程(SC1)は、グリーンシート製作工程を示す。工程
(SC2)は、工程(SC1)で製作されたグリーンシ
ートに対して多数のスルホールを形成するためのピンプ
レスによって穴明けが行われる工程を示す。工程<SC
3>は、工程(SC2)で穴明けされたスルホール等を
検査する工程を示す。工程(SC4)は、検査工程(S
C3)で良品と判断されたグリーンシートに対して穴明
けされたスルホールに導電体を埋め込むと共にグリーン
シートの表面に配線パターンを形成する金属ペースト印
刷工程を示す。この工程(SC4)において、最上層の
グリーンシートには、厚膜接続パッド(矩形形状に近い
形状を有する。)4が印刷され、最下層のグリーンシー
トには、入出力ピン33に繋げる金属パターン101が
印刷される。工程<SC5>は、工程(SC4)で印刷
された金属ペースト等について検査する工程を示す。こ
の検査工程<SC5>において不良と判断された場合に
は、印刷された金属ペーストに対して修正する必要があ
る。工程(SC6)は、検査工程<SC5>において印
刷された金属ペースト等が良品であると判断された多数
のグリーンシートを積み重ねて所望のスルホールの間を
接続する積層・接続工程を示す。工程(SC7)は、工
程(SC6)で積層・接着された多数のグリーンシート
を焼成してセラミック回路基板1を形成する工程を示
す。
In the production flow of the ceramic circuit board 1 shown in FIG. 6, the steps from the production of the green sheet (SC1) to the firing of (SC7) are performed by the ceramic circuit board 1 serving as the base substrate of the multilayer circuit board shown in FIG. Be produced. That is, the step (SC1) indicates a green sheet manufacturing step. The step (SC2) shows a step in which a hole is formed in the green sheet manufactured in the step (SC1) by a pin press for forming a large number of through holes. Process <SC
3> indicates a step of inspecting a through hole or the like drilled in the step (SC2). Step (SC4) is an inspection step (S
A metal paste printing step of embedding a conductor in a through hole formed in a green sheet determined to be non-defective in C3) and forming a wiring pattern on the surface of the green sheet is shown. In this step (SC4), a thick film connection pad (having a shape close to a rectangular shape) 4 is printed on the uppermost green sheet, and a metal pattern connected to the input / output pins 33 is printed on the lowermost green sheet. 101 is printed. Step <SC5> indicates a step of inspecting the metal paste or the like printed in step (SC4). If it is determined in the inspection step <SC5> that the metal paste is defective, it is necessary to correct the printed metal paste. The step (SC6) shows a lamination / connection step of stacking a number of green sheets determined to be non-defective in the metal paste or the like printed in the inspection step <SC5> and connecting desired through holes. The step (SC7) shows a step of forming the ceramic circuit board 1 by firing a number of green sheets laminated and bonded in the step (SC6).

【0035】以上説明したように製作されたセラミック
回路基板1は、<SC8>の電気回路検査の工程で、焼
成されたセラミック回路基板1の内部におけるスルホー
ルを含め配線パターンの短絡不良および断線不良等が検
査される。即ち、この電気回路検査工程<SC8>にお
いて、焼成されたセラミック回路基板1の内部における
スルホールを含め配線パターンの短絡不良および断線不
良等が検査される。しかし、上記の如く、高密度の配線
が印刷して形成された多数のグリーンシートを積層して
焼結して製作されているため、セラミック回路基板1の
単体の状態で、穴堀り加工を行って内層配線に傷を付け
ることなく上記短絡欠陥9や断線欠陥を修正することは
不可能である。図6に示す絶縁材塗布工程(SC9)か
ら電気回路検出検査工程<SC22>までは、薄膜配線
層2の形成及びセラミック回路基板1の内層に発生して
いるショート配線欠陥やオープン配線欠陥についての修
正実施プロセスであり、その詳細フローは図8及び図9
に示されている。
The ceramic circuit board 1 manufactured as described above is subjected to the electrical circuit inspection process of <SC8>, such as a short-circuit failure and a disconnection failure of a wiring pattern including through holes inside the fired ceramic circuit board 1. Is inspected. That is, in this electric circuit inspection step <SC8>, short-circuit defects, disconnection defects, and the like of the wiring pattern including through holes inside the fired ceramic circuit board 1 are inspected. However, as described above, since a large number of green sheets formed by printing high-density wirings are manufactured by laminating and sintering, drilling is performed in the state of the ceramic circuit board 1 alone. It is impossible to correct the short-circuit defect 9 or the disconnection defect without damaging the inner wiring by performing the process. From the insulating material application step (SC9) to the electric circuit detection inspection step <SC22> shown in FIG. This is a correction execution process, the detailed flow of which is shown in FIGS.
Is shown in

【0036】図10は、図8及び図9に示す、工程G1
から工程G6までの薄膜配線層2の形成及び修正工程を
経て生産される多層配線回路基板の一例の断面の推移を
示すものである。すなわち、工程G1における工程(S
C9)は、セラミック回路基板1の裏面に形成された金
属パターン101を保護する目的で、絶縁層102およ
び絶縁層103を塗布してベークする絶縁材塗布・ベー
ク工程を示す。次に工程G1における工程<SC10>
は、表面における厚膜接続パッド4のショート/オープ
ン検査および絶縁層102、103のピンホール検査か
らなるパターン検査である。救済修正工程[SC10−
1]は、絶縁層102、103のピンホールの穴埋めや
表面における厚膜接続パッド4のショート/オープン救
済である。パターン検査工程〈SC10−2〉は、上記
救済後の確認検査である。
FIG. 10 shows a step G1 shown in FIG. 8 and FIG.
7 shows the transition of the cross section of an example of the multilayer wiring circuit board produced through the steps of forming and repairing the thin film wiring layer 2 from step G6 to step G6. That is, the step (S
C9) shows an insulating material applying / baking step of applying and baking the insulating layer 102 and the insulating layer 103 in order to protect the metal pattern 101 formed on the back surface of the ceramic circuit board 1. Next, step <SC10> in step G1
Is a pattern inspection including a short / open inspection of the thick film connection pad 4 on the surface and a pinhole inspection of the insulating layers 102 and 103. Relief correction process [SC10-
1] is to fill the pinholes of the insulating layers 102 and 103 and to relieve the short / open of the thick film connection pad 4 on the surface. The pattern inspection step <SC10-2> is a confirmation inspection after the above-described rescue.

【0037】次に工程G2における工程(SC11)
は、セラミック回路基板4の厚膜接続パッド4を有する
表面に第1の絶縁層10を2度に分けて絶縁層104お
よび絶縁層105を塗布してベークして形成する絶縁材
塗布・ベーク工程を示す。このように第1の絶縁層10
を2度に分けて形成するのは、ピンホールを防止するた
めである。その後工程G2における工程(SC12)
は、第1の絶縁層10に厚膜接続パッド4に対応するよ
うに同心状にコンタクトホール5をホトリソのプロセス
により形成する絶縁層パターン形成工程を示す。その後
工程G2における工程〈SC13〉は、コンタクトホー
ル5の検査および第1の絶縁層10上のピンホールの検
査を行うパターン検査工程を示す。救済修正(絶縁樹脂
微量塗布)工程[SC13−1]は、図2、図3および
図11に示すように、短絡不良(短絡欠陥)9を起こし
ている内部配線3bにつながっている厚膜接続パッド4
dに対応するコンタクトホール5dの内部を、インジェ
クションノズルをマニュピュレータでx−y−z方向に
微動できるように構成された絶縁樹脂微量供給機により
ポリイミド樹脂等の絶縁用樹脂を超微量供給して絶縁物
6として埋め、レーザ光による局所加熱で固化(加熱キ
ュアー)し、上記厚膜接続パッド4dを次工程で形成す
る上層部の配線(中間パッド7d)と切り離す。図11
には、厚膜接続パッド4kに対応するコンタクトホール
5kの内部を、インジェクションノズルをマニュピュレ
ータでx−y−z方向に微動できるように構成された絶
縁樹脂微量供給機によりポリイミド樹脂等の絶縁用樹脂
を超微量供給して絶縁物6として埋め、レーザ光による
局所加熱で固化(加熱キュアー)し、上記厚膜接続パッ
ド4kを次工程で形成する上層部の配線(中間パッド7
k)と切り離す場合も示す。即ち、図11では、修正を
要する厚膜接続パッドが2個ある場合を示す。なお、こ
の工程[SC13−1]においてスポット露光によって
コンタクトホール5dを形成させない(コンタクトホー
ル5dの穴明けを行わない)ことによっても厚膜接続パ
ッド4dを次工程で形成する上層部の配線(中間パッド
7d)と切り離すことができる。パターン検査工程〈S
C13−2〉は、厚膜接続パッド4dに対応するコンタ
クトホール5dが絶縁物6で埋められたかを検査する工
程である。
Next, step (SC11) in step G2
Is an insulating material applying / baking step in which the first insulating layer 10 is formed on the surface of the ceramic circuit board 4 having the thick film connection pads 4 by applying the insulating layer 104 and the insulating layer 105 in two separate steps, followed by baking. Is shown. Thus, the first insulating layer 10
Is formed twice to prevent pinholes. Thereafter, the step (SC12) in the step G2
3 shows an insulating layer pattern forming step of forming concentric contact holes 5 in the first insulating layer 10 so as to correspond to the thick film connection pads 4 by a photolithographic process. Thereafter, a step <SC13> in the step G2 shows a pattern inspection step of inspecting the contact hole 5 and inspecting a pinhole on the first insulating layer 10. As shown in FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 11, the remedy repair (a small amount of insulating resin) step [SC13-1] is performed to connect the thick film connected to the internal wiring 3b causing the short-circuit failure (short-circuit defect) 9. Pad 4
An extremely small amount of an insulating resin such as a polyimide resin is supplied to the inside of the contact hole 5d corresponding to d by an insulating resin minute feeder configured so that the injection nozzle can be finely moved in the xyz direction by a manipulator. The thick film connection pad 4d is cut off from the upper layer wiring (intermediate pad 7d) to be formed in the next step by burying as an insulator 6 and solidifying (heating cure) by local heating with a laser beam. FIG.
In order to insulate the inside of the contact hole 5k corresponding to the thick film connection pad 4k, the injection nozzle can be finely moved in the xyz direction by a manipulator by an insulating resin micro-feeder for insulating polyimide resin or the like. A very small amount of resin is supplied to bury the insulator 6 and solidified (heat-cured) by local heating with a laser beam to form the upper layer wiring (intermediate pad 7) for forming the thick film connection pad 4k in the next step.
The case of disconnecting from k) is also shown. That is, FIG. 11 shows a case where there are two thick film connection pads that need to be corrected. In this step [SC13-1], the contact hole 5d is not formed by spot exposure (the contact hole 5d is not drilled), so that the thick film connection pad 4d is formed in the next step. It can be separated from the pad 7d). Pattern inspection process <S
C13-2> is a step of checking whether or not the contact hole 5d corresponding to the thick film connection pad 4d is filled with the insulator 6.

【0038】次に工程G3における工程(SC14)
は、絶縁物6で埋められていないコンタクトホール5お
よび第1の絶縁層10の表面に、スパッタリング方法に
よってCr等の導電膜を成膜し、その後決められた回路
パターンである中間パッド(矩形形状に近い形状のもの
と円形形状に近い形状のものとがある。)7および中間
パッドの間に互いに交叉しないように延ばした修正用ラ
インパターン8についてはマスク等を用いて決められた
パターンで露光し、補修導体ライン15についてはスポ
ット露光を行い、その後現像してエッチングを施すこと
によって中間パッド7および修正用ラインパターン(引
出用ラインパターン)8が形成されると共に中間パッド
7dと修正用ラインパターン8dまたは8eとの間にお
いて補修導体ライン15がエッチングされずに残ること
によってつながる(接続される)回路パターン形成工程
を示す。該回路パターン形成工程(SC14)におい
て、中間パッド(矩形形状に近い形状のものと円形形状
に近い形状のものとがある。)7には図5に示すように
パターン7’を有し、中間パッド7は厚膜接続パッド4
と基本的には同心状に積み重ねて形成される。即ち、回
路パターン形成工程(SC14)において、全てのコン
タクトホール5の位置に、薄膜プロセスにより、中間パ
ッド7を形成すると共に修正用ラインパターン8及び接
続導体ライン15を形成することによってセラミック回
路基板1内の欠陥を修正することができる。図12に
は、図11に対応させて絶縁物6によって厚膜接続パッ
ド4dから切り離された中間パッド7dと修正用ライン
パターン8eとの間において補修導体ライン(Cr等の
金属パターン)15を用いて接続すると共に絶縁物6に
よって厚膜接続パッド4kから切り離された中間パッド
7kと修正用ラインパターン8e’との間において補修
導体ライン15を用いて接続し、修正用ラインパターン
8eと修正用ラインパターン8e’との間に集束された
スリット状のレーザ光を照射することによって修正用ラ
インパターン8eと修正用ラインパターン8e’との間
を切り離し、各々修正用ラインパターン8e、8e’を
本来接続されるべき相手の修正用ラインパターンと接続
する。これによってセラミック回路基板1内において生
じた短絡欠陥を薄膜配線層2において接続修正すること
ができる。即ち図12には、図11に示すように、2個
の中間パッド7d、7kが、1本の修正用ラインパター
ン8eに対して集束されたスリット状のレーザ光を照射
することによって切断された各線分パターン8e、8
e’に、接続導体ライン15、15’によりそれぞれ接
続されることを示す。上記工程G3における工程〈SC
15〉は、回路パターンである中間パッド7、修正用ラ
インパターン8および補修導体ライン15について検査
するパターン検査工程である。救済修正工程[SC15
−1]は、このパターン検査工程〈SC15〉におい
て、中間パッド7、修正用ラインパターン8および補修
導体ライン(Cr等の金属パターン)15についてショ
ート不良や異物が検出された場合、集束されたレーザ光
を照射することによって除去することができる。パター
ン検査工程〈SC15−2〉は、救済修正工程[SC1
5−1]で修正されたことを確認する。
Next, the step (SC14) in the step G3
Is to form a conductive film such as Cr on the surface of the contact hole 5 and the first insulating layer 10 which are not filled with the insulator 6 by a sputtering method, and then to form an intermediate pad (rectangular shape) which is a predetermined circuit pattern. And a correction line pattern 8 extending between the intermediate pads so as not to intersect with each other. Exposure is performed using a pattern determined using a mask or the like. The repair conductor line 15 is subjected to spot exposure, and then developed and etched to form the intermediate pad 7 and the repair line pattern (lead line pattern) 8 and to form the intermediate pad 7d and the repair line pattern. The repair conductor line 15 is left unetched between 8d and 8e. Showing the connection to) the circuit pattern formation step. In the circuit pattern forming step (SC14), the intermediate pad (the one having a shape close to a rectangular shape and the one close to a circular shape) 7 has a pattern 7 'as shown in FIG. Pad 7 is thick film connection pad 4
And are basically formed concentrically. That is, in the circuit pattern forming step (SC14), the intermediate pad 7 is formed at all the positions of the contact holes 5 by the thin film process, and the correction line pattern 8 and the connection conductor line 15 are formed. Defects can be corrected. 12, a repair conductor line (metal pattern such as Cr) 15 is used between the intermediate pad 7d separated from the thick film connection pad 4d by the insulator 6 and the repair line pattern 8e corresponding to FIG. A repair conductor line 15 is used to connect between the intermediate pad 7k separated from the thick film connection pad 4k by the insulator 6 and the repair line pattern 8e 'by using the repair conductor line 15 and the repair line pattern 8e and the repair line. The correction line pattern 8e and the correction line pattern 8e 'are separated by irradiating a slit-like laser beam focused between the correction line pattern 8e' and the correction line pattern 8e '. Connect with the opponent's correction line pattern to be done. As a result, a short-circuit defect generated in the ceramic circuit board 1 can be repaired in the thin-film wiring layer 2. That is, in FIG. 12, as shown in FIG. 11, the two intermediate pads 7d and 7k are cut by irradiating a focused slit-shaped laser beam to one correction line pattern 8e. Each line segment pattern 8e, 8
e 'indicates that they are connected by the connection conductor lines 15 and 15', respectively. Step <SC in Step G3
15> is a pattern inspection step of inspecting the intermediate pad 7, the repair line pattern 8, and the repair conductor line 15, which are circuit patterns. Relief correction process [SC15
-1] indicates that the focused laser beam is detected when a short-circuit defect or foreign matter is detected in the intermediate pad 7, the repair line pattern 8, and the repair conductor line (metal pattern such as Cr) 15 in the pattern inspection step <SC15>. It can be removed by irradiating light. The pattern inspection process <SC15-2> includes a repair repair process [SC1
5-1] to confirm that it has been corrected.

【0039】次に図9に示すように、工程G4における
工程(SC16)は、回路パターンである中間パッド7
および修正用ラインパターン8等の上に第2の絶縁層1
1を塗布してベークして形成する絶縁材塗布・ベーク工
程を示す。その後工程G4における工程(SC17)
は、第2の絶縁層11に全ての中間パッド7に対応する
ように同心状にコンタクトホール18をホトリソのプロ
セスにより形成する絶縁層形成工程を示す。即ち工程G
4において、第2の絶縁層11上の全中間パッド7の位
置にコンタクトホール18が形成される。その後工程G
4における工程〈SC18〉は、コンタクトホール18
の検査および第2の絶縁層11上のピンホールの検査を
行うパターン検査工程を示す。救済修正工程[SC18
−1]は、コンタクトホール18内の中間パッド7上に
異物等が付着していたり、第2の絶縁層11の上に金属
やレジスト等の異物が存在した場合には、エキシマレー
ザ光等を用いて中間パッド7を傷つけることなく(中間
パッド7にダメージを及ぼすことなく)異物のみを除去
修正する。パターン検査工程〈SC18−2〉は、救済
修正工程[SC18−1]において修正されたことを確
認する。
Next, as shown in FIG. 9, in the step (SC16) in the step G4, the intermediate pad 7 as a circuit pattern is formed.
And the second insulating layer 1 on the repair line pattern 8 and the like.
1 shows a process of applying and baking an insulating material formed by applying and baking. Thereafter, a step (SC17) in step G4
Shows an insulating layer forming step of forming a contact hole 18 concentrically in the second insulating layer 11 so as to correspond to all the intermediate pads 7 by a photolithography process. That is, step G
In 4, contact holes 18 are formed at positions of all the intermediate pads 7 on the second insulating layer 11. Then process G
Step <SC18> in Step 4
And a pattern inspection step for inspecting a pinhole on the second insulating layer 11. Relief correction process [SC18
-1] indicates that an excimer laser beam or the like is applied when foreign matter or the like adheres to the intermediate pad 7 in the contact hole 18 or foreign matter such as a metal or a resist exists on the second insulating layer 11. And removes and corrects only foreign matter without damaging the intermediate pad 7 (without damaging the intermediate pad 7). It is confirmed that the pattern inspection step <SC18-2> has been corrected in the repair correction step [SC18-1].

【0040】次に工程G5における工程(SC19)
は、中間パッド7と基本的には同心状に端子接続パッド
12を無電解めっきにより下地にはNiめっきを施し、
その上にAuめっきを施して形成する回路パターン形成
工程を示す。即ち回路パターン形成工程(SC19)に
おいて、LSIチップ14の端子がろう材等の接合部材
13によって接続される端子接続パッド(通常円形に近
い形状をしている。)12が形成される。なお、中間パ
ッド7と端子接続パッド12とは同心状にして接続され
る。当然端子接続パッド12の間の第2の絶縁層11上
のめっきは取り除かれる。そして工程〈SC20〉にお
いて、端子接続パッド12等についてパターン検査が行
われる。このパターン検査工程〈SC20〉において、
端子接続パッド12等にレジスト等の異物が付着された
りしていた場合には、救済修正工程[SC20−1]に
おいて、エキシマレーザ光等を照射して端子接続パッド
12を傷つけることなく(端子接続パッド12にダメー
ジを及ぼすことなく)異物のみを除去修正する。また上
記の如くCr等の導電膜の状態で、修正用ラインパター
ン(引出用ラインパターン)8b(8’)と相手の修正
用ラインパターン(引出用ラインパターン)8e
(8”)とを接続することができない場合には、図1に
示すように、集束されたエキシマレーザ光を照射して第
2の絶縁層11に穴をあけて接続すべき2つの修正用引
出しパターン8b(8’),8e(8”)の端部(パッ
ド)を露出させ、これら2つの端部(パッド)の間を修
正用線材32でボンディング接続し、この端部を絶縁樹
脂微量供給機によりポリイミド樹脂等の絶縁用樹脂を超
微量供給して絶縁物で封止することによって欠陥を修正
することができる。その後、パターン検査工程〈SC2
0−2〉において、修正されたことを確認する。
Next, the step (SC19) in the step G5
Is a method in which the terminal connection pad 12 is basically plated concentrically with the intermediate pad 7 by electroless plating and the base is plated with Ni.
A circuit pattern forming step of forming an Au plating thereon to form a circuit pattern will be described. That is, in the circuit pattern forming step (SC19), the terminal connection pads (usually having a shape close to a circle) 12 to which the terminals of the LSI chip 14 are connected by the bonding member 13 such as a brazing material are formed. The intermediate pad 7 and the terminal connection pad 12 are connected concentrically. Of course, the plating on the second insulating layer 11 between the terminal connection pads 12 is removed. Then, in a step <SC20>, a pattern inspection is performed on the terminal connection pads 12 and the like. In this pattern inspection process <SC20>,
If a foreign matter such as a resist is attached to the terminal connection pad 12 or the like, the terminal connection pad 12 is not damaged by irradiating an excimer laser beam or the like (terminal connection) in the repair and repair step [SC20-1]. Only the foreign matter is removed and corrected (without damaging the pad 12). As described above, in the state of the conductive film such as Cr, the correction line pattern (drawing line pattern) 8b (8 ') and the other party's correction line pattern (drawing line pattern) 8e
In the case where it is not possible to connect (8 ″), as shown in FIG. 1, a focused excimer laser beam is radiated to make a hole in the second insulating layer 11 so as to make two corrections. The ends (pads) of the lead patterns 8b (8 ') and 8e (8 ") are exposed, and a bonding wire is connected between the two ends (pads) using a correction wire 32. Defects can be corrected by supplying a very small amount of an insulating resin such as a polyimide resin with a supply device and sealing with an insulator. Then, the pattern inspection process <SC2
In 0-2>, it is confirmed that the correction has been made.

【0041】なお、上記工程G1,G2,G3,G4,
G5におけるパターン検査工程〈SC10〉,〈SC1
3〉,〈SC15〉〈SC18〉〈SC20〉におい
て、異物と判定されたもの(特に導体パターン上に存在
する異物や、絶縁膜上に存在する金属やレジスト等の異
物)は全て各救済修正工程[SC10−1],[SC1
3−1],[SC15−1],[SC18−1],[S
C20−1]のところでエキシマレーザ光を照射するこ
とにより任意の面積・厚さに対応させて除去修正を行
う。次いで、工程G6における工程(SC21)は、セ
ラミック回路基板1の裏面に金属パターン101の保護
のために形成した絶縁層102、103を除去し、入出
力ピン33を立てる絶縁除去・入出力ピン立て工程を示
す。これによって多層配線回路基板31が完成する。そ
の後、工程〈SC22〉において、電気回路検査(セラ
ミック回路基板1を含めた導通ネットパターンを電気的
に検査する。)を行って、多層配線回路基板31の生産
プロセスを終える。このようにして完成した多層配線回
路基板31に対して工程(SC23)において、製造、
検査されたLSIチップ等の電子部品14を、ろう材等
の接合部材13を用いて搭載し、工程(SC24)にお
いて加熱リフローすることにより多層配線回路基板モジ
ュール(マルチチップモジュール)が得られる。
The above steps G1, G2, G3, G4
Pattern inspection process in G5 <SC10>, <SC1
3>, <SC15>, <SC18>, and <SC20>, all the foreign substances determined as foreign substances (particularly, foreign substances existing on the conductor pattern and foreign substances such as metal and resist existing on the insulating film) are subjected to each of the repair steps. [SC10-1], [SC1
3-1], [SC15-1], [SC18-1], [S
By excimer laser light irradiation at C20-1], removal correction is performed corresponding to an arbitrary area and thickness. Next, in a step (SC21) in the step G6, the insulating layers 102 and 103 formed on the back surface of the ceramic circuit board 1 for protecting the metal pattern 101 are removed, and the input / output pins 33 are set. The steps will be described. Thereby, the multilayer wiring circuit board 31 is completed. Thereafter, in a step <SC22>, an electric circuit inspection (electrically inspecting the conductive net pattern including the ceramic circuit board 1) is performed, and the production process of the multilayer wiring circuit board 31 is completed. In the process (SC23), the multilayer wiring circuit board 31 completed in this manner is manufactured,
The inspected electronic component 14 such as an LSI chip is mounted using the joining member 13 such as a brazing material, and is heated and reflowed in the step (SC24) to obtain a multilayer wiring circuit board module (multi-chip module).

【0042】なお、図6に示すように、LSIチップ1
4は、工程SL1〜SLnを経て製造される。工程(S
L1)は、回路パターンニング工程を示す。工程〈SL
2〉は、回路パターンニングの検査工程を示す。工程
(SL3)は、露光・感光工程を示す。工程〈SL4〉
は、検査工程を示す。工程(SL5)は、エッチング工
程を示す。工程〈SL6〉は、検査工程を示す。・・・
工程〈SLn〉は、LSIチップの電気回路機能検査工
程を示す。次に図7に示す工程〈SC25〉は、多層配
線回路基板モジュール(マルチチップモジュール)の機
能検査工程を示す。この機能検査工程〈SC25〉で判
定されたショート(短絡)や開モード(断線)について
は、多層配線回路基板モジュール(マルチチップモジュ
ール)の組立プロセスの品質を上げることにより(即ち
ゴミ対策や作業不安定からくる不良発生を防ぐことによ
り)合格率を100に限りなく近づけることが可能とな
る。もし、万が一この機能検査工程〈SC25〉でショ
ート(短絡)や開モード(断線)が生じた場合は、次の
ようにして修正する必要がある。即ち、図13に示す実
施例に基づいて修正することができる。しかし、顧客要
求や設計の根本的変更が生じた場合には、機能検査工程
〈SC25〉における機能が満たされなくなり、図7に
示す工程(SC25−1)〜工程〈SC25−6〉を経
て要求機能を満たす再生も、配線接続と配線切断とを現
物のもので電気回路を充足させる範囲内で可能となる。
即ち顧客要求や設計の根本的変更が、LSIチップの中
身と現在組立中の多層配線回路基板31における薄膜配
線層2における配線接続と配線切断との組合せで可能で
あれば要求機能を満たす再生も実現することができる。
Note that, as shown in FIG.
4 is manufactured through steps SL1 to SLn. Step (S
L1) indicates a circuit patterning step. Process <SL
2> shows an inspection step of circuit patterning. The step (SL3) shows an exposure and exposure step. Process <SL4>
Indicates an inspection step. Step (SL5) shows an etching step. Step <SL6> indicates an inspection step. ...
Step <SLn> indicates an electric circuit function inspection step of the LSI chip. Next, a step <SC25> shown in FIG. 7 shows a function inspection step of the multilayer wiring circuit board module (multi-chip module). The short circuit (short circuit) and open mode (disconnection) determined in the function inspection process <SC25> are improved by improving the quality of the assembly process of the multilayer wiring circuit board module (multi-chip module) (that is, measures against dust and work failure). The pass rate can be made as close as possible to 100 (by preventing the occurrence of defects due to stability). If a short circuit (short circuit) or open mode (disconnection) occurs in the function inspection process <SC25>, it is necessary to correct it as follows. That is, it can be corrected based on the embodiment shown in FIG. However, when a customer request or a fundamental change in design occurs, the function in the function inspection step <SC25> is not satisfied, and the request is made through the steps (SC25-1) to <SC25-6> shown in FIG. Reproduction that satisfies the functions can be performed within a range in which the wiring connection and the wiring cutting can be performed with the actual thing and the electric circuit is satisfied.
That is, if a customer's request or a fundamental change in the design can be achieved by a combination of the contents of the LSI chip and the wiring connection and the wiring disconnection in the thin film wiring layer 2 of the multilayer wiring circuit board 31 currently being assembled, the reproduction satisfying the required function can be performed. Can be realized.

【0043】図13に特殊な再生実施例を示す。図14
で示されるマルチチップモジュールのLSIチップ14
aを、図7に示す部品外し工程(SC25−1)におい
てろう材等の接合部材13をレーザ光を照射して局部加
熱して外し、露出した端子接続パッド12aの周辺で修
正用ラインパターン8aと中間パッド7a上の絶縁物
(第2の絶縁層11の一部)をエキシマレーザ加工によ
り部分的に除去して、中間パッド7aの一部と修正用ラ
インパターン8aの一部を露出させ、金箔等の接合金属
箔120で修正用ラインパターン8aと中間パッド7a
とを超音波加熱により冶金的に接合する。エキシマレー
ザ加工による幅10μm程度のスリットでろう材広がり
防止のためのダム121を作り、LSIチップ14aの
エリアの再取付け時のろう材(はんだ)による金箔等の
接合金属箔120(例えばAu箔のくわれ)の拡散を防
ぐ。そして、絶縁樹脂微量供給機によりポリイミド樹脂
等の絶縁用樹脂を超微量供給して、絶縁樹脂109’を
充填して加熱キュアーによって固化する。そして、図1
に示すように、このように接続された修正用ラインパタ
ーン8aと相手の修正用ラインパターンと前記と同様に
補修用線材32を用いて接続することができる。またこ
の後、検査工程〈SC25−3〉を経て、部品搭載工程
(SC25−4)と局部加熱リフロー工程(SC25−
5)によりLSIチップ14aをろう材等の接合部材1
3により多層配線回路基板31の表面に搭載して実装
し、マイクロチップモジュールを構成することができ
る。その後検査工程〈SC25−6〉を行って修正もし
くは機能変更が完了する。
FIG. 13 shows a special reproducing embodiment. FIG.
LSI chip 14 of the multi-chip module indicated by
In the part removing step (SC25-1) shown in FIG. 7, the bonding member 13 such as a brazing material is locally heated and removed by irradiating a laser beam, and the correction line pattern 8a is formed around the exposed terminal connection pad 12a. And the insulator on the intermediate pad 7a (part of the second insulating layer 11) is partially removed by excimer laser processing to expose a part of the intermediate pad 7a and a part of the repair line pattern 8a, The correction line pattern 8a and the intermediate pad 7a are formed by a bonding metal foil 120 such as a gold foil.
Are metallurgically joined by ultrasonic heating. A dam 121 for preventing the spread of the brazing material is formed by a slit having a width of about 10 μm by excimer laser processing, and a bonding metal foil 120 (for example, Au foil) such as a gold foil is formed by a brazing material (solder) when the area of the LSI chip 14a is reattached. To prevent the spread of creatures. Then, a very small amount of insulating resin such as a polyimide resin is supplied by an insulating resin minute supply machine, and the insulating resin 109 ′ is filled and solidified by heating curing. And FIG.
As shown in FIG. 5, the repairing line pattern 8a and the partner's repairing line pattern connected in this manner can be connected using the repair wire 32 in the same manner as described above. After this, through the inspection process <SC25-3>, the component mounting process (SC25-4) and the local heating reflow process (SC25-
5) joining the LSI chip 14a to the joining member 1 such as a brazing material,
3 allows the microchip module to be mounted and mounted on the surface of the multilayer wiring circuit board 31. Thereafter, an inspection process <SC25-6> is performed to complete the correction or the function change.

【0044】次に顧客要求や設計の根本的論理変更(機
能充足/変更)が生じた場合について、図15を用いて
説明する。即ち、代表的な論理変更(機能充足/変更)
として、LSIチンプ4bに形成されている空きパッド
(空き端子)(図15(b)にで示す。)を用いて
論理変更を行う場合について説明する。図15(b)に
示すように、論理変更前は、例えばLSIチップ14b
のパッド(端子)と入出力ピン(イ)との間で接続さ
れ、LSIチップ14bのパッドと入出力ピン(ロ)
との間で接続されていたものとする。これに対して、例
えば、LSIチップ14bに存在する空きパッドを用
いて、LSIチップ14bにおいて、入出力ピン(イ)
に接続する信号を空きパッドに繋げる論理変更を行
う。このためには、先ず図7に示す工程〈SC25〉を
用いて、論理変更前のLSIチップを外し、上記のよう
に論理変更された新しいLSIチップ14bと交換する
ことになる。一方多層配線回路基板31には各LSIチ
ップ14に対応させて通りぬけスルーライン151が数
本形成されている。また空きパッドにおける中間パッ
ド7と修正用ラインパターン(引出用ラインパターン)
8tとは、薄膜層2を形成する際回路パターン形成工程
(SC14)において接続して形成しておくものとす
る。もし、空きパッドにおける中間パッド7と修正用
ラインパターン(引出用ラインパターン)8tとの間で
接続されていない場合には、図13に示す方法で接続す
る必要がある。
Next, a case where a fundamental logical change (function fulfillment / change) of a customer request or design occurs will be described with reference to FIG. That is, a typical logical change (function fulfillment / change)
A description will be given of a case where the logic is changed using an empty pad (empty terminal) (shown in FIG. 15B) formed in the LSI chip 4b. As shown in FIG. 15B, before the logical change, for example, the LSI chip 14b
Are connected between the pads (terminals) of the LSI chip 14b and the input / output pins (b).
It is assumed that the connection is made between On the other hand, for example, by using an empty pad existing in the LSI chip 14b, the input / output pins (A)
Is changed to connect the signal to be connected to the empty pad. For this purpose, first, the LSI chip before the logic change is removed using the process <SC25> shown in FIG. 7 and replaced with the new LSI chip 14b whose logic has been changed as described above. On the other hand, several through-through lines 151 are formed on the multilayer wiring circuit board 31 so as to correspond to the respective LSI chips 14. In addition, the intermediate pad 7 in the empty pad and the line pattern for correction (line pattern for drawing)
8t is to be connected and formed in the circuit pattern forming step (SC14) when the thin film layer 2 is formed. If there is no connection between the intermediate pad 7 and the correction line pattern (lead line pattern) 8t in the vacant pad, it is necessary to connect them by the method shown in FIG.

【0045】まず図7に示す工程(25−1)におい
て、論理変更前のLSIチップを取り外す。そして工程
(25−2)において次に説明する回路修正作業を行
う。即ち、多層配線回路基板31の表面上において、空
きパッドに接続された修正用ラインパターン(引出用
ラインパターン)8tの露出した端子と通りぬけスルー
ライン151の露出した端子との間において、前記補修
用線材32の接続と同様に補修用線材(例えばポリウレ
タン被覆Au線)152を用いて接続する。更に多層配
線回路基板31の裏面上において、通りぬけスルーライ
ン151の露出した端子と入出力ピン(イ)の端子との
間において、前記補修用線材32の接続と同様に補修用
線材153を用いて接続する。しかしLSIチップ14
bのパッドと入出力ピン(イ)との間で接続された状
態であるので、通常切り離す必要がある。一方、入出力
ピン33が取り付けられている端子とセラミック回路基
板1の導体との間の接続は、図15(b)に示すように
入出力ピン33が取り付けられる位置から横にシフトし
ている。そのため、154の個所(領域に)例えば、エ
キシマレーザ光を照射することによって、入出力ピン3
3が取り付けられている端子の部分を切断することによ
って、LSIチップ14bのパッドと入出力ピン
(イ)との間の接続を切り離すことができる。そして切
断した後、この切断した個所に、絶縁樹脂微量供給機に
よりポリイミド樹脂等の絶縁用樹脂を超微量供給して、
絶縁樹脂を充填して加熱キュアーによって固化して保護
膜を形成することができる。当然LSIチップ14bの
パッドと入出力ピン(イ)との間の接続を切り離す必
要がない場合には、この切断作業をする必要がない。以
上が回路修正作業である。次に工程〈25−3〉におい
て回路修正作業の確認検査を行い、その後工程(25−
4)において論理変更されたLSIチップ14bを搭載
し、工程(25−5)においてレーザ光等を用いて局部
加熱し、LSIチップ14bをろう材等の接合部材13
により多層配線回路基板31の表面に搭載して実装し、
論理変更作業が終了する。
First, in a step (25-1) shown in FIG. 7, the LSI chip before the logic change is removed. Then, in the step (25-2), a circuit correcting operation described below is performed. That is, on the surface of the multilayer wiring circuit board 31, the repair is performed between the exposed terminal of the repairing line pattern (leading line pattern) 8t connected to the empty pad and the exposed terminal of the through-through line 151. The connection is made using a repair wire (for example, a polyurethane-coated Au wire) 152 in the same manner as the connection of the wire 32. Further, on the back surface of the multilayer wiring circuit board 31, between the exposed terminal of the through-hole 151 and the terminal of the input / output pin (a), the repair wire 153 is used in the same manner as the connection of the repair wire 32. Connect. However, LSI chip 14
Since the pad is connected between the pad b and the input / output pin (a), it is usually necessary to disconnect the pad. On the other hand, the connection between the terminal to which the input / output pin 33 is attached and the conductor of the ceramic circuit board 1 is shifted laterally from the position where the input / output pin 33 is attached as shown in FIG. . Therefore, by irradiating excimer laser light at 154 locations (areas), for example,
The connection between the pad of the LSI chip 14b and the input / output pin (a) can be cut off by cutting the terminal portion to which the 3 is attached. Then, after cutting, to the cut location, an ultra small amount of insulating resin such as polyimide resin is supplied by an insulating resin minute supply machine,
The protective film can be formed by filling the insulating resin and solidifying it with a heating cure. Of course, when it is not necessary to disconnect the connection between the pad of the LSI chip 14b and the input / output pin (a), there is no need to perform this disconnection work. The above is the circuit correction work. Next, in the step <25-3>, a confirmation inspection of the circuit repair work is performed, and then the step (25-
The LSI chip 14b whose logic has been changed in 4) is mounted, and in step (25-5), the LSI chip 14b is locally heated using a laser beam or the like, and the LSI chip 14b is joined to a joining member 13 such as a brazing material.
Is mounted and mounted on the surface of the multilayer wiring circuit board 31,
The logical change operation ends.

【0046】上記論理変更において、例えばLSIチッ
プ14bのパッドと入出力ピン(イ)とを接続した状
態で、LSIチップ14bの空きパッドを使ってプリ
ント回路基板35との間において新たな論理(配線)を
追加したい場合で、通りぬけスルーライン151が残っ
ていて使用できる場合には、通りぬけスルーライン15
1における多層配線回路基板31の裏面において露出し
た端子とプリント回路基板35上の所望の端子との間に
おいて補修用線材を用いて接続すれば可能となる。当然
空きパッドを使った論理変更が行われた新たなLSIチ
ップと交換することになる。
In the above-described logic change, for example, with the pads of the LSI chip 14b connected to the input / output pins (a), new logic (wiring) is formed between the printed circuit board 35 and the empty pads of the LSI chip 14b. ) Is added, and if the through-through line 151 remains and can be used, the through-through line 15
The connection between the terminal exposed on the back surface of the multilayer wiring circuit board 31 and the desired terminal on the printed circuit board 35 in FIG. Naturally, the chip is replaced with a new LSI chip whose logic has been changed using an empty pad.

【0047】また上記論理変更において、多層配線回路
基板31に形成された通りぬけスルーライン151を使
用できない場合には、多層配線回路基板31の表面にお
いて空きパッドに接続された修正用ラインパターン8
tの露出した端子とプリント回路基板35上の所望の端
子との間において補修用線材を用いて接続すれば良い。
また上記論理変更において、LSIチップ14bにおい
て空きパッドが残っていなく、空きパッドを使用するこ
とができない最後の方法として、図16に示す方法によ
って行うことができる。即ち、顧客要求や設計の根本的
論理変更が生じた場合、LSIチップ14におけるバン
プ(端子)52を線材58を介して多層配線回路基板3
1と絶縁コート54により絶縁した状態でプリント回路
基板35のパターン53へ接続する。50、51は、L
SIチップ14のバンプ(端子)を示す。50’、5
1’、52’は、LSIチップ14のバンプ50、これ
は図7に示す部品搭載工程(SC23)において生じる
主に設計的な変更や機能検査工程〈SC25〉において
判明したりして生じる主に設計的な変更の一実施例を示
す。この実施例は、セラミック回路基板1を介さずにL
SIチップ14のバンプ52を、線材58によりプリン
ト回路基板35のパターン53へ接続して機能変更を実
現するものである。このように図16に示す救済方法
は、緊急度が高い場合に行うものである。当初より布線
なしで製品を出荷しようとすると1〜3ケ月のオーダで
日程が遅れてしまうところを、図16に示す救済方法を
採れば、即機能変更等の救済を実施することができ、日
程短縮に大きな効果を奏する。
If the through line 151 formed on the multilayer printed circuit board 31 cannot be used in the above logical change, the repair line pattern 8 connected to the empty pad on the surface of the multilayer printed circuit board 31 is not used.
What is necessary is just to connect between the exposed terminal of t and the desired terminal on the printed circuit board 35 using a repair wire.
In the above-mentioned logic change, as a last method in which no empty pad remains in the LSI chip 14b and the empty pad cannot be used, the method can be performed by the method shown in FIG. In other words, when a customer's request or a fundamental logical change of the design occurs, the bumps (terminals) 52 of the LSI chip 14 are connected to the multilayer wiring circuit board 3 via the wire 58.
1 and is connected to the pattern 53 of the printed circuit board 35 while being insulated by the insulating coat 54. 50 and 51 are L
2 shows bumps (terminals) of the SI chip 14. 50 ', 5
1 'and 52' are bumps 50 of the LSI chip 14, which are mainly caused by design changes occurring in the component mounting step (SC23) shown in FIG. 1 shows an embodiment of a design change. In this embodiment, the L
The function change is realized by connecting the bump 52 of the SI chip 14 to the pattern 53 of the printed circuit board 35 by the wire 58. Thus, the rescue method shown in FIG. 16 is performed when the urgency is high. If you try to ship the product without wiring from the beginning, the schedule will be delayed by the order of 1 to 3 months, but if you take the rescue method shown in FIG. It is very effective in shortening the schedule.

【0048】またLSIチップ間において、空きパッド
を使って論理変更を行う場合について説明する。この場
合、多層配線回路基板31の表面において、各LSIチ
ップの空きパッドにつながった修正用ラインパターン
(引出用ラインパターン)間で図1に示す補修用線材3
2を用いて接続することによってLSIチップ間で論理
変更を行うことができる。この場合、論理変更前におい
てLSIチップで使用していたパッドについて、論理変
更後のLSIチップにおいて、セラミック回路基板1内
の導体(配線)と接続したままの状態では、支障をきた
す場合には空きパッド(切り離されたパッド)にするか
またはこの部分の接合材13を無くすか等の対策が必要
となる。また上記の如く空きパッドが修正用ラインパタ
ーン(引出用ラインパターン)につながっていない場合
には、図13に示す方法で接続する必要がある。
A case where a logic change is performed between the LSI chips by using an empty pad will be described. In this case, on the surface of the multilayer wiring circuit board 31, between the repair line pattern (lead line pattern) connected to the empty pad of each LSI chip, the repair wire 3 shown in FIG.
2, the logic can be changed between the LSI chips. In this case, if the pads used in the LSI chip before the logic change remain connected to the conductors (wirings) in the ceramic circuit board 1 in the LSI chip after the logic change, the pads are vacant if they cause trouble. It is necessary to take measures such as whether to use a pad (separated pad) or to eliminate the bonding material 13 at this portion. When the empty pad is not connected to the correction line pattern (lead line pattern) as described above, it is necessary to connect the pads by the method shown in FIG.

【0049】また顧客からの要求または設計変更に基づ
く機能充足/変更(論理変更)がセラミック回路基板1
上に薄膜層2を形成する前に分かった場合には、セラミ
ック回路基板1の内部に製造プロセスによって生じた欠
陥を修正するのと同様に、図10〜図12に示すように
薄膜層2を形成しながら修復できるようにすることが出
来る。例えば図13に示す方法をとる必要がなくなる。
The function fulfillment / change (logic change) based on a request from a customer or a design change is made by the ceramic circuit board 1.
If it is known before forming the thin film layer 2 thereon, the thin film layer 2 can be removed as shown in FIGS. It can be repaired while forming. For example, it is not necessary to use the method shown in FIG.

【0050】一方、図15に示す方法は、セラミック回
路基板1を製造した際生じた欠陥を修正することにも利
用することができる。即ち表面の厚膜接続パッド4と入
出力ピン33を取り付ける端子との間におけるセラミッ
ク回路基板1の内部に生じた配線パターン間(配線層
間)におけるオープン欠陥(断線欠陥)やショート欠陥
(短絡欠陥)を通りぬけスルーライン151を用いて修
復することができる。
On the other hand, the method shown in FIG. 15 can also be used to correct a defect generated when the ceramic circuit board 1 is manufactured. That is, an open defect (open defect) or a short defect (short defect) between wiring patterns (interlayers) generated inside the ceramic circuit board 1 between the thick film connection pad 4 on the surface and the terminal to which the input / output pin 33 is attached. Can be repaired by using the through line 151.

【0051】例えばパッドに対応する厚膜接続パッド
と入出力ピン(イ)に対応する端子との間においてオー
プン欠陥が存在する場合には、中間パッド7および修正
用ラインパターン(引出用ラインパターン)8を形成す
る際、パッドに対応する中間パッドとそれに隣接する
修正用ラインパターン(引出用ラインパターン)8との
間で補修用導体ライン15を用いて接続し、その後端子
接続パッド12を形成した後、修正用ラインパターン8
の表面に露出している端子と所望の通りぬけスルーライ
ン151における表面に露出している端子との間におい
て補修用線材152の両端をボンディング接続し、更に
通りぬけスルーライン151における裏面に露出してい
る端子と入出力ピン(イ)が取り付けられる端子(この
端子は、セラミック回路基板1の裏面に形成された厚膜
接続端子155と接続される。)との間において補修用
線材153の両端をボンディング接続することによって
修復することができる。なお、表面側における修正用ラ
インパターン8と通りぬけスルーライン151との間の
接続は、図5に示すように補修用導体ライン15を用い
て接続するのと同様にCr等の導電膜をエッチングによ
って除去しないことによって実現することができる。ま
た裏面側においても、入出力ピン(イ)が取り付けられ
る端子と通りぬけスルーライン151との間の接続は、
図5に示すように補修用導体ライン15を用いて接続す
るのと同様に導電膜をエッチングによって除去させない
ことによって実現することができる。ただし、入出力ピ
ン(イ)が取り付けられる端子のパターンがセラミック
回路基板1を製造する際、形成される場合には補修用線
材153によるボンディング接続をとるしかない。
For example, if an open defect exists between the thick film connection pad corresponding to the pad and the terminal corresponding to the input / output pin (a), the intermediate pad 7 and the repair line pattern (lead line pattern) At the time of forming the pad 8, the intermediate pad corresponding to the pad and the repairing line pattern (leading line pattern) 8 were connected using the repair conductor line 15, and then the terminal connection pad 12 was formed. Later, line pattern 8 for correction
The two ends of the repair wire 152 are bonded and connected between the terminal exposed on the front surface of the wire and the terminal exposed on the surface of the through-hole 151 as desired, and further exposed on the back surface of the through-hole 151. Ends of the repair wire 153 between the connected terminal and the terminal to which the input / output pin (a) is attached (this terminal is connected to the thick film connection terminal 155 formed on the back surface of the ceramic circuit board 1). Can be repaired by bonding. The connection between the repair line pattern 8 and the through-through line 151 on the front side is performed by etching a conductive film such as Cr in the same manner as the connection using the repair conductor line 15 as shown in FIG. Can be realized by not removing them. Also on the back side, the connection between the terminal to which the input / output pin (a) is attached and the through-through line 151 is
This can be realized by not removing the conductive film by etching, as in the case of using the repair conductor line 15 as shown in FIG. However, when the pattern of the terminal to which the input / output pin (a) is attached is formed when the ceramic circuit board 1 is manufactured, a bonding connection using the repair wire 153 has to be taken.

【0052】ショート欠陥についても、中間パッド7と
厚膜接続パッド4との間に絶縁物6を介在させ、必要に
応じて入出力ピン33が取り付けられる端子においてエ
キシマレーザ光を用いて切断(カット)することによっ
て、上記と同様に通りぬけスルーライン151を用いて
修復することができる。
As for the short-circuit defect, the insulator 6 is interposed between the intermediate pad 7 and the thick film connection pad 4, and the terminal to which the input / output pin 33 is attached as necessary is cut (cut) using an excimer laser beam. ) Can be repaired using the through-through line 151 in the same manner as described above.

【0053】以上説明した本発明の実施の形態を分類整
理してまとめると次のようになる。即ち、本発明に係る
マルチチップモジュールの修正には、製造プロセス上生
じた欠陥(製造プロセス欠陥)の修正と顧客の要求や設
計変更に基づく機能充足/変更(論理変更)とがある。 (1)まず製造プロセス欠陥の修正について、図17及
び図18を用いて説明する。まずセラミック回路基板1
の内部で露出不可の導体配線のオープン箇所O、および
ショート箇所Sが存在する。この修復の場合は図18に
おける18cが対応する。オープン箇所Oについては、
オープン箇所Oに関係する配線パターンa,bに対応し
て薄膜層2において中間パッドから引出し露出している
修正用ラインパターン(引出用ラインパターン)A−
A’(8’),B−B’(8”)で、A’とB’との間
を図1に示すように被覆線(補修用線材)32の両端を
ボンディングし、接続修復する。ショート箇所Sについ
ては、ショート箇所Sに関係する配線パターンc/d,
e/fに対応して薄膜層2において絶縁物6の介在によ
りショートを回避して中間パッドから引出し露出してい
る修正用ラインパターン(引出用ラインパターン)C−
C’/D−D’(8’/8”),E−E’/F−F’
(8’/8”)で、C’とD’,E’とF’との間を図
1に示すように被覆線(補修用線材)32の両端をボン
ディングし、接続修復する。
The embodiments of the present invention described above are classified and arranged as follows. That is, the correction of the multichip module according to the present invention includes correction of defects (manufacturing process defects) generated in the manufacturing process and fulfillment / change of functions (logical change) based on customer requirements and design changes. (1) First, correction of a manufacturing process defect will be described with reference to FIGS. First, the ceramic circuit board 1
There is an open portion O and a short portion S of the conductor wiring which cannot be exposed inside the inside. 18c in FIG. 18 corresponds to this restoration. About the open part O,
A repair line pattern (lead line pattern) A- drawn out from the intermediate pad and exposed in the thin film layer 2 corresponding to the wiring patterns a and b related to the open portion O
At A ′ (8 ′) and BB ′ (8 ″), both ends of the covered wire (repair wire) 32 are bonded between A ′ and B ′ as shown in FIG. As for the short spot S, the wiring patterns c / d,
Corresponding to e / f, the repair line pattern (lead line pattern) C- which is drawn out from the intermediate pad and exposed while avoiding a short circuit through the insulator 6 in the thin film layer 2 is interposed.
C '/ DD' (8 '/ 8 "), EE' / FF '
At (8 '/ 8 "), both ends of the covered wire (repair wire) 32 are bonded between C' and D 'and between E' and F 'as shown in FIG.

【0054】これらはいずれも、セラミック回路基板1
における表面の厚膜接続パッド4の間についてである
が、セラミック回路基板1における表面の厚膜接続パッ
ド4と裏面の入出力ピン33が取り付けられる端子との
間においても通りぬけスルーライン151を用いること
によって同様に修復させることができる。次に図18に
おいて18aで示すように露出している製造プロセス欠
陥を修復する場合について説明する。これは、図8及び
図9に示すようにセラミック回路基板1上に各工程G1
〜G5により順次パターンを形成しながら各パターン検
査工程〈SC10〉〈SC13〉〈SC15〉〈SC1
8〉〈SC20〉において見付かる欠陥(オープン欠
陥、ショート欠陥)を各救済修正工程[10−1][1
3−1][15−1][18−1][20−1]が相当
する。これらはいずれも露出しているので、レジスト等
の異物が存在することによって生じるオープン欠陥につ
いては、レジスト等の異物のみが剥がれるように非常に
エネルギー密度の小さいエキシマレーザ光等を照射する
ことによって中間パッドのような導体パターンを傷つけ
ることなく、レジスト等の異物を除去することにより、
パッド等の導体パターン層間においてレジスト等の異物
が存在することがなくなり、導体パターン間接続が可能
となる。また導体パターンが断線して生じるオープン欠
陥については、例えば図13に示すAu箔等の接合金属
箔120を用いて超音波加熱により冶金的に接合した
り、またはエネルギービームCVDもしくは金属イオン
を照射することによって導体膜を局所成膜することによ
って表面において接続することも可能である。また金属
等の異物が存在することによって生じるショート欠陥に
ついては、エネルギー密度の高いレーザ光等を照射する
ことによって、金属等の異物を除去して修復することが
できる。また導体パターン自身にショート欠陥が存在す
る場合には、ショート欠陥のみに集束投影されたレーザ
光を照射して表面でカットして修復させることができ
る。
These are all ceramic circuit boards 1
Is used between the thick film connection pads 4 on the front surface of the ceramic circuit board 1 and the terminals through which the input / output pins 33 on the back surface are attached. This can be similarly restored. Next, a case where an exposed manufacturing process defect is repaired as shown by 18a in FIG. 18 will be described. As shown in FIGS. 8 and 9, each step G1 is formed on the ceramic circuit board 1.
To G5 while sequentially forming patterns, each pattern inspection step <SC10><SC13><SC15><SC1
8> Defects (open defects, short defects) found in <SC20> are removed from each repair repair process [10-1] [1]
3-1] [15-1] [18-1] [20-1] correspond. Since all of them are exposed, open defects caused by the presence of foreign matters such as resists are exposed by irradiating excimer laser light or the like with a very low energy density so that only foreign matters such as resists are peeled off. By removing foreign matter such as resist without damaging conductive patterns such as pads,
Foreign matter such as resist does not exist between conductor pattern layers such as pads, and connection between conductor patterns becomes possible. For an open defect caused by disconnection of the conductor pattern, metallurgical bonding is performed by ultrasonic heating using a bonding metal foil 120 such as an Au foil shown in FIG. 13, or energy beam CVD or metal ion irradiation is performed. In this way, it is also possible to form a conductive film locally so that connection can be made on the surface. In addition, a short-circuit defect caused by the presence of a foreign substance such as a metal can be repaired by irradiating a laser beam or the like having a high energy density to remove the foreign substance such as a metal. When a short defect exists in the conductor pattern itself, the laser beam focused and projected only on the short defect can be irradiated to cut the surface to repair the defect.

【0055】次に図18において18bで示すように内
部に生じた製造プロセス欠陥で、この製造プロセス欠陥
を露出させることが可能な場合における製造プロセス欠
陥を修復させる場合について説明する。即ち、セラミッ
ク回路基板1上に薄膜層2を形成した後、電気回路検出
検査工程〈SC22〉において見付かった例えば薄膜層
2における製造プロセス欠陥やLSIチップ14を搭載
した後行う機能検査工程〈SC25〉において見付かっ
た例えば薄膜層2における製造プロセス欠陥を修復する
場合に相当する。オープン欠陥については、例えば図1
3に示す方法を用いて修復させるかまたは図13に示す
方法で接合金属泊120の代わりにエネルギービームC
VDもしくは金属イオンを照射することによって導体膜
を局所成膜することに替えて修復させることができる。
ショート欠陥については、このショート欠陥部を露出可
能な場合には、ショート欠陥領域に集束投影されたレー
ザ光を照射して穴掘りを行い、続いてショート欠陥をカ
ットし、その後この穴内に絶縁物を充填固化することに
よって修復させることができる。この修復作業を行う場
合に、LSIチップ14を取り外し、LSIチップ14
を搭載する必要がある場合には、この作業を行うものと
する。また露出不可の場合には、図18において18c
で示す修復作業を行うことになる。
Next, a description will be given of a case of repairing a manufacturing process defect in a case where the manufacturing process defect can be exposed by a manufacturing process defect generated inside as shown by 18b in FIG. That is, after forming the thin film layer 2 on the ceramic circuit board 1, for example, a manufacturing process defect in the thin film layer 2 found in the electric circuit detection and inspection process <SC22> or a function inspection process after mounting the LSI chip 14 <SC25> For example, this corresponds to the case of repairing a manufacturing process defect in the thin film layer 2 found in. For open defects, for example, see FIG.
3 using the method shown in FIG. 3 or using the energy beam C
Irradiation with VD or metal ions can repair the conductor film instead of local deposition.
For short defects, if this short defect part can be exposed, a laser beam focused and projected on the short defect area is used to dig a hole, and then the short defect is cut. Can be repaired by filling and solidifying. When performing this repair work, the LSI chip 14 is removed and the LSI chip 14 is removed.
If it is necessary to mount the, this operation shall be performed. In the case where exposure is not possible, 18c in FIG.
The repair work indicated by is performed.

【0056】(2)顧客の要求や設計変更に基づく機能
充足/変更(論理変更)について図19を用いて説明す
る。通常の機能充足/変更(論理変更)は、論理変更で
あるため、論理接続と論理切離とからなる。ところで、
セラミック回路基板1の内部で論理変更ができないの
で、図19に19cで示すLSIチップ(素子)14内
で論理変更をすることになる。そのため、LSIチップ
(素子)を搭載した後、論理変更する場合には、搭載さ
れていた論理変更前のLSIチップを取外し、新たに論
理変更されたLSIチップ(素子)を搭載することにな
る。新たなLSIチップ(素子)は、機能素子内部の入
出力パッド間において通常論理接続と論理切離(カッ
ト)とからなる機能充足/変更(論理変更)が行なわれ
る。但し、論理の追加もしくは削除の場合には、論理変
更は論理の接続もしくは論理の切離のみからなる場合も
ある。そして、この論理変更は、図15に示すように空
きパッドを用いて行われる場合が多い。
(2) Function fulfillment / change (logical change) based on a customer request or design change will be described with reference to FIG. Normal function fulfillment / change (logical change) is a logical change, and therefore consists of logical connection and logical disconnection. by the way,
Since the logic cannot be changed inside the ceramic circuit board 1, the logic is changed inside the LSI chip (element) 14 shown by 19c in FIG. Therefore, when the logic is to be changed after mounting the LSI chip (element), the mounted LSI chip before the logic change is removed, and the newly changed LSI chip (element) is mounted. In a new LSI chip (element), function fulfillment / change (logic change) including normal logical connection and logical disconnection (cut) is performed between input / output pads inside the functional element. However, in the case of adding or deleting logic, the logic change may consist of only connection of logic or disconnection of logic. This logical change is often made using an empty pad as shown in FIG.

【0057】空きパッドを用いる場合、通常図19に1
9aで示す露出した箇所での論理変更が行なわれる。例
えば各LSIチップの空きパッドに接続された修正用ラ
インパターン(引出用ラインパターン)8’、8”の端
子の間で図1に示すように補修用線材32の両端をボン
ディング接続し、また図15に示すように空きパッドに
接続された修正用ラインパターン8の端子と所望の通り
ぬけスルーライン151における表面に露出している端
子との間において補修用線材152の両端をボンディン
グ接続し、更に通りぬけスルーライン151における裏
面に露出している端子と入出力ピンが取り付けられる端
子との間において補修用線材153の両端をボンディン
グ接続し、入出力ピンが取り付けられる端子においてエ
キシマレーザ光を用いて切断(カット)することによっ
て露出した箇所での論理変更が行なわれる。
In the case where an empty pad is used, usually, FIG.
A logical change is made at the exposed location indicated by 9a. For example, as shown in FIG. 1, both ends of the repair wire 32 are connected by bonding between terminals of the repair line patterns (lead-out line patterns) 8 'and 8 "connected to the empty pads of each LSI chip. As shown in FIG. 15, both ends of the repair wire 152 are connected by bonding between the terminal of the repair line pattern 8 connected to the empty pad and the terminal exposed on the surface of the through-hole 151 as desired. Both ends of the repair wire 153 are bonded and connected between the terminal exposed on the back surface of the through-hole through line 151 and the terminal to which the input / output pin is attached, and excimer laser light is used at the terminal to which the input / output pin is attached. A logical change is made at a location exposed by cutting.

【0058】更に図19に19bで示す露出した箇所で
の論理変更が必要とする場合がある。即ち、露出した箇
所での論理変更とは、例えば中間パッド7と修正用ライ
ンパターン8とを例えば図13に示す方法を用いて接続
するかまたは図13に示す方法で接合金属泊120の代
わりにエネルギービームCVDもしくは金属イオンを照
射することによって導体膜を局所成膜することにより接
続し、19cで示す露出した箇所での論理変更(中間パ
ッド7に接続された各修正用ラインパターン8の端子の
間で補修用線材32を用いてボンディング接続したり、
修正用ラインパターン8の端子と所望の通りぬけスルー
ライン151における表面に露出している端子との間に
おいて補修用線材152を用いてボンディング接続し、
更に通りぬけスルーライン151における裏面に露出し
ている端子と入出力ピンが取り付けられる端子との間に
おいて補修用線材153の両端をボンディング接続し、
入出力ピンが取り付けられる端子においてエキシマレー
ザ光を用いて切断(カット)すること)を併用すること
を意味する。
Further, there is a case where it is necessary to change the logic at the exposed portion shown by 19b in FIG. That is, the logical change at the exposed portion means that, for example, the intermediate pad 7 and the correction line pattern 8 are connected using, for example, the method shown in FIG. A connection is made by locally forming a conductor film by irradiating energy beam CVD or metal ions, and the logic is changed at an exposed portion indicated by 19c (the terminal of each correction line pattern 8 connected to the intermediate pad 7). Bonding connection using the repair wire 32 between
A bonding connection is made between the terminal of the repair line pattern 8 and the terminal exposed on the surface of the through hole 151 as desired using the repair wire 152,
Further, both ends of the repair wire 153 are bonded and connected between a terminal exposed on the back surface of the through hole 151 and a terminal to which an input / output pin is attached,
Cutting (cutting) using excimer laser light at the terminals to which the input / output pins are attached).

【0059】このようにセラミック回路基板1の内部で
論理変更ができないので、論理変更されたLSIチップ
(素子)14と交換することを基本とするものである。
次に本発明に係るマルチチップモジュールの多層配線回
路基板の生産に用いる生産システムについて、図20及
び図21を用いて説明する。
As described above, since the logic cannot be changed inside the ceramic circuit board 1, it is basically replaced with an LSI chip (element) 14 whose logic has been changed.
Next, a production system used for producing a multilayer wiring circuit board of a multichip module according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0060】図20に示すように、厚膜工程1310
(図6において工程(SC1)〜工程(SC7)が対応
する。)、厚膜検査工程1320(図6において工程
〈SC8〉が対応する。)、薄膜工程1330(図8お
よび図9に示す工程G1〜G5(工程(SC9)〜工程
〈SC20〉)が対応する。)、薄膜検査工程1340
(図8および図9に示す工程〈SC10〉〈SC13〉
〈SC15〉〈SC18〉〈SC20〉〈SC22〉、
図7に示す〈SC25〉が対応する。)、修正工程13
50(図8および図9に示す工程[SC10−1][S
C13−1][SC15−1][SC18−1][SC
20−1]、図7に示す[SC25−2]が対応す
る。)の各工程では、それぞれに適した生産機器131
0a乃至1350c(厚膜工程1310には、グリーン
シートにスルーホールを形成する穴明機1310a、グ
リーンシートに導体パターンを印刷する印刷機1310
b、および積層されたグリーンシートを焼結してセラミ
ック回路基板を形成する焼結炉1310n等が設置され
る。検査工程1320には、導通検査を行なう導通検査
機1320a等が設置される。薄膜工程1330には、
ポリイミド樹脂等の高分子樹脂を塗布して絶縁膜(絶縁
層)を形成する高分子塗布機1330a、回路パターン
等を露光する露光機1330b、および現像機1330
m等が設置される。検査工程1340には、異物等も含
めて回路パターンを検査するパターン検査機1340a
および配線(電導体)の導通を検査する導通検査機13
40b等が設置される。修正工程1350には、絶縁膜
への穴掘り加工、異物除去加工および配線パターンを切
断する切断加工等を行なうエキシマレーザ加工機153
0a、超微量の絶縁樹脂を注入供給する絶縁樹脂微量注
入機1350bおよびエッチング除去をやめるためのス
ポット露光を行なうスポット露光機1350c等が設置
される。)が用いられる。これらの生産機器1310a
乃至1350cは、図21に示すように、図20の各工
程1310ないし1350対応のクライエントコンピュ
ータ1410乃至1450、それらに対するサーバコン
ピュータ1460、さらに全生産を統括制御するホスト
コンピュータ1470からなる階層構成の生産性御コン
ピュータシステムによって制御される。本発明の特徴
は、図20の修正工程1350を生産システムに融合さ
せた点にある。この修正工程1350の代表的な生産機
器は、エキシマレーザ加工機1350aと、絶縁樹脂微
量供給機1350bである。
As shown in FIG. 20, a thick film process 1310
(Steps (SC1) to (SC7) correspond to FIG. 6), thick film inspection step 1320 (corresponds to step <SC8> in FIG. 6), and thin film step 1330 (steps shown in FIGS. 8 and 9). G1 to G5 (step (SC9) to step <SC20>) correspond), thin film inspection step 1340
(Steps <SC10><SC13> shown in FIGS. 8 and 9)
<SC15><SC18><SC20><SC22>,
<SC25> shown in FIG. 7 corresponds to this. ), Correction process 13
50 (step [SC10-1] [S shown in FIGS. 8 and 9]
C13-1] [SC15-1] [SC18-1] [SC
20-1] and [SC25-2] shown in FIG. In each step of (1), production equipment 131 suitable for each
0a to 1350c (the thick film process 1310 includes a punching machine 1310a for forming a through hole in a green sheet, and a printing machine 1310 for printing a conductor pattern on a green sheet.
b, and a sintering furnace 1310n for sintering the laminated green sheets to form a ceramic circuit board. In the inspection step 1320, a continuity inspection machine 1320a for performing a continuity inspection is installed. In the thin film process 1330,
A polymer applicator 1330a for applying a polymer resin such as a polyimide resin to form an insulating film (insulating layer), an exposing machine 1330b for exposing a circuit pattern and the like, and a developing machine 1330
m etc. are installed. In the inspection step 1340, a pattern inspection machine 1340a for inspecting a circuit pattern including foreign matter and the like is provided.
Inspection machine 13 for inspecting the continuity of wiring and wiring (conductor)
40b and the like are installed. In the correcting step 1350, an excimer laser processing machine 153 that performs a hole digging process on an insulating film, a foreign matter removing process, a cutting process for cutting a wiring pattern, and the like.
0a, an insulating resin micro-injector 1350b for injecting and supplying a very small amount of insulating resin, a spot exposing machine 1350c for performing spot exposure for stopping etching removal, and the like. ) Is used. These production equipment 1310a
As shown in FIG. 21, client computers 1410 to 1450 corresponding to the steps 1310 to 1350 of FIG. 20, server computers 1460 corresponding thereto, and a host computer 1470 that controls and controls the entire production, as shown in FIG. Controlled by a sex computer system. A feature of the present invention resides in that the correction step 1350 in FIG. 20 is integrated with the production system. Typical production equipment for the correction step 1350 is an excimer laser processing machine 1350a and an insulating resin minute supply machine 1350b.

【0061】エキシマレーザ加工機1350aの動作を
図22フローチャートに示す。エキシマレーザ加工機1
350aは、近年著しく発展しており、材料や物質に応
じて、単位ショット数エネルギと除去率を設定すること
により、加工対象エリアも、面積で1μm角、厚さ(深
さ)方向で0.1μm程度の微細加工が可能であり、本
発明に係る多層配線回路基板31における薄膜層2に対
する絶縁膜への穴掘り加工、異物除去加工および配線パ
ターンを切断する切断加工等に有効に使用することがで
きる。エキシマレーザ加工機1350aの動作を、図2
2のフローチャートに従って説明する。即ち、ワークテ
ーブルに、修正対象の多層配線回路基板31がワークと
してローディングされると、制御部は、そのワーク番号
を生産制御コンピュータシステムに送り、生産制御コン
ピュータシステムから、修正個所の位置座標、加工条件
などの情報を受信する(1601)。次いで、1つの修
正個所についての位置座標及び加工条件のデータを読み
出して(1603)、ワークテーブルを駆動、制御し
て、加工対象エリアの位置決めを行い(1604)、上
記加工条件に応じて、加工条件の設定を行い(160
5)、レーザを印加して、所要の加工を行う(160
6)。次の修正個所に移動して上記動作を繰り返して所
望の加工条件に設定されたエキシマレーザビームがワー
クの修正個所に照射される。上記の加工動作を、全ての
修正個所について順次行い、終了すると(1607)、
当該ワークをアンローディングする(1608)。
The operation of the excimer laser beam machine 1350a is shown in the flowchart of FIG. Excimer laser processing machine 1
350a has been remarkably developed in recent years. By setting the energy per unit shot and the removal rate according to the material and the substance, the area to be processed is also 1 μm square in area and 0.1 mm in the thickness (depth) direction. A fine processing of about 1 μm is possible, and it can be effectively used for digging a hole in an insulating film of the thin film layer 2 in the multilayer wiring circuit board 31 according to the present invention, removing foreign matter, and cutting a wiring pattern. Can be. FIG. 2 shows the operation of the excimer laser beam machine 1350a.
This will be described according to the flowchart of FIG. That is, when the multilayer wiring circuit board 31 to be corrected is loaded as a work on the work table, the control unit sends the work number to the production control computer system, and the production control computer system sends the position coordinates of the correction location, processing Information such as conditions is received (1601). Next, the position coordinates and processing condition data for one correction point are read out (1603), the work table is driven and controlled to position the processing target area (1604), and the processing is performed according to the processing conditions. Set the conditions (160
5) Apply a laser to perform the required processing (160)
6). The excimer laser beam set to a desired processing condition is irradiated to the correction point of the workpiece by moving to the next correction point and repeating the above operation. The above-described processing operation is sequentially performed for all correction points, and when the correction is completed (1607),
The work is unloaded (1608).

【0062】また、図23には、絶縁樹脂微量注入機
(絶縁樹脂微量供給機)1350bの基本構成を示す。
前記したように本発明に係る多層配線回路基板31の薄
膜層2を形成する際の隣接層のパッド間(厚膜接続パッ
ド4と中間パッド7との間)の絶縁物6による絶縁分離
を実現するには、コンタクトホール5にpl(ピコ リ
ットル)オーダの絶縁樹脂を供給できることが必要であ
る。そこで、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂の超微量供給
を、fl(フェムト リットル)オーダの超微量域の液
量供給(液量注入)を制御できるマイクロマニュピュレ
ータで構成した絶縁樹脂微量注入機1350aを用いて
実現した。図23において、絶縁樹脂微量注入機135
0bは、大きくは、制御部1710と加工部1720と
からなる。制御部1710において、1711は、前述
の生産制御コンピュータシステムと情報をやり取りする
通信コントローラであり、1712は、加工部1720
を制御する装置制御インタフェースである。加工部17
20において、1721は上述したマイクロマニュピュ
レータの微小移動機構部、1722は塗布量制御部を有
するインジェクション部、1723はワークの多層配線
回路基板を載せるワークテーブル、1724はワークの
樹脂注入個所を画像によりモニタするビデオモニタであ
る。また、1725は、インジェクション部1722に
取り付けるガラスノズルの先端製作部である。
FIG. 23 shows the basic configuration of an insulating resin minute injection machine (insulating resin minute supply machine) 1350b.
As described above, when the thin film layer 2 of the multilayer wiring circuit board 31 according to the present invention is formed, the insulation between the pads of the adjacent layers (between the thick film connection pad 4 and the intermediate pad 7) by the insulator 6 is realized. To do so, it is necessary that the contact hole 5 can be supplied with an insulating resin on the order of pl (picoliter). Therefore, a very small amount of insulating resin such as a polyimide resin is supplied by using a small amount of insulating resin injection machine 1350a composed of a micromanipulator capable of controlling the supply of a small amount of liquid (liquid amount injection) in an ultra small amount of fl (femtoliter). Realized. In FIG. 23, an insulating resin microinjector 135
0b mainly includes a control unit 1710 and a processing unit 1720. In the control unit 1710, reference numeral 1711 denotes a communication controller for exchanging information with the above-described production control computer system, and reference numeral 1712 denotes a processing unit 1720.
Is a device control interface for controlling the device. Processing part 17
In 20, reference numeral 1721 denotes a micro-moving mechanism of the above-described micromanipulator, 1722 denotes an injection unit having a coating amount control unit, 1723 denotes a work table on which a multilayer wiring circuit board of a work is placed, and 1724 denotes a resin injection position of the work by an image. Video monitor to monitor. Reference numeral 1725 denotes a tip manufacturing unit of the glass nozzle attached to the injection unit 1722.

【0063】次に図23に示す絶縁樹脂微量注入機13
50aの動作を、図24に示すフローチャートに従って
説明する。即ち、ワークテーブル1723に、修正対象
の多層配線回路基板(セラミック回路基板1上に薄膜層
の一部が形成されたもの)31がワークとしてローディ
ングされると(1801)、制御部1710は、そのワ
ーク番号を生産制御コンピュータシステムに送り、生産
制御コンピュータシステムから、修正個所の位置座標情
報を受信する(1802)。次いで、装置制御インタフ
ェース1712は、1つの修正個所についての位置座標
データを読み出して(1803)、ワークテーブル17
23を駆動制御して、対象エリアの位置決めを行い(1
804)、ノズルの位置決めを行い(1805)、絶縁
樹脂の供給、注入を行った後(1806)、ノズルを退
避する(1807)。上記の動作を、全ての修正個所に
ついて順次行い、終了すると(1808)、当該ワーク
をアンローディングする(1809)。以上本発明を、
セラミック回路基板を用いた多層配線回路モジュール
(マルチチップモジュール)に適用した実施例につき詳
細に説明したが、本発明は、これに限らず、液晶モジュ
ールや、シリコン多層配線回路基板上に薄膜プロセスを
用いて配線を形成し、その上にベアチップを搭載するシ
リコン多層配線回路基板モジュール等にも同様に適用す
ることができる。
Next, an insulating resin micro-injector 13 shown in FIG.
The operation of 50a will be described with reference to the flowchart shown in FIG. That is, when a multilayer wiring circuit board (a part of a thin film layer is formed on the ceramic circuit board 1) 31 to be corrected is loaded as a work on the work table 1723 (1801), the control unit 1710 causes The work number is sent to the production control computer system, and the position coordinate information of the correction location is received from the production control computer system (1802). Next, the device control interface 1712 reads out the position coordinate data for one correction point (1803), and
23 to control the position of the target area (1).
804), the nozzle is positioned (1805), and after supplying and injecting the insulating resin (1806), the nozzle is retracted (1807). The above operation is sequentially performed for all correction points, and when the correction is completed (1808), the work is unloaded (1809). The present invention
Although the embodiment applied to the multilayer wiring circuit module (multi-chip module) using the ceramic circuit board has been described in detail, the present invention is not limited to this, and the thin film process can be performed on a liquid crystal module or a silicon multilayer wiring circuit board. The present invention can be similarly applied to a silicon multilayer wiring circuit board module or the like in which a wiring is formed using the above method and a bare chip is mounted thereon.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造プロセス欠陥救済や機能変更の必要が生じたとき
に、新たに多層配線回路基板を作り直すことなく、元の
(元と同種の)多層配線回路基板を有効活用して、所定
の品質と所要の機能を達成するマルチチップモジュール
を短期間で開発、生産可能とすることができる効果を奏
する。また本発明によれば、製造プロセス欠陥救済や機
能変更の必要が生じたときに、新たに多層配線回路基板
を作り直すことなく、元の(元と同種の)多層配線回路
基板を有効活用して、開発や生産の歩留まりを高め、必
要最小限の数と種類の多層配線回路基板で所要の数と種
類のマルチチップモジュールの生産を可能とし、多層配
線回路基板やマルチチップモジュールの不良品や不要廃
棄物を極力出さないか、激減させることができる効果を
奏する。
As described above, according to the present invention,
When it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function, the original (same type as the original) multilayer wiring circuit board can be used effectively without recreating a new multilayer wiring circuit board to achieve the required quality and required level. This has the effect of enabling development and production of a multi-chip module that achieves functions in a short period of time. Further, according to the present invention, when it becomes necessary to relieve a manufacturing process defect or change a function, the original (same type) multilayer wiring circuit board can be effectively utilized without recreating a new multilayer wiring circuit board. , Increasing the yield of development and production, enabling the production of the required number and types of multi-chip modules with the required minimum number and types of multilayer wiring circuit boards, and the defective and unnecessary multilayer wiring circuit boards and multi-chip modules This produces the effect of minimizing or drastically reducing waste.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正したマル
チチップモジュールを製造プロセス欠陥を修正したプリ
ント回路基板に実装した状態及び機能充足/変更(論理
変更)を行ったマルチチップモジュールを製造プロセス
欠陥を修正したプリント回路基板に実装した状態を示す
斜視図である。
FIG. 1 shows a state in which a multi-chip module according to the present invention in which a manufacturing process defect has been corrected is mounted on a printed circuit board in which a manufacturing process defect has been corrected, and a multi-chip module in which function fulfillment / change (logical change) has been performed is referred to as a manufacturing process defect. FIG. 11 is a perspective view showing a state in which the device is mounted on a printed circuit board in which is modified.

【図2】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正した一実
施例の多層配線回路基板の薄膜層上に電子部品(LSI
チップ)を搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 2 shows an electronic component (LSI) on a thin film layer of a multilayer wiring circuit board according to an embodiment in which a manufacturing process defect according to the present invention is corrected.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where a chip is mounted.

【図3】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正していく
第1の実施例である各修正生産工程における多層配線回
路基板の内薄膜層を主に示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view mainly showing an inner thin-film layer of a multilayer wiring circuit board in each repair production process which is a first embodiment for repairing a manufacturing process defect according to the present invention.

【図4】比較例における修正パターン部分の平面図と、
修正パターンを施された多層配線回路基板の部分断面図
である。
FIG. 4 is a plan view of a correction pattern portion in a comparative example,
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a multilayer wiring circuit board on which a correction pattern has been applied.

【図5】本発明に係る一実施例を実施した場合の修正パ
ターン部分の平面図と、修正パターンを施された多層配
線回路基板の薄膜層を示す部分断面図である。
FIG. 5 is a plan view of a correction pattern portion when an embodiment according to the present invention is implemented, and a partial cross-sectional view showing a thin film layer of a multilayer printed circuit board on which the correction pattern has been applied.

【図6】本発明に係るセラミック回路基板上に薄膜層を
形成してなる多層配線回路基板上にLSIを搭載した多
層配線回路基板回路モジュール(マルチチップモジュー
ル)を作るまでの生産フローを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a production flow until a multilayer wiring circuit board circuit module (multi-chip module) in which an LSI is mounted on a multilayer wiring circuit board formed by forming a thin film layer on a ceramic circuit board according to the present invention. It is.

【図7】本発明に係る多層配線回路基板回路モジュール
(マルチチップモジュール)を多層プリント回路基板に
搭載するまでの生産フローを示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a production flow until a multilayer wiring circuit board circuit module (multi-chip module) according to the present invention is mounted on a multilayer printed circuit board.

【図8】図6の修正工程の前半の詳細なフロー図であ
る。
FIG. 8 is a detailed flowchart of the first half of the correction step of FIG. 6;

【図9】図6の修正工程の後半の詳細なフロー図であ
る。
FIG. 9 is a detailed flowchart of the latter half of the correction step of FIG. 6;

【図10】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正してい
く第2の実施例である各修正生産工程における多層配線
回路基板の内薄膜層を主に示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view mainly showing an inner thin film layer of a multilayer wiring circuit board in each repair production process which is a second embodiment for repairing a manufacturing process defect according to the present invention.

【図11】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正する
際、厚膜接続パッド上のスルーホールに絶縁物を形成す
る実施例を示す平面図と断面図である。
FIGS. 11A and 11B are a plan view and a cross-sectional view showing an embodiment in which an insulator is formed in a through hole on a thick film connection pad when correcting a manufacturing process defect according to the present invention.

【図12】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正する
際、絶縁物で絶縁された中間パッドと修正用ラインパタ
ーン(引出用ラインパターン)との補修導体ラインを用
いて接続する実施例を示す平面図及び断面図である。
FIG. 12 is a plan view showing an embodiment in which a repair conductor line between an intermediate pad insulated with an insulator and a repair line pattern (lead line pattern) is used to repair a manufacturing process defect according to the present invention. It is a figure and a sectional view.

【図13】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正する際
および機能充足/変更(論理変更)を行う際、接合金属
箔を用いて中間パッドと修正用ラインパターン(引出用
ラインパターン)との間において接続する実施例を示す
平面図及び断面図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a method for correcting a manufacturing process defect according to the present invention and performing a function fulfillment / change (logic change) between a middle pad and a repair line pattern (lead-out line pattern) using a bonding metal foil; 3A and 3B are a plan view and a cross-sectional view illustrating an example of connection in FIG.

【図14】本発明に係る製造プロセス欠陥を修正する際
および機能充足/変更(論理変更)を行う際、LSIチ
ップを取外して、接合金属箔を用いて中間パッドと修正
用ラインパターン(引出用ラインパターン)との間にお
いて接続する実施例を示す斜視図である。
FIG. 14 is a diagram showing a method of correcting a manufacturing process defect and performing a function fulfillment / change (logic change) according to the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing an example of connection between the first embodiment and a line pattern.

【図15】本発明に係るLSIチップのパッドと入出力
ピンとの間において製造プロセス欠陥の修正および機能
充足/変更(論理変更)を行う実施例を示す表面、断
面、裏面を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a front surface, a cross section, and a back surface showing an embodiment in which manufacturing process defects are corrected and functions are satisfied / changed (logical changes) between pads and input / output pins of an LSI chip according to the present invention.

【図16】本発明に係るLSIチップのパッドとプリン
ト回路基板との間において製造プロセス欠陥の修正およ
び機能充足/変更(論理変更)を行う実施例を示す斜視
図である。
FIG. 16 is a perspective view showing an embodiment in which a manufacturing process defect is corrected and a function is satisfied / changed (logical change) between a pad of an LSI chip and a printed circuit board according to the present invention.

【図17】本発明に係るセラミック回路基板において生
じた製造プロセス欠陥の修正方法を説明するための斜視
図である。
FIG. 17 is a perspective view for explaining a method of correcting a manufacturing process defect occurring in the ceramic circuit board according to the present invention.

【図18】本発明に係る製造プロセス欠陥の修正方法を
表形式でまとめて示した図である。
FIG. 18 is a diagram collectively showing in a table form a method of correcting a manufacturing process defect according to the present invention.

【図19】本発明に係る顧客要求や設計変更に伴って行
う機能充足/変更(論理変更)方法を表形式でまとめて
示した図である。
FIG. 19 is a diagram collectively showing, in a table form, a function fulfillment / change (logical change) method performed in accordance with a customer request or a design change according to the present invention.

【図20】本発明に係る生産システムの一実施例を示す
制御機器側のブロック図である。
FIG. 20 is a block diagram of a control device showing an embodiment of the production system according to the present invention.

【図21】本発明に係る生産システムの一実施例を示す
生産制御コンピュータシステム側のブロック図である。
FIG. 21 is a block diagram of a production control computer system showing an embodiment of the production system according to the present invention.

【図22】本発明に係るエキシマレーザ加工機の動作フ
ローを示す図である。
FIG. 22 is a view showing an operation flow of the excimer laser beam machine according to the present invention.

【図23】本発明に係る生産システムに用いられている
絶縁樹脂微量注入機の一実施例の構成を示すブロック図
である。
FIG. 23 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of an insulating resin micro-injection machine used in the production system according to the present invention.

【図24】図23に示す絶縁樹脂微量注入機の動作フロ
ーを示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing an operation flow of the small amount injection machine of insulating resin shown in FIG. 23;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…セラミックス回路基板、 2…薄膜配線層、 3…
内部配線パターン 4…厚膜接続パッド、 5、25…コンタクトホール 6…絶縁物、 7…中間パッド 8、8’、8”…修正用ラインパターン(引出用ライン
パターン) 9…短絡不良(ショート欠陥)、 10…第1の絶縁層 11…第2の絶縁層、 12…端子接続パッド、 13
…接合材 14…電子部品(LSIチップ、素子)、 15…補修
導体ライン 31…多層配線回路基板、 32、37、152、15
3…補修用線材 33…入出力ピン、 34…コネクタ、 35…プリン
ト回路基板 36a、36b…オープン回路欠陥パターン、 39、
40…回路パターン 41…ショート回路欠陥、 109…絶縁樹脂、 12
0…接合金属箔 121…ダム、 151…通りぬけスルーライン、 1
54…切断領域 155…厚膜接続端子 1310…厚膜工程、 1320…厚膜検査工程、 1
330…薄膜工程 1340…薄膜検査工程、 1350…修正工程、 1350a…エキシマレーザ加工機、 1350b…絶
縁樹脂微量注入機 1410〜1450…クライエントコンピュータ 1460…サーバコンピュータ、 1470…ホストコ
ンピュータ
1. Ceramic circuit board 2. Thin film wiring layer 3.
Internal wiring pattern 4 ... Thick film connection pad 5, 25 ... Contact hole 6 ... Insulator, 7 ... Intermediate pad 8, 8 ', 8 "... Repair line pattern (lead-out line pattern) 9 ... Short-circuit defect (Short defect ), 10: first insulating layer 11: second insulating layer, 12: terminal connection pad, 13
... joining material 14 ... electronic parts (LSI chip, element) 15 ... repair conductor line 31 ... multilayer wiring circuit board 32, 37, 152, 15
3: repair wire 33: input / output pin, 34: connector, 35: printed circuit board 36a, 36b: open circuit defect pattern, 39,
40: circuit pattern 41: short circuit defect, 109: insulating resin, 12
0: bonding metal foil 121: dam, 151: through-through line, 1
54: cutting region 155: thick film connection terminal 1310: thick film process, 1320: thick film inspection process, 1
330: Thin film process 1340: Thin film inspection process, 1350: Correction process, 1350a: Excimer laser processing machine, 1350b: Insulating resin micro injection machine 1410 to 1450: Client computer 1460: Server computer, 1470: Host computer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 憲一 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 福田 洋 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 渋谷 務 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 高岡 勇 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 荻原 衛 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 佐藤 重匡 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 臼井 充 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (56)参考文献 特開 昭63−102399(JP,A) 特開 平6−209169(JP,A) 特開 平5−259651(JP,A) 特開 昭63−213399(JP,A) 特開 昭61−131497(JP,A) 実開 昭62−84974(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 H01L 23/522 H05K 3/22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenichi Inoue 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd. General Computer Division (72) Inventor Hiroshi Fukuda 1st Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa, Hitachi Inside the General-purpose Computer Division of the Manufacturing Company (72) Inventor Tsukasa Shibuya 1st General Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture Inside of the General-purpose Computer Business Division, Hitachi Ltd. Within Computer Division (72) Inventor Mamoru Ogiwara 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture Hitachi Computer Co., Ltd. (72) Inventor Shigemasa Sato 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa General-purpose Computer, Hitachi Ltd. Within the business division (72) Inventor Mitsuru Usui No. 1, Horiyamashita, Hadano-shi, Kawasaki General-purpose computer division of Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-63-102399 (JP, A) JP-A-6-209169 (JP, A) (JP, A) JP-A-63-213399 (JP, A) JP-A-61-131497 (JP, A) JP-A-62-84974 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7) , DB name) H05K 3/46 H01L 23/522 H05K 3/22

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1の多層立体回路を製作する第1の多層
立体回路製作工程と、該第1の多層立体回路製作工程で
製作された第1の多層立体回路を検査して、第1の多層
立体回路の内層に存在する製造プロセスに伴う欠陥箇所
を検出する第1の検査工程と、上記第1の多層立体回路
上に、上記第1の検査工程で検出された欠陥箇所を修正
するように、多数の本来導電接続される積み重ねバッド
群のうち少なくとも一つの積み重ねパッド群の上下に隣
合う層のパッド間を絶縁体で電気的に絶縁し、該絶縁さ
れた上の層の中間パッドを修正用ラインパターンに導電
接続して構成される修正回路を組み込んで積層接続して
第2の多層立体回路を形成する第2の多層立体回路形成
工程と、該第2の多層立体回路形成工程で形成された第
2の多層立体回路および上記第1の多層立体回路を検査
する第2の検査工程とを有して第1および第2の多層立
体回路からなる多層立体回路基板を製作する多層立体回
路基板製作工程と、 該多層立体回路基板製作工程で製作された多層立体回路
基板の表面に複数のチップ部品を搭載接続してマルチチ
ップモジュールを得るチップ部品搭載接続工程とを有す
ることを特徴とするマルチチップモジュールの生産方
法。
1. A first multilayer for producing a first multilayer three-dimensional circuit.
The three-dimensional circuit manufacturing process and the first multilayer three-dimensional circuit manufacturing process
Inspection of the manufactured first multilayer three-dimensional circuit, the first multilayer
Defects in the inner layer of the three-dimensional circuit due to the manufacturing process
Inspection step for detecting the above, and the first multilayer three-dimensional circuit
Above, correct the defective part detected in the first inspection process
A large number of stacked pads that are inherently conductively connected
Adjacent above and below at least one stacked pad group in the group
Electrically insulate the pads of matching layers with an insulator.
Conduction of the intermediate pad of the upper layer to the repair line pattern
Incorporate a correction circuit configured by connecting and stacking and connecting
Forming a second multilayer three-dimensional circuit to form a second multilayer three-dimensional circuit
And forming the second multilayer three-dimensional circuit forming step.
Inspection of the second multilayer three-dimensional circuit and the first multilayer three-dimensional circuit
And a second inspection step of
Multi-layer three-dimensional circuit for manufacturing multi-layer three-dimensional circuit boards consisting of body circuits
Circuit board manufacturing process and multilayer three-dimensional circuit manufactured in the multilayer three-dimensional circuit board manufacturing process
Mount multiple chip components on the surface of the board and connect
And a chip component mounting connection process to obtain a chip module.
Multi-chip module production method characterized by
Law.
【請求項2】請求項1に記載のマルチチップモジュール
の生産方法により製造したことを特徴とするマルチチッ
プモジュール。
2. The multi-chip module according to claim 1,
Multi-chip manufactured by the method of
Module.
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