JP3194478B2 - 外部共振器型レーザ装置 - Google Patents
外部共振器型レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、片端面をＡＲ（無反
射）コートした半導体レーザを用いグレーティングによ
って光帰還を行なう、波長安定化用の外部共振器型レー
ザ装置に関するものである。
射）コートした半導体レーザを用いグレーティングによ
って光帰還を行なう、波長安定化用の外部共振器型レー
ザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、波長安定化のために用いられる外
部共振器型レーザの構成を図３に示す。図３において、
１０１は半導体レーザ、１０２，１０３は対物レンズ、
１０４はブレーズドグレーティングである。半導体レー
ザ１０１の片端面にはＡＲコーティング１０６が施さ
れ、半導体レーザ端面で形成されるファブリペローモー
ドが抑制されている。
部共振器型レーザの構成を図３に示す。図３において、
１０１は半導体レーザ、１０２，１０３は対物レンズ、
１０４はブレーズドグレーティングである。半導体レー
ザ１０１の片端面にはＡＲコーティング１０６が施さ
れ、半導体レーザ端面で形成されるファブリペローモー
ドが抑制されている。
【０００３】半導体レーザ１０１はＬＤドライバー１０
７により定電流駆動され、ＡＲ側の端面から出射された
光波はレンズ１０２でコリメートされた後、グレーティ
ング１０４で反射回折され、半導体レーザ１０１に再結
合される。さらに、グレーティング１０４への入射角
を、コントローラ１０８により制御される回転ステージ
１０５により変化させることによって、所望の波長を選
択し光帰還を行なうことができる。
７により定電流駆動され、ＡＲ側の端面から出射された
光波はレンズ１０２でコリメートされた後、グレーティ
ング１０４で反射回折され、半導体レーザ１０１に再結
合される。さらに、グレーティング１０４への入射角
を、コントローラ１０８により制御される回転ステージ
１０５により変化させることによって、所望の波長を選
択し光帰還を行なうことができる。
【０００４】通常、発振を安定させるためには、グレー
ティング１０４によってレーザ１０１へ光帰還される光
量が十分であり、波長選択性がよいことが要求される。
そのための重要なパラメータは、半導体レーザ１０１の
ＡＲコート１０６の残留反射率であり、その値はできる
限り低いことが望まれている。
ティング１０４によってレーザ１０１へ光帰還される光
量が十分であり、波長選択性がよいことが要求される。
そのための重要なパラメータは、半導体レーザ１０１の
ＡＲコート１０６の残留反射率であり、その値はできる
限り低いことが望まれている。
【０００５】特に、反射率を低くすれば、完全にファブ
リペローモードを抑制することができ、グレーティング
１０４の回転によりファブリペローモード以外の任意の
波長にチューニングできる波長可変レーザとすることも
可能であり、高精度な波長可変光源として使用用途が広
がる。
リペローモードを抑制することができ、グレーティング
１０４の回転によりファブリペローモード以外の任意の
波長にチューニングできる波長可変レーザとすることも
可能であり、高精度な波長可変光源として使用用途が広
がる。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来の構成では、無反射コーティングにより反射率を低く
すると、半導体レーザでの光出力は無反射コーティング
をした端面へ偏り、通常、光取り出し側として用いるも
う一方の端面からの光出力は小さくなってしまうという
問題があった。そのため、装置としての光出力のスロー
プ効率が小さく高出力化が望めなかった。
来の構成では、無反射コーティングにより反射率を低く
すると、半導体レーザでの光出力は無反射コーティング
をした端面へ偏り、通常、光取り出し側として用いるも
う一方の端面からの光出力は小さくなってしまうという
問題があった。そのため、装置としての光出力のスロー
プ効率が小さく高出力化が望めなかった。
【０００７】さらに無反射コーティングをした端面で、
光による端面破壊（ＣＯＤ）が起きやすく、装置の耐久
性が小さいという問題があった。
光による端面破壊（ＣＯＤ）が起きやすく、装置の耐久
性が小さいという問題があった。
【０００８】従って、本発明の目的は、上記の問題点を
克服する為に、高出力化が望め優れた耐久性を有する外
部共振器型レーザ装置を提供することにある。
克服する為に、高出力化が望め優れた耐久性を有する外
部共振器型レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明による外部共振器型レーザ装置では、半導体レーザ
と、該半導体レーザの第１の端面側に配されたグレーテ
ィングにより外部共振器が構成される外部共振器型レー
ザ装置において、該第１の端面、及び該半導体レーザか
ら外部に光を取り出す第２の端面には、第１及び第２の
コーティング膜をそれぞれ有し、かつ該第１の端面と第
２の端面からの出力光が等しくなるように、第２の端面
における実効反射率が第１の端面における実効反射率よ
りも若干小さくなるように構成したことを特徴とした
り、半導体レーザと、該半導体レーザの第１の端面側に
配されたグレーティングと、該半導体レーザの第２の端
面側に配され、第２の端面より出射した光の一部を反射
する反射ミラーとにより外部共振器が構成される外部共
振器型レーザ装置において、該第１の端面、及び該半導
体レーザから外部に光を取り出す第２の端面には、第１
及び第２のコーティング膜をそれぞれ有し、かつ第１の
端面の反射率とグレーティングの回折効率とによって決
定される第１の端面の実効反射率と、第２の端面の反射
率と反射ミラーの反射率とによって決定される第２の端
面の実効反射率とが等しくなるように構成したことを特
徴とする。
明による外部共振器型レーザ装置では、半導体レーザ
と、該半導体レーザの第１の端面側に配されたグレーテ
ィングにより外部共振器が構成される外部共振器型レー
ザ装置において、該第１の端面、及び該半導体レーザか
ら外部に光を取り出す第２の端面には、第１及び第２の
コーティング膜をそれぞれ有し、かつ該第１の端面と第
２の端面からの出力光が等しくなるように、第２の端面
における実効反射率が第１の端面における実効反射率よ
りも若干小さくなるように構成したことを特徴とした
り、半導体レーザと、該半導体レーザの第１の端面側に
配されたグレーティングと、該半導体レーザの第２の端
面側に配され、第２の端面より出射した光の一部を反射
する反射ミラーとにより外部共振器が構成される外部共
振器型レーザ装置において、該第１の端面、及び該半導
体レーザから外部に光を取り出す第２の端面には、第１
及び第２のコーティング膜をそれぞれ有し、かつ第１の
端面の反射率とグレーティングの回折効率とによって決
定される第１の端面の実効反射率と、第２の端面の反射
率と反射ミラーの反射率とによって決定される第２の端
面の実効反射率とが等しくなるように構成したことを特
徴とする。
【００１０】また、該第２の端面に該第１の端面と同じ
無反射コーティング膜が形成されていたり、該第２の端
面の外部に結合レンズおよびミラーから構成される共振
器を備えていてもよい。
無反射コーティング膜が形成されていたり、該第２の端
面の外部に結合レンズおよびミラーから構成される共振
器を備えていてもよい。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による第１実施例を示す図であ
る。１は半導体レーザ（ＬＤ）、２，３は結合レンズ、
４はブレーズドグレーティング、５は回転ステージ、６
は無反射コーティング膜、７はＬＤドライバ、８はコン
トローラ、９はコーティング膜である。
る。１は半導体レーザ（ＬＤ）、２，３は結合レンズ、
４はブレーズドグレーティング、５は回転ステージ、６
は無反射コーティング膜、７はＬＤドライバ、８はコン
トローラ、９はコーティング膜である。
【００１２】本実施例では、装置として光を取り出す第
２の半導体レーザ端面に、適当な反射率のコーティング
膜９を形成して装置を構成している。コーティング膜９
の反射率は、外部共振器を構成する部品の光学的特性、
および第１の端面の無反射コーティング６による端面反
射率によって設計される。
２の半導体レーザ端面に、適当な反射率のコーティング
膜９を形成して装置を構成している。コーティング膜９
の反射率は、外部共振器を構成する部品の光学的特性、
および第１の端面の無反射コーティング６による端面反
射率によって設計される。
【００１３】次に、本実施例における具体的な数値を示
すとともに、本実施例における設計および作製法につい
て説明する。半導体レーザ１としては８３０ｎｍ付近に
ゲインを有すリッジ型レーザを用いた。結合レンズ２，
３としては顕微鏡対物レンズ（焦点距離ｆ＝５．２ｍ
ｍ、開口数ＮＡ＝０．５５）を用い、結合効率は約６０
％であった。グレーティング４は８００ｎｍをブレーズ
ド波長とするブレーズドグレーティングであり、１２０
０ｌｉｎｅ／ｍｍなるグレーティング本数をもち、Ｓ偏
光入射に対し約３０％の回折効率を示した。
すとともに、本実施例における設計および作製法につい
て説明する。半導体レーザ１としては８３０ｎｍ付近に
ゲインを有すリッジ型レーザを用いた。結合レンズ２，
３としては顕微鏡対物レンズ（焦点距離ｆ＝５．２ｍ
ｍ、開口数ＮＡ＝０．５５）を用い、結合効率は約６０
％であった。グレーティング４は８００ｎｍをブレーズ
ド波長とするブレーズドグレーティングであり、１２０
０ｌｉｎｅ／ｍｍなるグレーティング本数をもち、Ｓ偏
光入射に対し約３０％の回折効率を示した。
【００１４】第１の端面の無反射コーティング６は、電
子ビーム蒸着法によりＺｒＯ2膜を、ちょうど発振波長
λの１／４の光学膜厚を持つようにコーティングした。
この時の端面反射率Ｒ10＝０．０１であった。第２の端
面のコーティング９も、同じく電子ビーム蒸着法により
ＺｒＯ2膜をコーティングした。第２の端面反射率Ｒ20
は以下のようにして決定した。
子ビーム蒸着法によりＺｒＯ2膜を、ちょうど発振波長
λの１／４の光学膜厚を持つようにコーティングした。
この時の端面反射率Ｒ10＝０．０１であった。第２の端
面のコーティング９も、同じく電子ビーム蒸着法により
ＺｒＯ2膜をコーティングした。第２の端面反射率Ｒ20
は以下のようにして決定した。
【００１５】まず、第１の端面反射率Ｒ10と外部共振器
を構成する光学部品の特性とから、光帰還による第１の
端面での反射率Ｒ1FBと、さらに光帰還光を含む第１の
端面での実効的な反射率Ｒ1effを見積る。
を構成する光学部品の特性とから、光帰還による第１の
端面での反射率Ｒ1FBと、さらに光帰還光を含む第１の
端面での実効的な反射率Ｒ1effを見積る。
【００１６】 Ｒ1FB＝（１−Ｒ10）2ηinηoutηgra Ｒ1eff＝Ｒ10＋Ｒ1FB ここで、ηin、ηoutは結合レンズ２による入力、出力
結合効率でありηin＝ηout＝０．６とした。ηgraはグ
レーティング４による回折効率であり、前述の通りη
gra＝０．３とした。
結合効率でありηin＝ηout＝０．６とした。ηgraはグ
レーティング４による回折効率であり、前述の通りη
gra＝０．３とした。
【００１７】以上のデータから、Ｒ10＝０．０１のとき
Ｒ1FB＝０．１０５８、Ｒ1eff＝０．１１５８となる。
Ｒ1FB＝０．１０５８、Ｒ1eff＝０．１１５８となる。
【００１８】本発明では、第１の端面と第２の端面から
の出力光がほぼ同じであることをめざしているため、第
１、２の端面からの電流−光出力特性で、同じスロープ
効率ｋ1，ｋ2を得るような条件、 ｋ1／ｋ2＝（Ｒ20／Ｒ1eff）1/2・｛（１−Ｒ10）／（１−Ｒ20）｝＝１ から第２の端面での実効的な反射率Ｒ20を求めると、Ｒ
20＝０．０９６５なる値が得られる。
の出力光がほぼ同じであることをめざしているため、第
１、２の端面からの電流−光出力特性で、同じスロープ
効率ｋ1，ｋ2を得るような条件、 ｋ1／ｋ2＝（Ｒ20／Ｒ1eff）1/2・｛（１−Ｒ10）／（１−Ｒ20）｝＝１ から第２の端面での実効的な反射率Ｒ20を求めると、Ｒ
20＝０．０９６５なる値が得られる。
【００１９】これらの見積りからわかるように、Ｒ20は
Ｒ1effより若干小さい値となる。ここでは、Ｒ10＝０．
０１として見積ったが、第１の端面反射率Ｒ10はいくら
であってもこの傾向は変わらない。従って、Ｒ20＜Ｒ
1effとすることで本発明の効果である両端面への出力光
の均等化が図られることになる。
Ｒ1effより若干小さい値となる。ここでは、Ｒ10＝０．
０１として見積ったが、第１の端面反射率Ｒ10はいくら
であってもこの傾向は変わらない。従って、Ｒ20＜Ｒ
1effとすることで本発明の効果である両端面への出力光
の均等化が図られることになる。
【００２０】第２の端面がＲ20の反射率となるために、
第２端面のコーティング９は、無反射コーティングと同
様の方法で膜厚を制御した。実際には、計算により求め
られる膜厚に対し、蒸着時間を予測して制御した。
第２端面のコーティング９は、無反射コーティングと同
様の方法で膜厚を制御した。実際には、計算により求め
られる膜厚に対し、蒸着時間を予測して制御した。
【００２１】以上のように、第２の端面の反射率Ｒ
20を、第１の端面の実効反射率Ｒ1effより小さくするこ
とで、半導体レーザ１の両端面からの光出力をほぼ同等
にすることができ、それにより外部への光取出し効率が
大きくなり高出力化できるようになった。
20を、第１の端面の実効反射率Ｒ1effより小さくするこ
とで、半導体レーザ１の両端面からの光出力をほぼ同等
にすることができ、それにより外部への光取出し効率が
大きくなり高出力化できるようになった。
【００２２】また、片側の端面に光出力が偏らないた
め、無反射コーティングを施した端面のみがいち早く劣
化するようなことがなくなり、装置の寿命が長くなり耐
久性が向上した。
め、無反射コーティングを施した端面のみがいち早く劣
化するようなことがなくなり、装置の寿命が長くなり耐
久性が向上した。
【００２３】次に、図２に本発明における第２実施例を
示す。同図において、１〜８は図１と同じ部材であり、
１０は反射ミラーである。本実施例では、第２の端面に
は第１の端面と同じ無反射コーティング６が施されてい
る。そして、第２の端面から出射された光は、結合レン
ズ３を用いてコリメートされ反射ミラー１０に入射し、
反射ミラー１０によって反射し、レーザ端面に代わって
共振器をなしている。反射ミラー１０の反射率は、グレ
ーティング４からなる外部共振器を構成する部品の光学
特性および第１の端面の端面反射率、そして第２の端面
の端面反射率によって決定される。
示す。同図において、１〜８は図１と同じ部材であり、
１０は反射ミラーである。本実施例では、第２の端面に
は第１の端面と同じ無反射コーティング６が施されてい
る。そして、第２の端面から出射された光は、結合レン
ズ３を用いてコリメートされ反射ミラー１０に入射し、
反射ミラー１０によって反射し、レーザ端面に代わって
共振器をなしている。反射ミラー１０の反射率は、グレ
ーティング４からなる外部共振器を構成する部品の光学
特性および第１の端面の端面反射率、そして第２の端面
の端面反射率によって決定される。
【００２４】第２実施例が第１実施例と異なるのは、光
取出し側の実効反射率が、第２の端面の反射率と反射ミ
ラー１０からの光帰還による反射率から決定される点で
ある。
取出し側の実効反射率が、第２の端面の反射率と反射ミ
ラー１０からの光帰還による反射率から決定される点で
ある。
【００２５】本発明のめざすように半導体レーザ端面の
出力を両端面で等しくするには、両端面の実効反射率Ｒ
1effとＲ2effを等しくすればよい。従って、本実施例の
ように、端面反射率Ｒ10，Ｒ20が等しければ、反射ミラ
ー１０の反射率はグレーティング４の回折効率と同じη
gra＝０．３とすればよい。
出力を両端面で等しくするには、両端面の実効反射率Ｒ
1effとＲ2effを等しくすればよい。従って、本実施例の
ように、端面反射率Ｒ10，Ｒ20が等しければ、反射ミラ
ー１０の反射率はグレーティング４の回折効率と同じη
gra＝０．３とすればよい。
【００２６】さらに、本実施例では両端面の反射率を等
しくしたが、必ずしも等しくする必要はない。当然、第
１実施例で設計した第２の端面における反射率Ｒ20＝
０．０９６５より小さければよく、反射率の低減の度合
によって反射ミラー１０の反射率を変え、第２の端面へ
の光帰還量を調整すればよい。
しくしたが、必ずしも等しくする必要はない。当然、第
１実施例で設計した第２の端面における反射率Ｒ20＝
０．０９６５より小さければよく、反射率の低減の度合
によって反射ミラー１０の反射率を変え、第２の端面へ
の光帰還量を調整すればよい。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、光取出し端面の端面反射率もしくは実効反射率を、
結合レンズおよびグレーティングによって形成される外
部共振器の光帰還量にあわせて決定し、半導体レーザ端
面からの光出力を両端面において均等化することで、 外部共振器レーザの光取出し効率が上がり、高出力
化が図れる。 端面劣化しにくくなり装置の耐久性が向上する。 という効果がある。
ば、光取出し端面の端面反射率もしくは実効反射率を、
結合レンズおよびグレーティングによって形成される外
部共振器の光帰還量にあわせて決定し、半導体レーザ端
面からの光出力を両端面において均等化することで、 外部共振器レーザの光取出し効率が上がり、高出力
化が図れる。 端面劣化しにくくなり装置の耐久性が向上する。 という効果がある。
【図１】本発明における第１実施例を示す図。
【図２】本発明における第２実施例を示す図。
【図３】従来例を示す図。
１ 半導体レーザ ２，３ 結合レンズ ４ ブレーズドグレーティング ５ 回転ステージ ６ 無反射コーティング膜 ７ ＬＤドライバ ８ コントローラ ９ コーティング膜 １０ ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−84983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−110187（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−250384（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−120991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−145887（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−162583（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−136589（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−210891（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173772（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザと、該半導体レーザの第１の
端面側に配されたグレーティングにより外部共振器が構
成される外部共振器型レーザ装置において、該第１の端
面、及び該半導体レーザから外部に光を取り出す第２の
端面には、第１及び第２のコーティング膜をそれぞれ有
し、かつ該第１の端面と第２の端面からの出力光が等し
くなるように、第２の端面における実効反射率が第１の
端面における実効反射率よりも若干小さくなるように構
成したことを特徴とする外部共振器型レーザ。 - 【請求項２】半導体レーザと、該半導体レーザの第１の
端面側に配されたグレーティングと、該半導体レーザの
第２の端面側に配され、第２の端面より出射した光の一
部を反射する反射ミラーとにより外部共振器が構成され
る外部共振器型レーザ装置において、該第１の端面、及
び該半導体レーザから外部に光を取り出す第２の端面に
は、第１及び第２のコーティング膜をそれぞれ有し、か
つ第１の端面の反射率とグレーティングの回折効率とに
よって決定される第１の端面の実効反射率と、第２の端
面の反射率と反射ミラーの反射率とによって決定される
第２の端面の実効反射率とが等しくなるように構成した
ことを特徴とする外部共振器型レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772391A JP3194478B2 (ja) | 1991-06-01 | 1991-06-01 | 外部共振器型レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772391A JP3194478B2 (ja) | 1991-06-01 | 1991-06-01 | 外部共振器型レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132598A JPH06132598A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3194478B2 true JP3194478B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=15655964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15772391A Expired - Fee Related JP3194478B2 (ja) | 1991-06-01 | 1991-06-01 | 外部共振器型レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194478B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321711A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Canon Inc | 光送信装置、光送受信装置、光通信システム、送信波長制御方法、及び光通信方法 |
| TW201401699A (zh) | 2012-04-09 | 2014-01-01 | Sony Corp | 半導體雷射裝置組立體 |
| JP6319883B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2018-05-09 | 国立大学法人東北大学 | 波長フィルタおよびレーザ |
| JPWO2016152730A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-01-11 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
-
1991
- 1991-06-01 JP JP15772391A patent/JP3194478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06132598A (ja) | 1994-05-13 |
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