JP3191883B2 - Active matrix substrate inspection equipment for liquid crystal - Google Patents

Active matrix substrate inspection equipment for liquid crystal

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JP3191883B2 JP11867992A JP11867992A JP3191883B2 JP 3191883 B2 JP3191883 B2 JP 3191883B2 JP 11867992 A JP11867992 A JP 11867992A JP 11867992 A JP11867992 A JP 11867992A JP 3191883 B2 JP3191883 B2 JP 3191883B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は液晶表示器におけるそ
の各画素を選択表示するために形成された薄膜トランジ
スタを用いて各画素を順次選択してこれに対して映像信
号と対応した電荷を補助容量に蓄積して、液晶を封入す
る前に薄膜トランジスタのマトリックス基板を検査する
検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, in which each pixel is sequentially selected by using a thin film transistor formed for selectively displaying the pixel, and an electric charge corresponding to a video signal is stored in an auxiliary capacitor. The present invention relates to an inspection apparatus for inspecting a matrix substrate of a thin film transistor before liquid crystal is sealed therein.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に液晶用アクティブマトリックス基
板を示す。ガラスのような透明基板11上に互いに平行
した複数のゲート線121 乃至12m が設けられてい
る。これらゲート線121 〜12m と直交して複数のデ
ータ線131 乃至13n が平行に設けられている。これ
らゲート線とデータ線との各交差点に、それぞれ薄膜ト
ランジスタ1411乃至14mnが設けられ、これら薄膜ト
ランジスタはそのすぐ近くのゲート線にゲートが接続さ
れ、データ線にソースが接続され、ドレインが図に示し
ていないが画素電極に接続されている。通常液晶自体に
よる各画素電極と共通電極との容量が少いため補助容量
1511乃至15mnの各一端が薄膜トランジスタ1411
至14mnのドレインの対応するものにそれぞれ接続さ
れ、これら補助容量1511乃至15mnの各他端は補助容
量共通接地端子16に接続されている。つまり実際に液
晶表示器として作られた場合においては各補助容量に対
して点線で示すように各画素電極と共通電極との間の液
晶にもとづく液晶容量17がそれぞれ並列に構成され
る。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an active matrix substrate for liquid crystal. A plurality of gate lines 12 1 to 12 m were parallel to each other on a transparent substrate 11 such as glass is provided. Perpendicular to the gate lines 12 1 to 12 m are a plurality of data lines 13 1 to 13 n are provided in parallel. At each intersection of these gate lines and data lines, thin film transistors 14 11 to 14 mn are respectively provided, these thin-film transistor has a gate connected to the immediate vicinity of the gate line, a source connected to a data line, a drain in FIG. Although not shown, it is connected to the pixel electrode. Usually are connected to one respective end of the auxiliary capacitor 15 11 to 15 mn for capacity is small between the common electrode and the pixel electrode by the liquid crystal itself corresponds drain of the thin film transistors 14 11 to 14 mn, these auxiliary capacitance 15 11 to The other ends of the 15 mn are connected to the auxiliary capacitance common ground terminal 16. That is, when the liquid crystal display is actually manufactured, liquid crystal capacitors 17 based on the liquid crystal between each pixel electrode and the common electrode are formed in parallel with each auxiliary capacitor as shown by a dotted line.

【0003】ゲート線121 乃至12m は行選択シフト
レジスタ18の各シフト段に順次それぞれ接続されてい
る。データ線131 乃至13n はそれぞれ列選択スイッ
チ191 乃至19n を通じて映像入力端子21に接続さ
れている。列選択スイッチ191 乃至19n としての各
薄膜トランジスタのゲートは、それぞれ列選択シフトレ
ジスタ22のn個のシフト段の対応するものに順次接続
されている。この薄膜トランジスタ1411乃至14mn
スイッチ191 乃至19n はそれぞれ活性領域が多結晶
シリコンで構成されたものである。行選択シフトレジス
タ18、列選択シフトレジスタ22も同様な薄膜トラン
ジスタで構成されている。
[0003] are connected sequentially to each shift stage of the gate lines 12 1 to 12 m row selection shift register 18. The data lines 13 1 to 13 n are connected to the video input terminal 21 through column selection switches 19 1 to 19 n , respectively. The gates of the respective thin film transistors as the column selection switches 19 1 to 19 n are sequentially connected to corresponding ones of the n shift stages of the column selection shift register 22. These thin film transistors 14 11 to 14 mn ,
Switch 19 1 to 19 n are those active region are composed of a polycrystalline silicon, respectively. The row selection shift register 18 and the column selection shift register 22 are also formed of similar thin film transistors.

【0004】行選択シフトレジスタ18の端子23に垂
直起動信号が与えられ、又端子24に垂直動作クロック
が端子24に与えられると水平周期ごとに行選択シフト
レジスタ18はそのシフト段に順次高レベルを出力し、
即ちゲート線121 乃至12 m に対し順次高レベルを出
力する。同様に列選択シフトレジスタ22の端子25に
水平起動信号が与えられ、端子26に水平動作クロック
が与えられると、画素周期ごとに列選択シフトレジスタ
のシフト段が順次高レベルとなって列選択スイッチ19
1 乃至19n のゲートに順次高レベルが与えられる。従
って例えばゲート線121 が高レベルの間において列選
択スイッチ191 のゲートが高レベルになると薄膜トラ
ンジスタ1411がオンとなり、端子21の映像信号がス
イッチ191 を通じ、更に薄膜トランジスタ1411を通
じて補助容量1511にその映像入力のレベルに応じた電
荷が充電される。このゲート線121 が高レベルの間に
列選択スイッチ191 乃至19n が順次オンとなるた
め、薄膜トランジスタ1411乃至141nが順次オンとな
ってそれぞれ映像入力端子21よりのその時の映像信号
レベルに応じて対応する補助容量1511乃至151nに対
する電荷の充電がなされる。その後ゲート線122 が高
レベルになり、そのゲート線の画素に対する走査が行な
われる。以下同様にして全体の薄膜トランジスタのマト
リックス、つまり各画素電極に対する走査が行なわれる
ことになる。
The terminal 23 of the row selection shift register 18
A direct start signal is given, and a vertical operation clock is
Is applied to terminal 24, row selection shift every horizontal cycle
The register 18 sequentially outputs a high level to the shift stage,
That is, the gate line 121To 12 mHigh level
Power. Similarly, the terminal 25 of the column selection shift register 22
A horizontal start signal is supplied, and a horizontal operation clock is
Is given, the column selection shift register
Become sequentially high, and the column selection switch 19
1To 19nAre sequentially given a high level. Obedience
For example, the gate line 121Row selection between high levels
Selection switch 191When the gate of the
Transistor 1411Turns on and the video signal at terminal 21
Itch 191Through the thin film transistor 1411Through
15 storage capacity11Power to the video input level.
The load is charged. This gate line 121While high level
Column selection switch 191To 19nAre turned on sequentially
The thin film transistor 1411To 141nAre turned on sequentially
Is the video signal at that time from the video input terminal 21
Auxiliary capacity 15 corresponding to level11To 151nTo
Is charged. Then the gate line 12TwoIs high
Level, and scanning is performed for the pixels on that gate line.
Is In the same manner, the entire thin film transistor mat
Rix, that is, scanning for each pixel electrode is performed
Will be.

【0005】このような液晶用アクティブマトリックス
基板に対してする試験としては、つまり液晶を封入する
前の試験としてはゲート線121 乃至12m やデータ線
13 1 乃至13n について補助パットを基板11上に設
けてこれらが短絡状態や開放状態となっているか否かを
検査するのみであり、各薄膜トランジスタが対応するゲ
ート線やデータ線に接続されているか否かの検査や又薄
膜トランジスタが正しく動作するか否かの検査、さらに
補助容量が正常かどうかの検査をすることは従来は行う
ことができなかった。このため液晶を封入後、液晶表示
器として表示動作をさせ、その表示状態から各画素が正
しく表示するかどうかを検査し、つまり画素の欠陥を見
つける検査がなされていた。従って完成された液晶表示
器で検査するためこれが不良であった場合大きな無駄と
なってしまう問題があった。
[0005] Such an active matrix for liquid crystal.
As a test on the substrate, that is, enclose the liquid crystal
In the previous test, the gate line 121To 12mAnd data lines
13 1Thirteen to thirteennAn auxiliary pad is set on the substrate 11 for
To determine whether they are in a short-circuit or open state.
Only the inspection is performed.
Check whether the cable is connected to the
Inspect whether the membrane transistor operates correctly, and furthermore
Checking whether the auxiliary capacity is normal is done conventionally
I couldn't do that. For this reason, after filling the liquid crystal, the liquid crystal display
The display operation is performed as a
Check that the display is correct, that is, check for pixel defects.
An inspection was being conducted. Therefore the completed liquid crystal display
If this is bad because it is inspected with a container, it will be a great waste
There was a problem.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は液晶
を封入する前の状態において液晶用アクティブマトリッ
クス基板を、その薄膜トランジスタや補助容量などの各
画素ごとについて良、不良を検査することができる液晶
用アクティブマトリックス基板検査装置を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of inspecting a liquid crystal active matrix substrate for good and bad for each pixel such as a thin film transistor and an auxiliary capacitor before the liquid crystal is sealed. The present invention provides an active matrix substrate inspection apparatus for use.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明によれば被試験
液晶用アクティブマトリックス基板の各画素が走査手段
によって順次選択され、その各画素の選択と同期して検
査信号発生部から画素選択期間の初めより遅れてその選
択期間よりも短い試験信号が各画素ごとに発生されて補
助容量共通接地端子又は映像入力端子に供給される。ま
た、画素選択と同期して映像入力端子又は補助容量共通
接地端子からの出力が処理部に取り込まれ、その各画素
ごとの相対的レベルよりその被試験液晶用アクティブマ
トリックス基板の各画素ごとの良、不良の判定が行われ
る。又前記映像入力端子又は補助容量共通接地端子の出
力が取り出される端子と、装置の共通電位点端子との間
にスイッチが設けられ、そのスイッチは各画素選択期間
の初めにおいて短時間オンに制御される。
According to the present invention, each pixel of the active matrix substrate for the liquid crystal under test is sequentially selected by the scanning means, and the inspection signal generating section supplies the pixel selection period in synchronization with the selection of each pixel. A test signal shorter than the selection period, which is later than the start, is generated for each pixel and supplied to the auxiliary capacitance common ground terminal or the video input terminal. In addition, the output from the video input terminal or the auxiliary capacitor common ground terminal is taken into the processing section in synchronization with the pixel selection, and the output level of each pixel of the liquid crystal active matrix substrate under test is determined based on the relative level of each pixel. , A defect is determined. A switch is provided between a terminal from which the output of the video input terminal or the auxiliary capacitance common ground terminal is taken out and a common potential point terminal of the device, and the switch is controlled to be turned on for a short time at the beginning of each pixel selection period. You.

【0008】[0008]

【実施例】次にこの発明の実施例を図1を参照して説明
しよう。図1Aにおいて、被試験液晶用アクティブマト
リックス基板31は図3に示した物と同様の構成をして
いるが、この図においては1つの列選択スイッチ191
とこれに接続された薄膜トランジスタ1411乃至14m1
を示し、後は省略している。走査タイミング発生部32
から図3における垂直起動信号端子23、垂直動作クロ
ック端子24、水平起動信号端子25、水平動作クロッ
ク端子26に対してそれぞれ対応する信号が与えられ
る。これら信号により図に示していないが図3と同様に
被試験液晶用アクティブマトリックス基板31の行選択
シフトレジスタ18、列選択レジスタ22が動作して各
薄膜トランジスタ1411乃至14mnが順次オンとされ、
つまり各画素が順次走査される。ある1本のゲート線が
選択され、つまりそのゲート線が高レベルの状態におい
て図1Bのaに示すように各画素選択周期Tごとに列選
択スイッチが順次オンとされてそのゲート線に接続され
た薄膜トランジスタが順次その画素選択周期Tの間オン
とされる。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1A, an active matrix substrate 31 for a liquid crystal under test has the same configuration as that shown in FIG. 3, but in this figure, one column selection switch 19 1.
And the thin film transistors 14 11 to 14 m1 connected thereto.
, And the rest is omitted. Scan timing generator 32
3, corresponding signals are supplied to the vertical start signal terminal 23, the vertical operation clock terminal 24, the horizontal start signal terminal 25, and the horizontal operation clock terminal 26 in FIG. Although not shown in the figure, the row selection shift register 18 and column selection register 22 of the liquid crystal active matrix substrate 31 to be tested are operated by these signals to turn on the thin film transistors 14 11 to 14 mn sequentially as in FIG.
That is, each pixel is sequentially scanned. When a certain gate line is selected, that is, when the gate line is at a high level, a column selection switch is sequentially turned on for each pixel selection period T as shown in FIG. 1B and connected to the gate line. The thin film transistors are sequentially turned on during the pixel selection period T.

【0009】検査信号発生部33から図1Bのbに示す
ように各画素選択周期Tの初めより△t1 だけ遅れて立
上る方形波の検査信号が出力される。この検査信号はそ
の画素選択周期の終りよりも前に立下り、従って検査信
号の立下りからその画素選択周期の終りまでの期間△t
2 は信号が無い期間となる。このような画素選択周期よ
りも短い検査信号がこの例においては補助容量共通接地
端子16に供給される。従ってこの画素選択周期におい
てオンとなっている薄膜トランジスタ14ij(i=1,
2,…m,j=1,2,…n)とオンとなっている列選
択スイッチ19 j を通じて、補助容量15ijに対する充
電が行なわれ、これが映像入力端子21にその出力とし
て、例えば図1Bのdに示すような波形の出力が現われ
る。
FIG. 1B shows the signal from the test signal generator 33.
From the beginning of each pixel selection period T1Standing up just late
A rising square wave test signal is output. This test signal is
Fall before the end of the pixel selection cycle of
△ t from the falling edge of the signal to the end of the pixel selection cycle
TwoIs a period when there is no signal. Such a pixel selection cycle
Shorter test signal in this example is the auxiliary capacitance common ground
It is supplied to terminal 16. Therefore, in this pixel selection cycle,
Thin film transistor 14 turned onij(I = 1,
2, ... m, j = 1,2, ... n)
Selection switch 19 jThrough the auxiliary capacity 15ijCharge for
Is supplied to the video input terminal 21 as its output.
Thus, for example, an output having a waveform as shown in FIG.
You.

【0010】この映像入力端子21に現われた出力はイ
ンピーダンス変換回路34により高インピーダンス入力
から低インピーダンス出力に変換されてサンプルホール
ド回路35に供給され、各検査信号の終り近くでサンプ
ル保持され、その出力は増幅器36で増幅されたのちA
/D変換器37でデジタル信号に変換されて画像処理部
38に供給される。A/D変換器37においては図1B
のbに示すようにサンプルホールド回路35でのサンプ
ルホールドの後で、かつ検査信号の終りに近い期間のサ
ンプリングパルスによってサンプルされ、そのサンプル
値がデジタル値に変換される。画像処理部38では隣接
画素間におけるその入力データの相対レベル、つまり端
子21から出力された信号のレベルを相対的に比較して
これらレベルから欠陥の有無を調べる。
The output appearing at the video input terminal 21 is converted from a high-impedance input to a low-impedance output by an impedance conversion circuit 34 and supplied to a sample-and-hold circuit 35, where the sample is held near the end of each test signal, and its output is output. Is amplified by the amplifier 36 and then A
The signal is converted into a digital signal by the / D converter 37 and supplied to the image processing unit 38. 1B in the A / D converter 37.
As shown in (b), after the sample and hold in the sample and hold circuit 35 and by the sampling pulse for the period near the end of the test signal, the sampled value is converted into a digital value. The image processing unit 38 relatively compares the relative level of the input data between adjacent pixels, that is, the level of the signal output from the terminal 21, and checks the presence or absence of a defect from these levels.

【0011】つまり例えば補助容量15ijが短絡状態に
なっているとその補助容量15ijが接続された薄膜トラ
ンジスタ14ijが選択されてオンとされた時に、映像入
力端子21に大きな出力が生じる。図2Aは横方向に各
画素の配列、つまりゲート線に沿う薄膜トランジスタ1
ijの配列を示し、奥行方向に各ゲート線12i の配列
を示し、その各ゲート線ごとにおける画素配列に対応し
た出力レベルを画面に表示した状態の例を示している。
この図2Aの両脇の低レベル部分は、薄膜トランジスタ
のすべてがオフとされていて出力が生じない状態を示
し、ほぼ一定のレベルを保持し、周辺の無効画面部分で
あり、これら間は有効画面、つまり有効画素であり、無
効画面部分よりも高いほぼ同一レベルの状態となってい
る部分は各画素が良好であることを示しているが、途中
でピーク39が生じているのはその位置と対応する画素
の補助容量が短絡されていて大きなピークが生じたこと
を表示している。つまり、例えば試験信号の方形波のピ
ークとして6Vの方形波を入力した場合において、他の
画素との振幅差で151mVの突出したピークがピーク
39として生じた。また端子16に1Vの直流を印加し
た場合に前記ピーク39が生じた位置と対応するデータ
線で端子21に49mVの出力が生じたことから、補助
容量共通接地端子16とそのデータ線との間のインピー
ダンスが低くなり、補助容量の短絡不良と推定される。
That is, for example, when the auxiliary capacitance 15 ij is short-circuited, a large output is generated at the video input terminal 21 when the thin film transistor 14 ij to which the auxiliary capacitance 15 ij is connected is selected and turned on. FIG. 2A shows the arrangement of each pixel in the horizontal direction, that is, the thin film transistor 1 along the gate line.
4 shows an arrangement of the ij, shows the arrangement of the gate lines 12 i in the depth direction, shows an example of a state of displaying the output level corresponding to the pixel arrangement in each their respective gate lines on the screen.
The low level portion on both sides of FIG. 2A indicates a state where all of the thin film transistors are turned off and no output is generated, holds a substantially constant level, and is a peripheral invalid screen portion. In other words, a portion that is an effective pixel and is in a state of substantially the same level higher than the invalid screen portion indicates that each pixel is good, but the peak 39 occurs halfway along that position. This indicates that the storage capacitor of the corresponding pixel is short-circuited and a large peak has occurred. That is, for example, when a square wave of 6 V is input as a peak of the square wave of the test signal, a peak of 151 mV is generated as a peak 39 due to an amplitude difference from other pixels. When 1 V DC was applied to the terminal 16, an output of 49 mV was generated at the terminal 21 at the data line corresponding to the position where the peak 39 occurred. Is reduced, and it is estimated that short-circuit failure of the auxiliary capacitance occurs.

【0012】図2Bは同様に測定した表示例であるが、
その右端に近い部分において大きなピークが生じている
のは線欠陥、つまりこの位置と対応するデータ線が欠陥
であってこのデータ線が選択された時に必ずピークが生
じている状態が示されている。このピーク41が示す線
欠陥の右側隣りに、ゲート線列の真中付近にレベルが低
下した低レベル部分42が生じている。すなわち前記6
Vのピーク方形波の印加に対して、端子21に−4mV
が生じ、他の画素との間で振幅差が生じているが、これ
はその部分の薄膜トランジスタ14ijの接続不良に基ず
くものと推定される。このように画像処理部38におい
て画像処理して図2Aや図2Bに示すような画像として
検査結果が表示され、これを見ることによって各画素ご
とに欠陥の有無が表示される。
FIG. 2B shows an example of a display measured in the same manner.
The occurrence of a large peak near the right end indicates a line defect, that is, a state where a data line corresponding to this position is defective and a peak always occurs when this data line is selected. . On the right side of the line defect indicated by the peak 41, there is a low-level portion 42 whose level has dropped near the middle of the gate line row. That is, the 6
-4 mV is applied to the terminal 21 with respect to the application of the peak square wave of V.
Occurs, and an amplitude difference occurs with the other pixels, which is presumed to be based on the poor connection of the thin film transistor 14ij in that portion. In this way, the image processing unit 38 performs image processing, and displays the inspection result as an image as shown in FIGS. 2A and 2B. By viewing the inspection result, the presence or absence of a defect is displayed for each pixel.

【0013】ところで補助容量15ijの短絡などによっ
て検査信号を印加した時に過電流が流れると、映像入力
端子21と列選択スイッチ191 乃至19n との各接続
部分のこれらを含めた共通電位点に対する浮遊容量(寄
生容量)44が存在しており、これに対する充電が大き
くなされ、又各データ線13j についても共通電位点に
対してそれぞれ浮遊容量(寄生容量)451 乃至45n
が存在するが、欠陥があるデータ線に過電流が流れる
と、そのデータ線に対する浮遊容量45j に対しても過
充電がなされる。浮遊容量44に対し過充電がなされる
と、一つの薄膜トランジスタ14ijを選択しオンにし、
次の画素選択周期において隣りの薄膜トランジスタ14
ij+1をオンとした時に浮遊容量44の電荷が残っている
と、これが端子21に出力されてその時選択した薄膜ト
ランジスタ14ij+1を含む画素が正常な場合でも、これ
が不良として誤検出されることになる。同様に浮遊容量
45 j についてもこれに過充電がなされ、その過充電の
後に1水平周期して再びそのデータ線と次のゲート線と
に接続された薄膜トランジスタ14i+1jがオンにされた
時に浮遊容量45j の電荷が残っていると、薄膜トラン
ジスタ14i+1jを含む画素が正常でも不良として検出す
る恐れがある。
By the way, the auxiliary capacitance 15ijShort circuit, etc.
If an overcurrent flows when a test signal is applied to the
Terminal 21 and column selection switch 191To 19nEach connection with
Stray capacitance to the common potential point including these
Raw capacity) 44, and charging for this is large.
And each data line 13jAlso at the common potential point
In contrast, stray capacitance (parasitic capacitance) 451To 45n
Exists, but an overcurrent flows through the defective data line
And the stray capacitance 45 for the data linejToo
Charging is done. The stray capacitance 44 is overcharged
And one thin film transistor 14ijSelect and turn on,
In the next pixel selection cycle, the adjacent thin film transistor 14
ij + 1When the switch is turned on, the charge of the stray capacitance 44 remains.
Is output to the terminal 21 and the thin film transistor selected at that time is output.
Transistor 14ij + 1Even if the pixel containing
Is erroneously detected as a defect. Similarly stray capacitance
45 jIs also overcharged, and the overcharge
Later, after one horizontal cycle, the data line and the next gate line
Thin film transistor 14 connected toi + 1jWas turned on
Sometimes stray capacitance 45jCharge remains on the thin film transformer.
Vista 14i + 1jEven if the pixel containing
There is a risk that.

【0014】このような点から図1Aに示すように端子
21と装置の共通電位点との間にスイッチ46が接続さ
れる。スイッチ46はオン抵抗が小さく高速動作をし、
しかも端子容量の小さいもので、例えばFETスイッチ
にて構成される。このスイッチ46は走査タイミング発
生部32から図1Bのcに示すように、この例において
は各画素選択周期の初めの区間と終わりの区間とがオン
とされる。このためその画素選択周期の初めにおいてス
イッチ46がオンとなり、浮遊容量44に貯えられた電
荷がスイッチ46を通じて直ちに放電される。また画素
選択周期の初めにおいて例えば列選択スイッチ191
オンとされると、これに接続されたデータ線131 の浮
遊容量451 に貯えられた電荷がスイッチ191 ,46
を通じて直ちに放電される。
From such a point, the switch 46 is connected between the terminal 21 and the common potential point of the device as shown in FIG. 1A. The switch 46 has a low on-resistance and operates at high speed.
Moreover, it has a small terminal capacitance and is constituted by, for example, an FET switch. As shown in FIG. 1B, the switch 46 is turned on from the scanning timing generator 32 in the first section and the last section of each pixel selection cycle in this example. Therefore, the switch 46 is turned on at the beginning of the pixel selection cycle, and the charge stored in the floating capacitance 44 is immediately discharged through the switch 46. When, for example, the column selection switch 19 1 is turned on at the beginning of the pixel selection cycle, the charges stored in the floating capacitance 45 1 of the data line 13 1 connected thereto are switched to the switches 19 1 and 46.
Immediately discharged through

【0015】このように浮遊容量44,45j が放電さ
れた後に検査信号が端子16に供給されるため正しい検
査を行うことができる。又、この例においては検査信号
が立ち下ってからその画素選択周期の終りまでの間にお
いてもスイッチ46がオンとされるため、同様にその時
不良などのために浮遊容量44あるいは浮遊容量45 j
に貯えられた電荷があるとスイッチ46と列選択スイッ
チ19j を通じてそれぞれ放電され、これにより完全に
放電できなかった場合でも、次の画素選択周期(または
1水平周期後の画素選択周期)の初めにおけるスイッチ
46のオンにより、それぞれ浮遊容量44,45j の残
っている電荷が放電され、浮遊容量44,45j の電荷
が完全にゼロの状態とすることができ、正しい検査を行
うことができる。
As described above, the stray capacitances 44 and 45jIs discharged
Since the inspection signal is supplied to the terminal 16 after the
Surveys can be conducted. Also, in this example, the inspection signal
Between the falling edge and the end of the pixel selection cycle.
Switch 46 is turned on even if the
Stray capacitance 44 or stray capacitance 45 due to failure j
Switch 46 and the column selection switch
Chi 19jEach discharge through the
Even if the discharge failed, the next pixel selection cycle (or
Switch at the beginning of the pixel selection cycle after one horizontal cycle)
By turning on 46, the stray capacitances 44 and 45jRemains of
Is discharged, and stray capacitances 44 and 45 are discharged.jCharge of
Can be completely zero and the correct check
I can.

【0016】上述においてスイッチ46をオンにするの
は画素選択周期の初めだけでもよい。又検査信号の供給
は映像信号入力端子21に供給して補助容量共通接地端
子16から出力を取り出すようにしてもよい。さらに上
述において走査手段は走査タイミング発生部32と被試
験液晶用アクティブマトリックス基板31内の行選択シ
フトレジスタ18、及び列選択シフトレジスタ22など
から構成されるが、アクティブマトリックス基板31に
このようなシフトレジスタが設けられていない場合は外
部にこれらを設けてそのアクティブマトリックス基板の
画素を走査するようにすればよい。また薄膜トランジス
タとしては活性領域に多結晶シリコンを使用したものの
みならず、アモルファスシリコンを用いたものでアクテ
ィブマトリックス基板を構成したものに対する試験にも
この発明を適応することができる。
In the above description, the switch 46 may be turned on only at the beginning of the pixel selection period. The inspection signal may be supplied to the video signal input terminal 21 to take out the output from the auxiliary capacitance common ground terminal 16. Further, in the above description, the scanning means is constituted by the scanning timing generating section 32, the row selection shift register 18 in the active matrix substrate 31 for liquid crystal under test, the column selection shift register 22, and the like. When the register is not provided, these may be provided outside to scan the pixels of the active matrix substrate. Further, the present invention can be applied not only to a thin film transistor using an active region using polycrystalline silicon but also to a test using a thin film transistor using an amorphous silicon to form an active matrix substrate.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、液
晶を封入する前の基板上に形成されたアクティブマトリ
ックスのその各画素を順次選択走査し、これと同期して
検査信号を発生し、その各画素選択周期の少くとも初め
に各試験信号の取り出し部分の浮遊容量やデータ線の浮
遊容量などを除去するため正しい試験を高速に行うこと
ができる。つまり補助容量の不良や薄膜トランジスタの
不良なども正しく検出することができる。従って液晶表
示器として構成した後に検査して不良となってこれを廃
棄する場合に比べて安価なうちに不良品を検出、廃棄す
る事ができ、それだけ無駄をなくすことができる。
As described above, according to the present invention, each pixel of the active matrix formed on the substrate before enclosing the liquid crystal is sequentially selected and scanned, and the inspection signal is generated in synchronization with the scanning. At least at the beginning of each pixel selection period, a correct test can be performed at a high speed in order to remove a stray capacitance of a portion from which each test signal is extracted and a stray capacitance of a data line. That is, a defect in the auxiliary capacitance, a defect in the thin film transistor, and the like can be correctly detected. Therefore, it is possible to detect and discard a defective product at a lower cost than in a case where the liquid crystal display device is inspected after being configured as a liquid crystal display and becomes defective and discarded, thereby reducing waste.

【0018】尚、スイッチ46と並列に接続された高抵
抗の抵抗素子47は試験前において端子21から出力が
生じない前に、インピーダンス変換回路34に電源電圧
が印加され、その出力が電源の正のレベルか負のレベル
かになってしまい、試験を開始して定常状態になるまで
に時間がかかる。よってこの高抵抗素子47を通じてイ
ンピーダンス変換回路34の入力側を共通電位点電位と
しておくとよい。
The power supply voltage is applied to the impedance conversion circuit 34 before the output is generated from the terminal 21 before the test, and the output of the high-resistance resistance element 47 connected in parallel with the switch 46 is output. Or a negative level, and it takes time to start the test and reach a steady state. Therefore, it is preferable to set the input side of the impedance conversion circuit 34 to the common potential point potential through the high resistance element 47.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】Aはこの発明による検査装置の実施例を示すブ
ロック図、Bはその各部の動作波形を示すタイムチャー
トである。
FIG. 1A is a block diagram showing an embodiment of an inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 1B is a time chart showing operation waveforms of each section.

【図2】図1Aの実施例中の画像処理部38における画
像処理結果の表示例を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a display example of an image processing result in an image processing unit 38 in the embodiment of FIG. 1A.

【図3】液晶用アクティブマトリックス基板の例を示す
接続図。
FIG. 3 is a connection diagram showing an example of a liquid crystal active matrix substrate.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被試験液晶用アクティブマトリックス基
板の各画素を順次選択する走査手段と、 上記画素選択と同期してその画素選択周期の初めより遅
れてその画素選択周期より短い試験信号を各画素選択周
期ごとに発生して上記被試験液晶用アクティブマトリッ
クス基板の補助容量共通接地端子又は映像入力端子の一
方に印加する検査信号発生部と、上記補助容量共通接地端子から上記試験信号が入力され
た時の上記映像入力端子よりの出力、又は上記映像入力
端子から上記試験信号が入力された時の 上記補助容量共
通接地端子よりの出力を上記画素選択と同期して取り出
し、上記被試験液晶用アクティブマトリックス基板の
良、不良を判定できるように処理する処理部と、 上記出力が取り出される上記映像入力端子又は上記補助
容量共通接地端子と装置の共通電位点との間に設けら
れ、上記各画素選択期間の初めにオンとされるスイッチ
と、 を具備する液晶用アクティブマトリックス基板検査装
置。
1. A scanning means for sequentially selecting each pixel of an active matrix substrate for a liquid crystal under test, and a test signal, which is delayed from the beginning of the pixel selection cycle and shorter than the pixel selection cycle in synchronization with the pixel selection, is supplied to each pixel. A test signal generator which is generated for each selection cycle and is applied to one of the auxiliary capacitance common ground terminal and the video input terminal of the active matrix substrate for liquid crystal under test; and the test signal is input from the auxiliary capacitance common ground terminal.
Output from the video input terminal when the
A process of taking out an output from the auxiliary capacitance common ground terminal when the test signal is input from the terminal in synchronization with the pixel selection, and processing the active matrix substrate for a liquid crystal under test so as to determine whether it is good or bad. A switch provided between the video input terminal or the auxiliary capacitance common ground terminal from which the output is taken out and a common potential point of the device, and turned on at the beginning of each pixel selection period. Active matrix substrate inspection equipment for liquid crystal.
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