JPH10104300A - Lcd substrate inspection device and method therefor - Google Patents

Lcd substrate inspection device and method therefor

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Publication number
JPH10104300A
JPH10104300A JP9136248A JP13624897A JPH10104300A JP H10104300 A JPH10104300 A JP H10104300A JP 9136248 A JP9136248 A JP 9136248A JP 13624897 A JP13624897 A JP 13624897A JP H10104300 A JPH10104300 A JP H10104300A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
terminal
video
lcd substrate
pixel
Prior art date
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Pending
Application number
JP9136248A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaki Hayashi
林  正樹
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9136248A priority Critical patent/JPH10104300A/en
Publication of JPH10104300A publication Critical patent/JPH10104300A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an S/N ratio in the inspection of an open failure and a short defect of each pixel of an LCD(Liquid Crystal Display) substrate by ten times or more of a conventional ratio. SOLUTION: A common grounding terminal 22 of an auxiliary capacitor of an LCD substrate 10 is grounded, and an H voltage from a driver 40 is applied to a video terminal 23 to open a gate of TFT(Thin Film Transistor) so that the auxiliary capacitor 15ij is charged to the maximum extent. Next, the gate is closed, and an L voltage of grounding electric potential is applied to the video terminal 23 so that a charge of floating capacity of a data line and a video line is discharged sufficiently. Then, each picture element is driven selectively and sequentially in a picture image display mode to read information of each pixel, convert it into a current and a voltage in an I-V conversion circuit 43, sample it in a sample-and-hole circuit 34, amplify it, and perform A/D conversion by an A/D converter 36 so that amplitude values are compared in a picture image processing part 37 to judge whether it is good or not.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、プロジェクタや
リア透過型TV等に用いられる多結晶型TFT(Thin F
ilm Transistor:薄膜トランジスタ)のLCD( Liquid
Crystal Display)基板、つまり液晶表示器における各
画素の画素欠陥を検出するLCD基板検査装置及び方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polycrystalline TFT (Thin F TFT) used for a projector, a rear transmission type TV or the like.
LCD (Liquid Crystal Transistor)
The present invention relates to an LCD substrate inspection apparatus and method for detecting a pixel defect of each pixel in a crystal display (LCD) substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】初めに被測定DUTであるLCD基板に
ついて説明する。図3に多結晶型TFTのLCD基板1
0の構成図の例を示す。石英基板上に互いに平行した多
数のゲート線19j (191 〜19m )が設けられ、こ
れらのゲート線19と直交して多数のデータ線20i
(201 〜20n )が平行に設けられている。これらの
ゲート線19j とデータ線20i との各交差点にTFT
14ij(1411〜14nm)がそれぞれ設けられ、それぞ
れのTFT14ijは、すぐ近くのゲート線19j にゲー
トが、データ線20i にソースが接続され、ドレインは
補助コンデンサ15ij(1511〜15nm)に接続されて
いる。補助コンデンサ15ijの他端はそれぞれ共通に接
続されて、共通接地端子22に接続されている。つま
り、TFT14ijと補助コンデンサ15ijから成る多数
の画素がマトリックス状に配置されている。この画素数
はVGA規格では 640×480=307,200.ポイント、SV
GA規格で800×600=480,000.ポイント、XGA規格で
1,024×768=786,432. ポイントであり、EWS仕様で
は更に、1,280×1,024=1,310,720.ポイントと非常に多
くの画素が配列されている。
2. Description of the Related Art First, an LCD substrate which is a DUT to be measured will be described. FIG. 3 shows an LCD substrate 1 of a polycrystalline TFT.
0 shows an example of the configuration diagram. A plurality of gate lines 19j was parallel to the quartz substrate (19 1 ~ 19 m) is provided, a plurality of data lines 20i perpendicular to these gate lines 19
(20 1 ~20 n) are provided in parallel. A TFT is provided at each intersection of these gate lines 19j and data lines 20i.
14ij (14 11 to 14 nm ), each TFT 14ij has a gate connected to a nearby gate line 19j, a source connected to a data line 20i, and a drain connected to an auxiliary capacitor 15ij (15 11 to 15 nm ). It is connected. The other ends of the auxiliary capacitors 15ij are commonly connected, and are connected to a common ground terminal 22. That is, a large number of pixels including the TFT 14ij and the auxiliary capacitor 15ij are arranged in a matrix. The number of pixels is 640 x 480 = 307,200 points in the VGA standard, SV
800 × 600 = 480,000 points in GA standard, XGA standard
1,024 x 768 = 786,432 points. In the EWS specification, a very large number of pixels are arranged at 1,280 x 1,024 = 1,310,720 points.

【0003】ゲート線191 〜19m は行選択シフトレ
ジスタ11の各シフト段に順次接続され、データ線20
1 〜20n は列選択スイッチ13i (131 〜13n
を通じてビデオライン21に順次接続されている。薄膜
トランジスタの構成から成る列選択スイッチ131 〜1
n のゲートは、それぞれ列選択シフトレジスタ12の
n個のシフト段の対応するものに順次接続されている。
画素数が非常に多いときは、高速性を保つためにビデオ
ライン21及び列選択シフトレジスタ12が複数列を有
しているものもある。例えば、ビデオライン21は2〜
6列、多いものでは24列もあり、列選択シフトレジス
タ12は2〜4列を有し交互に動作するようにしている
ものもある。
The gate lines 19 1 to 19 m are sequentially connected to each shift stage of the row selection shift register 11, and the data lines 20 1 to 19 m are connected to each other.
1 to 20 n column select switch 13i (13 1 ~13 n)
Through to the video line 21. Column selection switches 13 1 to 13 each having a thin film transistor configuration
The 3 n gates are sequentially connected to corresponding ones of the n shift stages of the column selection shift register 12, respectively.
When the number of pixels is very large, there is a case where the video line 21 and the column selection shift register 12 have a plurality of columns in order to maintain high speed. For example, video line 21
There are 6 columns, most often 24 columns, and some column select shift registers 12 have 2 to 4 columns and operate alternately.

【0004】行選択シフトレジスタ11は、垂直起動信
号がDY端子に与えられ、CLY端子に垂直動作クロッ
クが与えられると水平周期毎に行選択シフトレジスタ1
1はそのシフト段に順次高レベルを出力する。つまり、
ゲート線191 〜19m に対して順次高レベルを出力す
る。同様にして列選択シフトレジスタ12には、水平起
動信号がDY端子に与えられ、水平動作クロックがCL
X端子に与えられると画素周期毎に列選択シフトレジス
タ12のシフト段が順次高レベルとなって列選択スイッ
チ131 〜13n のゲートに順次高レベルが与えられ
る。
[0006] When a vertical start signal is supplied to a DY terminal and a vertical operation clock is supplied to a CLY terminal, the row selection shift register 11 receives a vertical start signal every horizontal cycle.
1 sequentially outputs a high level to the shift stage. That is,
High levels are sequentially output to the gate lines 19 1 to 19 m . Similarly, a horizontal start signal is applied to the DY terminal of the column selection shift register 12, and the horizontal operation clock is set to CL.
Shift stage column select shift register 12 when given every pixel cycle in the X terminal is sequentially high level is applied is sequentially high level to the gate of the column selection switches 13 1 to 13 n.

【0005】従って、例えばゲート線191 が高レベル
の間において列選択スイッチ131のゲートが高レベル
になるとTFT1411がオンになり、ビデオライン21
の映像信号が列選択スイッチ131 を通じ、更にTFT
1411を通じて補助コンデンサ1511にその映像入力の
レベルに応じた電荷が充電される。このゲート線19 1
が高レベルの間に列選択スイッチ131 〜13n が順次
オンとなるため、TFT1411〜141nが順次オンとな
ってそれぞれビデオライン21よりのその時の映像信号
レベルに応じて対応する補助コンデンサ1511〜151n
に対する電荷の充電がなされる。その後ゲート線192
が高レベルになり、そのゲート線の画素に対する走査が
行われる。以下、同様にした全体のTFTのマトリック
ス、つまり各画素電極に対する走査が行われることにな
る。
Therefore, for example, the gate line 191Is high level
Between the column selection switch 131Gate is high level
Becomes TFT1411Is turned on and video line 21 is turned on.
The video signal of the column selection switch 131Through the TFT
1411Through the auxiliary capacitor 1511Of the video input
The charge corresponding to the level is charged. This gate line 19 1
Select switch 13 while is high1~ 13nIs sequential
Since it is turned on, the TFT 1411~ 141nAre turned on sequentially
Is the video signal at that time from video line 21
Auxiliary capacitor 15 corresponding to the level11~ 151n
Is charged. Then the gate line 19Two
Becomes high level, and scanning of the pixel of the gate line is performed.
Done. Hereafter, the same TFT matrix
Scanning, that is, scanning for each pixel electrode is performed.
You.

【0006】これらのLCD基板10の不良には線欠陥
と画素欠陥とがある。線欠陥とは断線の有無であるか
ら、その検査は導通、非導通の検査であり容易である。
画素欠陥にはオープン不良とショート不良とがある。こ
の画素欠陥の検査について、従来からいくつかの提案が
なされている。例えば、本出願人が先に出願した特開平
5−158056によると、各画素の補助コンデンサ1
5ijが共通に接続されている共通接地端子22に矩形波
信号を印加し、LCD基板10のビデオライン21に出
力される信号の各画素に対応した振幅値を検出し、その
振幅値によって各画素の欠陥を検出し、良否判定を行う
ものである。
The defects of the LCD substrate 10 include a line defect and a pixel defect. Since a line defect is the presence or absence of a disconnection, the inspection is a continuity and non-continuity inspection and is easy.
Pixel defects include open defects and short defects. Several proposals have conventionally been made for the inspection of the pixel defect. For example, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-158056 filed by the present applicant, the auxiliary capacitor 1 of each pixel is disclosed.
5ij applies a rectangular wave signal to a common ground terminal 22 to which the LCD panel 10 is connected in common, detects an amplitude value corresponding to each pixel of the signal output to the video line 21 of the LCD substrate 10, and detects each pixel value based on the amplitude value. Is detected, and a pass / fail judgment is made.

【0007】図5に従来の検査装置の例を示す。LCD
基板10は図3のLCD基板10であり、これの画素欠
陥を検査する装置である。走査タイミング発生部30か
らの垂直起動信号をDY端子に、垂直動作クロックをC
LY端子に、水平起動信号をDX端子に、水平動作クロ
ックをCLX端子に与えて、いわゆる画像表示モードで
各画素を順次選択する。検査信号発生部31からは各画
素の選択周期の中間部分において矩形波の検査信号をL
CD基板10の補助コンデンサ15ijの共通接地端子2
2に与える。
FIG. 5 shows an example of a conventional inspection apparatus. LCD
The substrate 10 is the LCD substrate 10 shown in FIG. 3 and is a device for inspecting pixel defects of the LCD substrate 10. The vertical activation signal from the scanning timing generator 30 is supplied to the DY terminal, and the vertical operation clock is supplied to the DY terminal.
By applying a horizontal start signal to the DX terminal and a horizontal operation clock to the CLX terminal to the LY terminal, the pixels are sequentially selected in a so-called image display mode. The inspection signal generation unit 31 outputs a square wave inspection signal in the middle part of the selection cycle of each pixel.
Common ground terminal 2 of auxiliary capacitor 15ij of CD substrate 10
Give to 2.

【0008】選択された画素が正常であればこれと対応
した出力波形がビデオライン21に現れるが、例えばそ
の選択された画素の補助コンデンサ15ijがショートさ
れていると著しく高いレベルがビデオ端子23に現れ、
逆にその画素のTFT14ijがオープンであるとビデオ
端子23のレベルが低いものとなる。ビデオ端子23と
共通電位点との間に高速スイッチ32が接続され、各画
素選択期間の初めと終わりとに高速スイッチ32がオン
とされてビデオ端子23に接続する部分の浮遊容量に蓄
積された電荷を放電させる。
If the selected pixel is normal, an output waveform corresponding thereto appears on the video line 21. For example, if the auxiliary capacitor 15ij of the selected pixel is short-circuited, an extremely high level is applied to the video terminal 23. Appear,
Conversely, when the TFT 14ij of the pixel is open, the level of the video terminal 23 becomes low. The high-speed switch 32 is connected between the video terminal 23 and the common potential point. The high-speed switch 32 is turned on at the beginning and end of each pixel selection period, and the high-speed switch 32 is stored in the stray capacitance at the portion connected to the video terminal 23. Discharge the charge.

【0009】ビデオ端子23の出力波形はインピーダン
ス変換器33により高インピーダンス入力から低インピ
ーダンス出力に変換されてサンプルホールド回路34に
供給され、各検査信号の終わり近くでサンプル保持され
る。その出力は増幅器35で増幅された後、A/D変換
器36でデジタル信号に変換されて画像処理部37に供
給される。画像処理部37では隣接画素間におけるその
入力レベル、つまりビデオ端子23から出力された信号
のレベルを相対的に比較してこれらレベルから画像欠陥
の有無を調べる。
The output waveform of the video terminal 23 is converted from a high impedance input to a low impedance output by an impedance converter 33, supplied to a sample and hold circuit 34, and sampled and held near the end of each test signal. The output is amplified by an amplifier 35, converted into a digital signal by an A / D converter 36, and supplied to an image processing unit 37. The image processing section 37 relatively compares the input level between adjacent pixels, that is, the level of the signal output from the video terminal 23, and checks the presence or absence of an image defect from these levels.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】これら従来の検査手段
は、ショート不良については出力する信号が異常に大き
くなるので容易に判別できていたが、オープン不良の判
定についてはS/N比(信号対雑音比)が悪くて、判定
精度がよくなかった。その理由は、各画素の補助コンデ
ンサ15ijの容量に比してデータ線20i 及びビデオラ
イン21での浮遊容量が大きく、浮遊容量の電荷による
影響が大きいことによる。
These conventional inspection means could easily determine the short-circuit failure because the output signal would be abnormally large, but could easily determine the open failure by the S / N ratio (signal-to-signal ratio). Noise ratio) was poor, and the judgment accuracy was not good. The reason is that the stray capacitance on the data line 20i and the video line 21 is larger than the capacitance of the auxiliary capacitor 15ij of each pixel, and the influence of the charge of the stray capacitance is large.

【0011】図3において1画素がオン状態時の等価回
路を図4に示す。図3と対応する部分には同一符号を付
す。R8は列選択スイッチ13i のオン抵抗でその値は
10KΩ程度であり、R9はTFT14ijのオン抵抗で
1MΩ程度である。そして補助コンデンサ15の容量値
は0.1pF程度であるのに対して、浮遊容量はLCD
基板の大きさにもよるが一般的にデータ線の浮遊容量1
6は5pF程度で、ビデオラインの浮遊容量17は10
pF程度もある。つまり補助コンデンサ15ijと浮遊容
量との容量比は、1/100以下と補助コンデンサ15
ijの容量は非常に小さい。従って、共通接地端子22か
ら矩形波信号を印加して補助コンデンサ15ijのオープ
ン不良を検出しようとしても、浮遊容量の影響でその正
常時と異常時の出力信号の振幅値の間は微少な差しか生
ぜず、良否判定を的確に行うことが困難であった。
FIG. 4 shows an equivalent circuit when one pixel is turned on in FIG. Parts corresponding to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. R8 is the on-resistance of the column selection switch 13i, whose value is about 10 KΩ, and R9 is the on-resistance of the TFT 14ij, which is about 1 MΩ. The capacitance of the auxiliary capacitor 15 is about 0.1 pF, while the stray capacitance is
In general, the stray capacitance of the data line depends on the size of the substrate.
6 is about 5 pF, and the stray capacitance 17 of the video line is 10
There is also about pF. That is, the capacitance ratio between the auxiliary capacitor 15ij and the stray capacitance is 1/100 or less,
The capacity of ij is very small. Therefore, even if an open defect of the auxiliary capacitor 15ij is detected by applying a rectangular wave signal from the common ground terminal 22, there is only a small difference between the amplitude value of the output signal in the normal state and the amplitude value of the output signal in the abnormal state due to the stray capacitance. It was difficult to accurately determine the quality of the product.

【0012】この発明はLCD基板10の検査におい
て、それぞれの補助コンデンサ15ijに最大規定値近く
の電圧を与えて最大電荷を充電させ、データ線の浮遊容
量16およびビデオラインの浮遊容量17の電荷を零近
くまで放電させ、S/N比を従来の装置より10倍以上
に向上させて各画素のオープン、ショートの検査を行わ
せるものである。
According to the present invention, in the inspection of the LCD substrate 10, a voltage close to the maximum specified value is applied to each auxiliary capacitor 15ij to charge the maximum charge, and the charge of the stray capacitance 16 of the data line and the stray capacitance 17 of the video line is reduced. The discharge is performed to near zero, and the S / N ratio is improved to 10 times or more of that of the conventional device, and the open / short inspection of each pixel is performed.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、液晶を封入する前の状態に於いて、L
CD基板10の補助コンデンサ15ijの共通接地端子2
2は接地し、初めにビデオ端子23に規定値上限に近い
H電圧を与えてTFTijのゲートを開き補助コンデンサ
15ijを最大限に充電する。いわゆる書き込みを行う。
続いてTFTijのゲートをオフにした状態で共通接地電
位のL電圧をビデオ端子23に与え、列選択スイッチを
オンにしてデータ線20i をオンにし、データ線20i
の浮遊容量16とビデオライン21の浮遊容量17の電
荷を充分に放電させる。その後に再度ゲートをオンさ
せ、各画素を順次選択的に駆動させ、補助コンデンサ1
5ijの電荷情報を読み出し、従来のようにサンプルホー
ルド回路34等を経て画像処理装置で画像欠陥有無を調
べるものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sealed before liquid crystal is sealed.
Common ground terminal 2 of auxiliary capacitor 15ij of CD substrate 10
2 is grounded, and first, an H voltage close to the upper limit of the specified value is applied to the video terminal 23 to open the gate of the TFTij and charge the auxiliary capacitor 15ij to the maximum. The so-called writing is performed.
Subsequently, with the gate of the TFTij turned off, the L voltage of the common ground potential is applied to the video terminal 23, the column selection switch is turned on, the data line 20i is turned on, and the data line 20i is turned on.
Of the floating capacitance 16 of the video line 21 and the floating capacitance 17 of the video line 21 are sufficiently discharged. Thereafter, the gate is turned on again to selectively drive each pixel sequentially, and the auxiliary capacitor 1 is turned on.
5ij is read out, and the presence or absence of an image defect is checked by an image processing apparatus via a sample-and-hold circuit 34 and the like as in the prior art.

【0014】これを実現するために、走査タイミング発
生部39からの信号で基準電圧であるH電圧もしくはL
電圧を出力するドライバと、このH電圧及びL電圧をリ
アルタイムにLCD基板10のビデオ端子23に供給し
た後、ビデオ端子23からの出力信号を読みとりサンプ
ルホールド回路34に出力するIV変換回路とを設け
る。
In order to realize this, a signal from the scanning timing generator 39 is used to generate a reference voltage, ie, H voltage or L voltage.
A driver that outputs a voltage and an IV conversion circuit that supplies the H voltage and the L voltage to the video terminal 23 of the LCD substrate 10 in real time, reads an output signal from the video terminal 23, and outputs the read signal to the sample and hold circuit 34 are provided. .

【0015】ドライバは入力信号を受けてリアルタイム
に設定したH電圧もしくは共通接地電位のL電圧を出力
できる物であればよい。つまり、H電圧とL電圧を高速
に切り換えるものでよい。
The driver only needs to be capable of receiving the input signal and outputting the H voltage set in real time or the L voltage of the common ground potential. That is, the H voltage and the L voltage may be switched at high speed.

【0016】IV変換回路の初段はオペアンプの差動増
幅器の特性を用いると実現できる。入力インピーダンス
は無限大であり、2つの入力端子間がイマジナルショー
ト(仮想短絡)だからである。従って、1の入力端子に
基準のH電圧またはL電圧を与えると他の端子電圧はリ
アルタイムにその電圧に追従する。その追従した電圧を
ビデオ端子に供給する。また、ビデオ端子からの出力信
号はその差動増幅器と次段の差動増幅器とでもって電流
電圧変換させるとよい。
The first stage of the IV conversion circuit can be realized by using the characteristics of the differential amplifier of the operational amplifier. This is because the input impedance is infinite and the two input terminals are imaginary short (virtual short). Therefore, when a reference H voltage or L voltage is applied to one input terminal, the other terminal voltages follow that voltage in real time. The tracked voltage is supplied to a video terminal. The output signal from the video terminal may be subjected to current-voltage conversion by the differential amplifier and the next-stage differential amplifier.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】第1の発明は基本発明の構成であ
る。従来の検査装置に加えて、走査タイミング発生器か
らの信号でH電圧とL電圧とをリアルタイムに出力する
ドライバと、LCD基板のビデオ端子にドライバからの
上記H電圧やL電圧をリアルタイムに供給し、またビデ
オ端子からの映像信号を電流電圧変換してサンプルホー
ルド回路に出力するIV変換回路とを設けた構成であ
る。ここで、走査タイミング発生器は、CPUを備えた
制御部も兼ねて、全ての測定タイミングを発生させるも
のとする。この制御部は別途設けてもよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The first invention is a configuration of the basic invention. In addition to the conventional inspection apparatus, a driver that outputs the H voltage and the L voltage in real time based on a signal from the scanning timing generator, and the H and L voltages supplied from the driver to the video terminal of the LCD board in real time. And an IV conversion circuit for converting a video signal from a video terminal into a current-voltage signal and outputting the converted signal to a sample-and-hold circuit. Here, it is assumed that the scanning timing generator also serves as a control unit having a CPU and generates all measurement timings. This control unit may be provided separately.

【0018】第2の発明は、第1の発明に用いるドライ
バの最も適切な構成である。ドライバはトランジスタス
イッチ回路や双安定回路などで構成することもできる
が、最も高速にリアルタイムに切り換えるには演算増幅
器を用いるものが最も適切である。
The second invention is the most suitable configuration of the driver used in the first invention. The driver can be configured by a transistor switch circuit, a bistable circuit, or the like, but the one that uses an operational amplifier is the most appropriate for the fastest real-time switching.

【0019】第3の発明は、第1の発明に用いるIV変
換回路の最も適切な構成である。少なくとも2つの差動
増幅器を用いてその特性を活用する。それぞれの差動増
幅器の正相入力端子にはドライバからの基準電圧が入力
される。初段の差動増幅器の逆相入力端子はLCD基板
のビデオ端子に接続され、基準電圧であるH電圧及びL
電圧を供給して補助コンデンサに電荷を充電した後に浮
遊容量の電荷を放電させる。その後にビデオ端子からの
出力信号を取り出して増幅し電流電圧変換してサンプル
ホールド回路に出力する。
The third invention is the most appropriate configuration of the IV conversion circuit used in the first invention. At least two differential amplifiers are used to take advantage of the characteristics. The reference voltage from the driver is input to the positive phase input terminal of each differential amplifier. The negative-phase input terminal of the first-stage differential amplifier is connected to the video terminal of the LCD substrate, and the H voltage and the L
After the voltage is supplied to charge the auxiliary capacitor, the charge of the stray capacitance is discharged. Thereafter, an output signal from the video terminal is taken out, amplified, converted into a current-voltage signal, and output to a sample-and-hold circuit.

【0020】第4の発明は、LCD基板がEWS規格の
ように画素数が非常に多いLCD基板でビデオ端子が複
数個ある場合の構成である。つまり、各ビデオ端子に対
応してそれぞれIV変換回路を設け、各IV変換回路は
ドライバから基準電圧を受けて、それぞれの出力信号を
アナログマルチプレクサを介してサンプルホールド回路
に出力する構成である。以下実施例について説明する。
A fourth aspect of the present invention is a configuration in which the LCD substrate has a very large number of pixels as in the EWS standard and has a plurality of video terminals. That is, an IV conversion circuit is provided for each video terminal, and each IV conversion circuit receives a reference voltage from a driver and outputs each output signal to a sample-hold circuit via an analog multiplexer. Hereinafter, embodiments will be described.

【0021】[0021]

【実施例】図1に本発明の一実施例の構成図を、図2に
そのタイミングチャートの実施例を示す。図1は、ビデ
オ端子23が1つの場合と複数の場合とを兼ね示してい
る。つまり、1つの場合にはIV変換回路43が1つで
よく、アナログマルチプレクサ47が不要であるが、複
数の場合にはそれぞれのビデオ端子23i(i=1〜
p)に対応してIV変換回路43が設けられ、アナログ
マルチプレクサ47を介してサンプルホールド回路34
に出力している。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart of the embodiment. FIG. 1 shows both the case where there is one video terminal 23 and the case where there are a plurality of video terminals 23. That is, in the case of one, only one IV conversion circuit 43 is required, and the analog multiplexer 47 is unnecessary. However, in the case of a plurality, the video terminals 23i (i = 1 to
p), an IV conversion circuit 43 is provided.
Output to

【0022】LCD基板10の共通接地端子22は接地
されている。ドライバ40は走査タイミング発生部39
からの信号で、基準電圧であるH電圧とL電圧とを切り
換えている。H電圧は例えば12Vとし、L電圧は共通
接地電位とする。リアルタイムで切り換えるために演算
増幅器41を用いる。この出力電圧をそれぞれのIV変
換回路43に供給している。
The common ground terminal 22 of the LCD substrate 10 is grounded. The driver 40 includes a scan timing generator 39
, And switches between the H voltage and the L voltage which are reference voltages. The H voltage is, for example, 12 V, and the L voltage is a common ground potential. An operational amplifier 41 is used for switching in real time. This output voltage is supplied to each IV conversion circuit 43.

【0023】IV変換回路43は2つの差動増幅器44
及び45で構成され、それぞれの正相入力端子には抵抗
R1もしくはR5を介してH電圧あるいはL電圧が供給
されている。初段の差動増幅器の逆相入力端子aはビデ
オ端子23と、並びに抵抗R2を介してその出力端子b
に接続されている。図1に示しているように、a点とb
点間の帰還抵抗はR3に平行してR2をスイッチSWを
介して並列接続している。これは必要に応じて帰還抵抗
値を変え、差動増幅器44系統の安定化の高速性と高増
幅度とに切り換えるためである。つまり、帰還抵抗値が
小さいほど安定化は速やかになり、帰還抵抗値が大きい
ほど増幅度は高くなる。
The IV conversion circuit 43 includes two differential amplifiers 44
And 45, and an H voltage or an L voltage is supplied to each positive phase input terminal via a resistor R1 or R5. The negative-phase input terminal a of the first-stage differential amplifier is connected to the video terminal 23 and its output terminal b via the resistor R2.
It is connected to the. As shown in FIG. 1, point a and b
The feedback resistor between the points connects R2 in parallel via switch SW in parallel with R3. This is because the feedback resistance value is changed as necessary, and the differential amplifier 44 is switched between high-speed stabilization and high amplification for stabilization. That is, the smaller the feedback resistance value, the quicker the stabilization, and the larger the feedback resistance value, the higher the amplification.

【0024】そこで抵抗R2を1KΩ程度に、R3を4
0KΩ程度にし、H電圧及びL電圧をLCD基板10に
供給するときにはスイッチSWをオンにして帰還抵抗を
1KΩと小さくし書き込みクロック速度を早くする。信
号を読み出すときはスイッチSWをオフにして40KΩ
と大きくし、読み込みクロック速度を遅くし、高増幅度
を得ると共に後段の信号処理系のスピード、特にA/D
変換速度とマッチングをとる。2段目の差動増幅器45
は初段からの信号を差動増幅するものであり、その出力
信号をサンプルホールド回路34に供給する。
Therefore, the resistance R2 is set to about 1 KΩ and R3 is set to 4
When the H voltage and the L voltage are supplied to the LCD substrate 10 at about 0 KΩ, the switch SW is turned on, the feedback resistance is reduced to 1 KΩ, and the write clock speed is increased. When reading out the signal, turn off the switch SW and set to 40KΩ
To increase the read clock speed, obtain a high amplification degree, and at the same time the speed of the subsequent signal processing system, especially A / D
Match the conversion speed. Second stage differential amplifier 45
Is for differentially amplifying the signal from the first stage, and supplies the output signal to the sample and hold circuit 34.

【0025】この実施例では最適の構成例として差動増
幅器の入力特性を利用して実現したが、これ以外にも切
り換えスイッチを用いた構成法もある。つまり、H電圧
あるいはL電圧をLCD基板10のビデオ端子23に供
給するときにはドライバ40に直接接続し、ビデオ端子
23からの電荷情報を読み出しときにはスイッチで切り
換えてIV変換回路に出力する構成である。
In this embodiment, the optimum configuration is realized by utilizing the input characteristics of the differential amplifier, but there is another configuration using a changeover switch. That is, when the H voltage or the L voltage is supplied to the video terminal 23 of the LCD substrate 10, it is directly connected to the driver 40, and when reading out the charge information from the video terminal 23, it is switched by a switch and output to the IV conversion circuit.

【0026】図2は図1の実施例の動作のタイミングチ
ャートの実施例である。(A)は1行選択している期間
の列選択の期間を示す。つまり、書き込み期間とビデオ
ライン21及びデータ線20i の浮遊容量の電荷消却期
間と読み出し期間とである。(B)はビデオ端子23に
印加するH電圧及びL電圧であり、書き込み期間に例え
ば12Vを、他の期間には共通接地電位の0Vを与えて
いる。(C)はゲート線19j をオフにするゲート制御
であり、電荷消却期間、いわゆるクリア期間のみオフに
する。図3の回路図ではゲート制御端子からゲート18
j を閉じる信号を与えるとよい。ゲート18j が無い場
合には全てのゲート線19j をオフにするとよい。
FIG. 2 is an embodiment of a timing chart of the operation of the embodiment of FIG. (A) shows a period of column selection in a period in which one row is selected. That is, the write period, the charge elimination period of the floating capacitance of the video line 21 and the data line 20i, and the read period. (B) shows the H voltage and the L voltage applied to the video terminal 23. For example, 12V is applied in the writing period, and 0V of the common ground potential is applied in other periods. (C) is a gate control for turning off the gate line 19j, which is turned off only during the charge elimination period, that is, the so-called clear period. In the circuit diagram of FIG.
Give a signal to close j. If there is no gate 18j, all gate lines 19j should be turned off.

【0027】(D)は列選択シフトレジスタ12へのシ
フト開始信号DXであり、各期間の当初にDX端子に与
える。(E)は列選択シフトレジスタ12へのシフトク
ロック信号CLXである。書き込み期間やクリア期間は
信号処理でのA/D変換は行わないので規定動作周波数
で駆動する。読み出し期間ではA/D変換を行い信号処
理速度が遅くなるのでクロック信号は規定動作周波数の
1/Nに遅くする。つまり周期をN倍にする。(F)は
初段差動増幅器44の帰還抵抗のスイッチSWの切り換
え信号である。書き込み期間と電荷消却期間はオンにし
て帰還抵抗を1KΩとし、系の安定化時間を速くする。
読み出し期間はオフにして40KΩとし、高増幅度を得
る。読み出し期間を1/N程度にする理由は画素の放電
を充分セットリングさせるためである。
(D) is a shift start signal DX to the column selection shift register 12, which is given to the DX terminal at the beginning of each period. (E) is a shift clock signal CLX to the column selection shift register 12. Since the A / D conversion in the signal processing is not performed during the writing period and the clear period, the driving is performed at the specified operation frequency. In the reading period, A / D conversion is performed and the signal processing speed is reduced. Therefore, the clock signal is reduced to 1 / N of the specified operating frequency. That is, the cycle is increased by N times. (F) is a switching signal of the switch SW of the feedback resistor of the first-stage differential amplifier 44. The writing period and the charge extinguishing period are turned on to set the feedback resistance to 1 KΩ, thereby shortening the stabilization time of the system.
The reading period is turned off to 40 KΩ to obtain a high amplification degree. The reason why the readout period is set to about 1 / N is to sufficiently set the discharge of the pixel.

【0028】このタイミングチャート例では、1行選択
期間に3回列選択動作をさせるようにしたが、これに限
るものではない。数行単位で電荷の書き込み、浮遊容量
のクリア、電荷情報の読み出しを行ってもよい。
In the example of the timing chart, the column selecting operation is performed three times in one row selecting period. However, the present invention is not limited to this. Writing of charge, clearing of floating capacitance, and reading of charge information may be performed in units of several rows.

【0029】図6は本発明によるLCD基板検査方法を
示すフローチャートである。先ず、LCD基板の補助コ
ンデンサ15ijの共通接地端子を接地する(ステップ1
00)。次に、ビデオ端子23にドライバからH電圧を
印加する(ステップ110)。次に、TFTijのゲート
を開き補助コンデンサ15ijを充電する(ステップ12
0)。次に、TFTijのゲートを閉じる(ステップ13
0)。次に、ビデオ端子23に接地電位のL電圧を印加
してデータ線とビデオラインの浮遊容量の電荷を充分に
放電させる(ステップ140)。次に、各画素を画像表
示モードで順次選択的に駆動し各画素に対応した補助コ
ンデンサ15ijの情報を読み出し、IV変換回路で電流
電圧変換して読み出す(ステップ150)。次に、この
IV変換回路の出力電圧をサンプリングホールド回路で
サンプリングする(ステップ160)。次に、このサン
プリングホールド回路した電圧をA/D変換器でA/D
変換する(ステップ170)。次に、画像処理部で振幅
値を比較して良否判定を行う(ステップ180)。この
ようにLCD基板検査方法を構成する。
FIG. 6 is a flowchart showing an LCD substrate inspection method according to the present invention. First, the common ground terminal of the auxiliary capacitor 15ij on the LCD substrate is grounded (step 1).
00). Next, an H voltage is applied to the video terminal 23 from the driver (step 110). Next, the gate of the TFTij is opened to charge the auxiliary capacitor 15ij (step 12).
0). Next, the gate of the TFTij is closed (step 13).
0). Next, the ground potential L voltage is applied to the video terminal 23 to sufficiently discharge the stray capacitance of the data line and the video line (step 140). Next, each pixel is sequentially and selectively driven in the image display mode, and information of the auxiliary capacitor 15ij corresponding to each pixel is read out, and the current-voltage conversion is performed by the IV conversion circuit and read out (step 150). Next, the output voltage of the IV conversion circuit is sampled by the sampling and holding circuit (step 160). Next, the voltage obtained by the sampling and holding circuit is converted by an A / D converter into an A / D
Conversion (step 170). Next, the image processing unit compares the amplitude values to determine the quality (step 180). Thus, the LCD substrate inspection method is configured.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明
は、LCD基板10の各画素の補助コンデンサ15ijに
充分な電荷を充電し、データ線20i の浮遊容量16及
びビデオライン21の浮遊容量17をほぼ完全に放電し
た後に各画素の電荷情報を順次読み出し画像処理ができ
るようになった。従って、各画素のショート欠陥はも
とより、オープン欠陥も正確に判定することができるよ
うになった。つまり、S/N比が従来より15倍も良く
なり誤判定が無くなった。
As described above in detail, according to the present invention, the auxiliary capacitor 15ij of each pixel of the LCD substrate 10 is charged with a sufficient charge, and the stray capacitance 16 of the data line 20i and the stray capacitance 17 of the video line 21 are charged. After almost completely discharging the pixel, the charge information of each pixel is sequentially read out and image processing can be performed. Therefore, not only short defects of each pixel but also open defects can be accurately determined. That is, the S / N ratio was improved by 15 times compared to the conventional art, and the erroneous determination was eliminated.

【0031】タイミングの取り方が容易になった。従
来の共通接地端子22から矩形波信号を与えてビデオ端
子23からその信号を取り出す装置では、ビデオライン
21の浮遊容量の電荷を放出させるのに微妙なタイミン
グ調整が必要であったが、この発明では各期間の時間を
決めるだけでよい。操作が容易になった。LCD基板
10の通常の使用方法で各画素に充分の電荷を充電させ
る検査方式であるので理解も容易である。
The timing can be easily obtained. In the conventional device for applying a rectangular wave signal from the common ground terminal 22 and extracting the signal from the video terminal 23, fine timing adjustment was required to release the charge of the stray capacitance of the video line 21. Then you only need to decide the time of each period. Operation became easier. This is an inspection method in which each pixel is charged with a sufficient amount of charge by a normal method of using the LCD substrate 10, so that it is easy to understand.

【0032】以上のように、LCD基板10の検査が容
易に、正確に、高速に行えるようになったので、実用に
対してその技術的効果は大である。
As described above, since the inspection of the LCD substrate 10 can be performed easily, accurately, and at high speed, the technical effect is large for practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例のタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart of the embodiment of FIG.

【図3】LCD基板の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of an LCD substrate.

【図4】LCD基板での1画素がオン状態時の等価回路
図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram when one pixel on the LCD substrate is in an ON state.

【図5】従来の検査装置の構成例図である。FIG. 5 is a configuration example diagram of a conventional inspection device.

【図6】本発明によるLCD基板検査方法を示すフロー
チャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an LCD substrate inspection method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 LCD基板 11 行選択シフトレジスタ 12 列選択シフトレジスタ 13、13i 列選択スイッチ 14、14ij TFT 15、15ij 補助コンデンサ 16 データ線の浮遊容量 17 ビデオラインの浮遊容量 18j ゲート 19、19j ゲート線 20、20i データ線 21 ビデオライン 22 共通接地端子 23 ビデオ端子 30 走査タイミング発生部 31 検査信号発生部 32 高速スイッチ 33 インピーダンス変換器 34 サンプルホールド回路 35 増幅器 36 A/D変換器 37 画像処理部 39 走査タイミング発生部 40 ドライバ 41 演算増幅器 42 H電圧入力端子 43 IV変換回路 44、45 差動増幅器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 LCD board 11 Row selection shift register 12 Column selection shift register 13, 13i Column selection switch 14, 14ij TFT 15, 15ij Auxiliary capacitor 16 Floating capacitance of data line 17 Floating capacitance of video line 18j Gate 19, 19j Gate line 20, 20i Data line 21 Video line 22 Common ground terminal 23 Video terminal 30 Scan timing generator 31 Inspection signal generator 32 High-speed switch 33 Impedance converter 34 Sample hold circuit 35 Amplifier 36 A / D converter 37 Image processor 39 Scan timing generator Reference Signs List 40 Driver 41 Operational amplifier 42 H voltage input terminal 43 IV conversion circuit 44, 45 Differential amplifier

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被測定LCD基板(10)の各画素のT
FT(14ij)を走査タイミング発生部(39)からの
画像表示モードで選択的に駆動させ、上記LCD基板
(10)のビデオ端子(23)からの出力信号をサンプ
ルホールド回路(34)でサンプリングし、上記サンプ
ルホールド回路(34)の出力信号を増幅器(35)で
増幅し、A/D変換器(36)でA/D変換し、画像処
理部(37)で画素欠陥を検出する検査装置において、 上記走査タイミング発生器(39)からの信号でH電圧
もしくはL電圧をIV変換回路(43)に出力するドラ
イバ(40)と、 上記ドライバ(40)からのH電圧もしくはL電圧をL
CD基板(10)のビデオ端子(23)に供給し、ビデ
オ端子(23)からの映像信号を電流電圧変換してその
出力信号をサンプルホールド回路(34)に出力するI
V変換回路(43)と、 を具備することを特徴とするLCD基板検査装置。
1. The T of each pixel of an LCD substrate to be measured (10).
The FT (14 ij ) is selectively driven in the image display mode from the scanning timing generator (39), and the output signal from the video terminal (23) of the LCD substrate (10) is sampled by the sample and hold circuit (34). Inspection apparatus for amplifying the output signal of the sample and hold circuit (34) with an amplifier (35), A / D converting with an A / D converter (36), and detecting a pixel defect with an image processing unit (37). A driver (40) for outputting an H voltage or an L voltage to an IV conversion circuit (43) based on a signal from the scanning timing generator (39), and an H or L voltage from the driver (40) for an L
I is supplied to a video terminal (23) of the CD substrate (10), converts a video signal from the video terminal (23) into a current voltage, and outputs an output signal to a sample and hold circuit (34).
An LCD substrate inspection device, comprising: a V conversion circuit (43).
【請求項2】 請求項1記載のドライバ(40)はH電
圧もしくはL電圧を切り換えて出力する演算増幅器(4
1)で構成されていることを特徴とするLCD基板検査
装置。
2. The operational amplifier (4) according to claim 1, wherein the driver (40) switches and outputs an H voltage or an L voltage.
An LCD board inspection apparatus characterized by the above 1).
【請求項3】 請求項1又は2記載のIV変換回路(4
3)は少なくとも2つの差動増幅器が用いられ、共にド
ライバ(40)からのH電圧もしくはL電圧を基準電圧
として抵抗を介して正相入力端子に入力され、初段の作
動増幅器(44)の逆相入力端子はLCD基板(10)
のビデオ端子(23)と並びに抵抗を介して出力端子と
に接続された逆相増幅器であり、第2段の作動増幅器
(45)の逆相入力端子は初段の作動増幅器(44)の
出力端子と自己の出力端子とにそれぞれ抵抗を介して接
続された差動増幅器で構成されたことを特徴とするLC
D基板検査装置。
3. The IV conversion circuit according to claim 1, wherein
3) uses at least two differential amplifiers, both of which are input to the positive-phase input terminal via a resistor using the H voltage or the L voltage from the driver (40) as a reference voltage, and are the inverse of the first stage operational amplifier (44). Phase input terminal is LCD board (10)
, And a negative-phase amplifier connected to the output terminal via a resistor. The negative-phase input terminal of the second-stage operational amplifier (45) is an output terminal of the first-stage operational amplifier (44). Characterized by comprising a differential amplifier connected to the output terminal and the output terminal thereof via a resistor.
D board inspection device.
【請求項4】 LCD基板(10)のビデオ端子(2
3)が複数のときは、それぞれのビデオ端子(23)に
個々のIV変換回路(43)が設けられ、個々のIV変
換回路(43)の出力信号をアナログマルチプレクサ
(47)で選択してサンプルホールド回路(34)に出
力する構成であることを特徴とする請求項1、2又は3
記載のLCD基板検査装置。
4. A video terminal (2) of an LCD substrate (10).
When there are a plurality of 3), each video terminal (23) is provided with an individual IV conversion circuit (43), and an output signal of each IV conversion circuit (43) is selected by an analog multiplexer (47) and sampled. 4. A structure for outputting to a hold circuit (34).
An LCD substrate inspection apparatus as described in the above.
【請求項5】 被測定LCD基板(10)の各画素のT
FT(14ij)を走査タイミング発生部からの画像表示
モードで選択的に駆動させ、上記LCD基板(10)の
ビデオ端子(23)からの出力信号で画素欠陥を検出す
る検査方法において、 上記LCD基板の補助コンデンサ(15ij)の共通接地
端子を接地し(ステップ100)、上記ビデオ端子(2
3)にドライバから高電圧のH電圧を印加し(ステップ
110)、TFT(14ij)のゲートを開き上記補助コ
ンデンサ(15ij)を充電し(ステップ120)、上記
TFT(14ij)のゲートを閉じ(ステップ130)、
上記ビデオ端子(23)に接地電位のL電圧を印加して
浮遊容量の電荷を放電させ(ステップ140)、画像表
示モードにして上記補助コンデンサ(15ij)の情報を
IV変換回路で電流電圧変換して読み出し(ステップ1
50)、上記IV変換回路の出力電圧をサンプリングホ
ールド回路でサンプリングし(ステップ160)、上記
サンプリングホールドした電圧をA/D変換器でA/D
変換し(ステップ170)、画像処理部で振幅値を比較
して良否判定を行う(ステップ180) 上記を特徴とするLCD基板検査方法。
5. The T of each pixel of the LCD substrate to be measured (10).
An inspection method for selectively driving an FT (14 ij ) in an image display mode from a scanning timing generator and detecting a pixel defect by an output signal from a video terminal (23) of the LCD substrate (10). The common ground terminal of the auxiliary capacitor (15ij) on the board is grounded (step 100), and the video terminal (2
3) Applying a high H voltage from the driver (step 110), opening the gate of the TFT (14ij), charging the auxiliary capacitor (15ij) (step 120), and closing the gate of the TFT (14ij) (step 120). Step 130),
An L voltage of the ground potential is applied to the video terminal (23) to discharge the electric charge of the stray capacitance (step 140). The image display mode is set, and the information of the auxiliary capacitor (15ij) is current-voltage converted by an IV conversion circuit. And read (Step 1
50) The output voltage of the IV conversion circuit is sampled by a sampling and holding circuit (step 160), and the sampled and held voltage is A / D converted by an A / D converter.
After the conversion (Step 170), the image processing unit compares the amplitude values to determine the quality (Step 180).
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006145959A (en) * 2004-11-22 2006-06-08 Agilent Technol Inc Measuring method for active matrix tft array
US7414602B2 (en) 2003-08-26 2008-08-19 Seiko Epson Corporation Method of driving liquid crystal display device, liquid crystal display device, and portable electronic apparatus
KR101274701B1 (en) * 2007-03-20 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 Method of measuring the ratio of voltage to current in transistor
JPWO2018079636A1 (en) * 2016-10-31 2019-09-19 パナソニック株式会社 Liquid crystal display device and failure inspection method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7414602B2 (en) 2003-08-26 2008-08-19 Seiko Epson Corporation Method of driving liquid crystal display device, liquid crystal display device, and portable electronic apparatus
US8248338B2 (en) 2003-08-26 2012-08-21 Seiko Epson Corporation Method of driving liquid crystal display device, liquid crystal display device, and portable electronic apparatus
JP2006145959A (en) * 2004-11-22 2006-06-08 Agilent Technol Inc Measuring method for active matrix tft array
KR101274701B1 (en) * 2007-03-20 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 Method of measuring the ratio of voltage to current in transistor
JPWO2018079636A1 (en) * 2016-10-31 2019-09-19 パナソニック株式会社 Liquid crystal display device and failure inspection method

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