JP3190538B2 - Wafer cleaning slice base peeling equipment - Google Patents

Wafer cleaning slice base peeling equipment

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JP3190538B2
JP3190538B2 JP07735095A JP7735095A JP3190538B2 JP 3190538 B2 JP3190538 B2 JP 3190538B2 JP 07735095 A JP07735095 A JP 07735095A JP 7735095 A JP7735095 A JP 7735095A JP 3190538 B2 JP3190538 B2 JP 3190538B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の素材となる
シリコン等のウェーハの製造装置に係わり、特に、スラ
イシングマシンやワイヤソー等のインゴット切断機(以
下、単に「切断機」という)によってインゴットから切
り出されたウェーハを洗浄し、ウェーハの基材部分に接
着されたスライスベースを剥離するとともに、スライス
ベースが剥離されたウェーハをカセットに格納する機能
を備えた装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a wafer of silicon or the like which is used as a material of a semiconductor device, and more particularly to an apparatus for cutting an ingot by a slicing machine, a wire saw or the like (hereinafter simply referred to as "cutting machine"). The present invention relates to an apparatus having a function of cleaning a sliced wafer, peeling a slice base adhered to a base portion of the wafer, and storing the slice base peeled wafer in a cassette.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態から切断機により切り出さ
れるが、切断時に切り終わり部分が欠けないようにイン
ゴットにはスライスベースを接着し、スライスベースも
含めて切断する。したがって、切断後のウェーハWは図
11に示す形状になっており、スライスベースWbは切
断後にシリコン等の基材部分Waから剥離される。
2. Description of the Related Art A wafer such as silicon, which is used as a material for a semiconductor device, is cut out from a state of an ingot by a cutting machine, and a slice base is adhered to the ingot so that a cut end portion is not chipped at the time of cutting. Cut off including. Therefore, the wafer W after cutting has the shape shown in FIG. 11, and the slice base Wb is peeled off from the base material Wa such as silicon after cutting.

【0003】剥離方法としては、基材部分Waにスライ
スベースWbを接着している接着剤を軟化し、その状態
でスライスベースWbをウェーハWの厚さ方向に押して
剥離する。接着剤の軟化方法としては、ウェーハWを熱
水に入れて温める方法、ウェーハWをヒータで温める方
法(ヒータを内蔵したクランプ台で基材部分Waを加熱
する、又はヒータを内蔵したスライスベース受板でスラ
イスベースWbを加熱する。)、熱風で接着部分を直接
加熱する方法等がある。
[0003] As a peeling method, the adhesive bonding the slice base Wb to the base material Wa is softened, and in this state, the slice base Wb is pushed in the thickness direction of the wafer W and peeled. As a method of softening the adhesive, there are a method of heating the wafer W in hot water, a method of heating the wafer W with a heater (the base material Wa is heated by a clamp table having a built-in heater, or a slice base receiving device having a built-in heater. The slice base Wb is heated by a plate.) And a method of directly heating the bonded portion with hot air is available.

【0004】また、切り出されたウェーハWは、スライ
スベースWbの剥離と前後して、切断時に付着した切り
粉や切削液を取り除くために洗浄することが必要であ
り、さらに、剥離や洗浄が完了したウェーハW(つまり
基材部分Wa)を次の製造工程のためにカセットに格納
することが必要である。
Further, the cut wafer W needs to be cleaned before and after the peeling of the slice base Wb in order to remove cutting powder and cutting fluid attached at the time of cutting, and furthermore, the peeling and cleaning are completed. It is necessary to store the completed wafer W (that is, the base portion Wa) in a cassette for the next manufacturing process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、これら剥離・洗浄・格納を別々の装置としているこ
とが多く、その場合、ウェーハ製造装置全体の設備費用
が高くなるだけでなく、装置の設置面積が大きくなり、
さらに、これらの工程間の搬入出を作業者が手作業で行
うことが多いために時間がかかる等の問題がある。
Conventionally, however, the separation, cleaning, and storage are often performed in separate apparatuses. In this case, not only the equipment cost of the entire wafer manufacturing apparatus is increased, but also the installation of the apparatus is not required. The area increases,
Furthermore, there is a problem that it takes time since an operator often manually carries in and out between these processes.

【0006】また、剥離のためにウェーハWを熱水に入
れて接着剤を軟化する方法では、熱水の維持管理が面倒
であったり、装置の設置面積が大きくなりやすく、さら
に、熱水の温度は100℃前後になるため安全対策を充
分に行う必要がある等、取扱が面倒で高価になるという
問題がある。
In the method of softening the adhesive by putting the wafer W in hot water for peeling, maintenance of the hot water is troublesome, the installation area of the apparatus is likely to be large, and Since the temperature is about 100 ° C., it is necessary to take sufficient safety measures.

【0007】さらに、ウェーハWは横姿勢(ウェーハW
の厚さ方向を鉛直方向にした状態をいう。)にして取り
扱われることが多いが、この姿勢の場合は一般的に装置
の設置面積が大きくなるとともに、ウェーハWが撓みや
すく、長時間この状態にしておくとウェーハWの平面度
が悪化するおそれがある。特に、近年、半導体の生産効
率向上等からウェーハWはますます大きくなっており、
この影響は無視できなくなっている。また、洗浄後、こ
の姿勢にしておくと、洗浄液が残ってウェーハWの表面
にシミができやすい。
Further, the wafer W is placed in a horizontal position (wafer W
Refers to a state in which the thickness direction is vertical. ), But in this case, the installation area of the apparatus generally becomes large, and the wafer W is easily bent, and if this state is maintained for a long time, the flatness of the wafer W may be deteriorated. There is. In particular, in recent years, wafers W have become increasingly larger due to improvements in semiconductor production efficiency and the like.
This effect is no longer negligible. In addition, if the cleaning liquid is kept in this posture after cleaning, the cleaning liquid remains and the surface of the wafer W is easily stained.

【0008】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、洗浄・剥離・格納を短時間で自動的に行うとと
もに、設置面積が小さく安価で、さらに、ウェーハWの
平面度を悪化させたりシミが発生するおそれが少ないウ
ェーハ洗浄スライスベース剥離装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and performs cleaning, peeling, and storing automatically in a short time, has a small installation area, is inexpensive, and further deteriorates the flatness of the wafer W. It is an object of the present invention to provide a wafer cleaning slice-based peeling apparatus that is less likely to cause rust and stains.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、ウェーハ洗浄スライスベース剥離装置
を、洗浄・剥離・格納の各機能を1台の装置に備えてウ
ェーハWの洗浄から格納までを自動的に行うようにする
とともに、ヒーターでウェーハWを加熱して接着剤を軟
化する方法を採用し、さらに、ウェーハWを縦姿勢(ウ
ェーハ10の厚さ方向を水平方向にした状態をいう。)
にして取り扱うようにする。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a wafer cleaning slice-based peeling apparatus which is provided with each function of cleaning, peeling, and storing in a single apparatus, for cleaning a wafer W. A method of heating the wafer W with a heater to soften the adhesive while adopting a process of automatically storing the wafer W is adopted, and further, the wafer W is placed in a vertical position (in a state where the thickness direction of the wafer 10 is set in the horizontal direction). .)
And handle it.

【0010】すなわち、ウェーハ洗浄スライスベース剥
離装置を次のように構成する。 (イ)ウェーハWを縦姿勢で洗浄する洗浄部を設ける。
洗浄部には、縦姿勢のウェーハWを洗浄槽内外の上下に
搬送するエレベータを備える。 (ロ)洗浄されたウェーハWを乾燥するとともに、ウェ
ーハWの基材部分Waに接着されたスライスベースWb
を剥離する乾燥・剥離部を設ける。 (ハ)格納部を設け、スライスベースWbが剥離された
ウェーハWを格納するカセットを備える。 (ニ)互いに直交する水平2方向に搬送アームを駆動す
る水平搬送部を設ける。 (ホ)水平搬送部の搬送アームに第一ウェーハ保持部を
設ける。第一ウェーハ保持部には、ウェーハWを保持す
る第一保持具とその第一保持具の上下及び90゜回転駆
動機構を備える。 (ヘ)水平搬送部の搬送アームに第二ウェーハ保持部を
設ける。第二ウェーハ保持部には、ウェーハWを縦姿勢
に保持する第二保持具とその第二保持具の上下駆動機構
を備える。 (ト)切断機から横姿勢で搬出されたウェーハWを、第
一保持具でウェーハWを保持して、縦姿勢に向きを変え
た後、洗浄部のエレベータへ搬入する。 (チ)洗浄完了後エレベータで搬出されたウェーハW
を、第二保持具で保持して乾燥・剥離部へ搬入し、さら
に、スライスベースが剥離されたウェーハWを格納部へ
搬送してカセットに格納する。
That is, the wafer cleaning slice-based peeling apparatus is configured as follows. (A) A cleaning unit for cleaning the wafer W in a vertical position is provided.
The cleaning unit includes an elevator that transports the wafer W in a vertical position up and down inside and outside the cleaning tank. (B) Drying the washed wafer W and attaching the slice base Wb to the base portion Wa of the wafer W
A drying / peeling part for peeling off is provided. (C) A storage unit is provided, and a cassette for storing the wafer W from which the slice base Wb has been peeled off is provided. (D) A horizontal transfer unit that drives the transfer arm in two horizontal directions orthogonal to each other is provided. (E) The transfer arm of the horizontal transfer unit is provided with the first wafer holding unit. The first wafer holder includes a first holder for holding the wafer W and a mechanism for driving the first holder up, down, and 90 °. (F) The transfer arm of the horizontal transfer unit is provided with a second wafer holding unit. The second wafer holding unit includes a second holder for holding the wafer W in a vertical position and a vertical drive mechanism for the second holder. (G) The wafer W carried out from the cutting machine in the horizontal posture is held in the first holder, turned into the vertical posture, and then carried into the elevator of the cleaning unit. (H) Wafer W unloaded by elevator after cleaning is completed
Is transported to the drying / peeling unit while being held by the second holder, and the wafer W from which the slice base has been peeled is transported to the storage unit and stored in the cassette.

【0011】この場合、ウェーハWが切断機から搬出さ
れたときのスライスベース方向のままで搬送されていく
と、剥離時のスライスベース方向が、乾燥・剥離部でス
ライスベースWbを剥離するプッシャーの位置に適合し
なくなる場合は、次の2つの方法で対応する。
In this case, when the wafer W is transported in the slice base direction at the time of being unloaded from the cutter, the slice base direction at the time of peeling is changed by a pusher for peeling the slice base Wb at the drying / peeling section. If the position does not match, the following two methods are used.

【0012】その1つの方法は、水平面内回転自在に支
持されたテーブルを有する姿勢設定部を設け、切断機か
ら搬出されたウェーハWのスライスベース方向を姿勢設
定部で設定し直した後、縦姿勢に向きを変える。他の方
法は、第二保持具を回転自在にして、第二保持具を回転
してウェーハWのスライスベース方向を設定し直す。
One of the methods is to provide a posture setting unit having a table rotatably supported in a horizontal plane, and to reset the slice base direction of the wafer W unloaded from the cutting machine by the posture setting unit. Turn to your posture. In another method, the second holder is rotatable, and the second holder is rotated to reset the slice base direction of the wafer W.

【0013】また、切断機から横姿勢で搬出されたウェ
ーハWを第一保持具で保持するときにはウェーハWの中
心部を保持するが、ウェーハWを縦姿勢に向きを変える
ときには、そのまま中心部を保持して行う方法と、ウェ
ーハWの外周近傍を保持する方法とがある。縦姿勢にす
るといずれの方法でもウェーハWの平面度に及ぼす影響
は小さいので、いずれの方法にするかは洗浄部、乾燥・
剥離部、格納部の構造によって選択する。
When the wafer W carried out from the cutting machine in the horizontal position is held by the first holder, the center portion of the wafer W is held. When the wafer W is turned to the vertical position, the center portion is held as it is. There are a method of holding the wafer W and a method of holding the vicinity of the outer periphery of the wafer W. In any case, the vertical position has a small effect on the flatness of the wafer W in any method.
Selection is made according to the structure of the peeling section and the storage section.

【0014】なお、第二保持具でウェーハWを保持する
場合も同様に2とおりの方法があるが、第二保持具を回
転自在にしてウェーハWのスライスベース方向を設定す
る場合には、ウェーハWの中心部を保持する方法を用い
る。
There are also two methods for holding the wafer W with the second holder, but when the second holder is rotatable and the slice base direction of the wafer W is set, the wafer W may be set. A method of holding the center of W is used.

【0015】乾燥・剥離部におけるウェーハWの乾燥と
接着剤の軟化を、次のいずれかの方法で行う。 (イ)ウェーハWに乾燥空気を吹き付けた後、ヒーター
を内蔵したクランプ台にウェーハWを押しつけて基材部
分Waを加熱する。 (ロ)ウェーハWに乾燥空気を吹き付けた後、ヒータを
内蔵したスライスベース受板でスライスベースWbを加
熱する。
The drying of the wafer W and the softening of the adhesive in the drying / peeling section are performed by one of the following methods. (A) After blowing dry air onto the wafer W, the wafer W is pressed against a clamp table having a built-in heater to heat the base portion Wa. (B) After blowing dry air onto the wafer W, the slice base Wb is heated by a slice base receiving plate having a built-in heater.

【0016】また、乾燥・剥離部では、ウェーハWのス
ライスベース方向は水平方向や斜め下方向とする。
In the drying / peeling section, the slice base direction of the wafer W is set to be horizontal or obliquely downward.

【0017】さらに、水平搬送部の搬送アームの駆動方
法をサーボモータによるネジ駆動等とする。
Further, the driving method of the transfer arm of the horizontal transfer section is, for example, screw drive by a servomotor.

【0018】[0018]

【作用】切断機によってインゴットから切り出され横姿
勢で搬出されたウェーハWは、第一保持具でウェーハW
の中心部が保持され、縦姿勢に向きを変えられた後、洗
浄部のエレベータへ搬入される。そして、ウェーハWは
エレベータで洗浄槽内に搬入されて洗浄され、洗浄が完
了するとエレベータで洗浄槽外に搬出される。
The wafer W cut out of the ingot by the cutting machine and carried out in the horizontal position is moved by the first holder to the wafer W.
After being held in the central part and turned to a vertical position, it is carried into the elevator of the washing unit. Then, the wafer W is carried into the cleaning tank by the elevator and is cleaned. When the cleaning is completed, the wafer W is carried out of the cleaning tank by the elevator.

【0019】次に、ウェーハWは第二保持具で保持され
て乾燥・剥離部へ搬入され、乾燥されるとともにスライ
スベースWbが剥離される。スライスベースWbが剥離
されたウェーハWは第二保持具で保持されて格納部に搬
送され、カセットに格納される。
Next, the wafer W is held by the second holder and carried into the drying / peeling section, where it is dried and the slice base Wb is peeled. The wafer W from which the slice base Wb has been peeled is held by the second holder, transported to the storage unit, and stored in the cassette.

【0020】ただし、ウェーハWのスライスベース方向
を設定し直す場合で姿勢設定部が設けられているとき
は、切断機から搬出されたウェーハWのスライスベース
方向が姿勢設定部で設定し直された後、縦姿勢に向きを
変えられる。また、第二保持具が回転自在に設けられて
いるときは、第二保持具でウェーハWのスライスベース
方向が設定し直された後、乾燥・剥離部に搬入される。
However, when the attitude setting unit is provided when the slice base direction of the wafer W is reset, the slice base direction of the wafer W unloaded from the cutting machine is reset by the attitude setting unit. Later, you can change to a vertical position. When the second holder is rotatably provided, the wafer W is carried into the drying / separation unit after the slice base direction of the wafer W is reset by the second holder.

【0021】また、第一保持具でウェーハWの外周近傍
が保持された後縦姿勢に向きを変えられる場合は、切断
機から搬出されたウェーハWは、姿勢設定部のテーブル
上又は固定のテーブル上に一度置かれて保持し直され
る。
In the case where the wafer W can be turned to the vertical position after the vicinity of the outer periphery of the wafer W is held by the first holder, the wafer W unloaded from the cutting machine is placed on a table of a position setting unit or a fixed table. Once placed on top and held back.

【0022】乾燥・剥離部では、ウェーハWに乾燥空気
が吹き付けられることによって洗浄時に付着した洗浄液
が除去され、ヒーターを内蔵したクランプ台で基材部分
Waが加熱されて、又はヒーターを内蔵したスライスベ
ース受板でスライスベースWbが加熱されて、ウェーハ
Wが乾燥するともに接着剤が軟化する。
In the drying / peeling section, the cleaning liquid adhering at the time of cleaning is removed by blowing dry air onto the wafer W, and the base member Wa is heated by a clamp table having a built-in heater, or a slice having a built-in heater. The slice base Wb is heated by the base receiving plate, so that the wafer W is dried and the adhesive is softened.

【0023】また、乾燥・剥離部において、ウェーハW
のスライスベース方向を水平方向や斜め下方向にする
と、特別な操作をしなくても剥離されたスライスベース
Wbはそのまま下方に落下する。
In the drying / peeling section, the wafer W
When the slice base direction is horizontal or obliquely downward, the peeled slice base Wb falls downward without any special operation.

【0024】水平搬送部の搬送アームの駆動方法をサー
ボモーターによるネジ駆動にすると、格納部のカセット
にウェーハWを格納するピッチが自由に設定でき、カセ
ットの種類を枚葉式(ウェーハWを1枚ずつ離して格納
する)やスタック式(ウェーハWを1枚ずつ離さず重ね
て格納する)のいずれにも対応できる。
If the driving method of the transfer arm of the horizontal transfer unit is a screw drive by a servo motor, the pitch for storing the wafers W in the cassette of the storage unit can be set freely, and the type of the cassette is a single wafer type (one wafer W is used). It is possible to cope with any of the stack type (the wafers W are stored one by one without separating them).

【0025】[0025]

【実施例】【Example】

実施例1 図1・図2・図3に本発明に係るウェーハ洗浄スライス
ベース剥離装置の実施例1の全体図を示す。図1は平面
図、図2は図1のK矢視図(側面図)、図3は正面図で
ある。実施例1では、切断機から搬出されたウェーハW
は、スライスベース方向が剥離時の方向に対して所定の
角度θ回転した方向で、横姿勢で搬出されると仮定して
いる。
Embodiment 1 FIGS. 1, 2 and 3 show the overall view of Embodiment 1 of a wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention. 1 is a plan view, FIG. 2 is a view as viewed in the direction of the arrow K in FIG. 1 (side view), and FIG. 3 is a front view. In the first embodiment, the wafer W unloaded from the cutting machine
Is assumed to be carried out in a lateral posture in a direction in which the slice base direction is rotated by a predetermined angle θ with respect to the direction at the time of peeling.

【0026】実施例1のウェーハ洗浄スライスベース剥
離装置は、大きく分けて、姿勢設定部20、洗浄部3
0、乾燥・剥離部40、格納部60、水平搬送部70、
第一ウェーハ保持部80、第二ウェーハ保持部95から
構成されている。また、図1・図2・図3に示すよう
に、切断機側からX方向に姿勢設定部20、洗浄部3
0、乾燥・剥離部40の順に配置され、格納部60は切
断機の前側に配置されている。なお、互いに直交する水
平の2方向をX方向及びY方向とし、実施例1では、切
断機に平行な方向をY方向とする。また、洗浄部30か
ら先はウェーハWの厚さ方向がX方向に向けて搬送され
る。
The wafer cleaning slice-based peeling apparatus of the first embodiment is roughly divided into a posture setting unit 20 and a cleaning unit 3.
0, drying / peeling section 40, storage section 60, horizontal transport section 70,
It comprises a first wafer holder 80 and a second wafer holder 95. As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the posture setting unit 20 and the cleaning unit 3 extend in the X direction from the cutting machine side.
0, the drying / peeling unit 40 is arranged in this order, and the storage unit 60 is arranged in front of the cutting machine. Note that two horizontal directions perpendicular to each other are defined as an X direction and a Y direction, and in the first embodiment, a direction parallel to the cutting machine is defined as a Y direction. Further, from the cleaning unit 30, the thickness direction of the wafer W is transported in the X direction.

【0027】姿勢設定部20は、剥離時にスライスベー
スWbが、後述する乾燥・剥離部のプッシャー55の位
置に適合するように、ウェーハWのスライスベース方向
を設定する所である。詳細を図4(平面図)・図5(正
面図で一部断面図)に示す。なお、ウェーハWを図4で
は想像線で、図5では実線で示している。
The attitude setting section 20 sets the slice base direction of the wafer W so that the slice base Wb at the time of peeling is adapted to the position of a pusher 55 of a drying / peeling section described later. Details are shown in FIG. 4 (plan view) and FIG. 5 (partial sectional view in front view). The wafer W is shown by an imaginary line in FIG. 4 and by a solid line in FIG.

【0028】姿勢設定部20では、後述する水平搬送部
70の支柱71に取り付けられたブラケット21に軸受
け22が固着され、軸受け22に内蔵されたベアリング
に軸23が回転自在に支持されている。軸23の上端に
はテーブル24が、下端にはプーリ25が固着されてい
る。また、ブラケット21にはロータリーシリンダー2
6が取り付けられ、ロータリーシリンダー26の先端に
プーリ27が固着されて、プーリ27とプーリ25がベ
ルト26で連結されている。
In the attitude setting section 20, a bearing 22 is fixed to a bracket 21 attached to a column 71 of a horizontal transport section 70 described later, and a shaft 23 is rotatably supported by a bearing built in the bearing 22. A table 24 is fixed to the upper end of the shaft 23, and a pulley 25 is fixed to the lower end. The bracket 21 has a rotary cylinder 2
6, a pulley 27 is fixed to the tip of a rotary cylinder 26, and the pulley 27 and the pulley 25 are connected by a belt 26.

【0029】さらに、テーブル24は上面にウェーハW
の基材部分Waより僅かに大きい形状の浅い凹部24
a、スライスベースWbの幅より僅かに大きい切り欠き
24bが形成されている。また、テーブル24の下面に
は凸部24cが形成されるとともに、ブラケット21に
2個のストッパー29a及び29bが設けられている。
Further, the table 24 has a wafer W
Concave portion 24 having a shape slightly larger than base material portion Wa
a, a notch 24b slightly larger than the width of the slice base Wb is formed. A projection 24c is formed on the lower surface of the table 24, and two stoppers 29a and 29b are provided on the bracket 21.

【0030】姿勢設定部20はこのように構成されてお
り、テーブル24は凸部24cが2個のストッパー29
a及び29bに当接する角度θだけ、ロータリーシリン
ダー26によって回転する。また、切り欠き24bによ
ってスライスベースWbが規制されているので、ウェー
ハWはテーブル24の回転角度に追従する。
The attitude setting section 20 is configured as described above, and the table 24 has two projections 24c and two stoppers 29.
a and 29b are rotated by the rotary cylinder 26 by the angle θ. Further, since the slice base Wb is regulated by the notch 24b, the wafer W follows the rotation angle of the table 24.

【0031】洗浄部30は、ウェーハWを洗浄する所で
あり、詳細を図6(正面図で一部断面図)・図7(平面
図)に示す。いずれもウェーハWを想像線で示してい
る。
The cleaning section 30 is for cleaning the wafer W, and details are shown in FIG. 6 (partial sectional view in front view) and FIG. 7 (plan view). In each case, the wafer W is indicated by an imaginary line.

【0032】洗浄部30には洗浄槽31があり、洗浄槽
31には洗浄水が所定の高さ32まで蓄えられていて、
図示しないが、超音波発生装置が備えられている。ま
た、洗浄槽31の外側に設けられたコラム33に、スラ
イドガイド内蔵のエアシリンダー34が駆動方向を上下
方向にして取り付けられ、エアシリンダー34のスライ
ダー34aには、エレベーター35が取り付けられてい
る。エレベーター35の3箇所にはウェーハWを支持す
る受け駒35aが固着されている。
The washing section 30 has a washing tank 31 in which washing water is stored up to a predetermined height 32.
Although not shown, an ultrasonic generator is provided. An air cylinder 34 with a built-in slide guide is attached to a column 33 provided outside the washing tank 31 with the drive direction up and down. An elevator 35 is attached to a slider 34 a of the air cylinder 34. At three places of the elevator 35, receiving pieces 35a for supporting the wafer W are fixed.

【0033】洗浄部30はこのように構成されており、
エレベーター35は3箇所に固着された受け駒35aで
ウェーハWの水平方向両側と下側を受けて支持する。そ
して、エレベーター35が下降端の状態(図6に示す位
置)でウェーハWは洗浄水内で超音波洗浄され、上昇端
の状態で洗浄水の外に出る。
The cleaning unit 30 is configured as described above.
The elevator 35 receives and supports both sides and the lower side of the wafer W in the horizontal direction by receiving pieces 35a fixed at three places. Then, the wafer W is ultrasonically cleaned in the cleaning water with the elevator 35 at the lower end state (the position shown in FIG. 6), and comes out of the cleaning water at the upper end state.

【0034】乾燥・剥離部40は、洗浄部30で洗浄さ
れて洗浄液が付着したウェーハWを乾燥させるととも
に、ウェーハWの基材部分WaからスライスベースWb
を剥離する所である。乾燥・剥離部40は乾燥ノズル側
と剥離側の2箇所に分けて構成されており、詳細を図7
・図8に示す。図7は前述した洗浄部30とともに示す
平面図、図8は図7のL−L断面図であり、乾燥側はウ
ェーハWが下降した状態を実線で示し、剥離側はクラン
プ台47にウェーハWが固定される前の状態で、ウェー
ハWを想像線で示している。
The drying / peeling section 40 dries the wafer W to which the cleaning liquid has been adhered after being cleaned by the cleaning section 30 and, at the same time, from the base portion Wa of the wafer W to the slice base Wb.
Where it is peeled off. The drying / peeling part 40 is divided into two parts, a drying nozzle side and a peeling side.
-It is shown in FIG. 7 is a plan view showing the cleaning unit 30 together with the above-described cleaning unit 30. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line LL of FIG. In the state before is fixed, the wafer W is shown by imaginary lines.

【0035】乾燥・剥離部40では、コラム41の上端
で洗浄部30に近い側に乾燥ノズル42及び43が取り
付けられている。乾燥ノズル42及び43には斜め下方
に向いた1列の多数の穴42aが形成され、穴42aか
ら乾燥空気が吹き出される。ただし、第二ウェーハ保持
部95の先端部分(吸着パッド99等)と干渉しないよ
うに、乾燥ノズル43は中央がコの字形状になってお
り、その部分には穴42aは形成されていない。また、
乾燥ノズル42及び43のすぐ下側には囲い箱44がコ
ラム41に取り付けられている。
In the drying / peeling section 40, drying nozzles 42 and 43 are attached to the upper end of the column 41 near the cleaning section 30. The drying nozzles 42 and 43 are formed with a large number of holes 42a in a row facing obliquely downward, and dry air is blown out from the holes 42a. However, the center of the drying nozzle 43 has a U-shape so as not to interfere with the tip portion (the suction pad 99 and the like) of the second wafer holding portion 95, and the hole 42a is not formed in that portion. Also,
An enclosure 44 is attached to the column 41 immediately below the drying nozzles 42 and 43.

【0036】また、コラム41の洗浄部30から離れた
側の上下2箇所に固着されたL字形のフランジ45に、
断熱板46を介してクランプ台47が取り付けられてい
る。クランプ台47には所定の温度の発熱をするヒータ
と、クランプ台47の温度を検出する温度センサー(い
ずれも図示せず)が内蔵され、所定の温度(100℃前
後)に加熱保持されている。
Further, an L-shaped flange 45 fixed to two upper and lower locations on the side of the column 41 remote from the washing section 30 is provided.
A clamp table 47 is attached via a heat insulating plate 46. The clamp table 47 incorporates a heater that generates heat at a predetermined temperature and a temperature sensor (both not shown) that detects the temperature of the clamp table 47, and is heated and held at a predetermined temperature (around 100 ° C.). .

【0037】クランプ台47の接触面47aの形状は基
材部分Waと同様の形状(円)で、直径は基材部分Wa
の直径より僅かに小さくなっている。下方には2本の位
置決めバー48が設けられ、基材部分Waの外周を2本
の位置決めバー48に当接すると、基材部分Waの中心
が接触面47aの中心とほぼ一致するようになってい
る。
The contact surface 47a of the clamp table 47 has the same shape (circle) as the base member Wa, and the diameter is equal to the base member Wa.
Slightly smaller than the diameter. Two positioning bars 48 are provided below, and when the outer periphery of the base portion Wa contacts the two positioning bars 48, the center of the base portion Wa substantially coincides with the center of the contact surface 47a. ing.

【0038】また、2本の位置決めバー48の端面に取
付板49が固着され、取付板49にエアシリンダー50
が駆動方向をX方向(クランプ台47方向)にして取り
付けられている。エアシリンダー50のピストン軸の先
端にはピストンヘッド51が固着され、ピストンヘッド
51にX方向移動自在にクランパー52が支持されてい
る。クランパー52は圧縮バネ53でX右方向(クラン
プ台47側)に付勢され、エアシリンダー50によって
X左方向に戻される。
An attachment plate 49 is fixed to the end surfaces of the two positioning bars 48, and the air cylinder 50 is attached to the attachment plate 49.
Are mounted with the driving direction being the X direction (the clamp table 47 direction). A piston head 51 is fixed to the tip of the piston shaft of the air cylinder 50, and a clamper 52 is supported by the piston head 51 so as to be movable in the X direction. The clamper 52 is urged in the X right direction (toward the clamp table 47) by the compression spring 53, and is returned to the X left direction by the air cylinder 50.

【0039】さらに、コラム41固着されたフランジ4
5の2個の中間には、スライドガイド内蔵のエアシリン
ダー54が駆動方向をX方向にして取り付けられ、エア
シリンダー54のスライダー54aにはプッシャー55
が固着されている。また、クランプ台47等の下方には
バスケット56が設けられている。
Further, the flange 4 to which the column 41 is fixed
5, an air cylinder 54 with a built-in slide guide is attached with the drive direction being the X direction, and a pusher 55 is attached to a slider 54 a of the air cylinder 54.
Is fixed. A basket 56 is provided below the clamp table 47 and the like.

【0040】乾燥・剥離部40はこのように構成されて
おり、乾燥ノズル側では、ウェーハWは後述する第二ウ
ェーハ保持部95の吸着パッド99に保持されて、乾燥
ノズル42及び43の間を通って下降し、下降端(図8
に示す位置)から上昇して行く間、乾燥ノズル42及び
43から乾燥空気が吹き出されて洗浄液が除去される。
このとき、除去された水滴は囲い箱44によって外部に
飛散しない。
The drying / peeling section 40 is configured as described above. On the drying nozzle side, the wafer W is held by the suction pad 99 of the second wafer holding section 95 described later, and the space between the drying nozzles 42 and 43 is formed. Through the lower end (Fig. 8
(Position shown in FIG. 5), the drying air is blown out from the drying nozzles 42 and 43 to remove the cleaning liquid.
At this time, the removed water drops are not scattered outside by the surrounding box 44.

【0041】また、剥離側では、ウェーハWは後述する
第二ウェーハ保持部95の吸着パッド99に保持され
て、基材部分Waの中心がクランプ台47の接触面47
aの中心より僅かに上方の位置(基材部分Waの外周が
位置決めバー48に当接する手前)までクランプ台47
に沿うように(クランプ台47に接触しないで)下降さ
れる。
On the peeling side, the wafer W is held by a suction pad 99 of a second wafer holding portion 95, which will be described later, and the center of the base member Wa is positioned at the contact surface 47 of the clamp table 47.
a to a position slightly above the center of “a” (before the outer periphery of the base material portion Wa contacts the positioning bar 48).
(Without touching the clamp table 47).

【0042】次に、吸着パッド99の保持力が解放さ
れ、基材部分Waの外周が位置決めバー48に当接し
て、基材部分Waの中心が接触面47aの中心とほぼ一
致する。この状態からエアシリンダー50のピストン軸
をX右方向に駆動すると、クランパー52は圧縮バネ5
3によって基材部分Waをクランプ台47に押圧して固
定する。
Next, the holding force of the suction pad 99 is released, and the outer periphery of the base portion Wa contacts the positioning bar 48, so that the center of the base portion Wa substantially coincides with the center of the contact surface 47a. When the piston shaft of the air cylinder 50 is driven to the right in the X direction from this state, the clamper 52
3, the base material portion Wa is pressed against the clamp table 47 and fixed.

【0043】クランパー52が基材部分Waをクランプ
台47に固定して所定の時間経過すると、基材部分Wa
とスライスベースWbを結合している接着剤が高温にな
って柔らかくなるので、プッシャー55がスライスベー
スWbをX右方向に押圧して基材部分Waから剥離す
る。また、基材部分Waは熱せられて乾燥する。剥離さ
れたスライスベースWbは落下し、バスケット56に格
納される。
When a predetermined time elapses after the clamper 52 fixes the base portion Wa to the clamp table 47, the base portion Wa
Since the adhesive bonding the slice base Wb and the slice base Wb becomes high temperature and becomes soft, the pusher 55 presses the slice base Wb in the X right direction and peels off the base part Wa. Further, the base material portion Wa is heated and dried. The peeled slice base Wb falls and is stored in the basket 56.

【0044】格納部60は全体図の図1・図3に示す。
格納部60は、台61に3個のカセット62が備えら
れ、スライスベースWbが剥離されたウェーハW(つま
り基材部分Wa)が格納される。カセットには枚葉式や
スタック式があるが、図1・図3に示したカセット62
は枚葉式である。
The storage section 60 is shown in FIGS.
The storage unit 60 includes three cassettes 62 on a table 61, and stores the wafer W (that is, the base material Wa) from which the slice base Wb has been peeled. There are single-wafer type and stack type cassettes, and the cassette 62 shown in FIGS.
Is a single-wafer type.

【0045】水平搬送部70は全体図の図1・図2・図
3に示す。水平搬送部70では、実施例1のウェーハ洗
浄スライスベース剥離装置のベース11に立設された2
組4本の支柱71の上端に各々横材72が固着され、横
材72に梁73がY方向に設けられている。梁72の下
面にはYスライドユニット74が取り付けられ、Yスラ
イドユニット74のスライダーにはX方向にXスライド
ユニット75が取り付けられている。さらに、Xスライ
ドユニット75のスライダーには、搬送アーム76が設
けられている。
The horizontal transport section 70 is shown in FIGS. 1, 2 and 3 of the overall views. In the horizontal transfer unit 70, 2 is installed on the base 11 of the wafer cleaning slice base peeling device of the first embodiment.
A horizontal member 72 is fixed to the upper end of each of the four columns 71, and a beam 73 is provided on the horizontal member 72 in the Y direction. A Y slide unit 74 is attached to the lower surface of the beam 72, and an X slide unit 75 is attached to the slider of the Y slide unit 74 in the X direction. Further, the slider of the X slide unit 75 is provided with a transfer arm 76.

【0046】これによって、搬送アーム76はXY方向
に駆動される。なお、Yスライドユニット74及びXス
ライドユニット75は、サーボモーターを駆動源としネ
ジ駆動されるものである。
Thus, the transfer arm 76 is driven in the XY directions. The Y slide unit 74 and the X slide unit 75 are driven by screws using a servo motor as a drive source.

【0047】第一ウェーハ保持部80及び第二ウェーハ
保持部95の詳細を図9・図10(図10は図9のM矢
視図)に示す。
The details of the first wafer holder 80 and the second wafer holder 95 are shown in FIGS. 9 and 10 (FIG. 10 is a view taken in the direction of the arrow M in FIG. 9).

【0048】第一ウェーハ保持部80では、水平搬送部
70の搬送アーム76にスライドガイド内蔵のエアシリ
ンダー81が取り付けられ、エアシリンダー81のスラ
イダー81aにアーム82が固着されている。アーム8
2の先端には、軸83が設けられ、軸83にパッドホル
ダー84が90゜回転自在に支持されている。パッドホ
ルダー84の先端には吸着パッド(これまで述べた「第
一保持具」に相当)85が設けられている。吸着パッド
85はウェーハWを真空吸着して保持する。
In the first wafer holding section 80, an air cylinder 81 with a built-in slide guide is attached to a transfer arm 76 of a horizontal transfer section 70, and an arm 82 is fixed to a slider 81a of the air cylinder 81. Arm 8
A shaft 83 is provided at the distal end of the pad 2, and a pad holder 84 is supported by the shaft 83 so as to be rotatable by 90 °. At the tip of the pad holder 84, a suction pad (corresponding to the "first holder" described above) 85 is provided. The suction pad 85 holds the wafer W by vacuum suction.

【0049】また、アーム82の上端に形成されたフラ
ンジ部82aに、軸87が設けられ、軸87にエアシリ
ンダー88が揺動自在に支持されている。エアシリンダ
ー88のピストン軸88aの先端に固着されたピストン
ヘッド89には軸86が固着され、軸86はパッドホル
ダー84の端に内蔵されたベアリングに回転自在に連結
されている。さらに、アーム82の2箇所にストッパー
90及び91が設けられている。
A shaft 87 is provided on a flange portion 82a formed at the upper end of the arm 82, and an air cylinder 88 is swingably supported on the shaft 87. A shaft 86 is fixed to a piston head 89 fixed to a tip of a piston shaft 88a of the air cylinder 88. The shaft 86 is rotatably connected to a bearing built in an end of a pad holder 84. Further, stoppers 90 and 91 are provided at two places on the arm 82.

【0050】第一ウェーハ保持部80はこのように構成
されており、エアシリンダー81のスライダー81aが
上下動することによって吸着パッド85が上下動する。
また、エアシリンダー88のピストン軸88aを下方に
駆動すると、パッドホルダー84がストッパー90に当
接して吸着パッド85は下方向を向き、ピストン軸88
aを上方に駆動すると、パッドホルダー84がストッパ
ー91に当接して吸着パッド85は水平方向に向く。
The first wafer holding section 80 is configured as described above, and the suction pad 85 moves up and down when the slider 81a of the air cylinder 81 moves up and down.
When the piston shaft 88a of the air cylinder 88 is driven downward, the pad holder 84 comes into contact with the stopper 90, and the suction pad 85 faces downward.
When a is driven upward, the pad holder 84 comes into contact with the stopper 91, and the suction pad 85 turns in the horizontal direction.

【0051】また、第二ウェーハ保持部95では、第一
ウェーハ保持部80の反対側の搬送アーム76に固着さ
れた台座96に、スライドガイド内蔵のエアシリンダー
97が取り付けられている。エアシリンダー97のスラ
イダー97aにはパッドホルダー98が固着され、パッ
ドホルダー98の先端には吸着パッド(これまで述べた
「第二保持具」に相当)99が設けられている。吸着パ
ッド99はウェーハWを真空吸着して保持する。
In the second wafer holder 95, an air cylinder 97 with a built-in slide guide is attached to a pedestal 96 fixed to the transfer arm 76 on the opposite side of the first wafer holder 80. A pad holder 98 is fixed to the slider 97a of the air cylinder 97, and a suction pad (corresponding to the "second holder" described above) 99 is provided at the tip of the pad holder 98. The suction pad 99 holds the wafer W by vacuum suction.

【0052】第二ウェーハ保持部95はこのように構成
されており、エアシリンダー97のスライダー97aに
よって吸着パッド99が上下に移動する。
The second wafer holding section 95 is configured as described above, and the suction pad 99 moves up and down by the slider 97a of the air cylinder 97.

【0053】次に、このように構成された実施例1のウ
ェーハ洗浄スライスベース剥離装置の作用を説明する。
ウェーハWの主な位置は図2でAからH(剥離時)まで
の符号を付けて表し、Cの位置(洗浄部30の上方)の
み実線で、その他は想像線で表している。ただし、図3
では第二ウェーハ保持部95に保持されている状態を表
している。
Next, the operation of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the first embodiment configured as described above will be described.
The main positions of the wafer W are denoted by reference numerals from A to H (at the time of peeling) in FIG. 2, only the position of C (above the cleaning unit 30) is indicated by a solid line, and the others are indicated by imaginary lines. However, FIG.
Shows a state held by the second wafer holding unit 95.

【0054】切断機から搬出されたウェーハW(図2で
Aの位置)は、第一ウェーハ保持具80の吸着パッド8
5でウェーハWの中心部が保持され水平搬送部70によ
って搬送され、姿勢設定部20のテーブル24が図4の
状態からθだけ回転した状態のときに、テーブル24に
搬入される(図2でBの位置)。
The wafer W (position A in FIG. 2) carried out of the cutter is attached to the suction pad 8 of the first wafer holder 80.
5, the center portion of the wafer W is held and transferred by the horizontal transfer unit 70, and is loaded into the table 24 when the table 24 of the attitude setting unit 20 is rotated by θ from the state of FIG. 4 (see FIG. 2). B position).

【0055】姿勢設定部20では、吸着パッド85の保
持力が解放され吸着パッド85が上昇した後、ウェーハ
Wはテーブル24によってθだけ回転し、スライスベー
ス方向がY左方向(図1・図4・図5の状態)に設定さ
れる。
In the attitude setting unit 20, after the holding force of the suction pad 85 is released and the suction pad 85 is raised, the wafer W is rotated by θ by the table 24, and the slice base direction is the Y left direction (FIGS. 1 and 4). -The state shown in Fig. 5) is set.

【0056】スライスベース方向が設定されると、吸着
パッド85が切断機側(図2でX左方向)に移動した後
下降し、ウェーハWの外周近傍を保持する。次に吸着パ
ッド85が、ウェーハWがテーブル24に干渉しない位
置まで図2でX右方向に移動し、吸着パッド85が90
゜回転して、ウェーハWの向きを縦姿勢に変える(図2
でCの状態)。
When the slice base direction is set, the suction pad 85 moves to the cutting machine side (X left direction in FIG. 2) and then descends to hold the vicinity of the outer periphery of the wafer W. Next, the suction pad 85 moves rightward in FIG. 2 to a position where the wafer W does not interfere with the table 24, and
゜ Rotate to change the orientation of wafer W to a vertical orientation (Fig. 2
In the state of C).

【0057】ウェーハWが縦姿勢に変えられると、洗浄
部30のエレベータ35が上昇し、エレベータ35が上
昇端の位置になると、吸着パッド85の保持力が解放さ
れて、ウェーハWはエレベータ35の受け駒35aへ受
け渡される。
When the wafer W is changed to the vertical position, the elevator 35 of the cleaning section 30 is raised, and when the elevator 35 is at the position of the rising end, the holding force of the suction pad 85 is released, and the wafer W is lifted. It is delivered to the receiving piece 35a.

【0058】ウェーハWを受け取ると、エレベータ35
は下降してウェーハWを洗浄槽内に搬入する(図2でD
の状態)。ウェーハWの洗浄が完了するとエレベータ3
5が上昇しウェーハWは洗浄槽外に搬出される。
When the wafer W is received, the elevator 35
Descends and carries the wafer W into the cleaning tank (D in FIG. 2).
State). When the cleaning of the wafer W is completed, the elevator 3
5 rises and the wafer W is carried out of the cleaning tank.

【0059】エレベータ35が上昇端の位置に戻ると、
今度は、ウェーハWは第二ウェーハ保持部95の吸着パ
ッド99で保持される(図2でEの状態)。そして、ま
ず、乾燥・剥離部40の乾燥ノズル側へ搬入され、前述
したように、乾燥ノズル42及び43の間を通って下降
し、下降端(図2でFの状態)から上昇して行く間、乾
燥ノズル42及び43から乾燥空気が吹き出されて洗浄
液が除去される。
When the elevator 35 returns to the position of the rising end,
This time, the wafer W is held by the suction pad 99 of the second wafer holding unit 95 (the state of E in FIG. 2). Then, first, it is carried into the drying nozzle side of the drying / peeling section 40, and as described above, descends between the drying nozzles 42 and 43, and rises from the descending end (the state of F in FIG. 2). During this time, the drying air is blown out from the drying nozzles 42 and 43 to remove the cleaning liquid.

【0060】次に、ウェーハWは吸着パッド99で保持
されたまま剥離側に搬送され(図2でGの状態)、前述
したようにクランプ台47に固定され(図2でHの状
態)、スライスベースWbが剥離される。スライスベー
スWbが剥離されたウェーハWは、再び吸着パッド99
で保持されて格納部に搬送され、カセットに格納され
る。
Next, the wafer W is transported to the peeling side while being held by the suction pad 99 (the state G in FIG. 2), and is fixed to the clamp table 47 as described above (the state H in FIG. 2). The slice base Wb is peeled. The wafer W from which the slice base Wb has been peeled off is again put on the suction pad 99.
And is conveyed to the storage unit and stored in the cassette.

【0061】実施例2 次に、本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離装
置の実施例2について説明する。実施例2は、実施例1
と同様に切断機から搬出されたウェーハWのスライスベ
ース方向が剥離時の方向に対して所定の角度回転した方
向になっている場合であるが、実施例2では第二保持具
でウェーハWのスライスベース方向を設定し直すところ
のみが異なる。その他は実施例1と同様であるので、実
施例2は特に図示しない。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention will be described. Example 2 corresponds to Example 1
Similarly to the above case, the slice base direction of the wafer W unloaded from the cutting machine is a direction rotated by a predetermined angle with respect to the direction at the time of peeling, but in the second embodiment, the wafer W is The only difference is that the slice base direction is reset. The rest is the same as the first embodiment, and the second embodiment is not shown.

【0062】つまり、実施例2では実施例1で示した姿
勢設定部20の代わりに、第二ウェーハ保持部95のパ
ッドホルダー98に、実施例1で示した姿勢設定部20
のようにロータリーシリンダーを設け、吸着パッド99
の吸着面の反対側にプーリを取り付けて、ロータリーシ
リンダーのプーリとベルトで連結する。そして、ウェー
ハWの中心部を保持する。
That is, in the second embodiment, instead of the posture setting unit 20 shown in the first embodiment, the posture setting unit 20 shown in the first embodiment is attached to the pad holder 98 of the second wafer holding unit 95.
A rotary cylinder is provided as shown in FIG.
Attach a pulley to the opposite side of the suction surface, and connect with a pulley of a rotary cylinder with a belt. Then, the central part of the wafer W is held.

【0063】これによって、ウェーハWは、吸着パッド
99で保持されて、実施例1で示した図2のE又はGの
状態のときに、スライスベース方向が設定し直される。
なお、この場合、吸着パッド99等と干渉しないように
クランパー52関係は実施例1で示した位置よりクラン
プ台47から離れた位置にする。
As a result, the wafer W is held by the suction pad 99, and the slice base direction is reset in the state of E or G in FIG. 2 shown in the first embodiment.
In this case, the relationship between the clamper 52 and the clamper 47 is set at a position farther from the clamp table 47 than the position shown in the first embodiment so as not to interfere with the suction pad 99 and the like.

【0064】また、実施例2ではウェーハWの中心部を
保持するので、剥離時に基材部分Waをクランプ台47
に押圧するのは、実施例1で示した図クランパー52の
代わりに吸着パッド99で行ってもよい。そのときは、
吸着パッド99がバネ等によってクランプ台47側に付
勢されるようにする。
In the second embodiment, since the central portion of the wafer W is held, the substrate portion Wa is held at the time of peeling.
May be performed by the suction pad 99 instead of the clamper 52 shown in the first embodiment. That time,
The suction pad 99 is biased toward the clamp table 47 by a spring or the like.

【0065】実施例3 次に、本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離装
置の実施例3について説明する。実施例3は、切断機か
ら搬出されたウェーハWのスライスベース方向が剥離時
の方向に対する角度が不特定の場合であり、実施例1に
対して姿勢設定部を次のように変更する。その他は実施
例1と同様であるので、実施例3についても特に図示し
ない。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention will be described. The third embodiment is a case where the angle of the slice base direction of the wafer W unloaded from the cutting machine with respect to the direction at the time of peeling is not specified, and the posture setting unit is changed from the first embodiment as follows. The other components are the same as those of the first embodiment, so that the third embodiment is not particularly illustrated.

【0066】つまり、実施例3では実施例1で示した姿
勢設定部20と異なり、ロータリーシリンダー26の代
わりにモーターを設け、テーブル24の上面の凹部24
a、切り欠き24b、下面の凸部24c、ストッパー2
9a及び29bをなくし、テーブル24の上側でY左側
(スライスベースWbが設定される位置)に非接触(例
えば光学式)センサーを設ける。これによって、ウェー
ハWがテーブルに不特定のスライスベース方向で搬入さ
れても、モーターでテーブルが回転され、非接触センサ
ーでスライスベースWbの位置が確認されて、スライス
ベース方向が設定される。
That is, in the third embodiment, unlike the posture setting unit 20 shown in the first embodiment, a motor is provided instead of the rotary cylinder 26, and the recess 24 on the upper surface of the table 24 is provided.
a, notch 24b, lower surface convex portion 24c, stopper 2
9a and 29b are eliminated, and a non-contact (for example, optical) sensor is provided above the table 24 on the left side of Y (the position where the slice base Wb is set). Thus, even if the wafer W is carried into the table in an unspecified slice base direction, the table is rotated by the motor, the position of the slice base Wb is confirmed by the non-contact sensor, and the slice base direction is set.

【0067】なお、以上説明した実施例では、乾燥・剥
離部40で乾燥ノズル42及び43の2個を設けてウェ
ーハWの両面に乾燥空気を吹き付けたが、これに限ら
ず、乾燥ノズル42のみとしてウェーハWの片面のみ乾
燥空気を吹き付けたり、又は乾燥ノズルをいずれも省略
して乾燥空気を吹き付ずに処理する場合でも本発明は適
用できる。いずれの方法でも、ヒーターを内蔵したクラ
ンプ台にウェーハWが押し付けられることによってウェ
ーハWの洗浄液は除去され乾燥する。いずれの方法を採
用するかは、種々の条件によって選択する。
In the embodiment described above, two drying nozzles 42 and 43 are provided in the drying / peeling section 40 and the dry air is blown on both surfaces of the wafer W. However, the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to a case where dry air is blown only on one side of the wafer W or processing is performed without blowing dry air by omitting any drying nozzle. In either method, the cleaning liquid for the wafer W is removed and dried by pressing the wafer W against a clamp table having a built-in heater. Which method is adopted depends on various conditions.

【0068】また、以上説明した実施例では、乾燥・剥
離部40で基材部分WaとスライスベースWbを結合し
ている接着剤を軟化するためにヒーターを内蔵したクラ
ンプ台47にウェーハWが押しつける方法としたが、こ
れに限らず、ヒータを内蔵したスライスベース受板でス
ライスベースWbを加熱する方法でも本発明は適用でき
る。
In the above-described embodiment, the wafer W is pressed against the clamp table 47 having a built-in heater in order to soften the adhesive bonding the base portion Wa and the slice base Wb in the drying / peeling section 40. The method is not limited to this, but the present invention can be applied to a method in which the slice base Wb is heated by a slice base receiving plate having a built-in heater.

【0069】さらに、実施例では水平搬送部70の搬送
アーム76の駆動方法をサーボモーターによるネジ駆動
としたが、ベルト駆動やラック駆動等としてもよい。第
一保持具や第二保持具を真空吸着式のものとしたが、他
の方式の保持具でも本発明は適用できる。
Furthermore, in the embodiment, the driving method of the transfer arm 76 of the horizontal transfer section 70 is screw driving by a servo motor, but belt driving or rack driving may be used. Although the first holder and the second holder are of a vacuum suction type, the present invention can be applied to holders of other types.

【0070】また、実施例では格納部60のカセット6
2を枚葉式としたが、スタック式でも対応可能であるこ
とはいうまでもない。
In the embodiment, the cassette 6 in the storage section 60 is used.
Although 2 is a single wafer type, it is needless to say that a stack type can also be used.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ洗浄スライスベース剥離装置によれば、洗浄・剥離・
格納の各機能を1台の装置に備えてウェーハWの洗浄か
ら格納までを自動的に行うとともに、ヒーターでウェー
ハWを加熱して接着剤を軟化する方法を採用し、さら
に、ウェーハWを縦姿勢にして取り扱うようにした。
As described above, according to the wafer cleaning slice-based peeling apparatus of the present invention, cleaning, peeling,
A single device is provided with each function of storing, and the process from cleaning to storing of the wafer W is automatically performed, and a method of heating the wafer W with a heater to soften the adhesive is adopted. Handled in a posture.

【0072】したがって、洗浄・剥離・格納を短時間で
自動的に行うとともに、設置面積が小さく安価で、さら
に、ウェーハWの平面度を悪化させたりシミが発生する
おそれが少ないウェーハ洗浄スライスベース剥離装置を
提供することができる。
Therefore, the cleaning, peeling, and storing are automatically performed in a short time, the installation area is small, the cost is low, and the wafer cleaning slice base peeling is less likely to deteriorate the flatness of the wafer W or cause spots. An apparatus can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離
装置の実施例1の全体平面図
FIG. 1 is an overall plan view of a wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のK矢視図(側面図)FIG. 2 is a view as viewed in the direction of arrow K in FIG. 1 (side view).

【図3】本発明に係る実施例1の全体正面図FIG. 3 is an overall front view of the first embodiment according to the present invention.

【図4】本発明に係る実施例1の姿勢設定部の詳細平面
FIG. 4 is a detailed plan view of a posture setting unit according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係る実施例1の姿勢設定部の詳細正面
図(一部断面図)
FIG. 5 is a detailed front view (partially sectional view) of a posture setting unit according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明に係る実施例1の洗浄部の詳細正面図
(一部断面図)
FIG. 6 is a detailed front view (partially sectional view) of a cleaning unit according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明に係る実施例1の洗浄部及び乾燥・剥離
部の詳細平面図
FIG. 7 is a detailed plan view of a cleaning unit and a drying / peeling unit according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図7のL−L断面図8 is a sectional view taken along line LL of FIG. 7;

【図9】本発明に係る実施例1の第一ウェーハ保持部及
び第二ウェーハ保持部の詳細図
FIG. 9 is a detailed view of a first wafer holding unit and a second wafer holding unit according to the first embodiment of the present invention.

【図10】図9のM矢視図FIG. 10 is a view taken in the direction of arrow M in FIG. 9;

【図11】ウェーハの外形を示す図FIG. 11 is a view showing an outer shape of a wafer;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W………ウェーハ 20……姿勢設定部 30……洗浄部 40……乾燥・剥離部 60……格納部 70……水平搬送部 74……Yスライドユニット 75……Xスライドユニット 76……搬送アーム 80……第一ウェーハ保持部 95……第二ウェーハ保持部 A………切断機のウェーハ搬出位置 W: Wafer 20: Attitude setting unit 30: Cleaning unit 40: Drying / peeling unit 60: Storage unit 70: Horizontal transfer unit 74: Y slide unit 75: X slide unit 76: Transfer Arm 80: First wafer holder 95: Second wafer holder A: Wafer unloading position of cutting machine

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 縦姿勢のウェーハを洗浄槽内外の上下に
搬送するエレベータを備え、ウェーハを洗浄する洗浄部
と、 洗浄されたウェーハを縦姿勢で乾燥させるとともに、ウ
ェーハが縦姿勢の状態でウェーハの基材部分に接着され
たスライスベースを剥離する乾燥・剥離部と、 スライスベースが剥離されたウェーハを縦姿勢で格納す
るカセットを備えた格納部と、 互いに直交する水平2方向に搬送アームを駆動する水平
搬送部と、 ウェーハを保持する第一保持具とその第一保持具の上下
及び90゜回転駆動機構を備え、前記搬送アームに支持
された第一ウェーハ保持部と、 ウェーハを縦姿勢で保持する第二保持具とその第二保持
具の上下駆動機構を備え、前記搬送アームに支持された
第二ウェーハ保持部と、 から構成され、 インゴット切断機から横姿勢で搬出されたウェーハを、
前記第一保持具で保持して、縦姿勢に向きを変えた後、
前記洗浄部の前記エレベータへ搬入し、 前記洗浄部の洗浄槽から前記エレベータで搬出されたウ
ェーハを、前記第二保持具で保持して前記乾燥・剥離部
へ搬入し、 スライスベースが剥離されたウェーハを、前記第二保持
具で保持して格納部へ搬送し前記カセットに格納する、 ことを特徴とするウェーハ洗浄スライスベース剥離装
置。
1. An elevator for transporting a wafer in a vertical position up and down inside and outside a cleaning tank, a cleaning unit for cleaning the wafer, and drying the cleaned wafer in a vertical position. A drying / peeling part for peeling the slice base adhered to the base material part of the above, a storage part having a cassette for storing the wafer from which the slice base has been peeled in a vertical position, and a transfer arm in two horizontal directions orthogonal to each other. A horizontal transfer unit to be driven; a first holding unit for holding a wafer; a first wafer holding unit supported by the transfer arm, including a vertical and 90 ° rotation drive mechanism for the first holding unit; And a second wafer holding portion supported by the transfer arm, comprising a second holding tool for holding the second holding tool and a vertical drive mechanism for the second holding tool. A wafer that has been carried out in a horizontal attitude from,
After holding with the first holder and changing the orientation to the vertical position,
The wafer carried into the elevator of the cleaning unit, and the wafer carried out of the cleaning tank of the cleaning unit by the elevator was held by the second holding tool and carried into the drying / peeling unit, and the slice base was peeled. A wafer cleaning slice-based peeling apparatus, wherein a wafer is held by the second holder, transported to a storage unit, and stored in the cassette.
【請求項2】 水平面内回転自在に支持されたテーブル
にウェーハを載せてウェーハのスライスベース方向を設
定する姿勢設定部を設け、インゴット切断機から横姿勢
で搬出されたウェーハのスライスベース方向を設定した
後、前記第一保持具で保持して縦姿勢に向きを変えるこ
とを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄スライス
ベース剥離装置。
2. An attitude setting unit for setting a slice base direction of a wafer by placing the wafer on a table rotatably supported in a horizontal plane, and setting a slice base direction of a wafer carried out in a horizontal attitude from an ingot cutting machine. 2. The wafer cleaning slice-based peeling device according to claim 1, wherein the wafer holding slice is held by the first holder and changed to a vertical posture.
【請求項3】前記第二保持具を回転自在に設け、前記第
二保持具を回転してウェーハのスライスベース方向を設
定することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄
スライスベース剥離装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein the second holder is rotatably provided, and the second holder is rotated to set a slice base direction of the wafer. .
【請求項4】ウエーハを載せる固定テーブルを設け、イ
ンゴット切断機から横姿勢で搬出されたウエーハを、前
記第一保持具でウエーハの中心部を保持して前記テーブ
ル部に搬入した後、ウエーハの保持位置を外周近傍に変
えてウエーハを縦姿勢に向きを変えることを特徴とする
請求項1に記載のウエーハ洗浄スライスベース剥離装
置。
4. A fixed table on which a wafer is placed is provided, and a wafer carried out of the ingot cutting machine in a lateral position is loaded into the table while holding the central portion of the wafer with the first holding tool. It is characterized by changing the holding position to the vicinity of the outer periphery and turning the wafer to the vertical position
The wafer cleaning slice-based peeling device according to claim 1 .
【請求項5】 インゴット切断機から横姿勢で搬出され
たウェーハを、前記第一保持具でウェーハの中心部を保
持して前記姿勢設定部に搬入した後、ウェーハの保持位
置を外周近傍に変えてウェーハを縦姿勢に向きを変える
ことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ洗浄スライ
スベース剥離装置。
5. A wafer carried out in a lateral posture from an ingot cutting machine is carried into the posture setting part while holding a central portion of the wafer with the first holder, and then the holding position of the wafer is changed to a position near an outer periphery. 3. The wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to claim 2, wherein the wafer is turned to a vertical posture.
【請求項6】 前記乾燥・剥離部が、 ウェーハに乾燥空気を吹き付ける乾燥ノズルと、 所定の温度の発熱をするヒータが内蔵されたクランプ台
と、 ウェーハの基材部分を前記クランプ台に固定するクラン
パーと、 ウェーハのスライスベースをウェーハの厚さ方向に押す
プッシャーと、 から構成されたことを特徴とする請求項1から請求項5
までのいずれか1に記載のウェーハ洗浄スライスベース
剥離装置。
6. A drying nozzle for blowing dry air onto a wafer, a clamp table having a built-in heater for generating heat at a predetermined temperature, and a base portion of a wafer fixed to the clamp table. 6. A clamper comprising: a clamper; and a pusher for pushing a slice base of the wafer in a thickness direction of the wafer.
The wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to any one of the above.
【請求項7】前記乾燥・剥離部において、ウエーハを縦
姿勢で保持したときに、ウエーハのスライスベースの取
付けられている位置が水平方向を向くように構成された
ことを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか
1に記載のウエーハ洗浄スライスベース剥離装置。
7. In the drying / peeling section , the wafer is vertically
When it is held in position, intake of slice-based wafer
The wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the attached position is configured to face a horizontal direction.
【請求項8】 前記水平搬送部の前記搬送アームの駆動
方法がサーボモータによるネジ駆動であることを特徴と
する請求項1から請求項7までのいずれか1に記載のウ
ェーハ洗浄スライスベース剥離装置 。 【0001】
8. The wafer cleaning slice base peeling apparatus according to claim 1, wherein a driving method of the transfer arm of the horizontal transfer unit is screw driving by a servo motor. . [0001]
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