JP3117891B2 - Wafer cleaning slice base peeling equipment - Google Patents

Wafer cleaning slice base peeling equipment

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JP3117891B2
JP3117891B2 JP07042364A JP4236495A JP3117891B2 JP 3117891 B2 JP3117891 B2 JP 3117891B2 JP 07042364 A JP07042364 A JP 07042364A JP 4236495 A JP4236495 A JP 4236495A JP 3117891 B2 JP3117891 B2 JP 3117891B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の素材となる
シリコン等のウェーハの製造装置に係わり、特に、スラ
イシングマシンやワイヤソー等のインゴット切断機(以
下、単に「切断機」という)によってインゴットから切
断されたウェーハを洗浄し、ウェーハの基材部分に接着
されたスライスベースを剥離するとともに、スライスベ
ースが剥離されたウェーハをカセットに格納する機能を
備えた装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a wafer of silicon or the like which is used as a material of a semiconductor device, and more particularly to an apparatus for cutting an ingot by a slicing machine, a wire saw or the like (hereinafter simply referred to as "cutting machine"). The present invention relates to an apparatus having a function of cleaning a cut wafer, peeling a slice base adhered to a substrate portion of the wafer, and storing the wafer having the slice base peeled in a cassette.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態から切断機により切断され
て製造されるが、切断時に切り終わり部分が欠けないよ
うにインゴットにはスライスベースを接着し、スライス
ベースも含めて切断する。したがって、切断後のウェー
ハ10は図9に示す形状になっており、スライスベース
10bは切断後にシリコン等の基材部分10aから剥離
される。
2. Description of the Related Art A wafer made of silicon or the like as a material of a semiconductor element is manufactured by being cut by a cutting machine from an ingot state, and a slice base is adhered to the ingot so that a cut end portion is not chipped at the time of cutting. , Including the slice base. Accordingly, the wafer 10 after cutting has the shape shown in FIG. 9, and the slice base 10b is peeled off from the base portion 10a such as silicon after cutting.

【0003】剥離方法としては、基材部分10aにスラ
イスベース10bを接着している接着剤を軟化し、その
状態でスライスベース10bをウェーハ10の厚さ方向
に押して剥離するが、接着剤の軟化方法としては、ウェ
ーハ10を熱水に入れて温める方法、ヒータを内蔵した
クランプ台で基材部分10aを加熱する方法、熱風で接
着部分を直接加熱する方法、ヒータを内蔵したスライス
ベース受板でスライスベース10bを加熱する方法等が
ある。
[0003] As a peeling method, the adhesive bonding the slice base 10b to the base portion 10a is softened, and in this state, the slice base 10b is pressed in the thickness direction of the wafer 10 and peeled. As a method, a method of heating the wafer 10 in hot water, a method of heating the base portion 10a with a clamp table having a built-in heater, a method of directly heating the bonded portion with hot air, and a method of using a slice base receiving plate having a built-in heater There is a method of heating the slice base 10b.

【0004】また、切断されたウェーハ10は、スライ
スベース10bの剥離と前後して、切断時に付着した切
り粉や切削液を取り除くために洗浄することが必要であ
り、さらに、剥離や洗浄が完了したウェーハ10の基材
部分10aを次の製造工程のためにカセットに格納する
ことが必要である。
Further, the cut wafer 10 needs to be cleaned before and after the peeling of the slice base 10b to remove cutting chips and cutting fluid attached at the time of cutting, and furthermore, the peeling and cleaning are completed. It is necessary to store the base material portion 10a of the wafer 10 in a cassette for the next manufacturing process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、これら剥離・洗浄・格納を別々の装置としているこ
とが多く、その場合、ウェーハ製造装置全体の設備費用
が高くなるだけでなく、装置の設置面積が大きくなり、
さらに、これらの工程間の搬入出を作業者が手作業で行
うことが多いために時間がかかる等の問題がある。
Conventionally, however, the separation, cleaning, and storage are often performed in separate apparatuses. In this case, not only the equipment cost of the entire wafer manufacturing apparatus is increased, but also the installation of the apparatus is not required. The area increases,
Furthermore, there is a problem that it takes time since an operator often manually carries in and out between these processes.

【0006】また、剥離のためにウェーハ10を熱水に
入れて接着剤を軟化する方法では、熱水の維持管理が面
倒であったり、装置の設置面積が大きくなりやすく、さ
らに、熱水の温度は100℃前後になるため安全対策を
充分に行う必要がある等、取扱が面倒で高価になるとい
う問題がある。
Further, in the method of softening the adhesive by putting the wafer 10 in hot water for peeling, maintenance of the hot water is troublesome, the installation area of the apparatus tends to be large, and Since the temperature is about 100 ° C., it is necessary to take sufficient safety measures.

【0007】さらに、ウェーハ10の姿勢は厚さ方向を
鉛直方向(以下「横姿勢」という)にして取り扱われる
ことが多いが、この姿勢の場合は一般的に装置の設置面
積が大きくなるとともに、ウェーハ10が撓みやすく、
長時間この状態にしておくとウェーハ10の平面度が悪
化するおそれがある。特に、近年、半導体の生産効率向
上等からウェーハ10の直径はますます大きくなってお
り、この影響は無視できなくなっている。また、洗浄
後、この姿勢にしておくと、洗浄液が残ってウェーハ1
0の表面にシミができやすい。
Further, the attitude of the wafer 10 is often handled with the thickness direction being a vertical direction (hereinafter referred to as "lateral attitude"). In this attitude, the installation area of the apparatus generally increases, and The wafer 10 is easily bent,
If this state is maintained for a long time, the flatness of the wafer 10 may be deteriorated. In particular, in recent years, the diameter of the wafer 10 has been increasingly increased due to improvement in semiconductor production efficiency and the like, and this influence cannot be ignored. Also, if the cleaning liquid is kept in this position after cleaning, the cleaning liquid remains and the wafer 1
The surface of 0 is easily stained.

【0008】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、洗浄・剥離・格納を短時間で自動的に行うとと
もに、設置面積が小さく安価で、さらに、ウェーハ10
の平面度を悪化させたりシミが発生するおそれが少ない
ウェーハ洗浄スライスベース剥離装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and automatically performs cleaning, peeling, and storing in a short time, has a small installation area, is inexpensive, and has a low cost.
It is an object of the present invention to provide a wafer-cleaning slice-based peeling apparatus which is less likely to deteriorate the flatness of the wafer or cause spots.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ウェーハ洗浄スライスベース剥離装置
を、洗浄・剥離・格納の各機能を1台の装置に備えてウ
ェーハ10の洗浄から格納までを自動的に行うととも
に、剥離のための接着剤軟化方法をヒーターを内蔵した
クランプ台にウェーハ10を押しつけて基材部分10a
を加熱する方法とし、さらに、ウェーハ10の姿勢を主
としてウェーハ10の厚さ方向を水平方向(以下「縦姿
勢」という)にして取り扱う。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a wafer cleaning slice-based peeling apparatus is provided with cleaning, peeling, and storing functions in a single apparatus, so that a wafer cleaning slice is removed. The wafer 10 is pressed against a clamp table having a built-in heater by pressing the wafer 10 on a clamp table having a built-in heater.
And the wafer 10 is handled with the attitude of the wafer 10 mainly set in the horizontal direction in the thickness direction of the wafer 10 (hereinafter referred to as “vertical attitude”).

【0010】すなわち、ウェーハ洗浄スライスベース剥
離装置を次のように構成する。 (イ)洗浄部を設け、インゴットから切断されたウェー
ハ10を洗浄する。 (ロ)乾燥・剥離部を設け、洗浄されたウェーハ10に
乾燥空気を吹き付けるとともに、ウェーハ10を所定の
温度に熱せられたクランプ台に固定し、ウェーハ10の
基材部分10aに接着されたスライスベース10bを剥
離する。 (ハ)格納部を設け、スライスベース10bが剥離され
たウェーハ10を格納するカセットを備える。 (ニ)第一搬送部を設け、切断機から横姿勢で搬出され
たウェーハ10を受け取り、洗浄部へ搬入するととも
に、洗浄部から搬出する。 (ホ)第二搬送部を設け、洗浄部から搬出されたウェー
ハ10を第一搬送部から受け取り、ウェーハ10を横姿
勢から縦姿勢に回転した後、ウェーハ10を乾燥・剥離
部へ搬入し、さらに、スライスベース10bが剥離され
たウェーハ10を格納部のカセットに格納する。
That is, the wafer cleaning slice-based peeling apparatus is configured as follows. (A) A cleaning unit is provided to clean the wafer 10 cut from the ingot. (B) A drying / peeling section is provided, while blowing dry air onto the washed wafer 10, fixing the wafer 10 to a clamp table heated to a predetermined temperature, and slicing the wafer 10 to the base portion 10a of the wafer 10. The base 10b is peeled off. (C) A storage section is provided, and a cassette for storing the wafer 10 from which the slice base 10b has been peeled off is provided. (D) A first transfer unit is provided to receive the wafer 10 unloaded from the cutting machine in the horizontal position, load the wafer 10 into the cleaning unit, and unload it from the cleaning unit. (E) A second transfer unit is provided, receives the wafer 10 unloaded from the cleaning unit from the first transfer unit, rotates the wafer 10 from the horizontal position to the vertical position, and then loads the wafer 10 into the drying / separation unit. Further, the wafer 10 from which the slice base 10b has been peeled is stored in the cassette of the storage unit.

【0011】この場合、第一搬送部に、ウェーハ10を
洗浄部から搬出するときに、ウェーハ10を傾ける機能
を備えることができる。また、第二搬送部の水平送りを
サーボモータによるネジ駆動等とする。さらに、第二搬
送部のウェーハ保持手段を、ウェーハ10を円周方向に
90゜回転する機能を備えたものとしてもよい。
In this case, the first transfer section can be provided with a function of tilting the wafer 10 when the wafer 10 is unloaded from the cleaning section. Further, the horizontal feed of the second transport unit is driven by a screw by a servo motor or the like. Further, the wafer holding means of the second transfer section may have a function of rotating the wafer 10 by 90 ° in the circumferential direction.

【0012】[0012]

【作用】切断機によってインゴットから切断されたウェ
ーハ10は横姿勢で搬出され、第一搬送部によって洗浄
部へ搬入されて洗浄される。洗浄されたウェーハ10
は、第一搬送部によって洗浄部から搬出され、第二搬送
部のウェーハ保持手段に移し替えられた後、縦姿勢に回
転される。次に、その姿勢のまま、ウェーハ10は、第
二搬送部によって乾燥・剥離部へ搬入され、乾燥空気を
吹き付けられるとともに、所定の温度に熱せられたクラ
ンプ台に固定され接着剤が軟化した後、スライスベース
10bが剥離される。さらに、スライスベース10bが
剥離されたウェーハ10は、第二搬送部によって格納部
まで搬送されてカセットに格納される。
The wafer 10 cut from the ingot by the cutting machine is carried out in a horizontal posture, carried into the cleaning unit by the first transfer unit, and washed. Cleaned wafer 10
Is transported out of the cleaning unit by the first transport unit, transferred to the wafer holding unit of the second transport unit, and then rotated to a vertical posture. Next, in that posture, the wafer 10 is carried into the drying / peeling unit by the second transfer unit, and is blown with dry air, and is fixed to a clamp table heated to a predetermined temperature to soften the adhesive. Then, the slice base 10b is peeled off. Further, the wafer 10 from which the slice base 10b has been peeled is transported to the storage unit by the second transport unit and stored in the cassette.

【0013】この場合、ウェーハ10は洗浄された後
は、縦姿勢にされるので洗浄による水滴等がとれやすく
なり、シミが残るおそれが少ない。特に、ウェーハ10
を洗浄部から搬出するときに、ウェーハ10を傾けると
水切れがよくなる。
In this case, after the wafer 10 is cleaned, the wafer 10 is placed in a vertical position, so that water droplets and the like are easily removed by the cleaning, and there is little possibility that stains remain. In particular, the wafer 10
When the wafer 10 is carried out of the cleaning unit, the water drain is improved by tilting the wafer 10.

【0014】また、第二搬送部の水平送りをサーボモー
ターによるネジ駆動にすると、格納部のカセットにウェ
ーハ10を格納するピッチが自由に設定でき、カセット
の種類を枚葉式(ウェーハを1枚ずつ離して格納する)
やスタック式(ウェーハを1枚ずつ離さず重ねて格納す
る)のいずれにも対応できる。
If the horizontal feed of the second transfer unit is driven by a screw by a servomotor, the pitch at which the wafers 10 are stored in the cassette of the storage unit can be set freely, and the type of the cassette is a single wafer type (one wafer is used). Separate and store)
And stack type (wafers are stored one by one without being separated).

【0015】また、第二搬送部のウェーハ保持手段をウ
ェーハ10を円周方向に90゜回転する機能を備えたも
のにすると、格納部のカセットにウェーハ10を格納す
るときにオリフラやノッチの方向を自由に設定すること
ができる。
Further, when the wafer holding means of the second transfer section is provided with a function of rotating the wafer 10 by 90 ° in the circumferential direction, when the wafer 10 is stored in the cassette of the storage section, the orientation of the orientation flat or the notch can be reduced. Can be set freely.

【0016】[0016]

【実施例】図1・図2・図3に本発明に係るウェーハ洗
浄スライスベース剥離装置の実施例の全体図を示す。図
1は平面図、図2は図1のJ矢視図(正面図)、図3は
図1のK矢視図(側面図)である。本発明に係るウェー
ハ洗浄スライスベース剥離装置は、大きく分けて、洗浄
部20、乾燥・剥離部30、格納部40、第一搬送部5
0、第二搬送部70から構成されており、図1・図2に
示すように配置されている。
1, 2, and 3 show general views of an embodiment of a wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention. 1 is a plan view, FIG. 2 is a view as viewed in the direction of the arrow J in FIG. 1 (front view), and FIG. 3 is a view as viewed in the direction of the arrow K in FIG. 1 (side view). The wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention is roughly divided into a cleaning section 20, a drying / peeling section 30, a storage section 40, and a first transport section 5.
0 and a second transport unit 70, and are arranged as shown in FIGS.

【0017】洗浄部20は、切断機から送られてきたウ
ェーハ10を洗浄するところであり、詳細を図4・図5
(後述する第一搬送部50の一部も含む)に示す。図4
は平面図、図5は図4のL−L断面図である。なお、ウ
ェーハ10を、図4は想像線で図5は実線で示してい
る。
The cleaning section 20 is for cleaning the wafer 10 sent from the cutting machine.
(Including a part of the first transport unit 50 described later). FIG.
Is a plan view, and FIG. 5 is a sectional view taken along line LL of FIG. The wafer 10 is shown by an imaginary line in FIG. 4 and by a solid line in FIG.

【0018】図4・図5において、洗浄部20には洗浄
槽21があり、洗浄槽21には洗浄水が所定の高さ22
まで蓄えられていて、図示しないが、超音波発生装置が
備えられている。また、洗浄槽21には、第一搬送部5
0によってウェーハ10が洗浄部20に搬入されるとき
に基材部分10aを案内するウェーハガイド23、同じ
くスライスベース10bを案内する2個のウェーハガイ
ド24が設けられている。さらに、洗浄槽21の内側側
面にはホルダー25が固着され、ホルダー25に軸26
が取り付けられていて、軸26にローラ27が回転自在
に支持されている。
4 and 5, the washing section 20 has a washing tank 21 in which washing water is supplied at a predetermined height 22.
Although not shown, an ultrasonic generator is provided, although not shown. Further, the first transport unit 5 is provided in the cleaning tank 21.
A wafer guide 23 for guiding the base portion 10a when the wafer 10 is carried into the cleaning unit 20 by the number 0, and two wafer guides 24 for guiding the slice base 10b are also provided. Further, a holder 25 is fixed to the inner side surface of the cleaning tank 21, and a shaft 26 is attached to the holder 25.
Is mounted, and a roller 27 is rotatably supported on the shaft 26.

【0019】乾燥・剥離部30は、洗浄部20で洗浄さ
れて水滴が付着したウェーハ10を乾燥させるととも
に、ウェーハ10の基材部分10aからスライスベース
10bを剥離するところであり、詳細を図7・図8に示
す。図7は正面図(後述する第二搬送部70の一部も含
む)、図8は側面図である。ウェーハ10は、図8は乾
燥ノズルの前にあり、図7はクランプ台34に固定され
ている状態を示す。
The drying / peeling part 30 is for drying the wafer 10 to which the water droplets are adhered after being cleaned by the cleaning part 20 and for peeling the slice base 10b from the base part 10a of the wafer 10; As shown in FIG. 7 is a front view (including a part of a second transport unit 70 described later), and FIG. 8 is a side view. FIG. 8 shows the wafer 10 in front of the drying nozzle, and FIG.

【0020】図7・図8において、コラム31の上端に
乾燥ノズル32が取り付けられている。乾燥ノズル32
には斜め下方に向いた1列の多数の穴32aから乾燥空
気が吹き出され、その前をウェーハ10が通過すること
によってウェーハ10の片側(図8で左側)全面を乾燥
させる。
7 and 8, a drying nozzle 32 is attached to an upper end of a column 31. Drying nozzle 32
Dry air is blown out from a large number of holes 32a in a row facing obliquely downward, and the entire surface of one side (left side in FIG. 8) of the wafer 10 is dried by passing the wafer 10 in front of it.

【0021】また、コラム31の上下2箇所に固着され
たL字形のフランジ33に、断熱板33aを介してクラ
ンプ台34が取り付けられている。クランプ台34には
所定の温度の発熱をするヒータとクランプ台34の温度
を検出する温度センサー(いずれも図示せず)が内蔵さ
れ、所定の温度(100℃前後)に加熱保持されてい
る。
A clamp base 34 is attached to an L-shaped flange 33 fixed to two upper and lower portions of the column 31 via a heat insulating plate 33a. The clamp table 34 has a built-in heater that generates heat at a predetermined temperature and a temperature sensor (both not shown) that detects the temperature of the clamp table 34, and is heated and held at a predetermined temperature (around 100 ° C.).

【0022】クランプ台34の基材部分10aの接触面
34aの形状は基材部分10aと同様の形状(円)で、
直径は基材部分10aの直径より僅かに小さくなってい
る。下方には2本の位置決めバー35が設けられ、基材
部分10aの外周を2本の位置決めバー35に当接する
と、基材部分10aの中心が接触面34aの中心とほぼ
一致するようになっている。
The shape of the contact surface 34a of the base portion 10a of the clamp table 34 is the same as that of the base portion 10a (circle).
The diameter is slightly smaller than the diameter of the base portion 10a. Two positioning bars 35 are provided below, and when the outer periphery of the base portion 10a abuts against the two positioning bars 35, the center of the base portion 10a substantially coincides with the center of the contact surface 34a. ing.

【0023】また、コラム31にはスライドガイド内蔵
のエアシリンダ36が取り付けられ、エアシリンダ36
のスライダー36aにはプッシャー37が固着されてい
る。さらに、クランプ台34、エアシリンダ36、プッ
シャー37等の下方には、装置ベース11の下側に設け
られたバスケット(図示せず)に、剥離されスライスベ
ース10bを案内する落下ガイド38が設けられてい
る。
An air cylinder 36 with a built-in slide guide is attached to the column 31.
A pusher 37 is fixed to the slider 36a. Further, below the clamp table 34, the air cylinder 36, the pusher 37, and the like, a basket (not shown) provided below the apparatus base 11 is provided with a drop guide 38 that is peeled off and guides the slice base 10b. ing.

【0024】格納部40には台41にカセットが備えら
れ、スライスベース10bが剥離されたウェーハ10
(つまり基材部分10a)が格納される。カセットには
枚葉式やスタック式があるが、図1・図2・図3に示し
たカセット42はスタック式である。スタック式ではウ
ェーハ10は互いに重なり合って格納されるので、枚葉
式に比べて多くのウェーハ10が格納できる。
The storage section 40 is provided with a cassette on a table 41, and the wafer 10 from which the slice base 10b has been peeled off.
(That is, the base portion 10a) is stored. The cassettes include a sheet type and a stack type, and the cassette 42 shown in FIGS. 1, 2 and 3 is a stack type. In the stack type, the wafers 10 are stored so as to overlap each other, so that a larger number of wafers 10 can be stored as compared with the single wafer type.

【0025】カセット42は2個の側板42aが4個の
バー42bで連結されて基本部分が構成され、4個のバ
ー42bで基材部分10aの外周を受けるようになって
いる。また、2個の側板42aの間には3個の仕切板4
2dがバー42cに支持されて設けられている。さら
に、2個の側板42aの上端には取っ手42eが設けら
れている。なお、図3に示すように台41の下側には予
備のカセット42が2個収納できるようになっている。
The cassette 42 has a basic portion formed by connecting two side plates 42a with four bars 42b, and receives the outer periphery of the base member 10a with the four bars 42b. Further, three partition plates 4 are provided between the two side plates 42a.
2d is provided supported by the bar 42c. Further, a handle 42e is provided at the upper end of the two side plates 42a. As shown in FIG. 3, two spare cassettes 42 can be stored below the table 41.

【0026】第一搬送部50は切断機から送られてきた
ウェーハ10を洗浄部20へ搬入し、また、洗浄が完了
したウェーハ10を洗浄部20から搬出するもので、ウ
ェーハ10を上下に搬送する。図1・図2・図3に示す
ように、第一搬送部50には上下駆動ユニット51があ
り、上下駆動ユニット51のスライダーに取り付けられ
た第一アーム52が上下に駆動される。上下駆動ユニッ
ト51はサーボモーターを駆動源としネジ駆動されるも
のである。
The first transfer section 50 carries the wafer 10 sent from the cutting machine into the cleaning section 20 and carries out the washed wafer 10 from the cleaning section 20. The first transfer section 50 transfers the wafer 10 up and down. I do. As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the first transport unit 50 has a vertical drive unit 51, and a first arm 52 attached to a slider of the vertical drive unit 51 is driven up and down. The vertical drive unit 51 is driven by screws using a servo motor as a drive source.

【0027】図4・図5・図6(図6は図4のM−M断
面図)に示すように、第一アーム52の先端には軸ホル
ダー53が取り付けられ、軸ホルダー53に固着された
軸54に揺動自在に支持板55が支持されている。支持
板55の下側からは2個の支持バー56が延設され、支
持バー56の上に2個の受け板57が支持バー56と略
直角に固着されている。2個の受け板57の一方の端は
連結板58が固着され、連結板58の上面にガイドピン
59が設けられている。
As shown in FIGS. 4, 5, and 6 (FIG. 6 is a sectional view taken along line MM of FIG. 4), a shaft holder 53 is attached to the tip of the first arm 52, and is fixed to the shaft holder 53. A support plate 55 is swingably supported on the shaft 54. Two support bars 56 extend from the lower side of the support plate 55, and two receiving plates 57 are fixed on the support bar 56 substantially at right angles to the support bar 56. A connecting plate 58 is fixed to one end of the two receiving plates 57, and a guide pin 59 is provided on the upper surface of the connecting plate 58.

【0028】また、支持板55の下側で支持バー56の
上側には受け板57と同じ方向にガイド板60が取り付
けられている。さらに、支持板55の支持バー56と反
対側の面には板カム61が固着され、支持板55の上端
の突起部55aには、第一アーム52の先端に設けられ
たストッパー62が当接している。
A guide plate 60 is attached below the support plate 55 and above the support bar 56 in the same direction as the receiving plate 57. Further, a plate cam 61 is fixed to the surface of the support plate 55 opposite to the support bar 56, and a stopper 62 provided at the tip of the first arm 52 abuts on a projection 55 a at the upper end of the support plate 55. ing.

【0029】第二搬送部70は洗浄が完了し洗浄部20
から搬出されたウェーハ10を第一搬送部50から受け
取り、ウェーハ10を横姿勢から縦姿勢に回転した後、
乾燥・剥離部30へ搬送し、さらに、スライスベース1
0bが剥離されたウェーハ10を格納部40のカセット
42に格納する。
The cleaning is completed in the second transport section 70 and the cleaning section 20
After receiving the wafer 10 unloaded from the first transfer unit 50 and rotating the wafer 10 from the horizontal position to the vertical position,
Conveyed to the drying / peeling section 30
The wafer 10 from which 0b has been peeled is stored in the cassette 42 of the storage unit 40.

【0030】図1・図2・図3に示すように、第二搬送
部70には水平駆動ユニット71があり、水平駆動ユニ
ット71のスライダーに上下駆動ユニット72が立設さ
れて、上下駆動ユニット72のスライダーに取り付けら
れた第二アーム73が上下及びY方向に駆動される。水
平駆動ユニット71及び上下駆動ユニット72はサーボ
モーターを駆動源としネジ駆動されるものである。
As shown in FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3, a horizontal drive unit 71 is provided in the second transport section 70, and a vertical drive unit 72 is provided upright on a slider of the horizontal drive unit 71, and a vertical drive unit 71 is provided. The second arm 73 attached to the slider 72 is driven vertically and in the Y direction. The horizontal drive unit 71 and the vertical drive unit 72 are driven by screws using a servo motor as a drive source.

【0031】また、図7・図8に示すように、第二アー
ム73の先端にはブラケット74を介してロータリーシ
リンダー75が取り付けられ、ロータリーシリンダー7
5にアーム76が90゜回転自在に支持されている。ア
ーム76の先端にはウェーハ10を真空吸着する吸着パ
ッド77が、図8でY方向移動自在に取り付けらるとと
もに、圧縮バネ78によってアーム76から離れる方向
(図8で左方向)に予圧がかけられている。なお、吸着
パッド77の先端部分は後述するウェーハ保持部分の他
の実施例と同様である。
As shown in FIGS. 7 and 8, a rotary cylinder 75 is attached to the tip of the second arm 73 via a bracket 74.
The arm 76 is rotatably supported at 90 °. At the tip of the arm 76, a suction pad 77 for vacuum-sucking the wafer 10 is attached so as to be movable in the Y direction in FIG. 8, and a preload is applied by a compression spring 78 in a direction away from the arm 76 (left direction in FIG. 8). Have been. The tip portion of the suction pad 77 is the same as in other embodiments of the wafer holding portion described later.

【0032】次に、このように構成されたウェーハ洗浄
スライスベース剥離装置の作用を説明する。ウェーハ1
0の主な位置は図2でAからIbまでの符号を付けて表
し、Aの位置のみ実線で、その他は想像線で表してい
る。
Next, the operation of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus configured as described above will be described. Wafer 1
The main positions of 0 are denoted by reference numerals from A to Ib in FIG. 2, only the position of A is indicated by a solid line, and the others are indicated by imaginary lines.

【0033】切断機でインゴットから切断されたウェー
ハ10は、第一搬送部50が上昇端にあるときに、切断
機の搬送手段によって図1等に示す白矢印の方向に、横
姿勢で第一搬送部50の受け板57上に搬出される(ウ
ェーハ10は図2のAの位置)。このとき、ウェーハ1
0は第一搬送部50のガイド板60に外周の片側を案内
され、他の片側は切断機の搬送手段のガイドに案内され
て、ガイドピン59に当接される位置まで搬出される。
When the first transfer unit 50 is at the rising end, the wafer 10 cut from the ingot by the cutting machine is placed in the horizontal position in the direction of the white arrow shown in FIG. The wafer 10 is unloaded onto the receiving plate 57 of the transfer section 50 (the wafer 10 is at the position A in FIG. 2). At this time, wafer 1
0 is guided on one side of the outer periphery by the guide plate 60 of the first transport section 50, and the other side is guided by the guide of the transport means of the cutting machine, and is carried out to a position where it abuts on the guide pin 59.

【0034】次に、第一搬送部50は下降し、ウェーハ
10は洗浄部20へ搬入されるが、第一搬送部50の先
端部分が洗浄槽21に入るとき、受け板57が水平に対
して次第に傾き、最大傾いた(図5の想像線)後、次第
に水平に戻る。つまり、支持板55の下側が洗浄部20
の洗浄槽21の上端に係るときは、支持板55に固着さ
れている板カム61の先端61aは、洗浄部20に設け
られたローラ27に当接していないが、支持板55が下
降していくと板カム61の斜面がローラ27に当接して
支持板55が押されるので、支持板55は軸54を中心
に図5で左側に傾く。この傾き角度は板カム61の山部
61bがローラ27に当接するときが最大で、支持板5
5がさらに下降すると、支持板55は次第に右側に戻
り、板カム61の平坦部61cに達すると、支持板55
は元の姿勢に戻る。支持板55の動きに従って受け板5
7が水平に対して揺動する。
Next, the first transfer unit 50 descends, and the wafer 10 is carried into the cleaning unit 20. When the leading end of the first transfer unit 50 enters the cleaning tank 21, the receiving plate 57 moves horizontally. After gradually tilting to the maximum (the imaginary line in FIG. 5), it gradually returns to horizontal. That is, the lower side of the support plate 55 is
When the upper end of the cleaning tank 21 is concerned, the tip 61a of the plate cam 61 fixed to the support plate 55 does not contact the roller 27 provided in the cleaning unit 20, but the support plate 55 is lowered. Then, since the slope of the plate cam 61 comes into contact with the roller 27 and the support plate 55 is pressed, the support plate 55 is inclined leftward in FIG. This inclination angle is maximum when the peak 61b of the plate cam 61 contacts the roller 27.
When the support plate 55 further descends, the support plate 55 gradually returns to the right, and when it reaches the flat portion 61c of the plate cam 61, the support plate 55
Returns to the original position. Receiving plate 5 according to the movement of support plate 55
7 swings with respect to the horizontal.

【0035】これによって、ウェーハ10の上面を押さ
えるものがなくても、ウェーハ10は受け板57から浮
き上がらず洗浄水に入ることができる。なお、ウェーハ
10が洗浄水内に入るときには外周が第一搬送部50の
ガイド板60とガイドピン59及び洗浄部20のウェー
ハガイド23と24に案内される。
Thus, even if there is nothing to press the upper surface of the wafer 10, the wafer 10 can enter the cleaning water without floating from the receiving plate 57. When the wafer 10 enters the cleaning water, the outer periphery is guided by the guide plate 60 and the guide pins 59 of the first transfer unit 50 and the wafer guides 23 and 24 of the cleaning unit 20.

【0036】ウェーハ10が洗浄水内に入ると(ウェー
ハ10は図2のBの位置)、超音波を用いて洗浄され
る。洗浄が完了すると、受け板57が洗浄槽21の上端
付近になる位置まで第一搬送部50が上昇し、ウェーハ
10は洗浄水から搬出される。このとき、前述した搬入
時と同様(順序は逆)に受け板57は水平に対して揺動
しながら上昇する。これによって、洗浄でウェーハ10
に付着した多くの水滴が取り除かれる。
When the wafer 10 enters the cleaning water (the wafer 10 is at the position B in FIG. 2), it is cleaned using ultrasonic waves. When the cleaning is completed, the first transfer unit 50 moves up to a position where the receiving plate 57 is near the upper end of the cleaning tank 21, and the wafer 10 is carried out from the cleaning water. At this time, the receiving plate 57 rises while swinging with respect to the horizontal similarly to the above-described loading (the order is reversed). Thereby, the wafer 10 can be cleaned.
Many water droplets adhering to the water are removed.

【0037】第一搬送部50の受け板57部分が洗浄槽
21の上端付近に来ると(ウェーハ10は図2のCの位
置)、ウェーハ10は、第二搬送部70の先端のアーム
76に設けられた吸着パッド77に移し替えられる。
When the receiving plate 57 portion of the first transfer unit 50 comes near the upper end of the cleaning tank 21 (the wafer 10 is at the position C in FIG. 2), the wafer 10 is moved to the arm 76 at the tip of the second transfer unit 70. It is transferred to the suction pad 77 provided.

【0038】次に、第二搬送部70は上昇するとともに
水平方向(図2の左方向)に移動し(ウェーハ10は図
2のDの位置)、アーム76が90゜回転する。これに
よって、ウェーハ10は縦姿勢となる(図2のEの位
置)。
Next, the second transfer section 70 moves up and moves in the horizontal direction (left direction in FIG. 2) (the wafer 10 is at the position D in FIG. 2), and the arm 76 rotates 90 °. As a result, the wafer 10 is in the vertical posture (the position E in FIG. 2).

【0039】ウェーハ10が縦姿勢にされた位置は乾燥
ノズル32の上方位置で、ウェーハ10はそのまま下降
し、下降端に達すると(図2のFの位置)上昇して元の
位置まで戻るが、下降端から元の位置に戻る間、乾燥ノ
ズル32から乾燥空気が吹き出されて片面(図2で左側
の面)が乾燥される。なお、乾燥ノズル32と反対側の
面(図2で右側の面)は剥離時に温められることによっ
て乾燥される。
The vertical position of the wafer 10 is above the drying nozzle 32, and the wafer 10 descends as it is. When the wafer 10 reaches the descending end (position F in FIG. 2), it rises and returns to the original position. While returning to the original position from the lower end, the drying air is blown out from the drying nozzle 32 to dry one surface (the left surface in FIG. 2). The surface opposite to the drying nozzle 32 (the surface on the right side in FIG. 2) is dried by being heated at the time of peeling.

【0040】また、位置決めバー35は乾燥ノズル32
の位置まで延設されているが、これは、トラブル等によ
ってウェーハ10が吸着パッド77から離れて落下して
も、ウェーハ10が正規の位置を保つようにする(その
位置から再起動できる)ためのもので、乾燥ノズル32
の前を通過するときの下降端(図2のFの位置)は、ウ
ェーハ10が位置決めバー35に当接しない位置であ
る。
The positioning bar 35 is connected to the drying nozzle 32.
This is because even if the wafer 10 falls away from the suction pad 77 due to a trouble or the like, the wafer 10 keeps its normal position (the wafer 10 can be restarted from that position). The drying nozzle 32
2 is a position where the wafer 10 does not come into contact with the positioning bar 35.

【0041】乾燥ノズル32前を通過した後、ウェーハ
10は、第二搬送部によってEの位置からGの位置まで
移動し、そこから基材部分10aの中心がクランプ台3
4の接触面34aの中心より僅かに上方の位置(基材部
分10aの外周が位置決めバー35に当接する手前)ま
でクランプ台34に沿うように(クランプ台34に接触
しないで)下降される。
After passing through the front of the drying nozzle 32, the wafer 10 is moved from the position E to the position G by the second transfer unit, and the center of the base 10a is moved therefrom to the clamp table 3.
4 is lowered along the clamp table 34 (without touching the clamp table 34) to a position slightly above the center of the contact surface 34a (before the outer periphery of the base portion 10a contacts the positioning bar 35).

【0042】次に、吸着パッド77の保持力が解放さ
れ、ウェーハ10の基材部分10aの外周が位置決めバ
ー35に当接して、基材部分10aの中心が接触面34
aの中心とほぼ一致する。この状態から第二搬送部がさ
らにクランプ台34方向に移動し、吸着パッド77が基
材部分10aをクランプ台34に押圧して固定する(図
2のHの位置)。このときの押圧力は圧縮バネ78によ
って発生する。
Next, the holding force of the suction pad 77 is released, the outer periphery of the base portion 10a of the wafer 10 comes into contact with the positioning bar 35, and the center of the base portion 10a is brought into contact with the contact surface 34.
It almost coincides with the center of a. From this state, the second transport section further moves in the direction of the clamp table 34, and the suction pad 77 presses and fixes the substrate portion 10a against the clamp table 34 (position H in FIG. 2). The pressing force at this time is generated by the compression spring 78.

【0043】吸着パッド77が基材部分10aをクラン
プ台34に固定して所定の時間経過すると、基材部分1
0aとスライスベース10bを結合している接着剤が高
温になって柔らかくなるので、プッシャー37がスライ
スベース10bをウェーハ10の厚さ方向に押圧して基
材部分10aから剥離する。剥離されたスライスベース
10bは落下し、落下ガイド38を通って図示しないバ
スケットに格納される。
When a predetermined time elapses after the suction pad 77 fixes the base part 10a to the clamp table 34, the base part 1
Since the adhesive bonding the Oa and the slice base 10b becomes high temperature and becomes soft, the pusher 37 presses the slice base 10b in the thickness direction of the wafer 10 and separates it from the base portion 10a. The peeled slice base 10b falls, passes through the fall guide 38, and is stored in a basket (not shown).

【0044】スライスベース10bが剥離されたウェー
ハ10は第二搬送部70によって格納部40まで搬送さ
れカセット42に格納される(ウェーハ10は図2のI
aからIbまでの位置)。この場合、第二搬送部70の
水平駆動ユニット71はサーボモーターを駆動源とする
ネジ駆動されており、送り量は自由に設定できるので、
スタック式のようにウェーハ10を重ねて格納すること
が可能である。もちろん、枚葉式でも対応可能であるこ
とはいうまでもない。
The wafer 10 from which the slice base 10b has been peeled is transported to the storage section 40 by the second transport section 70 and stored in the cassette 42 (the wafer 10 is shown by I in FIG. 2).
a to Ib). In this case, the horizontal drive unit 71 of the second transport unit 70 is driven by screws using a servo motor as a drive source, and the feed amount can be freely set.
It is possible to store the wafers 10 in a stacked manner as in the stack type. Of course, it is needless to say that a single-wafer type can be used.

【0045】次に、第二搬送部70の他の実施例につい
て説明する。第二搬送部70の他の実施例は吸着パッド
が90゜回転するもので、前述した実施例に対して、水
平駆動ユニット71、上下駆動ユニット72、第二アー
ム73、ロータリーシリンダー75までは同じで、ウェ
ーハ保持部分が異なる。図10に正面図、図11に側面
図、図12に図10のP−P断面図(吸着パッド部分の
詳細図)、図13に図11のQ−Q断面図の一部(アー
ムホルダー82の支持部分)を示す。
Next, another embodiment of the second transport section 70 will be described. In the other embodiment of the second transport unit 70, the suction pad rotates 90 °, and the horizontal drive unit 71, the vertical drive unit 72, the second arm 73, and the rotary cylinder 75 are the same as the above-described embodiment. The wafer holding portion is different. 10 is a front view, FIG. 11 is a side view, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along a line P-P of FIG. 10 (detailed view of a suction pad portion), and FIG. Support portion).

【0046】図10・図11・図12・図13におい
て、ロータリーシリンダー75の回転軸に固着された軸
ホルダー81に軸81aが固着され、軸81aにベアリ
ング82aを介してアームホルダー82が揺動自在に支
持されるとともに、軸ホルダー81とアームホルダー8
2の間には引っ張りバネ92が掛けられてアームホルダ
ー82の一方向に予圧がかけられ、それによる回転がス
トッパー93により規制されている。
In FIG. 10, FIG. 11, FIG. 12, and FIG. 13, a shaft 81a is fixed to a shaft holder 81 fixed to a rotary shaft of a rotary cylinder 75, and an arm holder 82 swings on the shaft 81a via a bearing 82a. The shaft holder 81 and the arm holder 8 are supported freely.
A tension spring 92 is hung between the two, and a preload is applied in one direction of the arm holder 82, and the rotation due thereto is regulated by a stopper 93.

【0047】また、アームホルダー82にはアーム83
が固着され、アーム83の先端にはパッドホルダー84
が取り付けられている。パッドホルダー84には吸着パ
ッド86がタイミングギヤ88とともに回転自在に支持
され、タイミングギヤ88はアーム83に取り付けられ
たロータリーシリンダー90の回転軸に固着されたタイ
ミングギヤ91とタイミングベルト89でつながってい
る。パッドホルダー84には真空発生装置(図示省略)
に配管されたチューブ94(図10・図11では図示省
略)が取り付けられている。
The arm holder 82 has an arm 83.
And a pad holder 84 is attached to the tip of the arm 83.
Is attached. A suction pad 86 is rotatably supported on the pad holder 84 together with a timing gear 88, and the timing gear 88 is connected to a timing gear 91 fixed to a rotating shaft of a rotary cylinder 90 attached to the arm 83 by a timing belt 89. . A vacuum generator (not shown) is provided in the pad holder 84.
A tube 94 (not shown in FIGS. 10 and 11) is attached.

【0048】これによって、吸着パッド86がロータリ
ーシリンダー90によって、90゜回転される。この場
合、吸着パッド86が乾燥・剥離部30のクランプ台3
4にウェーハ10を押圧する力は引っ張りバネ92によ
って発生する。
Thus, the suction pad 86 is rotated by 90 ° by the rotary cylinder 90. In this case, the suction pad 86 is connected to the clamp table 3 of the drying / peeling section 30.
The force for pressing the wafer 10 against 4 is generated by a tension spring 92.

【0049】なお、吸着パッド86が回転するため、パ
ッドホルダー84の穴に係る部分の吸着パッド86の外
周には溝86aが形成されて、回転位置に関係なく吸引
することができるとともに、空気が洩れないようにパッ
ドホルダー84の穴の2箇所にはパッキン85が設けら
れている。吸着パッド86の先端には一般的に構成され
ているようにOリング87が取り付けられている。
Since the suction pad 86 rotates, a groove 86a is formed on the outer periphery of the suction pad 86 in a portion corresponding to the hole of the pad holder 84, so that suction can be performed regardless of the rotation position and air can be sucked. Packings 85 are provided at two places in the holes of the pad holder 84 so as not to leak. An O-ring 87 is attached to the tip of the suction pad 86 as generally configured.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ洗浄スライスベース剥離装置によれば、洗浄・剥離・
格納の各機能を1台の装置に備えてウェーハ10の洗浄
から格納までを自動的に行うとともに、剥離のための接
着剤軟化方法をヒーターを内蔵したクランプ台に基材部
分10aを押しつけて加熱する方法とし、さらに、ウェ
ーハ10の姿勢を主として縦姿勢にして取り扱うように
した。
As described above, according to the wafer cleaning slice-based peeling apparatus of the present invention, cleaning, peeling,
A single device is provided with each function of storing, and the process from cleaning to storing of the wafer 10 is automatically performed. In addition, the adhesive softening method for peeling is performed by pressing the base material portion 10a against a clamp table having a built-in heater. In addition, the attitude of the wafer 10 is mainly set to the vertical attitude.

【0051】したがって、洗浄・剥離・格納を短時間で
自動的に行うとともに、設置面積が小さく安価で、さら
に、ウェーハ10の平面度を悪化させたりシミが発生す
るおそれが少ないウェーハ洗浄スライスベース剥離装置
を提供することができる。
Therefore, the cleaning, peeling, and storing are automatically performed in a short time, the installation area is small, the cost is small, and the wafer cleaning slice base peeling is less likely to deteriorate the flatness of the wafer 10 and cause the occurrence of spots. An apparatus can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離
装置の実施例の平面図
FIG. 1 is a plan view of an embodiment of a wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図2】図1のJ矢視図(正面図)FIG. 2 is a view as viewed in the direction of arrow J in FIG. 1 (front view).

【図3】図1のK矢視図(側面図)FIG. 3 is a view as viewed from an arrow K in FIG. 1 (side view).

【図4】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離
装置の実施例の洗浄部の詳細平面図
FIG. 4 is a detailed plan view of a cleaning unit of the embodiment of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図5】図4のL−L断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line LL of FIG. 4;

【図6】図4のM−M断面図FIG. 6 is a sectional view taken along line MM of FIG. 4;

【図7】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離
装置の実施例の乾燥・剥離部の詳細正面図
FIG. 7 is a detailed front view of a drying / peeling part of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥離
装置の実施例の乾燥・剥離部の詳細側面図
FIG. 8 is a detailed side view of a drying / peeling part of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図9】ウェーハの外形を示す図FIG. 9 is a view showing an outer shape of a wafer;

【図10】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥
離装置の第二搬送部のウェーハ保持手段の他の実施例を
示す正面図
FIG. 10 is a front view showing another embodiment of the wafer holding means of the second transfer section of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図11】本発明に係るウェーハ洗浄スライスベース剥
離装置の第二搬送部のウェーハ保持手段の他の実施例を
示す側面図
FIG. 11 is a side view showing another embodiment of the wafer holding means of the second transfer section of the wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to the present invention.

【図12】図10のP−P断面図(吸着パッド部分の詳
細図)
FIG. 12 is a sectional view taken along the line PP of FIG. 10 (detailed view of a suction pad portion);

【図13】図11のQ−Q断面図の一部図FIG. 13 is a partial view taken along the line QQ in FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……ウェーハ 20……洗浄部 21……洗浄槽 30……乾燥・剥離部 32……乾燥ノズル 34……クランプ台 40……格納部 42……カセット 50……第一搬送部 51……上下駆動ユニット 52……第一アーム 57……受け板 70……第二搬送部 71……水平駆動ユニット 72……上下駆動ユニット 73……第二アーム 77……吸着パッド A………ウェーハ搬入位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer 20 ... Cleaning part 21 ... Cleaning tank 30 ... Drying / peeling part 32 ... Drying nozzle 34 ... Clamp table 40 ... Storage part 42 ... Cassette 50 ... First transport part 51 ... Vertical drive unit 52 First arm 57 Receiving plate 70 Second transport unit 71 Horizontal drive unit 72 Vertical drive unit 73 Second arm 77 Adsorption pad A Wafer carry-in position

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 インゴットから切断された後のウェーハ
を洗浄する洗浄部と、 洗浄されたウェーハに乾燥空気を吹き付けるとともに、
ウェーハを所定の温度に熱せられたクランプ台に固定
し、ウェーハの基材部分に接着されたスライスベースを
剥離する乾燥・剥離部と、 スライスベースが剥離されたウェーハを格納するカセッ
トが備えられた格納部と、 インゴット切断機から厚さ方向を鉛直方向にした状態で
搬出されたウェーハを受け取り、前記洗浄部へ搬入する
とともに、前記洗浄部から搬出する第一搬送部と、 前記洗浄部から搬出されたウェーハを前記第一搬送部か
ら受け取り、ウェーハの厚さ方向を水平方向にウェーハ
を回転した後、ウェーハを前記乾燥・剥離部へ搬入し、
スライスベースが剥離されたウェーハを前記格納部のカ
セットに格納する第二搬送部と、 から構成されたことを特徴とするウェーハ洗浄スライス
ベース剥離装置。
1. A cleaning unit for cleaning a wafer after being cut from an ingot, and blowing dry air on the cleaned wafer;
A drying / peeling unit for fixing the wafer to a clamp table heated to a predetermined temperature and peeling the slice base adhered to the base part of the wafer, and a cassette for storing the wafer from which the slice base was peeled were provided. A storage unit, a first transfer unit that receives a wafer unloaded from the ingot cutting machine in a state where the thickness direction is vertical, loads the wafer into the cleaning unit, and unloads the wafer from the cleaning unit; and unloads the wafer from the cleaning unit. Received the wafer from the first transfer unit, after rotating the wafer in the thickness direction of the wafer in the horizontal direction, the wafer is carried into the drying and peeling unit,
And a second transfer unit that stores the wafer from which the slice base has been peeled in a cassette of the storage unit.
【請求項2】 前記第一搬送部が、ウェーハを前記洗浄
部から搬出するときにウェーハを傾けることを特徴とす
る請求項1に記載のウェーハ洗浄スライスベース剥離装
置。
2. The wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to claim 1, wherein the first transfer unit tilts the wafer when unloading the wafer from the cleaning unit.
【請求項3】 前記第二搬送部の水平送りがサーボモー
タによるネジ駆動であることを特徴とする請求項1又は
請求項2に記載のウェーハ洗浄スライスベース剥離装
置。
3. The wafer cleaning slice base stripping apparatus according to claim 1, wherein the horizontal feed of the second transfer section is screw drive by a servomotor.
【請求項4】 前記第二搬送部のウェーハ保持手段がウ
ェーハを円周方向に90゜回転する機構を備えたもので
あることを特徴とする請求項1、請求項2又は請求項3
に記載のウェーハ洗浄スライスベース剥離装置。 【0001】
4. The apparatus according to claim 1, wherein the wafer holding means of the second transfer unit includes a mechanism for rotating the wafer by 90 ° in a circumferential direction.
A wafer cleaning slice-based peeling apparatus according to 4. [0001]
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