JP2005136285A - Method and device for sticking wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、2枚のウエーハを重ね合せて密着状態に貼り合せできるようにしたウエーハの貼り合せ方法及び装置に関する。 The present invention relates to a wafer bonding method and apparatus in which two wafers are superposed and bonded in a close contact state.
SOI(Silicon On Insulator)ウエーハのように、2枚のウエーハを密着状態に貼り合せる場合、ウエーハ間に気泡やパーティクル等が入り込んでボイド等が発生すると、後工程で不都合を生じるので、気泡等を除去するようにウエーハを貼り合わせる貼り合せ方法や装置が種々提案されている。また、一般に、そのような貼り合せ装置は、水平に保持したウエーハの上面に他のウエーハを載せて貼り合せるよう構成されている(例えば、特許文献1参照)から、パーティクルの影響をうけやすく、フットプリントも大きくなり、その上、ウエーハを1枚づつロボット等で移動させているので、作業性も良くない。また、ウエーハのオリエンテーションフラットを下側にしてウエーハ面が斜めになるよう立てかけ、オリエンテーションフラット形成領域の1ヶ所から押圧して貼り合せることも知られているが(例えば、特許文献2参照)、ウエーハの支持が不確実なためずれて貼り合されるおそれもあった。
本発明の解決課題は、ウエーハの周辺部までずれやボイド等を生じることなく確実に密着させることができ、全自動で効率よくウエーハを貼り合せることができるようにしたウエーハの貼り合せ方法及び装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer laminating method and apparatus capable of reliably adhering to a peripheral portion of a wafer without causing any deviation or void, and capable of fully and efficiently laminating a wafer. Is to provide.
本発明によれば、貼り合すべき2枚のウエーハを洗浄乾燥する工程と、洗浄乾燥後のウエーハを一対の貼り合せチャックにそれぞれ保持してアライメントする工程と、アライメントされたウエーハが正対するように上記貼り合せチャックを貼り合せ位置に移動する工程と、上記貼り合せチャックに保持されているウエーハを重ね合すよう上記貼り合せチャックを近接する工程を含むことを特徴とするウエーハの貼り合せ方法が提案され、好ましくは上記貼り合せチャックはウエーハの貼り合せ面が起立した状態になるようウエーハを保持し、上記ウエーハを重ね合す際ウエーハの中心部から外周部に向かって弾性手段で押圧する工程を含んでいる。 According to the present invention, the step of cleaning and drying two wafers to be bonded, the step of aligning the wafer after cleaning and drying with a pair of bonding chucks, and the aligned wafers face each other. And a step of moving the bonding chuck to a bonding position and a step of bringing the bonding chuck close together so as to overlap the wafer held by the bonding chuck. Preferably, the laminating chuck holds the wafer so that the laminating surface of the wafer is in an upright state, and presses the wafer from the central part to the outer peripheral part when the wafers are stacked. It includes a process.
また、本発明によれば、2枚のウエーハを個々に洗浄乾燥する2つの洗浄乾燥手段と、洗浄乾燥後のウエーハをそれぞれ保持する一対の貼り合せチャックと、ウエーハを上記洗浄乾燥手段に搬入すると共に洗浄乾燥後のウエーハを該洗浄乾燥手段から取り出して上記貼り合せチャックにそれぞれ搬入する搬送手段と、上記貼り合せチャックに保持されたウエーハのアライメントを行うアライメント手段と、アライメントされたウエーハが正対するように上記貼り合せチャックを貼り合せ位置に移動する手段と、上記貼り合せチャックに保持されているウエーハを重ね合すよう上記貼り合せチャックを近接する手段を具備するウエーハ貼り合せ装置が提供される。 Further, according to the present invention, two cleaning / drying means for individually cleaning and drying two wafers, a pair of bonding chucks each holding the wafer after cleaning and drying, and the wafer are carried into the cleaning / drying means. The wafer after cleaning and drying is taken out from the cleaning and drying means and carried to the bonding chuck, the alignment means for aligning the wafer held by the bonding chuck, and the aligned wafer are aligned. Thus, there is provided a wafer laminating apparatus comprising means for moving the laminating chuck to the laminating position and means for bringing the laminating chuck close to overlap the wafer held by the laminating chuck. .
上記ウエーハ貼り合せ装置において、上記貼り合せチャックは、ウエーハの中心部に接し該ウエーハを保持する可動部と該可動部の外周に存しウエーハの周辺部に接する圧接部を有し、上記可動部を対向する貼り合せチャック方向に進退可能に設けた装置が提供され、また、上記貼り合せチャックにウエーハを中心部から外周に向かって押圧するよう弾性手段を設け、該弾性手段として一方の貼り合せチャックの圧接部を硬質とし、他方の貼り
合せチャックの圧接部に弾性的な押圧部材を設けたウエーハ貼り合せ装置が提供される。
In the wafer bonding apparatus, the bonding chuck has a movable part that contacts the center of the wafer and holds the wafer, and a pressure contact part that exists on the outer periphery of the movable part and contacts the peripheral part of the wafer. Is provided so that the wafer can be moved forward and backward in the direction of the opposing bonding chuck, and the bonding chuck is provided with an elastic means for pressing the wafer from the center portion toward the outer periphery, and one of the bonding means is used as the elastic means. A wafer bonding apparatus is provided in which the pressure contact portion of the chuck is hard and an elastic pressing member is provided on the pressure contact portion of the other bonding chuck.
本発明は上記のように構成され、貼り合すべき2枚のウエーハを個々に洗浄乾燥した後、一対の貼り合せチャックにそれぞれ保持し、該貼り合せチャックに保持した状態でウエーハのアライメントを行い、その後、2枚のウエーハが正対するように貼り合せチャックを貼り合せ位置に移動し、該貼り合せ位置で上記貼り合せチャックを近接してウエーハを重ね合せるようにしたから、作業性がよく、2枚のウエーハを周辺部までずれを生じることなく密着させることができ、洗浄乾燥後のウエーハを直ちに起立状態に保持して貼り合せることによりパーティクルの影響を受けることが少なく、またフットプリントを小さくすることができる。その上、2枚のウエーハを貼り合せチャックで保持して貼り合せているときに次の2枚のウエーハを洗浄乾燥工程に搬入することにより、洗浄、貼り合せを並行処理することができ、一層効率よくウエーハを貼り合せることができる。 The present invention is configured as described above, and after cleaning and drying two wafers to be bonded individually, the wafers are respectively held by a pair of bonding chucks, and the wafers are aligned while being held by the bonding chucks. After that, the bonding chuck is moved to the bonding position so that the two wafers face each other, and the wafer is overlapped with the bonding chuck close at the bonding position. The two wafers can be brought into close contact with the surrounding area without any deviation, and the washed and dried wafers are held in an upright state so that they are less affected by particles and have a small footprint. can do. In addition, when the two wafers are held and bonded by the bonding chuck, the next two wafers are transferred to the cleaning and drying process, so that cleaning and bonding can be performed in parallel. Wafers can be bonded efficiently.
また、貼り合せチャックを、ウエーハの中心部に接し該ウエーハを保持する可動部と該可動部の外周に存しウエーハの周辺部に接する圧接部で構成し、上記可動部を対向する貼り合せチャック方向に進退可能に設けると、上記可動部が圧接部より突出している状態で該可動部に保持されたウエーハは上記貼り合せチャックを近接したときに、中央部が可動部により最初に押圧され、さらに貼り合せチャックが接近すると該可動部が後退し上記圧接部がウエーハに接して次第に外周部に向かって押圧されるから、ウエーハ間に気泡を閉じ込めることなく、確実に密着させることができる。 The bonding chuck comprises a movable part that contacts the center of the wafer and holds the wafer, and a pressure contact part that exists on the outer periphery of the movable part and contacts the peripheral part of the wafer, and the movable chuck is opposed to the movable chuck. If the movable part is provided so as to be able to advance and retreat in the direction, the wafer held by the movable part in a state in which the movable part protrudes from the pressure contact part is first pressed by the movable part when the bonding chuck is brought close to the wafer. Further, when the bonding chuck approaches, the movable part moves backward, and the pressure contact part comes in contact with the wafer and is gradually pressed toward the outer peripheral part, so that the air bubbles can be reliably adhered without confining bubbles between the wafers.
図1は、本発明のウエーハ貼り合せ方法による装置の一実施例を示す平面図である。図において、装置本体(1)の搬入側には、貼り合すべき2枚のウエーハ、すなわち図において左側に位置するLウエーハ(2L)を収納したLカセット(3)、(4)を載置するLカセットステージ(5)と、図において右側に位置するRウエーハ(2R)を収納したRカセット(6)、(7)を載置するRカセットステージ(8)が設けられ、内方には上記ウエーハをそれぞれ洗浄乾燥するスピン洗浄ユニット(9)、(10)が設けられ、ローダロボット等の搬送手段(11)、(12)により上記カセットから取り出した各ウエーハをそれぞれ洗浄ユニット(9)、(10)に搬入する。 FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an apparatus according to the wafer bonding method of the present invention. In the figure, L cassettes (3) and (4) containing two wafers to be bonded, that is, an L wafer (2L) positioned on the left side in the figure, are placed on the carry-in side of the apparatus body (1). And an R cassette stage (8) for mounting an R cassette (6) and (7) containing an R wafer (2R) located on the right side in the figure. Spin cleaning units (9) and (10) for respectively cleaning and drying the wafer are provided, and the wafers taken out from the cassette by the transfer means (11) and (12) such as a loader robot are respectively cleaned by the cleaning unit (9) and Carry in (10).
上記洗浄ユニット(9)、(10)は、ウエーハ両面に付着しているパーティクル等を除去するようブラシ洗浄したり、メガソニックシャワー(13)、(14)を用いてスピン処理し、純水リンス洗浄を行い、スピン乾燥する。この際、処理されたウエーハ面から確実に水分を消失させるよう上記洗浄ユニットの上部やその他の適宜の位置、例えば後記する受取位置にハロゲンランプ(15)やヒーター等の加熱手段を設けて乾燥させることができる。 The cleaning units (9) and (10) are subjected to brush cleaning so as to remove particles and the like adhering to both surfaces of the wafer, or spin processing is performed using megasonic showers (13) and (14), and pure water rinse is performed. Wash and spin dry. At this time, heating means such as a halogen lamp (15) or a heater is provided at the upper part of the cleaning unit or other appropriate position, for example, a receiving position to be described later so as to surely remove moisture from the treated wafer surface, and then dried. be able to.
上記洗浄ユニット(9)、(10)間には、ウエーハを保持して貼り合せるための一対の貼り合せチャック(16)、(17)が設けられている。該貼り合せチャック(16)、(17)は受取位置と貼り合せ位置に移動するよう移動可能に設けられ、上記受取位置にあるとき、上記搬送手段(11)、(12)より上記洗浄ユニット(9)、(10)から取り出されたウエーハをそれぞれ受け取って貼り合せ面が起立状態になるよう保持する。したがって、上記搬送手段(11)、(12)は水平状態と垂直状態にウエーハを移送できるよう4軸動作するロボットが用いられている。なお、上記貼り合せ面が水平状態になるようウエーハを保持してもよい。 A pair of bonding chucks (16) and (17) for holding and bonding the wafer is provided between the cleaning units (9) and (10). The laminating chucks (16) and (17) are movably provided so as to move to the receiving position and the laminating position, and when in the receiving position, the cleaning means ( 9) The wafer taken out from (10) is received, and the bonded surface is held upright. Therefore, the transport means (11), (12) uses a robot that operates in four axes so that the wafer can be transferred between a horizontal state and a vertical state. Note that the wafer may be held so that the bonding surface is in a horizontal state.
上記受取位置では、ウエーハの外周やオリフラ、ノッチ等を検出してウエーハの中心位置と方向性をアライメントする。該アライメント手段としては、適宜の手段を用いることができ、図に示す実施例では、図2、図3に示すように受取位置にCCDカメラ(18)を設けて画像認識処理を行い、上記貼り合せチャック(16)、(17)に保持しているウエーハを適宜の駆動機構により回転したり、上下動したり、画像処理のために前後動させてアライメントしている。すなわち、図3〜図5を参照し、実施例に示す上記駆動機構は、パルスモーターを含み、ウエーハのノッチやオリフラを合わせるためには回転用パルスモーター(19)を駆動してウエーハの支持軸(20)を回転し、高さを合わせるためには上下動用パルスモーター(21)を駆動して貼り合せチャック本体(16)、(17)を上下動し、画像処理位置に前後動させるには前後動用パルスモーター(23)を駆動して貼り合せチャック(16)、(17)を前後動させている。 At the receiving position, the outer periphery of the wafer, the orientation flat, the notch and the like are detected, and the center position and directionality of the wafer are aligned. As the alignment means, an appropriate means can be used. In the embodiment shown in the figure, a CCD camera (18) is provided at the receiving position as shown in FIGS. The wafers held on the alignment chucks (16) and (17) are rotated by an appropriate driving mechanism, moved up and down, and moved back and forth for image processing for alignment. That is, with reference to FIGS. 3 to 5, the drive mechanism shown in the embodiment includes a pulse motor, and in order to align the notch and orientation flat of the wafer, the rotation pulse motor (19) is driven to support the wafer support shaft. To rotate (20) and adjust the height, the pulse motor for vertical movement (21) is driven to move the bonding chuck bodies (16), (17) up and down to move back and forth to the image processing position. The longitudinal movement pulse motor (23) is driven to move the bonding chucks (16), (17) back and forth.
上記のようにアライメントした後、位置移動用のパルスモーター(24)を駆動して、上記ウエーハ(2L)、(2R)が正対する貼り合せ位置に上記貼り合せチャック(16)、(17)を移動する。なお、上記のように移動する手段としては、エアシリンダ等を用いることもできる。 After the alignment as described above, the position moving pulse motor (24) is driven, and the bonding chucks (16) and (17) are placed at the bonding positions where the wafers (2L) and (2R) face each other. Moving. In addition, an air cylinder etc. can also be used as a means to move as mentioned above.
上記前後動用のパルスモーター(23)を駆動して貼り合せチャック(16)、(17)を移動し、ウエーハどうしが接触する位置まで近接させると、各チャックに保持した上記ウエーハを重ね合せて貼り合せることができる。該貼り合せチャックによるウエーハの保持構造は種々に構成することができるが、図5に示す実施例において各チャック(16)、(17)は、各ウエーハの中心部に接し真空作用により該ウエーハを吸着保持する可動部(25L)、(25R)と、該可動部(25L)、(25R)の外周に存しウエーハの周辺部に接する圧接部(26L)、(26R)を有し、上記可動部(25L)、(25R)はそれぞれ対向する貼り合せチャック方向に進退可能に設けられている。該可動部(25L)、(25R)はウエーハに接する表面がフラットに形成され、上記貼り合せチャック(16)、(17)が離れているとき、前進するようばねで付勢されて上記圧接部(26L)、(26R)の中心孔(27)の外方端から少し、例えば約5mm程度突出し、その状態でウエーハを吸着保持する。該貼り合せチャック(16)、(17)を近接してウエーハを重ね合せるとき上記可動部(25L)、(25R)は押圧され、上記ばねに抗して上記中心孔(27)内に全体が後退し、ウエーハが接触した段階で、各可動部への真空を切ってウエーハの吸着を止める。なお、上記圧接部(26L)、(26R)の外径は、貼り合すべきウエーハの最大径よりも少し大きく形成され、好ましくはサイズの異なるウエーハに兼用できる適宜の大きさに形成されている。 When the front / rear pulse motor (23) is driven to move the bonding chucks (16), (17) to the position where the wafers come into contact with each other, the wafers held on the chucks are stacked and bonded. Can be combined. While the wafer holding structure by the bonding chuck can be variously configured, in the embodiment shown in FIG. 5, each chuck (16), (17) is in contact with the center of each wafer, and the wafer is held by a vacuum action. There are movable parts (25L) and (25R) to be sucked and held, and pressure contact parts (26L) and (26R) that are on the outer periphery of the movable parts (25L) and (25R) and contact the peripheral part of the wafer. The parts (25L) and (25R) are provided so as to be able to advance and retreat in the direction of the opposite bonding chuck. The movable portions (25L) and (25R) have a flat surface in contact with the wafer and are biased by a spring to advance when the bonding chucks (16) and (17) are separated from each other. For example, about 5 mm protrudes slightly from the outer end of the central hole (27) of (26L) and (26R), and the wafer is sucked and held in this state. When the wafers are overlapped with the laminating chucks (16) and (17) close to each other, the movable parts (25L) and (25R) are pressed, and the whole is placed in the center hole (27) against the spring. When the wafer moves backward and comes in contact with the wafer, the vacuum to each movable part is turned off to stop the wafer from being sucked. Note that the outer diameters of the pressure contact portions (26L) and (26R) are formed to be slightly larger than the maximum diameter of the wafers to be bonded, and are preferably formed to have an appropriate size that can also be used for wafers of different sizes. .
上記貼り合せチャックには、重ね合せたウエーハを中心部から外周部に向かって押圧するよう適宜の弾性手段が設けられている。該弾性手段は、種々に構成することができ、図に示す実施例ではLウエーハ(2L)を保持する貼り合せチャック(16)側の可動部(25L)を、Rウエーハ(2R)を保持する貼り合せチャック(17)側の可動部(25R)よりも強いばね力で付勢してあり、これらのばね力をそれぞれメモリー付ダイアル(28)により調整できるようにしてある。そして、Rウエーハ(2R)側の可動部(25R)をウエーハに接する表面までアルミ材料等の硬質材料で作ると共にLウエーハ(2L)側の可動部(25L)には図6に示すように、シリコンゴム材料等の耐熱性の弾性材料で作られた弾性押圧片(29)を表面に設けてある。該弾性押圧片(29)は、アルミ材料製の可動部本体(30)の前面に装着されるが、該可動部本体(30)と弾性押圧片(29)の接触面(31)は、説明の都合上誇張して図示してあるように、大きな球面状に形成されている。この構成により貼り合せチャック(16)、(17)を近接した際にウエーハの中心部が強く押圧され、その後に該弾性押圧片を介して押圧力が徐々に周辺部に伝わり、外周を押圧することができる。 The bonding chuck is provided with appropriate elastic means for pressing the overlapped wafer from the central portion toward the outer peripheral portion. The elastic means can be variously configured, and in the embodiment shown in the figure, the movable portion (25L) on the side of the bonding chuck (16) that holds the L wafer (2L) is held, and the R wafer (2R) is held. The spring is biased by a spring force stronger than that of the movable portion (25R) on the bonding chuck (17) side, and these spring forces can be adjusted by the dial (28) with a memory. Then, the movable portion (25R) on the R wafer (2R) side is made of a hard material such as an aluminum material up to the surface in contact with the wafer, and the movable portion (25L) on the L wafer (2L) side is as shown in FIG. An elastic pressing piece (29) made of a heat-resistant elastic material such as silicon rubber material is provided on the surface. The elastic pressing piece (29) is mounted on the front surface of the movable part main body (30) made of an aluminum material, but the contact surface (31) of the movable part main body (30) and the elastic pressing piece (29) is explained. As shown exaggerated for convenience, it is formed in a large spherical shape. With this configuration, when the bonding chucks (16) and (17) are brought close to each other, the central portion of the wafer is strongly pressed, and thereafter, the pressing force is gradually transmitted to the peripheral portion through the elastic pressing piece to press the outer periphery. be able to.
また、上記圧接部にも弾性手段が設けられている。すなわち、実施例においてRウエーハ(2R)に接する側の圧接部(26R)は、セラミックス、ガラス等の熱ひずみや加工ひずみの少ない硬質の材料で作られ、内面にラバーヒーター(32)等のヒーターを設けたり、近接して加熱ランプ等の加熱手段を設けて約0〜150℃程度の範囲で加熱できるように構成され、表面にはテフロン(登録商標)等をコーティングしてある。このように加熱すると、ウエーハを貼り合せるときにウエーハの貼り合せ面の水分等が揮発し、ウエーハを一層密着させることができる。 Further, an elastic means is also provided in the pressure contact portion. That is, in the embodiment, the pressure contact portion (26R) on the side in contact with the R wafer (2R) is made of a hard material with little thermal strain or processing strain such as ceramics or glass, and a heater such as a rubber heater (32) on the inner surface. Or a heating means such as a heating lamp is provided in the vicinity so that heating can be performed in a range of about 0 to 150 ° C., and the surface is coated with Teflon (registered trademark) or the like. When heated in this way, when the wafers are bonded together, moisture and the like on the bonding surface of the wafers volatilize, and the wafers can be further adhered.
一方、Lウエーハ(2L)に接する側の圧接部(26L)には、ウエーハを中心部から外周部に向かって徐々に押圧するよう有弾性の押圧部材(33)が設けられている。該押圧部材(33)は種々に構成することができ、図に示す実施例では、図7、図8に示すようにシリコンゴム材料等の耐熱性の弾性材料で細幅の羽根状部片(34)・・・を形成し、該羽根状部片(34)・・・を中心部側が高く外周部側がそれより少し低くなるように放射状に取り付けたり、ウエーハの外径に応じて外周部を押圧できるよう周縁部片(34a)や(34b)を設けることもある。なお、羽根状部片を渦巻状に巻回して取り付けたり、外側を適宜の通気性を有する防塵カバー(34c)でくるむこともできる。このような構成により該押圧部材(33)がウエーハに接すると、該ウエーハは中心部から外周部に向かって徐々に押圧され、ウエーハ間の空気を除去することができる。上記のような押圧機構は2枚のウエーハを水平状態で貼り合せる場合にも適用することができる。 On the other hand, an elastic pressing member (33) is provided at the pressure contact portion (26L) on the side in contact with the L wafer (2L) so as to gradually press the wafer from the central portion toward the outer peripheral portion. The pressing member (33) can be configured in various ways, and in the embodiment shown in the figure, as shown in FIGS. 7 and 8, a narrow blade-like piece made of a heat-resistant elastic material such as a silicone rubber material ( 34) ... and the blade-like piece (34) ... is attached radially so that the center side is high and the outer peripheral side is slightly lower than that, or the outer peripheral part is attached according to the outer diameter of the wafer. A peripheral piece (34a) or (34b) may be provided so that it can be pressed. It is also possible to wind and attach the blade-like pieces in a spiral shape, or to wrap the outside with a dust-proof cover (34c) having appropriate air permeability. When the pressing member (33) comes into contact with the wafer by such a configuration, the wafer is gradually pressed from the central portion toward the outer peripheral portion, and air between the wafers can be removed. The pressing mechanism as described above can also be applied when two wafers are bonded in a horizontal state.
上記貼り合せチャック(16)、(17)の後方には、貼り合せたウエーハ(2)を該チャックから取り出してカセット(35)・・・に収納するためのアンローダロボット等の搬送手段(36)が設けられている。該搬送手段(36)は、上記搬送手段(11)、(12)と同じように4軸動作するロボットで構成されている。また、該カセット(35)・・・に収納する前に、貼り合せたウエーハ(2)の良否を検査する検査装置を有する検査ステージ(37)を設け、良品と不良品を別々のカセットに収納するように構成してもよい。 Behind the bonding chucks (16), (17) is a conveying means (36) such as an unloader robot for taking out the bonded wafer (2) from the chuck and storing it in the cassette (35). Is provided. The transfer means (36) is composed of a robot that operates four axes in the same manner as the transfer means (11) and (12). In addition, an inspection stage (37) having an inspection device for inspecting the quality of the bonded wafer (2) is provided before being stored in the cassette (35), so that good and defective products are stored in separate cassettes. You may comprise.
なお、上記装置本体(1)内の上記カセット部、洗浄ユニット部、貼り合せチャック部等をそれぞれ簡易壁で仕切り、湿度コントロールユニットやウルパフィルタユニット、チラーユニット等を適所に設けて仕切り毎に温度、湿度等を管理するとよく、また上記貼り合せ位置にN2ガスを供給してN2雰囲気内で貼り合せることが好ましい。 In addition, the cassette section, cleaning unit section, bonding chuck section, etc. in the apparatus main body (1) are each partitioned by a simple wall, and a humidity control unit, a ulpa filter unit, a chiller unit, etc. are provided at appropriate locations, and the temperature is set for each partition. It is preferable to manage the humidity and the like, and it is preferable that N 2 gas is supplied to the bonding position and bonding is performed in an N 2 atmosphere.
上記の構成により、上記カセット(3)、(4)及び(6)、(7)に収納された貼り合すべき2枚のウエーハ(2L)、(2R)は、個々に洗浄乾燥工程に搬入されて洗浄乾燥され、洗浄乾燥後それぞれ貼り合せチャック(16)、(17)に保持された状態でアライメントされる。そして、アライメント後、上記貼り合せチャック(16)、(17)はウエーハ(2L)、(2R)が正対するように貼り合せ位置に移動され、近接されるから、上記ウエーハ(2L)、(2R)は周縁までずれを生じることなく、ぴったりと重ね合わされる。 With the above configuration, the two wafers (2L) and (2R) to be bonded stored in the cassettes (3), (4), (6), and (7) are individually brought into the washing and drying process. Then, it is cleaned and dried, and after cleaning and drying, alignment is performed while being held by the bonding chucks (16) and (17). After the alignment, the bonding chucks (16) and (17) are moved to the bonding position so that the wafers (2L) and (2R) face each other and are brought close to each other. Therefore, the wafers (2L) and (2R) ) Are perfectly superimposed without any deviation to the periphery.
また、上記貼り合せ位置でウエーハを貼り合せているとき、次の2枚のウエーハを洗浄乾燥工程で並行して処理することにより、効率良く、貼り合せることができ、ウエーハを起立状態で貼り合せるので、パーティクル等の影響も少ない。 In addition, when the wafer is bonded at the bonding position, the next two wafers are processed in parallel in the washing and drying process so that the wafers can be bonded efficiently and bonded in an upright state. Therefore, there is little influence of particles and the like.
1 装置本体 2L、2R、2 ウエーハ 9、10 スピン洗浄ユニット
11、12 搬送手段 16、17 貼り合せチャック 18 CCDカメラ
19 回転用パルスモーター 21 上下動用パルスモーター 23 前後動用パルスモーター 24 位置移動用のパルスモーター 25L、25R 可動部
26L、26R 圧接部 29 弾性押圧片 32 ラバーヒーター 33 押圧部材 36 搬送手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Apparatus
Claims (10)
洗浄乾燥後のウエーハを一対の貼り合せチャックにそれぞれ保持してアライメントする工程と、
アライメントされたウエーハが正対するように上記貼り合せチャックを貼り合せ位置に移動する工程と、
上記貼り合せチャックに保持されているウエーハを重ね合すよう上記貼り合せチャックを近接する工程
を含むことを特徴とするウエーハの貼り合せ方法。 A process of individually washing and drying the two wafers to be bonded;
A process of holding and aligning the wafer after washing and drying on a pair of bonding chucks;
Moving the bonding chuck to a bonding position so that the aligned wafers face each other;
A wafer bonding method comprising the step of bringing the bonding chuck close to overlap the wafer held by the bonding chuck.
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