JP3184180B2 - Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 - Google Patents
Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法Info
- Publication number
- JP3184180B2 JP3184180B2 JP12112299A JP12112299A JP3184180B2 JP 3184180 B2 JP3184180 B2 JP 3184180B2 JP 12112299 A JP12112299 A JP 12112299A JP 12112299 A JP12112299 A JP 12112299A JP 3184180 B2 JP3184180 B2 JP 3184180B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solution
- etching solution
- solder bump
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴｉ−Ｗのエッチングに
関し、具体的には、半導体装置上に形成される半田バンプ
製造におけるＴｉ−Ｗのエッチングに関する。
関し、具体的には、半導体装置上に形成される半田バンプ
製造におけるＴｉ−Ｗのエッチングに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の実装、接続技術である「フリ
ップチップ」はＩＢＭのＣ４のように半田バンプを用い
た実装、接続技術として知られている。従来半田バンプを
製造する方法として蒸着法とめっき法が知られている。
図５に従来のめっき法による、半田バンプの製造方法を
示す。
ップチップ」はＩＢＭのＣ４のように半田バンプを用い
た実装、接続技術として知られている。従来半田バンプを
製造する方法として蒸着法とめっき法が知られている。
図５に従来のめっき法による、半田バンプの製造方法を
示す。
【０００３】半田バンプのめっきは、めっき前に、導電性
金属の連続した薄膜の形成を必要とする。この薄膜は半
田をめっきさせるために必要である。図５(ａ)は、の第１
の金属導電層としてクロム(Ｃｒ)膜２で表面が被覆され
た半導体基板１を示す。従来Ｃｒ膜２はバリア層として
用いられてきた。またこのＣｒ膜２は、半田をめっきする
ための金属導電層の一部分として機能する。Ｃｒ膜２の
上にはの第２の金属導電層として銅(Ｃｕ)膜３が全域に
付着される。薄膜２，３の上に後のステップで加えられ
た半田バンプ電極５およびめっきマスク４を示してい
る。
金属の連続した薄膜の形成を必要とする。この薄膜は半
田をめっきさせるために必要である。図５(ａ)は、の第１
の金属導電層としてクロム(Ｃｒ)膜２で表面が被覆され
た半導体基板１を示す。従来Ｃｒ膜２はバリア層として
用いられてきた。またこのＣｒ膜２は、半田をめっきする
ための金属導電層の一部分として機能する。Ｃｒ膜２の
上にはの第２の金属導電層として銅(Ｃｕ)膜３が全域に
付着される。薄膜２，３の上に後のステップで加えられ
た半田バンプ電極５およびめっきマスク４を示してい
る。
【０００４】金属導電層が形成された後の第2ステップ
はフォトリソグラフィによるめっきマスクの形成であ
る。Ｃｕ膜３にフォトレジスト４を塗布し、露光、現像す
る。フォトレジスト４はめっきマスクとして残る。第3ス
テップはめっきマスク開口部への半田のめっきである。
半田バンプ５が形成された後、フォトレジスト４を除去
する。この時点で半導体基板は連続した第１及び第二の
金属導電層２、３と半田バンプ５とで覆われている。こ
れは図５(ｂ)に示されている。
はフォトリソグラフィによるめっきマスクの形成であ
る。Ｃｕ膜３にフォトレジスト４を塗布し、露光、現像す
る。フォトレジスト４はめっきマスクとして残る。第3ス
テップはめっきマスク開口部への半田のめっきである。
半田バンプ５が形成された後、フォトレジスト４を除去
する。この時点で半導体基板は連続した第１及び第二の
金属導電層２、３と半田バンプ５とで覆われている。こ
れは図５(ｂ)に示されている。
【０００５】次の工程で、半田バンプ５をマスクとして
第１及び第二の金属導電層２、３を除去する。図５(ｃ)
は、第１及び第二の金属導電層２、３が除去されて、電気
的には分離されているが機械的には半導体基板に固定さ
れた半田バンプ電極５が残った状態を示す。これは第１
及び第二の金属導電層２，３をエッチング除去すること
によって達成される。いずれの場合にも半田バンプ電極
５がその下の第１及び第二の金属導電層２、３を保護す
る。図５(ｄ)は図５(ｃ)の半田バンプ電極５を溶融また
はリフローさせて形成される半田バンプ電極５を示す。
この時点で半田バンプ電極５が形成された半導体装置は
実装を行なうことができる。
第１及び第二の金属導電層２、３を除去する。図５(ｃ)
は、第１及び第二の金属導電層２、３が除去されて、電気
的には分離されているが機械的には半導体基板に固定さ
れた半田バンプ電極５が残った状態を示す。これは第１
及び第二の金属導電層２，３をエッチング除去すること
によって達成される。いずれの場合にも半田バンプ電極
５がその下の第１及び第二の金属導電層２、３を保護す
る。図５(ｄ)は図５(ｃ)の半田バンプ電極５を溶融また
はリフローさせて形成される半田バンプ電極５を示す。
この時点で半田バンプ電極５が形成された半導体装置は
実装を行なうことができる。
【０００６】従来の技術で第１の金属導電層２としてＣ
ｒの他には、チタン(Ｔｉ)およびタングステン(Ｗ)の合
金も「バリア」層として使用されてきた。Ｔｉ−Ｗは金属
性であって電気を通す。Ｔｉ−Ｗはスパッタリングなど
従来の技術で形成できる。Ｔｉ−Ｗを使用する場合、製造
のどの段階でそのＴｉ−Ｗを除去するか、またどのよう
な方法で除去するかが重要である。
ｒの他には、チタン(Ｔｉ)およびタングステン(Ｗ)の合
金も「バリア」層として使用されてきた。Ｔｉ−Ｗは金属
性であって電気を通す。Ｔｉ−Ｗはスパッタリングなど
従来の技術で形成できる。Ｔｉ−Ｗを使用する場合、製造
のどの段階でそのＴｉ−Ｗを除去するか、またどのよう
な方法で除去するかが重要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、Ｔｉ−Ｗのエッ
チング液としてエチレンジアミン四酢酸、アンモニア水、
過酸化水素水および水の混合液が使用されてきた。しか
し、この種のエッチング液はＴｉ−Ｗのサイドエッチン
グが生じる事が知られている(特開平７−２０１８６
０)。このサイドエッチングが半田バンプ電極５下で生じ
ると半田バンプ電極５があるためにサイドエッチング量
を検査する事ができないため品質を確認できない。さら
に、サイドエッチングにより半田バンプ電極５と半導体
基板１との密着面積が減少してしまうため従来と同じ密
着面積を維持するためにはＴｉ−Ｗのサイドエッチング
分半田バンプ電極５を大きくしなければならなる。これ
は、微細化を妨げる問題となる。このためＴｉ−Ｗをバ
リア層として用いる場合には、フォトレジストを用いて
Ｔｉ−Ｗパターニングを行ないサイドエッチング量等の
検査を行ない密着面積を維持する。しかし、この方法を
用いて半田バンプ電極５を製造する場合、Ｔｉ−Ｗパタ
ーニングの第一工程とその後の半田バンプ５を形成する
第二工程からなり第１の金属導電膜２（バリア層）とし
てＣｒを用いた場合より工程数増大するという問題が生
じる。
チング液としてエチレンジアミン四酢酸、アンモニア水、
過酸化水素水および水の混合液が使用されてきた。しか
し、この種のエッチング液はＴｉ−Ｗのサイドエッチン
グが生じる事が知られている(特開平７−２０１８６
０)。このサイドエッチングが半田バンプ電極５下で生じ
ると半田バンプ電極５があるためにサイドエッチング量
を検査する事ができないため品質を確認できない。さら
に、サイドエッチングにより半田バンプ電極５と半導体
基板１との密着面積が減少してしまうため従来と同じ密
着面積を維持するためにはＴｉ−Ｗのサイドエッチング
分半田バンプ電極５を大きくしなければならなる。これ
は、微細化を妨げる問題となる。このためＴｉ−Ｗをバ
リア層として用いる場合には、フォトレジストを用いて
Ｔｉ−Ｗパターニングを行ないサイドエッチング量等の
検査を行ない密着面積を維持する。しかし、この方法を
用いて半田バンプ電極５を製造する場合、Ｔｉ−Ｗパタ
ーニングの第一工程とその後の半田バンプ５を形成する
第二工程からなり第１の金属導電膜２（バリア層）とし
てＣｒを用いた場合より工程数増大するという問題が生
じる。
【０００８】特開平４−１０４３０号でＴｉ−Ｗをパタ
ーニング後に半田バンプを形成しており、半田バンプを
マスクとしてＴｉ−Ｗのエッチングを行なっていない。
したがって、本発明は、半田バンプ電極をマスクとしてＴ
ｉ−Ｗをエッチングしかつ、Ｔｉ−Ｗにサイドエッチン
グが生じないエッチング液とエッチング方法を示し、こ
れにより半田バンプ電極とＴｉ−Ｗの密着面積を減少さ
せずにかつＴｉ−Ｗをバリア層として用いた従来の半田
バンプ製造工程を短縮し、高品質な半田バンプ電極を簡
便に提供するものである。
ーニング後に半田バンプを形成しており、半田バンプを
マスクとしてＴｉ−Ｗのエッチングを行なっていない。
したがって、本発明は、半田バンプ電極をマスクとしてＴ
ｉ−Ｗをエッチングしかつ、Ｔｉ−Ｗにサイドエッチン
グが生じないエッチング液とエッチング方法を示し、こ
れにより半田バンプ電極とＴｉ−Ｗの密着面積を減少さ
せずにかつＴｉ−Ｗをバリア層として用いた従来の半田
バンプ製造工程を短縮し、高品質な半田バンプ電極を簡
便に提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は３０ｗｔ％過酸化水素水と、りん酸塩を０．
０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌの割合で溶解した溶液を１：１
〜５００の体積比で混合した混合液からなるエッチング
液とエッチング方法である。
に本発明は３０ｗｔ％過酸化水素水と、りん酸塩を０．
０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌの割合で溶解した溶液を１：１
〜５００の体積比で混合した混合液からなるエッチング
液とエッチング方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明はＳｎ−Ｐｂ半田と、Ａｌ
−Ｓｉ、Al−Ｓｉ−ＣｕとＣｕの存在下でＴｉ−Ｗ膜を
選択的にエッチングする方法に関する。またその選択的
エッチング．プロセスに使用するエッチング液に関す
る。この方法は、半導体装置基板に付着するＴｉ−Ｗ層と
Ｔｉ−Ｗ上にあるＣｕとを含む連続した金属導電層上へ
のＳｎ−Ｐｂ半田バンプのめっきを必要とする半導体装
置製造のためのものである。
−Ｓｉ、Al−Ｓｉ−ＣｕとＣｕの存在下でＴｉ−Ｗ膜を
選択的にエッチングする方法に関する。またその選択的
エッチング．プロセスに使用するエッチング液に関す
る。この方法は、半導体装置基板に付着するＴｉ−Ｗ層と
Ｔｉ−Ｗ上にあるＣｕとを含む連続した金属導電層上へ
のＳｎ−Ｐｂ半田バンプのめっきを必要とする半導体装
置製造のためのものである。
【００１１】本発明はＳｎ−Ｐｂ、 Ａｌ−Ｓｉ、Al−Ｓ
ｉ−Ｃｕ、およびＣｕの半導体製造装置を損傷する事の
ないＴｉ−Ｗの除去法を対象とする。図１（ａ）に本発
明のエッチング．プロセスを説明するための試料断面図
である。試料は半導体基板１１としてシリコン(Ｓｉ)ウ
エハ上に図示しないがシリコン酸化膜、Ａｌ−Ｓｉ，シ
リコン窒化膜を形成されている。この半導体基板１１に、
第１の金属導電膜１２として０．１５ミクロンのＴｉ−
Ｗと、第２の金属導電膜１３として０．５ミクロンのＣ
ｕをスパッタリングして形成する。その上に、めっきマ
スクとしてフォトマスク１４を形成する。この半導体基
板１１にＣｕを２０ミクロン、Ｓｎ−Ｐｂ(６:４)を２０
ミクロンをめっきし半田バンプ電極(１５を形成する。半
田バンプ電極１５形成後めっきマスクであるフォトレジ
スト１４を有機溶剤とレジストアッシングで除去する。
図１（ｂ）の試料が得られる。
ｉ−Ｃｕ、およびＣｕの半導体製造装置を損傷する事の
ないＴｉ−Ｗの除去法を対象とする。図１（ａ）に本発
明のエッチング．プロセスを説明するための試料断面図
である。試料は半導体基板１１としてシリコン(Ｓｉ)ウ
エハ上に図示しないがシリコン酸化膜、Ａｌ−Ｓｉ，シ
リコン窒化膜を形成されている。この半導体基板１１に、
第１の金属導電膜１２として０．１５ミクロンのＴｉ−
Ｗと、第２の金属導電膜１３として０．５ミクロンのＣ
ｕをスパッタリングして形成する。その上に、めっきマ
スクとしてフォトマスク１４を形成する。この半導体基
板１１にＣｕを２０ミクロン、Ｓｎ−Ｐｂ(６:４)を２０
ミクロンをめっきし半田バンプ電極(１５を形成する。半
田バンプ電極１５形成後めっきマスクであるフォトレジ
スト１４を有機溶剤とレジストアッシングで除去する。
図１（ｂ）の試料が得られる。
【００１２】（実施例１）図４（ｂ）に示した試料を、
室温で通常市販されている３０ｗｔ％過酸化水素水１リ
ットルにアンモニア水５０ｃｃに水９リットルからなる
溶液に浸漬して、エッチングした。この溶液は実験用試
料のＴｉ−Ｗを１０分でエッチング(０．０１５ミクロ
ン／分)したが著しく不規則なアンダーカッティングす
なわちアンダーエッチングが生じた。Ｓｎ−Ｐｂ、Ｃｕお
よびＡｌ−Ｓｉ、Al-Ｓｉ−Ｃｕへのエッチングはほとん
ど見られなかった。
室温で通常市販されている３０ｗｔ％過酸化水素水１リ
ットルにアンモニア水５０ｃｃに水９リットルからなる
溶液に浸漬して、エッチングした。この溶液は実験用試
料のＴｉ−Ｗを１０分でエッチング(０．０１５ミクロ
ン／分)したが著しく不規則なアンダーカッティングす
なわちアンダーエッチングが生じた。Ｓｎ−Ｐｂ、Ｃｕお
よびＡｌ−Ｓｉ、Al-Ｓｉ−Ｃｕへのエッチングはほとん
ど見られなかった。
【００１３】（実施例２）次の例では、上記溶液のアン
モニア水を０．５ｃｃに減らした。この溶液はＴｉ−Ｗ
を４０分でエッチングした(０．００３７５ミクロン／
分)。上記より少ないがめっきしたＣｕに沿ってＴｉ−Ｗ
のアンダーエッチングが見られた。またＳｎ−Ｐｂ、Ｃｕ
およびＡｌ−Ｓｉへのエッチングはほとんど見られなか
った。
モニア水を０．５ｃｃに減らした。この溶液はＴｉ−Ｗ
を４０分でエッチングした(０．００３７５ミクロン／
分)。上記より少ないがめっきしたＣｕに沿ってＴｉ−Ｗ
のアンダーエッチングが見られた。またＳｎ−Ｐｂ、Ｃｕ
およびＡｌ−Ｓｉへのエッチングはほとんど見られなか
った。
【００１４】アンモニア水を減らす事すなわちｐＨを下
げる事でＴｉ−Ｗのアンダーカッティングを低減できる
ことがわかったが、エッチング速度が低下した。 （実施例３）次の例でｐＨ調整のためにアンモニア水に
代わりりん酸２水素カリウム−りん酸水素２ナトリウム
の緩衝溶液を用いた。ｐＨは７．０〜９．２に調整した。
これによりＴｉ−Ｗのアンダーカッティングは見られな
くた。これを図１(ｃ)に示す。また、図１(ｄ)にこの半田
バンプ電極をリフローしたものを示す。
げる事でＴｉ−Ｗのアンダーカッティングを低減できる
ことがわかったが、エッチング速度が低下した。 （実施例３）次の例でｐＨ調整のためにアンモニア水に
代わりりん酸２水素カリウム−りん酸水素２ナトリウム
の緩衝溶液を用いた。ｐＨは７．０〜９．２に調整した。
これによりＴｉ−Ｗのアンダーカッティングは見られな
くた。これを図１(ｃ)に示す。また、図１(ｄ)にこの半田
バンプ電極をリフローしたものを示す。
【００１５】図２に示したように、エッチング速度はり
ん酸水素２ナトリウムの濃度の上げる事で高める事がで
きる事が解った。また、図３に示したように過酸化水素
水の濃度を上げる事でエッチング速度を高める事ができ
る事が解った。更に、図４に示したように、エッチング
液の温度を上げる事で、エッチング速度を高めることが
できる事が解った。
ん酸水素２ナトリウムの濃度の上げる事で高める事がで
きる事が解った。また、図３に示したように過酸化水素
水の濃度を上げる事でエッチング速度を高める事ができ
る事が解った。更に、図４に示したように、エッチング
液の温度を上げる事で、エッチング速度を高めることが
できる事が解った。
【００１６】つまり、好ましいエッチング液は３０ｗｔ
％過酸化水素水と、りん酸塩を０．０１〜０．１ｍｏｌ
／Ｌの割合で溶解した溶液を１：１〜５００体積比で混
合した混合液からなるエッチング液である。好ましいり
ん酸塩はりん酸水素２ナトリウムとりん酸２水素カリウ
ムである。また、エッチング温度は２０〜６０℃の温度
で使用することがのぞましい。更に、エッチング液のｐ
Ｈはアルカリ性に保つことがのぞましい。
％過酸化水素水と、りん酸塩を０．０１〜０．１ｍｏｌ
／Ｌの割合で溶解した溶液を１：１〜５００体積比で混
合した混合液からなるエッチング液である。好ましいり
ん酸塩はりん酸水素２ナトリウムとりん酸２水素カリウ
ムである。また、エッチング温度は２０〜６０℃の温度
で使用することがのぞましい。更に、エッチング液のｐ
Ｈはアルカリ性に保つことがのぞましい。
【００１７】このエッチング液は５０℃で毎分０．０３
７５ミクロンのＴｉ−Ｗを除去する。これはＳｎ−Ｐｂ、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕをエッチングしない。これは短
いスループットのエッチングプロセスとして使用可能で
ある。前記エッチング液を用いて実際に機能する半導体
装置上に半田バンプを製造した。この半田バンプの検査、
せん断強度試験の結果、半田バンプへの顕著なエッチン
グ、Ｔｉ−Ｗへの顕著なサイドエッチング、半田バンプ、
Ｔｉ−Ｗ、基板間の剥離は見られなかった。
７５ミクロンのＴｉ−Ｗを除去する。これはＳｎ−Ｐｂ、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕをエッチングしない。これは短
いスループットのエッチングプロセスとして使用可能で
ある。前記エッチング液を用いて実際に機能する半導体
装置上に半田バンプを製造した。この半田バンプの検査、
せん断強度試験の結果、半田バンプへの顕著なエッチン
グ、Ｔｉ−Ｗへの顕著なサイドエッチング、半田バンプ、
Ｔｉ−Ｗ、基板間の剥離は見られなかった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によって得られたＴｉ−Ｗを選択
的にエッチングするためのエッチング液とエッチング方
法は、半導体基板上に形成された半田バンプ電極エッチ
ングせずに半田バンプ電極をマスクとしてＴｉ−Ｗをエ
ッチングし、かつ、Ｔｉ−Ｗのサイドエッチングが無い。
したがって、Ｔｉ−Ｗをエッチングするためのだけのフ
ォトリソグラフィおよびエッチングのステップを必要と
しないのでプロセスを簡略化できる。また、チップ．パッ
ケージを形成するＳｎ−Ｐｂ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ
などの金属構造に損傷を与える事なく、実用的なエッチ
ング速度を示しチップ．パッケージに半田バンプ電極を
形成する際に有用なエッチング液とエッチング方法であ
る。
的にエッチングするためのエッチング液とエッチング方
法は、半導体基板上に形成された半田バンプ電極エッチ
ングせずに半田バンプ電極をマスクとしてＴｉ−Ｗをエ
ッチングし、かつ、Ｔｉ−Ｗのサイドエッチングが無い。
したがって、Ｔｉ−Ｗをエッチングするためのだけのフ
ォトリソグラフィおよびエッチングのステップを必要と
しないのでプロセスを簡略化できる。また、チップ．パッ
ケージを形成するＳｎ−Ｐｂ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ
などの金属構造に損傷を与える事なく、実用的なエッチ
ング速度を示しチップ．パッケージに半田バンプ電極を
形成する際に有用なエッチング液とエッチング方法であ
る。
【図１】図１は、本発明を用いた実施例の半田バンプの
製造工程を示す断面図である。。
製造工程を示す断面図である。。
【図２】図２は、Ｔｉ−Ｗエッチング液のりん酸水素２
ナトリウムの濃度に対する効果を示すグラフである。
ナトリウムの濃度に対する効果を示すグラフである。
【図３】図３は、Ｔｉ−Ｗエッチング液の過酸化水素水
の濃度に対する効果のグラフである。
の濃度に対する効果のグラフである。
【図４】図４は、Ｔｉ−Ｗエッチング液の温度に対する
効果のグラフである。
効果のグラフである。
【図５】図５は、従来技術の工程を示す断面図である。
【符号の説明】 １・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・第１の金属導電層 ３・・・・・・第２の金属導電層 ４・・・・・・フォトレジスト ５・・・・・・半田バンプ電極 １１・・・・半導体基板 １２・・・・Ｔｉ−Ｗ １３・・・・Ｃｕ １４・・・・めっきマスク １５・・・・半田バンプ電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308 C23F 1/00 - 1/46
Claims (9)
- 【請求項１】 エッチングされてはならない金属の存在
下でＴｉ−Ｗをエッチングするためのエッチング液であ
って、３０ｗｔ％過酸化水素水と０．０１〜０．１ｍｏ
ｌ／Ｌの割合で溶解したりん酸水素２ナトリウム又はり
ん酸２水素カリウムの溶液の体積比が１：１〜５００の
混合液からなるエッチング液。 - 【請求項２】 前記金属が鉛半田を含有することを特徴
とする請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項３】 前記金属が鉛−すず半田を含有すること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項４】 前記金属がアルミニウム、シリコンおよ
び銅からなる群から選択された金属を含有する事を特徴
とする請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項５】 前記エッチング液が７．０より高いｐＨ
を有するように調整されている事を特徴とする請求項１
に記載のエッチング液。 - 【請求項６】 前記エッチング液が２０〜６０℃の温度
に保たれている事を特徴とする請求項１に記載のエッチ
ング液。 - 【請求項７】 前記３０ｗｔ％過酸化水素水の濃度がそ
れ以上または以下で、混合後に前記請求項１に記載のエ
ッチング液と同等の過酸化水素水の濃度になるように調
整してある請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項８】 除去されるＴｉおよびＷ、ならびにＡｌ、
Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−
Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎからなる群か
ら選択される、保護される金属を含む半導体装置におけ
る、Ｔｉ−Ｗを選択的に溶解する方法において、水１リッ
トルにつきたりん酸水素２ナトリウム又はりん酸２水素
カリウム０．０１〜０．１ｍｏｌを溶解するステップ
と、その溶液と３０ｗｔ％の過酸化水素水を１〜５０
０：１の体積比で混合して混合液を作成するステップ
と、その混合液を２０〜６０℃の温度に保つステップと、
前記半導体装置をその混合液で濡らしＴｉ−Ｗを除去す
るステップとを含むエッチング方法。 - 【請求項９】 前記エッチング液がｐＨ７．０より高い
ｐＨを有するように調整されている事を特徴とする請求
項１に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12112299A JP3184180B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12112299A JP3184180B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311891A JP2000311891A (ja) | 2000-11-07 |
| JP3184180B2 true JP3184180B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14803437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12112299A Expired - Fee Related JP3184180B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184180B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200484164Y1 (ko) * | 2015-08-03 | 2017-08-08 | 황만수 | 다용도 바이러스 차단구 |
| KR200484370Y1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-08-30 | 황만수 | 스티커형 바이러스 차단구 |
| KR200484371Y1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-08-30 | 황만수 | 밴드형 바이러스 차단구 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456373B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-11-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 또는 구리/티타늄 식각액 |
| JP4535232B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-09-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | チタンまたはチタン合金のエッチング液 |
| JP4551229B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
| KR101270837B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2013-06-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 텅스텐 또는 티타늄-텅스텐 합금 식각용액 |
| US8300167B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel |
| KR101533970B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2015-07-06 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | 에칭제, 에칭방법 및 에칭제 조제액 |
| WO2015002272A1 (ja) | 2013-07-05 | 2015-01-08 | 和光純薬工業株式会社 | エッチング剤、エッチング方法およびエッチング剤調製液 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12112299A patent/JP3184180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200484164Y1 (ko) * | 2015-08-03 | 2017-08-08 | 황만수 | 다용도 바이러스 차단구 |
| KR200484370Y1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-08-30 | 황만수 | 스티커형 바이러스 차단구 |
| KR200484371Y1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-08-30 | 황만수 | 밴드형 바이러스 차단구 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000311891A (ja) | 2000-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6015505A (en) | Process improvements for titanium-tungsten etching in the presence of electroplated C4's | |
| EP0687751B1 (en) | Selective etching of TiW for C4 fabrication | |
| EP0815593B1 (en) | Solder bump fabrication methods and structure including a titanium barrier layer | |
| US5508229A (en) | Method for forming solder bumps in semiconductor devices | |
| US6917106B2 (en) | Selective ball-limiting metallurgy etching processes for fabrication of electroplated tin bumps | |
| US7550849B2 (en) | Conductive structures including titanium-tungsten base layers | |
| JP2842692B2 (ja) | はんだバンプの製造方法および相互接続システム | |
| KR100857727B1 (ko) | 구리 집적 회로에서의 상호 접속 | |
| US4087314A (en) | Bonding pedestals for semiconductor devices | |
| US20030006062A1 (en) | Interconnect system and method of fabrication | |
| US5800726A (en) | Selective chemical etching in microelectronics fabrication | |
| JP3184180B2 (ja) | Ｔｉ−Ｗの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 | |
| US7425278B2 (en) | Process of etching a titanium/tungsten surface and etchant used therein | |
| US20080119056A1 (en) | Method for improved copper layer etching of wafers with c4 connection structures | |
| JP3506686B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN1103119C (zh) | 用于单掩膜c4焊料凸点制造的方法 | |
| JP2006291242A (ja) | 金めっき液および金めっき方法および半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2002076046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0695543B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07235514A (ja) | ニッケル電極のパターン形成方法 | |
| JPH11510321A (ja) | 単一のマスクでｃ４はんだバンプを形成する方法 | |
| JP2003037128A (ja) | 半田バンプ電極の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3184180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090427 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 10 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140427 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |