JP3183063B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP3183063B2
JP3183063B2 JP26712494A JP26712494A JP3183063B2 JP 3183063 B2 JP3183063 B2 JP 3183063B2 JP 26712494 A JP26712494 A JP 26712494A JP 26712494 A JP26712494 A JP 26712494A JP 3183063 B2 JP3183063 B2 JP 3183063B2
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Abstract

PURPOSE: To improve the connecting strength of lead terminals by enhancing the fixing force of a land to the end of the terminal by solder, etc., in a semiconductor device in which the land of an integrated circuit board is fixed to the terminal by the solder, etc., and which is sealed by resin molding. CONSTITUTION: A lead terminal 23 has adjacent two leads (handgrips) 23b at the sites of the adjacent leads of the same potential, and a shared fixing piece 23a coupled to the ends. On the contrary, a wide land (b) wider than the combining allowance of the piece 23a is formed at the rear surface of the edge of a circuit board 10. Since the terminal 23 has the piece 23a having the width size of the sum or more of the widths of the leads 23b at the end, the fixing allowance becomes wider by soldering with the pieces 23a than the case of individually soldering the ends of the adjacent terminals, thereby enhancing the fixing strength. As a result, the connecting strength of the terminals is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路(ハイブ
リッドIC)等の表面実装形の半導体装置に関し、特
に、集積回路基板を樹脂パッケージで封止して成る半導
体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface-mounted type semiconductor device such as a hybrid integrated circuit (hybrid IC), and more particularly to a semiconductor device having an integrated circuit board sealed with a resin package.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、混成集積回路(ハイブリッドI
C)のQFP(Quad Flat Package)パッケージ等による
表面実装構造は、図10に示す如く、半導体チップ1や
コンデンサ2等の各種電子部品を搭載した混成集積回路
の部品搭載基板(厚膜セラミック基板)3を基板保持用
の吊りリード4のアイランド(ダイパッド部)に載せて
位置決めした後、リードフレームのインナーリード(リ
ード端子)5の先端部と基板上に形成された膜配線のラ
ンド部とを金線6でボンディングを行い、トランスファ
ーモールドにより樹脂パッケージ(外囲器)7で封止し
た構造を有している。半導体チップ1と基板3の膜配線
のランド部との間も金線6でボンディングされている。
このような混成集積回路基板の樹脂パッケージの表面実
装構造にあっては、インナーリード5と基板3との電気
的接続は金線6で達成されるようになっているため、そ
のワイヤーボンディング工程前に基板3を基板保持用の
吊りリード4のアイランド上で機械的接続を行う必要が
ある。このため、吊りリード4が別部品として必須とな
ることから、樹脂パッケージの外形寸法が吊りリード4
の外形寸法に依存する場合があり、半導体装置のサイズ
小型化の障害になっていた。また、電気的接続工程(ワ
イヤーボンディング工程)以前に機械的接続工程(基板
3の吊りリード4への搭載)を別工程で行う必要がある
ため、工程数の削減が難しく、製造コスト高を招いてい
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, a hybrid integrated circuit (hybrid I
As shown in FIG. 10, a surface mounting structure using a QFP (Quad Flat Package) package or the like of C) is a component mounting substrate (thick film ceramic substrate) of a hybrid integrated circuit on which various electronic components such as a semiconductor chip 1 and a capacitor 2 are mounted. 3 is placed on the island (die pad portion) of the suspension lead 4 for holding the substrate, and is positioned. Then, the tip of the inner lead (lead terminal) 5 of the lead frame and the land portion of the film wiring formed on the substrate are fixed to gold. It has a structure in which bonding is performed with the wire 6 and sealed with a resin package (envelope) 7 by transfer molding. The gold wire 6 is also bonded between the semiconductor chip 1 and the land portion of the film wiring of the substrate 3.
In such a surface mount structure of the resin package of the hybrid integrated circuit board, the electrical connection between the inner lead 5 and the board 3 is achieved by the gold wire 6, so that the wire connection process is performed before the wire bonding step. First, it is necessary to mechanically connect the substrate 3 on the island of the suspension lead 4 for holding the substrate. For this reason, since the suspension lead 4 is indispensable as a separate component, the external dimensions of the resin package are
In some cases, which has been an obstacle to miniaturization of semiconductor devices. In addition, it is necessary to perform a mechanical connection step (mounting of the substrate 3 on the suspension leads 4) in a separate step before the electrical connection step (wire bonding step), so that it is difficult to reduce the number of steps, resulting in an increase in manufacturing cost. I was

【0003】上述の表面実装構造に対して、吊りリード
4を用いずに、図11に示す如く、混成集積回路の基板
3を樹脂パッケージ7で封止した表面実装構造を採用す
ることができる。各インナーリード5の先端部5aは基
板3の縁部に形成されたランド部3aに合わせて半田等
で固着接続されている。
As shown in FIG. 11, a surface mounting structure in which a substrate 3 of a hybrid integrated circuit is sealed with a resin package 7 without using the suspension leads 4 can be adopted for the above surface mounting structure. The tip 5a of each inner lead 5 is fixedly connected to the land 3a formed on the edge of the substrate 3 with solder or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリード5の先端部5aを基板3のランド部3aに半田
接続した後、トランスファーモールドにより樹脂パッケ
ージ7で基板3及びリード5を封止した表面実装構造で
は、次のような問題点がある。
However, after the tip 5a of the inner lead 5 is soldered to the land 3a of the substrate 3, the substrate 3 and the lead 5 are sealed with a resin package 7 by transfer molding. Then, there are the following problems.

【0005】 樹脂パッケージの外形寸法を縮小化す
る下では、リード端子5の幅寸法やリード間ピッチが縮
小化するため、半田の固着代が狭くなり、リード端子5
の固着強度(半田付け強度)が弱くなる。また、リード
間ピッチが狭いため、半田ブリッジが多発し、歩留まり
の低下を招いている。
When the external dimensions of the resin package are reduced, the width of the lead terminals 5 and the pitch between the leads are reduced, so that the soldering allowance is reduced, and the lead terminals 5
Adhesion strength (soldering strength) is reduced. In addition, since the pitch between leads is narrow, solder bridges frequently occur, and the yield is reduced.

【0006】 樹脂モールドの意義は基板の封止性と
リードの抜け止め保持にあるが、昨今では後者のリード
の抜け止め保持に力点が移りつつあり、トランスファー
モールド後は、リード端子5の先端部5aでの半田等の
固着力よりリード端子5の樹脂材の着き回りによる抜け
止め耐力の方が強くなくてはならない。しかし、リード
端子5の幅寸法が縮小化していくと、樹脂材との着き回
り部分が減少するので、リード端子の抜け止め耐力が減
少するという問題点があった。
The significance of the resin mold lies in the sealing property of the substrate and the retention of the lead. However, in recent years, the emphasis has shifted to the retention and retention of the lead. The withstand strength of the lead terminal 5 due to the spread of the resin material must be stronger than the fixing force of the solder or the like at 5a. However, when the width dimension of the lead terminal 5 is reduced, a portion that comes into contact with the resin material is reduced, so that there is a problem that the withstand resistance of the lead terminal is reduced.

【0007】上記問題点に鑑み、集積回路基板上に形成
された配線のランド部とリード端子の先端部とを半田等
で固着して導電接続し、樹脂モールドで封止して成る半
導体装置において、本発明の第1の課題は、封止される
集積回路基板のランド部とリード端子の先端部との半田
等による固着力を高めることにより、リード端子の接続
強度を向上させることにあり、本発明の第2の課題は、
樹脂パッケージの樹脂着き回りを良くしてリード端子の
抜け止め耐力を増すことにより、リード端子の接続強度
を向上させることにある。
In view of the above problems, there is provided a semiconductor device in which a land portion of a wiring formed on an integrated circuit board and a tip portion of a lead terminal are fixedly connected by soldering or the like, conductively connected, and sealed with a resin mold. A first object of the present invention is to improve the connection strength of a lead terminal by increasing the fixing force of a land portion of a sealed integrated circuit board and the tip of a lead terminal by soldering or the like, A second object of the present invention is to
It is an object of the present invention to improve the connection strength of the lead terminals by improving the resin contact of the resin package and increasing the withstand resistance of the lead terminals.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、集積回路基板上に形成された配線のラン
ド部とリード端子の先端部とを半田等で固着して導電接
続し、樹脂モールドで封止して成る半導体装置におい
て、隣接する2以上のリード端子同士はそれらの柄部の
先端部相互に連結した共用固着片を有し、上記集積回
路基板には前記共用固着片の合わせ代より幅広い幅広ラ
ンド部が形成されており、上記リード端子同士は上記共
用固着片が上記集積回路基板の縁部裏面を受けて支持す
る基板吊り部となるパッドダウン形であることを特徴と
する。ここで、リード端子同士の柄部の屈曲部内側には
鉤形部が形成されていることが望ましい。上記リード端
子の群には上記集積回路基板の側面に当接する突き当て
部を有する位置決め用非連結のリード端子を含む。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a method in which a land portion of a wiring formed on an integrated circuit board and a tip end portion of a lead terminal are fixedly connected by soldering or the like and conductively connected. In a semiconductor device sealed with a resin mold, two or more adjacent lead terminals have a common fixing piece connected to each other at a tip portion of their handle, and the common fixing piece is attached to the integrated circuit board. It is formed a wide range wider land portion than the combined cost of the piece, the lead terminals each other the co
Fixing pieces for receiving and supporting the back surface of the edge of the integrated circuit board.
It is a pad-down type that serves as a substrate hanging portion . Here, on the inside of the bent part of the handle part between the lead terminals
It is desirable that a hook-shaped portion is formed. The group of lead terminals includes an unconnected positioning lead terminal having an abutting portion abutting on a side surface of the integrated circuit board.

【0009】[0009]

【0010】[0010]

【作用】先ず、本発明の第1の手段は、隣接したリード
同士が同電位である部位においては適用され、隣接する
2以上のリード端子同士はそれらの柄部の先端部に相互
に連結した共用固着片を有しており、且つ、集積回路基
板にはその共用固着片の合わせ代より幅広い幅広ランド
部が形成されている。このため、隣接のリード端子の先
端部を個別的に固着する場合に比し、共用固着片で固着
する方がリード端子の先端部間にも固着代が生じること
になるので、固着強度を高めることができる。この結
果、リード端子の接続強度が向上する。これにより、リ
ード間ピッチを広くして半田ブリッジの発生を抑制する
ことができる。
First, the first means of the present invention is applied to a portion where adjacent leads have the same potential, and two or more adjacent lead terminals are interconnected to the tips of their handle portions. The integrated circuit board has a common fixed piece, and a wider land portion is formed on the integrated circuit board, which is wider than a margin of the common fixed piece. For this reason, compared with the case where the tips of the adjacent lead terminals are individually fixed, fixing with the shared fixing piece causes a fixing allowance between the tips of the lead terminals, thereby increasing the fixing strength. be able to. As a result, the connection strength of the lead terminals is improved. This makes it possible to increase the pitch between leads and suppress the occurrence of solder bridges.

【0011】また、リード端子同士は共用固着片が集積
回路基板の縁部裏面を受けて支持する基板吊り部となる
パッドダウン形であるため、リード端子同士の立ち上が
り柄部間に樹脂モールドが入って着き回りするので、樹
脂モールドとリード端子同士とが互いに強固に鎖交状態
となり、リード端子の樹脂モールドに対する抜け止め耐
力を増強できる。従って 半田固着強度を高めることが
できる同時に、樹脂モールドに対する抜け止め耐力をも
増強できる。
In addition, a common fixing piece is integrated between the lead terminals.
Becomes a board suspension that receives and supports the back of the edge of the circuit board
Because of the pad-down type, the rise between lead terminals
As the resin mold enters between the handle parts and moves around,
The resin mold and the lead terminals are strongly linked to each other
To prevent the lead terminals from slipping out of the resin mold.
Power can be increased. Therefore , it is necessary to increase the solder fixing strength.
At the same time, it also has a retaining strength against the resin mold.
Can be enhanced.

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の実施例に係る半導体装置を
示す平面図、図2は同半導体装置の底面図、図3は図1
のA−A′線に沿って切断した状態を示す切断矢視図で
ある。
FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the semiconductor device, and FIG.
FIG. 5 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

【0015】本例の半導体装置の基本的な構成は、矩形
の混成集積回路基板10と、これに接続するアルミニウ
ム製のリードフレーム(タイバーを図示せず)20と、
パワー電子部品を専用的に搭載する4枚独立のリードフ
レーム31〜34と、これらを封止するためのトランス
ファーモールドにより成形した表面実装形の樹脂パッケ
ージ(QFP)40とから成る。混成集積回路基板10
はセラミック集積回路基板で、表面側に抵抗器R1,R
3〜R5,R7,R8,コンデンサC1〜C9、ダイオ
ードD2,D3を搭載すると共に、裏面側に抵抗器R
2,R6,R9,制御用半導体集積回路(IC1)チッ
プ(フリップ・チップ)15を搭載しており、厚膜配線
(図示せず)が表裏に形成されている。W1はダイオー
ドD2のアノードとボンディングパッドP5とを接続す
るアルミニウム製のボンディングワイア、W2はダイオ
ードD3のアノードとボンディングパッドP7とを接続
するアルミニウム製のボンディングワイアである。な
お、混成集積回路基板10上に半導体ICチップを搭載
し、これと基板上の配線とをワイアボンディングしても
良い。
The basic structure of the semiconductor device of this embodiment is as follows: a rectangular hybrid integrated circuit board 10; an aluminum lead frame (tie bars not shown) 20 connected thereto;
It is composed of four independent lead frames 31 to 34 on which power electronic components are exclusively mounted, and a surface mount type resin package (QFP) 40 molded by transfer molding to seal them. Hybrid integrated circuit board 10
Is a ceramic integrated circuit board, and resistors R1, R
3 to R5, R7, R8, capacitors C1 to C9, diodes D2 and D3, and a resistor R
2, R6, R9, a control semiconductor integrated circuit (IC1) chip (flip chip) 15 are mounted, and thick-film wiring (not shown) is formed on the front and back. W1 is an aluminum bonding wire connecting the anode of the diode D2 and the bonding pad P5, and W2 is an aluminum bonding wire connecting the anode of the diode D3 and the bonding pad P7. Note that a semiconductor IC chip may be mounted on the hybrid integrated circuit board 10 and wire-bonded between the semiconductor IC chip and wiring on the board.

【0016】この矩形の混成集積回路基板10に対して
はその三辺にQFP用リードフレーム20の多数のイン
ナーリード(リード端子)22,22′,23,2
3′,24,25の先端部が臨んでいる。数種類のリー
ド端子22,22′,23,23′,25は図3に示す
如く先端部側を下方に屈曲してから上方に戻して屈曲さ
せたスプーン状の屈曲部(パッドダウン形)となってい
る。そのうちリード端子22,22′,23,23′の
先端部は回路基板10の縁部裏面のランド部a,b,c
を受けて基板10を支持する基板吊り部22a,22′
a,23a,23′aとなっている。基板吊り部22
a,22′a,23a,23′aを半田又は導電性接着
剤で固着し、電気的接続と同時に機械的接続が達成され
ている。このため、基板保持用の吊りリードが不要とな
っている。従って、半導体装置の外形寸法を制限する吊
りリードが無くなっているので、小型パッケージの半導
体装置を実現できる。
With respect to the rectangular hybrid integrated circuit board 10, a large number of inner leads (lead terminals) 22, 22 ', 23, 2 of a QFP lead frame 20 are provided on three sides thereof.
The tip of 3 ', 24, 25 faces. As shown in FIG. 3, several types of lead terminals 22, 22 ', 23, 23', and 25 have a spoon-shaped bent portion (pad down type) in which the distal end is bent downward and then returned upward. ing. Of these, the tips of the lead terminals 22, 22 ', 23, 23' are lands a, b, c on the back surface of the edge of the circuit board 10.
Receiving portions 22a, 22 'for supporting the substrate 10
a, 23a and 23'a. Board suspension 22
a, 22'a, 23a, and 23'a are fixed by soldering or a conductive adhesive to achieve mechanical connection simultaneously with electrical connection. Therefore, a suspension lead for holding the substrate is not required. Therefore, since there are no suspension leads for limiting the external dimensions of the semiconductor device, a semiconductor device having a small package can be realized.

【0017】ここで、回路基板10の縁部裏面のうち隣
接したリード同士が同電位である部位においては、図5
に示す如く、特殊形状のリード端子23が用いられてい
る。
Here, in a portion of the back surface of the edge of the circuit board 10 where adjacent leads have the same potential, FIG.
As shown in the figure, a specially shaped lead terminal 23 is used.

【0018】このリード端子23は隣接する2本のリー
ド部(柄部)23b,23bを持ち、両者先端部に相互
に連結した共用固着片23aを有している。これに対
し、回路基板10の縁部裏面には共用固着片23aの合
わせ代より幅広い幅広ランド部bが形成されている。通
常のリード端子22は先端部まで一様幅の1本のリード
部を有しているが、上記リード端子23は先端部にリー
ド部23bの幅の和以上の幅寸法を持つ共用固着片23
aを有しているため、隣接のリード端子22の先端部を
個別的に半田付けする場合に比し、共用固着片23aで
半田付けする方が固着代が広くなっているので、固着強
度を高めることができる。この結果、リード端子の接続
強度が向上する。また、リード間ピッチを広くすること
ができるので、半田ブリッジの発生率を減少させること
ができる。ここで、リード端子23の2本のリード部
(柄部)23b,23bの屈曲部内側には鉤形部23c
が形成されている。この鉤形部23cも図1及び図2に
示すように樹脂パッケージ40内に樹脂封止されている
ため、投錨効果が発揮し、リード端子の接続強度が増し
ている。
The lead terminal 23 has two adjacent lead portions (pattern portions) 23b, 23b, and has a shared fixing piece 23a mutually connected to the tip portions thereof. On the other hand, on the back surface of the edge of the circuit board 10, a wide land portion b is formed which is wider than the allowance of the joint fixing piece 23a. The normal lead terminal 22 has a single lead portion having a uniform width up to the tip, but the lead terminal 23 has a shared fixing piece 23 having a width at the tip that is equal to or greater than the sum of the widths of the lead portions 23b.
a, the bonding margin is wider when soldering with the common fixing piece 23a than when soldering the tips of the adjacent lead terminals 22 individually. Can be enhanced. As a result, the connection strength of the lead terminals is improved. Further, since the pitch between leads can be widened, the occurrence rate of solder bridges can be reduced. Here, hook-shaped portions 23c are provided inside the bent portions of the two lead portions (pattern portions) 23b of the lead terminal 23.
Are formed. As shown in FIGS. 1 and 2, the hook-shaped portion 23c is also sealed with the resin in the resin package 40, so that the anchoring effect is exerted and the connection strength of the lead terminals is increased.

【0019】本例における1本リードの典型的なリード
端子22は一様幅となっているが、図6(a)に示す如
く、屈曲部において両側又は片側に鉤状部22cを持つ
リード端子26でも良い。この鉤状部22cがあり、先
端部26aが幅広状(根太状)になっていると、投錨効
果が発揮でき、リード端子の樹脂モールド材に対する抜
け止め耐力が向上し、リード端子の接続強度が増してい
る。また、図6(b)に示すリード端子27は先端部2
7a側に鉤状部27cが形成されており、先端部27a
は矩形状片となっている。更に、図7(a)に示すリー
ド端子28の先端部28aは錨状片となっており、図7
(a)に示すリード端子29の先端部29aは円板状片
となっている。
Although a typical lead terminal 22 of a single lead in this embodiment has a uniform width, as shown in FIG. 6A, a lead terminal having a hook-like portion 22c on both sides or one side in a bent portion. 26 is acceptable. When the hook-like portion 22c is provided and the tip portion 26a is wide (joist-shaped), an anchoring effect can be exerted, the withstand resistance of the lead terminal to the resin mold material is improved, and the connection strength of the lead terminal is improved. Is increasing. The lead terminal 27 shown in FIG.
A hook-like portion 27c is formed on the side of the tip 27a.
Is a rectangular piece. Further, the tip 28a of the lead terminal 28 shown in FIG.
The leading end 29a of the lead terminal 29 shown in (a) is a disc-shaped piece.

【0020】本例においては、リード端子22とは形状
を異にした1本のリード部を持つリード端子22′が存
在する。リード端子22′の基板吊り部としての先端部
22′aはL形状で、リード部の幅の以上の幅寸法にな
っている。これに対し、回路基板10の縁部裏面には先
端部22′aの合わせ代より幅広い幅広ランド部bが形
成されている。
In this embodiment, there is a lead terminal 22 'having a single lead portion different in shape from the lead terminal 22. The tip end 22'a of the lead terminal 22 'as a substrate hanging portion is L-shaped, and has a width larger than the width of the lead portion. On the other hand, on the back surface of the edge of the circuit board 10, a wide land portion b wider than the margin of the front end portion 22'a is formed.

【0021】また、リード端子23′はリード端子23
と同様に2本のリード部を有するものの、その先端部に
は共用固着片23aよりも幅広いL形状の共用固着片2
3′aを有している。これに対し、回路基板10の縁部
裏面には共用固着片23′aの合わせ代より広い幅広ラ
ンド部cが形成されている。
The lead terminal 23 'is connected to the lead terminal 23.
, But has two L-shaped lead portions at its distal end, but has an L-shaped shared fixed piece 2 wider than the shared fixed piece 23a.
3'a. On the other hand, on the back surface of the edge of the circuit board 10, a wide land portion c is formed, which is wider than the margin of the joint fixing piece 23'a.

【0022】リードフレーム20の複数の非連結リード
(NCピン)のうちリード端子24は位置決め用非連結
リード端子で、図8,図9(a)に示す如く、回路基板
10の側面に当接する突き当て部24aを有している。
本例における位置決め用非連結リード24の突き当て部
24aはリード端面となっている。この突き当て部24
aは図6に示すように樹脂パッケージ40との投錨効果
を持たせるために平面的にT字形となっている。なお、
図9(b)に示す如く、リード先端部を下方に折り曲げ
た先端折曲部24bとしても良い。先端折曲部24bで
は基板側面との突き当たりの合わせ代を広げることがで
きる。ただ、折り曲げ加工等ではスプリングバック等に
より位置決めの精度が出し難い場合があるので、突き当
て部24aのようにリード端面のままの方がむしろ位置
決め精度を高くすることができる。
The lead terminals 24 of the plurality of unconnected leads (NC pins) of the lead frame 20 are positioning unconnected lead terminals, and come into contact with the side surface of the circuit board 10 as shown in FIGS. It has an abutment portion 24a.
The abutting portion 24a of the positioning non-connecting lead 24 in this example is a lead end surface. This butting part 24
As shown in FIG. 6, a has a T-shape in plan view so as to have an anchoring effect with the resin package 40. In addition,
As shown in FIG. 9B, a lead bent portion 24b may be formed by bending the lead tip downward. In the bent front end portion 24b, the margin of contact with the side surface of the substrate can be widened. However, in bending or the like, it may be difficult to obtain the positioning accuracy due to springback or the like. Therefore, it is possible to increase the positioning accuracy by leaving the lead end surface as in the abutting portion 24a.

【0023】なお、非連結リード(NCピン)のうちリ
ード端子25の先端部は平面的にT字形となっている。
これは投錨効果を持たせ抜け止め耐力を確保するためで
ある。
The tip of the lead terminal 25 of the unconnected leads (NC pins) is T-shaped in plan.
This is to provide anchoring effect and to secure the retaining strength.

【0024】次に、パワー電子部品を搭載する4枚のリ
ードフレーム31〜34について説明する。アルミニウ
ム製の4枚のリードフレーム31〜34は、集積回路基
板10の隣接領域で樹脂シールパッケージ40の一方の
短辺側に位置している。リードフレーム31〜34は、
それぞれ電子部品等を搭載するための平坦状の幅広部
(部品搭載部)31b〜34bと、これより分岐して連
結した多数のパッドダウン形のリード端子31c〜34
cとから成る。リードフレーム31の幅広部31bは矩
形状で、集積回路基板10のコーナ縁部において片側傾
斜辺の部分が半田又は導電性接着剤(固着部位)31a
を以て固着されており、幅広部31bからはパッケージ
長辺側に4本のリード端子31cが分岐して延出してい
る。パッケージ長辺側近傍の幅広部31b上にはシャン
ト抵抗R1のチップ抵抗器の一方の端子面が半田又は導
電性接着剤で固着されている。リードフレーム32の幅
広部32bは平面凸形状で、集積回路基板10の辺縁部
において先端辺の部分が半田又は導電性接着剤(固着部
位)32aを以て固着されており、幅広部32bの基部
からはパッケージ短辺側に4本のリード端子32cが分
岐して延出している。
Next, four lead frames 31 to 34 on which power electronic components are mounted will be described. The four lead frames 31 to 34 made of aluminum are located on one short side of the resin seal package 40 in an area adjacent to the integrated circuit board 10. The lead frames 31 to 34 are
Flat wide portions (component mounting portions) 31b to 34b for mounting electronic components and the like, and a large number of pad-down type lead terminals 31c to 34 branched and connected therefrom.
c. The wide portion 31b of the lead frame 31 has a rectangular shape, and one side of the corner edge portion of the integrated circuit substrate 10 is solder or a conductive adhesive (fixed portion) 31a.
The four lead terminals 31c branch from the wide portion 31b and extend toward the longer side of the package. One terminal surface of the chip resistor of the shunt resistor R1 is fixed on the wide portion 31b near the long side of the package with solder or a conductive adhesive. The wide portion 32b of the lead frame 32 has a planar convex shape, and the leading edge portion is fixed to the periphery of the integrated circuit board 10 with solder or a conductive adhesive (fixing portion) 32a, and from the base of the wide portion 32b. In the figure, four lead terminals 32c are branched and extend to the short side of the package.

【0025】これら4本のリード端子32cの左側リー
ド端子からその最外左側にリード端子32c′が分岐し
ている。幅広部32b上にはパワーMOSトランジスタ
・チップQ1が搭載され、そのドレイン端子面が半田又
は導電性接着剤で固着されている。パワーMOSトラン
ジスタ・チップQ1の上面にはゲート端子面G及びソー
ス端子面Sが形成されており、ゲート端子面Gと集積回
路基板10上に形成されたボンディングパッドP4とが
アルミニウム製のボンディングワイアW3で接続されて
いる。また、そのソース端子面Sと後述するリードフレ
ーム33の幅広部33b上に形成されたボンディングパ
ッドP6とがアルミニウム製のボンディングワイアW4
で接続されている。リードフレーム33の幅広部33b
は平面略L字形状で、集積回路基板10の辺縁部におい
て先端辺の部分が半田又は導電性接着剤(固着部位)3
3aを以て固着されており、幅広部33bの基部からは
パッケージ短辺側に6本のリード端子33cが分岐して
延出している。幅広部33b上の先端部側には前述のボ
ンディングパッドP6が形成されていると共に、比較的
小規模のMOSトランジスタ・チップQ3が搭載され、
そのドレイン端子面が半田又は導電性接着剤で固着され
ている。MOSトランジスタ・チップQ3の上面にはゲ
ート端子面G及びソース端子面Sが形成されており、ゲ
ート端子面Gと集積回路基板10上に形成されたボンデ
ィングパッドP2とがアルミニウム製のボンディングワ
イアW5で接続されている。また、そのソース端子面S
と集積回路基板10上に形成されたボンディングパッド
P1とがアルミニウム製のボンディングワイアW6で接
続されている。幅広部33bの基部上には、パワーMO
Sトランジスタ・チップQ2が搭載され、そのドレイン
端子面が半田又は導電性接着剤で固着されている。パワ
ーMOSトランジスタ・チップQ2の上面にはゲート端
子面G及びソース端子面Sが形成されており、ゲート端
子面Gと集積回路基板10上に形成されたボンディング
パッドP3とがアルミニウム製のボンディングワイアW
7で接続されている。また、そのソース端子面Sと後述
するリードフレーム34の幅広部34b上に形成された
ボンディングパッドP8とがアルミニウム製のボンディ
ングワイアW8で接続されている。リードフレーム33
の幅広部33bの基部にはダイオード・チップD1が搭
載され、そのカソード端子面が半田又は導電性接着剤で
固着されている。ダイオード・チップD1の上面に形成
されたアノード端子面Aと後述するリードフレーム34
の幅広部34b上に形成されたボンディングパッドP8
とがアルミニウム製のボンディングワイアW9で接続さ
れている。リードフレーム34の幅広部34bは矩形状
で、集積回路基板10の他方のコーナ縁部において曲線
辺の部分が半田又は導電性接着剤(固着部位)34aを
以て固着されており、幅広部34bからは他方のパッケ
ージ長辺側に5本のリード端子34cが櫛歯状に分岐し
て延出している。幅広部34b上にはボンディングパッ
ドP8のみが形成され、前述したように、このボンディ
ングパッドP8にはボンディングワイアW8,W9が接
続されている。なお、リードフレーム31〜34の裏面
側にはセラミック板(メタライズ板)50が裏打ちされ
ている。
A lead terminal 32c 'branches from the left lead terminal of these four lead terminals 32c to the outermost left side. The power MOS transistor chip Q1 is mounted on the wide portion 32b, and its drain terminal surface is fixed with solder or a conductive adhesive. A gate terminal surface G and a source terminal surface S are formed on the upper surface of the power MOS transistor chip Q1, and the bonding terminal P3 formed on the integrated circuit substrate 10 is bonded to the gate terminal surface G by an aluminum bonding wire W3. Connected by Further, the source terminal surface S and a bonding pad P6 formed on a wide portion 33b of the lead frame 33 described later are connected to a bonding wire W4 made of aluminum.
Connected by Wide portion 33b of lead frame 33
Is a substantially L-shaped plane, and the edge of the edge of the integrated circuit board 10 is solder or conductive adhesive (fixed portion) 3
3a, and six lead terminals 33c branch from the base of the wide portion 33b to the short side of the package and extend therefrom. The above-mentioned bonding pad P6 is formed on the front end side of the wide portion 33b, and a relatively small-scale MOS transistor chip Q3 is mounted thereon.
The drain terminal surface is fixed with solder or a conductive adhesive. A gate terminal surface G and a source terminal surface S are formed on the upper surface of the MOS transistor chip Q3, and the gate terminal surface G and the bonding pad P2 formed on the integrated circuit substrate 10 are bonded by an aluminum bonding wire W5. It is connected. In addition, the source terminal surface S
And a bonding pad P1 formed on the integrated circuit substrate 10 are connected by a bonding wire W6 made of aluminum. On the base of the wide portion 33b, a power MO
The S transistor chip Q2 is mounted, and its drain terminal surface is fixed with solder or a conductive adhesive. On the upper surface of the power MOS transistor chip Q2, a gate terminal surface G and a source terminal surface S are formed, and the bonding terminal P and the bonding pad P3 formed on the integrated circuit substrate 10 are made of an aluminum bonding wire W.
7 are connected. Further, the source terminal surface S and a bonding pad P8 formed on a wide portion 34b of the lead frame 34 described later are connected by a bonding wire W8 made of aluminum. Lead frame 33
The diode chip D1 is mounted on the base of the wide portion 33b, and its cathode terminal surface is fixed with solder or a conductive adhesive. An anode terminal surface A formed on the upper surface of the diode chip D1 and a lead frame 34 described later
Pad P8 formed on wide portion 34b of
Are connected by an aluminum bonding wire W9. The wide portion 34b of the lead frame 34 has a rectangular shape, and the curved side portion is fixed with solder or a conductive adhesive (fixed portion) 34a at the other corner edge of the integrated circuit board 10, and the wide portion 34b Five lead terminals 34c are branched in a comb shape and extend to the other long side of the package. Only the bonding pad P8 is formed on the wide portion 34b, and the bonding wires W8 and W9 are connected to the bonding pad P8 as described above. Note that a ceramic plate (metallized plate) 50 is lined on the back side of the lead frames 31 to 34.

【0026】図4はパワー電子部品を搭載する4枚のリ
ードフレーム31〜34の領域における回路構成を説明
する模式的回路図である。図4中の矢印は電子部品から
の発熱の熱伝導の方向を示す。シャント抵抗R1は大き
な電流が流れることで電圧降下を検出するためのチップ
抵抗器となっており、一方の端子面がリードフレーム3
1の幅広部31b上に導電固着されていると共に他方の
端子面がリードフレーム32の幅広部31bの先端部側
に導電固着されている。シャント抵抗R1の発熱量が大
きくても、2枚のリードフレーム31,32に熱伝導
し、幅広部31b,32bを介して放熱フィンとしての
多数のリード端子31c,32cから樹脂シールパッケ
ージ40の外に放熱されるようになっている。特に、リ
ードフレーム31の幅広部31bは樹脂パッケージの輪
郭の近傍にあるため、リードフレーム32による放熱よ
りもリードフレーム31による放熱の方が優性である。
リードフレーム32上ではパワーMOSトランジスタ・
チップQ1による発熱量はシャント抵抗R1のそれに比
し相当なものである。このためパワーMOSトランジス
タ・チップQ1は幅広部32bの基部すなわちリード端
子32c側に搭載して、熱を外部へ低い熱伝導抵抗で速
やかに放熱するようにしており、逆に平面凸形状の先端
部は先細状にして熱伝導抵抗を高め、チップQ1からの
熱が先端部側に波及し難くしている。チップQ1とシャ
ント抵抗R1との間は積極的に括れ状にしても良いが、
レイアウト等が許せば、それぞれ別のリードフレームに
搭載する方が良い。ここで、パワーMOSトランジスタ
・チップQ1の発熱は、制御端子としてのゲート端子面
Gでは問題にならず、ドレイン端子面とソース端子面S
で問題となるため、ドレイン端子面にリードフレーム3
2を導電固着すると共に、ソース端子面Sでは熱伝導性
の良いアルミニウム製のボンディングワイアW4をボン
ディングし、その他端をリードフレーム33のボンディ
ングパッドP6にボンディングしてある。ソース端子面
Sでの発熱はボンディングワイアW4を介してリードフ
レーム33に伝導する。リードフレーム33の幅広部3
3c上ではパワーMOSトランジスタ・チップQ2のド
レイン端子面とソース端子面S及びダイオード・チップ
D1のカソード端子面とアノード端子面Aでの発熱が問
題である。トランジスタ・チップQ2及びダイオード・
チップD1はリード端子33c寄りに位置しているの
で、ドレイン端子面及びカソード端子面の熱は外部へ低
い熱伝導抵抗で速やかに放熱する。トランジスタ・チッ
プQ2のソース端子面Sでの発熱はボンディングワイア
W8を介してリードフレーム34に伝導し、ダイオード
・チップD1のアノード端子面Aでの発熱はボンディン
グワイアW9を介してリードフレーム34に伝導する。
リードフレーム34は電子部品を搭載せず、単にボンデ
ィングパッドP8が形成され、その上に2本のボンディ
ングワイアW8,9がボンディングされているだけであ
る。同電位の給電作用と放熱作用を果たしている。事情
が許せば、ボンディングパッドP8とアノード端子面A
又はソース端子面Sとの間で2本以上のボンディングワ
イアをボンディングしても良い。
FIG. 4 is a schematic circuit diagram illustrating the circuit configuration in the area of four lead frames 31 to 34 on which power electronic components are mounted. Arrows in FIG. 4 indicate directions of heat conduction of heat generated from the electronic components. The shunt resistor R1 is a chip resistor for detecting a voltage drop when a large current flows.
The other terminal surface is conductively fixed on the wide portion 31b of the lead frame 32 while being conductively fixed on the first wide portion 31b. Even if the amount of heat generated by the shunt resistor R1 is large, heat is conducted to the two lead frames 31 and 32, and the lead terminals 31c and 32c as heat radiation fins are removed from the resin seal package 40 through the wide portions 31b and 32b. The heat is dissipated. In particular, since the wide portion 31b of the lead frame 31 is near the contour of the resin package, heat radiation by the lead frame 31 is more dominant than heat radiation by the lead frame 32.
On the lead frame 32, a power MOS transistor
The amount of heat generated by the chip Q1 is considerably larger than that of the shunt resistor R1. For this reason, the power MOS transistor chip Q1 is mounted on the base of the wide portion 32b, that is, on the lead terminal 32c side, so that heat can be quickly radiated to the outside with low heat conduction resistance. Is tapered to increase the heat conduction resistance, so that the heat from the chip Q1 is unlikely to spread to the tip side. Although the space between the chip Q1 and the shunt resistor R1 may be positively constricted,
If the layout allows, it is better to mount them on separate lead frames. Here, the heat generated by the power MOS transistor chip Q1 does not cause a problem on the gate terminal surface G as the control terminal, and the drain terminal surface and the source terminal surface S
Therefore, a lead frame 3 may be attached to the drain terminal surface.
In addition, a bonding wire W4 made of aluminum having good thermal conductivity is bonded to the source terminal surface S, and the other end is bonded to a bonding pad P6 of the lead frame 33. Heat generated at the source terminal surface S is conducted to the lead frame 33 via the bonding wire W4. Wide part 3 of lead frame 33
On 3c, heat is generated on the drain terminal surface and the source terminal surface S of the power MOS transistor chip Q2 and on the cathode terminal surface and the anode terminal surface A of the diode chip D1. Transistor chip Q2 and diode
Since the chip D1 is located near the lead terminal 33c, heat on the drain terminal surface and the cathode terminal surface is quickly radiated to the outside with low heat conduction resistance. Heat generated at the source terminal surface S of the transistor chip Q2 is transmitted to the lead frame 34 via the bonding wire W8, and heat generated at the anode terminal surface A of the diode chip D1 is transmitted to the lead frame 34 via the bonding wire W9. I do.
The lead frame 34 has no electronic components mounted thereon, only a bonding pad P8 is formed, and only two bonding wires W8, 9 are bonded thereon. It has the same potential power supply function and heat dissipation function. If circumstances permit, bonding pad P8 and anode terminal surface A
Alternatively, two or more bonding wires may be bonded to the source terminal surface S.

【0027】このように、リードフレーム31〜34の
幅広部31b〜34bにシャント抵抗R1,パワーMO
Sトランジスタ・チップQ1,Q2,ダイオード・チッ
プD1が導電固着されており、且つ、その固着端子面に
対する反対極性の端子面(ソース端子面S,アノード端
子面A)も熱伝導性に富むアルミニウムのボンディング
ワイアW4,W8,W9は他のリードフレームに接続し
ている。パワー電子部品の熱発生部はすべてリードフレ
ームやボンディングワイアを介して集積回路基板10を
経由せずに放熱フィンとしての多数のリード端子31c
〜34cへ伝導し、そこから樹脂パッケージ外へ放熱さ
れるようになっている。表面実装形の樹脂シールパッケ
ージ40で封止された状態でも、パワー電子部品から発
生する熱は幅広部31b〜34bから外部に露出するリ
ード端子31〜34cへ良く熱伝導するので、放熱特性
が良好となる。
As described above, the shunt resistor R1 and the power MO are connected to the wide portions 31b to 34b of the lead frames 31 to 34.
The S transistor chips Q1, Q2 and the diode chip D1 are conductively fixed, and the terminal surfaces (source terminal surface S, anode terminal surface A) of opposite polarities to the fixed terminal surfaces are also made of aluminum having high thermal conductivity. The bonding wires W4, W8, W9 are connected to other lead frames. All of the heat generating parts of the power electronic components do not pass through the integrated circuit board 10 through the lead frame or the bonding wire, but a large number of lead terminals 31c as radiation fins.
To 34c, from which heat is radiated out of the resin package. Even when sealed with the surface-mount type resin seal package 40, heat generated from the power electronic component is well conducted to the lead terminals 31 to 34c exposed to the outside from the wide portions 31b to 34b, so that the heat radiation characteristics are good. Becomes

【0028】リードフレーム31〜34の幅広部31b
〜34bは集積回路基板10の縁部裏面31a〜34a
で固着されているが、この固着部位は一部の重なりであ
るから、幅広部31b〜34bから集積回路基板10へ
の熱の伝導は問題とならない。集積回路基板10に直接
パワー電子部品を搭載する場合に比して、集積回路基板
10の電子部品への熱的影響を頗る軽減できる。
Wide portions 31b of lead frames 31 to 34
To 34b are edge back surfaces 31a to 34a of the integrated circuit substrate 10.
However, since the fixing portions are partially overlapped, the conduction of heat from the wide portions 31b to 34b to the integrated circuit board 10 does not matter. The thermal effect on the electronic components of the integrated circuit board 10 can be significantly reduced as compared with the case where power electronic components are directly mounted on the integrated circuit board 10.

【0029】リードフレーム31〜34にチップ抵抗
器,トランジスタ・チップQ1,Q2,ダイオード・チ
ップD1が導電固着されているので、集積回路基板の印
刷配線等に比して配線インピーダンスが遙に低い。特
に、シャント抵抗R1に関する配線部の電圧ドロップを
低減できる。
Since the chip resistors, the transistor chips Q1, Q2, and the diode chip D1 are conductively fixed to the lead frames 31 to 34, the wiring impedance is much lower than that of the printed wiring of the integrated circuit board. In particular, it is possible to reduce the voltage drop of the wiring portion related to the shunt resistor R1.

【0030】リードフレーム31〜34と集積回路基板
10とは固着部位31a〜34aにおいて固着され、一
体化されている。このため、パッド部分のブレ等を抑え
ることができるので、ワイアボンディング工程では超音
波ボンディングを用いることができる。また、樹脂成形
時での位置決めが容易である。本例ではリードフレーム
31〜34の板厚は0.25mm、ボンディングワイヤの太さ
は0.25mmであるため、超音波ボンディング工程ではボン
ディング性が安定しないことを考慮して裏打ち部材とし
てセラミック板50を固着してある。
The lead frames 31 to 34 and the integrated circuit board 10 are fixed at fixing portions 31a to 34a and are integrated. For this reason, blurring of the pad portion can be suppressed, and ultrasonic bonding can be used in the wire bonding step. Further, positioning during resin molding is easy. In this example, since the thickness of the lead frames 31 to 34 is 0.25 mm and the thickness of the bonding wires is 0.25 mm, the ceramic plate 50 is fixed as a backing member in consideration of unstable bonding in the ultrasonic bonding process. I have.

【0031】シャント抵抗R1が跨がって搭載されるリ
ードフレーム31,32はリード端子配列辺同士が直交
関係になっている。また、チップQ2が搭載されるリー
ドフレーム33と、そのソース端子面Sがボンディング
ワイアW8を介して接続されたリードフレーム34はリ
ード端子配列辺同士が直交関係になっている。このよう
に隣接するリードフレーム同士を直交方向に配向した場
合、平坦性が高くなり、歩留まりの向上に資する。
In the lead frames 31 and 32 on which the shunt resistor R1 is mounted straddling, the lead terminal arrangement sides are orthogonal to each other. Further, the lead frame 33 on which the chip Q2 is mounted and the lead frame 34 whose source terminal surface S is connected via the bonding wire W8 have an orthogonal relationship between the lead terminal arrangement sides. When the adjacent lead frames are oriented in the orthogonal direction as described above, the flatness is increased, which contributes to an improvement in yield.

【0032】本例においては、幅広部31b〜34bか
ら多数のリード端子31c〜34cが分岐させてある。
集積回路基板10側のリード端子22を半田付けで基板
に接続するような場合、半田溶融の際、瞬間的に微小な
リードの浮き上がりが生じるが、これとバランスさせて
同様な浮き上がりをもたせるため、リード端子22と同
等なリード端子31c〜34cにしてあり、半田接続の
信頼性を高めるようにしている。勿論、櫛歯状に多数の
リード端子31c〜34cが半田接続されると、リード
の厚みの側面も電気的且つ機械的に接続されるので、放
熱特性や配線インピーダンスの低減が一層顕著になる。
ここで、本例においては多数のリード端子31c〜34
cの分岐位置が樹脂シールパッケージ40の輪郭の内側
にある。
In this embodiment, a large number of lead terminals 31c to 34c are branched from the wide portions 31b to 34b.
In the case where the lead terminals 22 on the integrated circuit board 10 side are connected to the board by soldering, when the solder is melted, minute floating of the leads occurs instantaneously. Lead terminals 31c to 34c equivalent to the lead terminals 22 are provided to improve the reliability of the solder connection. Of course, when a large number of lead terminals 31c to 34c are connected by soldering in a comb shape, the side surfaces of the lead thickness are also electrically and mechanically connected, so that the heat radiation characteristics and the reduction in wiring impedance become more remarkable.
Here, in this example, a large number of lead terminals 31 c to 34
The branch position of “c” is inside the outline of the resin seal package 40.

【0033】リード端子32c′に見られるように、パ
ッケージ40の輪郭の内側で隣接のリード端子32cか
ら分岐している。リード端子間にも樹脂材が付き回るの
で、投錨効果が発揮されており、相互固定が安定且つ確
実になる。
As seen from the lead terminal 32c ', it branches off from the adjacent lead terminal 32c inside the outline of the package 40. Since the resin material also wraps around between the lead terminals, an anchoring effect is exhibited, and the mutual fixing is stable and reliable.

【0034】リードフレーム31〜34の幅広部31b
〜34bは集積回路基板10の縁部上面ではなく縁部裏
面にて固着されている。このため、集積回路基板10の
板厚の分だけ厚い電子部品を幅広部31b〜34b上に
搭載可能となっており、厚みのあるパワーデバイスの搭
載の余裕を生じている。また、幅広部裏面側の樹脂厚は
薄いので、放熱性を確保するに好都合となっている。
Wide portions 31b of the lead frames 31 to 34
34b are fixed not on the upper surface of the edge of the integrated circuit substrate 10 but on the rear surface of the edge. For this reason, electronic components thicker by the thickness of the integrated circuit board 10 can be mounted on the wide portions 31b to 34b, and there is a margin for mounting a thick power device. In addition, since the resin thickness on the rear surface side of the wide portion is thin, it is convenient for securing heat dissipation.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏する。
As described above, the present invention has the following effects.

【0036】本発明によれば、隣接のリード端子の先端
部を個別的に固着する場合に比し、共用固着片で固着す
る方がリード端子の先端部間にも固着代が生じているの
で、固着強度を高めることができる。この結果、リード
端子の接続強度が向上する。このため、リード間ピッチ
を広くして半田ブリッジの発生を抑制することができ、
歩留まりの向上に資する。
According to the present invention, the fixing margin is generated between the leading end portions of the lead terminals in the case where the leading end portions of the adjacent lead terminals are separately fixed in comparison with the case where the leading end portions of the adjacent lead terminals are individually fixed. In addition, the fixing strength can be increased. As a result, the connection strength of the lead terminals is improved. For this reason, the generation of solder bridges can be suppressed by increasing the pitch between leads,
Contribute to improvement of yield.

【0037】また、リード端子同士は共用固着片が集積
回路基板の縁部裏面を受けて支持する基板吊り部となる
パッドダウン形であるため、リード端子同士の立ち上が
り柄部間に樹脂モールドが入って着き回りするので、樹
脂モールドとリード端子同士とが互いに強固に鎖交状態
となり、リード端子の樹脂モールドに対する抜け止め耐
力を増強できる。従って 半田固着強度を高めることが
できる同時に、樹脂モールドに対する抜け止め耐力をも
増強できる。
In addition, common fixing pieces are integrated for the lead terminals.
Becomes a board suspension that receives and supports the back of the edge of the circuit board
Because of the pad-down type, the rise between lead terminals
As the resin mold enters between the handle parts and moves around,
The resin mold and the lead terminals are strongly linked to each other
To prevent the lead terminals from slipping out of the resin mold.
Power can be increased. Therefore , it is necessary to increase the solder fixing strength.
At the same time, it also has a retaining strength against the resin mold.
Can be enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例に係る半導体装置を示す平面図
である。
FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同半導体装置の底面図である。FIG. 2 is a bottom view of the semiconductor device.

【図3】図1のA−A′線に沿って切断した状態を示す
切断矢視図である。
FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1;

【図4】同半導体装置においてパワー電子部品を搭載す
る4枚のリードフレームの領域の回路構成を説明する模
式的回路図である。
FIG. 4 is a schematic circuit diagram illustrating a circuit configuration in a region of four lead frames on which power electronic components are mounted in the semiconductor device.

【図5】(a)は同半導体装置において2本のリード部
を有するリード端子を示す斜視図で、(b)は同リード
端子と基板側のランド部との接続状態を示す平面図であ
る。
5A is a perspective view showing a lead terminal having two lead portions in the semiconductor device, and FIG. 5B is a plan view showing a connection state between the lead terminal and a land portion on the substrate side. .

【図6】(a),(b)は同半導体装置において1本の
リード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜視図であ
る。
FIGS. 6A and 6B are perspective views respectively showing lead terminals having one lead part in the semiconductor device.

【図7】(a),(b)は同半導体装置においてまた別
の1本のリード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜
視図である。
FIGS. 7A and 7B are perspective views respectively showing lead terminals having another lead portion in the semiconductor device.

【図8】同半導体装置において突き当て部を有する位置
決め用の非連結リード端子を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing an unconnected lead terminal for positioning having an abutting portion in the semiconductor device.

【図9】(a),(b)は同半導体装置において突き当
て部を有する位置決め用の非連結リード端子をそれぞれ
示す断面図である。
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views illustrating non-connection lead terminals for positioning having abutting portions in the semiconductor device, respectively.

【図10】(a)は従来の半導体装置の一例を示す部分
平面図、(b)は同装置の部分断面図である。
10A is a partial plan view showing an example of a conventional semiconductor device, and FIG. 10B is a partial sectional view of the same device.

【図11】吊りリードを用いずに混成集積回路基板を樹
脂パッケージで封止した表面実装構造を示す平面図であ
る。
FIG. 11 is a plan view showing a surface mounting structure in which a hybrid integrated circuit board is sealed with a resin package without using suspension leads.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…集積回路基板(混成集積回路基板) 15…フリップ・チップ 20…集積回路基板のリードフレーム 22,22′,23,23′,26〜29…インナーリ
ード(リード端子) 22a,22′a,23a,23′a,24a,26a
〜29a…基板吊り部 24…位置決め用非連結リード端子 25…非連結リード端子(NCピン) 24a,24b…突き当て部 31〜34…パワー電子部品のリードフレーム 31a〜34a…固着部位 31b〜34b…幅広部 31c〜34c,32c′…リード端子 R1…シャント抵抗のチップ Q1,Q2…パワーMOSトランジスタ・チップ D1…ダイオード・チップ 40…表面実装形の樹脂シールパッケージ(QFP)。 50…セラミック板 a,b,c…ランド部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Integrated circuit board (hybrid integrated circuit board) 15 ... Flip chip 20 ... Lead frame of integrated circuit board 22,22 ', 23,23', 26-29 ... Inner lead (lead terminal) 22a, 22'a, 23a, 23'a, 24a, 26a
... 29a ... board suspension part 24 ... positioning non-connection lead terminal 25 ... non-connection lead terminal (NC pin) 24a, 24b ... butting part 31-34 ... power electronic component lead frame 31a-34a ... fixing part 31b-34b ... wide portions 31c to 34c, 32c '... lead terminals R1 ... shunt resistor chips Q1, Q2 ... power MOS transistor chips D1 ... diode chips 40 ... surface mount type resin seal package (QFP). 50: ceramic plate a, b, c: land portion.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭61−34746(JP,U) 実開 平5−36849(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 25/04 H01L 25/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-34746 (JP, U) JP-A-5-36849 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 25/04 H01L 25/18

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 集積回路基板上に形成された配線のラン
ド部とリード端子の先端部とを半田等で固着して導電接
続し、樹脂モールドで封止して成る半導体装置におい
て、 隣接する2以上の前記リード端子同士はそれらの柄部の
先端部相互に連結した共用固着片を有し、前記集積回
路基板には前記共用固着片の合わせ代より幅広い幅広ラ
ンド部が形成されており、前記リード端子同士は前記共
用固着片が前記集積回路基板の縁部裏面を受けて支持す
る基板吊り部となるパッドダウン形であることを特徴と
する半導体装置。
1. A semiconductor device comprising a land portion of a wiring formed on an integrated circuit substrate and a tip portion of a lead terminal fixedly connected by soldering or the like, conductively connected, and sealed with a resin mold. the above lead terminals of the above have a common fixing pieces coupled to each other at the tip portion of their shank, wherein the integrated circuit substrate is formed wide wider land portion than the combined cost of the common anchoring piece, The lead terminals are
Fixing pieces for receiving and supporting the back surface of the edge of the integrated circuit board.
A pad-down type device serving as a substrate hanging portion .
【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置において、
前記リード端子同士の前記柄部の屈曲部内側には鉤形部
が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein
A hook-shaped portion is formed inside the bent portion of the handle portion between the lead terminals.
The semiconductor device characterized by but are formed.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の半導体装
置において、前記リード端子の群には前記集積回路基板
の側面に当接する突き当て部を有する位置決め用非連結
のリード端子を含むことを特徴とする半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the group of lead terminals includes a non-positioning lead terminal for positioning having an abutting portion that abuts on a side surface of the integrated circuit board. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に
記載の半導体装置において、前記リード端子の先端部の
幅寸法はその柄部の幅寸法の和よりも広いことを特徴と
する半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein a width of a tip portion of said lead terminal is wider than a sum of widths of said handle portions. Semiconductor device.
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