JP3179997B2 - プラズマ・データを分析する方法およびシステム - Google Patents

プラズマ・データを分析する方法およびシステム

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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/71Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/0006Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0012Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature using electromagnetic or particle radiation, e.g. interferometry
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的には自動化デー
タ分析に関する。具体的には、本発明は、プラズマ内に
存在する気体種を表す検知データの自動化分析に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ほとんどのプラズマ加工では、所与の時
刻にプラズマ内に存在する気体種に関して得られたデー
タを、そのようなデータの分析の訓練をうけた分析者に
よってオフラインで分析しなければならない。このよう
なデータのオフライン分析は、プラズマ加工制御にとっ
てとりわけ重要である。しかし、このようなデータの分
析は、そのような分析者にとって困難で時間のかかる処
理であることがわかっている。
【0003】いくつかの技法が、プラズマ加工での気体
種を検知するための可能性のある技術として提案されて
きた。これには、発光分光学(OES)、フーリエ変換
赤外分光学およびレーザ誘導蛍光が含まれる。どの技法
も、プラズマ環境に関する独自の情報を提供する。しか
し、これらの分析手法のそれぞれが、プラズマ環境内で
時間上の同一点で発生する1つまたは複数の電磁波長に
関する強度を判定することによって気体種の特徴を表
す。
【0004】本明細書に記載の好ましい実施例では、発
光分光計をセンサとして利用する。発光分光計は、プラ
ズマ・チャンバ内のさまざまな気体の存在と相対濃度の
検出に使用される市販の装置である。発光分光計は、チ
ャンバ内から発する光の、相対強度と対応波長の両方を
検出することによって機能する。
【0005】プラズマ内の気体種に関するデータを分析
する処理は、歴史的には人間の手による処理である。し
かし、最近、この分析の部分的な自動化に関して、多少
の進歩があった。たとえば、一部の自動化システムは、
特定の気体に関する既知の強度および波長のデータを保
持し、生データの手動較正を支援する。既存のシステム
のいずれもが、分析を高速化し、結果の精度を高めるた
めに使用可能なコンピュータ技術を完全に利用してはい
ない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって、プラズマ
内の気体種に関するプラズマ加工から得られたデータを
解釈する際のより広範囲に自動化された支援が必要であ
る。
【0007】本発明の目的は、プラズマ加工から得られ
た気体種に関するデータの解釈での自動化支援を提供す
ることである。
【0008】本発明のもう1つの目的は、分析者からの
限られた入力のみを用いるプラズマ内の気体種に関する
データの自動化較正を提供することである。
【0009】本発明のもう1つの目的は、プラズマ内の
気体種に関するデータの解釈において、時間にともなっ
て精度を向上させる自動化支援を提供することである。
【0010】本発明のもう1つの目的は、プラズマに関
して得られたデータからの、プラズマ内の気体種の選択
的な自動化識別を提供することである。
【0011】本発明のもう1つの目的は、プラズマに関
して得られたデータからプラズマ加工での気体種の時間
的変化を分析する際の自動化支援を提供することであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】手短に言うと、本発明
は、分析者の入力が最少の自動較正、1つまたは複数の
気体種の選択的自動識別、時間に関するプラズマ内の気
体種の自動分析およびプラズマ内の気体種の自動識別を
改善するための学習機能を提供することによって、プラ
ズマ関連データに関する自動化データ分析の改良に関す
る要求を満足する。
【0013】上記の目的に従い、本発明は、第1の態様
で、複数の気体種を含むプラズマから得られたデータを
分析する方法を提供する。この方法には、コンピュータ
にデータを入力するステップと、プラズマに関する情報
をコンピュータに入力するステップと、コンピュータを
介してデータを自動的に較正するステップと、複数の気
体種のうちの1つを識別するステップとが含まれる。コ
ンピュータに入力されるデータは、プラズマ加工の際に
生成されその後に検知される電気光学信号から得られ
る。この方法には、識別すべき少なくとも1つの気体種
を選択するステップを含めることができ、この識別ステ
ップには、少なくとも1つの気体種を識別するステップ
が含まれる。少なくとも1つの気体種を識別するステッ
プは、仮定されたパラメータに基づいて行うことができ
る。その場合、パラメータは、識別ステップの結果に基
づき、後続の識別を改善するように修正することができ
る。
【0014】本発明の第2の態様では、第1の態様の方
法の原理を実施する例示のシステムを提供する。
【0015】
【実施例】本明細書の議論では、発光分光計からのデー
タの解釈に使用される統計的分析の方法のいくつかを参
考にすることができる。そのような情報は、参照によっ
て本明細書に全体を組み込まれる、ブロック・オズボー
ン(Brock E. Osborn)著、表題"Statistical Modeling
in Manufacturing: Adapting a Diagnostic Toolto Re
al-Time Applications," IBM Journal of Research and
Development, Vol. 37 No. 4、1993年7月(以
下、「オズボーン論文」と呼称する)に見出すことがで
きる。
【0016】発光分光計は、本明細書では、加工チャン
バ内の気体の存在と相対濃度の検出のために使用される
ことが好ましい。本発明は、オズボーン論文に示された
分析方法に関連して、対話式グラフィック指向システム
の例の形式で説明する。本明細書に記載の議論は、例と
してのみ提供され、当業者であれば、請求の範囲によっ
て定義される本発明の範囲から逸脱することなく、記載
の構造および方法に対するさまざまな修正および置換が
可能であることを諒解するであろう。
【0017】初めに述べたように、発光分光計(以下、
「分光計」と呼称する)は、原子および分子、特に気体
または気化した原子および分子の中で発生する電子遷移
から発する光を検出することによって機能する。分光計
は、加工の再現性と品質を保証するためにウエハ製造中
のプラズマ環境の化学的性質の特徴を調べるのに使用さ
れる。発光分光学のこれ以上の詳細は、ギフォード(G.
Gifford)著、表題"Applications of Optical Emissio
ns Spectroscopy in Plasma Manufacturing Systems",
SPIE Microelectronic Integrated Processing Symposi
um (1990)に記載されている。
【0018】ヘリウムの発光スペクトルの手書きの例を
図1に示す。これは、エネルギ放射強度対測定波長のグ
ラフである。
【0019】分光計は、特定の波長の発光を測定する。
隣接する波長は、一連の複数のダイオード、たとえば5
12個あるいは1024個のダイオードを用いて検出す
るか、または単一のダイオードを用い走査モノクロメー
タのように複数の隣接する波長の光を単一の検出器また
はダイオードに順次露光させることによって、得ること
ができる。したがって、分光計装置の重要な特徴は、波
長分解能のレベルである。図1は、約0.6nmごとに
読みが得られる「低分解能」分光計データの例である。
分光計装置は、もっと高い分解能で測定することができ
るが、このためには、同一の波長範囲をカバーするのに
長時間が必要になり、結果的にリアルタイム応用分野で
の実用性が制限される。1.0nmより低い分解能で得
られた読みは、専門家にとっても、少なくとも現在の自
動化技法を用いる自動化ルーチンにとっても、種を識別
することが困難な粗いスペクトルをもたらす。
【0020】特定の気体のピークが現れるはずの位置と
それらのピークの近似相対強度を示す表が、公開された
文献に記載されている。そのような表のヘリウムに関す
る部分を、表1に示す(リーダー(J. Reader)および
コーリス(C. Corliss)著、"Line Spectra of the Ele
ments", CRC Handbook of Chemistry and Physics (198
3)を参照されたい)。
【表1】
【0021】ここに示された統計的問題は、OES測定
データに対して、時間上の特定の点でチャンバ内に存在
する気体を識別することである。第1ステップは、グラ
フ内でピークが現れる波長を決定することである。ピー
クの識別は、当業者に既知のとおり複数の異なる方法で
達成できるが、その1つをこれから説明する。
【0022】OESデータは、順序対Γi=(λi
Ιi)の集合からなると考えることができる。ここで、
λは波長であり、Ιはその波長での対応する強度レベル
である。図1のグラフは、700点からなり(すなわ
ち、"i"は1から700までの範囲)、Γiは約0.6
nmごとに与えられる。
【0023】まず、Γiを、強度の降順すなわち、Ι1
Ι2≧…≧ΙNになるように並べ変える。次に、下記の方
法でΓiをグループ化する。 1.第1のグループをΓ1から始める 2."i"=2にセットする 3.λiが既存のグループのλのうちのどれかよりも1
つ大きいまたは1つ小さい場合、Γiをそのグループに
入れる(そうでない場合、Γiで始まる新しいグループ
を作成する) 4."i"="i"+1にセットする 5."i"≦Nの場合、上の3に進む(そうでない場合、
停止する) この処理が完了したならば、グラフ内のΚ個のピークに
対応するΚ個のグループが定義される。各ピークの波長
と強度は、各グループの先頭のΓiによって与えられ
る。ピークが存在する場合、グラフの端(すなわち、最
大波長または最小波長)にあるピークは、通常はその位
置でデータが打ち切られているので、無視しなければな
らないことに留意されたい。
【0024】上で概略を示した、グラフ内の各ピークの
波長を識別するための手順は、使用する分光計の分解能
のレベルによって制限される。図示の場合では、0.6
nmごとに読みが得られるので、たとえば396.3n
mで識別されたピークは、実際には396.0nmと3
96.6nmの間のどこかにあるはずである。波長の見
積の精度は、本明細書で「ピーク・シャープニング」と
称する外挿手順を介して改善できる。
【0025】図2は、図1のヘリウムのプロットの特定
のピークを拡大した図である。このピークは、約39
6.3nmにある。ピークの両側でそれぞれ3点を使用
して、2本の回帰線(破線で図示)をこれに合わせ、3
96.5nmにある「シャープニング」されたピークを
画定する。このピークは、ピークの実際の位置(表1に
よる)である396.4729nmによりよく対応して
いる。ピークの強度がより大きい場合、両側でより多く
の点を使用して、精度を高めることができるはずであ
る。
【0026】発光分光学(OES)は、適切なエネルギ
源によって励起された原子および小さい分子の化学組成
およびエネルギ状態に関する詳細な情報を提供できる敏
感な分析技法である。図3では、そのようなエネルギ源
を有するプラズマ加工システム42が、材料のエッチン
グと付着のための半導体製造での通常の形で使用されて
いる。このような加工から、さまざまな目的のためにデ
ータをオフラインで分析する必要が生じる場合がある。
一般的なプラズマ加工システム42を、光ファイバ・ケ
ーブル44によって、一般的な分光写真器46に結合す
る。プラズマ加工では周知のとおり、エネルギ源が、半
導体加工に使用される気体内の電子を励起する。吸収さ
れたエネルギが気体によって解放される際に、脱励起機
構により、しばしば光を生じる。この解放された光の波
長は、原子または分子のエネルギ状態の差によって決定
される。原子および分子のそれぞれの種は、独自の組の
波長の光を発する。この加工システムは、窓43を有す
ることができ、これを通して光を監視することができ
る。
【0027】窓43に、光ファイバ・ケーブル44を結
合する。光ファイバ・ケーブル44は、しばしばシリカ
から作られるが、プラズマ加工システム42からの光を
集め、その光を分光写真器46に渡す。分光写真器は、
入射光を回折させて、プラズマ加工システム42内の気
体種が発したさまざまな波長を分離する。分光写真器の
焦点距離と、格子上の回折ルール間の間隔によって、分
光写真器の有効分解能が決定され、したがって、さまざ
まな波長の分離の度合が決定される。分光写真器の出口
平面に、屈折した光を遮るように光検出器47を置く。
これは、格子を回転して複数の波長がそれを通過するよ
うにする場合には単一チャネル検出器とすることがで
き、そうでない場合には多重チャネル・ダイオード・ア
レイまたはCCD(電化結合素子の2次元アレイ)とす
ることができる。光検出器は、それが受ける光束に比例
した電気信号を生じる。複数のチャネルが存在する場
合、複数の電気信号が作られる。
【0028】電気ケーブル48が、光検出器47によっ
て作られた電気信号を電子制御機構およびコンピュータ
50に送り、ここで、まず信号をアナログ形式からディ
ジタル形式に変換した後に、電子制御機構およびコンピ
ュータ50によって読み取る。電子制御機構およびコン
ピュータ50は、光検出器47が信号の組のそれぞれを
収集する時刻を制御する。コンピュータを使用して、制
御機構に命令し、入力データを分析するソフトウェアを
走行させる。制御機構およびコンピュータで走行するソ
フトウェアが、モニタおよび制御システムの自動分析能
力およびフィードバック制御能力を決定する。
【0029】図4は、ブロック図形式で、本発明を実践
するため、すなわち、発光分光学(OES)データなど
のプラズマ・データを解釈するための対話式ツールを提
供するために、正しくプログラムされた例のコンピュー
タ・システム54を示す図である。コンピュータ・シス
テム54には、中央処理装置56、モニタ58、キーボ
ード60、マウス62、メモリ64、ディスク駆動装置
66およびディスク68が含まれる。モニタ58は、グ
ラフィックス用の適切な解像度を有することが好まし
い。しかし、このような正しくプログラムされたコンピ
ュータは、メイン・フレーム・コンピュータやラップ・
トップ・コンピュータなど、多くの形態をとることがで
きることを理解されたい。コンピュータ・システム54
の動作は、当業者によって理解されるものであり、した
がって、その動作に関する詳細は省略する。また、本発
明の対話的な性質を容易にするハードウェアは、さまざ
まな形をとることができることも理解されよう。たとえ
ば、対話要素を提供するには、ファンクション・キーを
ユーザが使用することができ、メニュー駆動式ソフトウ
ェア手法を使用することができ、タッチ・スクリーンな
どのより精巧な方式を使用することができる。さらに、
ディスク駆動装置66とディスク68(および、磁気記
憶検索システム全般)を、たとえば光学データ記憶検索
システムと置換することも可能である。
【0030】プラズマ加工から導出された、OESデー
タなどの波長データおよび強度データは、ディスク68
上に存在し、ディスク駆動装置66を介してコンピュー
タ・システム54に入力され、ASCIIファイルや圧
縮2進数ファイルなど、さまざまなフォーマットのいず
れであってもよい。図5ないし図12に、ユーザ(図示
せず)が、コンピュータ・システム54を操作して入力
の波形データおよび強度データの解釈を支援させる時に
モニタ58上で見るであろうものの一連の例を示す。
【0031】図5は、なんらかのプラズマ加工、たとえ
ば半導体製造から得られた未較正または生のOESデー
タのプロット70を示す図である。プロット70は、X
軸72に沿ってナノメートル単位の可視光波長、Y軸7
4に沿って相対光強度をプロットしたものである。OE
Sデータをプロットする目的の1つが、ピーク76など
のプロット70内のピークを介して、プラズマ内の1つ
または複数の気体の識別を同定することである。これ
は、たとえば、オズボーン論文に記載の分析技法(以
下、「OES不純物分析」または「OESIA」と呼称
する)の使用を介して行うことができる。しかし、適度
な確実性のある気体の識別を行う前に、まずOESデー
タを較正しなければならない。すなわち、OES波長デ
ータに関して正しい波長スケールを見つけなければなら
ない。
【0032】OESデータの手動較正は、時間のかかる
困難な処理である。較正という重荷は、コンピュータ・
システム54などのコンピュータの使用を介して軽減す
ることができる。波長または気体のいずれかによってプ
ロット70内で手動で複数のピークを識別することによ
って、コンピュータに真と仮定される情報を与え、デー
タの残りを、たとえば線形回帰によって、プロットに合
わせることができる。図5では、コンピュータ・システ
ム54が、ピーク76の波長またはそれに関連すると仮
定される気体名のいずれかを入力するようユーザに促す
プロンプト(78)を表示している。
【0033】上で説明した手動較正処理の代替案とし
て、本発明では、自動較正が可能であり、ユーザは、デ
ータを取得した時にプラズマ内に存在したことがわかっ
ているかユーザがそう確信している単一の気体の名前を
入力するだけでよい。本発明のこの態様を、以下では
「動的較正」と呼称する。
【0034】図6は、プラズマ内に存在すると仮定され
る動的較正気体をユーザが識別するよう求めるコンピュ
ータ・システム54からのプロンプト80を含む、図5
のプロット70を示す図である。識別される気体は、た
とえば特定のプラズマ加工のユーザの知識などに基づい
て、プラズマ内に存在することがユーザにわかってお
り、プロット70内で最も高いピークを有する気体であ
ることが好ましい。コンピュータ・システム54は、識
別された気体に対応するものとして、所定の数、たとえ
ば5つの最も高いピークを識別する。最も単純な実施態
様では、コンピュータが、データから所定の個数の最も
高いピークを探索し、それらのすべてが識別された気体
に対応するという前提から処理を進める。しかし、これ
が最も高いピークである必要はなく、ピークの個数が5
である必要もないことを理解されたい。動的較正ルーチ
ンの詳細は、後で詳しく説明する。ユーザが提供した情
報から、コンピュータは、OESデータに対する最適一
致をもたらすX軸スケールを見つけることができる。
【0035】図7は、特定のファンクション・キーを押
すなど、ユーザからの適切な指示に応答してピークを識
別した後のプロット70を示す図である。たとえば、ピ
ーク76は、一酸化炭素(CO)に対応するものとして
識別されている。
【0036】本発明のもう1つの特徴を用いると、ユー
ザが、コンピュータ・システム54に特定のピークを指
示できるようになり、コンピュータは、プロット70か
らは得られないか簡単には認識できない詳細な情報を提
供する。たとえば、図7の矢印カーソル77を、プロッ
ト70内の特定のピークに移動することができ、コンピ
ュータ・システム54は、おそらくは図8のウィンドウ
82などのウィンドウを介して、X軸72のスケールに
従うそのピークの実際の波長をユーザに示すはずであ
る。さらに、気体の完全な名前や、本明細書に記載の表
1などの表によるそのピークの実際の波長など、他の情
報を含めることが望ましい場合がある。
【0037】図8は、OESデータに基づく、プラズマ
内の気体の最尤構成の成分気体と、そのそれぞれについ
てプラズマ内にそれが実際に存在する確率とをリストし
たウィンドウ82を含む、図7のプロット70を示す図
である。ウィンドウ82は、たとえばファンクション・
キーを押すなど、ユーザによる適切な処置に応答して現
れる。図9は、図8のプロット70の一部84の拡大図
を示す図である。図9からわかるように、拡大図を用い
ると、混み合った区域など、プロット70の特定の区域
の詳細をユーザが見られるようになる。
【0038】図10は、気体分析の結果がなく、コンピ
ュータ・システム54がプロット70内のピークとの相
関を試みる気体を所定の選択肢のリストから指示するよ
うユーザに要求するプロンプト86があるプロット70
を示す図である。すなわち、コンピュータ・システム5
4は、ここで指示された気体だけに対してOES不純物
分析を実行する(以下、「選択的識別」と呼称する)。
本明細書に記載の実施例では、プロンプト86で、ユー
ザに、選択的識別を行う気体のそれぞれの隣に"y"をタ
イプするよう要求している。図10で指示された気体に
関する選択的識別を走行させた結果を、図11に示す。
選択的に指定された気体、この場合では水素と一酸化炭
素に関連するピークだけにラベルがついていることに留
意されたい。
【0039】本発明では、同一の機器を用いてある時間
にわたってとられた一連のOESデータのそれぞれを分
析するためにOESIAを走行させて、プラズマの気体
組成の時間的変化を判定する(以下、「フィンガープリ
ンティング」と呼称する)を表示することができる。実
際には、ユーザは、時間に対する特定の波長(またはピ
ーク)のグラフや、時間に対する特定の気体に関連する
すべての波長(またはピーク)のグラフを、単にコンピ
ュータ・システム54に指示することによって得ること
ができる。図12に、アルゴンに関する、10個の間隔
でとられたOESデータに対して、後に詳細に説明する
フィンガープリンティング・ルーチンを走行させた結果
を、グラフの形で示す。この図には、X軸90上の時間
間隔に対して、Y軸92上の特定の波長の相対強度の変
化の表示をプロットした、プロット88が示されてい
る。この表示は、図6のプロット70のスペクトル・プ
ロットに類似のスペクトル・プロット(図示せず)での
ピークの相対強度の和に対するその特定の波長(または
ピーク)での相対強度の比であることが好ましい。
【0040】図13は、上で述べた動的較正ルーチンの
流れ図である。ユーザは、まず、ステップ94「動的較
正気体についてユーザにプロンプトを表示する」で、何
らかの形で動的較正気体を識別するよう促される。その
後、ステップ96「指定された気体に関する先験的確率
=1.0、他のすべての確率=0.0およびσ=3×σ
で所定のピークに対してOESIAを走行させる」で、
気体識別アルゴリズム(やはり「OESIA」と呼称す
る)を、指定された気体に関する先験的確率を1.0、
それ以外のすべての先験的確率を0.0、σの値をその
通常値の3倍(たとえば0.2)にセットして、グラフ
内の所定の個数のピーク、たとえば5個のピークに対し
て走行させる。最も高い相対強度を有する所定のピーク
を使用することが好ましい。しかし、使用するピークに
関する他の判断基準、たとえば最低のピークやグラフの
異なる区域からのピークのサンプリングなどを選択でき
ることを理解されたい。
【0041】次に、ステップ98「最初に識別されたピ
ークを使用してデータを較正する」で、所定の個数の識
別されたピークを使用して、OESデータをまず較正す
る。較正を達成するために、まず、ピークに、特定の気
体に関する波長と対応相対強度値とをリストした既知の
気体の既存のOESピーク・チャート内の値を割り当て
る。ピークにOESピーク・チャート内の既知の値を割
り当てた後に、スケールを決定してOESデータに最適
の「一致」をもたらすことができる。このようなスケー
ルは、多数の方法、たとえば線形回帰の使用を介して決
定できる。当業者であれば、所与の状況で変化し得る適
当なスケーリングを決定する方法がわかるはずである。
【0042】最初の走行でデータを較正した後に、σを
元の値(この場合では0.2)に戻し、指定された気体
の先験的確率を1.0にセットし、他のすべての先験的
確率を0.0にセットして、ステップ100「σを復元
し、指定された気体の先験的確率=1.0、他のすべて
の先験的確率=0.0でOESIAを走行させる」で、
もう一度すべてのピークに対してOESIAを走行させ
る。最後に、ステップ102「新しく識別されたピーク
を使用してOESデータを完全に較正する」で、新たに
識別されたピークのすべてを使用して、OESデータを
完全に較正する。
【0043】上で言及した学習ルーチンの動作を、これ
より詳細に説明する。以下の説明では、強度ピークが発
生する位置の、使用可能な表にリストされた既知の波長
が、w(1)…w(m)によって指定され、このmは、
所与の気体に関連する表項目の総数である。この表にリ
ストされた既知の相対強度値は、f(1)…f(m)に
よって指定される。分子n(1)…n(m)および分母
d(1)…d(m)と呼ばれる整数値を、当初は0にセ
ットする(図14のステップ104「n(1)…n
(m)およびd(1)…d(m)=0」を参照された
い)。生OESデータの最短波長をMINとし、生OE
Sデータの最長波長をMAXとする。最後に、g(1)
…g(N)を、OESデータを得たプラズマに存在する
異なる気体種の集合とする。さらに、この学習ルーチン
では、生OESデータのグラフ内のピークのうちの少な
くとも1つが、たとえばOESIAの前の実行やユーザ
の手動による識別などによって、前にある気体に関連付
けられていると仮定する。
【0044】図14および図15は、組み合わせると学
習ルーチンの流れ図になり、その最終出力は、プラズマ
加工中に得られた生値からの相対強度値の修正である。
カウンタiおよびjを、ステップ106「i=1」およ
びステップ108「j=1」で1に初期設定する。カウ
ンタiおよびjを初期設定した後に、表内のj番目の波
長がMINとMAXの間にあるかどうかに関する問い合
わせすなわち、ステップ110の問い合わせ「w(j)
>MINかつw(j)<MAXか」を行う。ステップ1
10の回答が肯定の場合、ステップ112「d(j)=
d(j)+1」で分母d(j)を増分する。d(j)の
増分は、j番目の表項目値に関連する生OESデータの
グラフでピークに遭遇する適度な可能性が少なくとも存
在することを意味する。次に、ステップ114「表項目
Jは前に割り当てられているか」で、テーブル項目jが
グラフ内のピークに前に割り当てられているかどうかに
関する問い合わせを行う。ステップ110またはステッ
プ114の回答が否定の場合、ステップ116「j=j
+1」で、カウンタjを増分する。
【0045】ステップ114の回答が肯定の場合、ステ
ップ118「n(j)=n(j)+1」で、j番目の分
子を増分する。j番目の分子を増分した後に、ステップ
120「d(j)>5か」で、j番目の分子が5を超え
たかどうかを問い合わせる。ステップ120の回答が否
定の場合、これは、j番目の相対強度値を修正するには
不十分な情報しかないことを意味し、このルーチンは、
ステップ116に進む。ステップ120の回答が肯定の
場合、ステップ122「相対強度値を修正する」で、j
番目の相対強度値を修正する。j番目の相対強度値F
(j)は、下記の式の組に従って修正することが好まし
い。 p1=n(j)/d(j) p2=loge((p1×1.10825)/(1-p1)) F(j)=(p2-0.5244)/0.018847
【0046】相対強度値を修正した後に、ステップ11
6に戻る、すなわち、カウンタjを増分する。どのよう
な理由であれステップ116を実行した後には、ステッ
プ124「j<mか」で、カウンタjが、対象である存
在する気体に関連する表項目の総数m未満であるかどう
かに関する問い合わせを行う。ステップ124の回答が
肯定の場合、このルーチンはステップ110に戻る。ス
テップ124の回答が否定の場合、ステップ126「i
=i+1」で、カウンタiを増分する。カウンタiを増
分すると、問題の気体が変更される。カウンタiを増分
した後に、ステップ128「i<nか」で、カウンタi
が問題の気体種の総数未満であるかどうかに関する問い
合わせを行う。ステップ128の回答が肯定の場合、こ
のルーチンはステップ108に戻る。最後に、問題の気
体種が残っていない場合、すなわち、ステップ128の
回答が否定の場合、このルーチンは終了する。
【0047】本発明の複数の態様を図示し、説明してき
たが、当業者であれば、同一の目的を達成するために別
の態様を実施することができる。たとえば、本明細書に
記載の動的較正ルーチンでは、ユーザによって入力され
た単一の気体種に基づいて較正を行うが、このルーチン
を変更して、複数の気体種に適応させることができる。
したがって、そのような代替態様のすべてが、本発明の
真の趣旨と範囲に含まれるものとして請求の範囲に含ま
れている。
【0048】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0049】(1)複数の気体種を含むプラズマから得
た気体検知データをコンピュータに入力するステップ
と、前記コンピュータに前記プラズマに関する情報を入
力するステップと、前記入力情報に基づいて前記コンピ
ュータを介して前記データを自動的に較正するステップ
と、前記複数の気体種のうちの少なくとも1つを識別す
るステップとを含む、プラズマ・データを分析する方
法。 (2)前記識別のステップが、適切な入力に応答して前
記コンピュータによって自動的に実行されることを特徴
とする、上記(1)の方法。 (3)前記コンピュータが表示装置を含み、前記方法が
さらに、前記データを自動的に表示するステップと、前
記自動的に較正されたデータを自動的に表示するステッ
プとを含むことを特徴とする、上記(1)の方法。 (4)前記データおよび前記自動的に較正されたデータ
のそれぞれが、相対強度データおよび対応電磁波長デー
タを含み、前記自動的に表示するステップのそれぞれ
が、前記対応電磁波長データに対して前記相対強度デー
タをプロットするステップを含むことを特徴とする、上
記(3)の方法。 (5)前記自動的に較正するステップが、前記対応電磁
波長データ用のスケールを作成するステップを含むこと
を特徴とする、上記(4)の方法。 (6)前記作成のステップが、線形回帰を組み込むステ
ップを含むことを特徴とする、上記(5)の方法。 (7)前記プロットのステップが、プロットを作成する
ステップを含み、前記方法がさらに、前記プロットの一
部の拡大図を作成するステップを含むことを特徴とす
る、上記(4)の方法。 (8)前記情報を入力するステップが、前記プラズマ内
に存在すると仮定される気体種を前記コンピュータに指
示するステップを含み、前記自動的に較正するステップ
が、前記指示された気体に基づいて前記コンピュータを
介して前記データを自動的に較正するステップを含むこ
とを特徴とする、上記(1)の方法。 (9)前記指示のステップが、前記コンピュータからの
それに関するプロンプトに応答して、前記存在を仮定さ
れる気体種を前記コンピュータに指示するステップを含
むことを特徴とする、上記(8)の方法。 (10)前記データが相対強度データを含み、前記指示
のステップが、前記複数の気体種のうちの他の気体種に
対応する他の前記相対強度データと比較して高い相対強
度データを有すると期待される気体種を前記コンピュー
タに指示するステップを含むことを特徴とする、上記
(8)の方法。 (11)前記コンピュータが、所定の複数の気体種の既
知のプラズマ・データを記憶するためのメモリを含み、
前記自動的に較正するステップが、前記指示された気体
種に関して前記データを前記既知のプラズマ・データに
相関させるステップを含むことを特徴とする、上記
(8)の方法。 (12)前記データがデータの複数の組を含み、前記相
関ステップが、前記指示された気体種に関して、前記デ
ータの複数の組のうちの所定の数を前記既知のプラズマ
・データに相関させるステップを含むことを特徴とす
る、上記(11)の方法。 (13)前記識別ステップが、前記コンピュータを介し
て前記複数の気体種を自動的に識別するステップを含む
ことを特徴とする、上記(2)の方法。 (14)前記識別された複数の気体種の構成を前記コン
ピュータを介して自動的に決定するステップをさらに含
む、上記(13)の方法。 (15)前記構成内の所与の気体種が実際に存在する確
率を前記コンピュータを介して自動的に決定するステッ
プをさらに含む、上記(14)の方法。 (16)前記確率の信頼区間を前記コンピュータを介し
て自動的に決定するステップをさらに含む、上記(1
5)の方法。 (17)前記データがデータの複数の組を含み、前記識
別ステップが、前記複数の気体種のうちの前記少なくと
も1つに所定の数のデータのピークの組を関連付けるス
テップを含むことを特徴とする、上記(1)の方法。 (18)前記データが、光発光分光学データを含み、前
記光発光分光学データが、相対強度データおよび対応可
視光波長データを含み、前記データを入力する前記ステ
ップが、前記相対強度データおよび前記対応可視光波長
データを入力するステップを含むことを特徴とする、上
記(1)の方法。 (19)識別すべき少なくとも1つの気体種を前記コン
ピュータに指示するステップをさらに含み、前記識別ス
テップが、前記コンピュータを介して前記少なくとも1
つの気体種を自動的に識別するステップを含むことを特
徴とする、上記(1)の方法。 (20)前記自動的に識別するステップが、前記コンピ
ュータを介して、仮定されたパラメータに基づいて前記
少なくとも1つの気体種を自動的に識別するステップを
含み、前記方法がさらに、前記自動的に識別するステッ
プの後続結果が改善されるように、前記識別ステップの
結果に基づいて前記仮定されたパラメータを修正するス
テップを含むことを特徴とする、上記(19)の方法。 (21)前記コンピュータが、所定の複数の気体種のそ
れぞれについて既知のプラズマ・データの複数の組を記
憶するためのメモリを含み、前記既知のプラズマ・デー
タの複数の組のそれぞれが、既知の相対強度値および対
応する既知の電磁波長を含み、前記データが、データの
複数の組を含み、前記データの複数の組のそれぞれが、
生相対強度値および対応する生電磁波長を含み、前記自
動的に識別するステップが、(a)所与の既知の電磁波
長が、前記データの複数の組に存在する電磁波長の範囲
内にあるかどうかを判定するステップと、(b)ステッ
プ(a)で前記所与の既知の電磁波長が前記範囲内にあ
ると判定される場合に、分子と分母とを含む相対確率で
あって、前記所与の既知の電磁波長が前記データの複数
の組に存在する前記相対確率を修正するステップと、
(c)前記相対確率がステップ(b)で修正された場合
に、前記所与の既知の電磁波長が、前記識別すべき少な
くとも1つの気体種に対応する前記データの複数の組内
の所与の生相対強度値に前に関連付けられているかどう
かを判定するステップと、(d)ステップ(c)で前記
所与の既知の電磁波長が前記所与の生相対強度値に前に
関連付けられていると判定される場合に、前記分子を修
正するステップと、(e)前記分子が、前記識別すべき
少なくとも1つの気体種に関連する生相対強度を修正す
るのに不十分な情報を示す所定の数より大きいかどうか
を判定するステップと、(f)ステップ(e)で前記分
子が前記所定の数より大きいと判定される場合に、ステ
ップ(e)の前記生相対強度値を修正するステップとを
含むことを特徴とする、上記(20)の方法。 (22)前記ステップ(f)が、式 n=前記分子 d=前記分母 p1=n/d p2=loge((p1×1.10825)/(1-p1)) F=(p2-0.5244)/0.018847 に従って、前記生相対強度値Fを修正するステップを含
むことを特徴とする、上記(21)の方法。 (23)前記識別すべき少なくとも1つの気体種が、少
なくとも2つの気体種を含み、前記方法がさらに、
(g)前記少なくとも2つの気体種のそれぞれについて
ステップ(a)ないしステップ(f)を繰り返すステッ
プを含むことを特徴とする、上記(21)の方法。 (24)前記複数の気体種のうちの前記1つの特性の時
間的変化を判定するステップをさらに含む、上記(1)
の方法。 (25)複数の気体種を含むプラズマが作成されるプラ
ズマ加工を実行するステップと、前記プラズマ加工から
データを得るステップと、前記データをコンピュータに
入力するステップと、前記プラズマに関する情報を前記
コンピュータに入力するステップと、前記入力情報に基
づいて、前記コンピュータを介して前記データを自動的
に較正するステップと、前記複数の気体種のうちの少な
くとも1つを識別するステップとを含む、プラズマ内の
気体種を識別する方法。 (26)前記プラズマ加工が、複数のプラズマ加工パラ
メータに基づいて実行され、前記方法がさらに、前記識
別のステップに基づいて前記プラズマ加工パラメータの
うちの少なくとも1つを変更するステップと、前記変更
された少なくとも1つのプラズマ加工パラメータに基づ
いて前記プラズマ加工を実行するステップとを含むこと
を特徴とする、上記(25)の方法。 (27)識別すべき少なくとも1つの気体種を前記コン
ピュータに指示するステップをさらに含み、前記識別の
ステップが、前記少なくとも1つの気体種を識別するス
テップを含むことを特徴とする、上記(25)の方法。 (28)前記識別のステップが、仮定されたパラメータ
に基づいて前記少なくとも1つの気体種を識別するステ
ップを含み、前記方法がさらに、前記識別ステップの後
続結果が改善されるように、前記識別ステップの結果に
基づいて前記仮定されたパラメータを修正するステップ
を含むことを特徴とする、上記(27)の方法。 (29)前記複数の気体種のうちの前記1つの特性の時
間的変化を判定するステップをさらに含む、上記(2
5)の方法。 (30)コンピュータと、前記コンピュータに、複数の
気体種を含むプラズマから導出されたデータを入力する
手段と、前記コンピュータに、前記プラズマに関する情
報を入力する手段と、前記入力情報に基づいて、前記デ
ータを自動的に較正する手段と、前記複数の気体種のう
ちの少なくとも1つを自動的に識別する手段とを含む、
前記データの分析に関して分析者を支援するためのシス
テム。 (31)前記データおよび前記較正されたデータを表示
する手段をさらに含む、上記(30)のシステム。 (32)前記表示手段が、前記データおよび前記較正さ
れたデータをグラフィックに表示する手段を含むことを
特徴とする、上記(31)のシステム。 (33)前記分析者に前記情報を求めるプロンプトを表
示する手段をさらに含む、上記(30)のシステム。 (34)所定の複数の気体種の既知のプラズマ・データ
を記憶するためのメモリをさらに含む、上記(30)の
システム。 (35)前記自動較正手段が、前記データを前記既知の
プラズマ・データと相関させる手段を含むことを特徴と
する、上記(34)のシステム。 (36)所与の識別された気体種が実際に存在する確率
を判定する手段をさらに含む、上記(35)のシステ
ム。 (37)前記自動識別手段が、少なくとも1つの気体種
を選択的に識別する手段を含むことを特徴とする、上記
(30)のシステム。 (38)過去の自動識別に基づいて、前記少なくとも1
つの気体種の自動識別を改善するための手段をさらに含
む、上記(37)のシステム。 (39)前記複数の気体種のうちの前記1つの特性の時
間的変化を判定するための手段をさらに含む、上記(3
0)のシステム。
【0050】
【発明の効果】本発明によって、分析者の入力が最少の
自動較正、1つまたは複数の気体種の選択的自動識別、
時間に関するプラズマ内の気体種の自動分析およびプラ
ズマ内の気体種の自動識別を改善するための学習機能を
提供することによって、プラズマ関連データに関する自
動化データ分析の改良に関する要求が満足された。
【図面の簡単な説明】
【図1】ヘリウムの発光スペクトルを示す、手書きのグ
ラフである。
【図2】「ピーク・シャープニング」の説明に役立つ、
図1の発光スペクトルの一部を拡大したグラフである。
【図3】本発明に従ってデータを収集し、分析すること
ができる、処理システムの例のブロック図である。
【図4】本発明の方法を実行するようにプログラムされ
たコンピュータ・システムの例を示す図である。
【図5】手動較正による支援を要求するプロンプトを含
む、未較正のOESデータのプロットを示す図である。
【図6】本発明による自動較正のための動的較正気体の
入力を要求するプロンプトを含む、図5のプロットを示
す図である。
【図7】自動較正の後、ピークが気体種に関連付けられ
た後の、図6のプロットを示す図である。
【図8】最尤構成と最尤構成での各気体の確率を示すウ
ィンドウを含む、図7のプロットを示す図である。
【図9】図7のプロットの一部の拡大図である。
【図10】本発明による選択的識別のためのすべての気
体の指示を要求するプロンプトを含む、図6のプロット
を示す図である。
【図11】指示された気体の選択的識別の結果を含む、
図10のプロットを示す図である。
【図12】本発明による、時間に関する所与の気体の変
化すなわちフィンガープリンティングのプロットを示す
図である。
【図13】本発明による動的較正の流れ図である。
【図14】本発明による学習ルーチンの流れ図である。
【図15】本発明による学習ルーチンの流れ図である。
【符号の説明】
42 プラズマ加工システム 43 窓 44 光ファイバ・ケーブル 46 分光写真器 47 光検出器 48 電気ケーブル 50 電子制御機構およびコンピュータ 54 コンピュータ・システム 56 中央処理装置 58 モニタ 60 キーボード 62 マウス 64 メモリ 66 ディスク駆動装置 68 ディスク 70 プロット 72 X軸 74 Y軸 76 ピーク 77 矢印カーソル 78 プロンプト 80 プロンプト 82 ウィンドウ 84 一部(プロット70の) 86 プロンプト 88 プロット 90 X軸 92 Y軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブロック・エステル・オズボーン アメリカ合衆国12538 ニューヨーク州 ハイド・パーク フォールキル・ロード 30 (56)参考文献 特開 平6−224098(JP,A) 特開 昭56−150331(JP,A) 特開 平5−291188(JP,A) 特開 平4−127039(JP,A) 特開 平4−122824(JP,A) 実開 平1−102856(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/62 - 21/74 JICSTファイル(JOIS)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の気体種を含むプラズマから得た気体
    検知データをコンピュータを用いて分析する方法であっ
    て、前記コンピュータが所定の複数の気体種の既知のプ
    ラズマ・データを記憶するためのメモリを含み、前記方
    法が、 前記気体検知データをコンピュータに入力するステップ
    と、 前記気体検知データを表示装置に表示するステップと、 前記プラズマに存在すると想定される気体種を前記コン
    ピュータに指示するステップと、 前記指示された気体種に関して前記気体検知データを前
    記既知のプラズマ・データに相関させることにより前記
    気体検知データを自動的に識別するステップと、 前記自動的に識別された気体検知データを前記表示装置
    に表示するステップと、 を含み、 前記気体検知データおよび前記自動的に識別されたデー
    タのそれぞれが、相対強度データおよび対応電磁波長デ
    ータを含み、前記表示するステップのそれぞれが、前記
    対応電磁波長データに対して前記相対強度データをプロ
    ットするステップを含むことを特徴とするプラズマ・デ
    ータを分析する方法。
  2. 【請求項2】前記識別するステップが、前記コンピュー
    タによって自動的に実行されることを特徴とする、請求
    項1の方法。
  3. 【請求項3】前記データが相対強度データを含み、前記
    指示するステップが、前記複数の気体種のうちの他の気
    体種に対応する他の前記相対強度データと比較して高い
    相対強度データを有すると期待される気体種を前記コン
    ピュータに指示するステップを含むことを特徴とする、
    請求項2の方法。
  4. 【請求項4】複数の気体種を含むプラズマから得た気体
    検知データを分析するシステムであって、 コンピュータと、 所定の複数の気体種の既知のプラズマ・データを記憶す
    るためのメモリと、 前記気体検知データをコンピュータに入力する手段と、 前記気体検知データを表示装置に表示する手段と、 前記プラズマに存在すると想定される気体種を前記コン
    ピュータに指示する手段と、 前記指示された気体種に関して前記気体検知データを前
    記既知のプラズマ・データに相関させることにより前記
    気体検知データを自動的に識別する手段と、 前記自動的に識別されたデータを前記表示装置に表示す
    る手段と、 を含み、 前記気体検知データおよび前記自動的に識別されたデー
    タのそれぞれが、相対強度データおよび対応電磁波長デ
    ータを含み、前記表示する手段のそれぞれが、前記対応
    電磁波長データに対して前記相対強度データをプロット
    する手段を含むことを特徴とするプラズマ・データを分
    析するシステム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9464936B2 (en) 2013-03-15 2016-10-11 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and analyzing apparatus

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871658A (en) * 1997-01-13 1999-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical emisson spectroscopy (OES) method for monitoring and controlling plasma etch process when forming patterned layers
US5999886A (en) * 1997-09-05 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Measurement system for detecting chemical species within a semiconductor processing device chamber
US6157867A (en) * 1998-02-27 2000-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength
US6046796A (en) * 1998-04-22 2000-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for improved semiconductor process monitoring using optical emission spectroscopy
US6169933B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6223755B1 (en) 1998-04-23 2001-05-01 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6221679B1 (en) * 1998-04-23 2001-04-24 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6254717B1 (en) 1998-04-23 2001-07-03 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6077386A (en) * 1998-04-23 2000-06-20 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6269278B1 (en) 1998-04-23 2001-07-31 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6134005A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6261470B1 (en) 1998-04-23 2001-07-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6090302A (en) * 1998-04-23 2000-07-18 Sandia Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6275740B1 (en) 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6192826B1 (en) 1998-04-23 2001-02-27 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6157447A (en) * 1998-04-23 2000-12-05 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6246473B1 (en) 1998-04-23 2001-06-12 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6165312A (en) * 1998-04-23 2000-12-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6132577A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6419801B1 (en) 1998-04-23 2002-07-16 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6123983A (en) * 1998-04-23 2000-09-26 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
DE19845699C1 (de) * 1998-10-05 1999-12-02 Bruker Daltonik Gmbh Verfahren für die interaktive Steuerung von Meß-oder Auswerteverfahren in Chromatographie, Spektroskopie oder Elektrophorese
US6605175B1 (en) * 1999-02-19 2003-08-12 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber
US6867859B1 (en) 1999-08-03 2005-03-15 Lightwind Corporation Inductively coupled plasma spectrometer for process diagnostics and control
US6526355B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-25 Lam Research Corporation Integrated full wavelength spectrometer for wafer processing
US7672747B2 (en) * 2000-03-30 2010-03-02 Lam Research Corporation Recipe-and-component control module and methods thereof
US7356580B1 (en) 2000-03-30 2008-04-08 Lam Research Corporation Plug and play sensor integration for a process module
US6633391B1 (en) * 2000-11-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc Monitoring of film characteristics during plasma-based semi-conductor processing using optical emission spectroscopy
US6603538B1 (en) 2000-11-21 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus employing optical emission spectroscopy to detect a fault in process conditions of a semiconductor processing system
US6791692B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Lightwind Corporation Method and device utilizing plasma source for real-time gas sampling
US6538734B2 (en) 2000-11-29 2003-03-25 Lightwind Corporation Method and device utilizing real-time gas sampling
DE10140299B4 (de) * 2001-08-16 2004-10-28 Mtu Aero Engines Gmbh Verfahren zur Überwachung und online-Diagnose eines thermischen Spritzprozesses
EP1697727B1 (en) * 2003-07-25 2007-10-03 Lightwind Corporation Method and apparatus for monitoring chemical processes
FR2866954B1 (fr) 2004-02-26 2006-07-14 Cit Alcatel Detection d'especes gazeuses par spectroscopie d'emission optique a traitement de spectre
FR2866956B1 (fr) * 2004-02-26 2006-05-19 Cit Alcatel Detection d'especes gazeuses minoritaires par spectroscopie d'emission optique
US7565220B2 (en) * 2006-09-28 2009-07-21 Lam Research Corporation Targeted data collection architecture
US7814046B2 (en) * 2006-09-29 2010-10-12 Lam Research Corporation Dynamic component-tracking system and methods therefor
EP2034296B1 (en) * 2007-09-07 2012-09-26 Imec Quantification of hydrophobic and hydrophilic properties of materials
JP2009147207A (ja) * 2007-12-17 2009-07-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5026326B2 (ja) 2008-04-04 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング処理状態の判定方法、システム
US9997325B2 (en) 2008-07-17 2018-06-12 Verity Instruments, Inc. Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4008388A (en) * 1974-05-16 1977-02-15 Universal Monitor Corporation Mass spectrometric system for rapid, automatic and specific identification and quantitation of compounds
US4093991A (en) * 1977-01-26 1978-06-06 Hunter Associates Laboratory, Inc. Spectrophotometer-digital data processing system for appearance measurements providing fast and accurate standardization, ease of use for different appearance measurements and fast response
GB2020009B (en) * 1978-04-08 1982-12-01 Bodenseewerk Perkin Elmer Co Apparatus for determining the concentration of components of a sample
US4365303A (en) * 1980-02-07 1982-12-21 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for determining the nature of an unknown chemical substance
US4620284A (en) * 1983-12-29 1986-10-28 Uop Inc. Qualitative and quantitative analysis using Raman scattering
EP0153901B1 (de) * 1984-01-25 1991-05-29 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Materialien und/oder Halbleiter-Bauelementen
US4493745A (en) * 1984-01-31 1985-01-15 International Business Machines Corporation Optical emission spectroscopy end point detection in plasma etching
US4676868A (en) * 1986-04-23 1987-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Method for planarizing semiconductor substrates
US5059522A (en) * 1988-08-18 1991-10-22 Wayne Lawrence G Intrinsic enzyme dot blot immunoassay or indentification of microorganisms
US5014217A (en) * 1989-02-09 1991-05-07 S C Technology, Inc. Apparatus and method for automatically identifying chemical species within a plasma reactor environment
US5347460A (en) * 1992-08-25 1994-09-13 International Business Machines Corporation Method and system employing optical emission spectroscopy for monitoring and controlling semiconductor fabrication

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9464936B2 (en) 2013-03-15 2016-10-11 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and analyzing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0677737A2 (en) 1995-10-18
US5546322A (en) 1996-08-13
JPH0862141A (ja) 1996-03-08

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