JP3178563B2 - 多値電圧高速比較装置 - Google Patents

多値電圧高速比較装置

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JP3178563B2 JP02275493A JP2275493A JP3178563B2 JP 3178563 B2 JP3178563 B2 JP 3178563B2 JP 02275493 A JP02275493 A JP 02275493A JP 2275493 A JP2275493 A JP 2275493A JP 3178563 B2 JP3178563 B2 JP 3178563B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は被試験デバイスより出
力される多値測定電圧を入力して高速で多値基準電圧と
比較する多値電圧高速比較装置に関し、特に高精度化に
係わる。
【0002】
【従来の技術】LCDドライバ用IC等の被試験デバイ
スの出力電圧VXi (i=1〜n)は±数Vから±数十
Vの範囲の多値電圧となるので、従来の比較装置では図
3に示すように、抵抗器Ra とRb とで分圧して、±1
0V以下に下げ、その下げた電圧vxi を比較器3,4
の第1入力端子に与えている。比較器3,4の第2入力
端子には比較電源5,6より比較電圧VLi ,VH
i (しかしVLi <VHi ;i=1〜n)がそれぞれ与
えられる。
【0003】被試験デバイス2に対するその出力電圧V
i の切換えと、比較電源5,6に対する比較電圧VL
i ,VHi の切換えは、制御回路7により制御されて、
互いに同期して行われる。入力端子IN側より見た比較
装置1の入力インピーダンスは、被試験デバイス2に影
響を与えることが無いように、1MΩ〜10MΩと高イ
ンピーダンスに設定される。そのため減衰器8を構成す
る抵抗器Ra ,Rb は抵抗値がMΩオーダの高抵抗とさ
れ、一般に異なった抵抗値をとる。
【0004】減衰器8の出力電圧をvxi (i=1〜
n),比較器3,4の出力をそれぞれOL,OHとする
と、 vxi >VLi のとき、OL=H(高レベル);v
i ≦VLi のとき、OL=L(低レベル) vxi <VHi のとき、OH=H;vxi ≧VHi
のとき、OH=L となる。従って、VLi <vxi <VHi のときは、O
L=H,OH=Hとなり、そのとき測定電圧VXi
良、それ以外のときは不良とされる。なお、vxiをテ
ストする期間(テストサイクル)Tはμs オーダまたは
それ以下とされ、高速に試験が行われる。なお上述の比
較器3,4は合わせて、ウインドコンパレータと呼ばれ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の高速比較装置で
は、入力端子INと比較器3,4との間に挿入される減
衰器8は、抵抗器Ra ,Rb の抵抗値がMΩオーダの高
抵抗値となる。ところで、MΩオーダの高抵抗器は現在
の技術では高精度のものが得られないため、減衰器8の
減衰量の誤差がかなり大きくならざるを得ない。
【0006】また、比較器3,4の入力端子には僅かで
はあるが、比較器自身のバイアス電流が流れる。このバ
イアス電流は減衰器8の抵抗器Rb を流れるので、その
両端に誤差電圧が発生する。従来の比較装置では、上述
の減衰器8の誤差と比較器3,4のバイアス電流に起因
する誤差電圧とが存在するため、比較誤差が±数十mV
とかなり大きくなる欠点があった。この発明の目的は、
これら従来の欠点を解決して、比較精度の向上を図るこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の多値電圧高速
比較装置は、被試験デバイスより入力される多値測定電
圧(VXi )と多値基準電圧(VSi )との差分を検出
する低出力インピーダンスの差分検出器と、その差分検
出器の出力電圧(δi )を第1比較電圧(VL)及び第
1比較電圧より大きい第2比較電圧(VH)と比較する
ウインドコンパレータと、前記被試験デバイスの前記多
値測定電圧(VXi )を切換制御すると共に、その切換
タイミングに同期して切換わる前記多値基準電圧(VS
i )を発生する手段とより構成される。
【0008】
【実施例】この発明の実施例を図1に、図3と対応する
部分に同じ符号を付して示し、重複説明を省略する。こ
の発明では、従来の減衰器8は削除され、あらたに差分
検出器9が用いられ、入力電圧VXi は差分検出器9に
おいて基準電圧VSi との差δi =VXi −VSi が検
出されて、比較器4,5に与えられ、比較電圧VL,V
Hとそれぞれ比較される。
【0009】制御回路7から基準電圧VSi と対応する
mビットの比較データNi (bi1,bi2 …,bim)が
D/Aコンバータ10に与えられ、D/A変換されて、
基準電圧VSi が出力される。また制御回路7に制御さ
れて、比較データNi の切換えに同期して被試験デバイ
ス2の出力電圧VXi が切換えられる(図2参照)。図
2の例では、テストサイクルT4 において差分出力δ4
<VLであるので、比較器3,4の出力は、OL=L,
OH=Hとなり、不良と判定される。
【0010】差分検出器9は演算増幅器OAと抵抗器R
0 〜R3 で構成され、よく知られているように、その出
力電圧δi は、R0 〜R3 を抵抗器R0 〜R3 の抵抗値
を表すのに流用すると、 δi=(R0/R1)VXi−{R3(R1+R0)/R1(R2+R3)}VSi …… (1) で与えられる。
【0011】 R0 =R1 =R2 =R3 =R …… (2) とすれば、 δi =VXi −VSi …… (3) 入力端子INより差分検出器9に流れ込む電流をIとす
れば、a点の電圧Vaは、VXi より抵抗器R1 の電圧
降下分を引けばよいから、 Va =VXi −RI …… (4) 一方、Va はδi に抵抗器R0 の電圧降下分を加えれば
よいから、 Va =δi +RI …… (5) (4),(5)式より、 VXi −RI=δi +RI ∴ I=(VXi −δi )/2R …… (6) 入力端子INより見た入力抵抗Rin=VXi /Iに
(6)式を代入すれば、 Rin=VXi /I=VXi ・2R/(VXi −δi ) =2R/(1−δi /VXi ) …… (7) δi /VXi ≪1 …… (8) であるから、 Rin≒2R …… (9) 従って、入力抵抗Rinを被試験デバイス2に影響を与え
ないようにMΩオーダに大きくするには、各抵抗器の抵
抗値RもMΩオーダにせねばならない。そのため抵抗器
0 〜R3 の抵抗器の精度は低くなる。しかし各抵抗器
は共通の基準値Rを目標に作ればよいので、各抵抗器R
i の基準値Rに対する誤差Δi はそろえ易く、大した問
題にはならない。例えば各抵抗値が20%大きくできて
も、抵抗値がそろっていればよいのである。
【0012】なお、図1Bに示すように差分検出器9の
入力側に電圧ホロワより成るバッファアンプ12を挿入
すれば、その入力インピーダンスは極めて高いので、R
0 〜R3 とOAより成る差分回路の入力インピーダンス
を下げることができる。従って抵抗器R0 〜R3 の抵抗
値を下げて、高精度のものが容易に得られ、出力の差分
電圧の精度が大幅に向上する。
【0013】比較器3,4の入力端子のバイアス電流は
演算増幅器OAの出力端子を流れるが、OAの出力イン
ピーダンスがほゞゼロであるので、バイアス電流により
発生する誤差電圧は極めて小さく、無視することができ
る。なお、比較器3,4,比較電源5,6及び制御回路
7は普通のICテスタには装備されているものであるの
で、それらを利用することもできる。
【0014】
【発明の効果】この発明によれば、入力電圧VXi と基
準電圧VSi との差分δi (一般に入力電圧よりかなり
小さい)が比較器3,4に入力されるので、従来、比較
器3,4の入力電圧VXi を±10V以内に抑えるため
に用いていた誤差の大きい減衰器は不要となる。
【0015】また、比較器3,4のバイアス電流は差分
検出器9の低出力インピーダンスの演算増幅器OAの出
力側で吸収されるので、誤差電圧が発生しない。以上の
理由によって、この発明によれば、従来よりかなり高精
度で電圧比較が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】Aはこの発明の実施例を示す回路図、Bは図A
の差分検出器9の変形例を示す回路図。
【図2】Aは図1の多値測定電圧VXi 及び多値基準電
圧VSi の各テストサイクルT i における変化の一例を
示す図、Bは図1の差分検出器出力δi の各テストサイ
クルTi における変化の一例を示す図。
【図3】Aは従来の多値電圧高速比較装置の回路図、B
は図Aの比較器入力電圧vxiの各テストサイクルTi
における変化の一例を示す図。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被試験デバイスより入力される多値測定
    電圧(VXi )と多値基準電圧(VSi )との差分を検
    出する低出力インピーダンスの差分検出器と、 その差分検出器の出力電圧(δi )を第1比較電圧(V
    L)及び第1比較電圧より大きい第2比較電圧(VH)
    と比較するウインドコンパレータと、 前記被試験デバイスの前記多値測定電圧(VXi )を切
    換制御すると共に、その切換タイミングに同期して切換
    わる前記多値基準電圧(VSi )を発生する手段とより
    成る、 多値電圧高速比較装置。
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