JP3172457B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の配向膜のラビング（rubbing)方法に係り、特にラビン
グ方向に対し垂直に配向する物質と平行に配向する物質
とを組み合わせて構成した配向膜を備えることにより視
野角を向上させた液晶表示装置及びその製造方法に関す
る。
の配向膜のラビング（rubbing)方法に係り、特にラビン
グ方向に対し垂直に配向する物質と平行に配向する物質
とを組み合わせて構成した配向膜を備えることにより視
野角を向上させた液晶表示装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置では、電界または熱により
光学的異方性の変わる液晶の性質を利用する。図１は、
従来の液晶表示装置の断面図である。一対の上、下基板
１２，２６の上部に透明電極１４，２４がそれぞれ形成
されており、前記透明電極１４，２４の上部には一定の
方向にラビングされた配向膜１６，２２がそれぞれ形成
されている。前記配向膜１６，２２はシール材１８によ
りシールされて内部空間２０を形成している。当該内部
空間２０に液晶（図示せず）が注入されている。液晶は
配向膜１６，２２の表面のラビング方向に応じてツイス
ト方向が決められる。上、下基板１２，２６の外側には
入射光および透過光の偏光のための偏光板１０，２８が
形成されている。
光学的異方性の変わる液晶の性質を利用する。図１は、
従来の液晶表示装置の断面図である。一対の上、下基板
１２，２６の上部に透明電極１４，２４がそれぞれ形成
されており、前記透明電極１４，２４の上部には一定の
方向にラビングされた配向膜１６，２２がそれぞれ形成
されている。前記配向膜１６，２２はシール材１８によ
りシールされて内部空間２０を形成している。当該内部
空間２０に液晶（図示せず）が注入されている。液晶は
配向膜１６，２２の表面のラビング方向に応じてツイス
ト方向が決められる。上、下基板１２，２６の外側には
入射光および透過光の偏光のための偏光板１０，２８が
形成されている。
【０００３】図１に示される液晶表示装置の視野角は、
主に液晶分子の配向により決められる。液晶分子は細長
型の棒状であり、液晶分子による入射光の屈折は液晶分
子の配向による。すなわち、短軸からの入射光の屈折と
長軸からの入射光の屈折は相異なる。したがって、電極
１４，２４に電圧が印加されると、配向方向による液晶
分子の配向のため階調反転および視野角の減少という現
象が発生する。
主に液晶分子の配向により決められる。液晶分子は細長
型の棒状であり、液晶分子による入射光の屈折は液晶分
子の配向による。すなわち、短軸からの入射光の屈折と
長軸からの入射光の屈折は相異なる。したがって、電極
１４，２４に電圧が印加されると、配向方向による液晶
分子の配向のため階調反転および視野角の減少という現
象が発生する。
【０００４】この問題を解決するため、画素二分割ラビ
ングまたは画素単位別のラビングにより液晶表示装置を
製造する方法が提案された。
ングまたは画素単位別のラビングにより液晶表示装置を
製造する方法が提案された。
【０００５】図２〜図７に基づき、画素ごとに相異なる
配向の配向膜を形成する方法を説明する。図１と同じ参
照符号は同じ部材を示す。
配向の配向膜を形成する方法を説明する。図１と同じ参
照符号は同じ部材を示す。
【０００６】図２を参照すれば、下部基板２６の上に形
成された透明電極２４を覆うように下部基板２６に合成
樹脂、例えば、ポリイミド、ポリスチレン、ポリピロル
（polypyrrole)よりなる群から選ばれたいずれか一つを
用いて配向膜２２を形成する。次いで、図３に示される
ように、配向膜２２を第１方向３０にラビングして微細
溝を形成する。その後、図４のようにラビングされた前
記配向膜２２の上にフォトレジスト膜３２を形成する。
図５に示されるように、写真工程でフォトレジスト膜３
２の一部を取り除いて配向膜２２の一部、例えば各単位
画素を露出させるフォトレジストパターン３２Ａを形成
する。次いで、図６に示されるように露出された配向膜
２２を第２方向３４にラビングした後、フォトレジスト
パターン３２Ａを取り除いて図７のような液晶表示装置
を完成する。
成された透明電極２４を覆うように下部基板２６に合成
樹脂、例えば、ポリイミド、ポリスチレン、ポリピロル
（polypyrrole)よりなる群から選ばれたいずれか一つを
用いて配向膜２２を形成する。次いで、図３に示される
ように、配向膜２２を第１方向３０にラビングして微細
溝を形成する。その後、図４のようにラビングされた前
記配向膜２２の上にフォトレジスト膜３２を形成する。
図５に示されるように、写真工程でフォトレジスト膜３
２の一部を取り除いて配向膜２２の一部、例えば各単位
画素を露出させるフォトレジストパターン３２Ａを形成
する。次いで、図６に示されるように露出された配向膜
２２を第２方向３４にラビングした後、フォトレジスト
パターン３２Ａを取り除いて図７のような液晶表示装置
を完成する。
【０００７】ところが、前記画素単位ごとのラビング方
法は相異なる配向の配向膜を形成するため、二回のラビ
ング工程を行わなければならない。したがって、工程が
複雑になるという問題がある。また、第２方向のラビン
グを行うため、フォトレジストの一部を取り除くフォト
リソグラフィ工程により配向膜の表面が損なわれるとい
う問題がある。したがって、この製造方法により製造さ
れた液晶表示装置は、液晶分子の配向性の減少により表
示の品質が低下して収率が減少するという問題がある。
法は相異なる配向の配向膜を形成するため、二回のラビ
ング工程を行わなければならない。したがって、工程が
複雑になるという問題がある。また、第２方向のラビン
グを行うため、フォトレジストの一部を取り除くフォト
リソグラフィ工程により配向膜の表面が損なわれるとい
う問題がある。したがって、この製造方法により製造さ
れた液晶表示装置は、液晶分子の配向性の減少により表
示の品質が低下して収率が減少するという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決するためになされたものであり、ラビング
方向に対し垂直に配向する物質と平行に配向する物質と
で分割構成された配向膜を備えることにより視野角が向
上した液晶表示装置を提供することにある。
問題点を解決するためになされたものであり、ラビング
方向に対し垂直に配向する物質と平行に配向する物質と
で分割構成された配向膜を備えることにより視野角が向
上した液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、前記液晶表示装置の
製造において好適な製造方法を提供することにある。
製造において好適な製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、電極が形成され相互に対向して配置される
一対の上基板および下基板と、前記上下基板の上にそれ
ぞれ形成され、ラビング方向に対し垂直に配向する物質
で形成された第１配向膜と、前記第１配向膜上に形成さ
れ、ラビング方向に対し平行に配向する物質で形成され
た第２配向膜パターンとを備えることを特徴とする液晶
表示装置を提供する。
に本発明は、電極が形成され相互に対向して配置される
一対の上基板および下基板と、前記上下基板の上にそれ
ぞれ形成され、ラビング方向に対し垂直に配向する物質
で形成された第１配向膜と、前記第１配向膜上に形成さ
れ、ラビング方向に対し平行に配向する物質で形成され
た第２配向膜パターンとを備えることを特徴とする液晶
表示装置を提供する。
【００１１】前記第１配向膜はポリスチレン及び下記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成される
ことが望ましい：
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成される
ことが望ましい：
【００１２】
【化８】
【００１３】ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキ
ル基であり、Ｘはハロゲン元素である。
ル基であり、Ｘはハロゲン元素である。
【００１４】また、前記目的を達成するために本発明
は、電極が形成され相互に対向して配置される一対の上
基板および下基板と、前記上下基板上にそれぞれ形成さ
れ、ラビング方向に対し平行に配向する物質で形成され
た第１配向膜と、前記第１配向膜上に形成され、ラビン
グ方向に対し垂直に配向する物質で形成された第２配向
膜パターンとを備えることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
は、電極が形成され相互に対向して配置される一対の上
基板および下基板と、前記上下基板上にそれぞれ形成さ
れ、ラビング方向に対し平行に配向する物質で形成され
た第１配向膜と、前記第１配向膜上に形成され、ラビン
グ方向に対し垂直に配向する物質で形成された第２配向
膜パターンとを備えることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
【００１５】前記第１配向膜はポリイミドで形成され、
第２配向膜パターンはポリスチレン及び前記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成されることが
望ましい。
第２配向膜パターンはポリスチレン及び前記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成されることが
望ましい。
【００１６】本発明において、前記第２配向膜パターン
により露出された複数の第１配向膜領域はそれぞれ画素
を限定するか、それぞれ画素の半分を限定し、第２配向
膜パターンと露出された第１配向膜領域は交互になるこ
とが望ましい。
により露出された複数の第１配向膜領域はそれぞれ画素
を限定するか、それぞれ画素の半分を限定し、第２配向
膜パターンと露出された第１配向膜領域は交互になるこ
とが望ましい。
【００１７】さらに、前記目的を達成するために本発明
は、電極が形成され相互に対向して配置される一対の上
基板および下基板と、前記上下基板上の複数の第１領域
に形成され、ラビング方向に対し平行に配向する物質で
形成される第１配向膜と、前記第１領域と交互になる複
数の第２領域に形成され、ラビング方向に対し垂直に配
向する物質で形成される第２配向膜とを備えることを特
徴とする液晶表示装置を提供する。
は、電極が形成され相互に対向して配置される一対の上
基板および下基板と、前記上下基板上の複数の第１領域
に形成され、ラビング方向に対し平行に配向する物質で
形成される第１配向膜と、前記第１領域と交互になる複
数の第２領域に形成され、ラビング方向に対し垂直に配
向する物質で形成される第２配向膜とを備えることを特
徴とする液晶表示装置を提供する。
【００１８】この場合、前記第１配向膜はポリイミドで
形成され、前記第２配向膜はポリスチレン及び前記の式
で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘
導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成される
ことができる。
形成され、前記第２配向膜はポリスチレン及び前記の式
で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘
導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成される
ことができる。
【００１９】そして、前記第１領域及び第２領域はそれ
ぞれ画素を限定するか、それぞれ画素の半分を限定する
領域であることが望ましい。
ぞれ画素を限定するか、それぞれ画素の半分を限定する
領域であることが望ましい。
【００２０】前記他の目的を達成するために本発明は、
電極が形成さた基板上にラビング方向に対し垂直に配向
する物質を塗布して第１配向膜を形成する段階と、前記
第１配向膜上に前記ラビング方向に対し平行に配向する
物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、前記第２
配向膜上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを形成する段階
と、前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、前
記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラビングする段
階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法
を提供する。
電極が形成さた基板上にラビング方向に対し垂直に配向
する物質を塗布して第１配向膜を形成する段階と、前記
第１配向膜上に前記ラビング方向に対し平行に配向する
物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、前記第２
配向膜上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを形成する段階
と、前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、前
記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラビングする段
階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法
を提供する。
【００２１】前記第１配向膜はポリスチレン及び前記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成される
ことが望ましい。
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成される
ことが望ましい。
【００２２】さらに、前記他の目的を達成するために本
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上に前記ラビング方向に対し垂直
に配向する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階
と、前記第２配向膜上にフォトレジストパターンを形成
する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マスク
として前記第２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを
形成する段階と、前記フォトレジストパターンを取り除
く段階と、前記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラ
ビングする段階とを備えることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法を提供する。
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上に前記ラビング方向に対し垂直
に配向する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階
と、前記第２配向膜上にフォトレジストパターンを形成
する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マスク
として前記第２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを
形成する段階と、前記フォトレジストパターンを取り除
く段階と、前記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラ
ビングする段階とを備えることを特徴とする液晶表示装
置の製造方法を提供する。
【００２３】前記第１配向膜はポリイミドで形成され、
前記第２配向膜パターンはポリスチレン及び前記の式で
表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導
体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成されるこ
とが望ましい。
前記第２配向膜パターンはポリスチレン及び前記の式で
表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導
体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成されるこ
とが望ましい。
【００２４】本発明において、前記第２配向膜パターン
は複数の画素または複数の画素の半分を限定し、前記第
２配向膜パターンと前記第２配向膜パターンにより露出
された第１配向膜領域は交互になることが望ましい。
は複数の画素または複数の画素の半分を限定し、前記第
２配向膜パターンと前記第２配向膜パターンにより露出
された第１配向膜領域は交互になることが望ましい。
【００２５】さらに、前記他の目的を達成するために本
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
垂直に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形
成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マス
クとして前記第１配向膜を食刻して第１配向膜パターン
を形成する段階と、前記結果物の全面に前記ラビング方
向に対し平行に配向する物質を塗布して第２配向膜を形
成する段階と、前記フォトレジストパターンと第２配向
膜をリフトオフ方法で取り除いて第１配向膜パターンと
交互になる第２配向膜パターンを形成する段階と、前記
第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階とを備
えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
垂直に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形
成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マス
クとして前記第１配向膜を食刻して第１配向膜パターン
を形成する段階と、前記結果物の全面に前記ラビング方
向に対し平行に配向する物質を塗布して第２配向膜を形
成する段階と、前記フォトレジストパターンと第２配向
膜をリフトオフ方法で取り除いて第１配向膜パターンと
交互になる第２配向膜パターンを形成する段階と、前記
第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階とを備
えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
【００２６】前記第１配向膜はポリスチレン及び前記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜はポリイミドで形成されることが望
ましい。
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜はポリイミドで形成されることが望
ましい。
【００２７】さらに、前記他の目的を達成するために本
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形
成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マス
クとして前記第１配向膜を食刻して第１配向膜パターン
を形成する段階と、前記結果物の全面に前記ラビング方
向に対し垂直に配向する物質を塗布して第２配向膜を形
成する段階と、前記フォトレジストパターンと第２配向
膜をリフトオフ方法で取り除いて第１配向膜パターンと
交互になる第２配向膜パターンを形成する段階と、前記
第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階とを備
えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
発明は、電極が形成された基板上にラビング方向に対し
平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形成する段
階と、前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形
成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マス
クとして前記第１配向膜を食刻して第１配向膜パターン
を形成する段階と、前記結果物の全面に前記ラビング方
向に対し垂直に配向する物質を塗布して第２配向膜を形
成する段階と、前記フォトレジストパターンと第２配向
膜をリフトオフ方法で取り除いて第１配向膜パターンと
交互になる第２配向膜パターンを形成する段階と、前記
第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階とを備
えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
【００２８】この場合、前記第１配向膜はポリイミドで
形成され、前記第２配向膜はポリスチレン及び前記の式
で表されるスチレン誘導体から得れるポリスチレン誘導
体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成されるこ
とが望ましい。
形成され、前記第２配向膜はポリスチレン及び前記の式
で表されるスチレン誘導体から得れるポリスチレン誘導
体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成されるこ
とが望ましい。
【００２９】本発明において、前記第１配向膜パターン
と第２配向膜パターンはそれぞれ画素または画素の半分
を限定するパターンであることが望ましい。
と第２配向膜パターンはそれぞれ画素または画素の半分
を限定するパターンであることが望ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳しく説明する。
明の実施の形態を詳しく説明する。
【００３１】図８を参照すれば、一対の上、下基板８
２，９４の外側には偏光板８０，９６が、内側には第１
配向膜８４，９２がそれぞれ形成されている。そして、
前記第１配向膜８４，９２の上部に第１配向膜の配向方
向と垂直な方向に配向された第２配向膜パターン８６，
９０がそれぞれ形成されている。前記第１配向膜８４，
９２がラビング方向９７に対して平行に配向する物質、
例えばポリイミドで形成されている場合、前記第２配向
膜パターン８６，９０は同一のラビング方向９７に対し
て垂直に配向する物質、例えばポリスチレン及び下記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、その逆の場合も可能である：
２，９４の外側には偏光板８０，９６が、内側には第１
配向膜８４，９２がそれぞれ形成されている。そして、
前記第１配向膜８４，９２の上部に第１配向膜の配向方
向と垂直な方向に配向された第２配向膜パターン８６，
９０がそれぞれ形成されている。前記第１配向膜８４，
９２がラビング方向９７に対して平行に配向する物質、
例えばポリイミドで形成されている場合、前記第２配向
膜パターン８６，９０は同一のラビング方向９７に対し
て垂直に配向する物質、例えばポリスチレン及び下記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、その逆の場合も可能である：
【００３２】
【化９】
【００３３】ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキ
ル基であり、Ｘはハロゲン元素である。前記と反対の物
質組合せも可能である。
ル基であり、Ｘはハロゲン元素である。前記と反対の物
質組合せも可能である。
【００３４】前記第２配向膜パターン８６，９０は単位
画素または単位画素の半分領域に該当することが望まし
い。また、第２配向膜パターン８６，９０と第２配向膜
パターン８６により露出された第１配向膜８４，９２の
領域は交互になることが望ましい。
画素または単位画素の半分領域に該当することが望まし
い。また、第２配向膜パターン８６，９０と第２配向膜
パターン８６により露出された第１配向膜８４，９２の
領域は交互になることが望ましい。
【００３５】前記上下基板８２，９４の間の内部空間に
は液晶分子８８Ａ，８８Ｂが注入されている。前記第１
配向膜８４，９２と第２配向膜パターン８６，９０の配
向方向が相異なるため、第１配向膜８４，９２の間に注
入された液晶分子８８Ａと第２配向膜８６，９０の間に
注入された液晶分子８８Ｂのチルト角も異なる。したが
って、前記液晶表示装置に入射した光は相異なるチルト
角度の液晶分子８８Ａ，８８Ｂにより光学的補償が行わ
れて視野角が向上する。
は液晶分子８８Ａ，８８Ｂが注入されている。前記第１
配向膜８４，９２と第２配向膜パターン８６，９０の配
向方向が相異なるため、第１配向膜８４，９２の間に注
入された液晶分子８８Ａと第２配向膜８６，９０の間に
注入された液晶分子８８Ｂのチルト角も異なる。したが
って、前記液晶表示装置に入射した光は相異なるチルト
角度の液晶分子８８Ａ，８８Ｂにより光学的補償が行わ
れて視野角が向上する。
【００３６】図９を参照すれば、実線９７は上部基板８
２のラビング方向を示し、点線は下部基板９４のラビン
グ方向を示す。左右に分割された画素において、左側に
は第１配向膜８４が右側には第２配向膜８６が形成され
ている。図８に示されるように、第１配向膜８４はラビ
ング方向９７に対し平行に配向するポリイミドで形成さ
れ、第２配向膜８６はラビング方向９７に対し垂直に配
向するポリスチレン及び前記の式で表されるスチレン誘
導体から得られるポリスチレン誘導体よりなる群から選
ばれたいずれか一つで形成される。したがって、一回の
ラビング９７により９０°の配向方向をなす配向膜が形
成される。
２のラビング方向を示し、点線は下部基板９４のラビン
グ方向を示す。左右に分割された画素において、左側に
は第１配向膜８４が右側には第２配向膜８６が形成され
ている。図８に示されるように、第１配向膜８４はラビ
ング方向９７に対し平行に配向するポリイミドで形成さ
れ、第２配向膜８６はラビング方向９７に対し垂直に配
向するポリスチレン及び前記の式で表されるスチレン誘
導体から得られるポリスチレン誘導体よりなる群から選
ばれたいずれか一つで形成される。したがって、一回の
ラビング９７により９０°の配向方向をなす配向膜が形
成される。
【００３７】図１０を参照すれば、一対の上、下基板１
０４，１２０の外側面には偏光板１０２，１２２が、上
部基板１０４の内側面には相互平行に配置された複数の
第１透明電極１０６が、下部基板１２０の内側面には前
記第１透明電極１０６の配列方向と相互垂直に配置され
た複数の第２透明電極１１８が形成されている。第１配
向膜上に第２配向膜パターンが形成されて配向膜が多層
構造よりなる第１実施例とは異なり、第２実施例はラビ
ング方向に対し垂直に配向する物質よりなる第１配向膜
パターン１０８，１１４の上下左右にラビング方向に対
し平行に配向する物質よりなる第２配向膜パターン１１
０，１１６が形成される単層構造よりなる。そして、前
記上下基板１０４，１２０の間には液晶分子１１２が注
入されており、シ−ル材１２４で封入されている。
０４，１２０の外側面には偏光板１０２，１２２が、上
部基板１０４の内側面には相互平行に配置された複数の
第１透明電極１０６が、下部基板１２０の内側面には前
記第１透明電極１０６の配列方向と相互垂直に配置され
た複数の第２透明電極１１８が形成されている。第１配
向膜上に第２配向膜パターンが形成されて配向膜が多層
構造よりなる第１実施例とは異なり、第２実施例はラビ
ング方向に対し垂直に配向する物質よりなる第１配向膜
パターン１０８，１１４の上下左右にラビング方向に対
し平行に配向する物質よりなる第２配向膜パターン１１
０，１１６が形成される単層構造よりなる。そして、前
記上下基板１０４，１２０の間には液晶分子１１２が注
入されており、シ−ル材１２４で封入されている。
【００３８】前記第１配向膜パターン１０８，１１４と
第２配向膜パターン１１０，１１６は単位画素または単
位画素の半分領域に該当することが望ましい。また、第
１配向膜パターン１０８，１１４と第２配向膜パターン
１１０，１１６は交互になることが望ましい。
第２配向膜パターン１１０，１１６は単位画素または単
位画素の半分領域に該当することが望ましい。また、第
１配向膜パターン１０８，１１４と第２配向膜パターン
１１０，１１６は交互になることが望ましい。
【００３９】第２実施例は、第１実施例のように、前記
第１配向膜パターン１０８，１１４と前記第２配向膜パ
ターン１１０，１１６が相互垂直な配向方向を有する。
したがって、電圧の印加時、その間に注入された液晶の
チルト角が異なるため、光学的補償が行われて液晶表示
装置の視野角が向上する。
第１配向膜パターン１０８，１１４と前記第２配向膜パ
ターン１１０，１１６が相互垂直な配向方向を有する。
したがって、電圧の印加時、その間に注入された液晶の
チルト角が異なるため、光学的補償が行われて液晶表示
装置の視野角が向上する。
【００４０】図１１は、本発明の第２実施例による配向
膜のラビング方向を示す概略図である。
膜のラビング方向を示す概略図である。
【００４１】実線１２６は上部基板１０４のラビング方
向を示し、点線は下部基板１２０のラビング方向を示
す。第１配向膜パターン１０８，１１４はラビング方向
１２６に対し平行に配向するポリイミドで形成され、第
２配向膜パターン１１０，１１６はラビング方向１２６
に対し垂直に配向するポリスチレン及び前記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成される。すな
わち、９０°の配向方向をなす配向膜が画素単位で交互
になる。したがって、液晶表示装置の全面にかけて液晶
分子のチルト角が異なるため、視野角が増える。
向を示し、点線は下部基板１２０のラビング方向を示
す。第１配向膜パターン１０８，１１４はラビング方向
１２６に対し平行に配向するポリイミドで形成され、第
２配向膜パターン１１０，１１６はラビング方向１２６
に対し垂直に配向するポリスチレン及び前記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成される。すな
わち、９０°の配向方向をなす配向膜が画素単位で交互
になる。したがって、液晶表示装置の全面にかけて液晶
分子のチルト角が異なるため、視野角が増える。
【００４２】図１２〜図１５は，本発明の第１実施例に
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００４３】図１２を参照すれば、ガラスなどのような
基板１３０の全面に透明電極膜をコーティングして写真
食刻工程で透明電極パターン（図示せず）を形成する。
次に、透明電極パターンが形成された基板上にラビング
方向に対し平行に配向する物質、例えばポリイミドを用
いて第１配向膜１３２を形成する。
基板１３０の全面に透明電極膜をコーティングして写真
食刻工程で透明電極パターン（図示せず）を形成する。
次に、透明電極パターンが形成された基板上にラビング
方向に対し平行に配向する物質、例えばポリイミドを用
いて第１配向膜１３２を形成する。
【００４４】図１３に示されるように、ラビング方向に
対し垂直に配向する性質を有する物質、例えばポリスチ
レン及び前記の式で表されるスチレン誘導体から得られ
るポリスチレン誘導体よりなる群から選ばれたいずれか
一つを被覆して第２配向膜１３４を形成する。
対し垂直に配向する性質を有する物質、例えばポリスチ
レン及び前記の式で表されるスチレン誘導体から得られ
るポリスチレン誘導体よりなる群から選ばれたいずれか
一つを被覆して第２配向膜１３４を形成する。
【００４５】次に、図１４に示されるように、前記第２
配向膜１３４の上にフォトレジストを塗布した後、露光
・現像してフォトレジストパターン１３６Ａを形成す
る。次いで、前記フォトレジストパターン１３６Ａを食
刻マスクとして前記第２配向膜１３４を食刻して第２配
向膜パターン１３４Ａを形成する。この際、食刻は第１
配向膜１３２の表面を終点として行う。
配向膜１３４の上にフォトレジストを塗布した後、露光
・現像してフォトレジストパターン１３６Ａを形成す
る。次いで、前記フォトレジストパターン１３６Ａを食
刻マスクとして前記第２配向膜１３４を食刻して第２配
向膜パターン１３４Ａを形成する。この際、食刻は第１
配向膜１３２の表面を終点として行う。
【００４６】前記フォトレジストパターン１３６Ａを取
り除いた後、第１配向膜１３２及び第２配向膜パターン
１３４Ａの表面をラビング方向１３８に沿いラビングす
る。一回のラビング工程により、図１５に示されたよう
に９０°をなす第１配向膜１３２と第２配向膜パターン
１３４Ａが形成される。
り除いた後、第１配向膜１３２及び第２配向膜パターン
１３４Ａの表面をラビング方向１３８に沿いラビングす
る。一回のラビング工程により、図１５に示されたよう
に９０°をなす第１配向膜１３２と第２配向膜パターン
１３４Ａが形成される。
【００４７】この際、前記第２配向膜パターン１３４Ａ
は単位画素または単位画素の半分領域に該当することが
望ましい。また、第２配向膜パターン１３４Ａと第２配
向膜パターン１３４Ａにより露出された第１配向膜１３
２領域は交互になることが望ましい。
は単位画素または単位画素の半分領域に該当することが
望ましい。また、第２配向膜パターン１３４Ａと第２配
向膜パターン１３４Ａにより露出された第１配向膜１３
２領域は交互になることが望ましい。
【００４８】図１６〜図１８は、本発明の第２実施例に
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
よる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００４９】図１６を参照すれば、ガラスなどのような
基板１６０の全面に透明電極膜をコーティングした後、
写真食刻工程で透明電極パターン（図示せず）を形成す
る。次いで、透明電極パターンが形成された基板上にラ
ビング方向に対し平行に配向する物質、例えばポリイミ
ドを被覆して第１配向膜１６２を形成する。前記第１配
向膜１６２の上にフォトレジストを塗布した後、露光・
現像してフォトレジストパターン１６４Ａを形成する。
基板１６０の全面に透明電極膜をコーティングした後、
写真食刻工程で透明電極パターン（図示せず）を形成す
る。次いで、透明電極パターンが形成された基板上にラ
ビング方向に対し平行に配向する物質、例えばポリイミ
ドを被覆して第１配向膜１６２を形成する。前記第１配
向膜１６２の上にフォトレジストを塗布した後、露光・
現像してフォトレジストパターン１６４Ａを形成する。
【００５０】次いで、図１７に示されるように、前記フ
ォトレジストパターン１６４Ａを食刻マスクとして前記
第１配向膜１６２を食刻して第１配向膜パターン１６２
Ａを形成する。前記結果物上にラビング方向に対し垂直
に配向する物質、例えばポリスチレン及び前記の式で表
されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体
よりなる群から選ばれたいずれか一つを被覆して第２配
向膜１６６Ａ，１６６Ｂを形成する。
ォトレジストパターン１６４Ａを食刻マスクとして前記
第１配向膜１６２を食刻して第１配向膜パターン１６２
Ａを形成する。前記結果物上にラビング方向に対し垂直
に配向する物質、例えばポリスチレン及び前記の式で表
されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体
よりなる群から選ばれたいずれか一つを被覆して第２配
向膜１６６Ａ，１６６Ｂを形成する。
【００５１】図１８に示されるように、前記フォトレジ
ストパターン１６４Ａをリフトオフ方法を用いて取り除
くと、前記フォトレジストパターン１６４の上に形成さ
れた第２配向膜１６６Ａも同時に取り除かれる。次い
で、第１配向膜パターン１６２Ａと残存する第２配向膜
パターン１６６Ｂの表面をラビング方向１６８に沿いラ
ビングする。したがって、一回のラビング工程により第
１配向膜パターン１６２Ａと第２配向膜パターン１６６
Ｂの配向方法が９０°をなす。
ストパターン１６４Ａをリフトオフ方法を用いて取り除
くと、前記フォトレジストパターン１６４の上に形成さ
れた第２配向膜１６６Ａも同時に取り除かれる。次い
で、第１配向膜パターン１６２Ａと残存する第２配向膜
パターン１６６Ｂの表面をラビング方向１６８に沿いラ
ビングする。したがって、一回のラビング工程により第
１配向膜パターン１６２Ａと第２配向膜パターン１６６
Ｂの配向方法が９０°をなす。
【００５２】前記第１配向膜パターン１６２Ａと第２配
向膜パターン１６６Ｂはそれぞれ単位画素または単位画
素の半分領域に該当することが望ましい。また、第１配
向膜パターン１６２Ａと第２配向膜パターン１６６Ｂは
交互になるように形成されることが望ましい。
向膜パターン１６６Ｂはそれぞれ単位画素または単位画
素の半分領域に該当することが望ましい。また、第１配
向膜パターン１６２Ａと第２配向膜パターン１６６Ｂは
交互になるように形成されることが望ましい。
【００５３】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、相異な
る配向方向を有する配向膜が画素または画素の半分を繰
り返し単位として交互になる。したがって、電圧が印加
されると、画素の単位ごとにまたは画素の半分単位ごと
に配向膜の固着エネルギ−（anchoring energy）の差に
より液晶分子のチルト角が異なる。よって、相異なるチ
ルト角を有する液晶分子により入射した光の光学的補償
が行われるので、視野角が向上して表示の品質が改善さ
れる。
る配向方向を有する配向膜が画素または画素の半分を繰
り返し単位として交互になる。したがって、電圧が印加
されると、画素の単位ごとにまたは画素の半分単位ごと
に配向膜の固着エネルギ−（anchoring energy）の差に
より液晶分子のチルト角が異なる。よって、相異なるチ
ルト角を有する液晶分子により入射した光の光学的補償
が行われるので、視野角が向上して表示の品質が改善さ
れる。
【００５４】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、相異なる方向の配向膜の形成が一回のラビング
段階で行えるので、工程が単純になる。また、配向膜の
表面の損傷も最小とすることができ、液晶分子の配向性
の減少に関する問題が解決され、表示の品質を改善した
液晶表示装置を形成することができる。
よれば、相異なる方向の配向膜の形成が一回のラビング
段階で行えるので、工程が単純になる。また、配向膜の
表面の損傷も最小とすることができ、液晶分子の配向性
の減少に関する問題が解決され、表示の品質を改善した
液晶表示装置を形成することができる。
【００５５】本発明は前記実施例に限るものでなく、多
くの変形が本発明の技術的思想内において当分野の通常
の知識を持つ者により可能なのは明らかである。
くの変形が本発明の技術的思想内において当分野の通常
の知識を持つ者により可能なのは明らかである。
【図１】従来の液晶表示装置の断面図である。
【図２】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図３】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図４】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図５】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図６】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図７】画素ごとに相異なる配向の配向膜を形成する段
階を示す断面図である。
階を示す断面図である。
【図８】本発明の第１実施例による液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図９】本発明の第１実施例による配向膜のラビング方
向を示す概略図である。
向を示す概略図である。
【図１０】本発明の第２実施例による液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図１１】本発明の第２実施例による配向膜のラビング
方向を示す概略図である。
方向を示す概略図である。
【図１２】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の第２実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１７】本発明の第２実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
８０ …偏光板 ８２ …基板 ８４ …第１配向膜 ８６ …第２配向膜パターン ８８ …液晶分子 ９０ …第２配向膜パターン ９２ …第１配向膜 ９４ …基板 ９６ …偏光板 ９７ …ラビング方向 １０２…偏光板 １０４…基板 １０６…第１透明電極 １０８…第１配向膜パターン １１０…第２配向膜パターン １１２…液晶分子 １１４…第１配向膜パターン １１６…第２配向膜パターン １１８…第２透明電極 １２０…基板 １２２…偏光板 １２４…シール材 １２６…ラビング方向 １３０…基板 １３２…第１配向膜 １３４…第２配向膜 １３６Ａ…フォトレジストパターン １３８…ラビング方向 １６０…基板 １６２…第１配向膜 １６４…フォトレジストパターン １６６…第２配向膜パターン
Claims (28)
- 【請求項１】 電極が形成され相互に対向して配置され
る一対の上基板および下基板と、 前記上下基板の上にそれぞれ形成され、ラビング方向に
対し垂直に配向する物質で形成された第１配向膜と、 前記第１配向膜上に形成され、ラビング方向に対し平行
に配向する物質で形成された第２配向膜パターンとを備
えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第１配向膜はポリスチレン及び下記
の式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレ
ン誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置： 【化１】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項３】 前記第２配向膜パターンと前記第２配向
膜パターンにより露出された複数の第１配向膜領域はそ
れぞれ画素を限定し、前記第２配向膜パターンと前記露
出された第１配向膜領域は交互のパターンを形成するこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第２配向膜パターンと前記第２配向
膜パターンにより露出された複数の第１配向膜領域はそ
れぞれ画素の半分を限定し、前記第２配向膜パターンと
前記露出された第１配向膜領域は交互のパターンを形成
することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 電極が形成され相互に対向して配置され
る一対の上基板および下基板と、 前記上下基板上にそれぞれ形成され、ラビング方向に対
し平行に配向する物質で形成された第１配向膜と、 前記第１配向膜上に形成され、ラビング方向に対し垂直
に配向する物質で形成された第２配向膜パターンとを備
えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記第１配向膜はポリイミドで形成さ
れ、第２配向膜パターンはポリスチレン及び下記の式で
表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導
体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成されるこ
とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置： 【化２】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項７】 前記第２配向膜パターンと前記第２配向
膜パターンにより露出された複数の第１配向膜領域はそ
れぞれ画素を限定し、前記第２配向膜パターンと前記露
出された第１配向膜領域は交互のパターンを形成するこ
とを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記第２配向膜パターンと前記第２配向
膜パターンにより露出された複数の第１配向膜領域はそ
れぞれ画素の半分を限定し、前記第２配向膜パターンと
前記露出された第１配向膜領域は交互のパターンを形成
することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 電極が形成され相互に対向して配置され
る一対の上基板および下基板と、 前記上下基板上の複数の第１領域に形成され、ラビング
方向に対し平行に配向する物質で形成される第１配向膜
と、 前記第１領域と交互になる複数の第２領域に形成され、
ラビング方向に対し垂直に配向する物質で形成される第
２配向膜とを備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１配向膜はポリイミドで形成さ
れ、前記第２配向膜はポリスチレン及び下記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成されることを
特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置： 【化３】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項１１】 前記第１領域及び第２領域はそれぞれ
画素を限定する領域であることを特徴とする請求項９に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記第１領域及び第２領域はそれぞれ
画素の半分を限定する領域であることを特徴とする請求
項９に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 電極が形成された基板上にラビング方
向に対し垂直に配向する物質を塗布して第１配向膜を形
成する段階と、 前記第１配向膜上に前記ラビング方向に対し平行に配向
する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、 前記第２配向膜上にフォトレジストパターンを形成する
段階と、 前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを形成する段階
と、 前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 前記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラビングする
段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記第１配向膜はポリスチレン及び下
記の式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチ
レン誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成
され、前記第２配向膜パターンはポリイミドで形成され
ることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の
製造方法： 【化４】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項１５】 前記第２配向膜パターンは複数の画素
を限定し、前記第２配向膜パターンと前記第２配向膜パ
ターンにより露出された第１配向膜領域は交互になるこ
とを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１６】 前記第２配向膜パターンは複数の画素
の半分を限定し、前記第２配向膜パターンと前記第２配
向膜パターンにより露出された第１配向膜領域は交互に
なることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１７】 電極が形成された基板上にラビング方
向に対し平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形
成する段階と、 前記第１配向膜上に前記ラビング方向に対し垂直に配向
する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、 前記第２配向膜上にフォトレジストパターンを形成する
段階と、 前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
２配向膜を食刻して第２配向膜パターンを形成する段階
と、 前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 前記第１配向膜及び第２配向膜パターンをラビングする
段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１８】 前記第１配向膜はポリイミドで形成さ
れ、前記第２配向膜パターンはポリスチレン及び下記の
式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチレン
誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成され
ることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置の
製造方法： 【化５】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項１９】 前記第２配向膜パターンは複数の画素
を限定し、前記第２配向膜パターンと前記第２配向膜パ
ターンにより露出された第１配向膜領域は交互になるこ
とを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項２０】 前記第２配向膜パターンは複数の画素
の半分を限定し、前記第２配向膜パターンと前記第２配
向膜パターンにより露出された第１配向膜領域は交互に
なることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項２１】 電極が形成された基板上にラビング方
向に対し垂直に配向する物質を塗布して第１配向膜を形
成する段階と、 前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形成する
段階と、 前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
１配向膜を食刻して第１配向膜パターンを形成する段階
と、 前記結果物の全面に前記ラビング方向に対し平行に配向
する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、 前記フォトレジストパターンと第２配向膜をリフトオフ
方法で取り除いて第１配向膜パターンと交互になる第２
配向膜パターンを形成する段階と、 前記第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階と
を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記第１配向膜はポリスチレン及び下
記の式で表されるスチレン誘導体から得られるポリスチ
レン誘導体よりなる群から選ばれたいずれか一つで形成
され、前記第２配向膜はポリイミドで形成されることを
特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方
法： 【化６】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項２３】 前記第１配向膜パターンと第２配向膜
パターンはそれぞれ画素を限定するパターンであること
を特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２４】 前記第１配向膜パターンと第２配向膜
パターンはそれぞれ画素の半分を限定するパターンであ
ることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２５】 電極が形成された基板上にラビング方
向に対し平行に配向する物質を塗布して第１配向膜を形
成する段階と、 前記第１配向膜上にフォトレジストパターンを形成する
段階と、 前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記第
１配向膜を食刻して第１配向膜パターンを形成する段階
と、 前記結果物の全面に前記ラビング方向に対し垂直に配向
する物質を塗布して第２配向膜を形成する段階と、 前記フォトレジストパターンと第２配向膜をリフトオフ
方法で取り除いて第１配向膜パターンと交互になる第２
配向膜パターンを形成する段階と、 前記第１及び第２配向膜パターンをラビングする段階と
を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２６】 前記第１配向膜はポリイミドで形成さ
れ、前記第２配向膜はポリスチレン及び下記の式で表さ
れるスチレン誘導体から得られるポリスチレン誘導体よ
りなる群から選ばれたいずれか一つで形成されることを
特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方
法： 【化７】 ただし、式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基であり、
Ｘはハロゲン元素である。 - 【請求項２７】 前記第１配向膜パターンと第２配向膜
パターンはそれぞれ画素を限定するパターンであること
を特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２８】 前記第１配向膜パターンと第２配向膜
パターンはそれぞれ画素の半分を限定するパターンであ
ることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置の
製造方法。
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