JP3172335B2 - Method for manufacturing electro-optical element and apparatus for manufacturing the same - Google Patents
Method for manufacturing electro-optical element and apparatus for manufacturing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、対向する一組の基板対
の間にギャップスペーサが挟持されており、この基板対
の間には電気光学材料が充填されており、基板対の周囲
がシールスペーサ入りのシール材で封止されている電気
光学素子の製造方法及びその製造装置に関する。更に詳
しくは、基板間隔を精度良く管理する事が可能である電
気光学素子の製造方法及びその製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION In the present invention, a gap spacer is sandwiched between a pair of opposing substrate pairs, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the pair of substrates is reduced. The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical element sealed with a seal material containing a seal spacer and an apparatus for manufacturing the same. More particularly, a method and a manufacturing apparatus for manufacturing an electro-optical element it is possible to accurately manage the substrate spacing.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、液晶素子に代表される電気光学素
子では、図14に示したように、電気光学材料3が充填
され周辺をシールスペーサ4入りのシール材5により封
止されている基板対1,1の間隔を一定に保つ必要があ
った。このために、基板間には基板間隔を一定に保つた
めのギャップスペーサ2が配置されている。ここで、基
板間隔を一定にするためには、ギャップスペーサ2の粒
径が揃っていることは勿論であるが、その配置個数もバ
ラつかないように管理することが重要であると考えられ
てきた。2. Description of the Related Art Conventionally, in an electro-optical element represented by a liquid crystal element, as shown in FIG. 14, a substrate filled with an electro-optical material 3 and the periphery thereof is sealed by a sealing material 5 containing a sealing spacer 4. It was necessary to keep the distance between pairs 1 and 1 constant. To this end, gap spacers 2 are provided between the substrates to keep the substrate spacing constant. Here, in order to keep the substrate interval constant, it is considered that it is important to control the arrangement of the gap spacers 2 so that the particle size of the gap spacers 2 is uniform, but the number of the spacers is not varied. Was.
【0003】従来この配置個数は、単位面積当りの個数
が(N±2N0.5 )個の範囲内になるように、管理され
ていた。ここで、上記NとしてはTN(ツイステッドネ
マチック)液晶素子では約100個/mm2 が、つまり
配置個数としては、80個/mm2 〜120個/mm2
が適しているとされていた。この後、図15に示したよ
うに基板1を均一に加圧盤21で加圧して基板対1,1
をシールスペーサ4入りのシール材5で接着していた。
このため、このような電気光学素子6を製造する際に
は、このギャップスペーサ2の配置や、加圧盤21によ
る加圧をいかに均一にするかに腐心しており、そのため
の方法・装置が開発されてきた。例えば、ギャップスペ
ーサ2の均一配置のためには、図16に示すようなギャ
ップスペーサ噴霧装置74が用いられている。この装置
では、吐出部35から吐出されたギャップスペーサ2が
ギャップスペーサ噴霧装置74内で均一に分散し、基板
1表面に付着することを期待しているため、基板1表面
にギャップスペーサ2を均一に配置するために、吐出部
35と基板1との間隔を大きくする必要がある。また、
ギャップスペーサ噴霧装置74内のギャップスペーサ2
の極一部しか基板1に付着しないため、ギャップスペー
サの利用効率は数%程度であった。Conventionally, the number of arrangements has been managed so that the number per unit area is within the range of (N ± 2N 0.5 ). Here, the N is about 100 / mm 2 in a TN (twisted nematic) liquid crystal element, that is, the arrangement number is 80 / mm 2 to 120 / mm 2.
Had been considered suitable. Thereafter, as shown in FIG. 15, the substrate 1 is uniformly pressed by the pressure
Was adhered with a sealing material 5 containing a sealing spacer 4.
For this reason, when manufacturing such an electro-optical element 6, it is important to arrange the gap spacers 2 and to make the pressing by the pressing plate 21 uniform, and a method and apparatus for that purpose have been developed. Have been. For example, a gap spacer spraying device 74 as shown in FIG. 16 is used for uniform arrangement of the gap spacers 2. In this apparatus, the gap spacers 2 discharged from the discharge unit 35 are expected to be uniformly dispersed in the gap spacer spraying device 74 and adhere to the surface of the substrate 1. Therefore, it is necessary to increase the distance between the discharge unit 35 and the substrate 1. Also,
Gap spacer 2 in gap spacer spray device 74
Because only a very small portion of the gap spacer adheres to the substrate 1, the utilization efficiency of the gap spacer was about several percent.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の構成では、基板のソリ・表面の変形やシールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
に起因する基板対の間隔のバラツキは矯正できず、この
基板間隔のバラつきは電気光学素子の表示品位に重大な
悪影響を与えるものであった。そこで従来は、基板のソ
リ・表面の変形に関しては、事前に精密研磨や検査によ
り、規格外のものは除外していたため、コストアップの
要因となっていた。また、シールスペーサ入りのシール
材が硬化するときに発生する基板の歪に対しては、なる
べく低温での接着処理を行うか、加熱硬化後の冷却をゆ
っくり行い常温に戻るまで金型で固定しておく等処理時
間を長くする事により対応しようとしていた。また、電
気光学材料を基板間に注入後、注入口を封止する際に型
で加圧しながら行うこと(いわゆる加圧封止)もやられ
ているが、どうしても対応しきれない部分が残ってしま
い、表示品位を劣化させる要因となっていた。However, in such a conventional structure, the distance between the pair of substrates caused by the deformation of the substrate warp and surface and the distortion of the substrate generated when the sealing material containing the seal spacer is cured. Cannot be corrected, and the variation in the distance between the substrates has a serious adverse effect on the display quality of the electro-optical element. Therefore, conventionally, warpage and surface deformation of the substrate have been excluded in advance by precision polishing or inspection, and non-standard ones have been excluded, thereby causing a cost increase. Also, for the distortion of the substrate generated when the sealing material containing the seal spacer is cured, perform the bonding treatment at a low temperature as much as possible, or slowly cool after heating and curing and fix it with a mold until it returns to room temperature. It was trying to cope by extending the processing time. In addition, after injecting the electro-optical material between the substrates, sealing the inlet is performed while pressing with a mold (so-called pressure sealing), but a part that cannot be completely handled remains. This has been a factor of deteriorating the display quality.
【0005】本発明は、上記不都合を解消するためにな
されたものであり、使用する基板のソリや変形やシール
スペーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板
の歪の影響を受けずに、低コストで基板間のギャップが
一定で表示品位の優れた電気光学素子を確実に製造する
製造方法さらにはそれに使用される製造装置を提供する
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages, and is not affected by warping or deformation of a substrate to be used or distortion of the substrate generated when a sealing material containing a seal spacer is cured. Another object of the present invention is to provide a low-cost manufacturing method for reliably manufacturing an electro-optical element having a constant gap between substrates and excellent display quality, and a manufacturing apparatus used therefor.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
対向する一組の基板対の間にギャップスペーサが挟持さ
れており、この基板対の間には電気光学材料が充填され
ており、基板対の周囲がシールスペーサ入りのシール材
で封止されている電気光学素子の製造方法において、ギ
ャップスペーサを吐出部から間欠的に吐出させ、ギャッ
プスペーサの吐出回数によりギャップスペーサの散布量
を制御しながら、吐出部を基板上で移動させ、前記基板
のシール材の近傍をギャップスペーサの高密度配置部、
中央部を前記ギャップスペーサ低密度配置部とする工程
と、前記基板対を加圧接着する工程とを少なくとも有す
ることを特徴とするものである。According to the first aspect of the present invention,
A gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrate pairs, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the pair of substrates is sealed with a sealing material containing a seal spacer. in the method for manufacturing an electro-optical elements are, formic
The gap spacer is intermittently ejected from the ejection section,
Spreading amount of gap spacer depending on the number of ejections of gap spacer
Moving the discharge unit on the substrate while controlling the
Near the sealing material of the high density arrangement part of the gap spacer,
A step of setting a central part as the gap spacer low-density arrangement part
And a step of pressure-bonding the pair of substrates.
It is characterized by that.
【0007】請求項2記載の発明は、対向する一組の基
板対の間にギャップスペーサが挟持されており、前記基
板対の間には電気光学材料が充填されており、前記基板
対の周囲がシールスペーサ入りのシール材で封止されて
いる電気光学素子の製造方法において、吸着板にギャッ
プスペーサの配置に対応した分布密度の吸着孔を設け、
該吸着孔にギャップスペーサを吸着する工程と、吸着板
を基板と対向させ、ギャップスペーサを吸着孔から基板
上に付着させ、前記基板の前記基板のシール材の近傍を
ギャップスペーサの高密度配置部、中央部を前記ギャッ
プスペーサ低密度配置部とする工程と、前記基板対を加
圧接着する工程とを少なくとも有することを特徴とする
ものである。According to a second aspect of the present invention, a pair of opposed bases is provided.
A gap spacer is sandwiched between the pair of plates, and
An electro-optic material is filled between the plate pairs, and the substrate
The periphery of the pair is sealed with a seal material containing a seal spacer
In the method of manufacturing an electro-optical element,
Suction holes with a distribution density corresponding to the arrangement of
A step of adsorbing a gap spacer into the adsorption hole,
With the gap spacer from the suction hole.
On the substrate, the vicinity of the substrate sealing material of the substrate
Place the high-density placement part and the center part of the gap spacer
A step of forming a low-density arrangement portion of the
And pressure bonding .
【0008】請求項3記載の発明は、基板対を加圧接着
する際に、基板面に対して強弱の面分布を持たせて加圧
することを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, a pair of substrates is bonded under pressure.
In this case, the pressure is applied while giving a strong or weak surface distribution to the substrate surface .
【0009】請求項4記載の発明は、電気光学素子を製
造するための製造装置であって、基板対を構成する基板
のソリ・表面の変形を測定する手段と、それぞれの基板
を組み合わせたときの基板対の間隔がほぼ一定になるよ
うに、配置するギャップスペーサの適正分布を算出する
手段と、ギャップスペーサを前記算出された所定の分布
で配置する手段と、前記基板対を加圧し互いに接着する
手段とを少なくとも有することを特徴とするものであ
る、According to a fourth aspect of the present invention, an electro-optical element is manufactured.
A manufacturing apparatus for manufacturing a substrate, the substrate forming a substrate pair
For measuring warpage and surface deformation of each substrate and each substrate
The distance between the substrate pairs when combining
Calculate the appropriate distribution of gap spacers to be arranged
Means for calculating the gap spacer and the calculated predetermined distribution
Means for arranging the substrates and pressing the substrate pairs to adhere to each other
Is characterized in that at least it has a means,
【0010】請求項5記載の発明は、請求項4記載の電
気光学素子の製造装置において、基板対を加圧し互いに
接着する手段には、面分布をもたせて基板を加圧する手
段を有することを特徴とするものである。[0010] The invention according to claim 5 is an electric vehicle according to claim 4.
In a manufacturing apparatus of a magneto-optical element, a pair of substrates is pressurized and mutually
The means for bonding includes hand pressing the substrate with a surface distribution.
Is characterized in that have a stage.
【0011】[0011]
【0012】[0012]
【0013】[0013]
【0014】[0014]
【作用】基板のソリ・表面の変形はギャップスペーサの
散布前に測定把握することが可能であるし、シールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
も、模擬実験やシミュレーションによりあらかじめ推定
把握することが可能であったが、従来は前記したように
基板のソリ・表面の変形に関しては、事前に精密研磨や
検査により、規格外のものは除外しており、シールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
に対しては、処理時間を長くする事により対応しようと
していた。[Function] The warpage and surface deformation of the substrate can be measured and grasped before the gap spacer is scattered, and the distortion of the substrate generated when the sealing material containing the seal spacer cures can be measured by simulation experiments and simulations. Although it was possible to estimate and grasp it in advance, conventionally, as for the warpage of the substrate and the deformation of the surface, non-standard ones were excluded by precision polishing and inspection in advance, and seal spacers were included. It has been attempted to cope with distortion of the substrate generated when the sealing material is cured by lengthening the processing time.
【0015】これに対し、請求項1記載の発明では、基
板対の間に配置するギャップスペーサの分布密度に大き
な濃淡が形成される。このギャップスペーサの配置は、
ギャップスペーサが均一に配置された場合に基板対の間
隔が狭くなりやすい部位には高密度で、逆に基板対の間
隔が広くなりやすい基板中央部等には低密度でギャップ
スペーサが配置されている。このために、基板間隔が狭
くなろうとしても多数のギャップスペーサにより基板間
隔が保持され、ギャップスペーサ2で必要以上に間隔を
保持しなくてもよい部位には無駄にギャップスペーサ2
が配置されていないため、使用する基板のソリや変形や
シールスペーサ入りのシール材が硬化するときに発生す
る基板の歪の影響を受けずに、無駄なく基板対の間隔を
一定にすることができる。このようなギャップスペーサ
の配置は、吐出部からギャップスペーサを間欠的に吐出
させ、ギャップスペーサの吐出回数によりギャップスペ
ーサの散布量を制御しながら吐出部を基板上で移動させ
ることによって、基板上にギャップスペーサの所望の分
布密度を、確実に形成することが可能となる。On the other hand, according to the first aspect of the present invention, the distribution density of the gap spacer disposed between the pair of substrates is large.
The light and shade are formed . The arrangement of this gap spacer
When the gap spacers are uniformly arranged, the gap spacers are arranged at a high density in the area where the distance between the substrate pairs is likely to be narrow, and conversely, the gap spacers are arranged at a low density in the center of the substrate where the distance between the substrate pairs is likely to be wide. I have. For this reason, even if the gap between the substrates is to be reduced, the gap between the substrates is maintained by a large number of gap spacers.
The distance between the pair of substrates can be kept constant without being affected by warpage or deformation of the substrate to be used or distortion of the substrate generated when the sealing material containing the seal spacer is cured. it can. Such a gap spacer
The gap spacer is intermittently ejected from the ejection section
Gap gap according to the number of gap spacer ejections.
Move the discharge unit on the substrate while controlling the
As a result, a desired amount of the gap spacer is provided on the substrate.
The cloth density can be reliably formed .
【0016】シールスペーサ入りのシール材が硬化する
ときに発生する基板の歪を、シミュレーションにより解
明したところ、ギャップスペーサを基板対の間に均一に
配置した場合には、基板対の中央付近が膨らむ現象が見
いだされた。この現象は実際の生産時にも見いだされて
いる。このため従来は前記したように、ギャップスペー
サの配置方法には手を付けず、この膨らみが小さくなる
ように、処理時間を長くしたり、加圧封止を行う事によ
り対処していた。The distortion of the substrate generated when the sealing material containing the seal spacer is cured is clarified by simulation. When the gap spacer is arranged uniformly between the pair of substrates, the vicinity of the center of the pair of substrates expands. A phenomenon was found. This phenomenon has been found in actual production. Therefore, conventionally, as described above, the arrangement method of the gap spacer is not changed, and the processing time is increased or the pressure sealing is performed so as to reduce the bulge.
【0017】これに対して請求項2記載の発明では、基
板対の間隔を一定にするギャップスペーサの配置は、吸
着板にギャップスペーサの配置に対応した分布密度に吸
着孔を設け、吸着孔に吸着されたギャップスペーサを吸
着孔から基板上に付着させることによって、基板上にギ
ャップスペーサの所望の分布密度を確実に形成すること
が可能となる。 On the other hand, in the invention according to claim 2, the base
The arrangement of the gap spacer that keeps the distance between the plate pairs
Adsorption to the distribution density corresponding to the gap spacer arrangement on the mounting plate
A hole is provided to absorb the gap spacer adsorbed by the suction hole.
By attaching to the substrate through the hole,
Ensuring the desired distribution density of cap spacers
Becomes possible.
【0018】[0018]
【0019】[0019]
【0020】請求項3記載の発明では、請求項1、2記
載の製造方法にさらに、基板対を加圧接着する際に、基
板面に対して強弱の面分布を持たせて加圧することを有
する製造方法であるので、基板対の間隔が狭くなりやす
い部位では弱く、逆に基板対の間隔が広くなりやすい部
位では強く加圧することが可能となり基板対の間隔を一
定にするギャップスペーサの配置を、より確実に効率よ
く形成することが可能となる。 According to a third aspect of the present invention, in the manufacturing method according to the first or second aspect, when bonding the pair of substrates under pressure, the pressure is applied while giving a strong or weak surface distribution to the substrate surface. Therefore, the pressure can be weakened in a portion where the distance between the substrate pairs is likely to be narrow, and conversely, can be increased strongly in a portion where the distance between the substrate pairs is likely to be large.
More efficient placement
Can be formed.
【0021】請求項4記載の発明では、基板のソリ・表
面の変形を把握することが可能となり、その測定結果を
基に、基板対の間隔がほぼ一定になるように、配置する
ギャップスペーサの適正分布を算出することが可能とな
る。さらに、算出された適正な分布でギャップスペーサ
を配置することができ、前記基板対を加圧し互いに接着
することにより、請求項1、2記載の製造方法を実施す
るための製造装置として機能する。According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to grasp the warpage and the deformation of the surface of the substrate, and based on the measurement results, the gap spacers are arranged so that the distance between the substrate pairs is substantially constant. An appropriate distribution can be calculated. Furthermore, the gap spacers can be arranged with the calculated appropriate distribution, and by functioning as a manufacturing apparatus for implementing the manufacturing method according to the first and second aspects, the substrate pairs are pressed and adhered to each other.
【0022】請求項6記載の発明は、請求項5記載の電
気光学素子の製造装置にさらに、基板対を加圧し互いに
接着する手段には面分布をもたせて基板を加圧する手段
を有する製造装置であるので、請求項1、2記載の製造
方法を実施するための製造装置として機能する。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing an electro-optical element according to the fifth aspect , further comprising a means for pressing the substrate with a surface distribution in the means for pressing and bonding the pair of substrates to each other. Therefore , it functions as a manufacturing apparatus for carrying out the manufacturing method according to claims 1 and 2 .
【0023】[0023]
【0024】[0024]
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 (実施例1)本実施例の平面略図を図1(A)に示し
た。また、図1(A)の矢印部断面略図を図1(B)に
示した。表面に透明電極(図示せず)が形成されている
ガラス基板1が、互いに透明電極側が向き合うように対
向され、周囲はシールスペーサ4入りのシール材5によ
り基板1,1間にギャップを保つように封着されてい
る。この基板間には液晶材料が電気光学材料3として封
入されている。また、基板対1,1の両外側には、偏光
板(図示せず)が、さらに電気光学材料と接する面には
配向膜(図示せず)が配置され、TN(ツイステッドネ
マチック)型の液晶素子を形成している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. 1A is a schematic plan view of this embodiment. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of an arrow portion in FIG. A glass substrate 1 having a transparent electrode (not shown) formed on the surface thereof is opposed to each other so that the transparent electrode sides face each other, and a gap is maintained between the substrates 1 and 1 by a sealing material 5 containing a sealing spacer 4. Sealed to. A liquid crystal material is sealed as an electro-optical material 3 between the substrates. A polarizing plate (not shown) is disposed on both outer sides of the substrate pair 1 and 1, and an alignment film (not shown) is disposed on a surface in contact with the electro-optic material. A TN (twisted nematic) type liquid crystal is provided. An element is formed.
【0025】またこの基板間には外径が約5μmのギャ
ップスペーサ2(積水化学製ミクロパール)が配置され
ているが、この配置密度は均一ではなく、ギャップスペ
ーサ高密度配置部13とギャップスペーサ低密度配置部
15とを有している。ここで、ギャップスペーサ高密度
配置部13とギャップスペーサ低密度配置部15との配
置は、事前にシミュレーションにより最適配置分布を導
出しそれに従った。ここで、図1(A)矢印断面部のギ
ャップスペーサ分布密度は図1(C)に示したように、
平均的には約100個/mm2 であり、ギャップスペー
サ高密度配置部13(図1(C)中13A)では最大1
50個/mm2 、ギャップスペーサ低密度配置部15
(図1(C)中15A)では最小50個/mm2 であ
り、従来よりも分布の幅が著しく広くなっている。A gap spacer 2 (micropearl manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having an outer diameter of about 5 μm is arranged between the substrates. However, the arrangement density is not uniform. And a low-density arrangement portion 15. Here, regarding the arrangement of the gap spacer high-density arrangement section 13 and the gap spacer low-density arrangement section 15, the optimal arrangement distribution was derived in advance by simulation and followed. Here, the gap spacer distribution density at the cross section of the arrow in FIG.
The average is about 100 pieces / mm 2 , and the maximum is 1 in the gap spacer high-density arrangement portion 13 (13A in FIG. 1C).
50 pieces / mm 2 , gap spacer low density arrangement part 15
(15A in FIG. 1C) is 50 particles / mm 2 at the minimum, and the distribution width is significantly wider than in the conventional case.
【0026】このような構成の基板間隔をギャップテス
ターで測定したところ、基板間隔は5±0.05μmの
範囲に入っており、従来のギャップスペーサを均一に配
置した場合より基板間隔の均一な、従って表示品位の良
好な液晶素子が得られた。When the gap between the substrates having such a configuration was measured by a gap tester, the gap between the substrates was within a range of 5 ± 0.05 μm, and the gap between the substrates was more uniform than when the conventional gap spacers were uniformly arranged. Therefore, a liquid crystal element having good display quality was obtained.
【0027】つぎに、本実施例のギャップスペーサの配
置方法を図4に示した断面略図を用いて説明する。密閉
容器31には高圧流体を送り込むための高圧流体導入部
33が設けられている。ここで流体としては、乾燥空気
や乾燥窒素等の気体が適しており、圧力としては0.5
〜2kg/cm2 が適しているが、揮発性の液体を用い
ることも出来る。この密閉容器31内には、磁石37と
コイル39により動作を制御された可動弁41と固定弁
43とがあり、高圧室45からギャップスペーサ保持室
47への高圧流体の流入を制御することが出来る。本実
施例ではコイル39が可動弁41に固定されているが、
磁石37とコイル39の位置を逆にしてもかまわない
が、可動弁41を正確に高速動作しなければならないた
め、可動弁41は軽い構造が望ましい。また、可動弁4
1を正確に高速で制御する方法として、磁石37とコイ
ル39とを用いる代わりに、圧電素子を用いることもで
きる。Next, a method of arranging the gap spacers of this embodiment will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. The sealed container 31 is provided with a high-pressure fluid introduction part 33 for sending a high-pressure fluid. Here, a gas such as dry air or dry nitrogen is suitable as the fluid, and the pressure is 0.5
22 kg / cm 2 is suitable, but volatile liquids can also be used. The closed container 31 includes a movable valve 41 and a fixed valve 43 whose operations are controlled by a magnet 37 and a coil 39. The movable valve 41 and the fixed valve 43 control the flow of the high-pressure fluid from the high-pressure chamber 45 to the gap spacer holding chamber 47. I can do it. In this embodiment, the coil 39 is fixed to the movable valve 41,
Although the positions of the magnet 37 and the coil 39 may be reversed, the movable valve 41 should preferably have a light structure because the movable valve 41 must operate accurately and at high speed. The movable valve 4
As a method for accurately controlling 1 at high speed, a piezoelectric element can be used instead of using the magnet 37 and the coil 39.
【0028】また、ギャップスペーサ保持室47内に
は、基板間に分布させるギャップスペーサ2bが保持さ
れている。この状態でギャップスペーサ保持室47へ高
圧流体を流入させないで静置しておくと、ギャップスペ
ーサ2bはギャップスペーサ保持室47の底部に沈澱し
ているが、可動弁を動かしてギャップスペーサ保持室4
7へ高圧流体をパルス的に短時間流入させると、ギャッ
プスペーサ2aはギャップスペーサ保持室47内に舞い
上がり、同時に内径が約100μmである吐出部35か
ら基板1表面に吹き出される。ギャップスペーサ2を基
板1表面に吹きつけながら、基板1を移動(図4では左
方向に移動)することにより、基板1全面にギャップス
ペーサ2を散布する事が出来る。In the gap spacer holding chamber 47, the gap spacers 2b distributed between the substrates are held. If the high-pressure fluid is not allowed to flow into the gap spacer holding chamber 47 in this state, the gap spacer 2b is settled at the bottom of the gap spacer holding chamber 47.
When a high-pressure fluid is caused to flow into the gap spacer 7 for a short time, the gap spacer 2a rises into the gap spacer holding chamber 47, and is simultaneously blown out from the discharge portion 35 having an inner diameter of about 100 μm onto the surface of the substrate 1. By moving the substrate 1 (moving to the left in FIG. 4) while spraying the gap spacer 2 on the surface of the substrate 1, the gap spacer 2 can be spread over the entire surface of the substrate 1.
【0029】また、高圧流体をパルス的に噴出させる高
圧流体噴出時間とギャップスペーサ2の吐出量との関係
は図5のようになっており、ギャップスペーサ2の吐出
量は、高圧流体噴出時間には依らず、高圧流体の圧力に
よっている。また、ギャップスペーサ2の総散布量は高
圧流体噴出のパルス回数により制御可能であった。つま
り、所定箇所への高圧流体噴出パルスの回数を変えるこ
とにより、散布量を制御することが可能である。さら
に、高圧流体の圧力が約1kg/cm2であるときの吐
出部35先端から基板1表面までの距離Dとギャップス
ペーサ2が散布される範囲との関係が図6のようになっ
ていた。このことから、距離Dを10mm2 とし、高圧
流体の圧力を1kg/cm2としたときに、平均的な配
置密度である約100個/mm2のためには約8回、ギ
ャップスペーサ高密度配置部13では約12回、ギャッ
プスペーサ低密度配置部15では約4回の散布により本
実施例のギャップスペーサ配置に密度分布を設ける事が
可能であることが分かる。The relationship between the high-pressure fluid ejection time for ejecting the high-pressure fluid in a pulsed manner and the discharge amount of the gap spacer 2 is as shown in FIG. 5, and the discharge amount of the gap spacer 2 depends on the high-pressure fluid ejection time. Does not depend on the pressure of the high-pressure fluid. The total application rate of gap spacer 2 were Tsu Oh controllable by the pulse number of the high pressure fluid jetting. That is, it is possible to control the amount of spraying by changing the number of high pressure fluid ejection pulses to a predetermined location. FIG. 6 shows the relationship between the distance D from the tip of the discharge unit 35 to the surface of the substrate 1 and the range in which the gap spacer 2 is sprayed when the pressure of the high-pressure fluid is about 1 kg / cm 2 . From this, when the distance D is 10 mm 2 and the pressure of the high-pressure fluid is 1 kg / cm 2 , the gap spacer height is about eight times for an average arrangement density of about 100 pieces / mm 2. It can be seen that it is possible to provide a density distribution in the gap spacer arrangement of the present embodiment by spraying about 12 times in the density arrangement section 13 and about 4 times in the gap spacer low-density arrangement section 15.
【0030】このようにしてギャップスペーサ配置に密
度分布を設けた基板1を用いた基板対を対向させ、基板
対を加圧接着して液晶素子を形成した。In this way, a pair of substrates using the substrate 1 provided with the density distribution in the gap spacer arrangement was opposed to each other, and the substrate pairs were bonded under pressure to form a liquid crystal element.
【0031】本実施例での高圧流体の制御には、磁石3
7とコイル39による弁機構を用いたが、本発明はこれ
に限られるものではなく、正確に短時間での開閉動作が
可能であれば、どのようなものでも本発明の効果が得ら
れることは言うまでもない。In the present embodiment, the control of the high pressure fluid
Although the valve mechanism using the coil 7 and the coil 39 was used, the present invention is not limited to this, and the effect of the present invention can be obtained with any type as long as opening and closing operations can be performed accurately and in a short time. Needless to say.
【0032】例えば、図18に示したような機構でも一
定量のギャップスペーサ2を定量吐出する事が可能であ
る。図18で符号48は固定弁、符号49はバネ材より
なる可動弁である。ギャップスペーサ保持室47内に
は、基板間に分布させるギャップスペーサ2が保持され
ている。この状態でギャップスペーサ保持室47へ高圧
流体を流入させないで静置しておくと、固定弁48と可
動弁49との間には僅かな隙間があり、ギャップスペー
サ2はギャップスペーサ保持室47の底部に沈澱してい
るが、高圧室45に高圧流体を連続的に導入すると、可
動弁49と固定弁48との間の隙間からギャップスペー
サ保持室47へ高圧流体が流入しギャップスペーサ2は
ギャップスペーサ保持室47内に舞い上がり、同時に内
径が約100μmである吐出部35から基板1表面に吹
き出される。For example, it is possible to discharge a fixed amount of the gap spacer 2 in a constant amount even with a mechanism as shown in FIG. In FIG. 18, reference numeral 48 denotes a fixed valve, and reference numeral 49 denotes a movable valve made of a spring material. In the gap spacer holding chamber 47, the gap spacers 2 distributed between the substrates are held. In this state, if the high-pressure fluid is allowed to flow into the gap spacer holding chamber 47 without allowing it to flow, there is a slight gap between the fixed valve 48 and the movable valve 49. Although settled at the bottom, when high-pressure fluid is continuously introduced into the high-pressure chamber 45, the high-pressure fluid flows into the gap spacer holding chamber 47 from the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48, and the gap spacer 2 The ink flows up into the spacer holding chamber 47 and is simultaneously blown out from the ejection portion 35 having an inner diameter of about 100 μm onto the surface of the substrate 1.
【0033】この時、可動弁49と固定弁48との間の
隙間を高圧流体が通過するため、ベルヌーイの定理とし
て知られている現象により、可動弁49は固定弁48に
引きつけられ、可動弁49と固定弁48との間の隙間が
狭くなり高圧流体の流入が妨げられ、ギャップスペーサ
2の吐出が停止する。高圧流体の流入が妨げられたとこ
ろで、可動弁49を固定弁48に引きつけていた力が減
少し、再び可動弁49と固定弁48との間の隙間が広く
なり、高圧流体の流入が盛んになり、ギャップスペーサ
2が吐出されると同時に可動弁49が固定弁48に引き
つけられる。このようにバネ材である可動弁49が自励
振動をし、高圧流体を連続的に導入しても、ギャップス
ペーサ2は間欠的に吐出され、基板1を移動することに
より、基板1全面にギャップスペーサ2を散布する事が
出来る。本構成では、高圧流体の圧力と可動弁のバネ圧
とで吐出量を制御することが可能である。At this time, since the high-pressure fluid passes through the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48, the movable valve 49 is attracted to the fixed valve 48 by a phenomenon known as Bernoulli's theorem. The gap between the valve 49 and the fixed valve 48 is narrowed, so that the inflow of the high-pressure fluid is prevented, and the discharge of the gap spacer 2 is stopped. When the inflow of the high-pressure fluid is hindered, the force that has attracted the movable valve 49 to the fixed valve 48 is reduced, and the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48 is widened again. The movable valve 49 is attracted to the fixed valve 48 at the same time when the gap spacer 2 is discharged. As described above, even when the movable valve 49, which is a spring material, vibrates self-excitedly and continuously introduces high-pressure fluid, the gap spacer 2 is intermittently discharged and moves the substrate 1 so that the entire surface of the substrate 1 is moved. The gap spacers 2 can be scattered. In this configuration, the discharge amount can be controlled by the pressure of the high-pressure fluid and the spring pressure of the movable valve.
【0034】本実施例では、ギャップスペーサ配置に密
度分布を設けるために、高圧吐出方式の製造装置を用い
たが、同様の配置密度分布が得られるものであれば、同
様の効果が得られる。その例として、図7に示した吸着
方式、図9に示した篩方式とが有効なものとして挙げら
れる。図7に示した断面略図を用いて吸着方式について
説明する。所定の分布密度で吸着孔55が形成された吸
着板51の一方の圧力調節室53内を減圧状態にし、吸
着孔55にギャップスペーサ2を吸着する。In this embodiment, in order to provide a density distribution in the gap spacer arrangement, a high-pressure discharge type manufacturing apparatus is used. However, similar effects can be obtained as long as the same arrangement density distribution can be obtained. As an example, the adsorption system shown in FIG. 7 and the sieve system shown in FIG. 9 are effective. The suction method will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. One of the pressure adjusting chambers 53 of the suction plate 51 in which the suction holes 55 are formed at a predetermined distribution density is set in a reduced pressure state, and the gap spacers 2 are sucked into the suction holes 55.
【0035】吸着孔55にギャップスペーサ2を吸着す
る方法を図8を用いて説明する。ギャップスペーサバッ
ト57の中にギャップスペーサ2を静置する。この状態
で吸着板51をギャップスペーサバット57に対向させ
る(図8(A))。この状態で圧力調節室53内を減圧
しながら、ギャップスペーサバット57に密着させた振
動子58に電源59から励振信号を印加し、振動子58
を振動させる。これにより、ギャップスペーサバット5
7内のギャップスペーサ2が浮遊し、吸着板51の吸着
孔55に吸い付けられる(図8(B))。この状態を保
持することにより、すべての吸着孔55にギャップスペ
ーサ2を吸着することが可能となる(図8(C))。A method of sucking the gap spacer 2 into the suction hole 55 will be described with reference to FIG. The gap spacer 2 is left in the gap spacer butt 57. In this state, the suction plate 51 is made to face the gap spacer butt 57 (FIG. 8A). In this state, while reducing the pressure in the pressure control chamber 53, an excitation signal is applied from a power supply 59 to the vibrator 58 that is in close contact with the gap spacer butt 57,
Vibrates. Thereby, the gap spacer butt 5
The gap spacers 2 in 7 float and are sucked into the suction holes 55 of the suction plate 51 (FIG. 8B). By maintaining this state, the gap spacer 2 can be sucked into all the suction holes 55 (FIG. 8C).
【0036】また、吸着孔55にギャップスペーサ2を
吸着するために、図17に示したように前記高圧吐出方
式を利用することも有効である。ギャップスペーサ配置
装置73の中にギャップスペーサ2を静置し、吸着板5
1をギャップスペーサ配置装置73に対向させる。この
状態で圧力調節室53内を減圧しながら、ギャップスペ
ーサ配置装置73内に高圧気体を導入すと、ギャップス
ペーサ配置装置内のギャップスペーサ2が吐出部35か
ら吐出され、吸着板51の吸着孔55に吸い付けられる
(図17(A))。この状態を保持することにより、す
べての吸着孔55にギャップスペーサ2を吸着すること
が可能となる(図17(B))。It is also effective to use the high-pressure discharge method as shown in FIG. The gap spacer 2 is allowed to stand still in the gap spacer placement device 73, and the suction plate 5
1 is opposed to the gap spacer arrangement device 73. In this state, when the high-pressure gas is introduced into the gap spacer arrangement device 73 while depressurizing the pressure adjustment chamber 53, the gap spacer 2 in the gap spacer arrangement device is ejected from the ejection portion 35, and the suction hole of the suction plate 51 is sucked. 55 (FIG. 17 (A)). By maintaining this state, the gap spacer 2 can be sucked into all the suction holes 55 (FIG. 17B).
【0037】このようにして吸着孔55にギャップスペ
ーサ2を吸着した状態で、吸着板51を基板1の所定の
位置に対向させる。その後、圧力調節室53内を外圧と
同等あるいは若干加圧状態にすると、吸着孔55に吸着
されていたギャップスペーサ2の吸着状態が解除され、
対向して配置されている基板1の所定の表面に落下付着
する。これを繰り返すことにより、基板1の全面にギャ
ップスペーサ2を配置することが可能となる。ここで、
必要に応じて、吸着孔55の形成密度が異なる吸着板5
1を用いることにより、異なる密度でギャップスペーサ
2を吸着することが可能となり、異なる密度で基板1表
面にギャップスペーサ2を配置することが出来る。つま
り、平均的配置にする位置には吸着孔55が約100個
/mm2である吸着板51を用い、高密度配置部13に
は約150個/mm2 である吸着板51を、さらに低密
度配置部15には約50個/mm2 である吸着板51を
用いる。本装置を用いた方法でも、図1に示した液晶素
子を製造することが可能である事が確認された。The suction plate 51 is opposed to a predetermined position of the substrate 1 in a state where the gap spacer 2 is sucked in the suction hole 55 in this manner. After that, when the inside of the pressure adjusting chamber 53 is made equal to or slightly pressurized to the external pressure, the suction state of the gap spacer 2 sucked in the suction hole 55 is released,
Drops and adheres to a predetermined surface of the substrate 1 arranged opposite to the substrate. By repeating this, the gap spacer 2 can be arranged on the entire surface of the substrate 1. here,
If necessary, the suction plates 5 having different formation densities of the suction holes 55 can be used.
By using 1, the gap spacers 2 can be adsorbed at different densities, and the gap spacers 2 can be arranged on the surface of the substrate 1 at different densities. That is, the suction plate 51 having the suction holes 55 of about 100 / mm 2 is used at the position of the average arrangement, and the suction plate 51 of about 150 / mm 2 is used in the high-density arrangement section 13. Adsorption plates 51 of about 50 pieces / mm 2 are used for the density arrangement section 15. It was confirmed that the liquid crystal element shown in FIG. 1 can be manufactured by the method using the present apparatus.
【0038】次に、図9に示した断面略図を用いて篩方
式について説明する。穴径が、用いるギャップスペーサ
2の外径の1.5倍程度で、所定の密度の落下孔65が
形成された篩61の上側にギャップスペーサ2を多数配
置する(図9(A))。その後、スキージ63を移動さ
せて篩61上のギャップスペーサ2を落下孔65内に擦
り込む(図9(B))。ここで、ギャップスペーサ2は
落下せず、落下孔65内に保持されている。これは、詳
細は不明であるが、スキージ63が帯電していた方が過
不足無くギャップスペーサ2が落下孔65内に保持され
ており好適であることから、ギャップスペーサ2が外径
5μmと微細なため、擦り込み操作時に発生する静電気
により篩表面に保持されるためと思われる。この状態で
篩61を基板1の所定の位置に対向させる(図9
(C))。その後、篩61に衝撃または振動を加える
か、発生している静電気を除去あるいは所定の電荷を帯
電させることにより、落下孔65に吸着されていたギャ
ップスペーサ2の吸着状態が解除され、対向して配置さ
れている基板1の所定の表面に落下付着する。これを繰
り返すことにより、基板1の全面にギャップスペーサ2
を配置することが可能となる。Next, the sieving method will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. A large number of gap spacers 2 are arranged above the sieve 61 having a hole diameter of about 1.5 times the outer diameter of the gap spacer 2 to be used and having a predetermined density of the drop holes 65 (FIG. 9A). Thereafter, the squeegee 63 is moved to rub the gap spacer 2 on the sieve 61 into the drop hole 65 (FIG. 9B). Here, the gap spacer 2 does not fall and is held in the fall hole 65. Although the details are unknown, it is preferable that the squeegee 63 is charged because the gap spacer 2 is held in the drop hole 65 without excess or shortage, so that the gap spacer 2 has a fine outer diameter of 5 μm. Therefore, it is considered that static electricity generated during the rubbing operation is retained on the surface of the sieve. In this state, the sieve 61 is opposed to a predetermined position on the substrate 1 (FIG. 9).
(C)). Thereafter, by applying a shock or vibration to the sieve 61, or removing generated static electricity or charging a predetermined charge, the suction state of the gap spacer 2 that has been sucked in the drop hole 65 is released, and Drops and adheres to a predetermined surface of the substrate 1 placed. By repeating this, the gap spacer 2 is formed over the entire surface of the substrate 1.
Can be arranged.
【0039】ここで、必要に応じて、落下孔65の形成
密度が異なる篩61を用いることにより、異なる密度で
ギャップスペーサ2を吸着することが可能となり、異な
る密度で基板1表面にギャップスペーサ2を配置するこ
とが出来る。つまり、平均的配置にする位置には落下孔
65が約100個/mm2 である篩61を用い、高密度
配置部13には約150個/mm2 である篩61を、さ
らに低密度配置部15には約50個/mm2 である篩6
1を用いる。本方法でも、図1に示した液晶素子を製造
することが可能である事が確認された。Here, if necessary, the gap spacers 2 can be adsorbed at different densities by using the sieves 61 having different formation densities of the drop holes 65, and the gap spacers 2 can be adsorbed at different densities on the surface of the substrate 1. Can be arranged. In other words, the position of the average arrangement using a sieve 61 fall hole 65 is about 100 / mm 2, the high-density arrangement unit 13 a screen 61 is about 150 / mm 2, further low-density arrangement The part 15 has a sieve 6 of about 50 pieces / mm 2.
Use 1. It has been confirmed that the liquid crystal device shown in FIG. 1 can be manufactured by this method.
【0040】本実施例では、上記のようにギャップスペ
ーサ2を配置するために高圧吐出方式、吸着方式あるい
は篩方式を用いた。この方法によると、従来ギャップス
ペーサの数%しか基板上に配置できず、材料の利用効率
が非常に悪くコストアップの要因であったのに対し、ギ
ャップスペーサ2を個々に確実に基板の表面に配置でき
るため、ギャップスペーサ2の利用効率が90%程度と
格段に向上した。In this embodiment, a high-pressure discharge system, an adsorption system or a sieve system is used to dispose the gap spacers 2 as described above. According to this method, conventionally, only a few% of the gap spacers can be arranged on the substrate, and the utilization efficiency of the material is extremely low, which causes a cost increase. Since they can be arranged, the utilization efficiency of the gap spacers 2 is remarkably improved to about 90%.
【0041】本実施例はTN型の液晶素子についてであ
るが、TFT駆動の液晶素子・STN(スーパーツイス
テッドネマチック)型液晶素子や、強誘電液晶型液晶素
子等基板間隔を厳密に制御しなければならない電気光学
素子においても、本実施例は適用でき、同様の作用・効
果が得られる。The present embodiment relates to a TN type liquid crystal element. However, unless the distance between substrates such as a TFT driven liquid crystal element / STN (super twisted nematic) type liquid crystal element and a ferroelectric liquid crystal type liquid crystal element is strictly controlled. This embodiment can be applied to an electro-optical element that does not need to be operated, and the same operation and effect can be obtained.
【0042】(実施例2)本実施例の平面略図を図2
(A)に示した。また、図2(A)の矢印部断面略図を
図2(B)に示した。本実施例が前記実施例1と異なる
のは、ギャップスペーサ2の配置が、基板中央部が高密
度配置部13で約150個/mm2 であり、シール材近
傍が低密度配置部15で約50個/mm2 である点であ
る。図2(A)矢印部のギャップスペーサ分布密度は図
2(C)に示したように、ギャップスペーサ高密度配置
部13(図2(C)中13A)では約150個/m
m2 、ギャップスペーサ低密度配置部15(図2(C)
中15A)では約50個/mm2 であった。(Embodiment 2) A schematic plan view of this embodiment is shown in FIG.
(A). FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of an arrow portion in FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that the gap spacers 2 are arranged at about 150 pieces / mm 2 in the high-density arrangement section 13 in the central portion of the substrate and in the low-density arrangement section 15 in the vicinity of the sealing material. The point is 50 / mm 2 . As shown in FIG. 2C, the gap spacer distribution density at the arrow portion in FIG. 2A is about 150 / m in the gap spacer high-density arrangement portion 13 (13A in FIG. 2C).
m 2 , gap spacer low density arrangement portion 15 (FIG. 2C)
In 15A), the number was about 50 pieces / mm 2 .
【0043】こうすることにより、従来では基板対の中
央付近の基板間隔が広がり気味であった現象が完全に抑
制されており、基板間隔をギャップテスターで測定した
ところ、基板間隔は5±0.05μmの範囲に入ってお
り、従来のギャップスペーサを均一に配置した場合より
基板間隔の均一な、従って表示品位の良好な液晶素子が
得られた。なお、この効果はギャップスペーサ低密度配
置部15のギャップスペーサ2の分布密度が75個/m
m2以下で得られた。また、本実施例のギャップスペー
サ2の配置方法は前記実施例1と同様に、高圧吐出方式
の製造装置を用いたが、同様に図7に示した吸着方式、
図9に示した篩方式でも配置可能である。By doing so, the phenomenon in which the substrate spacing near the center of the substrate pair has been widened in the past has been completely suppressed, and when the substrate spacing was measured with a gap tester, the substrate spacing was 5 ± 0. The liquid crystal element was in the range of 05 μm, and the liquid crystal element was more uniform in the substrate spacing than in the case where the conventional gap spacers were uniformly arranged, and thus had good display quality. This effect is obtained when the distribution density of the gap spacers 2 in the gap spacer low-density arrangement portion 15 is 75 pieces / m.
m 2 or less. Further, the method of arranging the gap spacers 2 of this embodiment uses a high-pressure discharge type manufacturing apparatus as in the case of the first embodiment.
It can also be placed in a sieve scheme shown in FIG.
【0044】(実施例3)本実施例の平面略図を図3
(A)に示した。また、図3(A)の矢印部断面略図を
図3(B)に示した。本実施例が前記実施例2と異なる
のは、ギャップスペーサ2の配置が、基板中央部の高密
度配置部13の中央付近に低密度配置部15が存在して
いる点である。図3(A)矢印部のギャップスペーサ分
布密度は図3(C)に示したように、ギャップスペーサ
高密度配置部13(図3(C)中13A)では約150
個/mm2 、ギャップスペーサ低密度配置部15(図3
(C)中15A)では約50個/mm2 であった。(Embodiment 3) A schematic plan view of this embodiment is shown in FIG.
(A). FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of an arrow part in FIG. This embodiment differs from the second embodiment in that the gap spacers 2 are arranged such that a low-density arrangement portion 15 exists near the center of a high-density arrangement portion 13 in the center of the substrate. As shown in FIG. 3C, the gap spacer distribution density at the arrow portion in FIG. 3A is about 150 in the gap spacer high-density arrangement portion 13 (13A in FIG. 3C).
Pieces / mm 2 , gap spacer low-density arrangement portion 15 (FIG. 3
In 15A) of (C), the number was about 50 pieces / mm 2 .
【0045】こうすることにより、従来基板対の間隔が
複雑に変化していた現象が完全に抑制されており、基板
間隔をギャップテスターで測定したところ、基板間隔は
5±0.05μmの範囲に入っており、従来のギャップ
スペーサを均一に配置した場合より基板間隔の均一な、
従って表示品位の良好な液晶素子が得られた。なお、本
実施例のギャップスペーサ3の配置方法は前記実施例1
と同様に、高圧吐出方式の製造装置を用いたが、同様に
図7に示した吸着方式、図9に示した篩方式でも配置可
能である。By doing so, the phenomenon in which the distance between the pair of substrates is conventionally changed in a complicated manner is completely suppressed. When the distance between the substrates is measured with a gap tester, the distance between the substrates is in the range of 5 ± 0.05 μm. The gap between the substrates is more uniform than when the conventional gap spacers are evenly arranged.
Therefore, a liquid crystal element having good display quality was obtained. The method of arranging the gap spacer 3 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment.
Similar to, but using the manufacturing apparatus of high pressure ejection method, adsorption method shown similarly in FIG. 7, it is also positionable in a sieve scheme shown in FIG.
【0046】(実施例4)前記実施例1〜3ではギャッ
プスペーサの配置密度の分布(どの部分を高密度配置に
し、どの部分を低密度配置にするか)は、シミュレーシ
ョン結果に依っており、同一の部品条件・作業条件では
すべて同一の配置密度の分布としていた。これに対し
て、本実施例では、使用する基板のソリ・表面の変形を
測定し、最適なギャップスペーサ配置密度の分布を算出
し、ギャップスペーサを配置している。本実施例に用い
る製造装置の構成例を図10に示した。基板は基板搬入
部から導入される。この基板搬入部は特別なものではな
く、周知のものでかまわない。ついで基板は表面形状測
定部にて変位測定器71で表面の形状が測定される。測
定に際しては、非接触で測定できるレーザー式変位計
(例えばキーエンス社製LD2500)が適している。
基板の各部の変位を測定するに際して、図11に示した
ように複数(図11では3基)の変位測定器71の下を
基板1を移動させながら測定することが適している。な
お、図11(A)は測定系の側面略図を、図11(B)
は平面略図を示している。(Embodiment 4) In Embodiments 1 to 3, the distribution of the arrangement density of the gap spacers (which part is arranged at a high density and which part is arranged at a low density) depends on simulation results. The distribution of the same arrangement density was the same under the same part conditions and working conditions. On the other hand, in the present embodiment, the deformation of the warp and the surface of the substrate to be used is measured, the optimal gap spacer arrangement density distribution is calculated, and the gap spacers are arranged. FIG. 10 shows a configuration example of a manufacturing apparatus used in this embodiment. The substrate is introduced from the substrate loading section. The substrate loading section is not special, but may be a known one. Then, the surface shape of the substrate is measured by the displacement measuring device 71 in the surface shape measuring unit. For the measurement, a laser displacement meter (for example, LD2500 manufactured by KEYENCE CORPORATION) suitable for non-contact measurement is suitable.
When measuring the displacement of each part of the substrate, it is suitable to measure while moving the substrate 1 under a plurality of (three in FIG. 11) displacement measuring devices 71 as shown in FIG. FIG. 11A is a schematic side view of the measurement system, and FIG.
Shows a schematic plan view.
【0047】この測定結果を基に、ギャップスペーサ配
置算出部でギャップスペーサが均一に配置された場合に
基板対の間隔が狭くなりやすい部位には高密度で、前記
基板対の間隔が広くなりやすい部位には低密度で、基板
間の間隔が一定になるよう、ギャップスペーサの適正分
布を算出する。この算出は使用材料の寸法関係・熱・機
械特性と予備実験結果及びシミュレーション結果より行
う。この算出結果に従い、ギャップスペーサ配置装置7
3を用いてギャップスペーサ配置部で最適密度でギャッ
プスペーサを基板表面に配置する。ここで用いるギャッ
プスペーサ配置装置としては、図4に示した高圧吐出方
式の製造装置、図7に示した吸着方式の製造装置、図9
に示した篩方式の製造装置が適している。ギャップスペ
ーサが表面に形成された基板の所定の位置に、シール形
成部でシールスペーサ入りのシール材を形成し、加圧接
着部で対向基板と接着する。ここで用いるシール形成方
法及び加圧接着方法は特別なものではなく、周知のもの
である。Based on this measurement result, when the gap spacer arrangement calculation unit arranges the gap spacers uniformly, the gap between the substrate pairs is likely to be narrow, and the gap between the substrate pairs is likely to be large. Appropriate distribution of gap spacers is calculated so that the portions have low density and the spacing between substrates is constant. This calculation is performed based on the dimensional relationship, thermal and mechanical properties of the materials used, the results of preliminary experiments and simulations. According to the calculation result, the gap spacer placement device 7
3, the gap spacer is arranged on the substrate surface at the optimum density at the gap spacer arrangement portion. As the gap spacer arrangement device used here, the high-pressure discharge type manufacturing device shown in FIG. 4, the suction type manufacturing device shown in FIG.
Are suitable. A seal material containing the seal spacer is formed at a predetermined position of the substrate on which the gap spacer is formed on the surface at the seal forming portion, and is bonded to the opposing substrate at the pressure bonding portion. The seal forming method and the pressure bonding method used here are not special, but are well known.
【0048】このようにして接着された基板対は、基板
搬出部から搬出され検査等の後工程に進む。こうするこ
とにより、従来基板のソリ・表面の変形のために複雑に
変化していた基板間隔が完全に抑制されており、基板間
隔をギャップテスターで測定したところ、基板間隔は5
±0.05μmの範囲に入っており、従来のギャップス
ペーサを均一に配置した場合より基板間隔の均一な、従
って表示品位の良好な液晶素子が得られた。The pair of substrates bonded in this manner is carried out of the substrate carry-out portion and proceeds to a post-process such as inspection. In this way, the substrate interval, which has been complicatedly changed due to the warpage and surface deformation of the substrate, is completely suppressed. When the substrate interval is measured with a gap tester, the substrate interval is 5.
The liquid crystal element was in the range of ± 0.05 μm, and a liquid crystal element having a more uniform substrate spacing than the conventional case where the gap spacers were uniformly arranged, and thus having a good display quality was obtained.
【0049】本実施例を図12を用いてさらに分かりや
すく説明する。基板1が図12(A)の様に変形してい
たとしても、表面形状測定部でギャップスペーサ配置前
に基板の変形を測定把握することができる。この測定結
果に基付き、図12(B)の様に、ギャップスペーサ高
密度配置部13とギャップスペーサ低密度配置部15を
設けることにより、基板対を加圧接着した際には、基板
間隔を均一にする事が可能となる。本実施例を用いるこ
とにより、従来は規格外の基板として除外されていた様
なソリや変形のあるものでも、正常な部品として利用で
きるようになり、基板に対する仕様を緩くすることが可
能となり、コストダウンが可能となる。This embodiment will be described more clearly with reference to FIG. Even if the substrate 1 is deformed as shown in FIG. 12A, the deformation of the substrate can be measured and grasped by the surface shape measuring section before the gap spacer is arranged. Based on this measurement result, as shown in FIG. 12 (B), by providing the gap spacer high-density arrangement section 13 and the gap spacer low-density arrangement section 15, when the substrate pair is bonded under pressure, the distance between the substrates is reduced. It is possible to make it uniform. By using this embodiment, even a warped or deformed one that has been conventionally excluded as a nonstandard board can be used as a normal part, and the specifications for the board can be loosened. Cost reduction becomes possible.
【0050】(実施例5)本実施例が前記実施例1と異
なる点は、基板対を加圧接着する部分である。実施例1
では加圧は基板全面にわたって均一な力で行ったが、本
実施例では、基板を加圧するに際して、図13に示した
面分布をもたせて基板を加圧できる製造装置を用いて加
圧接着した。図13で符号21は加圧盤、符号23は分
布加圧盤であり、加圧盤21は基板全面を加圧するもの
であり、分布加圧盤23は多数の圧電素子で構成されて
おり、多数の圧電素子はそれぞれ独立に制御が可能であ
り、基板1の所定の部分に応じて部分的に強くあるいは
弱く加圧することができる。(Embodiment 5) This embodiment is different from the above-described embodiment 1 in a portion where a pair of substrates is bonded under pressure. Example 1
In this example, the pressing was performed with a uniform force over the entire surface of the substrate. In this example, when the substrate was pressed, the substrate was pressed and bonded using a manufacturing apparatus capable of pressing the substrate with the surface distribution shown in FIG. . In FIG. 13, reference numeral 21 denotes a pressing plate, reference numeral 23 denotes a distributed pressing plate, the pressing plate 21 presses the entire surface of the substrate, and the distributed pressing plate 23 is composed of a large number of piezoelectric elements. Can be independently controlled, and can be partially or strongly pressurized according to a predetermined portion of the substrate 1.
【0051】本方法により、従来基板のソリ・表面の変
形のために複雑に変化していた基板間隔が完全に抑制さ
れ、基板間隔をギャップテスターで測定したところ、基
板間隔は5±0.03μmの範囲に入っており、従来の
基板を均一に加圧した場合よりはるかに基板間隔の均一
な、従って表示品位の良好な液晶素子が得られた。ま
た、本実施例の加圧接着方法を前記実施例4に適用する
と、さらに効果的である。According to this method, the distance between the substrates, which has been complicatedly changed due to warpage and deformation of the surface of the substrate, is completely suppressed. When the distance between the substrates is measured by a gap tester, the distance between the substrates is 5 ± 0.03 μm. Thus, a liquid crystal element having a much more uniform spacing between the substrates and thus a higher display quality than that obtained when a conventional substrate is uniformly pressed was obtained. Further, if the pressure bonding method of this embodiment is applied to the fourth embodiment, it is more effective.
【0052】[0052]
【発明の効果】本発明記載の電気光学素子の製造方法に
よれば、基板間に配置されているギャップスペーサが、
濃淡をもって適正に配置されているため、基板のソリ・
表面の変形やシールスペーサ入りのシール材が硬化する
ときに発生する基板の歪に起因する基板対の間隔のバラ
ツキが矯正され、基板間のギャップが均一で表示品位の
優れた電気光学素子を実現することが可能となる。ま
た、基板の規格を緩めることが可能となり、コストダウ
ンが可能となる。さらに、品質が安定するため製造歩留
まりも向上する。本発明記載の電気光学素子の製造装置
によれば、前記本発明記載の電気光学素子の製造方法を
確実に実施することが可能となる。 According to the method of manufacturing an electro-optical element according to the present invention, the gap spacer disposed between the substrates is
Since they are properly arranged with light and shade,
Variations in the substrate-to-substrate spacing caused by surface deformation and distortion of the substrate caused when the sealing material containing the seal spacers cures are corrected, realizing an electro-optic element with a uniform display gap and excellent display quality. It is possible to do. Further, it is possible to relax the standard of the substrate, and it is possible to reduce the cost. Further, since the quality is stable, the production yield is improved. Apparatus for manufacturing an electro-optical element according to the present invention
According to the method for manufacturing an electro-optical element according to the present invention,
It is possible to implement it reliably.
【図1】実施例1記載の電気光学素子の構造を説明する
図FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of an electro-optical element described in Example 1.
【図2】実施例2記載の電気光学素子の構造を説明する
図FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of an electro-optical element according to a second embodiment.
【図3】実施例3記載の電気光学素子の構造を説明する
図FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of an electro-optical element according to a third embodiment.
【図4】実施例1記載の高圧吐出法によるギャップスペ
ーサ濃淡配置方法を説明する図FIG. 4 is a view for explaining a method of arranging the density of the gap spacer by the high-pressure discharge method described in the first embodiment.
【図5】高圧流体噴出時間とギャップスペーサ吐出量と
の関係を示す図FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a high-pressure fluid ejection time and a gap spacer ejection amount.
【図6】吐出部先端の高さとギャップスペーサ散布範囲
との関係を示す図FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the height of the tip of the discharge unit and the range of spraying the gap spacer.
【図7】実施例1記載の吸着法によるギャップスペーサ
濃淡配置方法を説明する図FIG. 7 is a view for explaining a method of arranging the density of the gap spacer by the adsorption method described in Example 1.
【図8】ギャップスペーサを吸着する方法を説明する図FIG. 8 is a view for explaining a method of adsorbing a gap spacer.
【図9】実施例1記載の篩法によるギャップスペーサ濃
淡配置方法を説明する図FIG. 9 is a view for explaining a method of arranging the density of the gap spacer by the sieving method described in Example 1.
【図10】実施例4記載の製造装置の構成例を示す図FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of a manufacturing apparatus according to a fourth embodiment.
【図11】実施例4記載の変位測定器の配置を説明する
図FIG. 11 is a view for explaining an arrangement of a displacement measuring device according to a fourth embodiment.
【図12】実施例4を説明する図。FIG. 12 is a diagram illustrating a fourth embodiment.
【図13】実施例5記載の面分布をもたせて基板を加圧
できる製造装置を説明する図FIG. 13 is a view for explaining a manufacturing apparatus capable of pressing a substrate with a surface distribution as described in Example 5;
【図14】従来の電気光学素子の構造を説明する図FIG. 14 illustrates a structure of a conventional electro-optical element.
【図15】従来の電気光学素子の製造方法を説明する図FIG. 15 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing an electro-optical element.
【図16】従来の電気光学素子のギャップスペーサ散布
方法を説明する図FIG. 16 is a view for explaining a conventional method of dispersing a gap spacer of an electro-optical element.
【図17】ギャップスペーサを吸着する方法を説明する
図FIG. 17 is a view for explaining a method of adsorbing a gap spacer.
【図18】実施例1記載の高圧吐出法によるギャップス
ペーサ濃淡配置方法を説明する図FIG. 18 is a view for explaining a method of arranging the density of the gap spacer by the high-pressure discharge method described in the first embodiment.
1 基板 2 ギャップスペーサ 3 電気光学材料 4 シールスペーサ 5 シール材 6 電気光学素子 11 シール材近傍 13 ギャップスペーサ高密度配置部 15 ギャップスペーサ低密度配置部 17 ギャップスペーサ平均密度配置部 21 加圧盤 23 分布加圧盤 31 密閉容器 33 高圧流体導入部 35 吐出部 37 磁石 39 コイル 41 可動弁 43 固定弁 45 高圧室 47 ギャップスペサ保持室 51 吸着板 53 圧力調節室 55 吸着孔 57 ギャップスペーサバット 58 振動子 59 電源 61 篩 63 スキージ 65 落下孔 71 変位測定器 73 ギャップスペーサ配置装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Gap spacer 3 Electro-optical material 4 Seal spacer 5 Seal material 6 Electro-optical element 11 Near seal material 13 Gap spacer high density arrangement part 15 Gap spacer low density arrangement part 17 Gap spacer average density arrangement part 21 Pressure plate 23 Distribution Platen 31 Closed container 33 High pressure fluid introduction part 35 Discharge part 37 Magnet 39 Coil 41 Movable valve 43 Fixed valve 45 High pressure chamber 47 Gap spacer holding chamber 51 Suction plate 53 Pressure control chamber 55 Suction hole 57 Gap spacer butt 58 Vibrator 59 Power supply 61 Sieve 63 squeegee 65 drop hole 71 displacement measuring device 73 gap spacer placement device
フロントページの続き (72)発明者 森 政広 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アル プス電気株式会社内 (72)発明者 五十嵐 政美 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アル プス電気株式会社内 審査官 藤岡 善行 (56)参考文献 特開 昭62−134626(JP,A) 特開 平1−289915(JP,A) 特開 平2−139518(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1339 500 Continued on the front page (72) Inventor Masahiro Mori 1-7 Yukitani Otsukacho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masami Igarashi 1-7 Yukitani-Otsukacho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd. In-house examiner Yoshiyuki Fujioka (56) References JP-A-62-134626 (JP, A) JP-A-1-289915 (JP, A) JP-A-2-139518 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1339 500
Claims (5)
ーサが挟持されており、前記基板対の間には電気光学材
料が充填されており、前記基板対の周囲がシールスペー
サ入りのシール材で封止されている電気光学素子の製造
方法において、ギャップスペーサを吐出部から間欠的に
吐出させ、ギャップスペーサの吐出回数によりギャップ
スペーサの散布量を制御しながら、吐出部を基板上で移
動させ、前記基板のシール材の近傍をギャップスペーサ
の高密度配置部、中央部を前記ギャップスペーサ低密度
配置部とする工程と、前記基板対を加圧接着する工程と
を少なくとも有することを特徴とする電気光学素子の製
造方法。 1. A gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrate pairs, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the pair of substrates is a seal containing a seal spacer. manufacturing an electro-optical element sealed with the wood
In the method , the gap spacer is intermittently moved from the discharge portion.
Discharge and gap
Move the discharge unit on the substrate while controlling the amount of spacers sprayed.
And a gap spacer near the sealing material of the substrate.
The high density arrangement part, the center part is the gap spacer low density
A step of forming an arrangement portion, and a step of pressure-bonding the substrate pair
The production of an electro-optical element characterized by having at least
Construction method.
ペーサが挟持されており、前記基板対の間には電気光学
材料が充填されており、前記基板対の周囲がシールスペ
ーサ入りのシール材で封止されている電気光学素子の製
造方法において、吸着板にギャップスペーサの配置に対
応した分布密度の吸着孔を設け、該吸着孔にギャップス
ペーサを吸着する工程と、吸着板を基板と対向させ、ギ
ャップスペーサを吸着孔から基板上に付着させ、前記基
板のシール材の近傍をギャップスペーサの高密度配置
部、中央部を前記ギャップスペーサ低密度配置部とする
工程と、前記基板対を加圧接着する工程とを少なくとも
有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。 2. A gap between a pair of opposed substrates.
A pacer is sandwiched, and an electro-optic
The material is filled, and the area around the pair of substrates is sealed
Of an electro-optical element sealed with a sealing material containing
The gap spacer on the suction plate
Provide suction holes with a distribution density corresponding to the
The step of sucking the pacer and the suction plate facing the substrate
A cap spacer is attached to the substrate from the suction hole, and
High-density placement of gap spacers near the seal material of the plate
Part, the center part is the gap spacer low density arrangement part
And a step of pressure bonding the pair of substrates.
A method for manufacturing an electro-optical element, comprising:
して強弱の面分布を持たせて加圧することを特徴とする
請求項1または2に記載の電気光学素子の製造方法。 3. The method according to claim 1, wherein when the substrate pair is bonded under pressure, the substrate surface is bonded to the substrate.
It is characterized by having a strong and weak surface distribution and pressurizing
A method for manufacturing an electro-optical element according to claim 1.
形を測定する手段と、それぞれの基板を組み合わせたと
きの基板対の間隔がほぼ一定になるように、配置するギ
ャップスペーサの適正分布を算出する手段と、ギャップ
スペーサを前記算出された所定の分布で配置する手段
と、前記基板対を加圧し互いに接着する手段とを少なく
とも有することを特徴とする電気光学素子の製造装置。 4. Deformation of warpage and surface of a substrate constituting a substrate pair.
Combining the means to measure the shape and each substrate
In such a way that the spacing between the substrate pairs
Means for calculating proper distribution of gap spacers and gap
Means for arranging spacers in the calculated predetermined distribution
And means for pressing the substrate pair and bonding them to each other are reduced.
An apparatus for manufacturing an electro-optical element, comprising:
において、基板対を加圧し互いに接着する手段には、面
分布をもたせて基板を加圧する手段を有することを特徴
とする電気光学素子の製造装置。 5. An apparatus for manufacturing an electro-optical element according to claim 4.
In the means for pressing and bonding the substrate pair to each other,
Features that have means to pressurize the substrate with distribution
Manufacturing apparatus for an electro-optical element.
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