JPH06347804A - Electrooptical element and its production and apparatus for production thereof - Google Patents

Electrooptical element and its production and apparatus for production thereof

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JPH06347804A
JPH06347804A JP16018893A JP16018893A JPH06347804A JP H06347804 A JPH06347804 A JP H06347804A JP 16018893 A JP16018893 A JP 16018893A JP 16018893 A JP16018893 A JP 16018893A JP H06347804 A JPH06347804 A JP H06347804A
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昭廣 鈴木
Akihiro Obara
昭博 小原
Mitsuru Kano
満 鹿野
Keiji Kamata
恵治 鎌田
Masahiro Mori
政広 森
Masami Igarashi
政美 五十嵐
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Abstract

PURPOSE:To provide an electrooptical element which is uniform in the gap between substrates and has an excellent display grade by adequately arranging gaps spacers arranged between these substrates with specific varying densities. CONSTITUTION:The glass substrates 1 having transparent electrodes formed on their surfaces are so disposed that the transparent electrode sides face each other. The substrates are circumferentially sealed with a sealing material 5 contg. sealing spacers 4 so as to maintain the gap between the substrates 1 and 1. The arranging density of the gap spacers 3 between the substrates 1 and 1 is not uniform and has a part (high-density arranging part 13A) where the number of pieces per unit area is >=(N+4N<0.5>) pieces and a part (low-density arranging part 15A) where the number of pieces per unit area is <=(N+4N<0.5>) pieces when the number of the gap spacers 2 per unit area of a prescribed parts is N-pieces. As a result, the specified spacing between the substrates 1 and 1 is effectively maintained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、対向する一組の基板対
の間にギャップスペーサが挟持されており、この基板対
の間には電気光学材料が充填されており、基板対の周囲
がシールスペーサ入りのシール材で封止されている電気
光学素子、その製造方法及びその製造装置に関する。更
に詳しくは、基板間隔を精度良く管理する事が可能であ
る電気光学素子、その製造方法及びその製造装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the present invention, a gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrates, and an electro-optic material is filled between the pair of substrates. The present invention relates to an electro-optical element sealed with a sealing material containing a seal spacer, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus thereof. More specifically, the present invention relates to an electro-optical element capable of accurately controlling the distance between substrates, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶素子に代表される電気光学素
子では、図14に示したように、電気光学材料3が充填
され周辺をシールスペーサ4入りのシール材5により封
止されている基板対1,1の間隔を一定に保つ必要があ
った。このために、基板間には基板間隔を一定に保つた
めのギャップスペーサ2が配置されている。ここで、基
板間隔を一定にするためには、ギャップスペーサ2の粒
径が揃っていることは勿論であるが、その配置個数もバ
ラつかないように管理することが重要であると考えられ
てきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an electro-optical element represented by a liquid crystal element, as shown in FIG. 14, a substrate which is filled with an electro-optical material 3 and whose periphery is sealed with a seal material 5 containing a seal spacer 4. It was necessary to keep the distance between pair 1,1 constant. For this reason, gap spacers 2 are arranged between the substrates to keep the substrate spacing constant. Here, in order to make the substrate spacing constant, it goes without saying that the particle diameters of the gap spacers 2 are uniform, but it is considered important to manage so that the number of arranged spacers does not vary. It was

【0003】従来この配置個数は、単位面積当りの個数
が(N±2N0.5 )個の範囲内になるように、管理され
ていた。ここで、上記NとしてはTN(ツイステッドネ
マチック)液晶素子では約100個/mm2 が、つまり
配置個数としては、80個/mm2 〜120個/mm2
が適しているとされていた。この後、図15に示したよ
うに基板1を均一に加圧盤21で加圧して基板対1,1
をシールスペーサ4入りのシール材5で接着していた。
このため、このような電気光学素子6を製造する際に
は、このギャップスペーサ2の配置や、加圧盤21によ
る加圧をいかに均一にするかに腐心しており、そのため
の方法・装置が開発されてきた。例えば、ギャップスペ
ーサ2の均一配置のためには、図16に示すようなギャ
ップスペーサ噴霧装置74が用いられている。この装置
では、吐出部35から吐出されたギャップスペーサ2が
ギャップスペーサ噴霧装置74内で均一に分散し、基板
1表面に付着することを期待しているため、基板1表面
にギャップスペーサ2を均一に配置するために、吐出部
35と基板1との間隔を大きくする必要がある。また、
ギャップスペーサ噴霧装置74内のギャップスペーサ2
の極一部しか基板1に付着しないため、ギャップスペー
サの利用効率は数%程度であった。
Conventionally, the number of arrangements has been controlled so that the number per unit area is within the range of (N ± 2N 0.5 ). Here, the above N is about 100 / mm 2 in a TN (twisted nematic) liquid crystal element, that is, the number of arrangement is 80 / mm 2 to 120 / mm 2.
Was said to be suitable. After that, as shown in FIG. 15, the substrate 1 is uniformly pressed by the pressure plate 21 so that the substrate pair 1, 1
Was adhered with the seal material 5 containing the seal spacer 4.
For this reason, when manufacturing such an electro-optical element 6, the focus is on the arrangement of the gap spacers 2 and how to make the pressure applied by the pressure plate 21 uniform, and a method and apparatus therefor have been developed. Came. For example, in order to arrange the gap spacers 2 uniformly, a gap spacer spraying device 74 as shown in FIG. 16 is used. In this device, it is expected that the gap spacers 2 ejected from the ejection unit 35 will be uniformly dispersed in the gap spacer spraying device 74 and adhere to the surface of the substrate 1, so that the gap spacers 2 are evenly distributed on the surface of the substrate 1. Therefore, it is necessary to increase the distance between the ejection unit 35 and the substrate 1. Also,
Gap spacer 2 in the gap spacer spraying device 74
Since only a part of the above is attached to the substrate 1, the utilization efficiency of the gap spacer was about several percent.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の構成では、基板のソリ・表面の変形やシールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
に起因する基板対の間隔のバラツキは矯正できず、この
基板間隔のバラつきは電気光学素子の表示品位に重大な
悪影響を与えるものであった。そこで従来は、基板のソ
リ・表面の変形に関しては、事前に精密研磨や検査によ
り、規格外のものは除外していたため、コストアップの
要因となっていた。また、シールスペーサ入りのシール
材が硬化するときに発生する基板の歪に対しては、なる
べく低温での接着処理を行うか、加熱硬化後の冷却をゆ
っくり行い常温に戻るまで金型で固定しておく等処理時
間を長くする事により対応しようとしていた。また、電
気光学材料を基板間に注入後、注入口を封止する際に型
で加圧しながら行うこと(いわゆる加圧封止)もやられ
ているが、どうしても対応しきれない部分が残ってしま
い、表示品位を劣化させる要因となっていた。
However, in such a conventional configuration, the distance between the pair of substrates caused by the warp / surface deformation of the substrate and the strain of the substrate generated when the seal material containing the seal spacer is cured. Could not be corrected, and the variation in the substrate spacing had a serious adverse effect on the display quality of the electro-optical element. Therefore, conventionally, with respect to the warp and surface deformation of the substrate, non-standard ones have been excluded in advance by precision polishing and inspection, which has been a factor of cost increase. For distortion of the substrate that occurs when the seal material containing the seal spacer cures, either perform a bonding process at a temperature as low as possible, or slowly cool it after heating and curing and fix it with a mold until it returns to room temperature. I tried to deal with it by prolonging the processing time such as keeping. After the electro-optical material is injected between the substrates, it is also possible to perform pressure application with a mold when sealing the injection port (so-called pressure sealing), but there is a portion that cannot be handled by all means. , Was a factor that deteriorated the display quality.

【0005】本発明は、上記不都合を解消するためにな
されたものであり、使用する基板のソリや変形やシール
スペーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板
の歪の影響を受けずに、低コストで基板間のギャップが
一定で表示品位の優れた電気光学素子、およびこれを確
実に製造する製造方法さらにはそれに使用される製造装
置を提供するものである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned inconvenience, and is free from the influence of warpage or deformation of the substrate to be used and distortion of the substrate generated when the seal material containing the seal spacer is cured. The present invention provides an electro-optical element that is low in cost, has a constant gap between substrates, and is excellent in display quality, a manufacturing method for surely manufacturing the same, and a manufacturing apparatus used for the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
対向する一組の基板対の間にギャップスペーサが挟持さ
れており、この基板対の間には電気光学材料が充填され
ており、基板対の周囲がシールスペーサ入りのシール材
で封止されている電気光学素子において、前記ギャップ
スペーサの、所定部分の単位面積当りの配置個数がN個
であったときに、前記ギャップスペーサの単位面積当り
の個数が(N+4N0.5 )個以上および(N−4
0.5 )個以下である部分を有することを特徴とするも
のである。
The invention according to claim 1 is
A gap spacer is sandwiched between a pair of opposing substrates, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the substrate pair is sealed with a seal material containing a seal spacer. In the electro-optical element, when the number of the predetermined number of the gap spacers arranged per unit area is N, the number of the gap spacers per unit area is (N + 4N 0.5 ) or more and (N-4
It is characterized by having a portion of N 0.5 ) or less.

【0007】請求項2記載の発明は、対向する一組の基
板対の間にギャップスペーサが挟持されており、この基
板対の間には電気光学材料が充填されており、基板対の
周囲がシールスペーサ入りのシール材で封止されている
電気光学素子において、前記ギャップスペーサの、所定
部分の単位面積当りの配置個数がN個であったときに、
前記ギャップスペーサの配置個数がシール材近傍では単
位面積当り((1/2) N)個以下である部分を有すること
を特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, a gap spacer is sandwiched between a pair of opposing substrate pairs, and an electro-optic material is filled between the substrate pairs, so that the periphery of the substrate pair is In an electro-optical element sealed with a seal material containing a seal spacer, when the number of the gap spacers arranged per unit area of a predetermined portion is N,
It is characterized in that the number of the gap spacers arranged is ((1/2) N) or less per unit area in the vicinity of the sealing material.

【0008】請求項3記載の発明は、対向する一組の基
板対の間にギャップスペーサが挟持されており、この基
板対の間には電気光学材料が充填されており、基板対の
周囲がシールスペーサ入りのシール材で封止されている
電気光学素子の製造方法であって、前記基板対の間のギ
ャップスペーサの配置個数に濃淡の面分布を持たせて配
置する工程と、前記基板対を加圧接着する工程とを少な
くとも有することを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, a gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrate pairs, and an electro-optical material is filled between the pair of substrate, so that the periphery of the substrate pair is surrounded. A method of manufacturing an electro-optical element sealed with a seal material containing a seal spacer, the method comprising: arranging the number of gap spacers between the substrate pairs so as to have a light and shade surface distribution; And at least a step of adhering under pressure.

【0009】請求項4記載の発明は、請求項3記載の電
気光学素子の製造方法において、ギャップスペーサを配
置する際に、基板対を構成する基板のソリ・表面の変形
を測定する工程と、前記測定結果に従い、仮にギャップ
スペーサが均一に配置された場合に基板対の間隔が狭く
なりやすい部位には高密度で、前記基板対の間隔が広く
なりやすい部位には低密度で、前記基板対の間のギャッ
プスペーサの配置個数に濃淡の面分布を持たせて配置す
る工程とを少なくとも有することを特徴とするものであ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electro-optical element according to the third aspect, the step of measuring the warp / surface deformation of the substrates forming the substrate pair when disposing the gap spacers, According to the measurement result, if the gap spacers are uniformly arranged, the space between the substrate pairs is likely to be narrow at a high density, and the space between the substrate pairs is likely to be wide at a low density. And at least a step of arranging the number of gap spacers between them so as to have a light and shade surface distribution.

【0010】請求項5記載の発明は、請求項3記載の電
気光学素子の製造方法において、基板対を加圧接着する
際に、基板面に対して強弱の面分布を持たせて加圧する
ことを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an electro-optical element according to the third aspect, when the substrate pair is pressure-bonded, the substrate surface is pressed with a strong and weak surface distribution. It is characterized by.

【0011】請求項6記載の発明は、電気光学素子を製
造するための製造装置であって、基板対を構成する基板
のソリ・表面の変形を測定する手段と、それぞれの基板
を組み合わせたときの基板対の間隔がほぼ一定になるよ
うに、配置するギャップスペーサの適正分布を算出する
手段と、ギャップスペーサを前記算出された所定の分布
で配置する手段と、前記基板対を加圧し互いに接着する
手段とを少なくとも有することを特徴とするものであ
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a manufacturing apparatus for manufacturing an electro-optical element, wherein the means for measuring the warp / surface deformation of the substrates forming a substrate pair is combined with each substrate. Means for calculating an appropriate distribution of the gap spacers to be arranged so that the distance between the pair of substrates is almost constant, means for arranging the gap spacers in the calculated predetermined distribution, and pressing the substrate pair to bond them to each other. It has at least a means to do.

【0012】請求項7記載の発明は、請求項6記載の電
気光学素子を製造するための製造装置において、基板対
を加圧し互いに接着する手段には、面分布をもたせて基
板を加圧する手段を有することを特徴とするものであ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, in the manufacturing apparatus for manufacturing the electro-optical element according to the sixth aspect, the means for pressurizing the substrate pairs and adhering them to each other has a surface distribution to press the substrates. It is characterized by having.

【0013】請求項8記載の発明は、電気光学素子を製
造するための製造装置であって、容器内にギャップスペ
ーサを保持する手段と、前記容器に高圧流体を導入する
手段と、前記容器の一端から所定の期間前記ギャップス
ペーサを基板表面の所定の位置に吐出する手段とを少な
くとも有することを特徴とするものである。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a manufacturing apparatus for manufacturing an electro-optical element, comprising means for holding a gap spacer in a container, means for introducing a high-pressure fluid into the container, and And a means for ejecting the gap spacer to a predetermined position on the surface of the substrate from a first end for a predetermined period.

【0014】[0014]

【作用】基板のソリ・表面の変形はギャップスペーサの
散布前に測定把握することが可能であるし、シールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
も、模擬実験やシミュレーションによりあらかじめ推定
把握することが可能であったが、従来は前記したように
基板のソリ・表面の変形に関しては、事前に精密研磨や
検査により、規格外のものは除外しており、シールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
に対しては、処理時間を長くする事により対応しようと
していた。
[Operation] The warp and surface deformation of the substrate can be measured and grasped before the gap spacers are sprinkled, and the strain of the substrate generated when the seal material containing the seal spacer is hardened is simulated or simulated. Although it was possible to estimate and grasp in advance, conventionally, regarding the warp and surface deformation of the substrate, non-standard ones were excluded by precision polishing and inspection in advance as described above, and the It has been attempted to deal with the distortion of the substrate that occurs when the sealing material hardens by prolonging the processing time.

【0015】これに対し、請求項1記載の発明では、基
板対の間に配置するギャップスペーサの分布密度に(N
+4N0.5 )個以上から(N−4N0.5 )個以下まで大
きな濃淡がある。このギャップスペーサの配置は、ギャ
ップスペーサが均一に配置された場合に基板対の間隔が
狭くなりやすい部位には高密度で、逆に基板対の間隔が
広くなりやすい部位には低密度でギャップスペーサが配
置されている。このために、基板間隔が狭くなろうとし
ても多数のギャップスペーサにより基板間隔が保持さ
れ、ギャップスペーサ2で必要以上に間隔を保持しなく
てもよい部位には無駄にギャップスペーサ2が配置され
ていないため、使用する基板のソリや変形やシールスペ
ーサ入りのシール材が硬化するときに発生する基板の歪
の影響を受けずに、無駄なく基板対の間隔を一定にする
事が可能となる。
On the other hand, according to the first aspect of the invention, the distribution density of the gap spacers arranged between the pair of substrates is (N
There is a large shade from + 4N 0.5 ) or more to (N-4N 0.5 ) or less. When the gap spacers are uniformly arranged, the gap spacers are arranged at a high density in a portion where the distance between the substrate pairs tends to be narrow, and conversely, at a low density in a portion where the distance between the substrate pairs is likely to become wide. Are arranged. For this reason, even if the substrate spacing is narrowed, the substrate spacing is maintained by a large number of gap spacers, and the gap spacers 2 are unnecessarily disposed at the portions where the gap spacers 2 do not need to maintain the spacing more than necessary. Since there is no warp or deformation of the substrate to be used or the strain of the substrate that occurs when the seal material containing the seal spacer is cured, it is possible to keep the distance between the substrate pair constant without waste.

【0016】シールスペーサ入りのシール材が硬化する
ときに発生する基板の歪を、シミュレーションにより解
明したところ、ギャップスペーサを基板対の間に均一に
配置した場合には、基板対の中央付近が膨らむ現象が見
いだされた。この現象は実際の生産時にも見いだされて
いる。このため従来は前記したように、ギャップスペー
サの配置方法には手を付けず、この膨らみが小さくなる
ように、処理時間を長くしたり、加圧封止を行う事によ
り対処していた。
The strain of the substrate generated when the seal material containing the seal spacer is cured is clarified by simulation. When the gap spacers are uniformly arranged between the substrate pairs, the vicinity of the center of the substrate pair swells. A phenomenon was found. This phenomenon has also been found in actual production. For this reason, conventionally, as described above, the method of arranging the gap spacer is not touched, and the treatment time is increased or the pressure is sealed so that the bulge is reduced.

【0017】これに対して請求項2記載の発明では、ギ
ャップスペーサの所定部分の単位面積当りの配置個数が
N個であったときに、ギャップスペーサの配置個数がシ
ール材近傍では単位面積当り((1/2) N)個以下である
部分を設ける事により対処している。こうすることによ
り、シミュレーションの結果、基板対の中央付近が膨ら
む現象は見いだされず、基板間隔がほぼ均一になること
が分かった。この現象は、実験によっても確認された。
この理由は、まだ十分に解明されているわけでは無い
が、ギャップスペーサを全く用いずに基板対をシールス
ペーサ入りのシール材で接着固定すると、逆に基板対の
中央がくぼむシミュレーション結果および実験結果とか
ら合わせ考えることができる。それによると、本来くぼ
む方向に歪もうとしていた基板対は、シール材近傍のギ
ャップスペーサによりくぼむ方向に歪むことができなく
なり、逆の膨らむ方向に歪むが、シール材近傍のギャッ
プスペーサの配置密度が低い場合には、膨らむ方向への
歪も少なくなり、かつ基板対の中央付近にはギャップス
ペーサが配置されているためにくぼむこともなくなると
考えられる。
On the other hand, according to the second aspect of the invention, when the number of the predetermined portions of the gap spacers arranged per unit area is N, the number of the gap spacers arranged per unit area in the vicinity of the seal material is ( The problem is dealt with by providing a number of (1/2) N) or less. By doing so, as a result of simulation, it was found that the phenomenon that the vicinity of the center of the substrate pair swells was not found, and the substrate spacing became almost uniform. This phenomenon was also confirmed by experiments.
The reason for this has not been fully clarified yet, but if the substrate pair is adhesively fixed with the seal material containing the seal spacer without using the gap spacer at all, the center of the substrate pair is dented. You can think from the results. According to this, the pair of substrates, which was originally trying to distort in the direction of depression, cannot be distorted in the direction of depression due to the gap spacer near the sealing material, and distorts in the opposite bulging direction, but the gap spacer near the sealing material. It is considered that when the arrangement density is low, the strain in the swelling direction is small, and the gap spacers are arranged in the vicinity of the center of the substrate pair, so that there is no dent.

【0018】請求項3記載の発明では、基板対の間のギ
ャップスペーサの配置個数に濃淡の面分布を持たせて配
置し、前記基板対を加圧接着する製造方法を用いるため
に、請求項1および2記載の電気光学素子を製造するこ
とが可能となる。
According to the third aspect of the invention, since the number of the gap spacers arranged between the pair of substrates is arranged so as to have a light and shade surface distribution, and the pair of substrates is pressure-bonded, the manufacturing method is used. It is possible to manufacture the electro-optical element described in 1 and 2.

【0019】請求項4記載の発明では、請求項3記載の
製造方法にさらに、ギャップスペーサを配置する際に、
基板対を構成する基板のソリ・表面の変形を測定する工
程と、前記測定結果に従い、仮にギャップスペーサが均
一に配置された場合に基板対の間隔が狭くなりやすい部
位には高密度で、前記基板対の間隔が広くなりやすい部
位には低密度で、前記基板対の間のギャップスペーサの
配置個数に濃淡の面分布を持たせて配置する工程とを少
なくとも有する製造方法であるので、請求項1および2
記載の電気光学素子をより確実に製造することが可能と
なる。
According to a fourth aspect of the present invention, when the gap spacer is arranged in the manufacturing method according to the third aspect,
According to the process of measuring the warp / surface deformation of the substrates forming the substrate pair, and the measurement result, if the gap spacers are uniformly arranged, the space between the substrate pairs is likely to be narrow, and the density is high. A method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising at least a step of arranging at a portion where the distance between the pair of substrates tends to be wide with a low density and providing a number of gap spacers between the pair of substrates with a light and shade surface distribution. 1 and 2
It is possible to manufacture the described electro-optical element more reliably.

【0020】請求項5記載の発明では、請求項3記載の
製造方法にさらに、基板対を加圧接着する際に、基板面
に対して強弱の面分布を持たせて加圧することを有する
製造方法であるので、基板対の間隔が狭くなりやすい部
位では弱く、逆に基板対の間隔が広くなりやすい部位で
は強く加圧することが可能となり請求項1および2記載
の電気光学素子をより確実に効率よく製造することが可
能となる。
According to a fifth aspect of the present invention, in addition to the manufacturing method according to the third aspect, when the substrate pair is pressure-bonded, the substrate surface is pressed with a strong and weak surface distribution. Since it is a method, it is possible to apply a weak pressure to a portion where the distance between the substrate pair tends to be narrow and a strong pressure to a portion where the distance between the substrate pair tends to widen, so that the electro-optical element according to claim 1 or 2 can be more reliably performed. It becomes possible to manufacture efficiently.

【0021】請求項6記載の発明では、基板のソリ・表
面の変形を把握することが可能となり、その測定結果を
基に、基板対の間隔がほぼ一定になるように、配置する
ギャップスペーサの適正分布を算出することが可能とな
る。さらに、算出された適正な分布でギャップスペーサ
を配置することができ、前記基板対を加圧し互いに接着
することにより、請求項1および2記載の電気光学素子
を製造する製造装置、請求項3および4記載の製造方法
を実施するための製造装置として機能する。
According to the sixth aspect of the present invention, it is possible to grasp the warp / surface deformation of the substrate, and based on the measurement result, the gap spacers to be arranged are arranged so that the distance between the pair of substrates is substantially constant. It is possible to calculate the proper distribution. Furthermore, the gap spacers can be arranged with the calculated proper distribution, and the manufacturing apparatus for manufacturing the electro-optical element according to claim 1 or 2, by pressing the substrate pair and adhering them to each other, It functions as a manufacturing apparatus for carrying out the manufacturing method described in 4.

【0022】請求項7記載の発明は、請求項6記載の電
気光学素子の製造装置にさらに、基板対を加圧し互いに
接着する手段には面分布をもたせて基板を加圧する手段
を有する製造装置であるので、請求項1および2記載の
電気光学素子を製造する製造装置、請求項3,4および
5記載の製造方法を実施するための製造装置として機能
する。
According to a seventh aspect of the present invention, in addition to the electro-optical element manufacturing apparatus according to the sixth aspect, the manufacturing apparatus further includes means for pressing the substrates by applying a surface distribution to the means for pressing the substrate pairs and adhering them to each other. Therefore, it functions as a manufacturing apparatus for manufacturing the electro-optical element according to claims 1 and 2 and a manufacturing apparatus for carrying out the manufacturing method according to claims 3, 4 and 5.

【0023】請求項8記載の発明では、容器内にギャッ
プスペーサが保持され、この容器に高圧流体が導入さ
れ、この高圧流体により、容器の一端からギャップスペ
ーサを必要な密度で基板表面の所定の位置に配置するこ
とができるため、請求項1および2記載の電気光学素子
を製造する製造装置、請求項3,4および5記載の製造
方法を実施するための製造装置、さらには請求項6およ
び7記載の電気光学素子を製造するための製造装置の一
部としても機能する。
According to the present invention, the gap spacer is held in the container, and the high-pressure fluid is introduced into the container. The high-pressure fluid causes the gap spacer to reach a predetermined density on the surface of the substrate from one end of the container. A manufacturing apparatus for manufacturing the electro-optical element according to claims 1 and 2, and a manufacturing apparatus for performing the manufacturing method according to claims 3, 4 and 5, and further claim 6 and It also functions as part of a manufacturing apparatus for manufacturing the electro-optical element described in 7.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 (実施例1)本実施例の平面略図を図1(A)に示し
た。また、図1(A)の矢印部断面略図を図1(B)に
示した。表面に透明電極(図示せず)が形成されている
ガラス基板1が、互いに透明電極側が向き合うように対
向され、周囲はシールスペーサ4入りのシール材5によ
り基板1,1間にギャップを保つように封着されてい
る。この基板間には液晶材料が電気光学材料3として封
入されている。また、基板対1,1の両外側には、偏光
板(図示せず)が、さらに電気光学材料と接する面には
配向膜(図示せず)が配置され、TN(ツイステッドネ
マチック)型の液晶素子を形成している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) A schematic plan view of this embodiment is shown in FIG. Further, a schematic cross-sectional view of an arrow portion in FIG. 1 (A) is shown in FIG. 1 (B). Glass substrates 1 having transparent electrodes (not shown) formed on their surfaces are opposed to each other with their transparent electrode sides facing each other, and the periphery is kept by a sealing material 5 containing a seal spacer 4 so as to maintain a gap between the substrates 1 and 1. It is sealed to. A liquid crystal material is sealed as electro-optical material 3 between the substrates. Polarizing plates (not shown) are arranged on both outer sides of the substrate pair 1 and 1, and an alignment film (not shown) is arranged on a surface in contact with the electro-optical material, so that a TN (twisted nematic) type liquid crystal is formed. Forming the element.

【0025】またこの基板間には外径が約5μmのギャ
ップスペーサ2(積水化学製ミクロパール)が配置され
ているが、この配置密度は均一ではなく、ギャップスペ
ーサ高密度配置部13とギャップスペーサ低密度配置部
15とを有している。ここで、ギャップスペーサ高密度
配置部13とギャップスペーサ低密度配置部15との配
置は、事前にシミュレーションにより最適配置分布を導
出しそれに従った。ここで、図1(A)矢印断面部のギ
ャップスペーサ分布密度は図1(C)に示したように、
平均的には約100個/mm2 であり、ギャップスペー
サ高密度配置部13(図1(C)中13A)では最大1
50個/mm2 、ギャップスペーサ低密度配置部15
(図1(C)中15A)では最小50個/mm2 であ
り、従来よりも分布の幅が著しく広くなっている。
Although the gap spacers 2 (Micropearl made by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having an outer diameter of about 5 μm are arranged between the substrates, the arrangement density is not uniform, and the gap spacer high density arrangement portion 13 and the gap spacers are arranged. It has a low-density arrangement portion 15. Here, regarding the arrangement of the gap spacer high-density arrangement portion 13 and the gap spacer low-density arrangement portion 15, an optimal arrangement distribution was derived in advance by simulation and followed. Here, as shown in FIG. 1C, the gap spacer distribution density of the cross section of the arrow in FIG.
The average is about 100 / mm 2 , and the gap spacer high-density arrangement portion 13 (13A in FIG. 1C) has a maximum of 1.
50 pieces / mm 2 , gap spacer low-density arrangement portion 15
(15A in FIG. 1 (C)), the minimum is 50 pieces / mm 2 , and the width of the distribution is remarkably wider than in the conventional case.

【0026】このような構成の基板間隔をギャップテス
ターで測定したところ、基板間隔は5±0.05μmの
範囲に入っており、従来のギャップスペーサを均一に配
置した場合より基板間隔の均一な、従って表示品位の良
好な液晶素子が得られた。
When the gap between the substrates having such a structure was measured by a gap tester, the gap between the substrates was within a range of 5 ± 0.05 μm, and the gap between the substrates was more uniform than when the conventional gap spacers were uniformly arranged. Therefore, a liquid crystal element having a good display quality was obtained.

【0027】つぎに、本実施例のギャップスペーサの配
置方法を図4に示した断面略図を用いて説明する。密閉
容器31には高圧流体を送り込むための高圧流体導入部
33が設けられている。ここで流体としては、乾燥空気
や乾燥窒素等の気体が適しており、圧力としては0.5
〜2kg/cm2 が適しているが、揮発性の液体を用い
ることも出来る。この密閉容器31内には、磁石37と
コイル39により動作を制御された可動弁41と固定弁
43とがあり、高圧室45からギャップスペーサ保持室
47への高圧流体の流入を制御することが出来る。本実
施例ではコイル39が可動弁41に固定されているが、
磁石37とコイル39の位置を逆にしてもかまわない
が、可動弁41を正確に高速動作しなければならないた
め、可動弁41は軽い構造が望ましい。また、可動弁4
1を正確に高速で制御する方法として、磁石37とコイ
ル39とを用いる代わりに、圧電素子を用いることもで
きる。
Next, the method of arranging the gap spacers of this embodiment will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. The closed container 31 is provided with a high-pressure fluid introduction part 33 for feeding the high-pressure fluid. Here, a gas such as dry air or dry nitrogen is suitable as the fluid, and the pressure is 0.5
Approximately 2 kg / cm 2 is suitable, but a volatile liquid can also be used. Inside the closed container 31, there are a movable valve 41 and a fixed valve 43 whose operations are controlled by a magnet 37 and a coil 39, and it is possible to control the inflow of the high pressure fluid from the high pressure chamber 45 to the gap spacer holding chamber 47. I can. Although the coil 39 is fixed to the movable valve 41 in this embodiment,
The positions of the magnet 37 and the coil 39 may be reversed, but the movable valve 41 is required to operate accurately and at high speed, and therefore, the movable valve 41 is preferably light in structure. In addition, the movable valve 4
As a method of accurately controlling 1 at a high speed, a piezoelectric element can be used instead of using the magnet 37 and the coil 39.

【0028】また、ギャップスペーサ保持室47内に
は、基板間に分布させるギャップスペーサ2bが保持さ
れている。この状態でギャップスペーサ保持室47へ高
圧流体を流入させないで静置しておくと、ギャップスペ
ーサ2bはギャップスペーサ保持室47の底部に沈澱し
ているが、可動弁を動かしてギャップスペーサ保持室4
7へ高圧流体をパルス的に短時間流入させると、ギャッ
プスペーサ2aはギャップスペーサ保持室47内に舞い
上がり、同時に内径が約100μmである吐出部35か
ら基板1表面に吹き出される。ギャップスペーサ2を基
板1表面に吹きつけながら、基板1を移動(図4では左
方向に移動)することにより、基板1全面にギャップス
ペーサ2を散布する事が出来る。
In the gap spacer holding chamber 47, gap spacers 2b distributed between the substrates are held. In this state, if the high pressure fluid is not allowed to flow into the gap spacer holding chamber 47 and is allowed to stand still, the gap spacer 2b is deposited on the bottom of the gap spacer holding chamber 47, but the movable valve is moved to move the gap spacer holding chamber 4
When a high-pressure fluid is made to flow into 7 in a pulsed manner for a short period of time, the gap spacer 2a rises up into the gap spacer holding chamber 47 and, at the same time, is ejected from the ejection portion 35 having an inner diameter of about 100 μm onto the surface of the substrate 1. By moving the substrate 1 (moving to the left in FIG. 4) while spraying the gap spacer 2 on the surface of the substrate 1, the gap spacers 2 can be scattered over the entire surface of the substrate 1.

【0029】また、高圧流体をパルス的に噴出させる高
圧流体噴出時間とギャップスペーサ2の吐出量との関係
は図5のようになっており、ギャップスペーサ2の吐出
量は、高圧流体噴出時間には依らず、高圧流体の圧力に
よっている。また、ギャップスペーサ2の総散布量は高
圧流体噴出のパルスの回数により制御可能でった。つま
り、所定箇所への高圧流体噴出パルスの回数を変えるこ
とにより、散布量を制御することが可能である。さら
に、高圧流体の圧力が約1kg/cm2 である時の吐出
部35先端から基板1表面までの距離Dとギャップスペ
ーサ2が散布される範囲との関係が図6のようになって
いた。このことから、距離Dを10mm2 し、高圧流体
の圧力を1kg/cm2 としたときに、平均的な配置密
度である約100個/mm2 のためには約8回、ギャッ
プスペーサ高密度配置部13では約12回、ギャップス
ペーサ低密度配置部15では約4回の散布により本実施
例のギャップスペーサ配置に密度分布を設ける事が可能
であることが分かる。
The relationship between the high-pressure fluid ejection time for ejecting the high-pressure fluid in a pulsed manner and the ejection amount of the gap spacer 2 is as shown in FIG. 5, and the ejection amount of the gap spacer 2 corresponds to the high-pressure fluid ejection time. It does not depend on the pressure of the high pressure fluid. Further, the total spray amount of the gap spacer 2 can be controlled by the number of pulses of high-pressure fluid ejection. That is, it is possible to control the spray amount by changing the number of high-pressure fluid ejection pulses to a predetermined location. Further, when the pressure of the high-pressure fluid is about 1 kg / cm 2 , the relationship between the distance D from the tip of the ejection portion 35 to the surface of the substrate 1 and the range in which the gap spacers 2 are scattered is as shown in FIG. From this, when the distance D is set to 10 mm 2 and the pressure of the high-pressure fluid is set to 1 kg / cm 2 , about 8 times for the average arrangement density of about 100 pieces / mm 2 , the gap spacer high density It can be seen that the density distribution can be provided in the gap spacer arrangement of this embodiment by spraying about 12 times in the arrangement portion 13 and about 4 times in the gap spacer low density arrangement portion 15.

【0030】このようにしてギャップスペーサ配置に密
度分布を設けた基板1を用いた基板対を対向させ、基板
対を加圧接着して液晶素子を形成した。
In this way, a substrate pair using the substrate 1 provided with the density distribution in the gap spacer arrangement is opposed to each other, and the substrate pair is pressure-bonded to form a liquid crystal element.

【0031】本実施例での高圧流体の制御には、磁石3
7とコイル39による弁機構を用いたが、本発明はこれ
に限られるものではなく、正確に短時間での開閉動作が
可能であれば、どのようなものでも本発明の効果が得ら
れることは言うまでもない。
To control the high pressure fluid in this embodiment, the magnet 3 is used.
Although the valve mechanism constituted by 7 and the coil 39 is used, the present invention is not limited to this, and any effect can be obtained as long as the opening / closing operation can be performed accurately in a short time. Needless to say.

【0032】例えば、図18に示したような機構でも一
定量のギャップスペーサ2を定量吐出する事が可能であ
る。図18で符号48は固定弁、符号49はバネ材より
なる可動弁である。ギャップスペーサ保持室47内に
は、基板間に分布させるギャップスペーサ2が保持され
ている。この状態でギャップスペーサ保持室47へ高圧
流体を流入させないで静置しておくと、固定弁48と可
動弁49との間には僅かな隙間があり、ギャップスペー
サ2はギャップスペーサ保持室47の底部に沈澱してい
るが、高圧室45に高圧流体を連続的に導入すると、可
動弁49と固定弁48との間の隙間からギャップスペー
サ保持室47へ高圧流体が流入しギャップスペーサ2は
ギャップスペーサ保持室47内に舞い上がり、同時に内
径が約100μmである吐出部35から基板1表面に吹
き出される。
For example, it is possible to discharge a fixed amount of the gap spacer 2 in a fixed amount even with the mechanism shown in FIG. In FIG. 18, reference numeral 48 is a fixed valve, and reference numeral 49 is a movable valve made of a spring material. In the gap spacer holding chamber 47, the gap spacers 2 distributed between the substrates are held. In this state, if the high pressure fluid is not allowed to flow into the gap spacer holding chamber 47 and is allowed to stand still, there is a slight gap between the fixed valve 48 and the movable valve 49, and the gap spacer 2 is located in the gap spacer holding chamber 47. Although it has settled at the bottom, when the high-pressure fluid is continuously introduced into the high-pressure chamber 45, the high-pressure fluid flows into the gap spacer holding chamber 47 from the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48, and the gap spacer 2 becomes a gap. It rises up into the spacer holding chamber 47, and at the same time, it is blown onto the surface of the substrate 1 from the ejection portion 35 having an inner diameter of about 100 μm.

【0033】この時、可動弁49と固定弁48との間の
隙間を高圧流体が通過するため、ベルヌーイの定理とし
て知られている現象により、可動弁49は固定弁48に
引きつけられ、可動弁49と固定弁48との間の隙間が
狭くなり高圧流体の流入が妨げられ、ギャップスペーサ
2の吐出が停止する。高圧流体の流入が妨げられたとこ
ろで、可動弁49を固定弁48に引きつけていた力が減
少し、再び可動弁49と固定弁48との間の隙間が広く
なり、高圧流体の流入が盛んになり、ギャップスペーサ
2が吐出されると同時に可動弁49が固定弁48に引き
つけられる。このようにバネ材である可動弁49が自励
振動をし、高圧流体を連続的に導入しても、ギャップス
ペーサ2は間欠的に吐出され、基板1を移動することに
より、基板1全面にギャップスペーサ2を散布する事が
出来る。本構成では、高圧流体の圧力と可動弁のバネ圧
とで吐出量を制御することが可能である。
At this time, since the high-pressure fluid passes through the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48, the movable valve 49 is attracted to the fixed valve 48 due to a phenomenon known as Bernoulli's theorem. The gap between the valve 49 and the fixed valve 48 becomes narrower, the inflow of high-pressure fluid is blocked, and the discharge of the gap spacer 2 is stopped. When the inflow of the high pressure fluid is obstructed, the force attracting the movable valve 49 to the fixed valve 48 decreases, the gap between the movable valve 49 and the fixed valve 48 becomes wide again, and the inflow of the high pressure fluid flourishes. Then, the movable valve 49 is attracted to the fixed valve 48 at the same time when the gap spacer 2 is discharged. Thus, even if the movable valve 49, which is a spring material, vibrates by itself and continuously introduces a high-pressure fluid, the gap spacers 2 are intermittently discharged, and the substrate 1 is moved to move the entire surface of the substrate 1. The gap spacers 2 can be scattered. With this configuration, the discharge amount can be controlled by the pressure of the high-pressure fluid and the spring pressure of the movable valve.

【0034】本実施例では、ギャップスペーサ配置に密
度分布を設けるために、高圧吐出方式の製造装置を用い
たが、同様の配置密度分布が得られるものであれば、同
様の効果が得られる。その例として、図7に示した吸着
方式、図9に示した篩方式とが有効なものとして挙げら
れる。図7に示した断面略図を用いて吸着方式について
説明する。所定の分布密度で吸着孔55が形成された吸
着板51の一方の圧力調節室53内を減圧状態にし、吸
着孔55にギャップスペーサ2を吸着する。
In this embodiment, the high pressure discharge type manufacturing apparatus is used to provide the density distribution in the gap spacer arrangement, but the same effect can be obtained as long as the same arrangement density distribution can be obtained. As an example, the adsorption method shown in FIG. 7 and the sieving method shown in FIG. 9 are effective. The suction method will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. The pressure adjustment chamber 53 on one side of the suction plate 51 in which the suction holes 55 are formed with a predetermined distribution density is depressurized, and the gap spacers 2 are suctioned to the suction holes 55.

【0035】吸着孔55にギャップスペーサ2を吸着す
る方法を図8を用いて説明する。ギャップスペーサバッ
ト57の中にギャップスペーサ2を静置する。この状態
で吸着板51をギャップスペーサバット57に対向させ
る(図8(A))。この状態で圧力調節室53内を減圧
しながら、ギャップスペーサバット57に密着させた振
動子58に電源59から励振信号を印加し、振動子58
を振動させる。これにより、ギャップスペーサバット5
7内のギャップスペーサ2が浮遊し、吸着板51の吸着
孔55に吸い付けられる(図8(B))。この状態を保
持することにより、すべての吸着孔55にギャップスペ
ーサ2を吸着することが可能となる(図8(C))。
A method of attracting the gap spacer 2 to the attraction hole 55 will be described with reference to FIG. The gap spacer 2 is allowed to stand in the gap spacer butt 57. In this state, the suction plate 51 is opposed to the gap spacer butt 57 (FIG. 8 (A)). In this state, while depressurizing the pressure adjusting chamber 53, an excitation signal is applied from the power source 59 to the vibrator 58 that is in close contact with the gap spacer butt 57, and the vibrator 58 is
Vibrate. As a result, the gap spacer butt 5
The gap spacer 2 in 7 floats and is sucked by the suction holes 55 of the suction plate 51 (FIG. 8 (B)). By maintaining this state, the gap spacers 2 can be adsorbed to all the adsorption holes 55 (FIG. 8 (C)).

【0036】また、吸着孔55にギャップスペーサ2を
吸着するために、図17に示したように前記高圧吐出方
式を利用することも有効である。ギャップスペーサ配置
装置73の中にギャップスペーサ2を静置し、吸着板5
1をギャップスペーサ配置装置73に対向させる。この
状態で圧力調節室53内を減圧しながら、ギャップスペ
ーサ配置装置73内に高圧気体を導入すと、ギャップス
ペーサ配置装置内のギャップスペーサ2が吐出部35か
ら吐出され、吸着板51の吸着孔55に吸い付けられる
(図17(A))。この状態を保持することにより、す
べての吸着孔55にギャップスペーサ2を吸着すること
が可能となる(図17(B))。
Further, it is also effective to use the high-pressure discharge method as shown in FIG. 17 in order to suck the gap spacer 2 into the suction hole 55. The gap spacer 2 is left stationary in the gap spacer placement device 73, and the suction plate 5
1 is opposed to the gap spacer placement device 73. In this state, when the high pressure gas is introduced into the gap spacer placement device 73 while depressurizing the pressure adjustment chamber 53, the gap spacer 2 in the gap spacer placement device is discharged from the discharge part 35 and the suction holes of the suction plate 51. It is sucked by 55 (FIG. 17 (A)). By maintaining this state, the gap spacers 2 can be adsorbed to all the adsorption holes 55 (FIG. 17 (B)).

【0037】このようにして吸着孔55にギャップスペ
ーサ2を吸着した状態で、吸着板51を基板1の所定の
位置に対向させる。その後、圧力調節室53内を外圧と
同等あるいは若干加圧状態にすると、吸着孔55に吸着
されていたギャップスペーサ2の吸着状態が解除され、
対向して配置されている基板1の所定の表面に落下付着
する。これを繰り返すことにより、基板1の全面にギャ
ップスペーサ2を配置することが可能となる。ここで、
必要に応じて、吸着孔55の形成密度が異なる吸着板5
1を用いることにより、異なる密度でギャップスペーサ
2を吸着することが可能となり、異なる密度で基板1表
面にギャップスペーサ2を配置することが出来る。つま
り、平均的配置にする位置には吸着孔55が約100個
/mm2である吸着板51を用い、高密度配置部13に
は約150個/mm2 である吸着板51を、さらに低密
度配置部15には約50個/mm2 である吸着板51を
用いる。本装置を用いた方法でも、図1に示した液晶素
子を製造することが可能である事が確認された。
In this way, the suction plate 51 is made to face a predetermined position of the substrate 1 with the gap spacer 2 being sucked in the suction hole 55. After that, when the inside of the pressure adjusting chamber 53 is made equal to or slightly pressurized with the external pressure, the suction state of the gap spacer 2 that has been sucked in the suction holes 55 is released,
It drops and adheres to a predetermined surface of the substrate 1 which is arranged facing each other. By repeating this, the gap spacer 2 can be arranged on the entire surface of the substrate 1. here,
If necessary, the suction plate 5 with different formation density of the suction holes 55
By using 1, the gap spacers 2 can be adsorbed at different densities, and the gap spacers 2 can be arranged on the surface of the substrate 1 at different densities. That is, the suction plate 51 having the suction holes 55 of about 100 holes / mm 2 is used at the position of the average placement, and the suction plate 51 having the suction holes 55 of about 150 holes / mm 2 is further lowered in the high-density arrangement portion 13. Adsorption plates 51 having a density of about 50 pieces / mm 2 are used for the density arrangement portion 15. It was confirmed that the liquid crystal element shown in FIG. 1 can also be manufactured by the method using this device.

【0038】次に、図9に示した断面略図を用いて篩方
式について説明する。穴径が、用いるギャップスペーサ
2の外径の1.5倍程度で、所定の密度の落下孔65が
形成された篩61の上側にギャップスペーサ2を多数配
置する(図9(A))。その後、スキージ63を移動さ
せて篩61上のギャップスペーサ2を落下孔65内に擦
り込む(図9(B))。ここで、ギャップスペーサ2は
落下せず、落下孔65内に保持されている。これは、詳
細は不明であるが、スキージ63が帯電していた方が過
不足無くギャップスペーサ2が落下孔65内に保持され
ており好適であることから、ギャップスペーサ2が外径
5μmと微細なため、擦り込み操作時に発生する静電気
により篩表面に保持されるためと思われる。この状態で
篩61を基板1の所定の位置に対向させる(図9
(C))。その後、篩61に衝撃または振動を加える
か、発生している静電気を除去あるいは所定の電荷を帯
電させることにより、落下孔65に吸着されていたギャ
ップスペーサ2の吸着状態が解除され、対向して配置さ
れている基板1の所定の表面に落下付着する。これを繰
り返すことにより、基板1の全面にギャップスペーサ2
を配置することが可能となる。
Next, the sieving method will be described with reference to the schematic sectional view shown in FIG. A large number of the gap spacers 2 are arranged on the upper side of the sieve 61 in which the hole diameter is about 1.5 times the outer diameter of the gap spacer 2 to be used and the drop holes 65 having a predetermined density are formed (FIG. 9A). Then, the squeegee 63 is moved to rub the gap spacer 2 on the sieve 61 into the drop hole 65 (FIG. 9 (B)). Here, the gap spacer 2 does not drop and is held in the drop hole 65. Although the details are not clear, it is preferable that the squeegee 63 be charged because the gap spacer 2 is held in the drop hole 65 without excess and deficiency, and therefore the gap spacer 2 has a fine outer diameter of 5 μm. Therefore, it is considered that the static electricity generated during the rubbing operation holds it on the surface of the sieve. In this state, the sieve 61 is opposed to a predetermined position on the substrate 1 (see FIG. 9).
(C)). After that, by applying shock or vibration to the sieve 61, or removing generated static electricity or charging a predetermined electric charge, the adsorption state of the gap spacer 2 adsorbed in the drop hole 65 is released, and the gap spacer 2 is opposed. It drops and adheres to a predetermined surface of the arranged substrate 1. By repeating this, the gap spacer 2 is formed on the entire surface of the substrate 1.
Can be arranged.

【0039】ここで、必要に応じて、落下孔65の形成
密度が異なる篩61を用いることにより、異なる密度で
ギャップスペーサ2を吸着することが可能となり、異な
る密度で基板1表面にギャップスペーサ2を配置するこ
とが出来る。つまり、平均的配置にする位置には落下孔
65が約100個/mm2 である篩61を用い、高密度
配置部13には約150個/mm2 である篩61を、さ
らに低密度配置部15には約50個/mm2 である篩6
1を用いる。本方法でも、図1に示した液晶素子を製造
することが可能である事が確認された。
Here, if necessary, by using the sieve 61 having different formation densities of the drop holes 65, it is possible to adsorb the gap spacers 2 with different densities, and the gap spacers 2 on the surface of the substrate 1 with different densities. Can be placed. That is, the sieve 61 having the dropping holes 65 of about 100 pieces / mm 2 is used at the position of the average arrangement, and the sieve 61 having the falling holes 65 of about 150 pieces / mm 2 is arranged at the low density arrangement portion. The portion 15 has a sieve 6 of about 50 pieces / mm 2.
1 is used. It was confirmed that the liquid crystal element shown in FIG. 1 can also be manufactured by this method.

【0040】本実施例では、上記のようにギャップスペ
ーサ2を配置するために高圧吐出方式、吸着方式あるい
は篩方式を用いた。この方法によると、従来ギャップス
ペーサの数%しか基板上に配置できず、材料の利用効率
が非常に悪くコストアップの要因であったのに対し、ギ
ャップスペーサ2を個々に確実に基板の表面に配置でき
るため、ギャップスペーサ2の利用効率が90%程度と
格段に向上した。
In this embodiment, the high pressure discharge method, the suction method or the sieving method is used to arrange the gap spacers 2 as described above. According to this method, only a few% of the gap spacers can be arranged on the substrate in the related art, and the utilization efficiency of the material is very poor, which is a factor of cost increase. On the other hand, the gap spacers 2 are surely attached to the surface of the substrate. Since they can be arranged, the utilization efficiency of the gap spacer 2 is significantly improved to about 90%.

【0041】本実施例はTN型の液晶素子についてであ
るが、TFT駆動の液晶素子・STN(スーパーツイス
テッドネマチック)型液晶素子や、強誘電液晶型液晶素
子等基板間隔を厳密に制御しなければならない電気光学
素子においても、本実施例は適用でき、同様の作用・効
果が得られる。
Although the present embodiment relates to a TN type liquid crystal element, the substrate spacing such as a TFT driving liquid crystal element / STN (super twisted nematic) type liquid crystal element or a ferroelectric liquid crystal type liquid crystal element must be strictly controlled. The present embodiment can be applied to the electro-optical element that does not have the same effect, and the same action and effect can be obtained.

【0042】(実施例2)本実施例の平面略図を図2
(A)に示した。また、図2(A)の矢印部断面略図を
図2(B)に示した。本実施例が前記実施例1と異なる
のは、ギャップスペーサ2の配置が、基板中央部が高密
度配置部13で約150個/mm2 であり、シール材近
傍が低密度配置部15で約50個/mm2 である点であ
る。図2(A)矢印部のギャップスペーサ分布密度は図
2(C)に示したように、ギャップスペーサ高密度配置
部13(図2(C)中13A)では約150個/m
2 、ギャップスペーサ低密度配置部15(図2(C)
中15A)では約50個/mm2 であった。
(Embodiment 2) A schematic plan view of this embodiment is shown in FIG.
It is shown in (A). Further, a schematic cross-sectional view of an arrow portion in FIG. 2 (A) is shown in FIG. 2 (B). The present embodiment is different from the first embodiment in that the gap spacers 2 are arranged at a density of about 150 / mm 2 in the high-density arrangement portion 13 in the central portion of the substrate and in the low-density arrangement portion 15 near the sealing material. The point is 50 pieces / mm 2 . As shown in FIG. 2 (C), the gap spacer distribution density in the arrow portion of FIG. 2 (A) is about 150 / m in the gap spacer high density arrangement portion 13 (13A in FIG. 2 (C)).
m 2 , gap spacer low-density arrangement portion 15 (FIG. 2C)
It was about 50 pieces / mm 2 for the medium 15A).

【0043】こうすることにより、従来では基板対の中
央付近の基板間隔が広がり気味であった現象が完全に抑
制されており、基板間隔をギャップテスターで測定した
ところ、基板間隔は5±0.05μmの範囲に入ってお
り、従来のギャップスペーサを均一に配置した場合より
基板間隔の均一な、従って表示品位の良好な液晶素子が
得られた。なお、この効果はギャップスペーサ低密度配
置部15のギャップスペーサ2分布密度が75個/mm
2 以下で得られた。また、本実施例のギャップスペーサ
2の配置方法は前記実施例1と同様に、高圧吐出方式の
製造装置を用いたが、同様に図7に示した吸着方式、図
9に示した篩方式とでも配置可能である。
By doing so, the phenomenon in which the substrate spacing near the center of the substrate pair widened in the past was slightly suppressed, and when the substrate spacing was measured by the gap tester, the substrate spacing was 5 ± 0. It was within the range of 05 μm, and a liquid crystal element having a more uniform substrate spacing and therefore a good display quality was obtained as compared with the case where the conventional gap spacers were uniformly arranged. The effect is that the distribution density of the gap spacers 2 in the gap spacer low-density arrangement portion 15 is 75 / mm.
Obtained at 2 or less. Further, the gap spacer 2 of the present embodiment was arranged by using a high pressure discharge type manufacturing apparatus as in the case of the first embodiment. Similarly, the suction method shown in FIG. 7 and the sieve method shown in FIG. But it can be arranged.

【0044】(実施例3)本実施例の平面略図を図3
(A)に示した。また、図3(A)の矢印部断面略図を
図3(B)に示した。本実施例が前記実施例2と異なる
のは、ギャップスペーサ2の配置が、基板中央部の高密
度配置部13の中央付近に低密度配置部15が存在して
いる点である。図3(A)矢印部のギャップスペーサ分
布密度は図3(C)に示したように、ギャップスペーサ
高密度配置部13(図3(C)中13A)では約150
個/mm2 、ギャップスペーサ低密度配置部15(図3
(C)中15A)では約50個/mm2 であった。
(Embodiment 3) A schematic plan view of this embodiment is shown in FIG.
It is shown in (A). Further, a schematic cross-sectional view of an arrow portion in FIG. 3 (A) is shown in FIG. 3 (B). The present embodiment is different from the second embodiment in that the gap spacers 2 are arranged such that a low-density arrangement portion 15 exists near the center of the high-density arrangement portion 13 in the central portion of the substrate. As shown in FIG. 3C, the gap spacer distribution density in the arrow portion of FIG. 3A is about 150 in the gap spacer high-density arrangement portion 13 (13A in FIG. 3C).
Pieces / mm 2 , gap spacer low-density arrangement portion 15 (see FIG.
It was about 50 pieces / mm 2 in 15A of (C).

【0045】こうすることにより、従来基板対の間隔が
複雑に変化していた現象が完全に抑制されており、基板
間隔をギャップテスターで測定したところ、基板間隔は
5±0.05μmの範囲に入っており、従来のギャップ
スペーサを均一に配置した場合より基板間隔の均一な、
従って表示品位の良好な液晶素子が得られた。なお、本
実施例のギャップスペーサ3の配置方法は前記実施例1
と同様に、高圧吐出方式の製造装置を用いたが、同様に
図7に示した吸着方式、図9に示した篩方式とでも配置
可能である。
By doing so, the phenomenon in which the distance between the pair of substrates is complicatedly changed in the related art is completely suppressed. When the distance between the substrates is measured by a gap tester, the distance between the substrates is within 5 ± 0.05 μm. It has a more uniform substrate spacing than the conventional gap spacers.
Therefore, a liquid crystal element having a good display quality was obtained. The method of arranging the gap spacer 3 of this embodiment is the same as that of the first embodiment.
Similarly to the above, a high-pressure discharge type manufacturing apparatus was used, but similarly, the adsorption method shown in FIG. 7 and the sieving method shown in FIG. 9 can be arranged.

【0046】(実施例4)前記実施例1〜3ではギャッ
プスペーサの配置密度の分布(どの部分を高密度配置に
し、どの部分を低密度配置にするか)は、シミュレーシ
ョン結果に依っており、同一の部品条件・作業条件では
すべて同一の配置密度の分布としていた。これに対し
て、本実施例では、使用する基板のソリ・表面の変形を
測定し、最適なギャップスペーサ配置密度の分布を算出
し、ギャップスペーサを配置している。本実施例に用い
る製造装置の構成例を図10に示した。基板は基板搬入
部から導入される。この基板搬入部は特別なものではな
く、周知のものでかまわない。ついで基板は表面形状測
定部にて変位測定器71で表面の形状が測定される。測
定に際しては、非接触で測定できるレーザー式変位計
(例えばキーエンス社製LD2500)が適している。
基板の各部の変位を測定するに際して、図11に示した
ように複数(図11では3基)の変位測定器71の下を
基板1を移動させながら測定することが適している。な
お、図11(A)は測定系の側面略図を、図11(B)
は平面略図を示している。
(Embodiment 4) In Embodiments 1 to 3, the distribution of the arrangement density of the gap spacers (which portion should be the high density arrangement and which portion should be the low density arrangement) depends on the simulation result. Under the same parts and work conditions, the distribution of the layout density was the same. On the other hand, in the present embodiment, the warp / surface deformation of the substrate used is measured, the distribution of the optimum gap spacer arrangement density is calculated, and the gap spacers are arranged. FIG. 10 shows a configuration example of the manufacturing apparatus used in this example. The substrate is introduced from the substrate loading section. This substrate loading unit is not special and may be a known one. Then, the surface shape of the substrate is measured by the displacement measuring unit 71 at the surface shape measuring unit. At the time of measurement, a laser-type displacement meter (for example, LD2500 manufactured by KEYENCE CORPORATION) that can perform non-contact measurement is suitable.
When measuring the displacement of each part of the substrate, it is suitable to measure the displacement while moving the substrate 1 under a plurality of (three in FIG. 11) displacement measuring devices 71 as shown in FIG. 11A is a schematic side view of the measurement system, and FIG.
Shows a schematic plan view.

【0047】この測定結果を基に、ギャップスペーサ配
置算出部でギャップスペーサが均一に配置された場合に
基板対の間隔が狭くなりやすい部位には高密度で、前記
基板対の間隔が広くなりやすい部位には低密度で、基板
間の間隔が一定になるよう、ギャップスペーサの適正分
布を算出する。この算出は使用材料の寸法関係・熱・機
械特性と予備実験結果及びシミュレーション結果より行
う。この算出結果に従い、ギャップスペーサ配置装置7
3を用いてギャップスペーサ配置部で最適密度でギャッ
プスペーサを基板表面に配置する。ここで用いるギャッ
プスペーサ配置装置としては、図4に示した高圧吐出方
式の製造装置、図7に示した吸着方式の製造装置、図9
に示した篩方式の製造装置が適している。ギャップスペ
ーサが表面に形成された基板の所定の位置に、シール形
成部でシールスペーサ入りのシール材を形成し、加圧接
着部で対向基板と接着する。ここで用いるシール形成方
法及び加圧接着方法は特別なものではなく、周知のもの
である。
Based on this measurement result, when the gap spacers are uniformly arranged by the gap spacer arrangement calculation unit, the gap between the substrate pairs is likely to be narrow, and the gap between the substrate pairs is likely to be wide. The appropriate distribution of the gap spacers is calculated so that the space between the substrates has a low density and the distance between the substrates is constant. This calculation is performed based on the dimensional relationship, thermal and mechanical properties of the materials used, preliminary experimental results and simulation results. According to this calculation result, the gap spacer placement device 7
3 is used to arrange the gap spacers on the surface of the substrate at the optimum density in the gap spacer arrangement portion. As the gap spacer placement device used here, the high pressure discharge type manufacturing device shown in FIG. 4, the suction type manufacturing device shown in FIG.
The sieving type manufacturing apparatus shown in 1 is suitable. A seal material containing a seal spacer is formed at a predetermined position of the substrate on which the gap spacer is formed on the surface, and the seal material is adhered to the counter substrate at the pressure bonding portion. The seal forming method and the pressure bonding method used here are not special ones and are well known.

【0048】このようにして接着された基板対は、基板
搬出部から搬出され検査等の後工程に進む。こうするこ
とにより、従来基板のソリ・表面の変形のために複雑に
変化していた基板間隔が完全に抑制されており、基板間
隔をギャップテスターで測定したところ、基板間隔は5
±0.05μmの範囲に入っており、従来のギャップス
ペーサを均一に配置した場合より基板間隔の均一な、従
って表示品位の良好な液晶素子が得られた。
The substrate pair thus bonded is carried out from the substrate carry-out section and proceeds to a post-process such as inspection. By doing so, the substrate spacing, which has been complicatedly changed due to the warpage and surface deformation of the conventional substrate, is completely suppressed. When the substrate spacing is measured by the gap tester, the substrate spacing is 5
It was within a range of ± 0.05 μm, and a liquid crystal device having a more uniform spacing between the substrates than that in the case where the conventional gap spacers were uniformly arranged, and thus having a good display quality was obtained.

【0049】本実施例を図12を用いてさらに分かりや
すく説明する。基板1が図12(A)の様に変形してい
たとしても、表面形状測定部でギャップスペーサ配置前
に基板の変形を測定把握することができる。この測定結
果に基付き、図12(B)の様に、ギャップスペーサ高
密度配置部13とギャップスペーサ低密度配置部15を
設けることにより、基板対を加圧接着した際には、基板
間隔を均一にする事が可能となる。本実施例を用いるこ
とにより、従来は規格外の基板として除外されていた様
なソリや変形のあるものでも、正常な部品として利用で
きるようになり、基板に対する仕様を緩くすることが可
能となり、コストダウンが可能となる。
This embodiment will be described more easily with reference to FIG. Even if the substrate 1 is deformed as shown in FIG. 12A, the deformation of the substrate can be measured and grasped by the surface shape measuring unit before the gap spacer is arranged. Based on this measurement result, by providing the gap spacer high-density arrangement portion 13 and the gap spacer low-density arrangement portion 15 as shown in FIG. It is possible to make it uniform. By using this embodiment, even if there is a warp or deformation that was conventionally excluded as a nonstandard board, it can be used as a normal component, and it becomes possible to loosen the specifications for the board, Cost reduction is possible.

【0050】(実施例5)本実施例が前記実施例1と異
なる点は、基板対を加圧接着する部分である。実施例1
では加圧は基板全面にわたって均一な力で行ったが、本
実施例では、基板を加圧するに際して、図13に示した
面分布をもたせて基板を加圧できる製造装置を用いて加
圧接着した。図13で符号21は加圧盤、符号23は分
布加圧盤であり、加圧盤21は基板全面を加圧するもの
であり、分布加圧盤23は多数の圧電素子で構成されて
おり、多数の圧電素子はそれぞれ独立に制御が可能であ
り、基板1の所定の部分に応じて部分的に強くあるいは
弱く加圧することができる。
(Embodiment 5) This embodiment is different from Embodiment 1 in that the substrate pair is pressure-bonded. Example 1
In this example, the pressure was applied with a uniform force over the entire surface of the substrate. However, in this example, when the substrate is pressed, pressure bonding was performed using a manufacturing apparatus capable of pressing the substrate with the surface distribution shown in FIG. . In FIG. 13, reference numeral 21 is a pressing board, reference numeral 23 is a distributed pressing board, the pressing board 21 is for pressing the entire surface of the substrate, and the distributed pressing board 23 is composed of a large number of piezoelectric elements. Can be controlled independently of each other, and can be partly or weakly pressed depending on a predetermined part of the substrate 1.

【0051】本方法により、従来基板のソリ・表面の変
形のために複雑に変化していた基板間隔が完全に抑制さ
れ、基板間隔をギャップテスターで測定したところ、基
板間隔は5±0.03μmの範囲に入っており、従来の
基板を均一に加圧した場合よりはるかに基板間隔の均一
な、従って表示品位の良好な液晶素子が得られた。ま
た、本実施例の加圧接着方法を前記実施例4に適用する
と、さらに効果的である。
According to this method, the substrate spacing, which has been complicatedly changed due to the warp and surface deformation of the conventional substrate, is completely suppressed. When the substrate spacing is measured by the gap tester, the substrate spacing is 5 ± 0.03 μm. , The liquid crystal element having a substantially uniform substrate spacing, and thus good display quality, was obtained as compared with the case where a conventional substrate was uniformly pressed. Further, it is more effective to apply the pressure bonding method of this embodiment to the fourth embodiment.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明記載の電気光学素子によれば、基
板間に配置されているギャップスペーサが、濃淡をもっ
て適正に配置されているため、基板のソリ・表面の変形
やシールスペーサ入りのシール材が硬化するときに発生
する基板の歪に起因する基板対の間隔のバラツキが矯正
され、基板間のギャップが均一で表示品位の優れた電気
光学素子を実現することが可能となる。また、基板の規
格を緩めることが可能となり、コストダウンが可能とな
る。さらに、品質が安定するため製造歩留まりも向上す
る。本発明記載の電気光学素子の製造方法によれば、前
記本発明記載の電気光学素子を確実に製造することが可
能となる。本発明記載の電気光学素子の製造装置によれ
ば、前記本発明記載の電気光学素子の製造方法を確実に
実施することが可能となり、前記本発明記載の電気光学
素子を確実に製造することが可能となる。
According to the electro-optical element described in the present invention, since the gap spacers arranged between the substrates are properly arranged with shades, the warp / surface deformation of the substrate and the seal containing the seal spacer are formed. Variations in the distance between the pair of substrates due to the distortion of the substrate that occurs when the material is cured are corrected, and it is possible to realize an electro-optical element having a uniform gap between the substrates and excellent display quality. Further, it becomes possible to loosen the standard of the substrate, and it is possible to reduce the cost. Further, since the quality is stable, the manufacturing yield is improved. According to the method of manufacturing an electro-optical element described in the present invention, it is possible to reliably manufacture the electro-optical element described in the present invention. According to the electro-optical element manufacturing apparatus of the present invention, the method of manufacturing the electro-optical element of the present invention can be reliably performed, and the electro-optical element of the present invention can be reliably manufactured. It will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1記載の電気光学素子の構造を説明する
FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of an electro-optical element described in Example 1.

【図2】実施例2記載の電気光学素子の構造を説明する
FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of an electro-optical element described in Example 2.

【図3】実施例3記載の電気光学素子の構造を説明する
FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of an electro-optical element described in Example 3.

【図4】実施例1記載の高圧吐出法によるギャップスペ
ーサ濃淡配置方法を説明する図
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of arranging a gap spacer with a high density according to the high pressure discharge method described in the first embodiment.

【図5】高圧流体噴出時間とギャップスペーサ吐出量と
の関係を示す図
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a high-pressure fluid ejection time and a gap spacer ejection amount.

【図6】吐出部先端の高さとギャップスペーサ散布範囲
との関係を示す図
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the height of the tip of the discharge portion and the gap spacer dispersion range.

【図7】実施例1記載の吸着法によるギャップスペーサ
濃淡配置方法を説明する図
7A and 7B are views for explaining a method of arranging the density of the gap spacer by the adsorption method described in Example 1.

【図8】ギャップスペーサを吸着する方法を説明する図FIG. 8 is a diagram illustrating a method of attracting a gap spacer.

【図9】実施例1記載の篩法によるギャップスペーサ濃
淡配置方法を説明する図
FIG. 9 is a diagram illustrating a method of arranging the density of gap spacers by the sieving method described in Example 1.

【図10】実施例4記載の製造装置の構成例を示す図FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of a manufacturing apparatus described in a fourth embodiment.

【図11】実施例4記載の変位測定器の配置を説明する
FIG. 11 is a view for explaining the arrangement of the displacement measuring device described in the fourth embodiment.

【図12】実施例4を説明する図。FIG. 12 is a diagram illustrating a fourth embodiment.

【図13】実施例5記載の面分布をもたせて基板を加圧
できる製造装置を説明する図
FIG. 13 is a diagram illustrating a manufacturing apparatus capable of pressing a substrate with the surface distribution described in Example 5;

【図14】従来の電気光学素子の構造を説明する図FIG. 14 is a diagram illustrating a structure of a conventional electro-optical element.

【図15】従来の電気光学素子の製造方法を説明する図FIG. 15 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing an electro-optical element.

【図16】従来の電気光学素子のギャップスペーサ散布
方法を説明する図
FIG. 16 is a diagram for explaining a conventional gap spacer dispersion method for an electro-optical element.

【図17】ギャップスペーサを吸着する方法を説明する
FIG. 17 is a diagram illustrating a method of attracting a gap spacer.

【図18】実施例1記載の高圧吐出法によるギャップス
ペーサ濃淡配置方法を説明する図
FIG. 18 is a diagram illustrating a method of arranging light and shade of a gap spacer by the high pressure discharge method described in the first embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 ギャップスペーサ 3 電気光学材料 4 シールスペーサ 5 シール材 6 電気光学素子 11 シール材近傍 13 ギャップスペーサ高密度配置部 15 ギャップスペーサ低密度配置部 17 ギャップスペーサ平均密度配置部 21 加圧盤 23 分布加圧盤 31 密閉容器 33 高圧流体導入部 35 吐出部 37 磁石 39 コイル 41 可動弁 43 固定弁 45 高圧室 47 ギャップスペサ保持室 51 吸着板 53 圧力調節室 55 吸着孔 57 ギャップスペーサバット 58 振動子 59 電源 61 篩 63 スキージ 65 落下孔 71 変位測定器 73 ギャップスペーサ配置装置 1 Substrate 2 Gap Spacer 3 Electro-Optical Material 4 Seal Spacer 5 Sealing Material 6 Electro-Optical Element 11 Near Sealing Material 13 Gap Spacer High Density Arrangement Area 15 Gap Spacer Low Density Arrangement Area 17 Gap Spacer Average Density Arrangement Area 21 Pressure Plate 23 Distributed Load Platen 31 Closed container 33 High-pressure fluid introduction part 35 Discharge part 37 Magnet 39 Coil 41 Movable valve 43 Fixed valve 45 High-pressure chamber 47 Gap spacer holding chamber 51 Adsorption plate 53 Pressure adjustment chamber 55 Adsorption hole 57 Gap spacer bat 58 Transducer 59 Power supply 61 Sieve 63 Squeegee 65 Drop hole 71 Displacement measuring device 73 Gap spacer placement device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鎌田 恵治 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 森 政広 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 五十嵐 政美 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Keiji Kamata 1-7 Yukiya Otsukacho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masahiro Mori 1-7 Yukiya Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo Alp Su Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masami Igarashi 1-7 Yukiya Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する一組の基板対の間にギャップス
ペーサが挟持されており、前記基板対の間には電気光学
材料が充填されており、前記基板対の周囲がシールスペ
ーサ入りのシール材で封止されている電気光学素子にお
いて、前記ギャップスペーサの、所定部分の単位面積当
りの配置個数がN個であったときに、前記ギャップスペ
ーサの単位面積当りの個数が(N+4N0.5 )個以上お
よび(N−4N0.5 )個以下である部分を有することを
特徴とする電気光学素子。
1. A seal in which a gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrates, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the pair of substrates includes a seal spacer. In the electro-optical element sealed with a material, when the number of the predetermined number of the gap spacers arranged per unit area is N, the number of the gap spacers per unit area is (N + 4N 0.5 ). An electro-optical element having the above and (N-4N 0.5 ) pieces or less.
【請求項2】 対向する一組の基板対の間にギャップス
ペーサが挟持されており、前記基板対の間には電気光学
材料が充填されており、前記基板対の周囲がシールスペ
ーサ入りのシール材で封止されている電気光学素子にお
いて、前記ギャップスペーサの所定部分の単位面積当り
の配置個数がN個であったときに、前記ギャップスペー
サの配置個数がシール材近傍では単位面積当り((1/2)
N)個以下である部分を有することを特徴とする電気光
学素子。
2. A seal in which a gap spacer is sandwiched between a pair of opposing substrates, an electro-optical material is filled between the pair of substrates, and a seal spacer is provided around the periphery of the substrate pair. In the electro-optical element sealed with a material, when the number of the predetermined portions of the gap spacers arranged per unit area is N, the number of the gap spacers arranged per unit area near the sealing material ((( 1/2)
N) An electro-optical element having a number of portions equal to or less than N.
【請求項3】 対向する一組の基板対の間にギャップス
ペーサが挟持されており、前記基板対の間には電気光学
材料が充填されており、前記基板対の周囲がシールスペ
ーサ入りのシール材で封止されている電気光学素子の製
造方法において、前記基板対の間のギャップスペーサの
配置個数に濃淡の面分布を持たせて配置する工程と、前
記基板対を加圧接着する工程とを少なくとも有すること
を特徴とする電気光学素子の製造方法。
3. A seal in which a gap spacer is sandwiched between a pair of opposed substrates, an electro-optic material is filled between the pair of substrates, and the periphery of the pair of substrates contains a seal spacer. In a method of manufacturing an electro-optical element sealed with a material, a step of arranging the number of gap spacers between the substrate pairs so as to have a shaded surface distribution, and a step of pressure-bonding the substrate pair. A method for manufacturing an electro-optical element, comprising:
【請求項4】 請求項3記載の電気光学素子の製造方法
において、ギャップスペーサを配置する際に、基板対を
構成する基板のソリ・表面の変形を測定する工程と、前
記測定結果に従い、ギャップスペーサが均一に配置され
た場合に基板対の間隔が狭くなりやすい部位には高密度
で、前記基板対の間隔が広くなりやすい部位には低密度
で、前記基板対の間のギャップスペーサの配置個数に濃
淡の面分布を持たせて配置する工程とを少なくとも有す
ることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
4. The method of manufacturing an electro-optical element according to claim 3, wherein when disposing the gap spacers, the step of measuring the warp / surface deformation of the substrates forming the substrate pair, and the gap according to the measurement result. Arrangement of gap spacers between the substrate pairs, with high density in a portion where the spacing between the substrate pairs tends to become narrow and low density in a portion where the spacing between the substrate pairs tends to widen when the spacers are uniformly arranged. A method of manufacturing an electro-optical element, comprising at least a step of arranging the number of elements so as to have a light and shade surface distribution.
【請求項5】 請求項3記載の電気光学素子の製造方法
において、基板対を加圧接着する際に、基板面に対して
強弱の面分布を持たせて加圧することを特徴とする電気
光学素子の製造方法。
5. The electro-optical element manufacturing method according to claim 3, wherein when the substrate pair is pressure-bonded, the substrate surface is pressed with a surface distribution of strength and weakness. Device manufacturing method.
【請求項6】 基板対を構成する基板のソリ・表面の変
形を測定する手段と、それぞれの基板を組み合わせたと
きの基板対の間隔がほぼ一定になるように、配置するギ
ャップスペーサの適正分布を算出する手段と、ギャップ
スペーサを前記算出された所定の分布で配置する手段
と、前記基板対を加圧し互いに接着する手段とを少なく
とも有することを特徴とする電気光学素子の製造装置。
6. A means for measuring warpage and surface deformation of substrates constituting a substrate pair, and an appropriate distribution of gap spacers arranged so that the distance between the substrate pairs when the substrates are combined is substantially constant. And a means for arranging the gap spacers in the calculated predetermined distribution, and a means for pressurizing and bonding the substrate pairs to each other.
【請求項7】 請求項6記載の電気光学素子の製造装置
において、基板対を加圧し互いに接着する手段には、面
分布をもたせて基板を加圧する手段を有することを特徴
とする電気光学素子の製造装置。
7. The electro-optical element manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the means for pressing the substrate pairs and adhering them to each other includes means for pressing the substrates with a surface distribution. Manufacturing equipment.
【請求項8】 容器内にギャップスペーサを保持する手
段と、前記容器に高圧流体を導入する手段と、前記容器
の一端から所定の期間前記ギャップスペーサを基板表面
の所定の位置に吐出する手段とを少なくとも有すること
を特徴とする電気光学素子の製造装置。
8. A means for holding a gap spacer in a container, a means for introducing a high-pressure fluid into the container, and a means for discharging the gap spacer to a predetermined position on the substrate surface for a predetermined period from one end of the container. An electro-optical element manufacturing apparatus comprising:
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