JP3170955B2 - 表面波フィルタの櫛形電極 - Google Patents
表面波フィルタの櫛形電極Info
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- JP3170955B2 JP3170955B2 JP12697993A JP12697993A JP3170955B2 JP 3170955 B2 JP3170955 B2 JP 3170955B2 JP 12697993 A JP12697993 A JP 12697993A JP 12697993 A JP12697993 A JP 12697993A JP 3170955 B2 JP3170955 B2 JP 3170955B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面波フィルタの櫛形
電極に関する。
電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＢＳ用の２ｎｄ ＩＦフィルタにおい
ては、その放送システムの要求レベルからして、良好な
ＤＧ（微分利得）／ＤＰ（微分位相）特性が要求され
る。このＤＧ／ＤＰ特性は、通過帯域内振幅特性および
ＧＤＴ（群遅延時間）特性のうねりやリップルに影響を
受けるので、この通過帯域内振幅特性およびＧＤＴ特性
のうねりやリップルは、極力小さくする必要がある。こ
の場合、表面波フィルタ特有のいわゆるＴＴＥの影響も
大きく、このＴＴＥと相反する関係にあるロスが小さく
なり過ぎないように、ＩＤＴのインピーダンスを微妙に
調整する必要がある。この用途の場合には、一般に５０
Ω系が用いられるが、ＩＤＴのインピーダンスが５０Ω
に近すぎて困ることが多く、インピーダンスを上げる工
夫が必要である。従来、このインピーダンスを上げる手
段として、交叉幅を狭くする方法とサンプリングする方
法（インパルス列を周期的に間引く）がある。交叉幅を
狭くする方法では、回折の影響が大きくなり、通過帯域
内にうねりが出たり、サイドローブが持ち上がったりす
る。また、サンプリングする方法では、サンプリング周
期によっては、様々なスプリアスが近傍に発生して、サ
イドローブが悪くなるという欠点があった。例えば、特
開平１ー２２５２１１号に記載されているように、電極
のインパルス列を４個ごとに２個ずつ交叉幅をゼロにす
るサンプリング方法（以下、１／２サンプリングとす
る。）では、図８に示すように、ｆ0 の１／２倍の低域
側と高域側とにスプリアスの応答が生じている。また、
電極のインパルス列を３個ごとに２個ずつ交叉幅をゼロ
にするサンプリング方法（以下、１／３サンプリングと
する。）では、図９に示すように、ｆ0 の２／３倍の低
域側と高域側とにスプリアスの応答が生じている。
ては、その放送システムの要求レベルからして、良好な
ＤＧ（微分利得）／ＤＰ（微分位相）特性が要求され
る。このＤＧ／ＤＰ特性は、通過帯域内振幅特性および
ＧＤＴ（群遅延時間）特性のうねりやリップルに影響を
受けるので、この通過帯域内振幅特性およびＧＤＴ特性
のうねりやリップルは、極力小さくする必要がある。こ
の場合、表面波フィルタ特有のいわゆるＴＴＥの影響も
大きく、このＴＴＥと相反する関係にあるロスが小さく
なり過ぎないように、ＩＤＴのインピーダンスを微妙に
調整する必要がある。この用途の場合には、一般に５０
Ω系が用いられるが、ＩＤＴのインピーダンスが５０Ω
に近すぎて困ることが多く、インピーダンスを上げる工
夫が必要である。従来、このインピーダンスを上げる手
段として、交叉幅を狭くする方法とサンプリングする方
法（インパルス列を周期的に間引く）がある。交叉幅を
狭くする方法では、回折の影響が大きくなり、通過帯域
内にうねりが出たり、サイドローブが持ち上がったりす
る。また、サンプリングする方法では、サンプリング周
期によっては、様々なスプリアスが近傍に発生して、サ
イドローブが悪くなるという欠点があった。例えば、特
開平１ー２２５２１１号に記載されているように、電極
のインパルス列を４個ごとに２個ずつ交叉幅をゼロにす
るサンプリング方法（以下、１／２サンプリングとす
る。）では、図８に示すように、ｆ0 の１／２倍の低域
側と高域側とにスプリアスの応答が生じている。また、
電極のインパルス列を３個ごとに２個ずつ交叉幅をゼロ
にするサンプリング方法（以下、１／３サンプリングと
する。）では、図９に示すように、ｆ0 の２／３倍の低
域側と高域側とにスプリアスの応答が生じている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、逆フーリエ
変換して得られたインパルス列を、２倍オーバーサンプ
リングして、メインのレスポンスを２倍のｆ0 に上げ、
さらに１／２サンプリングすることによって得られるｆ
0 のレスポンスを使用することによって、帯域外減衰量
を悪化させることなく、櫛形電極のインピーダンスを所
望の値にでき、そしてＴＴＥを低減させて帯域内リップ
ルの少ない表面波フィルタの櫛形電極を提供することを
目的とする。
変換して得られたインパルス列を、２倍オーバーサンプ
リングして、メインのレスポンスを２倍のｆ0 に上げ、
さらに１／２サンプリングすることによって得られるｆ
0 のレスポンスを使用することによって、帯域外減衰量
を悪化させることなく、櫛形電極のインピーダンスを所
望の値にでき、そしてＴＴＥを低減させて帯域内リップ
ルの少ない表面波フィルタの櫛形電極を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、１つには、所望の伝送特性（中心周波数
ｆ0 、そのときの表面波の波長をλ0 とする。）を逆フ
ーリエ変換して第一のインパルス列を作り、この第一の
インパルス列をその包絡線に沿って１／２の周期で２倍
オーバーサンプリングして第２のインパルス列を作り、
この第２のインパルス列を４インパルス列毎に区分し、
この各４インパルス列のうち、２個目のインパルスと３
個目のインパルスをゼロにして第３のインパルス列を作
り、この第３のインパルス列でもって、圧電基板にＩＤ
Ｔ電極を構成した表面波フィルタの櫛形電極とし、２つ
には、前記ＩＤＴ電極の電極幅および電極間隔がおおむ
ねλ0 ／８となる電極列でもってＩＤＴ電極を構成した
表面波フィルタの櫛形電極としたものである。
成するために、１つには、所望の伝送特性（中心周波数
ｆ0 、そのときの表面波の波長をλ0 とする。）を逆フ
ーリエ変換して第一のインパルス列を作り、この第一の
インパルス列をその包絡線に沿って１／２の周期で２倍
オーバーサンプリングして第２のインパルス列を作り、
この第２のインパルス列を４インパルス列毎に区分し、
この各４インパルス列のうち、２個目のインパルスと３
個目のインパルスをゼロにして第３のインパルス列を作
り、この第３のインパルス列でもって、圧電基板にＩＤ
Ｔ電極を構成した表面波フィルタの櫛形電極とし、２つ
には、前記ＩＤＴ電極の電極幅および電極間隔がおおむ
ねλ0 ／８となる電極列でもってＩＤＴ電極を構成した
表面波フィルタの櫛形電極としたものである。
【０００５】
【作用】本発明は、逆フーリエ変換して得られたインパ
ルス列を、２倍オーバーサンプリングして、メインのレ
スポンスを２ｆ0 に上げ、さらに１／２サンプリングす
ることによって得られるｆ0 のレスポンスを使用するこ
とにより、低域側にスプリアスがなく、かつ高域側サイ
ドローブのスプリアスをメインのレスポンスから遠く離
すことができ、しかも櫛形電極のインピーダンスを抵抗
容量並列表示で抵抗値を２倍に上げることができ、そし
て挿入損失を調整し帯域内リップルを減少させることが
できるという作用を営む。
ルス列を、２倍オーバーサンプリングして、メインのレ
スポンスを２ｆ0 に上げ、さらに１／２サンプリングす
ることによって得られるｆ0 のレスポンスを使用するこ
とにより、低域側にスプリアスがなく、かつ高域側サイ
ドローブのスプリアスをメインのレスポンスから遠く離
すことができ、しかも櫛形電極のインピーダンスを抵抗
容量並列表示で抵抗値を２倍に上げることができ、そし
て挿入損失を調整し帯域内リップルを減少させることが
できるという作用を営む。
【０００６】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面を参照して
説明する。図１Ａは、中心周波数ｆ0 の所望の伝送特性
を逆フーリエ変換して得られた交叉幅重み付けされた第
１の重み付けインパルス列より得られたスプリットＩＤ
Ｔ電極１ａを示す。このスプリットＩＤＴ電極１ａにつ
いては、その電極間幅は、幅を取らずに線で表してい
る。図１Ｂは、図１Ａの重み付けインパルス列スプリッ
トＩＤＴ電極１ａを、その電極間幅を取って、さらに交
叉幅の一定な正規型インパルス列スプリットＩＤＴ電極
１ｂとして、そのインパルス列の並び方を概略示したも
のである。図１Ｃは、図１Ｂのインパルス列のベクトル
概念図である。
説明する。図１Ａは、中心周波数ｆ0 の所望の伝送特性
を逆フーリエ変換して得られた交叉幅重み付けされた第
１の重み付けインパルス列より得られたスプリットＩＤ
Ｔ電極１ａを示す。このスプリットＩＤＴ電極１ａにつ
いては、その電極間幅は、幅を取らずに線で表してい
る。図１Ｂは、図１Ａの重み付けインパルス列スプリッ
トＩＤＴ電極１ａを、その電極間幅を取って、さらに交
叉幅の一定な正規型インパルス列スプリットＩＤＴ電極
１ｂとして、そのインパルス列の並び方を概略示したも
のである。図１Ｃは、図１Ｂのインパルス列のベクトル
概念図である。
【０００７】図２Ａは、図１Ａに示す第一の重み付けイ
ンパルス列を、その包絡線に沿ってインパルス列の１／
２の周期で２倍オーバーサンプリング（１周期に２回の
サンプリングをするのでこのようにいう。）した第２の
重み付けインパルス列より得られたスプリットＩＤＴ電
極２ａを示す。なお、上記２倍のオーバーサンプリング
について説明を補足する。図２Ｄは逆フ−リエ変換して
得られたインパルス列を示すもので、２ｃ、２ｄがイン
パルス列のそれぞれ上下の包絡線である。この上下の包
絡線２ｃ、２ｄに沿って、隣り合う上下のインパルス列
の間、即ち１／２周期の位置２ｅ、２ｆ、・・・におい
て、サンプリングを行う。すると、図２Ｅに示すよう
に、インパルス列の立つ本数が２倍になる。したがっ
て、これを２倍のオ−バ−サンプリングという。図２Ｂ
は、図２Ａの重み付けインパルス列スプリットＩＤＴ電
極２ａを、その電極間幅を取って、正規型インパルス列
スプリットＩＤＴ電極２ｂでもって、そのインパルス列
の並び方を概略示したものである。図２Ｃは、図２Ｂの
インパルス列のベクトル概念図である。この図２に示す
スプリットＩＤＴ電極２ａの周波数応答は図６に示され
るように、２ｆ0 のレスポンスのみ発生している。
ンパルス列を、その包絡線に沿ってインパルス列の１／
２の周期で２倍オーバーサンプリング（１周期に２回の
サンプリングをするのでこのようにいう。）した第２の
重み付けインパルス列より得られたスプリットＩＤＴ電
極２ａを示す。なお、上記２倍のオーバーサンプリング
について説明を補足する。図２Ｄは逆フ−リエ変換して
得られたインパルス列を示すもので、２ｃ、２ｄがイン
パルス列のそれぞれ上下の包絡線である。この上下の包
絡線２ｃ、２ｄに沿って、隣り合う上下のインパルス列
の間、即ち１／２周期の位置２ｅ、２ｆ、・・・におい
て、サンプリングを行う。すると、図２Ｅに示すよう
に、インパルス列の立つ本数が２倍になる。したがっ
て、これを２倍のオ−バ−サンプリングという。図２Ｂ
は、図２Ａの重み付けインパルス列スプリットＩＤＴ電
極２ａを、その電極間幅を取って、正規型インパルス列
スプリットＩＤＴ電極２ｂでもって、そのインパルス列
の並び方を概略示したものである。図２Ｃは、図２Ｂの
インパルス列のベクトル概念図である。この図２に示す
スプリットＩＤＴ電極２ａの周波数応答は図６に示され
るように、２ｆ0 のレスポンスのみ発生している。
【０００８】図３Ａは、図２Ａに示す第２の重み付けイ
ンパルス列を４インパルス列毎に区分し、この各４イン
パルス列のうち、２個目のインパルスと３個目のインパ
ルスをゼロにした第３の重み付けインパルス列より得ら
れたスプリットＩＤＴ電極３ａ、３ｂを示す。図３Ｂ
は、図３Ａの重み付けインパルス列スプリットＩＤＴ電
極３ａ、３ｂを、その電極間幅を取って、正規型インパ
ルス列スプリットＩＤＴ電極３ｃ、３ｄでもって、その
インパルス列の並び方を概略示したものである。図３Ａ
と図３Ｂにおいて、スプリットＩＤＴ電極３ａ、３ｃは
スプリット電極が２本ずつなのに対し、異極のスプリッ
トＩＤＴ電極３ｂ、３ｄはスプリット電極が６本ずつに
なっている。この状況は、図３Ｂにおいてよく理解され
る。そして、図３Ｃは、図３Ｂのインパルス列のベクト
ル概念図である。この図３Ａに示す実施例の周波数応答
は、図７に示されるように、メインのレスポンスをｆ0
と考えると、０〜２ｆ0 において、スプリアスの発生が
なく、図８、図９に示す従来相当例に比べて、改善され
ていることが理解される。このような周波数特性は、Ｉ
Ｆ回路に最適である。
ンパルス列を４インパルス列毎に区分し、この各４イン
パルス列のうち、２個目のインパルスと３個目のインパ
ルスをゼロにした第３の重み付けインパルス列より得ら
れたスプリットＩＤＴ電極３ａ、３ｂを示す。図３Ｂ
は、図３Ａの重み付けインパルス列スプリットＩＤＴ電
極３ａ、３ｂを、その電極間幅を取って、正規型インパ
ルス列スプリットＩＤＴ電極３ｃ、３ｄでもって、その
インパルス列の並び方を概略示したものである。図３Ａ
と図３Ｂにおいて、スプリットＩＤＴ電極３ａ、３ｃは
スプリット電極が２本ずつなのに対し、異極のスプリッ
トＩＤＴ電極３ｂ、３ｄはスプリット電極が６本ずつに
なっている。この状況は、図３Ｂにおいてよく理解され
る。そして、図３Ｃは、図３Ｂのインパルス列のベクト
ル概念図である。この図３Ａに示す実施例の周波数応答
は、図７に示されるように、メインのレスポンスをｆ0
と考えると、０〜２ｆ0 において、スプリアスの発生が
なく、図８、図９に示す従来相当例に比べて、改善され
ていることが理解される。このような周波数特性は、Ｉ
Ｆ回路に最適である。
【０００９】図４Ａは、図３Ａに示す第３の重み付けイ
ンパルス列をソリッドＩＤＴ電極４ａ、４ｂにて構成し
たものを示している。図４Ｂは、図４Ａの重み付けイン
パルス列ソリッドＩＤＴ電極４ａ、４ｂを、その電極間
幅を取って、正規型インパルス列ソリッドＩＤＴ電極４
ｃ、４ｄでもって、そのインパルス列の並び方を概略示
したものである。図４Ａと図４Ｂにおいて、ソリッドＩ
ＤＴ電極４ａ、４ｃはソリッド電極が１本ずつなのに対
し、異極のソリッドＩＤＴ電極４ｂ、４ｄはソリッド電
極が３本ずつになっている。この状況は、図４Ｂにおい
てよく理解される。図４Ｃは、図４Ｂの電極インパルス
列の概念図である。この図４に示す実施例の周波数応答
も、図７に示されるように、メインのレスポンスがｆ0
で、低域側にスプリアスがなく、かつ高域側サイドロー
ブのスプリアスをメインのレスポンスからｆ0 だけ離す
ことができ、図８、図９に示す従来相当例に比べて、改
善されていることが理解される。図４に示す本実施例に
おいて、メインのレスポンスはｆ0 で、電極幅および電
極間幅はλ0 ／８となっているので、ＴＴＥの低減に有
効である。特に、図４Ａの場合、図３Ａに比べて電極幅
が２倍になり、加工上の不良が大きく低減される。
ンパルス列をソリッドＩＤＴ電極４ａ、４ｂにて構成し
たものを示している。図４Ｂは、図４Ａの重み付けイン
パルス列ソリッドＩＤＴ電極４ａ、４ｂを、その電極間
幅を取って、正規型インパルス列ソリッドＩＤＴ電極４
ｃ、４ｄでもって、そのインパルス列の並び方を概略示
したものである。図４Ａと図４Ｂにおいて、ソリッドＩ
ＤＴ電極４ａ、４ｃはソリッド電極が１本ずつなのに対
し、異極のソリッドＩＤＴ電極４ｂ、４ｄはソリッド電
極が３本ずつになっている。この状況は、図４Ｂにおい
てよく理解される。図４Ｃは、図４Ｂの電極インパルス
列の概念図である。この図４に示す実施例の周波数応答
も、図７に示されるように、メインのレスポンスがｆ0
で、低域側にスプリアスがなく、かつ高域側サイドロー
ブのスプリアスをメインのレスポンスからｆ0 だけ離す
ことができ、図８、図９に示す従来相当例に比べて、改
善されていることが理解される。図４に示す本実施例に
おいて、メインのレスポンスはｆ0 で、電極幅および電
極間幅はλ0 ／８となっているので、ＴＴＥの低減に有
効である。特に、図４Ａの場合、図３Ａに比べて電極幅
が２倍になり、加工上の不良が大きく低減される。
【００１０】本発明にかかる図４Ａの実施例を図１Ａの
従来相当例と比較すると、本実施例ではＩＤＴ電極のイ
ンピーダンスを２倍に上げることができる。図１と図４
では、同極と異極のＩＤＴ電極のフィンガーの数が異な
るがインパルス列のエンべロープは同じなので、ｆ0 付
近における周波数応答特性は同様になる。
従来相当例と比較すると、本実施例ではＩＤＴ電極のイ
ンピーダンスを２倍に上げることができる。図１と図４
では、同極と異極のＩＤＴ電極のフィンガーの数が異な
るがインパルス列のエンべロープは同じなので、ｆ0 付
近における周波数応答特性は同様になる。
【００１１】なお、上記実施例では、重み付けインパル
ス列によるＩＤＴ電極について述べたが、正規型インパ
ルス列によるＩＤＴ電極についても適用できる。
ス列によるＩＤＴ電極について述べたが、正規型インパ
ルス列によるＩＤＴ電極についても適用できる。
【００１２】次に、本発明をＤＢＳ用の２ｎｄ ＩＦフ
ィルタ（ｆ0 は４０２．７８ＭＨｚ）に具体的に応用し
た場合を図５に示す。圧電基板材料は１２８゜Ｙ−Ｘ
ＬｉＮｂＯ3 である。重み付けＩＤＴ電極は、ｆ0 にて
５４対で、図４の実施例に相当し、正規型ＩＤＴ電極は
１２．５対で、１／３サンプリングを施している。図５
Ａの減衰量特性図からわかるように、０〜２ｆ0 （約８
００ＭＨｚ）までスプリアスがなく、図５Ｂに示すよう
に、メインの特性もリップルが小さく良好である。
ィルタ（ｆ0 は４０２．７８ＭＨｚ）に具体的に応用し
た場合を図５に示す。圧電基板材料は１２８゜Ｙ−Ｘ
ＬｉＮｂＯ3 である。重み付けＩＤＴ電極は、ｆ0 にて
５４対で、図４の実施例に相当し、正規型ＩＤＴ電極は
１２．５対で、１／３サンプリングを施している。図５
Ａの減衰量特性図からわかるように、０〜２ｆ0 （約８
００ＭＨｚ）までスプリアスがなく、図５Ｂに示すよう
に、メインの特性もリップルが小さく良好である。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、逆フーリエ変換して得られた
インパルス列を、２倍オーバーサンプリングして、メイ
ンのレスポンスを２ｆ0 に上げ、さらに１／２サンプリ
ングすることによって得られる２ｆ0 の１／２のスプリ
アス（ｆ0 ）を使用することにより、低域側にスプリア
スがなく、かつ高域側サイドローブのスプリアスをメイ
ンのレスポンスから遠く離して、帯域外減衰量を悪化さ
せることなく、２倍ほどの高インピーダンスを実現する
ことができる。従来例のサンプリング方法に比べて、上
記のように必要な周波数帯に不要なスプリアスの発生が
ない。また、電極幅および電極間隔をλ0 ／８とするこ
とによって、ＴＴＥによるリップルの低減効果も従来通
り維持できる。
インパルス列を、２倍オーバーサンプリングして、メイ
ンのレスポンスを２ｆ0 に上げ、さらに１／２サンプリ
ングすることによって得られる２ｆ0 の１／２のスプリ
アス（ｆ0 ）を使用することにより、低域側にスプリア
スがなく、かつ高域側サイドローブのスプリアスをメイ
ンのレスポンスから遠く離して、帯域外減衰量を悪化さ
せることなく、２倍ほどの高インピーダンスを実現する
ことができる。従来例のサンプリング方法に比べて、上
記のように必要な周波数帯に不要なスプリアスの発生が
ない。また、電極幅および電極間隔をλ0 ／８とするこ
とによって、ＴＴＥによるリップルの低減効果も従来通
り維持できる。
【図１】 伝送特性を逆フーリエ変換して得られた第１
のインパルス列を示すもので、Ａは重み付けインパルス
列により与えられるスプリットＩＤＴ電極図、ＢはＡを
わかりやすく説明するために交叉幅一定とした正規型Ｉ
ＤＴ電極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクト
ル概念図
のインパルス列を示すもので、Ａは重み付けインパルス
列により与えられるスプリットＩＤＴ電極図、ＢはＡを
わかりやすく説明するために交叉幅一定とした正規型Ｉ
ＤＴ電極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクト
ル概念図
【図２】 図１Ａのインパルス列をその包絡線に沿って
１／２周期で２倍オーバーサンプリングした第２のイン
パルス列を示すもので、Ａは重み付けインパルス列によ
り与えられるスプリットＩＤＴ電極図、ＢはＡをわかり
やすく説明するために交叉幅一定とした正規型ＩＤＴ電
極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクトル概念
図、ＤおよびＥは包絡線に沿って１／２周期で２倍のオ
ーバーサンプリングをする場合の説明図
１／２周期で２倍オーバーサンプリングした第２のイン
パルス列を示すもので、Ａは重み付けインパルス列によ
り与えられるスプリットＩＤＴ電極図、ＢはＡをわかり
やすく説明するために交叉幅一定とした正規型ＩＤＴ電
極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクトル概念
図、ＤおよびＥは包絡線に沿って１／２周期で２倍のオ
ーバーサンプリングをする場合の説明図
【図３】 図２Ａのインパルス列を周期的にゼロにした
第３のインパルス列を示すもので、Ａは重み付けインパ
ルス列により与えられるスプリットＩＤＴ電極図、Ｂは
Ａをわかりやすく説明するために交叉幅一定とした正規
型ＩＤＴ電極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベ
クトル概念図
第３のインパルス列を示すもので、Ａは重み付けインパ
ルス列により与えられるスプリットＩＤＴ電極図、Ｂは
Ａをわかりやすく説明するために交叉幅一定とした正規
型ＩＤＴ電極の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベ
クトル概念図
【図４】 図３Ａのインパルス列をソリッド電極にした
もので、Ａは重み付けＩＤＴ電極図、ＢはＡをわかりや
すく説明するために交叉幅一定とした正規型ＩＤＴ電極
の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクトル概念図
もので、Ａは重み付けＩＤＴ電極図、ＢはＡをわかりや
すく説明するために交叉幅一定とした正規型ＩＤＴ電極
の形状図、Ｃは同図Ｂのインパルス列のベクトル概念図
【図５】 本発明の具体的応用例を示すもので、Ａは広
い周波数レンジにおけるスプリアス特性図、Ｂは通過周
波数帯域の特性図
い周波数レンジにおけるスプリアス特性図、Ｂは通過周
波数帯域の特性図
【図６】 図２Ａに示すインパルス列の周波数応答図
【図７】 図３Ａおよび図４Ａに示すインパルス列の周
波数応答図
波数応答図
【図８】 従来例におけるインパルス列の周波数応答図
【図９】 従来例におけるインパルス列の周波数応答図
１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ
スプリットＩＤＴ電極 ２ｃ，２ｄ 包絡線 ２ｅ，２ｆ １／２周期の位置 ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ ソリッドＩＤＴ電極
スプリットＩＤＴ電極 ２ｃ，２ｄ 包絡線 ２ｅ，２ｆ １／２周期の位置 ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ ソリッドＩＤＴ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−225211（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−126351（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−164317（ＪＰ，Ａ) ＤＡＶＩＤ Ｐ．ＭＯＲＧＡＮ“ＳＴ ＵＤＩＥＳ ＩＮ ＥＬＥＣＴＲＩＣＡ Ｌ ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ Ｅ ＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ 19 Ｓｕｒｆａ ｃｅ−Ｗａｖｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏ ｒ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ ｇ”，ＥＬＳＥＶＩＥＲ 1985，ｐ. 200−201 ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＳＯＮＩＣＳ ＡＮＤ ＵＬＴ ＡＳＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．ＳＵ−22，Ｎ Ｏ．６，ＮＯＶＥＭＢＥＲ 1975，ｐ. 395−401 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145
Claims (2)
- 【請求項１】 所望の伝送特性（中心周波数ｆ0 、その
ときの表面波の波長をλ0 とする。）を逆フーリエ変換
して第一のインパルス列を作り、この第一のインパルス
列をその包絡線に沿って１／２の周期で２倍オーバーサ
ンプリングして第２のインパルス列を作り、この第２の
インパルス列を４インパルス列毎に区分し、この各４イ
ンパルス列のうち、２個目のインパルスと３個目のイン
パルスをゼロにして第３のインパルス列を作り、この第
３のインパルス列でもって、圧電基板にＩＤＴ電極を構
成した表面波フィルタの櫛形電極。 - 【請求項２】 前記ＩＤＴ電極の電極幅および電極間隔
がおおむねλ0 ／８である請求項１記載の表面波フィル
タの櫛形電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12697993A JP3170955B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 表面波フィルタの櫛形電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12697993A JP3170955B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 表面波フィルタの櫛形電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338754A JPH06338754A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3170955B2 true JP3170955B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=14948644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12697993A Expired - Fee Related JP3170955B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 表面波フィルタの櫛形電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170955B2 (ja) |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12697993A patent/JP3170955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＤＡＶＩＤ Ｐ．ＭＯＲＧＡＮ"ＳＴＵＤＩＥＳ ＩＮ ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ １９ Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｗａｖｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ"，ＥＬＳＥＶＩＥＲ １９８５，ｐ．２００−２０１ |
| ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＳＯＮＩＣＳ ＡＮＤ ＵＬＴＡＳＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．ＳＵ−２２，ＮＯ．６，ＮＯＶＥＭＢＥＲ １９７５，ｐ．３９５−４０１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06338754A (ja) | 1994-12-06 |
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