JP3170687U - 電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型の電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を提供する。【解決手段】電気コネクタは、相手コネクタが挿入される収容空間を有し、基部と、基部から前向きに延出して収容空間に突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子とを含む。基部は、取付面と、取付面に対向する頂面とを含み、舌片は、上壁と、上壁に対向する下壁とを含み、導電端子は、舌片の下壁に配置される接触部と、絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、基部の取付面と舌片の下壁とは同一な平面に配置され、導電端子の半田部が取付面と同一な平面に配置される。メモリ記憶装置は、回路基板と回路基板に実装された電気コネクタを提供する。【選択図】図5

Description

本考案は、信号を伝送できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置に関する。
特許文献1に示されるように、従来技術の電気コネクタは、メモリ記憶装置に用いでき、絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着された複数の導電端子と、を含み、前記絶縁ハウジングは、基部と、基部から前向きに延出する舌片とを含み、前記舌片に導電端子を対応し収容するための収容溝が形成し、収容溝が絶縁ハウジングの基部を貫通するように配置される。基部は平板状の延出部を後向きに延出し、延出部の下面と基部の下面との間に段差部が形成する。電気コネクタがメモリ記憶装置の回路基板に実装する時に、回路基板が前記段差部に収容し、延出部の下面が回路基板の上面に当接している。
中国実用新案公告第CN2704131Y号明細書
しかしながら、前記絶縁ハウジングの延出部と基部との間に段差が形成するので、絶縁ハウジングを成型する時に、平板状の延出部がワープ変形を生じることが易くなり、また、絶縁ハウジングの高さが高いので、メモリ記憶装置の小型化に不利になった。そこで、新型な電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を開発することが必要である。
本考案は上記問題点を解消するためになされたものであり、絶縁ハウジングの構造を改善できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を提供することを目的とする。
本考案は、相手コネクタが挿入された収容空間を有し、基部と、前記基部から前向きに延出して前記収容空間までに突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子とを含む電気コネクタにおいて、前記基部は、取付面と、前記取付面に反する頂面とを含み、前記舌片は、上壁と、前記上壁に反する下壁とを含み、前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする。
本考案の電気コネクタは、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されるので、絶縁ハウジングの成型する過程において、舌片の厚さの方向に沿った変形が減少され、同時に、絶縁ハウジングの高さが低減され、メモリ記憶装置の薄型化に有利になる。
本考案に係るメモリ記憶装置の組立斜視図である。 本考案に係るメモリ記憶装置の部分の分解斜視図である。 本考案に係るメモリ記憶装置の分解斜視図である。 図3に示すメモリ記憶装置のほかの角度から見た分解斜視図である。 本考案に係る電気コネクタのシェルが外した斜視図である。
以下、図1〜図5を参照しながら、本考案のメモリ記憶装置200は回路基板5と、回路基板5に実装され、USB3.0規格に符合する電気コネクタ100とを含み、前記電気コネクタ100は、絶縁ハウジング1と、ベース部材2と、導電端子3と、絶縁ハウジング2の外周を覆う金属板からなるシェル4と、を含む。
絶縁ハウジング1は、基部10と基部10から前向きに延出する舌片11とを含み、舌片11は、上壁111と下壁112とを備え、導電端子3が舌片11の下壁112に配置される。前記シェル4は、舌片11を包囲するように相手コネクタを収容するための収容空間12が形成している。前記基部10は、回路基板5に貼り付けられる取付面103と、取付面103に対向し反する頂面108とを備える。取付面103と舌片11の下壁112とは同一な平面に位置する。基部10の両側には側壁102がベース部材2を挟んでするためにそれぞれ延出し設けられ、各側壁102に凹部104と、凹部104から更に延出する係合溝105とが形成される。基部10両側壁102の間には、前記収容空間12に貫通する溝部101が形成され、溝部101の底面に導電端子2を収容するための二列の端子溝106が凹んで形成され、二列の端子溝106の間に、隔離溝107が形成される。また、基部10の取付面103の後端に位置決め溝109が貫通している。前記基部10の後端の底部に回路基板5を収容するための受入空間1001が形成し、溝部101により前記収容空間12と受入空間1001を連通して、前記基部10に前記回路基板5の孔52に係合するようにポスト1002が設け、ポスト102が前記受入空間1001に突出するように配置される。
前記ベース部材2は、前記基部10の溝部101の底部に当接する凸状リブ21と、前記導電端子2を押圧するように端子溝106までに突出する圧着部26とが形成し、またベース部材2の両側に前記基部10の凹部104に係合する凸部24と、前記係合溝105に係合するための係止部25とを含む。ベース部材2が前記溝部101に収容する時に、凸部24が凹部104に係合し、係止部25が前記係合溝105に係合することによってベース部材2の移動が制限される。
前記複数の導電端子3は、第一端子組31と第二端子組32とを含み、第二端子組32がUSB2.0規格標準に符合し、前記第一端子組31と第二端子組32とはUSB3.0規格標準に符合している。
前記第一端子組31は、五本があり、二ペアの差動信号端子318と、二ペアの差動信号端子318の間に配置される一本の接地端子319とを含む。各第一端子31は、保持部311と、保持部311の一端から前向きに延出して相手コネクタに接触するための弾性的な接触部312と、保持部311の他端から後向きに延出し、絶縁ハウジング1の位置決め溝109に収容される位置決め部314と、位置決め部314から後向き延出して、絶縁ハウジング1を突出するテール部とを含み、前記接地端子319のテール部は、二本の半田部315が切り離される。第一端子組31の保持部311は絶縁ハウジング1の端子溝106に保持されることによって、導電端子の左右方向での移動が制限でき、保持部311の両側が前記隔離溝107に係合するための突部316が形成され、また、ベース部材2が保持部311と突部316に押圧して、これらによって、導電端子31の前後方向の移動が制限される。
第二端子組32は、パワー端子327と、接地端子329と、接地端子327とパワー端子329との間に配置される一ペアの差動信号端子328とを含む。第2端子組32は、絶縁ハウジング1にインサート成型にされ、前記収容空間12に露出する平板状の接触部322と、絶縁ハウジング1を突出する半田部325とが備える。前記接触部312、322が舌片11の下壁112に配置され、第一端子組31の接触部312は第2端子組32の接触部322の前方に位置している。導電端子3の半田部315、325は前記取付面103の位置する平面に配置されるように回路基板5に一列で半田付けられ、また、第2端子組32の接地端子329とパワー端子327との半田部325は最外側に位置し、第2端子組32の一ペアの差動信号端子328の半田部325が第一端子組31の接地端子319の一対の半田部315の間に配置される。
金属板からなるシェル4は、絶縁ハウジング1の外周を覆って、天板41と、天板41から下向きに延出する固持片43とを備え、回路基板5に前記固持片43に係合するための保持溝53が形成される。
電気コネクタ100の絶縁ハウジング1の基部10の取付面103が下壁112が同一な平面に位置するので、導電端子3の半田部315、325が取付面103の位置する平面に配置されるので、絶縁ハウジング1の成型する過程において、舌片11の厚さの方向に沿った変形が減少され、同時に、絶縁ハウジング1の高さが低減され、メモリ記憶装置200の薄型化に有利になる。
以上、本考案について最良の実施の形態を参照して詳細に説明したが、実施形態はあくまでも例示的なものであり、これらに限定されない。また、本考案に基づきなしうる細部の修正或は変更など、いずれも本考案の請求範囲に属するものとする。
100 電気コネクタ
200 メモリ記憶装置
1 絶縁ハウジング
10 基部
103 取付面
11 舌片
112 下壁
12 収容空間
2 ベース部材
3 導電端子
4 シェル
5 回路基板

Claims (5)

  1. 相手コネクタが挿入された収容空間を有し、基部と、前記基部から前向きに延出して前記収容空間までに突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、
    前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子と
    を含む電気コネクタにおいて、
    前記基部は、取付面と、前記取付面に反する頂面とを含み、
    前記舌片は、上壁と、前記上壁に反する下壁とを含み、
    前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、
    前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする電気コネクタ。
  2. 前記基部の頂面と前記舌片の上壁は、同一な平面に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電気コネクタ。
  3. 回路基板と、この回路基板に実装された前記請求項1による電気コネクタと、を有するメモリ記憶装置。
  4. 前記電気コネクタの基部の後端には、前記回路基板に収容する受入空間が形成されることを特徴とする請求項3に記載の電気コネクタ。
  5. 前記電気コネクタの絶縁本体は、前記収容空間と受入空間を連接する溝部が形成され、前記電気コネクタは前記溝部に取付られたベース部材を備え、前記絶縁本体の基部には、前記ベース部材を挟んでいる両側壁を有することを特徴とする請求項4に記載の電気コネクタ。
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