JP3161788U - セラミックヒートシンク構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】良好な絶縁効果を有するとともに、発光素子から生じる熱を散逸させることができるセラミック放熱体を具え、しかも、製造工程を簡略化させコストを下げることができる、セラミックヒートシンク構造を提供する。【解決手段】セラミック放熱体1と、はんだ付け可能な銅ペースト層2と、はんだ層3と、少なくとも一つの発光素子4と、によって構成する。該はんだ付け可能な銅ペースト層2を該セラミック放熱体1に塗布した後、100から300度の温度で焼いて固化し電気回路を形成させ、さらに、はんだ層3を該はんだ付け可能な銅ペースト層2上に形成させ、その後、該発光素子を該はんだ付け可能な銅ペースト層に設け、該はんだ層で該発光素子を固定させる。該はんだ付け可能な銅ペースト層は該はんだ層を通して該発光素子に電気を導通させ、該発光素子は電力を受け発光し、該セラミック放熱体は該発光素子の発光時に生じた熱を散逸させる。【選択図】図1

Description

本考案は、LEDから生じる熱を散逸することができるセラミックヒートシンク構造の改良に関する。
従来のLEDの放熱技術には、一般的に、セラミックヒートシンクやアルミヒートシンクによって放熱を行う方法がある。アルミヒートシンクの放熱方法は、アルミヒートシンクをLEDモジュールの表面に取り付けることで、LEDモジュールが発光した時にLEDモジュールから生じる熱がアルミヒートシンクによって散逸される。このような放熱方法は、LEDモジュールから生じる熱を放出することができるものの、アルミヒートシンクは放熱効果を有する以外に、導電機能も具えているため、感電を防ぐために、LEDモジュールとヒートシンクの間を絶縁させなくてはならない。
また、従来のセラミックヒートシンクは、銀ペーストによって電気回路をセラミックヒートシンクに印刷し、その後700度以上の高温で長時間焼結させ、電気回路をセラミックヒートシンクに固化させる。しかしながら、このような製造方法は、時間がかかるだけでなく、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなる。
以上の問題点に鑑み、本考案は、良好な絶縁効果を有するとともに、発光素子から生じる熱を散逸させることができるセラミック放熱体を具える、セラミックヒートシンク構造の改良を提供することを目的とする。
また、本考案は、製造工程を簡略化させコストを下げることができる、セラミックヒートシンク構造の改良を提供することを目的とする。
本考案によるセラミックヒートシンク構造の改良は、はんだ付け可能な銅ペースト層をセラミック放熱体表面に直接印刷し、100から300度の温度で焼いて固化させて電気回路を形成させるとともにセラミック放熱体に貼り合わせ、発光素子をはんだ付け可能な銅ペースト層に形成された電気回路上に直接設け、はんだ層で発光素子を固定する。以上の構造により、はんだ付け可能な銅ペースト層は、はんだ層を通じて発光素子に電気を導通させ、発光素子は電力を受けて発光し、発光素子の発光時に生じた熱はセラミック放熱体によって散逸される。
本考案により、製造工程が簡略化されるとともに、工程にかかる時間が短縮され、製造コストを下げることができ、従来の銀ペーストによって電気回路をセラミックヒートシンクに印刷する方法に取ってかわることができるとともに、700度以上の高温且つ長時間で焼結ことによる製造工程の複雑さとコストの高さの問題を解決することができる。
本考案の実施例1を示した分解図である。 電気回路層が形成されたセラミック放熱体の表面を示した斜視図である。 本考案の実施例1の外観を示した斜視図である。 本考案の実施例1の断面図である。 本考案の実施例2を示した説明図である。 本考案の実施例3の外観を示した斜視図である。
(実施例1)
図1から図4を参照する。図1は本考案の実施例1を示した分解図であり、図2は電気回路層が形成されたセラミック放熱体の表面を示した斜視図であり、図3は本考案の実施例1の外観を示した斜視図であり、図4は本考案の実施例1の断面図である。図に示すように、本考案によるセラミックヒートシンク構造の改良100は、セラミック放熱体1と、はんだ付け可能な銅ペースト層2と、はんだ層3と、複数の発光素子4とによって構成する。セラミック放熱体1は熱を放出する。はんだ付け可能な銅ペースト層2は、セラミック放熱体1の表面に形成されるとともに二本の導線21a、21bを具え、電気を導通する。はんだ層3は、はんだ付け可能な銅ペースト層2上に形成され、発光素子4を固定するとともに電気を発光素子4に導通させる。発光素子4はLEDであり、電力を受けて発光する。本実施例において、セラミック放熱体1は、熱伝導セラミック、或いは、多孔質セラミック、或いはグラファイトセラミックの内の一つであり、その形状は本実施例においては四角形であるが、需要に応じてその他の形状でもよい。
はんだ付け可能な銅ペースト層2をセラミック放熱体1表面に形成させた後、100から300度の温度で焼いて固化して電気回路を形成させ、セラミック放熱体1に貼り付ける。次に、はんだ層3をはんだ付け可能な銅ペースト層2上に形成させ、その後、発光素子4をはんだ付け可能な銅ペースト層2に設けるとともに、はんだ層3によって発光素子4をはんだ付け可能な銅ペースト層2に固定する。以上により、本考案のセラミックヒートシンク構造の改良100が完成する。なお、はんだ付け可能な銅ペースト層2は、はんだ付け可能な銅ペーストによってなる。また、はんだ付け可能な銅ペースト層2をセラミック放熱体1表面に形成させる方法は、スクリーン印刷、金属板印刷、スプレー、転写などである。また、はんだ層3は、一般のはんだや、はんだペーストを用いることができ、表面を接着させる技術によりはんだ付け可能な銅ペースト層2上に形成させる。
本考案のセラミックヒートシンク構造の改良100が完成した後、はんだ付け可能な銅ペースト層2の二本の導線21a、21bによって電気が導通され、その電気がはんだ層3によって発光素子4に伝送され、発光素子4は電力を受け発光する。また、発光素子4が電力を受け発光すると同時に、発光素子4は熱エネルギーを生じ、発光素子4から生じた熱エネルギーはセラミック放熱体1に伝わり、セラミック放熱体1によって、発光素子4から生じた熱エネルギーは散逸される。
(実施例2)
図5は、本考案の実施例2を示した説明図である。図に示すように、本実施例の構造及び作用原理は実施例1とほぼ同様であるため、ここでは記載を省略する。その違いは、本実施例のセラミックヒートシンク構造の改良200のセラミック放熱体1aが円錐形であることであり、はんだ付け可能な銅ペースト層2はセラミック放熱体1aの頂面に形成させ、はんだ付け可能な銅ペースト層2上には、はんだ層3を形成させるとともに、複数の発光素子4を設ける。以上の構造により、はんだ付け可能な銅ペースト層2とはんだ層3によって電気が発光素子4に導通され、発光素子4は電力を受けて発光し、発光素子4が発光した時に生じる熱はセラミック放熱体1aによって散逸される。
(実施例3)
図6は、本考案の実施例3の外観を示した斜視図である。図に示すように、本実施例の構造及び作用原理は実施例1とほぼ同様であるため、ここでは記載を省略する。その違いは、本実施例のセラミックヒートシンク構造の改良300のセラミック放熱体1aの発光素子4aが高パワーLEDであることである。発光素子4aは、はんだ付け可能な銅ペースト層2に設け、電力を受けて発光する。発光素子4aが電力を受けて発光すると同時に、発光素子4aから生じた熱はセラミック放熱体1によって散逸される。
100、200、300 セラミックヒートシンク構造の改良
1、1a セラミック放熱体
2 はんだ付け可能な銅ペースト層
21a、21b 導線
3 はんだ層
4、4a 発光素子

Claims (7)

  1. セラミック放熱体と、
    該セラミック放熱体の表面に形成されるはんだ付け可能な銅ペースト層と、
    該はんだ付け可能な銅ペースト層上に形成されるはんだ層と、
    該はんだ付け可能な銅ペースト層に設けられる少なくとも一つの発光素子と、によって構成し、
    該はんだ付け可能な銅ペースト層を該セラミック放熱体に塗布した後、低温で焼いて固化し電気回路を形成させ、さらに、該はんだ層を該はんだ付け可能な銅ペースト層上に形成させ、その後、該発光素子を該はんだ付け可能な銅ペースト層に設け、該はんだ層で該発光素子を固定させ、
    以上の構造により、該はんだ付け可能な銅ペースト層は該はんだ層を通じて該発光素子に電気を導通させ、該発光素子は電力を受け発光し、該セラミック放熱体は該発光素子の発光時に生じた熱を散逸させることを特徴とする、セラミックヒートシンク構造の改良。
  2. 前記セラミック放熱体は、熱伝導セラミック、多孔質セラミック、グラファイトセラミックの内の一つからなることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。
  3. 前記セラミック放熱体は、四角形或いは円錐形であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。
  4. 前記はんだ付け可能な銅ペースト層は、スクリーン印刷、金属板印刷、スプレー、転写によって前記セラミック放熱体の表面に形成されることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。
  5. 前記発光素子はLEDであることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。
  6. 焼いて固化する際の温度は100から300度であることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。
  7. 前記はんだ付け可能な銅ペースト層は、はんだ付け可能な銅ペーストからなることを特徴とする、請求項1に記載のセラミックヒートシンク構造の改良。

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