JP3154871B2 - T形ブッシング - Google Patents

T形ブッシング

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JP3154871B2 JP16910193A JP16910193A JP3154871B2 JP 3154871 B2 JP3154871 B2 JP 3154871B2 JP 16910193 A JP16910193 A JP 16910193A JP 16910193 A JP16910193 A JP 16910193A JP 3154871 B2 JP3154871 B2 JP 3154871B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、絶縁ガスが封
入された金属閉鎖形スイッチギヤの箱体間をケーブルで
接続するT形ブッシングに関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来のT形ブッシング21が受電
設備1を構成する各箱体1A,1B,1C,1D,1
E,1F,1G,1H,1Jの天井板に貫設され、ケー
ブル2で接続された状態を示す斜視図である。また、図
7は、箱体1B,1D,1Eの天井部の後部のT形ブッ
シングの接続過程を示す縦断面拡大図を示し、図8は、
図7の部分拡大詳細図を示す。
【0003】図6,図7及び図8において、箱体1B,
1D,1Eの天井部には、詳細を図7に示すように、特
公昭60- 160309号公報で示されるT形ブッシング23A,
23B,23Cがそれぞれ貫設され、天井板に挿着された図
示しないOリングを介して気密に固定されている。その
他の箱体1A,1C,1F,1G,1H,1Jの天井部
にも、T形ブッシング23A,23B,23Cと同一品のT形
ブッシングが縦に貫設されている。
【0004】これらのT形ブッシング23A,23B,23C
には、略T形の中心導体25の外周に、エポキシ樹脂で注
型成形された絶縁層24が略T形に形成され、箱体1B,
1D,1Eの天井面から上方に突き出た部分(以下、頭
部という)23aには、図7において左右に貫通する貫通
穴23bが形成されている。頭部23aの外周には、破線で
示す接地層23cが形成されている。
【0005】図7及び図8において、ケーブル2の芯線
2aの端部には、円筒状の接触子28が挿入され、芯線2
aの端面から挿入されたくさび28bによって固定されて
いる。接触子28の外周には、断面凹字状の溝が形成さ
れ、この溝には、帯板状の導電性ばね材料で製作された
環状の接触板28aが装着されている。
【0006】ケーブル2の両端には、外被2cを取り除
いた内被2bに、略円筒状のストレスコーン26が挿入さ
れ、図7で示した箱体1D,1Eでは、頭部23aの貫通
穴23bに挿入され、図示しない押圧具で内側に押圧され
ている。
【0007】このように構成されたT形ブッシングにお
いては、例えば、図7に示す箱体1D,1Eの天井板に
貫設されたT形ブッシング23B,23Cの間をケーブル2
で接続するときには、まず、接触子28やストレスコーン
26が挿着されていない状態のケーブル2を、T形ブッシ
ング23Aの左側から挿入し、矢印Aに示すように右に移
動してT形ブッシング23Bの右側に先端を突き出す。
【0008】この突き出されたケーブル2の右端の内被
2bにストレスコーン26を図8に示すように挿入し、芯
線2aの先端に接触子28を挿入しくさび28bをたたき込
む。同様に、T形ブッシング23Bの左側に残った部分の
ケーブル2の左端の内被2bにストレスコーン26を図8
と対称的に挿入し、同じく接触子28を挿着してくさび28
bをたたき込む。
【0009】次に、ケーブル2を更に右側に移動して、
ケーブル2の右端に挿着した接触子28をT形ブッシング
23Cの中心導体25の頭部25aに挿入し、ストレスコーン
26をT形ブッシング23Cの頭部23aに形成された貫通穴
23bに挿入し、図示しない締付具で締め付ける。同様
に、このケーブル2の左側に挿着したストレスコーン26
をT形ブッシング23Bの頭部23aの貫通穴26に挿入し
て、図示しない締付具で締め付ける。
【0010】箱体1B,1D間にケーブル2を接続する
ときも同様に、ケーブル2を箱体1Bの左側からT形ブ
ッシング23Aに貫通し、一対のストレスコーン26を対称
的に挿着し、接触子28を両端に挿着し、くさび28bをた
たき込み、接触板28aを挿着した後、右端の接触子28は
T形ブッシング23Bに挿入し、左端の接触子28はT形ブ
ッシング23Aに挿入する。同じく、ストレスコーン26を
左右のT形ブッシング23A,23Bに挿入して締め付け
る。
【0011】なお、ストレスコーン26を頭部23aの貫通
穴23bに挿入するときには、ストレスコーン26の外周
と、貫通穴23bの内周をあらかじめアルコールで清浄に
し、シリコーングリスを塗布する。T形ブッシング23C
の右端とT形ブッシング23Aの左端には、図示しない盲
栓を挿着する。
【0012】ところで、このように構成されたガス絶縁
スイッチギヤにおいては、製作工場から出荷するときに
は、日本電機工業会規格(JEM1425)に従って耐電圧
試験が行われ、現地で据付完了後には、運転を始める前
に電機設備技術基準に従って所定の耐電圧試験が行われ
る。
【0013】図6に示した箱体1B内の電気機器の耐電
圧試験を行うときには、図7に示したT形ブッシング23
Aの左側に形成された開口部23bに挿入されたケーブル
2を外して、隣接箱体に収納された電気機器を切り離
し、耐電圧試験機に接続されたケーブルをT形ブッシン
グ23Aの軸心に挿入して締め付けて接続する。隣接盤の
耐電圧試験もすべて完了すると、隣接盤と箱体B1のT
形ブッシングを接続するケーブルを再び組み込む。
【0014】一方、このように列盤された箱体で構成さ
れる受電設備では、製作工場での組合せ試験後に出荷す
るときには、三分割又は四分割されて梱包され、大形の
トラックなどによってこの受電設備が据え付けられる現
地に運搬される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
構成されたT形ブッシングにおいては、図7で示す右端
の箱体1Eの右側に、箱体1B,1Cと同様にこの箱体
1EのT形ブッシング23Cに接続される箱体が連続して
数面隣接され、更に、右端の箱体がビルの壁に隣接され
た受電設備では、それらの箱体のT形ブッシング間を接
続するすべてのケーブル2は、図7に示す左端の箱体1
Bの天井部に貫設されたT形ブッシング23Aの頭部24を
貫通させて、順に右方向に移動させなければならない。
【0016】また、上述したケーブル2に対するストレ
スコーン26の挿着や接触子28の挿着及び、くさび28b,
接触板28aの挿着や、貫通穴24aの内周の清拭作業は、
金属閉鎖形スイッチギヤの設置面から2メートル以上と
なる各箱体の上面で行わなければならない。
【0017】しかも、これらの作業は、製作工場におけ
る試験時と据付現地の2回となり、製作工場では、接続
したケーブルとの接続部を、受電設備の設置場所への運
搬のために解体し、ストレスコーン26とこのストレスコ
ーン26が挿入されるT形ブッシングの貫通穴23bの内周
は、塵埃の付着を避けるために、梱包しなければならな
い。
【0018】そこで、本発明の目的は、箱体間を容易に
接続することができ、耐電圧試験も容易に行うことので
きるT形ブッシングを得ることである。
【0019】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部
に、中心導体と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブ
ッシングと、中心導体の頭部に対向して設けられ中心導
体の頭部との間に接続導体の端部が挿入される押え電極
と、下部ブッシングの頭部と相対向して設けられ、下部
ブッシングの頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対
向する溝が形成された上部ブッシングと、下部ブッシン
グと上部ブッシングの溝を除く対向面に挿着されシリコ
ーンゲルとよりなるT形ブッシングである。
【0020】また、請求項2に記載の発明は、軸心に中
心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中心導体と
直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシングと、中
心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭部との間
に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下部ブッシ
ングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシングの頭
部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する溝が形成
された上部ブッシングと、下部ブッシングと上部ブッシ
ングの溝を除く対向面に挿着されシリコーンゲルが塗布
されたゴムシートとよりなるT形ブッシングである。
【0021】また、請求項3に記載の発明は、軸心に中
心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中心導体と
直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシングと、中
心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭部との間
に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下部ブッシ
ングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシングの頭
部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する溝が形成
された上部ブッシングと、下部ブッシングと上部ブッシ
ングの溝に挿着されたシリコーンゲルとよりなるT形ブ
ッシングである。
【0022】さらに、請求項4に記載の発明は、軸心に
中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中心導体
と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシングと、
中心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭部との
間に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下部ブッ
シングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシングの
頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する溝が形
成された上部ブッシングと、下部ブッシングと上部ブッ
シングの溝に挿着されたシリコーンゲルとよりなり、上
部ブッシング又は及び下部ブッシングの絶縁層をエポキ
シ樹脂又はシリコーンゴムとしたことを特徴とするT形
ブッシングである。
【0023】
【作用】請求項1,3及び請求項4に記載の発明におい
ては、接続導体の端部は、上部ブッシングを介して押圧
される押え電極により中心導体に接続され、上部ブッシ
ングと下部ブッシングの対向面は、シリコーンゲルによ
って内部と外部が絶縁される。
【0024】また、請求項2に記載の発明においては、
接続導体の端部は、上部ブッシングを介して押圧される
押え電極により中心導体に接続され、上部ブッシングと
下部ブッシングの対向面は、シリコーンゲルを塗布した
ゴムシートによって内部と外部が絶縁される。
【0025】
【実施例】図1は、請求項1に記載の発明のT形ブッシ
ングの一実施例を示す部分縦断面で、スイッチギヤの箱
体1に取り付けられたときを示す。
【0026】図1において、詳細後述する略T字形の中
心導体3の外周は、エポキシ樹脂の絶縁層4Aで絶縁被
覆されて、略T形の下部ブッシング2Aを形成してい
る。このうち、中心導体3の上端には、図1に示すよう
に、ボス部3bが形成され、このボス部3bの両側に
は、樋状で端部が半円状に面取りされた電極3aが左右
に対称的に形成されている。
【0027】また、絶縁層4Aの上端面は、図1のA−
A断面を示す図2では、半月形となっており、絶縁層4
Aの上方に示す詳細後述する上部ブッシング2Bの絶縁
層4Bと僅かな間隙を介して組み合せて真円となるよう
に、すなわち特開昭60- 160309号公報で示されたT形ブ
ッシングと同形となるように形成されている。ボス部3
bの中心には、めねじ穴3cが縦に形成されている。絶
縁層4Aの上面に載置された絶縁層4Bは、絶縁層4A
の上部と対称形に形成され、絶縁層4Bの外周には、図
示しない接地層が形成され、この接地層と絶縁層4Bで
上部ブッシング2Bを形成している。絶縁層4Aの上端
面と絶縁層4Bの下端面の間には、図2で示すように後
述するシリコーンゲルシート10が挿入されている。
【0028】このシリコーンゲルシートに用いたシリコ
ーンゲルは、液状のシリコーンポリマーを付加反応によ
り硬化させたもので、一般のシリコーンエラストマーの
1/5〜1/10の架橋密度となり、硬化後もゲル状を呈
する。また、シリコーンゲルシートの作製にあたって
は、未硬化のシリコーンゲルTSE−3063(東芝シ
リコーン(株)製、商品名)を10mmHgの減圧下でテフロ
ン製の浅いU字状の溝が形成された容器に注入し、室温
25℃で一日放置して厚さ1.5mm のゲル状に硬化させた。
【0029】絶縁層4Aの上端左右には、一対の高圧架
橋ポリエチレンケーブル(以下、ケーブルという)8の
外被が剥離された端部が載置されている。このケーブル
8の内被8bの基端外周には、環状の半導電性ゴム11が
あらかじめ挿着されている。ケーブル8の先端に露出し
た芯線8aには、略環状の接触環6があらかじめ挿着さ
れ、芯線8aの端面には、楔が打ち込まれている。接触
環6の外周には、導電性ばね材料で製作された接触板7
が環状に挿着されている。この接触板7の上面には、中
心導体3の上端と対称形で上部中央に凹部5bが形成さ
れた押え電極5が載置されている。この押え電極5の下
端は、中心導体3の上端と僅かな間隙で対置している。
【0030】この押え電極5には、左右に樋状の電極5
aが電極3aと対称的に形成されている。押え電極5の
中央部には、下方に突き出たボス部が下方のボス部3b
と対称的に形成され、このボス部5bには、上面に凹部
5cが形成され、この凹部5cの中心には、上下に貫通
する貫通穴が形成されている。
【0031】この貫通穴には、ボルト12Cが上方から挿
入され、このボルト12Cのねじ部は、中心導体3の上端
に設けられためねじ穴3dに螺合され、押え電極5は、
ボルト12Cによって中心導体3に締め付けられている。
この結果、芯線8aは、接触環6,接触板7とともに、
上部の押え電極5と下部の電極3aで締め付けられてい
る。
【0032】絶縁層4Bには、一点鎖線で示すように、
図示しない側面図では略Ω字状の押え金具13が上方から
装着され、この押え金具13の下端は、ボルト12Bで箱体
1の天井板1aに固定されている。この天井板1aに
は、貫通穴1bの外周上面にOリング1cが装着され、
貫通穴1bには、絶縁層4Aの下部が貫設されている。
【0033】ケーブル8には、筒状の固定金具9があら
かじめ遊嵌され、この固定金具9は、ボルト12Aで上下
の絶縁層4A,4Bの側面に埋金5dを介して固定され
ている。固定金具9の外面とケーブル8の外被の剥離部
分には、シール14が施されている。絶縁層4Aの天井板
1aの上方に突き出た部分の外周には、あらかじめ図示
しない接地層が絶縁層4Bの外周と同様に施されてい
る。
【0034】このように構成された導体接続部において
は、左右のケーブル8によって、箱体1の左右に隣接さ
れた図示しないスイッチギヤの箱体の天井部に貫設され
た図示しないT形ブッシングに接続される。また、中心
導体3の下端は、箱体1の内部に収納された図示しない
断路器を経て、同じく箱体1の内部の真空遮断器などに
接続される。
【0035】このように絶縁層4Aの上端面と絶縁層4
Bの下端面の押え電極5と電極3aを除く突き合せ面に
シリコーンゲルシート10を挿入したT形ブッシングは、
シリコーンゲルに柔軟性があるため、嵌合部に十分なじ
み空気のボイドの混入を防ぐことができる。そのため、
試験電圧30kVを印加しても、10pcの検出感度を有するコ
ロナ試験機において検出できなかった。また、試験に供
した10個のT形ブッシングは突き合せ面の平行度が高精
度に出ていないものもあったが、上記試験電圧の印加に
対して部分放電は検出できなかった。
【0036】コロナ試験終了後、負荷電流によるヒート
サイクル試験(注;温度上昇値90℃8H後通電停止12H
を30回)を行い、カラーチェック液を吹き付け、その後
切断して浸透状況を観察したが、カラーチェック液の浸
透は認められなかった。この試験においては、分割しな
い従来のT形ブッシングとの有意差は認められなかっ
た。
【0037】また、このように構成されたT形ブッシン
グが貫設された箱体が図6に示すように列盤されたスイ
ッチギヤを運搬するために、3〜4分割するときには、
図1で示すシール14を除き、ボルト12Aを緩めて左右の
固定金具9をケーブル8の外被側へずらして上部ブッシ
ング2Bを外し、押え電極5を外すことで、ケーブル8
を下部ブッシング2Aから外す。
【0038】また、各箱体の耐電圧試験を行う場合に
は、上部ブッシング2Bを外し、押え電極5を外して、
ケーブル8と下部ブッシング2Aとの間に、絶縁物など
を敷き、ケーブル8と下部ブッシング2Aとの接触を遮
断して行うことができる。
【0039】さらに、図6に示すように箱体が列盤され
た受電設備において、分割された箱体を設置後にケーブ
ルを接続するときにも、前述したようにケーブルを左端
の箱体1Aに取り付けられたT形ブッシングから右端の
箱体1Jに取り付けられたT形ブッシングまで順に通さ
なくてもよいので、据付工期を短縮することができ、据
付作業中の塵埃が上下のブッシングの内部に侵入するお
それも解消することができる。
【0040】なお、上記実施例において、シリコーンゲ
ルシート10の代りに、未硬化のシリコーンゲルを塗布し
た絶縁特性のよいゴムシートを挿入して、請求項2に記
載の発明としてもよい。
【0041】次に、図3は、請求項3に記載の発明のT
形ブッシングを示す正面図で、図1に対応する図、図4
は、図3の側面図で同じく図2に対応する図である。な
お、詳細部分は図1,図2と同一で省略している。
【0042】図3,図4においては、上部ブッシング2
Cの絶縁層と押え電極5の間及び、下部ブッシング2D
の絶縁層と中心導体3の上部外周の間、さらに、上部ブ
ッシング2Cと下部ブッシング2Dの左右の樋状部分の
内周と重なる部分には、シリコーンゲル15の層が形成さ
れている。
【0043】この場合にも、図1及び図2で示したT形
ブッシングと同様に、箱体への組立後のケーブルの接続
や耐電圧試験を、上部ブッシング2Cを上方へ外すこと
で容易に行うことができる。
【0044】なお、図1,図2,図3及び図4で述べた
T形ブッシングでは、上下の絶縁層は、エポキシ樹脂の
例で説明したが、上下の絶縁樹脂の片側をシリコーンゴ
ムとし、このシリコーンゴムと他側のエポキシ樹脂の対
向面にシリコーンゲルを介在させて請求項4に記載の発
明としてもよい。また、図3,図4で示したように、中
心部の充電部の外周と左右の樋状部分にも形成してもよ
く、シリコーンゴムの側だけに形成してもよい。
【0045】次に、図5は、図1〜図4で示したT形ブ
ッシングの他の実施例を示し、頭部の分割数や分割位
置,方向を変えた場合を示す。このうち、(a)は、下
部ブッシング2Eと上部片側ブッシング2F1及び上部
他側ブッシング2F2に三分割した側を示す。また、
(b)は、下部ブッシング2Gと上部ブッシング2Hの
分割部の対向面を波形にして絶縁沿面距離を増やした例
を示す。(c)は、下部ブッシング2J2と上部ブッシ
ング2J1の分割面を傾斜させて、沿面距離を増やした
例であり、(d)は、下部ブッシング2Kと上部ブッシ
ング2Lの分割面を曲線にして沿面距離を増やし、
(e)は、(d)の上下を逆にして下部ブッシング2M
と上部ブッシング2Nとした例、また(f)は、下部ブ
ッシング2Pの絶縁層を90°とし、上部ブッシング2Q
の絶縁層を 270°とした例である。
【0046】
【発明の効果】以上、請求項1に記載の発明によれば、
軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中
心導体と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシン
グと、中心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭
部との間に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下
部ブッシングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシ
ングの頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する
溝が形成された上部ブッシングと、下部ブッシングと上
部ブッシングの溝を除く対向面に挿着されたシリコーン
ゲルとでT形ブッシングを構成することで、接続導体の
端部を、上部ブッシングを介して押圧される押え電極に
より中心導体に接続し、上部ブッシングと下部ブッシン
グの対向面は、シリコーンゲルによって内部と外部を絶
縁したので、箱体間を容易に接続することができ、耐電
圧試験も容易に行うことのできるT形ブッシングを得る
ことができる。
【0047】また、請求項2に記載の発明によれば、軸
心に中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中心
導体と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシング
と、中心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭部
との間に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下部
ブッシングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシン
グの頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する溝
が形成された上部ブッシングと、下部ブッシングと上部
ブッシングの溝を除く対向面に挿着されシリコーンゲル
が塗布されたゴムシートとでT形ブッシングを構成する
ことで、接続導体の端部を、上部ブッシングを介して押
圧される押え電極により中心導体に接続し、上部ブッシ
ングと下部ブッシングの対向面は、シリコーンゲルを塗
布したゴムシートによって内部と外部を絶縁したので、
箱体間を容易に接続することができ、耐電圧試験も容易
に行うことのできるT形ブッシングを得ることができ
る。
【0048】また、請求項3に記載の発明によれば、軸
心に中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中心
導体と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシング
と、中心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭部
との間に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下部
ブッシングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシン
グの頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する溝
が形成された上部ブッシングと、下部ブッシングと上部
ブッシングの溝に挿着されたシリコーンゲルとでT形ブ
ッシングを構成することで、接続導体の端部を、上部ブ
ッシングを介して押圧される押え電極により中心導体に
接続し、上部ブッシングと下部ブッシングの対向面は、
シリコーンゲルによって内部と外部を絶縁したので、箱
体間を容易に接続することができ、耐電圧試験も容易に
行うことのできるT形ブッシングを得ることができる。
【0049】さらに、請求項4に記載の発明によれば、
軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁層の頭部に、中
心導体と直交方向に樋状の溝が形成された下部ブッシン
グと、中心導体の頭部に対向して設けられ中心導体の頭
部との間に接続導体の端部が挿入される押え電極と、下
部ブッシングの頭部と相対向して設けられ、下部ブッシ
ングの頭部との対向面に下部ブッシングの溝と対向する
溝が形成された上部ブッシングと、下部ブッシングと上
部ブッシングの溝に挿着されたシリコーンゲルとで、T
形ブッシングを構成し、上部ブッシング又は及び下部ブ
ッシングの絶縁層をエポキシ樹脂又はシリコーンゴムと
することで、接続導体の端部を、上部ブッシングを介し
て押圧される押え電極により中心導体に接続し、上部ブ
ッシングと下部ブッシングの対向面は、シリコーンゲル
によって内部と外部を絶縁したので、箱体間を容易に接
続することができ、耐電圧試験も容易に行うことのでき
るT形ブッシングを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1及び請求項2に記載の発明のT形ブッ
シングの一実施例を示す正面図。
【図2】図1のA−A断面図。
【図3】請求項3に記載の発明のT形ブッシングの一実
施例を示す正面図。
【図4】図3の右側面図。
【図5】本発明のT形ブッシングの他の実施例を示す右
側面図。
【図6】従来のT形ブッシングが組み込まれた受電盤を
示す斜視図。
【図7】従来のT形ブッシングの受電盤への組立経過を
示す縦断面図。
【図8】図7の部分拡大図。
【符号の説明】
1…箱体、2A,2D,2E,2G…下部ブッシング、
2B,2C,2H…上部ブッシング、3…中心導体、5
…押え電極、6…接触環、7…接触板、8…高圧架橋ポ
リエチレンケーブル、9…固定金具、10…シリコーンゲ
ルシート、11…半導電性ゴム、12A,12B,12C…ボル
ト、13…押え金具、14…シール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 尚也 神奈川県川崎市川崎区小田栄2丁目1番 1号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 木下 晋 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東 芝 府中工場内 (72)発明者 佐藤 健一 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東 芝 府中工場内 (72)発明者 正木 信男 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東 芝 府中工場内 (72)発明者 吉田 哲雄 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東 芝 府中工場内 (72)発明者 園部 浩 三重県三重郡朝日町大字縄生2121 株式 会社東芝 三重工場内 (72)発明者 宮川 勝 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東 芝 府中工場内 (56)参考文献 特開 昭60−160309(JP,A) 実開 平1−147629(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 17/26

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁
    層の頭部に、前記中心導体と直交方向に樋状の溝が形成
    された下部ブッシングと、前記中心導体の頭部に対向し
    て設けられ前記中心導体の頭部との間に接続導体の端部
    が挿入される押え電極と、前記下部ブッシングの頭部と
    相対向して設けられ、前記下部ブッシングの頭部との対
    向面に前記下部ブッシングの溝と対向する溝が形成され
    た上部ブッシングと、前記下部ブッシングと前記上部ブ
    ッシングの前記溝を除く対向面に挿着されたシリコーン
    ゲルとよりなるT形ブッシング。
  2. 【請求項2】 軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁
    層の頭部に、前記中心導体と直交方向に樋状の溝が形成
    された下部ブッシングと、前記中心導体の頭部に対向し
    て設けられ前記中心導体の頭部との間に接続導体の端部
    が挿入される押え電極と、前記下部ブッシングの頭部と
    相対向して設けられ、前記下部ブッシングの頭部との対
    向面に前記下部ブッシングの溝と対向する溝が形成され
    た上部ブッシングと、前記下部ブッシングと前記上部ブ
    ッシングの前記溝を除く対向面に挿着されシリコーンゲ
    ルが塗布されたゴムシートとよりなるT形ブッシング。
  3. 【請求項3】 軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁
    層の頭部に、前記中心導体と直交方向に樋状の溝が形成
    された下部ブッシングと、前記中心導体の頭部に対向し
    て設けられ前記中心導体の頭部との間に接続導体の端部
    が挿入される押え電極と、前記下部ブッシングの頭部と
    相対向して設けられ、前記下部ブッシングの頭部との対
    向面に前記下部ブッシングの溝と対向する溝が形成され
    た上部ブッシングと、前記下部ブッシングと前記上部ブ
    ッシングの前記溝に挿着されたシリコーンゲルとよりな
    るT形ブッシング。
  4. 【請求項4】 軸心に中心導体が埋設されたT形の絶縁
    層の頭部に、前記中心導体と直交方向に樋状の溝が形成
    された下部ブッシングと、前記中心導体の頭部に対向し
    て設けられ前記中心導体の頭部との間に接続導体の端部
    が挿入される押え電極と、前記下部ブッシングの頭部と
    相対向して設けられ、前記下部ブッシングの頭部との対
    向面に前記下部ブッシングの溝と対向する溝が形成され
    た上部ブッシングと、前記下部ブッシングと前記上部ブ
    ッシングの前記溝に挿着されたシリコーンゲルとよりな
    り、前記上部ブッシング又は及び前記下部ブッシングの
    絶縁層をエポキシ樹脂又はシリコーンゴムとしたことを
    特徴とするT形ブッシング。
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