JP3153243B2 - 無冷凍剤型超伝導磁石の超伝導スイッチ用熱インタフェース - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、無冷凍剤型超伝導磁石の超伝導スイッチ用
熱インタフェース（thermal interface）に関し、更に
詳しくは、ランプ動作（ramping）の間、スイッチを磁
石のコイル支持構造体から熱的に隔離した状態に支持
し、ランプ動作の後は、スイッチを伝導により超伝導状
態に冷却する構造体に関する。

発明の背景 超伝導磁石は、磁石のコイルを流れる電流に対して電
気抵抗がゼロであるために電力が消費されない持続状態
（persistent state）で動作することができる。所望
の強さの磁界を発生するように磁石のコイルに流れる電
流を所望のアンペア数まで増加させるために、コイルは
電力リード線を介して電源に接続されているが、この電
力リード線はエネルギを消費し、持続モードの磁石動作
を妨げる。このランプ動作の後、磁石の端子を超伝導ス
イッチで短絡することにより、磁石のコイルに流れる電
流を持続状態にする回路が完成される。

この超伝導磁石ランプ動作方法は周知であり、超伝導
スイッチが磁石のランプ動作後の持続状態の動作のため
に磁石の端子間に超伝導結合体を構成することも周知で
ある。このような超伝導スイッチは超伝導体で構成さ
れ、この超伝導体は、ランプ動作の間は常伝導（非超伝
導）状態に温められ、次いで持続モード動作のために超
伝導状態に冷却される。ランプ動作の前にスイッチを常
伝導状態に駆動するために使用されるクエンチヒータか
ら、およびランプ動作中の常伝導状態の間にスイッチの
両端に電源によって印加される電圧からのエネルギがス
イッチ内で消費される。スイッチ導体の種類によって
は、消費されるエネルギはかなりなものになり、この結
果局部的に温度が比較的高くなる。

無冷凍剤型伝導冷却式磁石においては、スイッチによ
って消費される熱は格別な問題を生じる。スイッチから
の熱は、主コイル支持構造体が大質量で低温であるの
で、この主コイル支持構造体に拡散する。無冷凍剤型磁
石においては、大きな冷却容量の液体ヘリウムを利用で
きない。冷却は冷却力の限られた冷却装置によって行わ
れる。従って、冷却装置は磁石の残りの部分に比例して
スイッチを冷却するために過負荷にならないようにスイ
ッチを主コイル支持構造体から熱的に分離することが好
ましい。

しかしながら、磁石がランプ動作中にその動作電流に
達すると、磁石を持続状態にするためにスイッチを超伝
導状態に冷却することが必要である。無冷凍剤型磁石に
おいては、冷却装置の低温段を使用してスイッチを冷却
することが最も好ましいが、これは、主コイルがクエン
チとして知られている超伝導状態から常伝導状態に移行
することを防止するように、主コイル用の冷却装置の冷
却容量を効率的に使用することと競合するものである。

発明の概要 本発明は、上述した欠点を克服した超伝導スイッチ用
熱インタフェースを提供する。本発明のインタフェース
においては、超伝導磁石は磁石軸に沿って磁界を発生す
る超伝導磁石コイル、および磁石軸にほぼ同軸であるよ
うにコイルを支持する構造体を有する。冷却された低温
シンクはコイルが超伝導状態になる遷移温度以下に磁石
コイルを冷却し、超伝導スイッチはコイルを含む閉じた
超伝導電気回路を完成するために設けられている。超伝
導スイッチはスイッチを構造体から熱絶縁する手段によ
って構造体上に支持され、また低温シンクとスイッチと
を連結する熱的バスバー（bus bar）が設けられて、低
温シンクとスイッチとの間を直接に熱伝導連通させる。

このインタフェースは、クエンチまたはランプ動作中
に発生した熱をスイッチ内に閉じ込めて、磁石コイル支
持構造体から熱的に隔離する。また、該インタフェース
は、スイッチからの熱が冷却装置の低温段に放散される
速度を特定の値に制御することができる。これは冷却装
置の過負荷を防止して、冷却装置の低温段の温度が、磁
石コイルの温度をランプ動作中に超伝導状態から常伝導
状態への遷移温度より低い温度に維持するのに必要な温
度を越えて上昇しないようにする。また、インタフェー
スは、ランプ動作の後、スイッチを再び超伝導状態に冷
却して、磁石を持続状態にする。

好適形態では、バスバーは、その熱伝導率が温度の上
昇につれて低下するように構成される。これにより、ス
イッチから低温段への熱伝達速度は、低温段を熱的過負
荷から保護するように、スイッチの温度が上昇するとき
一定に留まるか或いは低下しさえもする。

他の態様では、バスバーは、コイルのランプ動作中お
よびスイッチの持続状態への回復動作中、特定の冷却速
度を達成するように大きさに形成される。バスバーの大
きさを選択することにより、ランプ動作中に熱が低温段
に放散される速度を制御することができると共に、ラン
プ動作の後にスイッチが超伝導状態へ回復する時間も制
御することが出来る。従って、スイッチからの熱が主コ
イル支持構造体に放散される場合よりも一層長い制御さ
れた期間にわたって冷却装置がスイッチからの熱を放散
できるので、冷却装置はより小さな最大容量を有するよ
うに設計することができる。

従って、本発明の重要な目的は、超伝導スイッチの冷
却を制御し、且つ超伝導スイッチを主磁石コイルから熱
的に隔離する超伝導スイッチ用熱インタフェースを提供
することにある。

本発明の他の目的は、動作する部品を持たない簡単な
構造の熱インタフェースを提供することにある。

本発明の他の目的は、スイッチを冷却する冷却装置の
過負荷を防止する超伝導スイッチ用熱インタフェースを
提供することにある。

本発明の他の目的は、エネルギを節約する超伝導スイ
ッチ用熱インタフェースを提供することにある。

本発明の他の目的は、他の場合に必要であるものより
も小さな容量の冷却装置を使用可能とした超伝導スイッ
チ用熱インタフェースを提供することにある。

本発明のこれらおよび他の目的および利点は次の説明
および図面から明らかになるであろう。

図面の簡単な説明 図１は、本発明の熱インタフェースの斜視図である。

図２は、図１の熱インタフェースを示す断面図であ
る。

図３は、図１および図２のインタフェース用のワッシ
ャを示す斜視図である。

図４は、図１および図２の熱インタフェースの典型的
なスイッチ熱性能を示すグラフである。

図５は、図４に時間的に対応したグラフであり、図１
および図２の熱インタフェースに使用されるバスバーの
冷却速度を示すグラフである。

図６は、本発明の熱インタフェースの別の実施例の断
面図である。

好適実施例の詳細な説明 図１は、無冷凍剤型超伝導磁石用の本発明による超伝
導スイッチ用インタフェースを示している。スイッチ12
は磁石コイル支持構造体16の開口部14内に入れ子式に吸
収されている。支持構造体16は、図１および２に示すよ
うに水平方向に長手方向の磁石軸（図示せず）を有する
ほぼ管状のものであり、円筒形の磁石コイル18および20
を支持している。支持構造体16は典型的には外側シール
ド19と内側シールド21との間に形成された真空スペース
17内に支持されている。本技術分野で周知のように、真
空スペース17は対流による熱伝達を実質的に低減し、シ
ールド19および21は放射による熱伝達を実質的に低減す
る。

支持構造体16は適当なタイプのものならどのようなも
のでもよい。例えば、米国特許第4,924,198号、第4,93
5,714号および第5,302,869号に開示されているような磁
石コイル支持構造体を本発明の実施に適用することがで
きる。一般に、無冷凍剤型超伝導磁石用のどのような磁
石支持構造体でも本発明の実施に有益に適用することが
できる。

周知のように、磁石コイル18および20は、例えばMR磁
石の中位の磁石コイルおよび大きな磁石コイルであり、
持続状態にするために約11゜K以下に冷却しなければな
らない。これを行うために、支持構造体16は冷却装置13
の低温段に熱的に連結されている。冷却装置は周知のも
のであり、家庭用冷蔵庫と同様に動作するか、一般に50
および100゜Kの間の温度の低温シンクを構成する第１段
と約10゜Kの低温シンクを構成する第２段の２つの段を
有する。これらの低温を発生するために、冷却装置は、
家庭用冷蔵庫のようにフレオンガスを圧縮するよりもむ
しろ、高圧ヘリウムを圧縮し、典型的にはギフォード−
マクマハン（Gifford−McMahon）冷却サイクルで動作す
る。

磁石コイル18および20の遷移温度より低い温度を生じ
させるのに十分な冷却容量を有するどのような冷却装置
でも、本発明の実施に使用することができる。例えば、
適当な市販されている１つの冷却装置は、RGD580−GEコ
ールドヘッドおよびRW4000/4200コンプレッサという商
用名称でペンシルバニア州、エキスポートのレイボルド
・バキューム・プロダクト会社（Leybold Vacuum Pro
ducts Inc.）から入手することができる。

スイッチ12は、適当な構造のものであればどのような
ものでもよい。このようなスイッチは、周知であり、典
型的には超伝導ワイヤを２本巻きで巻回して形成され、
スイッチを非超伝導状態まで温めるように選択的に作動
される埋め込みヒータ（図示せず）を有する。図１に示
す好適実施例では、スイッチ巻線23がスプール形状のボ
ビン22に巻回され、このボビンは上側フランジ24、下側
フランジ26、および両フランジ間に延在している円筒形
部分28を有する。ボビン22は、スイッチ12からの熱を上
側フランジ24に伝達するようにOFHC（無酸素高伝導性）
銅のような高熱伝導率の材料で形成するのが好ましい。
また、OFHC銅のような高熱伝導率の材料からなる外側バ
ンド30がボビン22の外周部を取り囲んでいる。巻線21、
ボビン22および外側バンド30で構成されているスイッチ
12は、構造的安定性および種々の部品を互いに固定する
ためにエポキシが真空含浸されていることが好ましい。
更に、バンド30をボビン22上に保持して構造的安定性を
付加するためにコーナーブラケット32を設けて、上側フ
ランジ24および外側バンド30にねじ止めすることが好ま
しい。

また、コーナーブラケット32は、バンド30から上側フ
ランジ24への熱伝達を補助するようにOFHC銅のような高
熱伝導率の材料で形成すべきである。ボビン22はカップ
を逆さにした形状のハンガー34で支持されている。ハン
ガー34はその下縁部に半径方向外側に延出しているフラ
ンジ36を有し、フランジ36はボビン22の下側フランジ26
にボルト止めされている。ハンガー34はASTM標準Ｇ−10
ファイバ補強プラスチックのような低い熱伝導率を有す
る材料で形成することが好ましい。

また、ハンガー34は、スイッチ12を支持するのに必要
な強度を持ちながら、ハンガー34の熱伝導率を更に低減
するために、できるだけ小さな断面積を有するように形
成すべきである。ハンガー34の上部の閉塞端部38はボル
ト40（図２）によって管状支持体42に固定される。管状
支持体42は低い熱伝導率を有する材料で形成することが
好ましい。支持体42用にＧ−10ファイバ補強プラスチッ
クを使用することができるが、Ｇ−10よりも更に低い熱
伝導率を有する材料を使用するのが好ましい。例えば、
中央の管状部46はカルフォルニア州、ポモナのSCI社か
ら樹脂仕様REZ−100およびSCIファイバ1M6−Ｗ−12Kと
いう商用名称で入手し得るカーボンファイバエポキシで
形成し、エンドキャップ44はステンレススティールで形
成する。しかしながら、低い熱伝導率を有するどのよう
な材料および構造のものでも支持体42を形成するのに使
用できることに注意されたい。

また、支持体42は、スイッチ12の重量を支持するのに
必要な小さい断面積を持ってなければならない。図示の
支持体42は、エンドキャップ44および中央管状部46を有
する３つの部分で構成されており、ボルト40および48を
エンドキャップ44に組み立てることができるように形成
されている。ボルト40および48を組み立てた後、エンド
キャップ44は接着剤またはねじ結合のような適当な手段
によって管状部46に固定される。

支持体42はその下側端部が２つのハンガーストラップ
50によって支持され、該ハンガーストラップは開口部14
にまたがり、磁石コイル支持構造体16に固定されてい
る。また、ハンガーストラップ50はステンレススティー
ルのような低い熱伝導率を有する材料で形成することが
好ましい。ハンガーストラップ50は互いに交差してお
り、ボルト48はハンガーストラップの互いに交差してい
る部分を通って伸びて、支持体42の下側のエンドキャッ
プ44を固定している。

ハンガーストラップ50の端部はスペーサ52（図３参
照）によって支持構造体16の上に間隔をあけて支持され
ている。スペーサ52はＧ−10ファイバ補強プラスチック
のような低い熱伝導率の材料で形成することが好まし
く、支持構造体16とストラップ52との間の熱伝導路の断
面積を低減するために鋸歯状の端部を有している。ボル
ト（図示せず）がストラップ50の端部、スペー52を通っ
て支持構造体16内に挿入され、そこでねじ止めされてい
る。ボルトは好ましくはステンレススティールまたはＧ
−10のような低い熱伝導率を有する材料で形成され、ボ
ルトのヘッドとストラップ50の上部との間にスペーサ52
に類似したワッシャーを設けることができる。

スペーサ52、ハンガーストラップ50、支持体42および
ハンガー34を有するこのようなスイッチ支持構造体は、
スイッチ12と支持構造体16との間に非常に低い熱伝導路
を形成する。使用状態においては、スイッチ12の温度は
持続状態において約10−11゜Kの間で変化し、通常の非
持続状態では19−20゜Kの間で変化する。しかしなが
ら、構造体16の温度は比較的一定の約10゜Kに留まって
いる。これは構造体が低温の大きな質量を有しているか
らである。スイッチ12が約20゜Kにあり、支持構造体16
が約10゜Kにある場合、構造体16上でスイッチ12を支持
している構造体は約1492゜K/Wの熱抵抗を有する。この
熱抵抗は実際には無視し得る小さな熱伝達（10゜Kの温
度差で0.007W）を行う。

スイッチ12を支持構造体16から熱的に隔離することが
好ましい場合には、スイッチ12を支持構造体16とほぼ同
じ温度に冷却することが必要であり、またスイッチ12は
コイル18および20のランプ動作の後に持続状態に入り、
超伝導回路を完成する。スイッチ12の冷却を達成するた
めに、スイッチ冷却用熱バスバー60が設けられている。

バスバー60はスイッチ12を冷却装置13の低温段64に連
結している。ボルト68はバスバー60の端部70を冷却装置
13の低温段64に固定し、端部72は上側フランジ24に半田
付けされるかまたは適当にスイッチ12に固定されて、ス
イッチ12からバスバー60への熱伝導路を形成している。
従って、バスバー60は、スイッチ12から熱を収集し伝達
して低温段64に放散するように、スイッチ12と熱的連通
状態にある。バスバー60は低温段64からスイッチ12まで
の長さＬ（スイッチ12と連結されたバスバーの端部72か
らバスバー60が低温段64に熱接触している所までのバス
バー60の長さ）延在している。

熱的バスバー60は、磁石のランプ動作中およびスイッ
チ12の超伝導状態への回復動作中、所定の速度で冷却を
行うように長さＬおよび断面積Ａが定められている。長
さＬが長く且つ断面積Ａが小さい結果、冷却速度は遅い
が、これはランプ動作中に低温段64の冷却容量を越える
負荷をかけないようにする利点があるが、ランプ動作の
後にスイッチ12が超伝導状態に回復するのに比較的長い
期間を必要とする。バスバー60はどのような冷却速度で
も可能なように設計可能であるが、超伝導スイッチ用に
許容可能な典型的な回復期間は30−60分の範囲である。

バスバー60の材料の熱伝導率は、磁石の動作温度程度
またはそれ以下の温度、すなわち10−12゜Kの範囲の温
度で最も高い値を持つべきである。また、バスバー材料
の熱伝導率は、バスバーを比較的小さな断面積で形成し
得るように比較的高い値を持ち、またランプ動作中はほ
ぼ一定の冷却速度を維持するように温度の上昇につれて
低下するのが好ましい。回復動作の際は逆に作用して、
スイッチの温度が低下してスイッチ12の温度が低温段64
の温度に近づくにつれて、バスバーの温度勾配△Ｔが低
下して比較的良好な冷却速度を維持するように冷却用の
バスバーの熱伝導率が増加するのが好ましい。

これは次のフーリェ熱伝導式で示すことができる。

Ｑ＝Ｋ（Ｔ）Ａ（△T/L） ここで、 Ｑは、バスバー60の熱伝達速度であり、 Ｋ（Ｔ）は、バスバー60の材料の温度依存熱伝導率で
あり、 Ａは、バスバー60の断面積であり、 △Ｔは、バスバー60の長さＬにわたる温度勾配であ
り、 Ｌは、上述したようにバスバー60の長さＬである。

ランプ動作の際、スイッチの温度が上昇し、従って温
度勾配△Ｔが増大するにつれて、熱伝導率Ｋ（Ｔ）が低
減すれば、ヒートシンクに対する熱負荷は過度にならな
い。また、スイッチの回復動作の際は逆に作用すれば、
すなわち、温度勾配△Ｔが低減するにつれて、熱伝導係
数Ｋ（Ｔ）が増大すれば、△ＴとＫ（Ｔ）の積は良好な
冷却速度を維持するようになる。

上記の様な特性を有する材料の１つは、高純度のOFHC
銅である。ほぼ一定の冷却負荷を達成するように熱的バ
スバー60を適切な大きさに形成することにより、ランプ
動作の際のスイッチ12からの過度の熱負荷から低温段を
保護する。磁石がその動作電流に達すると、スイッチ12
の加熱はスイッチ12の両端の電圧をゼロに低減すること
により停止される。次いでスイッチ12は、スイッチ12と
冷却装置13の低温段64とを連結している熱的バスバー60
を介して熱伝導により回復温度まで冷却される。

図４は、上述したように構成されるスイッチ12の時間
に対するスイッチ温度の典型的なグラフを示している。
ランプ動作の間、スイッチの温度は19.5゜Kまで上昇
し、約60分後にランプ動作は停止され、回復動作が開始
する。回復期間の間、スイッチの温度は、スイッチが持
続状態に入る13.0゜K以下の温度になるまで低下する。
これは72.0分に等しい時間に生じる。スイッチの温度
は、スイッチが持続状態に入った後、幾分低下し続け
る。

図５は、図４に対応する熱的バスバーの冷却速度を示
すグラフである。図４の時間に対応する水平軸に沿って
時間が取られている。冷却速度はランプ動作中は約0.81
ワットの値に比較的一定に維持され、△Ｔが低減するに
つれて低下する。

図６は、本発明の熱インタフェースの他の実施例を示
している。図６において、対応する部品は図１および２
の実施例における同じ符号に100を加えた符号で示され
ている。

図６に示す実施例の支持構造体116は内部に埋め込ま
れたコイル118および120を有し、銅シース125で被覆さ
れている。OFHC銅のような高熱伝導材からなる磁石コイ
ル用の熱的バスバー127が支持構造体116内に埋め込ま
れ、低温段164に接続されている。バスバー127の主目的
は、コイル118および120を持続状態に維持するためにコ
イル118および120を超伝導遷移温度以下に冷却するよう
に支持構造体116から熱を除去することである。

また、低温段164には第１の実施例のバスバー60に類
似したスイッチ冷却用のバスバー160が取り付けられて
いる。バスバー160の端部170は、バスバー160から低温
段164に熱を伝導するように低温段164に固定されてい
る。バスバー160は低温段164からスイッチ112まで延在
し、その端部172はスイッチ112のスリーブ被覆部180に
半田付けされ、または適当に固定されている。被覆部18
0はスイッチ112の外周部を取り囲み、スイッチ112から
熱を収集してバスバー160に伝えるようにOFHC銅のよう
な高熱伝導材で構成されている。

図６に示すスイッチコイル115およびボビン122は、該
コイル115およびボビン122が図６に示すように水平軸
（図示せず）を有するコイル118および120と同軸である
という点においてコイル23およびボビン22と異なってい
る。図１および図２の構造において、スイッチ12はコイ
ル18および20の軸にほぼ垂直である（図１および図２で
見て垂直な）軸を有する。従って、スイッチ112は支持
構造体116を取り囲んでいる。

支持構造体116の周囲には間隔をおいて、例えば90゜
の間隔の４箇所において、熱絶縁支持体がスイッチ112
および支持構造体116を連結している。これらの支持体
の１つが図６に示されている。支持体はストラップ状の
ヨーク184を有し、該ヨークはスイッチ112の長手方向の
長さにわたって広がり、（図６を見たときの紙面に直角
に計測した）幅が例えば約１インチである。ヨーク184
は、ステンレススティールのように低い熱伝導率を有す
るが高い強度を有する材料で作られている。ねじ186に
よりスイッチ112がヨーク184に固定されている。ヨーク
184の中心部は、ねじ188によって、キャップ192および
ベース194からなるスタンド190に固定されている。

スタンド190はＧ−10ファイバグラス補強プラスチッ
クのような低い熱伝導率を有する材料で形成することが
好ましい。キャップ192はねじまたは接着剤または他の
適当な手段によりベース194に固定されている。ベース1
94の底部は外側ランド196および内側ランド197によりカ
ップ198上に支持され、このカップは支持構造体116内の
カップ形状凹部内に受け入れられている。ランド196お
よび197は、スタンド190からカップ198への熱の流れに
対して比較的小さな表面積を形成している。カップ198
およびスタンド190は、ねじ200によって支持構造体116
に固定されている。カップ198はOFHC銅のような比較的
高い熱伝導率を有する材料で形成することが好ましい。
本実施例のボビン122はヨーク184と連結され、且つコイ
ル115から熱を除去する必要がないので、ボビン122はＧ
−10ファイバグラス補強プラスチックのような低い熱伝
導率の材料で形成することが好ましい。

第１の実施例におけるように、スイッチ冷却用のバス
バー160は温度依存性の熱伝導率を有する材料で形成さ
れ、このためバスバーの温度がランプ動作および回復動
作の際に変化するとき、バスバーを通る熱の流れは比較
的一定である。例えば、0.5テスラの磁石では、スイッ
チ112は20゜Kから10゜Kまでの温度変化に対して2675Jの
総熱容量を有する。L/A＝17000であり、且つ残留抵抗率
（RRR）が60であるOFHC銅で形成されたバスバー160は0.
87ワットのほぼ一定の速度で冷却を行う。この冷却速度
では、ランプ動作の後の回復時間はスイッチ112が20゜K
から10゜Kまでなるのに約220分であり、この温度におい
てスイッチ112は持続状態にある。

本発明の好適実施例について詳細に説明した。本技術
分野に専門知識を有する者には好適実施例に対して多く
の変更および変形が考えられることが明らかであろう。
例えば、実際に10゜Kから20゜Kとの間の温度の増大につ
れてバスバーを介しての冷却速度が低下する様な材料が
存在し、または生成することができる。従って、本発明
は上述した好適実施例に限定されるものでなく、特許請
求の範囲によって定められなければならない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 6/00 ZAA

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁石の軸に沿って磁界を発生する超伝導磁
   石コイルと、 前記磁石の軸に対してほぼ同軸に前記コイルを支持する
   構造体と、 前記コイルが超伝導状態になる遷移温度以下に前記磁石
   コイルを冷却するための冷却された低温シンクと、 前記コイルを含む閉じた超伝導電気回路を完成する超伝
   導スイッチと、 前記構造体上に前記超伝導スイッチを支持する支持手段
   であって、前記スイッチを前記構造体から熱絶縁する熱
   絶縁手段を有している支持手段と、 前記スイッチと前記低温シンクとを連結して、前記低温
   シンクと前記スイッチとの間を直接に熱伝導連通させる
   熱的バスバーとを有する超伝導磁石。
2. 【請求項２】前記バスバーは、該バスバーの温度が上昇
   するにつれて低下する熱伝導率を有している請求項１記
   載の超伝導磁石。
3. 【請求項３】前記バスバーは、前記コイルのランプ動作
   の際および前記スイッチの持続状態への回復動作の際に
   特定の冷却速度を達成するような大きさに形成されてい
   る請求項１記載の超伝導磁石。
4. 【請求項４】前記バスバーの熱伝導率は、該バスバーの
   温度が上昇するにつれて低下し、これにより前記コイル
   のランプ動作の際および前記スイッチの持続状態への回
   復動作の際に前記バスバーを通る熱流の速度がほぼ一定
   に維持される請求項３記載の超伝導磁石。
5. 【請求項５】前記支持手段の熱抵抗率が、前記バスバー
   の熱抵抗率よりも少なくとも１桁大きい請求項１記載の
   超伝導磁石。
6. 【請求項６】前記スイッチは、前記磁石軸にほぼ同軸な
   長手軸を有する請求項１記載の超伝導磁石。
7. 【請求項７】前記スイッチは、前記磁石軸にほぼ直角な
   長手軸を有する請求項１記載の超伝導磁石。
8. 【請求項８】前記熱絶縁手段は、ファィバグラス補強支
   持体を有する請求項１記載の超伝導磁石。
9. 【請求項９】前記熱絶縁手段は、カーボンファイバエポ
   キシ支持体を有する請求項１記載の超伝導磁石。
10. 【請求項１０】前記熱絶縁手段は、鋸歯状接触面を持つ
    支持体を有する請求項１記載の超伝導磁石。
11. 【請求項１１】前記スイッチから前記バスバーに熱を伝
    導する手段を更に有する請求項１記載の超伝導磁石。