JPH01302876A - 超伝導スイッチ - Google Patents

超伝導スイッチ

Info

Publication number
JPH01302876A
JPH01302876A JP1036458A JP3645889A JPH01302876A JP H01302876 A JPH01302876 A JP H01302876A JP 1036458 A JP1036458 A JP 1036458A JP 3645889 A JP3645889 A JP 3645889A JP H01302876 A JPH01302876 A JP H01302876A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
superconducting
opening
pack
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1036458A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0793460B2 (ja
Inventor
Vishnu C Srivastava
ビシュヌ・チャンドラ・スリバスタバ
John Jerome Wollan
ジョン・ジェローム・ウォラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPH01302876A publication Critical patent/JPH01302876A/ja
Publication of JPH0793460B2 publication Critical patent/JPH0793460B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/30Devices switchable between superconducting and normal states
    • H10N60/35Cryotrons
    • H10N60/355Power cryotrons

Landscapes

  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 (発明の分野) 本発明は超伝導回路用の温度制御式永久電流スイッチに
関するものであって、更に詳しく言えば、キュプロニッ
ケルを母材とする超伝導線を使用しかつ複数のコイルを
同時に開閉することのできる複数個の上記スイッチを含
んだスイッチパックの構造に関する。
(先行技術の説明) 超伝導磁石回路の開閉を行うためのスイッチは公知であ
る0通例、それらは一定長さの超伝導線および発熱体か
ら成っている。かがるスイッチは、液体ヘリウムのごと
き極低温液体中に浸漬することによって超伝導体の臨界
温度(たとえば9°K)よりも十分に低い温度にまで冷
却される。臨界温度以下では、超伝導線の抵抗はゼロに
まで低下し、それによって鎖線は超伝導性を示す。かが
る超伝導状態または永久電流状態においては、スイッチ
は抵抗を持たないので「入」状態にある。このスイッチ
を「切」状態にするためには、発熱体を作動して超伝導
線の温度を臨界温度よりも高くし、それによって電流の
流れに対する抵抗が有限な値を持つようにすればよい。
この種のスイッチは、たとえば磁気共鳴(MR>スキャ
ナにおいて、超伝導磁石コイルを含む回路中にしばしば
使用されている。その場合、それぞれにスイッチを有す
る多数の超伝導磁石コイルが存在していて、それらが協
力して所望の磁界を発生することがある。それらのコイ
ルは誘導的に結合されている。すなわち、各々のコイル
が生み出す磁界部分は他のコイルが生み出す磁界によっ
て影響を受けるのである。1個のコイルを通る電流を変
化させるとそれが生み出す磁界も変化するが、それは該
コイルと誘導的に結合された他のコイルを通る電流を変
化させ、そしてそれらの磁界を変化させる。これはまた
、最初のコイルを通る電流を変化させることにもなる。
このように、コイル間の相互作用が存在するため、各コ
イルを通る電流を調整する際には誘導結合が問題となる
のである。また、各コイルを個別に調整しようとすれば
、電流変化のために必要な操作時間や操作回数の関係か
ら比較的多量の液体ヘリウムが沸騰消失することにもな
る。
このような問題は、誘導結合された全ての磁石コイルを
ほぼ同時に開閉することによって解決される。励磁の際
には、各スイッチが対応する磁石コイルおよび該スイッ
チ用の電源装置と並列に接続される。かかる電源装置は
、全てのコイル中に所望の電流が同時に得られるように
出力を調整し得るものである。出力が上昇する間は、全
てのスイッチは「切」状態にある。所望の電流が得られ
た時点で、全てのスイッチをほぼ同時にr入J状態にす
ることによって永久電流を発生させた後、電源装置が遮
断される。
超伝導スイッチのコイルは、「切」状態において所望の
抵抗を達成すると共に、「切」状態における損傷を防止
するのに十分な熱容量をスイッチに付与するために必要
な任意の長さの超伝導線から形成されていた。銅を母材
とする超伝導線を使用した従来のスイッチにおいては、
比較的小さい抵抗を得るためにもかなり長い超伝導線が
必要であった。また、抵抗が小さいため、かがるスイッ
チは多量のエネルギーを吸収することが可能でなければ
ならなかった。たとえば、銅を母材とする超伝導線を用
いた1個のスイッチにおいて、10〜20°にで約0,
05Ωの抵抗を得るために必要な超伝導線の長さは28
0フイートにも達していた。
かかる抵抗は高い方が望ましい、なぜなら、それは「切
」状態にあるスイッチが吸収するエネルギーを減少させ
、それによって超伝導磁石の励磁および消磁の際におけ
る極低温液体の沸騰を低減させるからである。
超伝導スイッチにおいて考慮すべきもう1つの因子は電
流容量である。一般に、銅を母材とする超伝導スイッチ
は高い電流密度を達成し得るが、その代りに上記のごと
く「切」特性が比較的劣るという欠点がある。
キュプロニッケルを母材とする超伝導線は、銅を母材と
する超伝導線よりも高い「切J抵抗を有することが知ら
れている。しかしながら、キュプロニッケルを母材とす
る超伝導線は本質的に極めて不安定である。すなわち、
磁界中における僅かな運動が電流の消磁(quench
)を招き、そのために抵抗ゼロにおける導電能力が失わ
れることがあるのである。
発明の要約 本発明は、上記の諸問題を解決し得るような超伝導スイ
ッチパックを提供するものである。本発明の超伝導スイ
ッチパック中には、2つのリード部分の間に開閉部分を
有する一定長さの超伝導線をそれぞれに含む2個以上の
スイッチ素子が存在している。各々の開閉部分は共通の
型の内部に配置され、そして型の内部に硬化性の樹脂が
注入される。樹脂が硬化すれば、開閉部分は固体中に封
入されることになる。その後、型から固体を取出せば、
該固体の外面がスイッチパックの外形を規定することに
なる。こすうして得られたスイッチパックは優れた熱的
および機械的性質を有する結果、個々のスイッチ素子は
高い電気定格を達成することができる。
好適な実施の態様に従えば、各々のスイッチ素子はキュ
プロニッケルを母材とする一定長さの超伝導線から構成
される。この種の超伝導線を用いれば、各々のスイッチ
素子は比較的短くすることができる。その上、かかるス
イッチパックの機械的および熱的性質に基づき、この種
の超伝導線に固有の不安定性が解消されることにもなる
後述される実施のR様に従えば、各スイッチ素子の開閉
部分は支持手段によって実質的に一平面内に支持される
。2個以上のスイッチ素子の開閉部分は互いに平行で離
隔した少なくとも2つの平面内に位置していて、それら
の平面間に配置された発熱体が開閉部分と熱的に接触し
ている。開閉部分が平面内に配置される結果として固体
は、開閉部分の平面と平行でありかつそれらに隣接した
表面を持った平行六面体の形状を有することができる。
それにより、開閉部分からの熱を伝達するための広い表
面が得られることになる。
各々の開閉部分は折返し構造を有していて、該開閉部分
を通って流れる電流は互いに隣接した区間において実質
的に反対の向きを有することが好ましい。開閉部分平面
内に配置しながらこれを達成するためには、開閉部分が
固体内において蛇行するように形成すればよい。この場
合には、発熱体は固体の外面とは反対の側において2つ
の平面間に配置すればよい。
各々のリード部分には補助導体をはんだ付けすることが
できる。このようにすればスイッチパックのエネルギー
放散能力を高めることができるが、これはスイッチパッ
クを「切」状態にする場合に必要となることがある。
このように、本発明の主たる目的はキュプロニッケルを
母材とする超伝導線を用いた2個以上のスイッチ素子を
含む超伝導線スイッチパックを提供することにある。
また、同様な定格を有する従来のスイッチよりも小形で
ありかつ少ない超伝導線を使用するような超伝導スイッ
チパックを提供することも本発明の目的の1つである。
更にまた、磁界中において安定であるような上記のごと
き超伝導スイッチパックを提供することも本発明の目的
の1つである。
更にまた、臨界温度よりも高い温度において比較的高い
抵抗を有するような上記のごとき超伝導スイッチパック
を提供することも本発明の目的の1つである。
更にまた、それと並列に接続された高エネルギー磁石の
励磁および消磁の際における極低温液体く液体ヘリウム
)の沸騰が比較的少ないような上記のごとき超伝導スイ
ッチパックを提供することも本発明の目的の1つである
更にまた。それと並列に接続された回路に関する等価磁
界ドリフトを毎時0.1PPffl未溝に抑制すること
も本発明の目的の1つである。
更にまた、動作電流の異なる複数の超伝導回路の同時開
閉を可能にすると共に、かかる開閉のために単一の共用
発熱体を使用することによって極低温液体(液体ヘリウ
ム)の沸騰を低減させることも本発明の目的の1つであ
る。
更にまた、磁界を妨害しないような上記のごとき超伝導
スイッチパックを提供することも本発・明の目的の1つ
である。
本発明の上記およびその他の目的は、添付の図面および
以下の詳細な説明から自ずと明らかになろう。
好適な実施の態様の詳細な説明 先ず第1図を見ると、本発明に基づく超伝導スイッチパ
ック10が示されている。スイッチパック10の外形は
平行六面体の形状を有する固体12によって規定されて
おり、また固体12の前面からはリード部分18、〜6
aおよび1b〜6bが引出されている。図示された好適
な実施の態様に従えば、スイッチパック1oの外部には
発熱体リード線15〜18並びにテフロン製の絶縁チュ
ーブ19および20もまた存在している。
次に第2.5および6図を参照しながら説明すれば、各
組のリード部分18、−1b、2 a〜2 bなどはス
イッチ素子1.2などの端部である。
がかる端部aおよびbに加えて、スイッチ素子1〜6は
固体12の内部に開閉部分1c〜6cを有している。開
閉部分10〜6cの各々は、第3図に示させるごとく、
固体12内において蛇行した状態にある。好適な実施の
態様に従えば、このように蛇行した開閉部分は単一の平
面内に位置しており、かつ3つの湾曲部(すなわち、前
方に位置する湾曲部f並びに後方に位置する湾曲部dお
よびe)においてほぼ180°だけ方向を転換している
。このように各スイッチ素子の開閉部分を蛇行させるの
は、それができるだけ多数回の折返し構造を有するよう
にするためである。その結果、開閉部分を通って流れる
電流は互いに隣接した区間において実質的に反対の向き
を有することになる。
各々の区間が生み出す磁界は隣接した区間が生み出す磁
界によって実質的に打消されるから、スイッチ素子はそ
れ自体の磁界をほとんどもしくは全く発生しないことに
なる。
開閉部分IC13Cおよび5Cは上方の平面を規定し、
また開閉部分2C14Cおよび6Cは下方の平面を規定
する。開閉部分IC13Cおよび5Cによって規定され
た上方の平面と開閉部分2C14cおよび6Cによって
規定された下方の平面との間には、2個の平面状発熱体
シート25および26が配置されている0発熱体シート
25および26は同じものであって、第4図には発熱体
シート25が示されている。上記の発熱体シートはニッ
ケルークロム合金箔ヒータを含むのが通例であって、そ
の実例としては様々な抵抗値のものが商業的に入手可能
である。好適な実施の態様に従えば、発熱体シート25
および26の公称抵抗は5.3Ωである。2個の発熱体
シート25および26が組込まれているのは、一方の発
熱体シートが不調となった場合でも他方を使用してスイ
ッチパック10を動作させることができるようにするた
めである。
スイッチパック10は成形された樹脂複合構造物である
。第8図にはスイッチパック10用の型33が示されて
いる。ベークライト製の前部支持体30および後部支持
体31(第2および5図)が型の内部に配置され、次い
で予め成形されたスイッチ素子1〜6が型33の内部に
配置される。
その際には、各スイッチ素子の湾曲部dおよびeが後部
支持体31の水平溝穴中に支持され、かつ湾曲部fが前
部支持体30の水平溝穴中に支持される。スイッチ素子
2.4および6が先ず最初に型の内部に配置され、次い
で発熱体シート25および26が配置され、そして最後
にスイッチ素子1.3および5が配置される。その後、
リード部分18、〜6aおよび1b〜6bが支持片34
によって保持される。なお、支持片34は型33の前部
36にはまり込んでリード部分用の通路35を規定する
ように形成されたものである。支持片34を型33に固
定するためには適当なボルトまたはクランプ(図示せず
)が使用される0次に、型33が樹脂で満たされ、そし
て好ましくはそれを振動テーブル上に置くことによって
樹脂中の気泡が除去される0次いで樹脂の硬化が行われ
るが、その際には樹脂の種類に応じて集合体の加熱が必
要な場合もある。
使用される樹脂は、硬化して硬質の固体を生成すると共
に、それが浸漬される極低温液体の温度(液体ヘリウム
の場合には4.2°K)において強度を保持し得るよう
なものでなければならない、また、樹脂の熱伝導率およ
び熱容量はできるだけ高いことが必要である。好適な実
施の態様に従えば、アメリカ合衆国ミシシッピ州オリー
ブブランチ市所在のアクラボンド社(ACCRAbon
d、 Inc、)がら触媒#9入りのスタイキャスト(
Stycast) # 2850GTの商品名で販売さ
れているエポキシ樹脂が使用される。好適な実施の態様
に従って使用されるスタイキャスト樹脂は、約3o分間
にわたり振動させて樹脂中から気泡を除去した後、集合
体を50±10℃のオーブン内において2時間にわたり
加熱することによって完全に硬化させることができる。
用途によっては、所要の熱伝導率、熱容量、強度、硬さ
および低温特性に応じてその他の樹脂(たとえばポリエ
ステル〉を使用することもできる。
スイッチ素子1〜6において使用される超伝導線は、キ
ュプロニッケルを母材とするニオブ−チタン合金フィラ
メント(576本)の複合多芯超伝導線である。フィラ
メントの超伝導材料は46゜5±1.5(重量)%のチ
タン含量を有するものであることが好ましい、母材は7
0%の銅および30%のニッケルから成っていて、室温
で3.2X10−sΩ・cmの公称抵抗率を有している
。また、かかる超伝導線の外被け90%の銅および10
%のニッケルから成っていて、室温で1.5 X 10
−’Ω・cmの公称抵抗率を有している。最終の超伝導
線中におけるキュプロニッケルとニオブ−チタン合金と
の公称容量比は1.10:1である。各々の超伝導線は
また、完全硬化したホルムバールワニスの絶縁被膜を有
している。
絶縁前における各々の超伝導線の公称直径は0゜041
インチであることが好ましい、絶縁された超伝導線の公
称直径は0.044インチである。最終の超伝導線中に
おけるフィラメントの等価平均直径は公称29ミクロン
であることが好ましく、かつ約32ミクロンを越えては
ならない。超伝導線のよりのピッチは1.0±0.25
インチでなければならない、このように規定された超伝
導線の最小臨界電流は、5テスラの磁界中において4.
2°にで630アンペアとなるはずである。
次に第3図を参照しながら説明すれば、同様な用途のた
めに使用される従来のスイッチに比べ、スイッチパック
10の各スイッチ素子の長さは短い。湾曲部dおよびe
と湾曲部fとの中心間距離Cは公称5.8インチである
。いずれのスイッチ素子1〜6においても、湾曲部dお
よびeの間における横方向の中心間距離T、は公称0.
60インチであり、また湾曲部fの中心から湾曲部eの
中心までの横方向距離T2は公称0.30インチである
湾曲部d−fの直径りは公称0.29インチである。
湾曲部dおよびeの中心から測った場合、各スイッチ素
子の長さLは少なくとも60インチに達するが、この長
さは該スイッチ素子とそれを組込むべき超伝導回路から
のリード線(図示せず)との間に超伝導継手を形成する
ために必要なものである。スイッチ素子1〜6と上記の
ごときリード線との間に超伝導継手を形成する方法は、
1988年2月17日に提出されかつ本発明の場合と同
じ所有者にようて所有される「超伝導継手の形成方法お
よび装置」と称する米国特許出願第157345号明細
書中に詳しく開示されている。
固体12は、スイッチ素子の平面に対して実質的に平行
である上部および下部の平坦な表面40および41(第
1.6および7図)を有している。
このように極低温液体と直接に接触する広い表面が存在
する結果、スイッチ素子1〜6の封入部分からの熱を極
低温液体に伝達し、あるいは逆にそれらを極低温にまで
冷却するための大きい能力が得られることになる。また
、キュプロニ・ツケルを母材とする超伝導線は磁界中に
置かれた場合には運動に対して極めて敏感であるから、
スイ・ツチ素子の安定性を得るために樹脂の封入強度も
重要である。
広い表面40および41はまた、スイ・7チ素子を「切
」状態にすることが所望される場合にも、発熱体シート
25および26と協力してその機能を達成する。発熱体
シート25および26の一方に給電を行った場合、該発
熱体シートからの熱は表面40および41に向かって流
れるから、それはスイッチ素子1〜6の平面を通過する
ことになる。このように発熱体シートからの熱が固体1
2の表面40および41に向かって流れる際にはスイッ
チ素子は温められ、その結果としてそれらは「切」状態
となる。
スイッチ素子1〜6並びに発熱体シート25および26
はいずれも、固体12の一方の側に配置されている。す
なわち、第7図に最も良く示されているごとく、それら
は表面41よりも表面40泰i÷mを得るために役立っ
ている。
固体12を型33から取出すのを容易にするため、型3
3の底にはねじ(図示せず)を設置することができる。
また、型33のくぼみ43により、固体12の一部とし
てランド42が設けられているが、これらは固体12を
強固に取付けるために使用することができる。そのため
には、たとえば、適当な固定具をランド42にねじ留め
することによって固体12を固定構造物に定着させれば
よい。
各々のスイッチ素子は「切」状態において約1Ωの抵抗
を有すると共に、400アンペアまでの電流を流すこと
ができる。また、各々のスイッチ素子に相異なる電流を
流すこともできる。とは言え、これらのスイッチ素子は
完全に独立したものではない。すなわち、発熱体シート
25および26の一方への給電を開始または停止するこ
とにより、全てのスイッチ素子の開閉がほぼ同時に行わ
れるのである。
スイッチパック10の重要な特性の1つは、それが多量
のエネルギーを放散し得ることである。
これが必要になるのは、発熱体シート25および26の
一方への給電を開始してスイッチパック10を「切」状
態にする場合、あるいはその他の理由(たとえば消磁)
のためにスイッチパック10が非導通状態に移行する場
合である。その際には、超伝導回路中に独立したダンプ
抵抗器が設けられていない限り、スイッチパック10は
回路中に存在していたエネルギーの全てを放散させなけ
ればならないわけである。
上記のごとくにして作製されたスイッチパックを試験し
たところ、液体ヘリウム中に浸漬された状態において、
リード部分18、〜6aおよび1b〜6bが断線し易く
なるまでに初期入力として約5キロジユールまでの電気
エネルギーを放散させ得ることが判明した。なお、固体
12の内部に位置する開閉部分1c〜6cは断線しなか
った。
それらが断線しなかった理由は、スイッチパック10が
各スイッチ素子からの熱を伝達する能力を有することに
あると考えられる。
スイッチパック10の電流容量を増大させるため、リー
ド部分18、〜6aおよび1b〜6bを第9図に示され
るごとくに変更することができる。
このような変更態様に従えば、高導電率の無酸素銅から
作られた溝形材45のごとき補助導体がリード部分く図
示の場合にはla)の長さ方向に沿ってはんだ付けされ
る。溝形材45は、0.10 X0110インチの棒材
に0.041インチの深さを有しかつ超伝導線の直径よ
りも僅かに大きい幅を有する涌を機械加工により形成し
たものである。溝形材45はリード部分の熱容量を増大
させるばかりでなく、スイッチパック10をダンプ抵抗
器として使用する場合には大部分の電流を伝導するため
に役立つ。溝形材45のもう1つの機能は、極低温液体
への熱伝達のための表面積を増大させることである。
このことは、5キロジユ一ル以上の入力下でもリード部
分の断線が防止されたことによって実証された。このよ
うな変更態様!従って作製されがつ液体ヘリウム中に浸
漬されたスイッチパック10のスイッチ素子1〜6は、
リード部分18、〜6aおよび1b〜6bが断線し易く
なるまでに初期入力として約10キロジユールまでの電
気エネルギーを放散させ得ることが判明した。なお、1
0キロジユールの入力下でも固体12の内部に位置する
開閉部分IC〜6cは断線しなかった。5キロジユール
での試験および10キロジユールでの試験のいずれにお
いても、エネルギーの放散は約20秒間にわたって行わ
れた。
上記のごとき好適な実施の態様以外にも、本発明の範囲
内において様々な変更態様が可能であることは当業者に
とって自明であろう、たとえば、スイッチパック10は
6個より多いスイッチ素子を含むこともできるし、ある
いは6個より少ないスイッチ素子を含むこともできる。
それ故、本発明の範囲は上記のごとき好適な実施の態様
によって制限されるのではなく、前記特許請求の範囲の
みによって規定されることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に基づくスイッチパックの外面の斜視図
、第2区は第1図のスイッチパックの封入部分を実線で
示しかつ外形を鎖線で示した第1図と同様な斜視図、第
3図は第1図のスイッチパックの各スイッチ素子の形状
を示す詳細図、第4図は第1図のスイッチパック用の発
熱体シートの上面図、第5図は成形前において第1図の
スイッチパックの封入部分を示す上面図、第6図は第1
図のスイッチパックの部分切欠き側面図、第7図は第1
図のスイッチパックの正面図、第8図は第1図のスイッ
チパック用の型を示す分解斜視図、そして第9図は第1
図のスイッチパックにおける変更されたリード部分構造
を示す部分斜視図である。 図中、1〜6はスイッチ素子、18、〜6aおよび1b
〜6bはリード部分、IC−6Cは開閉部分、10は超
伝導スイッチパック、12は固体、15〜18は発熱体
リード線、19および20は絶縁チューブ、25および
26は発熱体シート、30は前部支持体、31は後部支
持体、33は型、34は支持片、35は通路、40およ
び41は固体表面、42はランド、43はくぼみ、そし
て45は溝形材を表わす。 FIG、 3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)2つのリード部分の間に開閉部分を有する一
    定長さの超伝導線をそれぞれに含む2個以上のスイッチ
    素子、(b)共通の型の内部に前記開閉部分を支持する
    ための支持手段、並びに(c)前記スイッチ素子の前記
    開閉部分および前記支持手段を固体中に封入するための
    硬化性樹脂手段の諸要素を含んでいて、前記固体の露出
    された外面がスイッチパックの外形を規定することを特
    徴とする超伝導スイッチパック。 2、前記スイッチ素子の前記超伝導線がキュプロニッケ
    ルを母材とするものである請求項1記載の超伝導スイッ
    チパック。 3、前記リード部分の少なくとも一方に対して補助導体
    が追加包含されていて、前記補助導体は対応するリード
    部分の少なくとも一部分と熱的かつ電気的に接触してい
    る請求項1記載の超伝導スイッチパック。 4、前記固体が多面体の形状を有する請求項1記載の超
    伝導スイッチパック。 5、前記固体が平行六面体の形状を有する請求項4記載
    の超伝導スイッチパック。 6、各々のスイッチ素子の前記開閉部分が前記支持手段
    によって実質的に一平面内に支持されている請求項1記
    載の超伝導スイッチパック。 7、2個以上のスイッチ素子の前記開閉部分が互いに平
    行で離隔した少なくとも2つの平面内に位置していると
    共に、前記平面間に配置された発熱体が追加包含されて
    いる請求項6記載の超伝導スイッチパック。 8、少なくとも2個のスイッチ素子の前記開閉部分が同
    一平面内に位置していると共に、前記開閉部分の平面に
    並置されかつ前記スイッチ素子と熱的に接触した発熱体
    が追加包含されている請求項6記載の超伝導スイッチパ
    ック。 9、少なくとも3個のスイッチ素子の前記開閉部分が2
    つの平面内に分布していると共に、前記平面間に配置さ
    れかつ前記スイッチ素子と熱的に接触した発熱体が追加
    包含されている請求項6記載の超伝導スイッチパック。 10、各々の開閉部分が折返し構造を有している結果、
    該開閉部分を通って流れる電流は互いに隣接した区間に
    おいて実質的に反対の向きを有する請求項6記載の超伝
    導スイッチパック。 11、前記スイッチ素子の前記開閉部分がそれを封入す
    る前記固体中において蛇行するように形成されており、
    前記固体は各々の開閉部分が規定する平面と実質的に平
    行な外面を有しており、かつ前記固体の前記外面とは反
    対の側において該開閉部分の平面に沿って配置された発
    熱体が追加包含されている請求項6記載の超伝導スイッ
    チパック。 12、6個以上のスイッチ素子が含まれる場合において
    、前記スイッチ素子が実質的に2つの平面内に配置され
    ていると共に、前記2つの平面間に発熱体が配置されて
    各々のスイッチ素子と熱的に接触している請求項11記
    載の超伝導スイッチパック。 13、前記リード部分の少なくとも一方に対して補助導
    体が追加包含されていて、前記補助導体は対応するリー
    ド部分の少なくとも一部分と熱的かつ電気的に接触して
    いる請求項11記載の超伝導スイッチパック。 14、(a)樹脂固体、(b)前記樹脂固体によって封
    入された開閉部分および前記樹脂固体の外部に伸びるリ
    ード部分を有する少なくとも1個のスイッチ素子、並び
    に(c)各々の開閉部分と熱的に接触した発熱体の諸要
    素から成っていて、各々の開閉部分が前記樹脂固体の内
    部において一平面を規定することを特徴とする超伝導ス
    イッチパック。 15、少なくとも2個のスイッチ素子が含まれていて、
    前記2個のスイッチ素子の間に前記発熱体が位置してい
    る請求項14記載の超伝導スイッチパック。 16、少なくとも2個のスイッチ素子が含まれていて、
    前記2個のスイッチ素子の前記開閉部分が実質的に同じ
    平面内に位置している請求項14記載の超伝導スイッチ
    パック。 17、(a)一定長さの超伝導線を測り、(b)前記超
    伝導線を前記長さに切取り、(c)前記超伝導線を所望
    の形状に成形し、(d)成形された前記超伝導線の一部
    分を型の内部に配置すると共に、前記超伝導線の両端部
    を前記型の外部に引出し、(e)前記型を液状の樹脂で
    満たして前記超伝導線を覆い、(f)前記樹脂を硬化さ
    せて固体を形成し、次いで(g)前記固体を前記型から
    取出す諸工程から成ることを特徴とする超伝導スイッチ
    パックの製造方法。 18、前記型の内部において前記超伝導線に隣接して発
    熱体を配置しかつ前記発熱体を前記樹脂で覆う工程が追
    加包含される請求項17記載の方法。 19、前記固体の外部に位置する前記超伝導線の一部分
    に補助導体をはんだ付けする工程が追加包含される請求
    項17記載の方法。
JP1036458A 1988-02-25 1989-02-17 超伝導スイッチ Expired - Fee Related JPH0793460B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US160,387 1988-02-25
US07/160,387 US4943792A (en) 1988-02-25 1988-02-25 Superconducting switch pack

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01302876A true JPH01302876A (ja) 1989-12-06
JPH0793460B2 JPH0793460B2 (ja) 1995-10-09

Family

ID=22576679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1036458A Expired - Fee Related JPH0793460B2 (ja) 1988-02-25 1989-02-17 超伝導スイッチ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4943792A (ja)
JP (1) JPH0793460B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0433180A1 (en) * 1989-12-15 1991-06-19 Fujitsu Limited Device for eliminating trap of magnetic flux in a superconduction circuit

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093645A (en) * 1990-08-06 1992-03-03 General Electric Company Superconductive switch for conduction cooled superconductive magnet
DE4107686A1 (de) * 1991-03-09 1992-09-10 Abb Patent Gmbh Verfahren zur herstellung eines supraleitenden strombegrenzers sowie ein entsprechend hergestellter strombegrenzer
DE4107685A1 (de) * 1991-03-09 1992-09-10 Abb Patent Gmbh Supraleitender strombegrenzer
US5394129A (en) * 1992-09-03 1995-02-28 General Electric Company Superconducting switch thermal interface for a cryogenless superconducting magnet
DE19634424C2 (de) * 1996-08-26 1998-07-02 Abb Research Ltd Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter
GB0411035D0 (en) * 2004-05-18 2004-06-23 Diboride Conductors Ltd Croygen-free dry superconducting fault current limiter
US8159825B1 (en) * 2006-08-25 2012-04-17 Hypres Inc. Method for fabrication of electrical contacts to superconducting circuits
IT1398934B1 (it) * 2009-06-18 2013-03-28 Edison Spa Elemento superconduttivo e relativo procedimento di preparazione
US20120088675A1 (en) * 2010-10-08 2012-04-12 David Pires Systems and devices for electrical filters
GB2570988B (en) 2016-05-03 2020-04-29 D Wave Systems Inc Systems and methods for superconducting devices used in superconducting circuits and scalable computing
EP3483902A1 (en) 2017-11-14 2019-05-15 Koninklijke Philips N.V. Superconducting magnet assembly
US11105866B2 (en) 2018-06-05 2021-08-31 D-Wave Systems Inc. Dynamical isolation of a cryogenic processor
US11839164B2 (en) 2019-08-19 2023-12-05 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for addressing devices in a superconducting circuit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5514771U (ja) * 1978-07-18 1980-01-30
JPS5514772U (ja) * 1978-07-18 1980-01-30
JPS5792723A (en) * 1980-12-02 1982-06-09 Tokyo Shibaura Electric Co Thermal permanent current switch

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3054978A (en) * 1960-07-13 1962-09-18 Thompson Ramo Wooldridge Inc Heat responsive superconductive switching devices
US3359394A (en) * 1966-05-02 1967-12-19 Gen Electric Persistent current switch
FR2094354A5 (ja) * 1970-06-18 1972-02-04 Commissariat Energie Atomique
FR2271642B1 (ja) * 1974-05-16 1982-07-02 Siemens Ag
US4164777A (en) * 1978-02-21 1979-08-14 Varian Associates, Inc. Superconducting switch incorporating a steering diode
US4586017A (en) * 1983-09-12 1986-04-29 General Electric Company Persistent current switch for high energy superconductive solenoids
DE3402828A1 (de) * 1984-01-27 1985-08-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schalteinrichtung zum kurzschliessen mindestens einer supraleitenden magnetwicklung
US4602231A (en) * 1984-07-20 1986-07-22 Ga Technologies Inc. Spaced stabilizing means for a superconducting switch

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5514771U (ja) * 1978-07-18 1980-01-30
JPS5514772U (ja) * 1978-07-18 1980-01-30
JPS5792723A (en) * 1980-12-02 1982-06-09 Tokyo Shibaura Electric Co Thermal permanent current switch

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0433180A1 (en) * 1989-12-15 1991-06-19 Fujitsu Limited Device for eliminating trap of magnetic flux in a superconduction circuit
US5173620A (en) * 1989-12-15 1992-12-22 Fujitsu Limited Device for eliminating trap of magnetic flux in a superconduction circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US4943792A (en) 1990-07-24
JPH0793460B2 (ja) 1995-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4586017A (en) Persistent current switch for high energy superconductive solenoids
EP0350268B1 (en) Two stage cryocooler with superconductive current lead
US5093645A (en) Superconductive switch for conduction cooled superconductive magnet
JPH01302876A (ja) 超伝導スイッチ
US4764837A (en) Superconductive circuit for controlling quench events
US20060072254A1 (en) Fault current limiter
JP3153243B2 (ja) 無冷凍剤型超伝導磁石の超伝導スイッチ用熱インタフェース
US7969695B2 (en) Superconducting magnetic coil with a quench protection circuit, and MRT apparatus embodying same
JPS60189207A (ja) 超電導マグネツト装置
JPH07502622A (ja) 75−80kの温度と4.5kの温度との間の電流を導くための複合リード線
US20080130184A1 (en) Arrangement for Protection of Electronic Components
US4904970A (en) Superconductive switch
US4602231A (en) Spaced stabilizing means for a superconducting switch
JP2000032654A (ja) 酸化物超電導体を用いた限流素子および限流装置
US5761017A (en) High temperature superconductor element for a fault current limiter
US4490578A (en) Integrated superconductor
US4956608A (en) Apparatus for propagating a quench in a superconducting magnet
US4395584A (en) Cable shaped cryogenically cooled stabilized superconductor
JP3450318B2 (ja) 熱電冷却型パワーリード
JPH043477A (ja) セラミックス超電導限流器
JPS5916208A (ja) 接続された超電導線
JP3174577B2 (ja) 超伝導巻線の各ストランド間の電流分配
JPS6193684A (ja) 熱式永久電流スイツチ
JPS624382A (ja) 超電導スイツチ
JPH033362B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees