JP3151986B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents

磁気センサ装置

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JP3151986B2
JP3151986B2 JP00220593A JP220593A JP3151986B2 JP 3151986 B2 JP3151986 B2 JP 3151986B2 JP 00220593 A JP00220593 A JP 00220593A JP 220593 A JP220593 A JP 220593A JP 3151986 B2 JP3151986 B2 JP 3151986B2
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magnetic sensor
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constant voltage
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は磁気センサ装置に関
し、さらに詳しくは、温度によるMR素子の抵抗値変化
の影響をキャンセルできる磁気センサ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の磁気センサ装置の一例の
要部構成図である。この磁気センサ装置51では、ソケ
ットS内の磁気カード挿入スリット付近に、MR素子M
a,Mbが磁気カードAの移動方向と平行に内設されて
いる。MR素子Ma,Mbは直列接続され、その直列回
路は直流電源Vcc−Gnd間に接続されている。そし
て、MR素子Ma,Mbの接続点の信号電圧Vpを取り
出し、その信号電圧Vpに基づいて検出信号Voを生成
する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気センサ
装置51では、温度によるMR素子Ma,Mbの抵抗値
変化の影響をキャンセルするために、温度特性の揃った
2つのMR素子Ma,Mbを選別して使用しなければな
らず、歩留りが悪い問題点がある。そこで、この発明の
目的は、温度によるMR素子の抵抗値変化の影響をキャ
ンセルでき,歩留りを向上することが出来る磁気センサ
装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気センサ装
置は、直流電源とGND間に接続された抵抗とコンデン
サの直列回路の接続点の電圧により負荷に流れる電流を
制御する定電圧レギュレータ回路を介して1個のMR素
子を負荷として接続し、そのMR素子の端子電圧を検出
信号として取り出し、前記定電圧レギュレータ回路は、
前記MR素子の温度による抵抗値変化よりも周波数応答
性が良く,前記MR素子の検出信号よりも周波数応答性
が悪くなるように、前記直列回路の抵抗やコンデンサの
値を調整されていることを構成上の特徴とするものであ
る。
【0005】
【作用】この発明の磁気センサ装置では、MR素子の抵
抗値が温度により変化しても、その変化より定電圧レギ
ュレータ回路の周波数応答性が良いので、MR素子の端
子電圧は一定に保たれ、検知出力に影響しない。一方、
MR素子の抵抗値が被検知物により変化すると、その変
化より定電圧レギュレータ回路の周波数応答性が悪いの
で、MR素子の端子電圧は一定に保たれず、検知出力と
して現れる。すなわち、データの読み取りに支障を与え
ずに、温度ドリフトをキャンセルできる。
【0006】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【0007】−第1実施例− 図1は、この発明の磁気センサ装置の一実施例を示す回
路図である。この磁気センサ装置1は、直流電源Vcc
に定電圧レギュレータ回路2を介して1個のMR素子M
1を負荷として接続し、そのMR素子M1の端子電圧を
検出信号Voとして取り出している。前記MR素子M1
は、ソケットS内の磁気カード挿入スリット付近に内設
されている。
【0008】前記定電圧レギュレータ回路2は、直流電
圧Vccからの負荷電流をトランジスタTrのコレクタ
−エミッタを通して前記MR素子M1に供給する。トラ
ンジスタTrのエミッタ−Gnd間には、抵抗R1とコ
ンデンサC1とが直列接続されている。オペアンプOP
は、抵抗R1とコンデンサC1の接続点の電圧が基準電
圧Vrefと等しくなるように負荷電流を制御する。ま
た、前記定電圧レギュレータ回路2は、前記MR素子M
1の温度による抵抗値変化よりも周波数応答性が良く,
磁気カードAが挿入されるときのMR素子M1の抵抗値
変化よりも周波数応答性が悪くなるように、抵抗やコン
デンサの値を調整されている。
【0009】次に、この磁気センサ装置1の動作を説明
する。周囲の温度変化に伴って、図2の(a)に示すよ
うに、MR素子M1の抵抗値は変化する。しかし、この
変化よりも定電圧レギュレータ回路2の応答が速いの
で、図2の(b)に示すように、検出信号Voは一定電
圧Vkに維持され、変化しない。つまり、定電圧レギュ
レータ回路2は、温度によるMR素子M1の抵抗値変化
の影響をキャンセルできる。磁気カードAが挿入された
ときは、図3の(a)に示すように、MR素子M1の抵
抗値が変化する。ところが、この変化よりも定電圧レギ
ュレータ回路2の応答が遅いので、図3の(b)に示す
ように、検出信号Voは変化する。つまり、定電圧レギ
ュレータ回路2は、磁気カードAからのデータの読取に
は支障を与えない。
【0010】従って、上記磁気センサ装置1では、MR
素子M1の温度特性の多少のバラツキが許容されるた
め、歩留りを向上できる。
【0011】−第2実施例− 図4は、この発明の第2実施例による磁気センサ装置2
1の図1相当図である。この磁気センサ装置21は、上
記第1実施例の磁気センサ装置1とほぼ同じ構成である
が、オペアンプOPを用いた定電圧レギュレータ回路2
に代えて、シャントレギュレータSを用いた定電圧レギ
ュレータ回路22を用いた点が異なっている。この第2
実施例の動作および効果は、上記第1実施例と同じであ
る。
【0012】
【発明の効果】この発明の磁気センサ装置によれば、デ
ータの読み取りには支障を与えずに、温度ドリフトをキ
ャンセルできる。従って、MR素子の温度特性の多少の
バラツキが許容されるため、歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す磁気センサ装置を示
す回路図である。
【図2】図1の磁気センサ装置の温度変化に対する動作
を示す波形図である。
【図3】図1の磁気センサ装置のデータに対する動作を
示す波形図である。
【図4】この発明の第2実施例による磁気センサ装置の
回路図である。
【図5】従来の磁気センサ装置の一例を示す要部構成図
である。
【符号の説明】
1,21,51 磁気センサ装置 M1,M2,Ma,Mb MR素子 2,22 定電圧レギュレータ Tr トランジスタ OP オペアンプ R1,Ra 抵抗 C1,C2 コンデンサ S シャントレギュレータ A 磁気カード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 33/00 - 33/18

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源とGND間に接続された抵抗と
    コンデンサの直列回路の接続点の電圧により負荷に流れ
    る電流を制御する定電圧レギュレータ回路を介して1個
    のMR素子を負荷として接続し、そのMR素子の端子電
    圧を検出信号として取り出し、前記定電圧レギュレータ
    回路は、前記MR素子の温度による抵抗値変化よりも周
    波数応答性が良く,前記MR素子の検出信号よりも周波
    数応答性が悪くなるように、前記直列回路の抵抗やコン
    デンサの値を調整されていることを特徴とする磁気セン
    サ装置。
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