JP3150902B2 - Polyester film - Google Patents

Polyester film

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JP3150902B2
JP3150902B2 JP12457696A JP12457696A JP3150902B2 JP 3150902 B2 JP3150902 B2 JP 3150902B2 JP 12457696 A JP12457696 A JP 12457696A JP 12457696 A JP12457696 A JP 12457696A JP 3150902 B2 JP3150902 B2 JP 3150902B2
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和隆 正岡
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はポリエステルフイル
ムに関し、更に詳しくは基盤形状追従性および解像度に
優れたフォトレジストフイルムの支持体層に用いるポリ
エステルフイルムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyester film, and more particularly to a polyester film used for a support layer of a photoresist film having excellent substrate shape followability and resolution.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、印刷配線回路板の製造等にお
いて、フォトレジストフイルムが広く用いられている。
フォトレジストフイルムは通常、支持体層/フォトレジ
スト層/保護層からなる積層構造体である。支持体層と
しては、機械的特性、光学的特性、耐薬品性、寸法安定
性、平面性等に優れたポリエステルフイルムが主に使用
されている。フォトレジスト層は感光性樹脂からなる層
であり、また、保護層としてはポリエチレンフイルムや
ポリエステルフイルムが用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, photoresist films have been widely used in the production of printed wiring circuit boards and the like.
The photoresist film is usually a laminated structure composed of a support layer / photoresist layer / protective layer. As the support layer, a polyester film excellent in mechanical properties, optical properties, chemical resistance, dimensional stability, flatness and the like is mainly used. The photoresist layer is a layer made of a photosensitive resin, and a polyethylene film or a polyester film is used as a protective layer.
【0003】フォトレジストフイルムの使用方法を簡単
に説明すると、まず保護層を剥し、露出したフォトレジ
スト層を基盤に貼り付けた導電性基材の上に密着させ
る。導電性基材は一般的には銅板である。次にフォトレ
ジストフイルムの支持体層側に、回路が印刷されたガラ
ス板を密着させ、当該ガラス板側から光を照射する。ガ
ラス板に印刷された回路の画像で透明な部分を光がとお
り、フォトレジスト層の感光性樹脂はかかる露光が行わ
れた部分のみ反応する。次いでガラス板と支持体層を取
り除き、フォトレジスト層の未露光部分を適当な溶剤等
を用いて除去する。更に、酸等を用いてエッチングを行
えば、フォトレジスト層が除去されて露出した導電性基
材部分が除去される。しかる後、露光、反応したフォト
レジスト層を適当な方法で除去すれば、基盤上に導電性
基材層が回路として形成される。
[0003] The method of using a photoresist film will be briefly described. First, the protective layer is peeled off, and the exposed photoresist layer is brought into close contact with a conductive substrate adhered to a base. The conductive substrate is generally a copper plate. Next, a glass plate on which a circuit is printed is brought into close contact with the support layer side of the photoresist film, and light is irradiated from the glass plate side. Light passes through the transparent portion of the circuit image printed on the glass plate, and the photosensitive resin of the photoresist layer reacts only in the exposed portion. Next, the glass plate and the support layer are removed, and the unexposed portions of the photoresist layer are removed using a suitable solvent or the like. Further, if etching is performed using an acid or the like, the photoresist layer is removed and the exposed conductive base portion is removed. Thereafter, by removing the exposed and reacted photoresist layer by an appropriate method, a conductive substrate layer is formed as a circuit on the substrate.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近は基盤上
に形成された導電性基材層の既設の回路の上に絶縁層を
設け、この絶縁層の上に更に導電性基材層の別の回路を
形成させること(いわゆる回路の積層化)が頻繁に行わ
れている。この回路の積層化は、既設の回路を形成させ
た基盤の上に絶縁層/導電性基材層を積層し、この導電
性基材層の上に更にフォトレジスト層/支持体層を密着
させた後、導電性基材層の別の回路を前述の方法により
形成させることにより行われる。ところが、回路の積層
化を行うときに、積層した絶縁層/導電性基材層の表面
が既設の回路の凹凸に影響された凹凸形状になってお
り、この上に更に密着させるフォトレジスト層/支持体
層がこの凹凸形状に追従した形状で密着しないと新たに
設けた回路が部分的に欠落する等の問題が生じる。
However, recently, an insulating layer is provided on an existing circuit of a conductive base layer formed on a base, and another conductive base layer is further formed on the insulating layer. (Lamination of circuits) is frequently performed. This circuit lamination is performed by laminating an insulating layer / conductive substrate layer on a substrate on which an existing circuit is formed, and further attaching a photoresist layer / support layer on the conductive substrate layer. Then, another circuit of the conductive base material layer is formed by the above-described method. However, when the circuit is laminated, the surface of the laminated insulating layer / conductive substrate layer has an uneven shape influenced by the unevenness of the existing circuit, and the photoresist layer / If the support layer is not adhered in a shape following the uneven shape, there arises a problem that a newly provided circuit is partially missing.
【0005】また、最近は導電性基材の回路が細くな
り、その間隔も狭くなってきており、画像形成の再現性
や高度の解像度が要求されている。このため、支持体層
として用いられるポリエステルフイルムに対しても、高
度な品質が要求されるようになった。即ち、支持体層と
して用いられるポリエステルフイルムは、透明性が高
く、フイルムヘーズが低いことが必要である。フォトレ
ジストフイルムにおいて、フォトレジスト層を露光する
場合、前述のとおり光は支持体層をとおることになる。
従って、支持体層の透明度が低いとフォトレジスト層が
十分に露光されなかったり、また、光の散乱により解像
度が悪化する等の問題が生じる。
In recent years, the circuit of the conductive base material has become thinner and the interval between the circuits has become narrower, so that reproducibility of image formation and high resolution are required. For this reason, high quality has been required for the polyester film used as the support layer. That is, it is necessary that the polyester film used as the support layer has high transparency and low film haze. When exposing the photoresist layer in the photoresist film, light passes through the support layer as described above.
Therefore, if the transparency of the support layer is low, problems such as insufficient exposure of the photoresist layer and deterioration of resolution due to light scattering occur.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解消できるフォトレジストフイルムの支持体層用フ
イルムを開発すべく鋭意研究した結果、特定のポリエス
テルに特定の滑剤を配合した特定の面配向係数を有する
ポリエステルフイルムが優れた特性を有することを見い
だし、本発明を完成するに到った。
The present inventors have made intensive studies to develop a film for a support layer of a photoresist film capable of solving the above-mentioned problems. It has been found that a polyester film having a plane orientation coefficient of 1) has excellent properties, and the present invention has been completed.
【0007】すなわち、本発明は、ポリエチレンテレフ
タレートを主体とする融点が210〜250℃の共重合
ポリエステル99〜55重量%と、ポリブチレンテレフ
タレートまたはポリブチレンテレフタレートを主体とす
る融点が180〜223℃の共重合ポリエステル1〜4
5重量%とからなり、平均粒径が2.5μm以下の滑剤
を含有し、フイルムの面配向係数が0.08〜0.16
であることを特徴とするフォトレジストフイルムの支持
体層に用いるポリエステルフイルムである。以下本発明
を更に詳細に説明する。
That is, the present invention relates to a copolymer of 99 to 55% by weight mainly composed of polyethylene terephthalate having a melting point of 210 to 250 ° C., and a polybutylene terephthalate or a polybutylene terephthalate having a melting point of 180 to 223 ° C. Copolyester 1-4
5% by weight, containing a lubricant having an average particle diameter of 2.5 μm or less, and having a film plane orientation coefficient of 0.08 to 0.16.
A polyester film used for a support layer of a photoresist film. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
【0008】[ポリエステル]本発明において用いられ
るポリエチレンテレフタレートを主体とする共重合ポリ
エステルは、その共重合成分は酸成分でもグリコール成
分でもよい。該酸成分としてはイソフタル酸、フタル
酸、ナフタレンジカルボン酸等の如き芳香族二塩基酸、
アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンジカル
ボン酸等の如き脂肪族ジカルボン酸、シクロヘキサンジ
カルボン酸の如き脂環族ジカルボン酸等が例示でき、ま
たグリコール成分としてはブタンジオール、ヘキサンジ
オール等の如き脂肪族ジオール、シクロヘキサンジメタ
ノールの如き脂環族ジオール等が例示できる。これらは
単独又は二種以上を使用することができる。
[Polyester] The copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate used in the present invention may be an acid component or a glycol component. As the acid component, isophthalic acid, phthalic acid, aromatic dibasic acids such as naphthalenedicarboxylic acid, etc.
Aliphatic dicarboxylic acids such as adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, decanedicarboxylic acid and the like, and alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid, and the like, and glycol components such as butanediol and hexanediol can be used. Examples thereof include alicyclic diols such as diols and cyclohexanedimethanol. These can be used alone or in combination of two or more.
【0009】ポリエチレンテレフタレートを主体とする
共重合ポリエステルの共重合成分の割合は、その種類に
もよるが結果としてポリマー融点が210〜250℃、
好ましくは215〜235℃の範囲になる割合である。
ポリマー融点が210℃未満では、ポリマーの結晶性が
小さすぎて得られたフイルムがブロッキングをおこし生
産に適さないうえ、フイルムの機械的強度も劣る。一
方、ポリマー融点が250℃を超えると、ポリマーの結
晶性が大きすぎてフォトレジストフイルムに用いた際の
基盤形状追従性が損われる。
The proportion of the copolymer component of the copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate depends on the kind thereof, but as a result, the melting point of the polymer is from 210 to 250 ° C.
The ratio is preferably in the range of 215 to 235 ° C.
When the melting point of the polymer is less than 210 ° C., the crystallinity of the polymer is so small that the obtained film causes blocking and is not suitable for production, and the mechanical strength of the film is also poor. On the other hand, if the melting point of the polymer exceeds 250 ° C., the crystallinity of the polymer is too large, and the followability of the substrate shape when used in a photoresist film is impaired.
【0010】一方、本発明において用いられるポリブチ
レンテレフタレートを主体とする共重合ポリエステルに
ついても、その共重合成分は酸成分でもグリコール成分
でもよい。該酸成分としてはイソフタル酸、フタル酸、
ナフタレンジカルボン酸等の如き芳香族二塩基酸、アジ
ピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン
酸等の如き脂肪族ジカルボン酸、シクロヘキサンジカル
ボン酸の如き脂環族ジカルボン酸等が例示でき、またグ
リコール成分としてはエチレングリコール、ヘキサンジ
オール等の如き脂肪族ジオール、シクロヘキサンジメタ
ノールの如き脂環族ジオール等が例示できる。これらは
単独又は二種以上を使用することができる。
[0010] On the other hand, the copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate used in the present invention may be an acid component or a glycol component. As the acid component, isophthalic acid, phthalic acid,
Aromatic dicarboxylic acids such as aromatic dibasic acids such as naphthalenedicarboxylic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, decanedicarboxylic acid, etc., and alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid can be exemplified. Examples thereof include aliphatic diols such as ethylene glycol and hexanediol, and alicyclic diols such as cyclohexanedimethanol. These can be used alone or in combination of two or more.
【0011】ポリブチレンテレフタレートを主体とする
共重合ポリエステルの共重合成分の割合は、その種類に
もよるが結果としてポリマー融点が180〜223℃、
好ましくは200〜223℃、更に好ましくは210〜
223℃の範囲になる割合である。ポリマー融点が18
0℃未満ではポリマーの結晶性が小さすぎて得られたフ
イルムがブロッキングをおこし生産に適さないうえ、フ
イルムの機械的強度も劣る。なお、ポリブチレンテレフ
タレートホモポリマーの融点は223℃であり、これよ
りも融点の高い共重合ポリエステルを得るのは困難であ
る。
The proportion of the copolymer component of the copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate depends on the kind thereof, but as a result, the melting point of the polymer is from 180 to 223 ° C.
Preferably it is 200-223 degreeC, More preferably, it is 210-200.
This is a ratio in the range of 223 ° C. Polymer melting point 18
If the temperature is lower than 0 ° C., the crystallinity of the polymer is too small, resulting in blocking of the resulting film, which is not suitable for production, and the mechanical strength of the film is also poor. The melting point of polybutylene terephthalate homopolymer is 223 ° C., and it is difficult to obtain a copolyester having a higher melting point.
【0012】ここで、ポリエステルの融点測定は、Du
Pont Instruments 910 DSC
を用い、昇温速度20℃/分で融解ピークを求める方法
による。なおサンプル量は約20mgとする。
Here, the melting point of polyester is measured by Du.
Pont Instruments 910 DSC
And determining a melting peak at a heating rate of 20 ° C./min. The sample amount is about 20 mg.
【0013】本発明において用いられるポリエチレンテ
レフタレートを主体とする共重合ポリエステル、及びポ
リブチレンテレフタレート又はポリブチレンテレフタレ
ートを主体とする共重合ポリエステルは、その製法によ
って限定されることはない。例えば、ポリエチレンテレ
フタレートを主体とする共重合ポリエステルの場合は、
テレフタル酸、エチレングリコール及び共重合成分をエ
ステル化反応させ、次いで得られる反応生成物を重縮合
反応させて共重合ポリエステルとする方法、あるいはジ
メチルテレフタレート、エチレングリコール及び共重合
成分をエステル交換反応させ、次いで得られる反応生成
物を重縮合反応させて共重合ポリエステルとする方法、
が好ましく用いられる。各共重合ポリエステル及びポリ
ブチレンテレフタレートの製造においては、必要に応
じ、他の添加剤例えば酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸
収剤、帯電防止剤等も添加することができる。
The copolymer polyester mainly composed of polyethylene terephthalate and the copolymer polyester mainly composed of polybutylene terephthalate or polybutylene terephthalate used in the present invention are not limited by the production method. For example, in the case of a copolymer polyester mainly composed of polyethylene terephthalate,
Terephthalic acid, a method of subjecting ethylene glycol and a copolymer component to an esterification reaction, and then subjecting the resulting reaction product to a polycondensation reaction to form a copolymerized polyester, or a method of subjecting dimethyl terephthalate, ethylene glycol and a copolymer component to a transesterification reaction, Then, the obtained reaction product is subjected to a polycondensation reaction to give a copolymerized polyester,
Is preferably used. In the production of each copolymerized polyester and polybutylene terephthalate, if necessary, other additives such as an antioxidant, a heat stabilizer, an ultraviolet absorber, an antistatic agent and the like can be added.
【0014】本発明のポリエステルフイルムは、ポリエ
チレンテレフタレートを主体とする融点が210〜25
0℃の共重合ポリエステル99〜55重量%と、ポリブ
チレンテレフタレートまたはポリブチレンテレフタレー
トを主体とする融点が180〜223℃の共重合ポリエ
ステル1〜45重量%からなることが必要である。ポリ
ブチレンテレフタレートまたはポリブチレンテレフタレ
ートを主体とする共重合ポリエステルが1重量%未満
で、ポリエチレンテレフタレートを主体とする共重合ポ
リエステルが99重量%を超えるフイルムでは、フォト
レジストフイルムに用いた際の微細な基盤形状追従性に
劣る。
The polyester film of the present invention is mainly composed of polyethylene terephthalate and has a melting point of 210 to 25.
It must be composed of 99 to 55% by weight of a copolymerized polyester at 0 ° C and 1 to 45% by weight of a polybutylene terephthalate or 1 to 45% by weight of a copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate and having a melting point of 180 to 223 ° C. For a film containing less than 1% by weight of polybutylene terephthalate or a copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate and more than 99% by weight of a copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate, a fine base when used in a photoresist film. Poor shape followability.
【0015】また、ポリブチレンテレフタレートまたは
ポリブチレンテレフタレートを主体とする共重合ポリエ
ステルが45重量%を超え、ポリエチレンテレフタレー
トを主体とする共重合ポリエステルが55重量%未満の
場合は、フイルムの機械的強度が不足し、表面に凹凸を
有する基盤に貼り付けた際ピンホールが生じる。
When the content of polybutylene terephthalate or the copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate exceeds 45% by weight and the content of the copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate is less than 55% by weight, the mechanical strength of the film is reduced. Insufficient, pinholes occur when pasted on a substrate with uneven surface.
【0016】[滑剤]本発明におけるポリエステルは、
平均粒径2.5μm以下の滑剤を含有する。この滑剤は
無機、有機系の如何を問わないが、無機系であることが
好ましい。無機系滑剤としては、シリカ、アルミナ、二
酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等が例示で
き、有機系滑剤としては架橋ポリスチレン粒子、シリコ
ーン粒子等が例示できる。いずれも平均粒径が2.5μ
m以下であることを要する。滑剤の平均粒径が2.5μ
mを超える場合は、フイルムの透明性が損なわれるため
フォトレジストが十分に露光されなかったり、解像度が
低下する等の問題が生じる。
[Lubricant] The polyester in the present invention comprises:
Contains a lubricant having an average particle size of 2.5 μm or less. The lubricant may be inorganic or organic, but is preferably inorganic. Examples of the inorganic lubricant include silica, alumina, titanium dioxide, calcium carbonate, barium sulfate and the like, and examples of the organic lubricant include crosslinked polystyrene particles and silicone particles. All have an average particle size of 2.5μ
m or less. The average particle size of the lubricant is 2.5μ
If it exceeds m, the transparency of the film will be impaired, causing problems such as insufficient exposure of the photoresist and a reduction in resolution.
【0017】ポリエステル中の滑剤の量はフイルム製造
工程における巻取性によって決めるとよく、例えばポリ
エステル中に0.001〜0.5重量%であるが、用い
る滑剤の平均粒径により好ましい量は異なる。一般に粒
径の大きな滑剤は少量、小さな滑剤は多量添加するのが
好ましい。例えば、平均粒径2.0μmのシリカの場合
は0.05重量%、平均粒径0.3μmの二酸化チタン
では0.3重量%程度添加するのが好ましい。
The amount of the lubricant in the polyester may be determined depending on the winding property in the film production process. For example, the amount is 0.001 to 0.5% by weight in the polyester, but the preferred amount varies depending on the average particle size of the lubricant used. . Generally, it is preferable to add a small amount of a lubricant having a large particle size and a large amount of a small lubricant. For example, it is preferable to add about 0.05% by weight in the case of silica having an average particle diameter of 2.0 μm, and about 0.3% by weight in the case of titanium dioxide having an average particle diameter of 0.3 μm.
【0018】[ポリエステルフイルム]本発明のポリエ
ステルフイルムは、上記したポリエチレンテレフタレー
トを主体とする共重合ポリエステルと、ポリブチレンテ
レフタレートまたはポリブチレンテレフタレートを主体
とする共重合ポリエステルとを、それぞれ所定量配合
し、溶融押出してフイルム状に成形し、二軸延伸、熱固
定することによって製造することができる。この際、上
記の滑剤例えば球状単分散滑剤は、ポリエチレンテレフ
タレートを主体とする共重合ポリエステルとポリブチレ
ンテレフタレートまたはポリブチレンテレフタレートを
主体とする共重合ポリエステルのいずれか一方または両
方に、重合時に含有させておいてもよいし、溶融押出時
に添加混合してもよい。
[Polyester Film] The polyester film of the present invention is prepared by blending a predetermined amount of the above-mentioned copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate and a copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate or polybutylene terephthalate, respectively. It can be manufactured by melt-extrusion, forming into a film, biaxial stretching, and heat setting. At this time, the above-mentioned lubricant, for example, a spherical monodispersed lubricant, is contained in the copolymerized polyester mainly composed of polyethylene terephthalate and / or the copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate or polybutylene terephthalate, or both, during polymerization. Or may be added and mixed during melt extrusion.
【0019】本発明のポリエステルフイルムは、上記し
た滑剤含有ポリエステルを溶融し、ダイより吐出してフ
イルム状に成形し、二軸延伸、熱固定したものである。
そして、本発明のポリエステルフイルムは、フイルムの
面配向係数が0.08〜0.16であることが必要があ
る。フイルムの面配向係数は0.10〜0.15である
ことが更に好ましい。
The polyester film of the present invention is obtained by melting the above-mentioned lubricant-containing polyester, discharging it from a die, forming it into a film, biaxially stretching and heat setting.
The polyester film of the present invention needs to have a plane orientation coefficient of 0.08 to 0.16. More preferably, the plane orientation coefficient of the film is 0.10 to 0.15.
【0020】フイルムの面配向係数が0.08未満であ
ると、フイルムの機械的強度が不足し、表面に凹凸を有
する基盤に貼り付けた際にピンホールが生じる。一方、
面配向係数が0.16を超えるとフイルムの基盤形状追
従性が劣り、回路に欠陥が生じる。
When the plane orientation coefficient of the film is less than 0.08, the mechanical strength of the film is insufficient, and a pinhole is generated when the film is attached to a substrate having an uneven surface. on the other hand,
If the plane orientation coefficient exceeds 0.16, the film base shape followability is inferior, and a defect occurs in the circuit.
【0021】ここで、面配向係数とは以下の式により定
義されるものである。
Here, the plane orientation coefficient is defined by the following equation.
【0022】[0022]
【数1】f=[(nx+ny)/2]−nzF = [(nx + ny) / 2] -nz
【0023】上記式において、fは面配向係数、nx、
nyおよびnzは、それぞれフイルムの横方向、縦方向
および厚さ方向の屈折率である。
In the above equation, f is the plane orientation coefficient, nx,
ny and nz are the refractive indexes in the horizontal, vertical and thickness directions of the film, respectively.
【0024】尚、屈折率はアッベの屈折計の接眼側に偏
光板アナライザーを取り付け、単色光NaD線で、それ
ぞれの屈折率を測定する。マウント液はヨウ化メチレン
を用い、測定温度は25℃である。
The refractive index is measured by attaching a polarizing plate analyzer to the eyepiece side of the Abbe refractometer and using a monochromatic NaD line. The mounting solution uses methylene iodide, and the measurement temperature is 25 ° C.
【0025】上記の面配向係数を有するフイルムを得る
には、例えば本発明におけるポリエステルをシート状に
溶融押出し、急冷して未延伸フイルムをつくり、この未
延伸フイルムを二軸延伸する際に延伸温度を85〜14
5℃、縦方向および横方向の延伸倍率を2.6〜4.0
倍とし、必要に応じて二軸延伸した後のフイルムを15
0〜210℃で熱固定することにより得ることができ
る。
In order to obtain a film having the above-mentioned plane orientation coefficient, for example, the polyester of the present invention is melt-extruded into a sheet and quenched to produce an unstretched film. 85 to 14
5 ° C., stretching ratio in the longitudinal and transverse directions is 2.6 to 4.0.
And if necessary, the film after biaxial stretching
It can be obtained by heat setting at 0 to 210 ° C.
【0026】上記の二軸延伸は、未延伸フイルムを縦方
向または横方向に延伸して一軸延伸フイルムとし、次い
でこの一軸延伸フイルムを横方向または縦方向に延伸す
ることによる逐次二軸延伸法であってもよく、或いは未
延伸フイルムを縦方向および横方向に同時に延伸する同
時二軸延伸法であってもよい。また二軸延伸フイルムは
必要に応じて縦方向および/または横方向に更に延伸す
ることができる。
The above-mentioned biaxial stretching is carried out by a sequential biaxial stretching method in which an unstretched film is stretched in a machine direction or a transverse direction to form a uniaxially stretched film, and then the uniaxially stretched film is stretched in a transverse direction or a machine direction. Or a simultaneous biaxial stretching method in which an unstretched film is simultaneously stretched in the machine direction and the transverse direction. The biaxially stretched film can be further stretched in the machine direction and / or the transverse direction as required.
【0027】また、本発明のポリエステルフイルムは、
フイルムの縦方向および横方向のL5値がそれぞれ1〜
55g/mmであることが好ましく、縦方向および横方
向のL5値の平均値が1〜45g/mmであることが更
に好ましい。フイルムの縦方向および横方向のL5値が
上記の範囲であると、回路の積層化を行う際にフォトレ
ジストフイルムが既設の回路の凹凸形状に追従した形状
で密着するため新たに設けた回路に部分的に欠落等が生
じず好ましい。
Further, the polyester film of the present invention comprises:
The L5 values in the vertical and horizontal directions of the film are 1 to 1, respectively.
It is preferably 55 g / mm, and more preferably the average value of L5 values in the vertical and horizontal directions is 1 to 45 g / mm. When the L5 value in the vertical direction and the horizontal direction of the film is within the above range, the photoresist film adheres in a shape following the uneven shape of the existing circuit when laminating the circuits. It is preferable because partial omission does not occur.
【0028】尚、上記のL5値は、100℃にてフイル
ム(10mm幅の短冊型試料)の引張試験をチャック間
隔10cm、引張速度10cm/分の条件で行い、試料
が5%の伸びを示した時の荷重を試料の幅で除し得られ
た値(g/mm)である。
The above L5 value is obtained by conducting a tensile test of a film (a strip-shaped sample having a width of 10 mm) at 100 ° C. under the conditions of a chuck interval of 10 cm and a pulling speed of 10 cm / min. It is a value (g / mm) obtained by dividing the load at the time of application by the width of the sample.
【0029】上記のL5値を有するフイルムは、前記の
面配向係数を有する二軸延伸フイルムと同様の延伸条件
により得ることができるが、特に本発明におけるポリエ
ステルからなる未延伸フイルムを二軸延伸する際に延伸
温度を100〜145℃、縦方向および横方向の延伸倍
率を3.0〜3.6倍とし、必要に応じて二軸延伸した
後のフイルムを170〜190℃で熱固定し、延伸後の
フイルムの肉厚を5〜50μm、特に10〜30μmと
することにより得ることができる。
The film having the above L5 value can be obtained under the same stretching conditions as the biaxially stretched film having the above-mentioned plane orientation coefficient. In particular, the unstretched film made of the polyester of the present invention is biaxially stretched. At this time, the stretching temperature is 100 to 145 ° C, the stretching ratio in the longitudinal direction and the transverse direction is 3.0 to 3.6 times, and the film after biaxial stretching is heat-set at 170 to 190 ° C as needed, It can be obtained by setting the thickness of the stretched film to 5 to 50 μm, particularly 10 to 30 μm.
【0030】尚、本発明のポリエステルフイルムの厚み
は、好ましくは3〜75μmであるが。更に5〜75μ
m、特に5〜50μmであることが好ましい。厚みが3
μm未満では加工時に破れ等が生じやすくなり、一方7
5μmを越えるものは過剰品質であって不経済である。
The thickness of the polyester film of the present invention is preferably 3 to 75 μm. 5 to 75μ
m, particularly preferably 5 to 50 μm. Thickness 3
If it is less than μm, breakage or the like is likely to occur during processing, while 7
Those exceeding 5 μm are excessive quality and uneconomical.
【0031】[塗布層]本発明のポリエステルフイルム
には、フォトレジスト層との接着性を調節することを目
的として、塗布層を設けてもよい。かかる塗布層は、フ
イルム製造工程内で設けてもよいし、フイルム製造後に
塗布してもよい。特に塗布層の厚みの均一性や、生産効
率の点で、フイルム製造工程の縦方向延伸後、横方向延
伸工程に入る前に塗布する方法が好ましい。塗布剤の例
としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、
ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルアルコール、ポリウレタン等の
樹脂およびこれらの樹脂の共重合体や混合体等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるわけではない。
尚、本発明においては、製膜に供するポリエステル全量
に対し、1重量%程度以下の他のポリマー(例えばポリ
エチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスル
ホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリイ
ミド等)を含有させることができる。また、必要に応
じ、酸化防止剤、熱安定剤、帯電防止剤、潤滑剤、染
料、顔料等の添加剤を配合してもよい。
[Coating Layer] The polyester film of the present invention may be provided with a coating layer for the purpose of adjusting the adhesiveness with the photoresist layer. Such a coating layer may be provided in the film manufacturing process, or may be applied after the film is manufactured. In particular, from the viewpoint of the uniformity of the thickness of the coating layer and the production efficiency, it is preferable to apply the film after the longitudinal stretching in the film manufacturing process and before the horizontal stretching process. Examples of coating agents include polyester, polyamide, polystyrene,
Examples include, but are not limited to, resins such as polyacrylate, polycarbonate, polyarylate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, polyurethane, and copolymers and mixtures of these resins. Do not mean.
In the present invention, about 1% by weight or less of another polymer (for example, polyethylene, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyamide, polyimide, etc.) can be contained based on the total amount of polyester used for film formation. If necessary, additives such as an antioxidant, a heat stabilizer, an antistatic agent, a lubricant, a dye, and a pigment may be added.
【0032】[0032]
【実施例】以下実施例を掲げて本発明を更に説明する。The present invention will be further described with reference to the following examples.
【0033】[実施例1〜6及び比較例1〜10]平均
粒径1.5μmの球状単分散シリカ(粒径比1.07、
相対標準偏差0.1)を0.1重量%添加含有し、表1
に示す成分を共重合したポリエチレンテレフタレートを
主体とする共重合ポリエステル(以下、『共重合PE
T』と略記する)とポリブチレンテレフタレート(以
下、『PBT』と略記する)または表1に示す成分を共
重合したポリブチレンテレフタレートを主体とする共重
合ポリエステル(以下、『共重合PBT』と略記する)
とを表1に示す割合で配合し、280℃で溶融押出し、
急冷固化して未延伸フイルムを得た。
Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 10 Spherical monodispersed silica having an average particle size of 1.5 μm (particle size ratio 1.07,
0.1% by weight relative standard deviation 0.1)
(Hereinafter referred to as “copolymerized PE”).
T ") and polybutylene terephthalate (hereinafter abbreviated as" PBT ") or a copolymerized polyester mainly composed of polybutylene terephthalate obtained by copolymerizing the components shown in Table 1 (hereinafter abbreviated as" copolymerized PBT ") Do)
Are blended in the proportions shown in Table 1 and melt-extruded at 280 ° C.
It was quenched and solidified to obtain an unstretched film.
【0034】次いで、この未延伸フイルムを表2に示す
条件で縦方向に延伸し、次いで横方向に延伸し、続いて
180℃で熱固定処理して表2に示す厚み及び面配向係
数の二軸配向フイルムを得た。このフイルムの特性およ
びフォトレジストフイルム実用評価の結果を表3に示
す。
Next, this unstretched film was stretched in the machine direction under the conditions shown in Table 2, then stretched in the transverse direction, and then heat-set at 180 ° C. to obtain the thickness and plane orientation coefficient shown in Table 2. An axially oriented film was obtained. Table 3 shows the characteristics of the film and the results of the practical evaluation of the photoresist film.
【0035】[実施例7]平均粒径1.5μmの球状単
分散シリカを0.1重量%添加する替わりに、平均粒径
0.3μmの二酸化チタンを0.3重量%添加する以外
は実施例5と同様にして厚み10μm、面配向係数0.
088の二軸配向フイルムを得た。このフイルムの特性
およびフォトレジストフイルム実用評価の結果を表3に
示す。
Example 7 The procedure was carried out except that 0.3% by weight of titanium dioxide having an average particle diameter of 0.3 μm was added instead of adding 0.1% by weight of spherical monodispersed silica having an average particle diameter of 1.5 μm. In the same manner as in Example 5, the thickness was 10 μm, and the plane orientation coefficient was 0.1.
088 biaxially oriented film was obtained. Table 3 shows the characteristics of the film and the results of the practical evaluation of the photoresist film.
【0036】[比較例11]平均粒径1.5μmの球状
単分散シリカを0.1重量%添加する替わりに、平均粒
径2.7μmの塊状シリカを0.05重量%添加する以
外は実施例5と同様にして厚み10μm、面配向係数
0.089の二軸配向フイルムを得た。このフイルムの
特性およびフォトレジストフイルム実用評価の結果を表
3に示す。
[Comparative Example 11] The procedure was carried out except that 0.1% by weight of spherical monodispersed silica having an average particle size of 1.5 μm was added and 0.05% by weight of bulk silica having an average particle size of 2.7 μm was added. In the same manner as in Example 5, a biaxially oriented film having a thickness of 10 μm and a plane orientation coefficient of 0.089 was obtained. Table 3 shows the characteristics of the film and the results of the practical evaluation of the photoresist film.
【0037】[実施例8〜10および比較例12]表4
に示すポリエステルを用い、溶融押出しの条件により未
延伸フイルムの肉厚を替え、表5に示す延伸条件で延伸
した以外は実施例1と同様にして表5に示す厚み及び面
配向係数の二軸配向フイルムを得た。このフイルムの特
性およびフォトレジストフイルム実用評価の結果を表6
に示す。
[Examples 8 to 10 and Comparative Example 12] Table 4
Using the polyester shown in Table 1, the thickness of the unstretched film was changed according to the conditions of melt extrusion, and the film was stretched under the stretching conditions shown in Table 5. An oriented film was obtained. Table 6 shows the characteristics of this film and the results of the practical evaluation of the photoresist film.
Shown in
【0038】尚、各種の測定および評価は下記のように
実施例した。
Various measurements and evaluations were carried out in the following examples.
【0039】1.面配向係数 アッベの屈折計の接眼側に偏光板アナライザーを取り付
け、マウント液にヨウ化メチレンを用い、測定温度25
℃にて単色光NaD線で、フイルムの横方向屈折率(n
x)、縦方向屈折率(ny)および厚さ方向屈折率(n
z)屈折率を測定し、下記式により面配向係数(f)を
求めた。
1. Plane Orientation Coefficient Attach a polarizing plate analyzer to the eyepiece side of Abbe's refractometer, use methylene iodide as the mounting liquid, and measure at a measurement temperature of 25.
The lateral refractive index of the film (n
x), longitudinal refractive index (ny) and thickness refractive index (n
z) The refractive index was measured, and the plane orientation coefficient (f) was determined by the following equation.
【0040】[0040]
【数2】f=[(nx+ny)/2]−nzF = [(nx + ny) / 2] -nz
【0041】2.L5値 東洋ボールドウイン(株)製・テンシロン万能型引張試
験機に恒温槽を取り付け、100℃にてフイルム(10
mm幅の短冊型試料)の引張試験をチャック間隔10c
m、引張速度10cm/分の条件で行い、試料が5%の
伸びを示した時の荷重を試料の幅で除し得られた値をL
5値(g/mm)とした。
2. L5 value Toyo Baldwin Co., Ltd. Tensillon universal tensile tester with a thermostat attached at 100 ° C.
mm width strip type sample) tensile test
m, the tensile speed was 10 cm / min, and the load obtained when the sample showed 5% elongation divided by the width of the sample was L.
Five values (g / mm) were used.
【0042】[基盤形状追従性および耐ピンホール性の
評価]フイルムを、幅50μm、深さ15μm、長さ5
mmの溝が20μmの間隔で平行に刻まれている、10
0℃に加熱された銅板の表面にラミネートし、このフイ
ルムをラミネートした銅板について以下の観察を顕微鏡
により行い、各々下記の基準で評価した。
[Evaluation of Followability of Base Shape and Resistance to Pinholes] A film was prepared with a width of 50 μm, a depth of 15 μm, and a length of 5 μm.
mm grooves are cut in parallel at intervals of 20 μm.
The film was laminated on the surface of a copper plate heated to 0 ° C., and the following observations were made on the copper plate on which the film was laminated by a microscope, and each was evaluated according to the following criteria.
【0043】3.基盤形状追従性 ○:銅板に刻まれた溝の底面からフイルムの銅板側表面
までの距離(『浮き』)が0.1μm以下である。(基
盤形状追従性良好) ×:銅板に刻まれた溝の底面からフイルムの銅板側表面
までの距離(『浮き』)が0.1μmを超えるものであ
る。(基盤形状追従性不良)
3. Substrate shape followability :: The distance (“floating”) from the bottom surface of the groove cut in the copper plate to the surface of the film on the copper plate side is 0.1 μm or less. X: The distance (“floating”) from the bottom surface of the groove cut in the copper plate to the surface of the film on the copper plate side exceeds 0.1 μm. (Failure to follow substrate shape)
【0044】4.耐ピンホール性 ○:銅板の溝部分を被覆しているフイルムに直径が0.
1μm以上のピンホールが認められない。(耐ピンホー
ル性良好) ×:銅板の溝部分を被覆しているフイルムに直径が0.
1μm以上のピンホールが認めらる。(耐ピンホール性
不良)
4. Pinhole resistance ○: The film covering the groove of the copper plate has a diameter of 0.
No pinhole of 1 μm or more is observed. (Good pinhole resistance) ×: The film covering the groove of the copper plate has a diameter of 0.
Pinholes of 1 μm or more are observed. (Poor pinhole resistance)
【0045】[フォトレジストフイルムの実用性評価]
フイルムの片面のフォトレジスト層を設け、その上に保
護層としてポリエチレンフイルムを積層してフォトレジ
ストフイルムを作製した。得られたフォトレジストフイ
ルムを用いて、プリント回路の作製を行った。即ち、ガ
ラス繊維含有エポキシ樹脂基盤上に設けられた銅板に、
保護層を剥離したフォトレジストフイルムのフォトレジ
スト層面を密着させた。次に、フォトレジストフイルム
の上に、回路が印刷されたガラス板を密着させ、当該ガ
ラス板側から紫外線の露光を行った。しかる後フォトレ
ジストフイルムを剥離し、洗浄、エッチング等、一連の
現像操作を行って回路を作製した。かくして得られた回
路を目視あるいは顕微鏡を使って観察し、その結果によ
りフォトレジストフイルムの実用性評価を下記の基準で
行った。
[Evaluation of practicality of photoresist film]
A photoresist layer was provided on one side of the film, and a polyethylene film was laminated thereon as a protective layer to produce a photoresist film. A printed circuit was manufactured using the obtained photoresist film. That is, on a copper plate provided on a glass fiber-containing epoxy resin base,
The surface of the photoresist layer of the photoresist film from which the protective layer was peeled off was brought into close contact. Next, a glass plate on which a circuit was printed was brought into close contact with the photoresist film, and ultraviolet light was exposed from the glass plate side. Thereafter, the photoresist film was peeled off, and a series of developing operations such as washing and etching were performed to form a circuit. The circuit thus obtained was observed visually or using a microscope, and the practicality of the photoresist film was evaluated according to the following criteria based on the result.
【0046】5.解像度 ○:極めて高度な解像度を有し、鮮明な回路が認められ
た。(解像度良好) ×:解像度が劣り、高密度の回路には使用できない。
(解像度不良)
5. Resolution :: Extremely high resolution, and a clear circuit was recognized. (Good resolution) ×: Poor resolution, cannot be used for high-density circuits.
(Defective resolution)
【0047】6.回路の耐欠陥性 ○:回路に欠落が認められない。(回路の耐欠陥性良
好) △:まれに回路の欠落が認められる。(回路の耐欠陥性
やや良好) ×:回路の欠落があり実用上支障がある。(回路の耐欠
陥性不良) 以上の評価結果を表3および表6に示す。
6 Defect resistance of the circuit 欠: No lack is found in the circuit. (Good defect resistance of the circuit) Δ: Occasionally, the circuit is missing. (Slightly good defect resistance of circuit) ×: The circuit is missing and there is a problem in practical use. (Defective defect resistance of circuit) Tables 3 and 6 show the above evaluation results.
【0048】[0048]
【表1】 [Table 1]
【0049】[0049]
【表2】 [Table 2]
【0050】[0050]
【表3】 [Table 3]
【0051】[0051]
【表4】 [Table 4]
【0052】[0052]
【表5】 [Table 5]
【0053】[0053]
【表6】 [Table 6]
【0054】表3および表6の結果から明らかなよう
に、実施例のフイルムは、基盤形状追従性、耐ピンホー
ル性、解像度、回路の耐欠陥性の全てに対して優れてい
る。
As is clear from the results shown in Tables 3 and 6, the films of the examples are excellent in all of the substrate shape followability, the pinhole resistance, the resolution, and the defect resistance of the circuit.
【0055】[0055]
【発明の効果】本発明のポリエステルフイルムを微細な
凹凸を有する基盤に回路を設けるためのフォトレジスト
フイルムの支持体層として用いた場合、その凹凸に対し
て極めて優れた基盤追従性を示し、かつ回路の欠陥発生
を防止することができ、その工業的価値が非常に大き
い。
According to the present invention, when the polyester film of the present invention is used as a support layer of a photoresist film for providing a circuit on a substrate having fine irregularities, it exhibits excellent substrate followability to the irregularities, and The occurrence of circuit defects can be prevented, and its industrial value is very large.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正岡 和隆 茨城県日立市東町4丁目13番1号 (72)発明者 田中 庸司 茨城県日立市東町4丁目13番1号 (72)発明者 木村 伯世 茨城県日立市東町4丁目13番1号 (56)参考文献 特開 平5−186612(JP,A) 特開 平5−222216(JP,A) 特開 平5−186613(JP,A) 特開 平3−86729(JP,A) 特開 平2−305827(JP,A) 特開 平3−83625(JP,A) 特開 昭61−80236(JP,A) 特開 平1−96641(JP,A) 特開 平7−96544(JP,A) 特開 平9−302114(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/004 512 G03F 7/09 501 C08J 5/18 CFD C08L 67/02 H05K 3/06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazutaka Masaoka 4-13-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture (72) Inventor Yoji Tanaka 4-13-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture (72) Inventor Kimura Hakuse 4- 13-1, Higashi-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture (56) References JP-A-5-186612 (JP, A) JP-A-5-222216 (JP, A) JP-A-5-186613 (JP, A) JP-A-3-86729 (JP, A) JP-A-2-305727 (JP, A) JP-A-3-83625 (JP, A) JP-A-61-80236 (JP, A) JP-A-1- 96641 (JP, A) JP-A-7-96544 (JP, A) JP-A-9-302114 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 7/004 512 G03F 7/09 501 C08J 5/18 CFD C08L 67/02 H05K 3/06

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】 ポリエチレンテレフタレートを主体とす
    る融点が210〜250℃の共重合ポリエステル99〜
    55重量%と、ポリブチレンテレフタレートまたはポリ
    ブチレンテレフタレートを主体とする融点が180〜2
    23℃の共重合ポリエステル1〜45重量%とからな
    り、平均粒径が2.5μm以下の滑剤を含有し、フイル
    ムの面配向係数が0.08〜0.16であることを特徴
    とするフォトレジストフイルムの支持体層に用いるポリ
    エステルフイルム。
    1. A copolymer polyester mainly composed of polyethylene terephthalate and having a melting point of 210 to 250 ° C.
    55% by weight, having a melting point of 180 to 2 mainly composed of polybutylene terephthalate or polybutylene terephthalate.
    A photopolymer comprising 1 to 45% by weight of a copolymerized polyester at 23 ° C., containing a lubricant having an average particle diameter of 2.5 μm or less, and having a film plane orientation coefficient of 0.08 to 0.16. Polyester film used for the support layer of the resist film.
  2. 【請求項2】 フイルムの縦方向および横方向のL5値
    がそれぞれ1〜55g/mmである請求項1記載のポリ
    エステルフイルム。
    2. The polyester film according to claim 1, wherein the L5 value in the longitudinal direction and the L5 value in the lateral direction of the film are each 1 to 55 g / mm.
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