JP3148337B2 - マイクロ波トランスバーサル型フィルタ - Google Patents

マイクロ波トランスバーサル型フィルタ

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JP3148337B2
JP3148337B2 JP06460492A JP6460492A JP3148337B2 JP 3148337 B2 JP3148337 B2 JP 3148337B2 JP 06460492 A JP06460492 A JP 06460492A JP 6460492 A JP6460492 A JP 6460492A JP 3148337 B2 JP3148337 B2 JP 3148337B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、概ね1GHz以上のマ
イクロ波帯、準ミリ波帯又はミリ波帯などの周波数帯の
信号を帯域ろ波するためのマイクロ波トランスバーサル
型フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】図8に、従来例のマイクロ波トランスバ
ーサル型フィルタに示す。当該従来例の技術内容は以下
の文献に記載されている。 (a)デイビッド・ダブリュ・カムラーによる「離散型
Nセクションの連続的にテーパされた対称的なマイクロ
波TEM方向性結合器の設計(The Design of Discrete
N-Section and Continuously Tapared Symmetrical Mi
crowave TEM Directional Couplers)」IEEEトラン
ザクション・オン・マイクロ波の理論と技術,VOL.
MTT−17,No.8.1969年8月。 (b)セナー・ウイザルほかによる「マイクロ波とミリ
波のアプリケーションのための新しいマイクロストリッ
プ多機能方向性結合器とフィルタ(Novel Microstrip M
ultifucntion Directional Couplers and Filters for
Microwave and Millimeter-Wave Applications)」IE
EEトランザクション・オン・マイクロ波の理論と技
術,VOL.39,No.6.1991年6月。
【0003】図8に示すように、裏面全面上に接地導体
(図示せず。)が形成された誘電体基板100上に、互
いに縦続に接続されたストリップ導体51a,52a,
53a,54a,55a,56a,57aが一体的に形
成され、互いに縦続に接続されたストリップ導体51
b,52b,53b,54b,55b,56b,57b
が一体的に形成される。ここで、ストリップ導体51a
乃至57aがポートP1,P3間で縦続に接続され、ス
トリップ導体51b乃至57bがポートP2,P4間で
縦続に接続される。また、ストリップ導体51a,51
bは、ストリップ導体51aと接地導体とによって構成
されるマイクロストリップ線路に伝送されるマイクロ波
信号と、ストリップ導体51bと接地導体とによって構
成されるマイクロストリップ線路に伝送されるマイクロ
波信号とが電磁気的に所定の結合係数で結合するよう
に、互いに近接して形成され、これらの2個のマイクロ
ストリップ線路によって1/4波長結合線路型方向性結
合器DC11が形成される。以下同様にして、ストリッ
プ導体52a,52bからなる1/4波長結合線路型方
向性結合器DC12と、ストリップ導体53a,53b
からなる1/4波長結合線路型方向性結合器DC13
と、ストリップ導体54a,54bからなる1/4波長
結合線路型方向性結合器DC14と、ストリップ導体5
5a,55bからなる1/4波長結合線路型方向性結合
器DC15と、ストリップ導体56a,56bからなる
1/4波長結合線路型方向性結合器DC16と、ストリ
ップ導体57a,57bからなる1/4波長結合線路型
方向性結合器DC17とが形成される。さらに、ポート
P3は終端抵抗R1を介して接地され、ポートP4は終
端抵抗R2を介して接地される。
【0004】以上のように構成された従来例のマイクロ
波トランスバーサル型フィルタは、図6の等価回路と同
様に、1対のポートP1,P2と、1対のポートP3,
P4との間に、7個の1/4波長結合線路型方向性結合
器とが縦続接続され、ポートP3,P4にそれぞれ終端
抵抗が接続される。ここで、従来例の方向性結合器DC
11乃至DC17はDC1乃至DC7に対応し、図7に
おいても同様である。また、1/4波長結合線路型方向
性結合器DC1乃至DC7の各々は、図7の等価回路と
同様に、2個の遅延回路DLn,DL(10+n)と、
1以上又は1未満の所定の増幅定数を有する1個の重み
付け用増幅器An(n=1,2,3,4,5,6,7)
とからなり、公知の通りマイクロ波トランスバーサル型
フィルタを構成してしている。すなわち、ポートP1に
マイクロ波信号を入力するとき、所定の通過帯域で帯域
ろ波されたマイクロ波信号がポートP2から出力され
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
た従来例のマイクロ波トランスバーサル型フィルタにお
いて、伝送するマイクロ波信号の周波数が低くなると、
各ストリップ導体の長手方向の長さが長くなり、当該ト
ランスバーサル型フィルタの面積が大きくなり、大型に
なる。また、通過帯域外の減衰量を大きくするために、
縦続接続される方向性結合器の段数を多くした場合、同
様に、当該トランスバーサル型フィルタの面積が大きく
なり、大型になるという問題点があった。
【0006】本発明の目的は以上の問題点を解決し、従
来例に比較して小型のマイクロ波トランスバーサル型フ
ィルタを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロ波
トランスバーサル型フィルタは、それぞれ複数のマイク
ロ波線路から構成され互いに縦続接続された複数の方向
性結合器を備えたマイクロ波トランスバーサル型フィル
タにおいて、上記各方向性結合器の各マイクロ波線路は
トリプレート型マイクロ波線路であり、上記各方向性結
合器の各マイクロ波線路を、積層された複数層の誘電体
又は半導体の各層上に形成し、上記各方向性結合器を互
いに縦続接続し、かつ隣接する各層に形成された方向性
結合器のマイクロ波線路のストリップ導体を当該隣接す
る各層を貫通するように形成されたスルーホール導体を
介して接続することにより形成されたことを特徴とす
る。
【0008】
【0009】
【0010】
【作用】以上のように構成されたマイクロ波トランスバ
ーサル型フィルタにおいては、それぞれ複数のマイクロ
波線路から構成され互いに縦続接続された複数の方向性
結合器を備え、上記各方向性結合器の各マイクロ波線路
が、積層された複数層の誘電体又は半導体の各層上に形
成される。当該マイクロ波トランスバーサル型フィルタ
の入力ポートにマイクロ波信号を入力したとき、所定の
通過帯域で帯域ろ波された後、出力ポートから出力され
る。
【0011】また、好ましくは、上記複数層の誘電体又
は半導体の各層上に形成された各マイクロ波線路が、上
記各層を貫通するように形成されたスルーホール導体に
よって接続される。さらに、好ましくは、上記各方向性
結合器の各マイクロ波線路はトリプレート型マイクロ波
線路である。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る実施例に
ついて説明する。
【0013】図1は本発明に係る一実施例であるマイク
ロ波トランスバーサル型フィルタの一部破断斜視図であ
り、図2は図1のA−A’線についての縦断面図であ
る。また、図3は当該マイクロ波トランスバーサル型フ
ィルタの誘電体基板5上に形成されたストリップ導体を
示す平面図であり、図4は誘電体基板3上に形成された
ストリップ導体を示す平面図であり、図5は誘電体基板
1上に形成されたストリップ導体を示す平面図である。
【0014】本実施例のマイクロ波トランスバーサル型
フィルタは、複数の方向性結合器DC1乃至DC7が縦
続接続されて構成され、上記各方向性結合器DC1乃至
DC7の各マイクロ波線路が3層の積層構造のトリプレ
ート型ストリップ線路で構成され、各層間の各マイクロ
波線路がスルーホール導体41a,41b,42a,4
2bを介して接続され、当該スルーホール導体41a,
41b,42a,42bは各方向性結合器DC3,DC
5の各線路導体の一部であることを特徴としている。
【0015】図1及び図5に示すように、裏面全面に接
地導体11が形成された誘電体基板1上に、互いに縦続
に接続されたストリップ導体27a,36a,28a,
37a,29a,38aが一体的に形成されるととも
に、互いに縦続に接続されたストリップ導体27b,3
6b,28b,37b,29b,38bが一体的に形成
される。ここで、ストリップ導体28a,28bは、ス
トリップ導体28aと接地導体11,12とによって構
成されるトリプレート型ストリップ線路に伝送されるマ
イクロ波信号と、ストリップ導体28bと接地導体1
1,12とによって構成されるトリプレート型ストリッ
プ線路に伝送されるマイクロ波信号とが電磁気的に所定
の結合係数で結合するように、互いに近接して形成さ
れ、これらの2個のストリップ線路によって1/4波長
結合線路型方向性結合器DC6が構成される。また、同
様に、ストリップ導体29a,29bと接地導体11,
12とによって1/4波長結合線路型方向性結合器DC
7が構成される。ここで、36a,36b,37a,3
7b,38a,38bはストリップ導体の幅がテーパ形
状となっている連結用ストリップ導体である。ストリッ
プ導体38aの端部はポートP3であり、当該ポートP
3は終端抵抗R1を介して接地される。また、ストリッ
プ導体38bの端部はポートP4であり、当該ポートP
4は終端抵抗R2を介して接地される。
【0016】以上のように各ストリップ導体が形成され
た誘電体基板1上に、図1に示すように、誘電体層2が
形成された後、誘電体層2上に接地導体12が形成され
る。次いで、当該接地導体12上に誘電体層3が形成さ
れた後、図4に示すように、当該誘電体層3上に、互い
に縦続に接続されたストリップ導体26a,35a,2
5a,34a,24aが一体的に形成されるとともに、
互いに縦続に接続されたストリップ導体26b,35
b,25b,34b,24bが一体的に形成される。ス
トリップ導体26a,26bの各端部に、誘電体層3と
接地導体12と誘電体層2とを厚さ方向に貫通してスト
リップ導体27a,27bの各端部に到達するスルーホ
ール42ah,42bhが形成され、各スルーホール4
2ah,42bhの内周面にそれぞれ、接地導体12と
接触しないようにスルーホール導体42a,42bが形
成される。
【0017】これによって、ストリップ導体27aはス
ルーホール導体42aを介してストリップ導体26aに
接続され、ここで、各導体27a,42a,26aの各
幅は概ね同一の幅で形成される一方、ストリップ導体2
7bは、スルーホール導体42bを介してストリップ導
体26bに接続され、ここで、各導体27b,42b,
26bの各幅は概ね同一の幅で形成される。これらの導
体27a,42a,26aと、導体27b,42b,2
6bとは、近接して形成されて、方向性結合器DC6,
DC7と同様に、接地導体11,12,13とによって
1/4波長結合線路型方向性結合器DC5が構成され
る。一方、方向性結合器DC6,DC7と同様に、スト
リップ導体25a,25bと接地導体11,12とによ
って1/4波長結合線路型方向性結合器DC4が構成さ
れる。ここで、34a,35a,34b,35bはスト
リップ導体の幅がテーパ形状となっている連結用ストリ
ップ導体である。
【0018】以上のように各ストリップ導体が形成され
た誘電体層3上に、図1に示すように、誘電体層4が形
成された後、誘電体層4上に接地導体13が形成され
る。次いで、当該接地導体13上に誘電体層5が形成さ
れた後、図3に示すように、当該誘電体層5上に、互い
に縦続に接続されたストリップ導体23a,33a,2
2a,32a,21a,31aが一体的に形成されると
ともに、互いに縦続に接続されたストリップ導体23
b,33b,22b,32b,21b,31bが一体的
に形成される。ストリップ導体23a,23bの各端部
に、誘電体層5と接地導体13と誘電体層4とを厚さ方
向に貫通してストリップ導体24a,24bの各端部に
到達するスルーホール41ah,41bhが形成され、
各スルーホール41ah,41bhの内周面にそれぞ
れ、接地導体13と接触しないようにスルーホール導体
41a,41bが形成される。
【0019】これによって、ストリップ導体23aはス
ルーホール導体41aを介してストリップ導体24aに
接続され、ここで各導体23a,41a,24aの各幅
は概ね同一の幅で形成される一方、図2に示すように、
ストリップ導体23bはスルーホール導体41bを介し
てストリップ導体24bに接続され、ここで各導体23
b,41b,24bの各幅は概ね同一の幅で形成され
る。これらの導体23a,41a,24aと、導体23
b,41b,24bとは、近接して形成されて、方向性
結合器DC5と同様に、接地導体12,13,14とに
よって1/4波長結合線路型方向性結合器DC3が構成
される。一方、方向性結合器DC4,DC6,DC7と
同様に、ストリップ導体22a,22bと接地導体1
3,14とによって1/4波長結合線路型方向性結合器
DC2が構成されるとともに、ストリップ導体21a,
21bと接地導体13,14とによって1/4波長結合
線路型方向性結合器DC1が構成される。ここで、33
a,32a,31a,33b,32b,31bはストリ
ップ導体の幅がテーパ形状となっている連結用ストリッ
プ導体である。また、ストリップ導体31aの端部は入
力ポートP1であり、ストリップ導体31bの端部は出
力ポートP2である。
【0020】以上のように各ストリップ導体が形成され
た誘電体層5上に、誘電体層6が形成された後、誘電体
層6上に接地導体14が形成される。
【0021】なお、誘電体基板1、誘電体層2,3,
4,5は好ましくはポリイミドなどの樹脂、又は誘電体
セラミックスにてなる。また、誘電体基板1、誘電体層
2,3,4,5は半導体基板又は半導体層であってもよ
い。
【0022】以上のように構成された本実施例のマイク
ロ波トランスバーサル型フィルタは図6に示すように、
1対のポートP1,P2と、1対のポートP3,P4と
の間に、7個の1/4波長結合線路型方向性結合器DC
1乃至DC7とが縦続接続され、ポートP3,P4にそ
れぞれ終端抵抗が接続される。また、1/4波長結合線
路型方向性結合器DC1乃至DC7の各々は、図7に示
すように、2個の遅延回路DLn,DL(10+n)
と、1個の重み付け用増幅器An(n=1,2,3,
4,5,6,7)とからなり、公知の通りマイクロ波ト
ランスバーサル型フィルタを構成している。すなわち、
入力ポートP1にマイクロ波信号を入力するとき、所定
の通過帯域で帯域ろ波されたマイクロ波信号が出力ポー
トP2から出力される。
【0023】以上のように構成された本実施例のマイク
ロ波トランスバーサル型フィルタにおいては、複数の方
向性結合器DC1乃至DC7が縦続接続されて構成さ
れ、上記各方向性結合器DC1乃至DC7の各マイクロ
波線路が3層の積層構造のトリプレート型ストリップ線
路で構成され、各層間の各マイクロ波線路がスルーホー
ル導体41a,41b,42a,42bを介して接続さ
れ、当該スルーホール導体41a,41b,42a,4
2bは各方向性結合器DC3,DC5の各線路導体の一
部であるように構成したので、当該フィルタの各方向性
結合器DC1乃至DC7を構成する各線路導体の長手方
向の長さを、従来例に比較して短縮することができ、こ
れによって、伝送するマイクロ波信号の周波数が低くな
っても、もしくは、通過帯域の損失を大きくするために
縦続接続される方向性結合器の段数を多くしても、従来
例に比較して占有面積を小さくし、当該フィルタを大幅
に小型化することができる。
【0024】以上の実施例において、スルーホール導体
41a,41b,42a,42bを方向性結合器DC
3,DC5の線路導体として用いているが、本発明はこ
れに限らず、線路導体を連結する連結用ストリップ導体
として用いてもよい。
【0025】以上の実施例において、3層の積層構造の
トリプレート型ストリップ線路で各方向性結合器を構成
しているが、本発明はこれに限らず、2層又は4層以上
の多層の積層構造で、トリプレート型ストリップ線路な
どのトリプレート型マイクロ波線路を形成して各方向性
結合器を構成してもよい。
【0026】以上の実施例において、3層の積層構造の
トリプレート型ストリップ線路で各方向性結合器を構成
しているが、本発明はこれに限らず、誘電体層6と接地
導体14を形成せず、最上層のマイクロ波線路をマイク
ロストリップ線路として形成してもよいし、並びに/又
は誘電体基板1と接地導体11とを形成せず、最下層の
マイクロ波線路をマイクロストリップ線路として形成し
てもよい。
【0027】以上の実施例において、トリプレート型ス
トリップ線路を用いているが、本発明はこれに限らず、
トリプレート型又はそれ以外の型式のコプレーナ線路、
スロット線路などのマイクロ波線路を用いてもよい。
【0028】以上の実施例において、マイクロ波トラン
スバーサル型フィルタについて説明しているが、本発明
はこれに限らず、終端抵抗R1,R2を備えず、複数の
方向性結合器が縦続接続されたマイクロ波回路として構
成してもよい。
【0029】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波トランスバーサル型フィルタによれば、それぞれ複
数のマイクロ波線路から構成され互いに縦続接続された
複数の方向性結合器を備えたマイクロ波トランスバーサ
ル型フィルタにおいて、上記各方向性結合器の各マイク
ロ波線路はトリプレート型マイクロ波線路であり、上記
各方向性結合器の各マイクロ波線路を、積層された複数
層の誘電体又は半導体の各層上に形成し、上記各方向性
結合器を互いに縦続接続し、かつ隣接する各層に形成さ
れた方向性結合器のマイクロ波線路のストリップ導体を
当該隣接する各層を貫通するように形成されたスルーホ
ール導体を介して接続することにより形成される。従っ
て、本発明によれば、当該フィルタの各方向性結合器の
各マイクロ波線路の長手方向の長さを、従来例に比較し
て短縮することができ、これによって、伝送するマイク
ロ波信号の周波数が低くなっても、もしくは、通過帯域
外の減衰量を大きくするために縦続接続される方向性結
合器の段数を多くしても、従来例に比較して占有面積を
小さくし、当該フィルタを大幅に小型化することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る一実施例であるマイクロ波トラ
ンスバーサル型フィルタの一部破断斜視図である。
【図2】 図1のA−A’線についての縦断面図であ
る。
【図3】 図1のマイクロ波トランスバーサル型フィル
タの誘電体基板5上に形成されたストリップ導体を示す
平面図である。
【図4】 図1のマイクロ波トランスバーサル型フィル
タの誘電体基板3上に形成されたストリップ導体を示す
平面図である。
【図5】 図1のマイクロ波トランスバーサル型フィル
タの誘電体基板1上に形成されたストリップ導体を示す
平面図である。
【図6】 図1の実施例と図8の従来例のマイクロ波ト
ランスバーサル型フィルタとの等価回路を示すブロック
図である。
【図7】 図1の実施例と図8の従来例のマイクロ波ト
ランスバーサル型フィルタにおいて遅延回路と重み付け
用増幅器を用いたときの等価回路を示すブロック図であ
る。
【図8】 従来例のマイクロ波トランスバーサル型フィ
ルタの平面図である。
【符号の説明】
1…誘電体基板、 2,3,4,5,6…誘電体層、 11,12,13,14…接地導体、 21a,21b,22a,22b,23a,23b,2
4a,24b,25a,25b,26a,26b,27
a,27b,28a,28b,29a,29b…ストリ
ップ導体、 31a,31b,32a,32b,33a,33b,3
4a,34b,35a,35b,36a,36b,37
a,37b,38a,38b…連結用ストリップ導体、 41a,41b,42a,42b…スルーホール導体、 41ah,41bh,42ah,42bh…スルーホー
ル、 DC1乃至DC7…方向性結合器、 P1,P2,P3,P4…ポート、 R1,R2…終端抵抗、 DL1乃至DL7,DL11乃至DL17…遅延回路、 A1乃至A7…重み付け用増幅器。
フロントページの続き (56)参考文献 実開 平2−106701(JP,U) 米国特許4499441(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 5/18 H01P 7/00 - 7/10

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ複数のマイクロ波線路から構成
    され互いに縦続接続された複数の方向性結合器を備えた
    マイクロ波トランスバーサル型フィルタにおいて、 上記各方向性結合器の各マイクロ波線路はトリプレート
    型マイクロ波線路であり、 上記各方向性結合器の各マイクロ波線路を、積層された
    複数層の誘電体又は半導体の各層上に形成し、 上記各方向性結合器を互いに縦続接続し、かつ隣接する
    各層に形成された方向性結合器のマイクロ波線路のスト
    リップ導体を当該隣接する各層を貫通するように形成さ
    れたスルーホール導体を介して接続することにより形成
    されたことを特徴とするマイクロ波トランスバーサル型
    フィルタ。
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