KR930004493B1 - 플래너 에어스트립라인-스트립라인 매직-t회로망 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

플래너 에어스트립라인-스트립라인 매직-T회로망 장치

제1a도는 제1b도는 스트립라인 구멍 및 에어라인 구성 기술을 각각 도시한 도면.

제2a도는 스트립라인의 전자기장 형태를 도시한 도면이고, 제2b도는 에어스트립라인의 전자기장 형태를 도시한 도면이다.

제3도는 양호한 실시예에 사용된 에어스트립라인 전송 라인 매체와 스트립라인 전송 라인 매체의 조합시의 전자기장 형태를 도시한 도면.

제4도는 본 발명을 실시한 에어라인/스트립라인 매직-T 어셈블리의 양호한 실시예를 도시한 분해도.

제5도는 제4도의 장치를 포함하는 에어라인 회로의 평면도.

제6a도 내지 제6c도는 제4도의 장치를 부가적으로 도시한 도면.

제7도는 제4도의 장치를 포함하는 에어라인 및 스트립라인 회로 레이아웃의 확대 부분의 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

50 : 스트립라인 54 : 유전체 영역

56,58 : 그라운드 평면 60 : 이중면 에어스트립라인 전송매체

62,64 : 스트립 전도체 66 : 지지 유전체 보드

68,82 : 금속 엔클로저 70A,70B : 에어 영역

80 : 구조물 112 : 패스너

본 발명은 마이크로파 장치에 관한 것으로, 특히 우수한 진폭 및 위상 추적 특성, 낮은 RF손실, 및 통상적인 스트립라인(Stripline) 회로망 보다 나은 분리(isolation)를 갖는 매직 T회로망(magic tee network)에 관한 것인데, 이 매직 T회로망은 도파관 매직-T회로망보다 더 작고 조밀하다.

매직-T장치는 마이크로파 기술 분야에 공지된 장치이다. 이 장치는 장치 입력 포트(input port)에 제공된 입력 전력이 위상에서 180°를 벗어나지만 2개의 출력 포트 사이에 동일하게 분배되는 특징을 갖는 4개의 포트 장치이다.

매직-T-의 통상적인 한 구현예는 도파관 매직-T와 같은 것이다. 도파관 매직-T장치는 부피가 크며, 비교적 좁은 대역폭을 갖는다.

다른 매직-T 구현예는 스트립라인 리트레이스 하이브리드(retrace hybrids)형이다. 이 장치는 일반적으로 비교적 좁은 대역폭 상에서 비대칭 동작을 한다.

또한, 매직-T는 90°지연선을 갖는 스트립라인 정방형 결합기의 형태로 구현된다. 이 형태의 장치는 광대역에 걸쳐서 비대칭 동작 및 제한된 성능의 단점을 갖는다.

매직-T의 다른 구현예는 주파수 광대역에 걸쳐 약한 위상 추적을 갖는 스트립라인 비대칭 결합기 및 각각의 포트가 서로 차폐되지 않은 마이크로스트립/슬롯라인 매직-T(microstrip/slotline magic-tees)를 포함한다.

그러므로, 조밀하고, 광대역이며, 전기적으로 대칭인 매직-T 장치를 제공하는 장점이 있다.

또한, 물리적으로 평면이고 전기적으로 대칭이며, 장치의 각 포트가 서로 차폐되는 매직-T장치를 제공하는 장점도 있다.

스트립라인 회로와 이중면 에어스트립라인 회로의 조합을 사용하는 플래너 매직 T자형 회로망 장치가 설명된다. 양호한 형태에 있어서, 이 장치는 제1 및 제2플래너 유전체 보드(planar dielectric board)를 포함하고, 각 플래너 유전체 보드는 제1 및 제2플래너 표면을 포함한다. 이 장치는 보드의 제1표면들이 서로 인접하도록 유전체 보드를 샌드위치(Sandwich)하기 위한 수단을 더 포함한다.

매칭 에어스트립라인 전도성 패턴(matching airwstripline conductive patterns)은 이중면 에어스트립라인 반응-T 배전기 회로를 포함하도록 샌드위치된 보드에서 외향으로 접하는 유전체 보드의 각각의 제2표면상에 형성된다. 이 회로는 1개의 에어스트립라인 입력 포트와 2개의 대향 출력포트를 포함하므로써, 에어스트립라인 입력 포트에서 장치로 들어가는 RF전력은 출력 포트들 사이에 위상에 있어서 동등하게 분배될 것이다.

이 장치는 그라운드 평면의 표면(ground plane surfaces)을 에어스트립라인 표면으로 정하고, 각 보드(board)의 각각에 제2표면으로부터 떨어져 있는 수단을 더 포함하므로써, 제2표면과 그라운드 평면의 표면 사이에 개방 영역을 정한다. 에어스트립라인 회로를 위한 전자기장 형태는 제2보드 표면과 그라운드 평면의 표면들 사이에 있는 개방 영역에 집중된다.

이 장치는 스트립라인 포트와 스트립라인 발룬(stripline balun)사이에 있는 유전체 보드의 각각의 제1표면들 사이에 배치된 스트립 전도체를 포함하는 스트립라인 회로를 더 포함한다. 스트립라인 회로의 전자기장 형태는 에어스트립라인 전도체들 사이에 있는 유전체 보드 내에 집중되어 있다.

결합 영역은 발룬과 에어스트립라인 회로 사이에 RF에너지를 결합시키기 위해 스트립라인 발룬에 인접한 에어스트립라인 전도성 패턴내에 정해진다. 스트립라인 포트에서 스트립라인 회로로 들어가는 RF에너지는 위상에서 180°를 벗어나지만 에어스트립라인 출력 포트들 사이에 동일하게 분배된다.

첨부된 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 여러가지 특성과 장점은 본 발명의 실시예에 관한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명확히 이해될 것이다.

본 발명은 매직-T회로망으로서 기능하는 4포트 마아크로파 장치를 포함한다. 본 발명의 양호한 실시예는 이 기능을 실현시키기 위해 이중면 에어스트립라인과 스트립라인 전송 라인 매체를 모두 사용한다.

본 발명의 이해를 돕기 위해서, 제1a도 및 제1b도는 각각 통상적인 스트립라인 구조물 및 에어라인 구조물을 도시한 것이다. 그러므로, 제1a도에는 각각의 그라운드 평면(56 및 58)내에 배치된 유전체 영역(54)내에서 지지되는 중앙 전도체 스트립(52)를 포함하는 스트립라인 전송 매치(50)의 단면도가 도시되어 있다. 제1b도는 이중면 에어스트립라인 라인 전송 매체(60)의 단면도를 도시한 것인데, 각각의 스트립 전도체(62 및 64)가 지지 유전체 보드(66)상에 형성된다. 그 다음, 보드(66)은 그라운드 평면(68A 내지 68B)를 정하는 금속 엔클로저(metal enclosure, 68)내에 지지된다. 영역(70A 및 70B)는 에어 영역(air region)이다.

제2a도는 전자기장 형태를 도시하는 전자기장 라인(59)를 갖는 스트립라인 매체(50)의 전자기장 형태를 도시한 것이다. 제2b도는 에어스트립라인 매체(60)의 전자기장 형태를 도시한 것이다. 전자기장라인(69)는 에어스트립라인 매체의 전자기장 형태를 도시한 것이다.

본 발명의 스트립라인과 이중면 에어스트립라인의 조합을 사용한다. 제4도는 이러한 조합 구조물의 단면도를 도시한 것으로, 어떻게 이 두 형태의 전송라인이 동일한 물리적 공간을 점유할 수 있으며, 또한 서로 전기적으로 차폐될 수 있는 지를 도시한 것이다. 그러므로, 구조물(80)은 유전체(84)를 지지하는 금속 엔클로저(82)를 포함한다. 스트립라인의 중앙전도체 스트립(86)은 유전체(84)내에서 지지된다. 에어스트립라인 전도체(88 및 90)은 유전체(84)의 대향면 상에서 형성된다. 전자기장 라인(92)는 구조물(80)의 스트립라인 부분의 전자기장 형태를 나타낸다. 전자기장 라인(94 및 96)은 구조물(80)의 에어스트립라인 부분의 전자기장 형태를 나타낸다. 구조물(80)의 스트립라인 부분 및 에어스트립라인 부분의 각 전자기장은 서로 상당히 분리된다는 것을 알 수 있다.

제4도는 본 발명의 4-포트 장치의 양호한 실시예의 분해사시도이다. 장치(100)은 제1 및 제2전도성 플레이트 구조 부재[conductive plate structual members, (105 및 110)]를 포함하는데, 이것은 각각의 제1 및 제2유전체 보드(115 및 120)을 샌드위치하도록 패스너(112)에 의해 함께 어셈블리된다. 이 플레이트(105 및 110)은 양호한 형태의 알루미늄으로 제조될 수 있다. 각각의 프레이트(105 및 110)은 대체로 T자 형태인 릴리브 영역(generally tee shaped relieved area)을 정했다. 또한, 각각의 플레이트(105 및 110)은 유전체 보드의 두께와 동일한 높이로 상승되게 코더(corner)를 유전체 보드의 두께와 동일한 높이로 상승되게 코더(corner)를 상승시켰다. 보드(115 및 120)의 코너는 각각의 보드가 플레이트(105 또는 110)의 상승된 코너에 맞게되도록 노치(notch)된다.

이 실시예에서의 유전체 보드는 약 0.0508cm 두께이며, 그것의 표면상에 있는 선택성 전도체 패턴들을 포함한다. 이 목적에 적합한 상용가능한 유전체는 아리조나주 팬들러에 소재한 로저스 코포레이션, 마이크로파 물질담당부서(Rogers Corporation, Micro-Wave Materials Division)에 의해 시판되고 있다. 유전체 보드의 표면은 구리층으로 덮혀져 있는데, 이것은 본 기술 분야에서 숙련된 자들에게 공지된 기술에 의해 원하는 전도체 패턴을 형성하도록 선택적으로 에칭될 수 있다.

더 상세하게 후술될 바와 같이, 접속기(125,130,135 및 140)은 장치(100)을 포함하는 스트립라인 회로 및 에어스트립라인 회로에 전기적으로 접촉한다.

장치(100)의 가산 포트(sum port)는 접속기(125)에 있다. 장치 자동포트(device difference port)는 접속기(130)에 있다. 2개의 장치 출력포트나 사이드암 포트(sidearm port)는 접속기(135 미 140)에 있다.

장치(100)은 이중면 에어스트립라인 회로 및 스트립라인 회로를 포함한다. 에어스트립라인 회로를 보드(115 및 120)의 외향 표면(116 및 121)상에 형성된 선택성 전도체 패턴들(표면(116)상의 패턴(117) 및 표면(121) 상에 형성된 패턴(123))을 포함한다. 에어스트립라인 회로는 각각의 표면(116 및 121)과 플레이트(105 및 110)의 릴리브 영역(106 및 111) 사이에 정해진 에어 영역들을 더 포함한다. 표면(116)상의 전도체 패턴(117)은 표면(121)상에 형성된 패턴(123)과 동일하다. 결합 슬롯영역(118)은 전도체(117)내와 표면(116)상의 매칭 전도체 패턴(123)내에 형성된다.

에어스트립라인 회로는 반응-T 배전기 회로망(reactive-tee power divider network)으로서 구성된다. 접속기(125)에 있는 입력 포트 내로 들어가는 RF전력은 접속기(135 및 140)의 2개의 출력 포트에 위상 및 진폭에 있어서 동일하게 분배된다. 1/4 파장 임피던스 변환기(quarter-wavelength impedance transformer)는 입력 포트에 양호한 매칭이 이루어지도록 (제5도의) T접합(150)과 접속기(135 및 140)의 출력 포트 사이에서 사용된다. 또한, 단락된 1/4파 스터브는 임피던스 매칭 변환기와 출력포트 사이에 배치된다. 스터브는 에어-유전체 영역에서만 물리적으로 단락되어서, 유전체 보드는 스트립라인 회로에 대해 접근할 수 있도록 연장될 수 있다.

제5도는 1/4파장 스터브 및 임피던스 변환기를 도시한 것이다. 이 평면도에 있어서, 입력 포트(126) 및 2개의 출력 포트(136 및 141)에서의 전도체 패턴(117) (그리고, 보드(120)상의 대응 패턴(123))의 폭은 각 포트에서의 에어스트립라인 회로의 특성 임피던스가 50오옴이 되도록 선택되어진다. 전도체 패턴(117)의 폭은 결합영역(118)에 50오옴 내지 70.7오옴의 임피던스 변환을 제공하기 위해 계단 영역(step region, 117A)에서 증가된다. 이 전도성 패턴은 플레이트(105 및 110)과 접촉함으로써 영역(113)에서 종결된다. 단락 회로종단은 출력 포트(136과 141) 사이의 전도체 패턴의 중앙선(137)로부터(대역 중심 주파수에서의) 1/4파장만큼 떨어져 있다. 또한, 임피던스 변환기 계단영역(117A)는 중앙선(137)로부터 1/4파장의 거리에 위치한다.

이 장치의 접속기(130)에 있는 제4포트는 에어스트립라인 회로를 지지하는 보드(115와 120) 사이에 샌드위치된 스트립라인 회로에 접속된다. 스트립라인 회로는 유전체 보드(115)에 접하는 유전체 보드의 표면(122)상에 형성된 갈고리 형태의 스트립전도체(131)을 포함한다. 스트립라인 회로는 발룬 회로망 및 임피던스 변환기를 통해 접속기(135 및 140)에 있는 에어스트립라인회로 출력에 결합된다. 제7도에는 발룬 회로망이 도시되어 있는데, 에어스트립라인 회로 및 스트립라인 회로 레이아웃을 도시한 부분 단면도이다. 스트립 전도체(131)의 폭은 3단계 임피던스변환으로 계단(131A,131B 및 131C)에서 50오옴의 특성 임피던스로 특징지워지는 초기 폭에서 100오옴의 특성 임피던스를 갖는 스트립라인 발룬(131D)에서의 발룬 스트립 폭으로 감소된다. 스트립라인 회로와 에어스트립라인 회로 사이의 결합은 결합영역(118)을 통해 이루어지고, 이 결합 영역은 전도성층이 제거된 전도성 층이 제거된 전도성 패턴(117)내에 정해진 스트립 영역이다. 접속기(135 및 140)에 있는 2개의 출력 포트 각각이 50오옴 임피던스를 갖으며, 출력포트 임피던스가 발룬 회로망에 의해 직렬로 간주되므로, 에어스트립라인회로에 의해 발룬 회로망에 나타나는 임피던스가 사실상 100오옴이기 때문에 이 임피던스 변환이 사용된다.

발룬 회로망은 접속기(135 및 140)에 있는 2개의 출력 포트가 위상에서 180°를 벗어나지만 진폭이 동일한 전압 전위를 갖게될 조건 설정한다. 그러므로, 접속기(130)에 있는 스트립라인 포트에 들어가는 RF전력은 접속기(135 및 140)에 있는 에어스트립라인 출력들에 위상에 있어서 벗어나지만 진폭에 있어서는 동등하게 분배될 것이다. 에어스트립라인회로 레이아웃이 대칭이기 때문에, 스트립라인 발룬 회로망에 의한 결합은 접속기(135 및 140)에 있는 2개의 출력에 관련하여 전기적으로 대칭이다. 그러므로, 접속기(135 및 140)에 있는 2개의 출력 사이에 진폭과 위상에 있어서 아주 양호한 추적이 이루어질 것이다.

제6a도 내지 제6c도는 스트립라인회로가 에어스트립라인 회로에 접근된 것을 도시한 것이다. 플레이트(105 및 110)에 의해 정해진 각각의 그라운드 평면(108 및 114)사이에 에어 영역(155 및 157)을 정하는 영역(111)과 같은 플레이트(105,110)내의 릴리브 영역으로 유전체 보드(115 및 120)을 샌드위치한다(제6a도 및 제6b도). 에어스트립 전도체 패턴(117 및 123)은 영역(109 및 113)에 있는 단락회로종단을 제공하기 위해 에어 영역을 지나 연장해서 각각의 금속 플레이트(105 및 110)과 접촉한다. 스트립 전도체(131)은 플레이트(105 및 110)으로부터 절연되고, 접속기(130)과 접촉이 이루어지는 보드(120)의 연부까지 연장한다.

장치(100)은 2개의 입력 포트, 즉, 접속기(125 및 130)에 있는 가산포트 및 차동 포트가 서로 완전히 분리되었다는 점에서 다른 스트립라인 구조물과 구별된다. 이것은 두 부분으로 이루어진다. 제1부분 스트립 라인 회로가 에어라인 회로로 접근되는 곳을 포함한다.

에어스트립라인 회로의 전자기장은 에어스트립라인 스트립과 플레이트(105 및 110)에 의해 정해진 그라운드 평면 사이의 에어-유전체 영역에 집중되고, 스트립라인 회로의 전자기장은 에어스트립라인 전도체 패턴(117과 123) 사이의 보드 내에 집중된다. 제2부분은 장치(100)의 회로레이아웃을 포함한다. 스트립라인 발룬이 에어스트립라인 회로와 결합하는 영역(118)은 에어스트립 T접합(150)에서 1/4파장만큼 떨어져 위치하고(제5도), 단락 회로 에어스트립라인 스터브(short circuited airstripline stub)의 종단에서 1/4파장만큼 떨어져 위치한다. 단락회로 에어스트립 라인 스터브는 1/4파장만큼 떨어져 있기 때문에, 결합영역에서 개방회로로서 작동하는 것으로 보일 것이며, 스트립라인을 결합 영역에 접근시키는 것을 제외하면 에어스트립라인 회로에 크게 영향을 미치지 않을 것이다. 회로의 2개의 절반 전압이 진폭과 위상에서 동일할 것이기 때문에, 에어스트립라인 입력으로 부터 야기된 신호는 결합영역에 걸쳐 제로 전압 전위를 발생시킬 것이다. 그러므로, 에어스트립라인 회로로부터의 신호는 이 제로 전압 전위때문에 스트립라인 회로에 결합되지 않을 것이다. 접속기(130)에 있는 스트립라인 입력으로부터 발생된 신호는 결합 영역(118)에 걸쳐 전압 전위를 발생시킬 것이다. 그렇지만, 에어스트립라인 회로의 2개의 절반 전압이 위상에 있어서는 반대이지만 진폭에 있어서는 동일할 것이기 때문에, 이 두 전압은 그 점에서 가상단락 회로를 발생시키는 T접합(150)에서 상쇄될 것이다. 그러므로, 접속기(130)에 있는 스트립라인 입력으로부터의 신호는 접속기(125)에 있는 에어스트립라인 입력으로부터 분리될 것이다.

에어스트립라인 전송 라인 매체와 스트립라인 전송 라인매체를 모두 사용함으로써, 매직 T장치의 전기적 성능은 마이크로파 주파수에서의 광대역에 걸치는 진폭 및 위상 추적에 있어서 다른 공지된 장치와 비교해서 우수하다. 이 회로망은 통상적인 스트립라인 장치보다 더 낮은 RF손실 및 더 양호한 분리를 갖으며, 도파관 매직-T장치보다 더 작고 조밀하다.

이 장치는 위상 및 진폭 추적에 관련해서 도파관으로 실행시킬 수 있을 뿐만 아니라, 주파수 동작의 대역이 훨씬 더 넓다는 부가적인 장점도 갖고 있다. 한 실시예에 있어서, 우수한 성능은 6.5 내지 11.5Ghz의 주파수대에 걸쳐서 달성되었다. 이 장치는 플래너 및 컴팩트형의 통상적인 스트립라인 회로망이지만, 본 발명은 다른 회로와는 다르게 전기적으로 대칭이고 차폐되어 있다.

상술된 실시예는 본 발명의 원리를 나타낼 수 있는 가능한 특정 실시예만을 도시한 것임을 알 수 있다. 본 기술 분야에서 숙련된 자들에 의해 본 발명의 범위를 벗어남이 다른 실시예가 본 발명의 기본 원리에 따라 쉽게 고안될 수 있다. 예를 들면, 유전체 영역은 2개의 별도의 유전체 보드에 의해 정해질 필요가 없지만, 스트립라인 전도체 주변의 통합유니트(integral unit)로서 형성될 수도 있다.

Claims (9)

1. 스트립라인 회로 및 이중면 에어스트립라인 회로를 사용하는 플래너 매직 T회로망 장치에 있어서, 대향하는 제1 및 제2플래너 표면 특성으로 하는 플래너 유전체영역을 정하기 위한 수단, 이중면 에어스트립라인 반응-T 배전기 회로를 포함하도록 상기 각각의 제1 및 제2표면 상에 형성되고, 에어스트립라인 입력 포트로 상기 장치에 들어오는 RF전력이 출력포트들 사이에 위상에 있어서 동등하게 분배되도록, 1개의 에어스트립라인 입력 포트 및 2개의 대향하는 출력 포트를 포함하는, 매칭 에어스트립라인 전도성 패턴, 에어스트립라인 회로를 위한 그라운드 평면의 표면을 정하고 상기 유전체 영역의 각각의 표면에서 떨어져 있음으로써, 상기 에어스트립라인회로의 전자기장 형태가 각각의 유전체 표면과 그라운드 평면의 표면 사이의 개방 영역내에 집중되도록 제2표면과 그라운드 평면의 표면 사이에 개방 영역을 정하기 위한 수단, 스트립라인 포트와 스트립라인 발룬 회로망 사이에 있는 각각의 유전체 표면 중간의 상기 유전체 영역내에 배치된 스트립라인 전도체를 포함하고, 전자기장 형태가 상기 에어스트립라인 전도체들 사이의 상기 유전체 영역내에 집중되는 스트립라인 회로, 및 스트립라인 포트에 들어가는 RF전력을 상기 에어스트립라인 회로에 결합시키기 위해 상기 스트립라인 발룬 회로망에 인접한 상기 에어스트립라인 전도체 패턴내에 에너지 결합 영역을 정하기 위한 수단을 포함함으로써, 스트립라인 포트에서 상기 장치로 들어가는 RF에너지가 위상에서 180°를 벗어나지만 에어스트립라인출력 포트 사이에 동등하게 분배되는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 에어스트립라인 반응-T배전기 회로가 T접합을 특성으로 하고, 상기 스트립 라인 발룬 및 결합 영역이 관련 주파수 대역의 중심 주파수에서 T접합으로부터 1/4파장 거리에 배치되는 것을 특징으로 하는 플레너 매직 T회로망 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 에어스트립 회로가 스트립라인 발룬이 RF에너지를 에어스트립라인 회로에 결합시키는 영역에서부터 연장되는 이중면 1/4파장 단락 스터브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플레너 매직 T회로망 장치.
4. 제1항에 있어서, 에어스트립라인 회로를 위한 그라운드 평면의 표면을 정하기 위한 상기 수단이 제1 및 제2금속장치 하우징 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트가 상기 개방 영역 및 상기 그라운드 평면의 표면을 정하기 위해 형성된 릴리브 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 샌드위칭 수단이 제1 및 제2금속 하우징 플레이트를 포함하고, 상기 유전체 영역이 그 사이에 샌드위치되는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 에어스트립라인 회로 포트 및 상기 스트립라인 회로 포트에 있는 상기 스트립 전도체에 접속된 각각의 스트립-전도체-동축전이 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 유전체 영역을 정하기 위한 상기 수단이 상기 그라운드 평면을 정하는 수단 사이에 함께 샌드위치된 제1 및 제2유전체 보드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 에어스트립라인 회로의 상기 출력 포트가 각각 오옴의 특성 임피던스를 특성으로 하고, 상기 스트립라인 전도체가 N오옴의 특성 임피던스를 특성으로 하며, 상기 발룬 회로망이 2N 오옴의 임피던스를 특성으로 하고, 상기 스트립라인 회로가 스트립라인 전도체 임피던스를 스트립라인 포트와 상기 발룬 회로망 사이의 2N 오옴으로 변환시키기 위한 임피던스 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.
9. 스트립라인 회로 및 이중면 에어스트립라인 회로를 사용하는 플래너 매직 T회로망 장치에 있어서, 대향하는 제1 및 제2플래너 표면을 특성을 하는 플래너 유전체 영역을 정하기 위한 수단, 1개의 입력 포트 및 2개의 출력 포트를 갖는 반응-T 배전기 회로와 1/4파장 스터브를 포함하는 구성으로 상기 유전체 영역내의 각각의 표면상에 형성된 대칭 에어스트립라인 전도성 패턴, 상기 스터브를 단락시키기 위한 수단, 및 에어스트립라인 회로의 전자기장 형태가 개방영역내에 집중되도록 유전체 영역 표면과 그라운드 평면의 표면 사이에 있는 영역을 정하기 위해 상기 유전체 영역 표면에서 떨어져 있는 그라운드 평면의 표면들을 정하기 위한 수단을 포함하는 이중면 에어스트립라인 반응-T배전기회로, 발룬 회로망 및 에어스트립라인 전도체들 사이와 각각의 유전체 표면중간에 있는 상기 유전체내에 배치되고, 스트립라인 포트와 상기 발룬회로망 사이에 연장되어, 전자기장 형태가 유전체 영역내에 집중되는 스트립라인 회로, 스트립라인 포트에 들어가는 RF에너지를 상기 에어스트립라인 회로내에 결합시키기 위해 상기 스트립라인 발룬 회로망에 인접한 에어스트립라인 전도체 패턴내에 RF에너지 결합 영역을 정하기 위한 수단을 포함함으로써, 상기 에어스트립라인 입력 포트 및 상기 스트립라인 포트가 서로 분리되고, 상기 스트립라인 포트에 들어가는 RF에너지가 위상에서 180°를 벗어나지만 에어스트립라인 출력 포트들 사이에 동등하게 분배되는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 T회로망 장치.

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