JP3144698B2 - ポンプ装置、および流体のポンプ汲み出し方法 - Google Patents

ポンプ装置、および流体のポンプ汲み出し方法

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JP3144698B2 JP31165791A JP31165791A JP3144698B2 JP 3144698 B2 JP3144698 B2 JP 3144698B2 JP 31165791 A JP31165791 A JP 31165791A JP 31165791 A JP31165791 A JP 31165791A JP 3144698 B2 JP3144698 B2 JP 3144698B2
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    • F15C5/00—Manufacture of fluid circuit elements; Manufacture of assemblages of such elements integrated circuits
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B43/00—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
    • F04B43/02—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
    • F04B43/04—Pumps having electric drive
    • F04B43/043—Micropumps

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  • Fluid Mechanics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、広義にはポンプに関
し、より詳細には微小生産技術を用いて形成された熱作
動ダイアフラムを有するポンプに関する。
【０００２】
【技術背景】比較的少量の流体、ガスあるいは液体を正
確に測定した量だけ供給しなければならない加工法が多
く存在する。この種の加工法の代表的なものに液体クロ
マトグラフィがあり、そこではたとえば１マイクロリッ
トルといった量の正確な量の液体を分離カラムに供給し
なければならない。このような少量の流体をポンプで供
給しなければならないアプリケーションでは、供給しな
ければならない流体の量に比べてポンプ量が大きい場合
に、正確な測定には困難が伴う。従来、非常に小さなポ
ンプ室を有するポンプの作成は、困難で高価であること
がわかっている。
【０００３】バルブを製作するための微小生産技術がＺ
ｄｅｂｌｉｃｋの米国特許４，８２１，９９７号と、Ｃ
ｏｎｔｒｏｌ Ｖａｌｖｅ Ｕｓｉｎｇ Ｍｅｃｈａｎ
ｉｃａｌ Ｂｅａｍ ＢｕｃｋｌｉｎｇについてのＢｅ
ａｔｔｙとＢｅｃｋｍａｎｎによって１９９０年７月３
１日に出願された米国特許出願番号５６０，９３３とで
説明されており、ここに参考として掲げる。
【０００４】
【発明の目的】この発明は、微小生産技術を容易に採用
することができ、バッチ生産、低コスト、繰り返し精度
といった微小生産技術の利点を得ることができるポンプ
装置の製造方法を提供することを目的とする。この発明
はまた、デッドボリュームが非常に小さく、応答が速
く、また正確な供給特性を有するポンプ装置を提供する
ことをも目的とする。この発明はまた、流体をポンプで
汲み出す方法を提供することをも目的とする。
【０００５】
【発明の概要】この発明は、上記のように、微小生産技
術を容易に採用することができ、バッチ生産、低コス
ト、繰り返し精度といった微小生産技術の利点を得るこ
とができるポンプ装置の製造方法と、デッドボリューム
が非常に小さく、応答が速く、また正確な供給特性を有
するポンプ装置とを対象とする。このポンプ装置には、
振動加熱および振動冷却によって作動するダイアフラム
を採用することができる。またこの発明は、流体をポン
プで汲み出す方法をも対象としている。
【０００６】このように、この発明はポンプ装置からな
る。このポンプ装置は、ある量の流体を保持する容器を
有する。流体の吸い込みを可能にするために、吸い込み
用一方向バルブがこの容器に設けられている。また、流
体の放出を可能にするために、放出用一方向バルブがこ
の容器に設けられている。流体が周期的にこの容器に引
き込まれる、あるいはこの容器から吐き出されるよう
に、この容器の容積を周期的にたわみ可能に増減するた
めに、ダイアフラムが、この容器に設けられている。ダ
イアフラムを周期的にたわませるために、ダイアフラム
に、選択的に周期的に加熱し、また加熱を終了するため
の加熱アッセンブリーが設けられている。
【０００７】この発明は、また、流体をポンプで汲み出
すための次のステップを含む方法からなる。ダイアフラ
ムを第１の方向にたわませることによって、第１の一方
向バルブを介して、容器に流体を引き込むステップ。ダ
イアフラムを第１の方向と反対の第２の方向にたわませ
ることによって、第２の一方向バルブを介して、この容
器から流体を放出するステップ。ここでダイアフラムを
第１の方向にたわませるステップとダイアフラムを第２
の方向にたわませるステップのうちの一つは、ダイアフ
ラムを加熱することによってそれを膨張させるステップ
を含む。
【０００８】この発明は、また、ポンプを製造するため
の次のステップを含む方法から成る。第１の基板アッセ
ンブリーに一対の一方向バルブを形成するステップ。第
２の基板アッセンブリーにインターフェースダイアフラ
ムを有するキャビティを形成するステップ。第１の基板
アッセンブリーを第２の基板アッセンブリーに取り付け
るステップ。振動熱源をダイアフラムに取り付けるステ
ップ。
【０００９】この発明はまた、流体をポンプで汲み出す
ための次のステップを含む方法からなる。第１の基板ア
ッセンブリーに一対の一方向バルブを形成するステッ
プ。第２の基板アッセンブリーにインターフェースダイ
アフラムを有するキャビティを形成するステップ。第１
の基板アッセンブリーを第２の基板アッセンブリーに取
り付けるステップ。ダイアフラムを振動加熱するステッ
プ。
【００１０】
【実施例】図１は、第１の基板アッセンブリー１２と第
２の基板アッセンブリー１４を含むポンプ装置１０を示
す。ここで言う“基板アッセンブリー”は、単一の基板
部材と単一の基板部材から形成されたウエハを含む。第
１の基板アッセンブリー１２は、一方の側に第１の外平
面１８、反対の側に第２の外平面２０を有する第１の基
板部材１６からなる。第１の基板部材１６は、キャビテ
ィ側壁２４と底壁２６によって規定されるキャビティ２
２を有する。このキャビティ２２は、面２０の平面に位
置する開口２３を有する。第１の部材１６の、第１の外
面１８とキャビティの底壁２６の間に位置する部分によ
ってダイアフラム２８が規定される。端子パッド３２、
３４で成端する抵抗器３０が、ダイアフラム２８の面１
８に近いところに埋め込まれている。
【００１１】第２の基板アッセンブリー１４は、一方の
側に第１の外平面４２、反対の側に面４２と平行な第２
の外平面４４を有する第２の基板部材４０からなる。第
１および第２の穴４６、４８が第２の部材中を伸長して
いる。
【００１２】第１および第２のフラッパー５２、５４が
第２の基板部材４０の第１および第２の穴４６、４８に
設けられている。第１のフラッパー５２は、基板部材４
０の第１の面４２に取り付けられた支部５６と穴４６に
対して間隔を置いてかぶさる関係に配置された幹部５８
を有するほぼＴ字状の構成（図１５参照）からなる。第
２のフラッパー５４は、基板部材４０の第２の面４４に
取り付けられた支部６２と穴４８に対して間隔を置いて
かぶさる関係に配置された幹部６４を有するほぼＴ字状
の構成（図１４参照）からなる。
【００１３】図１に示すように、第１の基板部材１６の
第２の面２０が第２の基板部材４０の第１の面４２に取
り付けられて、キャビティ壁２４、２６と第２の基板部
材４０の第１の面４２とによって規定される密封された
容器７０を提供する。流体７１を保持するように適合さ
れた容器７０は、穴４６と４８によって提供される２つ
の開口を有するのみである。
【００１４】図５に概略を示すように、抵抗器端子パッ
ド３２、３４は、抵抗器３０を加熱するための電気エネ
ルギーを提供する電源８０（たとえば５ボルトのバッテ
リー）に接続されている。このバッテリーは、所定の周
波数（たとえば毎秒１振動周期）で抵抗器に与えられる
電気エネルギーの供給を振動させる発振器回路（たとえ
ばＣＭＯＳチップ）を介して、抵抗器３０に接続されて
いる。それぞれの振動周期中に、抵抗器３０は、エネル
ギーが供給される期間は加熱を行い、エネルギーが供給
されない期間は冷却を行う。
【００１５】使用に際しては、ポンプ装置の面４４が、
当該技術においては周知の従来の管取り付け手段で、流
体供給ライン８４および流体放出ライン８６に接続され
ている。基板部材１４の第１の穴４６は、流体供給ライ
ン８４と容器７０の間の流体の流通を可能にする。第２
の穴４８は、流体放出ライン８６と容器７０の間の流体
の流通を可能とする。
【００１６】現在考えられる最良の態様であるこの発明
の一実施例において、抵抗器３０を加熱するとダイアフ
ラム２８がそれに対応して加熱され、それによってダイ
アフラムが膨張し、図２の９２に示すように外側にたわ
む。ダイアフラムが外側にたわむと、容器７０の容積が
膨張し、それによって穴４６を介して流体がこの容器に
引き込まれる。外側へのたわみが起こると、放出ライン
８６内の流体の圧力によってフラッパー５４の端部６４
が押圧されて基板部材１４の第２の面４４と係合して穴
４８が密閉され、その結果穴４８を通る流体の流れが防
止される。
【００１７】抵抗器３０とダイアフラム２８が冷却され
る期間には、ダイアフラムは収縮し、図３の９４に示す
ように内側にたわみ、容器７０の容積が減少し、それに
対応して圧力が増大し、それによってフラッパー５２の
端部５８が押圧されて２８に係合して穴４６が密閉され
る。また、容器７０内のこの圧力の増大によってフラッ
パー５４が押圧されて面４４から離れ、穴４８が開き、
容器７０からの流体の放出が可能となる。
【００１８】このように、図１から図３の実施例におい
ては、各振動周期の抵抗器加熱部分はポンプの吸い込み
を伴い、各振動周期の冷却部分はポンプの放出に対応す
る。穴４６とフラッパー５２は一方向吸い込みバルブと
して機能し、穴４８とフラッパー５４は一方向放出バル
ブとして機能する。一つの振動周期中に汲み出される流
体の総量はたとえば１ナノリットルである。
【００１９】図１から図３の実施例において、周期温度
で外部応力の加わっていないダイアフラムはほぼ平坦な
形状、あるいはわずかに外側にふくらんだ形状を有す
る。すなわち容器７０から離れる方向に曲がっている。
【００２０】図４に示すこの発明の別の実施例では、周
囲温度下で応力のかかっていない状態のダイアフラム
（実線）は内側に突き出ている、すなわち容器７０に向
かって曲がっている。この実施例では、ダイアフラムを
加熱するとダイアフラムは破線で示すように容器７０の
方向に膨張し、その容積を減少させる。この実施例にお
いて、ダイアフラムを冷却するとダイアフラムが元の形
状に戻り、キャビティの容積が増大する。したがって図
４の実施例において、各エネルギー発振周期の加熱部分
はポンプの放出を伴い、各周期の冷却部分はポンプの吸
い込みを伴う。
【００２１】ダイアフラムの振動運動を提供するための
他のダイアフラム加熱手段としては、光エネルギーある
いはマイクロ波エネルギーあるいは誘起熱の印加といっ
た方法を採用することができる。
【００２２】ここで図６から図２３を参照してポンプ装
置１０の具体的な製作法を説明する。
【００２３】図１の基板部材１４に対応する基板部材１
００の断面を図６に示す。基板部材１００（厚さ４００
ミクロンのシリコン基板部材とすることができる）に
は、第１のコーティング層１０２（厚さ０．１ミクロン
とすることができる）が、たとえば酸化珪素層のような
酸化物層を成長させることによって設けられる。シリコ
ン基板上に酸化物層を成長させる技術は、当該技術にお
いては周知である。
【００２４】次に、たとえばポリシリコンコーティング
のような第２のコーティング層１０４が、図７に示すよ
うに、当該技術において周知である化学蒸着技術によっ
て、第１のコーティングの上に蒸着される。コーティン
グ層１０４は、２ミクロンの厚さとすることができる。
【００２５】次のステップは、図８に示すように、第２
のコーティング１０４の上に第３のコーティング１０６
を加えることである。第３のコーティングは、厚さ０．
２ミクロンのＬＰＣＶＤ（低圧化学蒸着）窒化珪素層と
することができ、これは当該技術では周知である従来の
ＬＰＣＶＤ技術によって加えられる。
【００２６】次に、３つのコーティング層１０２、１０
４、１０６中を伸長する穴１１０、１１２が基板アッセ
ンブリーの両側に形成され、エッチングされる。これら
の穴は、図９のように四フッ化炭素（ＣＦ４）でエッチ
ングすることができる。
【００２７】次に、図１０に示すように、水酸化カリウ
ム／イソプロパノール／水（ＫＯＨ／ＩＳＯ／Ｈ２Ｏ）
でエッチングすることによって、穴１１０、１１２を基
板部材１００中に伸長させる。
【００２８】次に、図１１に示すように、りん酸（Ｈ３
ＰＯ４）を用いて第３の層１０６が剥離される。
【００２９】アッセンブリーの、ポンプ装置１０のフラ
ッパーとなる部分が、次に、ＣＦ４を用いて形成され、
エッチングされる。図１２に示すように、まずエッチン
グ材でＴ字状のマスクされた部分を除いて第１および第
２の層１０２、１０４のすべてが除去される。このエッ
チング作業の第２段階として、エッチング液は基板１０
０の表面と層１０２の周囲の面に接触したままであり、
図１３から図１５に示すように、層１０２のエッチング
が継続する。（図１４と図１５は、図１３のそれぞれ平
面図と底面図である。）この層１０２の周囲をエッチン
グすることによって、層１０２が穴１１０と１１２を覆
っている第３の層１０４の下から除去され、これらの穴
が露出される。この層１０２の周囲のエッチングが、図
１３から図１５に示す点まで進行すると、このエッチン
グはエッチング液を除去することによって終了し、図１
の基板アッセンブリー１４に対応する基板アッセンブリ
ーを提供する。
【００３０】図１の基板部材１２に対応する基板部材２
００の断面を図１６に示す。基板部材２００は、当該技
術において周知の従来のエピタキシー処理（ｅｐｔａｘ
ｙｐｒｏｃｅｓｓ）で提供することのできる厚さ３８５
ミクロンの強くドーピングされた（たとえば１０１８原
子／ｃｍ３のりんのドーピング）上部２０２と、１５ミ
クロンの厚さの軽くドーピングされた（たとえば１０
１６原子／ｃｍ３のりんのドーピング）下部２０４を有
する厚さ４００ミクロンのシリコン基板とすることがで
きる。
【００３１】図１７に示すように、第１のコーティング
層２１０が基板２００に加えられる。これは、厚さ０．
２ミクロンのＬＰＣＶＤ窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の層と
することができる。
【００３２】図１８に示すように、ＣＦ４プラズマを用
いてこのアッセンブリーの上側の第１の層２１０に穴２
１２が形成され、エッチングされる。
【００３３】次に、図１９に示すように、基板２００の
第１の部分２０２にキャビティを設けるために、その露
出された面をフッ化水素酸、硝酸、酢酸の１：３：８の
液でエッチングすることによって、穴２１２を基板２０
０の第１の部分２０２に伸長させる。
【００３４】次に、形状が図１の電気素子３０、３２、
３４に対応する蛇行パターン２１６が、図２０に示すよ
うにＣＦ４を用いてこのアッセンブリーの下側の第２の
層２１０にエッチングされる。
【００３５】次に、図２０に破線で示すように、たとえ
ばりん抵抗器等の抵抗器２１８が、層２１０にエッチン
グされた蛇行パターンによって露出された基板表面の軽
くドーピングされた部分２０４に注入される。この抵抗
器の注入は、当該技術において周知であるイオン注入の
技術を用いて行うことができる。設けられた抵抗器パタ
ーンは、たとえば１０００オームの抵抗値を有する。
【００３６】次に、図２１に示すように、コーティング
層２１０の残った部分はＨ３ＰＯ４を用いて剥離され
る。
【００３７】図２２および図２３は図２１の平面図と底
面図であり、基板２００に設けられたキャビティ２１４
と抵抗器２１８の構成を示す。
【００３８】図２２に示す基板２００の上面は、図１５
に示す基板１００の底面と接触するように配置され、こ
の２つの基板は、当該技術において周知であるシリコン
─シリコン融合接着によって接合され、図１に示すよう
なポンプアッセンブリー１０が提供される。
【００３９】この発明を例示する現在の好適な実施例に
ついて詳述してきたが、この発明の概念は他のさまざま
な態様で実施、採用することができ、添付のクレームは
従来技術によって制限されるものを除いては、かかる変
更態様を含むと解すべきであることが理解されるであろ
う。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、この発明のポンプ装置の
製造方法は、小さなポンプ室を有するポンプ装置に適
し、微小生産技術を容易に採用することができるととも
に、バッチ生産に適し、かつ低コスト化を図ることがで
き、しかも高い繰り返し精度を有し、微小生産技術にお
いて数々の利点を得ることができる。また、この発明の
ポンプ装置によれば、デッドボリュームを非常に小さく
することができる上、応答も速く、しかも正確な供給特
性を保持させることができる。したがって、この発明の
ポンプ装置を少量の流体をポンプで供給しなければなら
ないアプリケーションに適用した場合に、正確な測定を
容易に行うことができる。特に本発明のポンプ装置によ
れば、第１の基板アッセンブリーのダイアフラム手段
は、凹部の底に広がって位置する薄厚の底壁と、底壁の
外面の一部へのドーピングにより形成された抵抗器とを
含むようにして構成されるので、従来のものよりも更に
小型にして比較的単純な方法で形成することができる。
更に本発明によれば、第２の基板アッセンブリーのバル
ブは、第２の基板アッセンブリーの板面への成膜及びエ
ッチングによって形成される撓み可能な片持ち梁状のフ
ラッパーを含むので、バルブについても従来のものより
も更に小型となり、加えて、十分な撓み量を有し寿命も
長い高性能のバルブとして、特別の接着手段等を必要と
することなく比較的単純な方法で実現される。即ち本発
明のポンプ装置は、これらの第１及び第２の基板アッセ
ンブリーを組み合わせて構成されるので、従来のものよ
りも更に小型で高性能のポンプ装置を、比較的単純な構
造で容易に実現することができる。また、凹部はシリコ
ン基板をエッチングすることにより有底となるよう形成
されるので、所定の微小寸法の容器手段を正確に形成す
ることができる。更に、フラッパーは撓み部分が狭幅と
なる略Ｔ字形状を有するので、スムーズな撓み動作を保
証しつつ十分な機械的強度を持たせることができる。ま
た、フラッパーの各々は、板面から高さ方向に順に積層
された少なくとも第１及び第２の２層のコーティング層
をエッチングして形成され、第２のコーティング層が撓
み部分を含み、第１のコーティング層が第２のコーティ
ング層と板面との間の距離を決定するよう構成されるの
で、バルブとして機能するフラッパーの最適の高 さを容
易に決定できる。更に、流体吸い込み穴及び流体放出穴
は、エッチングにより形成され、それらの径寸法が、フ
ラッパーが位置する端側で比較的小さく、対向端側で比
較的大きくなるよう設定されるので、エッチングという
比較的単純な方法で各穴を形成することにより、ポンプ
動作時の流体のスムーズな流れを保証できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のポンプ装置の一実施例の縦断面図であ
る。
【図２】図１のポンプ装置の縦断面図で、ポンプ吸い込
み中に、ダイアフラムが外側に動いている状態を示して
いる。
【図３】図１のポンプ装置の縦断面図で、ポンプ放出中
に、ダイアフラムが内側に動いている状態を示してい
る。
【図４】本発明のポンプ装置の他の実施例を示す縦断面
図である。
【図５】本発明のポンプ装置を振動加熱するためのアッ
センブリーを示す概略説明図である。
【図６】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステップ
を示す図で、基板部材の断面を示している。
【図７】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステップ
を示す図で、図６に示す基板部材に第１と第２のコーテ
ィング層を設けた状態を示している。
【図８】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステップ
を示す図で、図７に示す第２のコーティング層上に第３
のコーティング層を設けた状態を示している。
【図９】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステップ
を示す図で、図８に示す第１〜第３のコーティング層に
穴を形成した状態を示している。
【図１０】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図９に示す穴を図６に示す基板部材に伸
長させた状態を示している。
【図１１】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１０に示す状態のものから第３のコー
ティング層を除去した状態を示している。
【図１２】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１１に示す状態のものから、第２，第
１のコーティング層を、その一部を残して、除去した状
態を示している。
【図１３】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１２に示す状態のものから、さらに第
１のコーティング層を、その一部を残して、除去した状
態を示している。
【図１４】図１３の状態のものの平面図である。
【図１５】図１３の状態のものの底面図である。
【図１６】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図６〜図１５に示す基板部材とは別の基
板部材の断面を示している。
【図１７】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１６に示す基板部材に第１のコーティ
ング層を設けた状態を示している。
【図１８】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１６に示す第１のコーティング層に穴
を形成した状態を示している。
【図１９】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１８に示す穴を図１６に示す基板部材
に伸長させた状態を示している。
【図２０】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図１９に示す状態の第１のコーティング
層に蛇行パターンを形成し、該パターン内に抵抗器が注
入された状態を示している。
【図２１】図１に示すポンプ装置の製造方法の一ステッ
プを示す図で、図２０に示す状態のものから、第１のコ
ーティング層を除去した状態を示している。
【図２２】図２１の状態のものの平面図である。
【図２３】図２２の状態のものの底面図である。
【符号の説明】
１０ ポンプ装置 ５２ フラッパー（吸い込み用一方向バルブ） ５４ フラッパー（放出用一方向バルブ） ２８ ダイアフラム ３０ 抵抗器 ７０ 流体保持用容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎ ｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (56)参考文献 特開 平２−42184（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−266376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−98980（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−142478（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−111981（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F04B 43/02

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】互いに組み合わされることにより容器手段
    を構成する第１及び第２の基板アッセンブリーを有し、
    前記第１の基板アッセンブリーは、前記容器手段の少な
    くとも一部を画定する凹部と、ダイアフラム手段とを有
    し、前記第２の基板アッセンブリーは、前記容器手段に
    連通するよう厚さ方向に貫通して延びる流体吸い込み穴
    及び流体放出穴と、前記流体吸い込み穴及び前記流体放
    出穴のそれぞれに対応して一方向のみへの流体の流れを
    可能とするバルブとを有するポンプ装置において、 前記第１の基板アッセンブリーの前記ダイアフラム手段
    は、前記凹部の底に広がって位置する薄厚の底壁と、該
    底壁の外面の一部へのドーピングにより形成された抵抗
    器とを含み、 前記第２の基板アッセンブリーの前記バルブは、前記第
    ２の基板アッセンブリーの板面への成膜及びエッチング
    によって形成される撓み可能な片持ち梁状のフラッパー
    を含むことを特徴とするポンプ装置。
  2. 【請求項２】前記第１の基板アッセンブリーの前記凹部
    はシリコン基板をエッチングすることにより有底にして
    形成され、前記凹部を構成する前記底壁及び側壁がシリ
    コンで一体に構成されることを特徴とする請求項１のポ
    ンプ装置。
  3. 【請求項３】前記フラッパーは撓み部分が狭幅となる略
    Ｔ字形状を有することを特徴とする請求項１のポンプ装
    置。
  4. 【請求項４】前記フラッパーの各々は、前記板面から高
    さ方向に順に積層された少なくとも第１及び第２の２層
    のコーティングをエッチングして形成され、前記第２の
    コーティング層が撓み部分を含み、前記第１のコーティ
    ング層が第２のコーティング層と前記板面との間の距離
    を決定することを特徴とする請求項１のポンプ装置。
  5. 【請求項５】前記流体吸い込み穴及び前記流体放出穴
    は、エッチングにより形成され、前記流体吸い込み穴及
    び前記流体放出穴のそれぞれの径寸法が、前記フラッパ
    ーが位置する端側で比較的小さく、対向端側で比較的大
    きくなるよう構成されることを特徴とする請求項１のポ
    ンプ装置。
  6. 【請求項６】流体のある量を保持するための容器手段； 該容器手段への流体の吸い込みを可能にするために、該
    容器手段と共働動作する吸い込み用一方向バルブ； 該容器手段からの流体の放出を可能にするために、該容
    器手段と共働動作する放出用一方向バルブ； 流体が周期的に該容器手段に吸い込まれ、放出されるよ
    うに、該容器手段の容積を周期的に撓み可能に増減する
    ために、該容器手段と共働動作するダイアフラム手段で
    あって、該ダイアフラム手段は、単一ウエハから微小生
    産技術により形成されており、基板層と、少なくとも一
    つのコーティング層とを含んでなる、該ダイアフラム手
    段； 該ダイアフラム手段を周期的に撓ませるために、選択的
    に周期的に加熱し、加熱を終了するための、該微小生産
    されたダイアフラム手段と共働動作する加熱手段； を含んでなり、 該加熱手段は、そこを通る電流に応答して該ダイアフラ
    ム手段を加熱するために、微小生産技術により該ダイア
    フラム手段と一体に形成された抵抗手段を含んでなる： ことを特徴とするポンプ装置。
  7. 【請求項７】ａ）一体のウエハの第１の層を形成するた
    めに適合される基板層を供給するステップ； ｂ）該一体のウエハの少なくとも第２の層を供給するた
    めに、前記第１の基板部材に少なくとも１つのコーティ
    ング層を適用するステップ； ｃ）該一体のウエハの少なくとも２つの層のうちの１つ
    の層の暴露相対面に、その位置にある該２つの層のうち
    の１つの層であって該相対暴露面の位置を有する該層か
    ら、そこに一体に形成された抵抗パターンを有するポン
    プダイアフラムを造るように、微小生産技術を採用する
    ステップ；及び ｄ）該ウエハの１つの層から微小生産技術によって形成
    された該ダイアフラム手段を、該一体に形成された抵抗
    パターンを通る電流により、ポンプダイアフラムを拡縮
    して、共働するポンプ室を通る流体をポンプするよう
    に、周期的に加熱するステップ； を含んでなる流体の汲み出し方法。
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