JP3143743B2 - 高速位相同期回路及びこれを用いた位相同期方法 - Google Patents

高速位相同期回路及びこれを用いた位相同期方法

Info

Publication number
JP3143743B2
JP3143743B2 JP11129673A JP12967399A JP3143743B2 JP 3143743 B2 JP3143743 B2 JP 3143743B2 JP 11129673 A JP11129673 A JP 11129673A JP 12967399 A JP12967399 A JP 12967399A JP 3143743 B2 JP3143743 B2 JP 3143743B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
phase
measurement
delay
delay time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11129673A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000029564A (ja
Inventor
ブー・ヨン・パク
Original Assignee
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド filed Critical エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Publication of JP2000029564A publication Critical patent/JP2000029564A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3143743B2 publication Critical patent/JP3143743B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0814Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路のク
ロック位相同期回路に係り、特に遅延時間を補償するこ
とができ、かつ消費電力を節減できるようにした、フィ
ードバックループと遅延時間測定経路とを有する高速位
相同期回路及びその回路を用いた位相同期方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】外部クロックに対して高速動作する位相
同期式の回路では、内部回路に使用されるクロックが高
い負荷キャパシタンスを駆動することによって発生する
遅延時間を補償するための方法としてPLL(Phase-Loc
ked Loop)回路及びDLL(Delay-Locked Loop)回路を用
いる。
【0003】以下、添付図面を参照して従来の技術の高
速位相同期回路を説明する。図1は従来の技術のRDL
L(Register Controlled Delay-Locked Loop) の構成ブ
ロック図であり、図2はRDLLの遅延ラインの構成ブ
ロック図であり、図3はRDLLの位相比較器の構成ブ
ロック図及び動作タイミング図である。PLL及びDL
Lは、入力クロックと内部クロックとの位相同期動作を
行うためにチャージポンプ回路やVCO等のアナログ回
路を利用するので、位相を同期させるのに多くのサイク
ルを必要とする。このため、SDRAMのように入力ク
ロックに同期して動作し、アクティブモード(リード/
ライト動作)の他に待機モード(スタンドバイ又はリフ
レッシュ)となることができる場合に、その待機モード
での低電力の動作のために入力クロックを遮断した後、
アクティブモードへ動作転換するとき、速く位相を同期
させることができない。逆に言えば、速く位相を同期さ
せるためには入力クロックを遮断することができないた
め、低電力動作が難しい。更に、位相を同期させるまで
多くの時間がかかるため、このときに電力消耗も増加す
る。
【0004】このように、位相を同期させる、すなわち
位相同期化までかかる時間、電力消耗の問題を解決する
ために、遅延時間をデジタル的に調節し、初期同期化以
後に再び位相同期動作時にはレジスタに格納された位相
同期情報を利用するようにしたデジタルDLLを図1に
示す。図1は、256MbのSDRAMにおいて、温
度、電圧、工程変数に影響を受けずに安定的に動作クロ
ックを供給できるようにしたRDLLの構成を示す図で
ある。このRDLLは、外部クロックExt−CLK
バッファリングするクロックバッファ1と、バッファリ
ングされた外部クロックRCLKを一定比(1/8)に分
周する1/8分周器4と、1/8分周器4の出力信号と
レプリカ回路10を経て再び入力されるクロック信号と
を比較して出力する位相比較器8と、位相比較器8の比
較信号によりクロックを遅延させるシフト信号を出力す
るシフトレジスタ9と、ロジックゲートチェーンからな
り、1/8分周されたクロック信号をシフト信号により
遅延時間を変えることができる遅延ライン5と、ロジッ
クゲートチェーンからなり、クロックバッファ1から出
力されるクロック信号をシフト信号により同様に遅延時
間を変えることができる遅延ライン2と、遅延ライン2
から出力されるクロック信号RCLKをバッファリング
して出力する出力バッファ3とから構成される。双方の
遅延ライン2,5とも、シフトレジスタ9からの出力で
遅延時間を選択する。
【0005】レプリカ回路10は、シフト信号により遅
延されて遅延線5から出力するクロック信号をバッファ
リングして出力するダミー出力バッファ6と、ダミー出
力バッファ6の信号を位相比較器8に入力するダミーク
ロックバッファ7とから構成される。この回路は自動的
に外部クロックを追跡し、データ出力を外部クロックの
立ち上がりエッジに一致させることができる。
【0006】図2はロジックゲートチェーンから構成さ
れたRDLLの遅延ライン2、5とシフトレジスタ9関
係を示すもので、図示のように、シフトレジスタ9のハ
イとされた位置で遅延時間を選択できるように構成され
ている。図3はRDLLの位相比較器の構成及び動作タ
イミングを示す図である。外部クロックRCLKが分周
期4で1/8に分周され、内部クロックに論理的に一致
させられる。位相比較器8は二つの比較器を有し、その
第1比較器で外部クロックを分周した信号Aと内部クロ
ックBとを比較し、第2比較器で外部クロックAと単位
遅延だけ遅延させた内部クロックCとを比較する。それ
ぞれの比較器の出力を図示のようにANDゲートに送
り、比較結果に応じてシフトレジスタを左へまたは右へ
シフトさせる。かかるRDLLでは位相同期までかかる
時間は以下の通りである。 ループの最小遅延時間(Tmin,loop)=tD +tCLKBUF
REF ここで、tDは遅延時間、tCLKBUFはクロックバッファ
リングに要する時間、tREFは基準クロックの周期時間
である。
【0007】この際、位相同期まで必要な単位遅延時間
のステージ数N、位相同期までの時間TLOCKは以下の通
りである。 N=(TCLKR−Tmin,loop)/TD、 TLOCK=CLK
S*N ここで、CLKSはデータフリップフロップのトリガパ
ルスであり、CLKSの周期tCLKS=M*TCLKR
min,loop+tD・NLOCKを満たすようにCLKRを2
分周又はそれ以上に周波数分周して使用する。Mは分周
数を示す。従って、TCLKR−Tmin,loop>0を満たすと
き、TLOCK=M*TCLKR*(TCL KR−Tmin,loop)/t
Dである。同期化時間はTCLKの自乗に比例し、T
min,loopが決まったときに低い周波数、つまりクロック
周期時間が大きい場合には同期設定時間が非常に長くな
る。又、高い周波数ではループ遅延時間の間で一回の遅
延時間増加を保障するためにM値を大きくしなければな
らないため、位相同期化まで時間が長くなる。
【0008】このようなRDLLの問題を解決するため
に、フィードバックループ無しにクロック駆動バッファ
での遅延時間をモニタリングしてこれを単位遅延時間チ
ェーンを介して測定する方法で2サイクル目に位相同期
化を達するようにするクロック同期化遅延回路を示すも
のが図4、5である。図4、図5は従来の技術のSMD
(Synchronous Mirror Delay)回路の構成ブロック図及び
動作タイミング図である。SMD位相同期回路はDMC
(Delay Monitor Circuits)、FDA(Foward Delay Arra
y)、BDA(Backward Delay Array)、MCC(Mirror Co
ntrol Circuits)等のブロックから構成され、図5に示
すように、入力バッファを介して入力される外部クロッ
ク(CLK)を2サイクル目に位相同期させる。
【0009】かかるSMD位相同期回路は、位相同期化
までかかる時間が2サイクルであって速い。しかしなが
ら、FDA、BDA等の単位遅延素子での遅延時間が電
源電圧及び温度の変化、工程等の外的な要素に起因して
変化する際、これを補償するループがないため、最終の
同期クロックで入力クロックに対するずれが発生するこ
とがある。このずれが原因で位相同期回路で内部クロッ
クバッファの遅延時間を補償し難くなることがあるた
め、FDA及びBDAの単位遅延素子の遅延時間が一致
するように制作上の注意が必要である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
の高速位相同期回路では以下のような問題があった。 長い同期化時間を必要として電力消耗の増加をもた
らす。 位相同期回路の非動作からの正常動作への転換時
に、同期クロックが安定するまで回路の内部クロックと
して用いることができないため、低電力動作モードのよ
うに入力クロックを遮断した場合にも位相同期回路は動
作し続ける。このため、位相同期回路での電力消耗を防
ぐことができない。 データフリップフロップが初期同期化情報を格納し
ている場合、再び位相同期化までかかる時間は1サイク
ルになることもできる。しかし、電源電圧及び温度の変
化、入力クロックの位相変化等の外的な要素に起因して
初期同期情報が狂うと、再び位相同期動作を行わなけれ
ばならないため、クロック同期化動作が不安定である。 SMD位相同期回路は、補償すべきクロック入力バ
ッファの遅延時間及びクロックバッファ遅延時間をモニ
タリングすることができるが(DMCブロックによ
る)、クロック入力バッファの感度と入力クロックの波
形に応じて位相同期の結果の違いが大きい。すなわち、
同期化過程を経て同期されたクロックのタイミングエラ
ーが大きい。又、モニタ回路の遅延時間よりも入力クロ
ックの周期が大きい場合には、初期動作上でエラーが発
生し、クロック周波数の使用が制限される。
【0011】本発明は上記した従来の技術の位相同期回
路及び同期方法の問題点を解決するためになされたもの
であり、その目的は、遅延時間を補償することができ、
かつ消費電力を減少させることができる位相同期回路及
び同期方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】遅延時間の補償及び消費
電力の減少に適するようにしたフィードバックループと
自己遅延時間測定経路とを有する本発明の高速位相同期
回路は、イネーブル信号により入力されるRCLKとフ
ィードバックされるFCLKとの位相を測定して測定開
始信号(MB)、測定終了信号(ME)を生成し、この
2信号を利用して各々の測定遅延ユニット単位で遅延時
間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ2、...MQ
n)を出力する測定制御部(Measure Controlled Delay
Locked Loop Part)と、2分周されたRCLK、RCL
K信号、フィードバックされるFCLK、そしてイネー
ブル信号を受けて遅延時間補償サイクル決定信号に応じ
て遅延時間補償信号(Q1、Q2、...Qn)を発生
して入力されるRCLKを可変遅延して位相同期された
クロック信号(QCLK)を出力するレジスタ制御部(r
egister Controlled Delay Locked Loop Part)とを備え
ることを特徴とする。
【0013】本発明の高速位相同期方法は、イネーブル
信号が入力されれば、自己位相測定開始パルスをスター
トさせて位相同期ループを形成して入力されたRCLK
を第1段階でフィードバック(FCLK)する段階と、
FCLKの立ち上がりエッジでイネーブル信号をラッチ
して測定開始信号(MB)を出力し、RCLKを利用し
て測定終了信号(ME)を出力して位相差を測定する段
階と、RCLKとFCLKとの位相差測定動作が終われ
ば、遅延時間補償サイクル決定信号(MQs)をセッテ
ィングする段階と、MQsがセッティングされれば、遅
延時間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ2、...
MQn)をローディングし、自己位相測定終了パルスを
スタートする段階と、自己位相測定終了パルスがスター
トすれば、位相検出動作を開始する段階と、一可変遅延
段階又は一測定遅延段階での遅延時間(tUNIT)の
1.5倍に該当する位相検出区間で補償しようとする遅
延時間を2サイクル内で決定する段階と、FCLK及び
検出フィードバッククロック(DFCLK)の状態が位
相検出区間にあって同期信号(LOCK)を発生すれ
ば、形成されたループを切り換えずに位相同期状態を維
持する段階とを備えることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の高速位相同期回路及び方法を詳細に説明する。図6は
本発明実施形態による高速位相同期装置の構成ブロック
図である。本実施形態の高速位相同期回路は、測定制御
部40とレジスタ制御部41とからなり、測定制御部4
0は、自己位相測定回路部42と測定遅延回路部43か
らり、レジスタ制御部41は、位相検出部44と、シフ
トレジスタアレイ45と、可変遅延アレイ46と、遅延
補償部47とからなる。
【0015】次に、それらの構成を更に詳細に説明す
る。自己位相測定回路部(SPMC)42は、イネーブ
ル信号が入力された後、入力バッファを経て入力される
外部クロックRCLKと遅延補償部47からフィードバ
ックされてくるFCLKとから、まず、FCLKの立ち
上がりエッジでイネーブル信号をラッチして測定開始信
号(MB)を出力し、その後のRCLKの立ち上がりエ
ッジにより測定終了信号(ME)を出力する。すなわ
ち、FCLKとRCLKとの間の間隔を測定しているこ
とになる。なお、遅延補償部47はあらゆる遅延の原因
を考慮して補償のための遅延時間(図示の実施形態の場
合入力バッファの遅延d1、クロックドライバの遅延d
2、出力バッファの遅延d3)を決めてある。測定遅延
アレイ43は、直列連結されるn個の測定遅延ユニット
を備え、自己位相測定回路部42から出力されるMB、
MEの2信号を受けて各々の測定遅延ユニットを単位と
して遅延時間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ
2、...MQn)を出力する。
【0016】位相検出部44は、2分周されたRCLK
と、RCLK自身と、遅延補償部47からフィードバッ
クされるFCLKと、イネーブル信号とを受け、1可変
遅延段階又は1測定遅延段階での遅延時間(tUNI
T)の1.5倍に相当する間隔で位相検出して比較動作
を行い、右シフト(SHR)、左シフト(SHL)、ク
ロック同期信号(LOCK)、シフト調節用2分周クロ
ック(SCLK)信号を出力する。シフトレジスタアレ
イ45は、n個の単位シフトレジスタユニットが直列連
結され、位相検出部44のSHR、SHL、LOCK、
SCLK信号を受け、測定遅延アレイ43の遅延時間補
償サイクル決定信号(MQ1、MQ2、...MQn)
に応じた遅延時間補償信号(Q1、Q2、...Qn)
を出力する。可変遅延アレイ46は、シフトレジスタア
レイ45から入力される遅延時間補償信号(Q1、Q
2、...Qn)によって、入力されるRCLKを補償
信号に応じて遅延させて出力する。この可変遅延アレイ
46にはその出力である遅延クロック(DCLK)を受
けて位相同期されたクロック信号(QCLK)を出力す
るクロックドライバ48が接続されている。遅延補償部
47は、可変遅延アレイ46からの遅延クロック(DC
LK)を受けて補償してFCLKをフィードバックさせ
る。
【0017】以下、このようにして構成された本実施形
態の高速位相同期回路の各構成ブロックの詳細構成につ
いて説明する。図7は本実施形態による自己位相測定回
路42の構成ブロック図であり、図8は本実施形態によ
る測定遅延アレイの構成図である。まず、本測定制御部
40における自己位相測定回路部42は、図7に示すよ
うに、3つのDフリップフロップ50〜52を備え、イ
ネーブル信号が入力された後の各クロックの立ち上がり
エッジで測定開始信号(MB)、測定終了信号(ME)
を出力する。第1Dフリップフロップ50は、イネーブ
ル信号と、位相同期のための遅延時間が補償されたフィ
ードバッククロック(FCLK)とが入力され、FCL
Kの立ち上がりエッジでイネーブル信号をラッチして測
定開始信号(MB)を出力する。第2Dフリップフロッ
プ51は、イネーブル信号と入力クロック(RCLK)
とを入力とし、RCLKの立ち上がりエッジでイネーブ
ル信号をラッチして出力する。第3Dフリップフロップ
52は、入力クロックRCLKと第2Dフリップフロッ
プ51の出力とを入力とし、RCLKの立ち上がりエッ
ジで第2Dフリップフロップ51の出力ラッチして測定
終了信号(ME)を出力する。
【0018】測定遅延アレイ43は、図8に示す測定遅
延ユニットがn個直列に連結され、各々の測定遅延ユニ
ットから遅延時間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ
2、...MQn)を出力する。図8に示すように、自
己位相測定回路部42からの測定開始信号(MB)とV
cc信号とをNAND演算して出力する第1NANDゲ
ート60と、第1NANDゲート60の出力信号とVc
c信号とをNAND演算して出力する第2NANDゲー
ト61と、第2NANDゲート61の出力信号と自己位
相測定回路部42からの測定終了信号(ME)を反転さ
せた測定終了信号(MEb)とをNAND演算して遅延
時間補償サイクル決定信号(MQ)を出力する第3NA
NDゲート62とから構成される。図はi番目のユニッ
トであり、第1NAND60への入力MB(i)は、こ
のユニットの前に接続されているユニットの第2NAN
D61の出力を意味する。
【0019】すなわち、最初の測定遅延ユニットは自己
位相測定回路部42から直接測定開始信号(MB)を受
けるが、それ以降の測定遅延ユニットは前段の測定遅延
ユニットの第2NANDゲートから測定開始信号(M
B)を受ける。したがって、各ユニットの出力MQ
(i)は、それぞれ、その前に接続されているユニット
の数に対応した時間だけ遅延させられ、それらの出力、
すなわち補償サイクル決定信号MQ(1)〜MQ(n)
は、それぞれの前段までのユニットの出力とそのユニッ
ト自身の遅延時間だけずらしてシフトレジスタアレイ4
5に入力させられる。
【0020】次ぎに、レジスタ制御部(DLL)41の
各構成ブロックについて説明する。図9は本実施形態の
位相検出部44で、図10が本実施形態のシフトレジス
タアレイ45であり、図11は本実施形態の可変遅延ア
レイ46である。まず図9の位相検出部44を説明する
がその位相検出部44には前記のように4つの入力信号
が与えらる。入力クロック信号(RCLK)は第1〜第
3Dフリップフロップ80〜82へ入力され、遅延補償
部47からフィードバックされるフィードバッククロッ
ク信号(FCLK)は、第1Dフリップフロップ80
と、1可変遅延段階又は1測定遅延段階での遅延時間
(tUNIT)の1.5倍に相当する期間だけ遅延させ
る遅延器を介して第2Dフリップフロップ81へ入力さ
れる。またイネーブル信号は、第1〜第4Dフリップフ
ロップ80〜83のリセット端子に接続されている。他
の一つの入力はPCLKの2分周された信号である。第
1Dフリップフロップ80は、フィードバッククロック
信号(FCLK)を入力クロック(RCLK)によりラ
ッチして出力し、第2Dフリップフロップ1は1可変遅
延段階又は1測定遅延段階での遅延時間(tUNIT)
の1.5倍に相当する期間遅延されたフィードバックク
ロック信号(FCLK)を入力クロック(RCLK)に
よりラッチして出力する。第1Dフリップフロップ80
の出力信号(Q)と第2Dフリップフロップ81の出力
信号(Q)とは第1NANDゲート86aでNAND演
算される。第2NANDゲート86bが第1NANDゲ
ート86aの演算された信号と自身の出力の反転したフ
ィードバック信号とをNAND演算して第3Dフリップ
フロップ82へ出力する。この第3Dフリップフロップ
82は第2NANDゲート86bの出力信号を入力クロ
ック(RCLK)によりラッチして出力する。第1Dフ
リップフロップ80の反転出力信号(/Q)と第2Dフ
リップフロップ81の反転出力信号(/Q)と第3Dフ
リップフロップ82の出力信号(Q)とを第3NAND
ゲート86cでNAND演算する。この第3NANDゲ
ート86cの演算信号とイネーブル信号とを第4NAN
Dゲート86dでNAND演算し、その演算出力を第1
インバーター87aで反転して右シフト(SHR)信号
を出力する。第2Dフリップフロップ81の反転出力信
号(/Q)と第3Dフリップフロップ82の出力信号
(Q)とイネーブル信号とを第5NANDゲート86e
でNAND演算して、その出力を第2インバーター87
bで反転して左シフト(SHL)信号を出力する。一方
では、この右シフト、左シフト信号が第6NANDゲー
ト86fでNAND演算され、第3インバーター87c
で反転される。第4Dフリップフロップ83がその第3
インバータで反転させた信号を2分周された入力クロッ
ク(RCLK)によりラッチして同期されたクロック信
号(LOCK)を出力する。この同期信号(LOCK)
とイネーブル信号とを第7NANDゲート86gでNA
ND演算して、その出力を第4インバーター87dで反
転させ、その反転させた信号をマルチプレクサ(MU
X)85のスイッチング信号として利用する。このMU
X85は、遅延回路84により遅延された2分周入力ク
ロック(RCLK/2)と接地信号を多重化してシフト
調節用2分周クロック(SCLK)を出力する。
【0021】シフトレジスタアレイ45は、測定遅延ア
レイ43から出力された遅延時間補償サイクル決定信号
(MQ1、MQ2、...MQn)に応じて各々のシフ
トレジスタユニットを単位として遅延時間補償信号(Q
1、Q2、...Qn)を出力するブロックである。シ
フトレジスタユニット45は、図10に示すように、測
定遅延アレイ40からの出力MQ(i)と、位相検出部
44からの左右のシフト信号SHR、SHLと、2分周
クロックSCLKが入力される他、前段のユニットの出
力Q(i−1)と次段のユニットQ(i+1)が入力さ
せられる。位相検出部44の右シフト信号と次段の遅延
時間補償信号Q(i+1)とが第1NANDゲート74
に入力され、左シフト信号と前段の遅延時間補償信号Q
(i−1)とが第2NANDゲート75に入力され、そ
れぞれNAND演算され、それらの出力を第3NAND
ゲート76でさらにNAND演算する。その第3NAN
Dゲート76の演算信号は、第1伝送ゲート77を介し
て出力される。その出力は遅延された後、第2伝送ゲー
ト78を介して第4NANDゲート79の一方の入力に
送られる。これらの第1、第2伝送ゲート77、78を
スイッチングするのが、シフト調節用2分周クロック
(SCLK)とその反転された信号である。第4NAN
Dゲート79の他方の入力は、測定遅延アレイ43の遅
延時間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ2、...
MQn)のこのユニットに相当する1つの信号であり、
それらをNAND演算して、このユニットの出力Q
(i)を出力する。同時に出力Q(i)の反転した反転
遅延時間補償信号Qb(i)を出力する。
【0022】可変遅延アレイ46は、n個の可変遅延ユ
ニットが直列連結されるものであり、各々の可変遅延ユ
ニットの構成を図11に示す。シフトレジスタアレイか
らの該当ユニットの遅延時間補償信号(Qi)と前段の
可変遅延ユニットの出力信号X(i−1)とを第1NA
NDゲート71でNAND演算した出力を本ユニットの
出力X(i)として出力する。初段の可変遅延ユニット
は、前段のユニットがないので、X(i−1)の代わり
に入力クロック(RCLK)を第1NANDゲート71
の他方の入力とする。第1NANDゲート71の出力信
号X(i)と反転遅延時間補償信号(Qb1、Qb
2、...Qbn)の本ユニットに該当するものとを第
2NANDゲート72で演算し、その演算出力と次段か
らフィードバックされるフィードバック信号Y(i)と
を第3NANDゲート73でNAND演算して出力す
る。その出力がフィードバック信号として前段のユニッ
トに送られるのは言うまでもない。
【0023】このように構成された本実施形態の高速位
相同期回路の位相同期動作について以下に説明する。図
12は本実施形態による位相同期クロックの波形図であ
る。図13は本実施形態による位相比較検出区間を示す
クロックタイミング図であり、図14、図15は本実施
形態による位相比較検出論理図とシミュレーション図で
ある。まず、イネーブル信号が自己位相測定回路42に
入力され、位相同期回路を動作開始させる。すなわち、
イネーブル信号がハイになると、位相同期回路へ入力ク
ロック(RCLK)が入力される。このとき、シフトレ
ジスタアレイ45のQ(i)は最初であるのでQ(1)
だけハイであり、その外はロー状態である。そして、可
変遅延アレイ46は、Q(i)値がハイである間にルー
プを形成するため、入力されたRCLKは第1段階でフ
ィードバックされる。この遅延されてフィードバックさ
れた信号をFCLK信号という。
【0024】自己位相測定開始パルスがスタートすれ
ば、自己位相測定回路部42はRCLKとFCLKとの
位相差測定動作を行う。自己位相測定回路部42は、F
CLKの立ち上がりエッジでイネーブル信号をラッチし
て測定開始信号(MB)を出力し、RCLKは2段のフ
リップフロップを経て測定終了信号(ME)として出力
する。この測定開始信号と測定終了信号との位相差は、
フィードバックされる最初のFCLKの立ち上がりエッ
ジと、イネーブルされた後の2番目のRCLKの立ち上
がりエッジとの間の位相差と同一である。この位相差は
補償しようとする遅延時間と同一である。
【0025】RCLKとFCLKとの位相差測定動作が
終われば、測定遅延アレイ43の遅延時間補償サイクル
決定信号をセッティングする。自己位相測定回路部42
の測定終了信号(ME)は反転されて(MEb)、図8
に示すように各々の測定遅延ユニットに共通入力され、
測定開始信号(MB)は各々の測定遅延ユニットから二
つのNANDゲートを経て次の測定遅延ユニットに伝達
される。この際、測定開始信号がハイ、つまり反転測定
終了信号(MEb)がローになるまで、各測定遅延ユニ
ットからは伝達された測定終了信号(MB(i))によ
り残りのNANDゲートを介してローパルスのMQ
(i)を発生する。この際、各測定遅延ユニットからの
伝達時間は可変遅延時間と同一である。このように、M
Qsがセッティングされれば、シフトレジスタアレイ4
5に遅延時間補償サイクル決定信号(MQ1、MQ
2、...MQn)をローディングし、自己位相測定終
了パルスをスタートする。
【0026】このように、自己位相測定終了パルスがス
タートすれば、自己位相測定回路部42及び測定遅延ア
レイ43の動作が停止し、位相検出部44がイネーブル
される。生成された各々のローパルス(MQ(i))を
該当するシフトレジスタユニットへ入力してQ(i)を
ハイにアクティブさせてi番目までハイになったら、i
段階で位相同期ループを形成する。FCLKは補償しよ
うとする遅延時間だけDCLKを遅延させて、それを位
相検出部44に入力させる。これは、補償しようとする
遅延時間を2サイクル内で決定するもので、図12にお
けるFCLK(2)がここに該当する。
【0027】位相検出部44は図13に示すような位相
検出区間を有し、図14の比較検出論理により位相検出
動作を行う。この際、位相検出区間は一可変遅延段階又
は一測定遅延段階での遅延時間(tUNIT)の1.5
倍に該当する。フィードバックされるFCLK及び可変
遅延アレイ46から出力される遅延フィードバッククロ
ック(DCLK)の活性化開始点が位相検出区間にある
ようになって同期信号(LOCK)を発生すると、形成
されたループ段階を切り換えずに位相同期を維持する。
同期信号は位相検出部44のMUX85の出力をローに
する。MUX85の出力がローになり、シフトレジスタ
アレイ45にシフト調節用2分周クロック(SCLK)
が入力されくなる。このため、シフトレジスタアレイ4
5は、続いて同じ状態を維持し、形成されたループ段階
を切り換えずに位相同期を維持する。この際、位相同期
状態を維持する可変遅延の大きさを変えないため、ジッ
タは発生しない。
【0028】仮に、ある理由により、自己位相測定区間
が補償しようとする遅延時間と一致せずに、直ちに位相
同期状態にならないとしても、FCLKが既に位相同期
検出領域に接近している状態なので、2サイクル以内で
位相同期がなされる。位相同期が完了されてイネーブル
信号がローになると、シフトレジスタアレイ45は初期
状態に戻り、次の位相同期動作命令を待つ。かかる移動
同期動作のシミュレーション結果を図15に示す。
【0029】
【発明の効果】以上説明した本発明の高速位相同期回路
は、遅延時間の補償及び消費電極の減少に適するように
したフィードバックループと自己遅延時間測定経路とを
有するので、以下の効果を奏する。自己遅延時間測定経
路により同期化が迅速に行われて低電力で位相同期動作
が行われる。これは、全体集積回路の電力消耗を減少さ
せ、高速のアクセス動作を可能にする効果がある。位相
同期回路の非動作からの正常動作への切り換えが数サイ
クル以内で可能なので、SDRAM又はSGRAM等の
同期式メモリに適用する場合にメモリの性能を向上させ
る効果がある。自己遅延時間測定回路があって、初期同
期情報が狂っても2サイクル以内で位相同期動作が行わ
れる。このため、クロック同期化動作が安定的である。
又、同期化によるタイミングエラーが少なく、且つ入力
クロックの周期が大きい場合にも初期動作上でエラーが
発生しない。これは、素子のアクセス動作を効率よく行
わせる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の技術のRDLLの構成ブロック図
【図2】 RDLLの遅延ラインの構成ブロック図
【図3】 RDLLの位相比較器の構成ブロック図及び
動作タイミング図
【図4】 従来の技術のSMD回路の構成ブロック図
【図5】 従来の技術のSMD回路の動作タイミング図
【図6】 本発明実施形態による高速位相同期回路の構
成ブロック図
【図7】 本実施形態による自己位相測定回路の構成ブ
ロック図
【図8】 本実施形態による測定遅延アレイの構成図
【図9】 本実施形態による位相検出部の構成ブロック
【図10】 本実施形態によるシフトレジスタアレイの
構成図
【図11】 本実施形態による可変遅延アレイの構成図
【図12】 本実施形態による位相同期クロック波形図
【図13】 本実施形態による位相比較検出区間を示す
動作タイミング図
【図14】 本実施形態による位相比較検出論理図
【図15】 本実施形態によるシミュレーション図
【符号の説明】
40 測定制御部 41 レジスタ制御部 42 自己位相測定回路部 43 測定遅延アレイ 44 位相検出部 45 シフトレジスタアレイ 46 可変遅延アレイ 47 遅延補償部 48 クロックドライバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−214986(JP,A) 特開 平11−205129(JP,A) 特開 平10−149227(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 1/10 H03L 7/00 H04L 7/033 G11C 11/407

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イネーブル信号により外部から入力され
    るRCLK信号とこのRCLK信号をフィードバックさ
    せたFCLK信号との位相を測定して測定開始信号(M
    B)、測定終了信号(ME)を生成し、この2信号を利
    用して各々の測定遅延ユニット単位で遅延時間補償サイ
    クル決定信号(MQ1、MQ2、...MQn)を出力
    する測定制御部と、前記 RCLK信号の2分周された信号、前記RCLK信
    号、前記フィードバックさたFCLK信号、そして
    イネーブル信号を受け遅延時間補償サイクル決定信
    号に応じて遅延時間補償信号(Q1、Q2、...Q
    n)を発生し、前記入力されるRCLK信号を遅延して
    位相同期されたクロック信号(QCLK)を出力するレ
    ジスタ制御部とを備えることを特徴とする高速位相同期
    回路。
  2. 【請求項2】 イネーブル信号により外部から入力され
    るRCLK信号とこのRCLK信号をフィードバックさ
    せたFCLK信号との位相を測定して前記FCLK信号
    の立ち上がりエッジで測定開始信号(MB)を出力し、
    RCLK信号立ち上がりエッジで測定終了信号(M
    E)を出力する自己位相測定回路部(SPMC)と、 直列連結されるn個の測定遅延ユニットで構成され、前
    記自己位相測定回路部から出力されるMB、MEの2信
    号を受けて各々の測定遅延ユニット単位で遅延時間補償
    サイクル決定信号(MQ1、MQ2、...MQn)を
    出力する測定遅延アレイと、前記 RCLK信号の2分周された信号、前記RCLK信
    号、前記フィードバックさたFCLK信号、そして
    イネーブル信号を受けて右シフト(SHR)、左シフト
    (SHL)、クロック同期信号(LOCK)、シフト調節
    用2分周クロック(SCLK)信号を出力する位相検出
    部と、 n個の単位シフトレジスタユニットが直列連結され、S
    HR、SHL、LOCK、SCLK信号を受け遅延時
    間補償サイクル決定信号に応じて遅延時間補償信号(Q
    1、Q2、...Qn)を出力するシフトレジスタアレ
    イと、 前記シフトレジスタアレイの遅延時間補償信号(Q1、
    Q2、...Qn)により前記入力されるRCLK信号
    を遅延させて出力する遅延時間を変えることができる可
    変遅延アレイと、 前記可変遅延アレイの遅延クロック(DCLK)を受け
    前記FCLK信号をフィードバックさせる前記遅延補
    償部と、 前記可変遅延アレイの遅延クロック(DCLK)を受け
    て位相同期されたクロック信号(QCLK)を出力する
    クロックドライバとを備えることを特徴とする高速位相
    同期回路。
  3. 【請求項3】 可変遅延段階又は測定遅延段階での
    遅延時間(tUNIT)の1.5倍に該当する区間で位
    相検出及び比較動作を行うことを特徴とする請求項1記
    載の高速位相同期回路。
  4. 【請求項4】 自己位相測定回路部は、RCLK信号をフイードバックさせ且つ 位相同期のため
    の遅延時間が補償されたFCLK信号の立ち上がりエッ
    ジでイネーブル信号をラッチして測定開始信号(MB)
    を出力する第1Dフリップフロップ(DF/F)と、 入力されたRCLK信号の立ち上がりエッジでイネーブ
    ル信号をラッチして出力する第2Dフリップフロップ
    と、 前記第2Dフリップフロップのラッチ信号を受けてRC
    LK信号の立ち上がりエッジでラッチして測定終了信号
    (ME)を出力する第3フリップフロップとから構成
    されることを特徴とする請求項2記載の高速位相同期回
    路。
  5. 【請求項5】 測定遅延アレイは、 測定開始信号(MB)とVcc信号とをNAND演算し
    て出力する第1NANDゲートと、 前記第1NANDゲートの出力信号とVcc信号とをN
    AND演算して出力する第2NANDゲートと、 前記第2NANDゲートの出力信号と測定終了信号(M
    E)を反転させた測定終了信号(MEb)とをNAND
    演算して遅延時間補償サイクル決定信号(MQ)を出力
    する第3NANDゲートとから構成されることを特徴と
    する請求項2記載の高速位相同期回路。
  6. 【請求項6】 最初の測定遅延ユニットは自己位相測定
    回路部から測定開始信号(MB)を受け、その次段の測
    定遅延ユニットからは前段の測定遅延ユニットの第2N
    ANDゲートから測定開始信号(MB)を受けることを
    特徴とする請求項5記載の高速位相同期回路。
  7. 【請求項7】 位相検出部は、 フィードバックされたクロックであるFCLK信号を入
    力されたクロックであるRCLK信号によってラッチし
    て出力する第1Dフリップフロップと、 遅延時間が補償された前記FCLK信号をRCLK信号
    によりラッチして出力する第2Dフリップフロップと、 前記第1Dフリップフロップの出力信号(Q)と第2D
    フリップフロップの出力信号(Q)とをNAND演算す
    る第1NANDゲートと、 第1NANDゲートの演算信号と第3Dフリップフロッ
    プの反転出力信号(/Q)とをNAND演算して出力す
    る第2NANDゲートと、 第2のNANDゲートの出力信号をRCLK信号により
    ラッチして出力する前記第3Dフリップフロップと、 前記第1Dフリップフロップの反転出力信号(/Q)と
    第2Dフリップフロップの反転出力信号(/Q)と第3
    Dフリップフロップの出力信号(Q)とをNAND演算
    して出力する第3NANDゲートと、 第3NANDゲートの演算信号とイネーブル信号とをN
    AND演算して出力する第4NANDゲートと、 第4NANDゲートの出力信号を反転して右シフト(S
    HR)信号を出力する第1インバーターと、 前記第2Dフリップフロップの反転出力信号(/Q)と
    第3Dフリップフロップの出力信号(Q)とイネーブル
    信号とをNAND演算して出力する第5NANDゲート
    と、 第5NANDゲートの演算信号を反転して左シフト(S
    HL)信号を出力する第2インバーターと、 前記右シフト、左シフト信号をNAND演算して出力す
    る第6NANDゲートと、 第3インバーターにより反転された第6NANDゲート
    の演算信号を2分周された入力クロック(RCLK)に
    よりラッチして同期信号(LOCK)を出力する第4D
    フリップフロップと、 前記同期信号とイネーブル信号とをNAND演算して出
    力する第7NANDゲートと、 第7NANDゲートの演算信号を反転して出力する第4
    インバーターと、 RCLK信号を2分周した信号及び接地信号を前記第4
    インバーターの出力信号をスイッチング信号として多重
    化してシフト調節用2分周クロック(SCLK)を出力
    するMUXとから構成されることを特徴とする請求項2
    記載の高速位相同期回路。
  8. 【請求項8】 第2Dフリップフロップに入力されるフ
    ィードバックされたクロックであるFCLK信号は、
    可変遅延段階又は測定遅延段階での遅延時間(tUN
    IT)の1.5倍に該当する区間以内の大きさで遅延さ
    れることを特徴とする請求項7記載の高速位相同期回
    路。
  9. 【請求項9】 シフタレジスタアレイは、 各々のユニットが位相検出部の右シフト信号と次段の遅
    延時間補償信号(Q(i+1))とをNAND演算して
    出力する第1NANDゲートと、 位相検出部の左シフト信号と前段の遅延時間補償信号
    (Q(i−1))とをNAND演算して出力する第2N
    ANDゲートと、 前記第1、第2NANDゲートの演算信号をNAND演
    算する第3NANDゲートと、 シフト調節用2分周クロック(SCLK)及びそれを反
    転した信号によってスイッチング動作を行って第3NA
    NDゲートの演算信号をスイッチング出力する第1伝送
    ゲートと、 一定のクロックに遅延されて出力される第1伝送ゲート
    の出力信号をシフト調節用2分周クロック(SCLK)
    及びそれを反転した信号によりスイッチング出力する第
    2伝送ゲートと、 測定遅延アレイの遅延時間補償サイクル決定信号(MQ
    1、MQ2、...MQn)と第2伝送ゲートの出力信
    号とをNAND演算して遅延時間補償信号(Q1、Q
    2、...Qn)を出力する第4NANDゲートとから
    構成されることを特徴とする請求項2記載の高速位相同
    期回路。
  10. 【請求項10】 可変遅延アレイは、 直列連結されるn個の可変遅延ユニットがそれぞれ遅延
    時間補償信号(Q1、Q2、...Qn)、入力クロッ
    ク(RCLK)を受けてNAND演算する第1NAND
    ゲートと、 第1NANDゲートの出力信号(X)と反転遅延時間補
    償信号(/Q1、/Q2、.../Qn)とをNAND
    演算して出力する第2NANDゲートと、 第2NANDゲートの演算信号と次段からフィードバッ
    クされるフィードバック信号(Y)とをNAND演算し
    て出力する第3NANDゲートとから構成されることを
    特徴とする請求項2記載の高速位相同期回路。
  11. 【請求項11】 直列連結されるn個の可変遅延ユニッ
    トの最初ユニットにはRCLKが入力され、その次段の
    ユニットからは前段のユニット出力信号が入力されるこ
    とを特徴とする請求項10記載の高速位相同期回路。
  12. 【請求項12】 イネーブル信号が入力されると、自己
    位相測定動作を開始さ、外部からRCLK信号を入力
    させると共にこの入力されたRCLK信号をフィードバ
    ックさせてFCLK信号をる段階と、前記 FCLK信号の立ち上がりエッジで前記イネーブル
    信号をラッチして測定開始信号(MB)を出力し、前記
    RCLK信号の立ち上がりエッジで前記イネーブル信号
    をラッチして測定終了信号(ME)を出力し、もっ
    記測定開始信号と前記測定終了信号との位相差を測定す
    る段階と、前記 RCLK信号と前記FCLK信号の位相差測定動作
    が終了後、遅延時間補償サイクル決定信号(MQ)をセ
    ッティングする段階と、 MQがセッティングされて、遅延時間補償サイクル決定
    信号(MQ1、MQ2、...MQn)をローディング
    し、自己位相測定動作を終了させる段階と、 自己位相測定動作終了後に、位相検出動作を開始する段
    階と、 可変遅延段階又は測定遅延段階での遅延時間(tU
    NIT)の1.5倍に該当する位相検出区間(図13で
    FCLKが立ち上がってから遅延されたFCLKが立ち
    上がるまでの区間B)で補償しようとする遅延時間を2
    サイクル内で決定する段階と、前記 FCLK信号及び検出されたフィードバッククロッ
    ク(DFCLK)の活性化開始点が位相検出区間にあっ
    て同期信号(LOCK)を発生すれば、形成されたルー
    プ段階を切り換えずに位相同期を維持する段階とを備え
    ることを特徴とする高速位相同期方法。
  13. 【請求項13】 測定開始信号と測定終了信号との位相
    差は、フィードバックされる最初のFCLK信号の立ち
    上がりエッジと、イネーブル信号によってイネーブルさ
    れた後の2番目のRCLK信号の立ち上がりエッジとの
    間の位相差と同一であることを特徴とする請求項12記
    載の高速位相同期方法。
  14. 【請求項14】 位相同期ループを形成してフィードバ
    ックされるFCLK信号は補償しようとする遅延時間だ
    け遅延されてフィードバックされることを特徴とする請
    求項12記載の高速位相同期方法。
  15. 【請求項15】 各測定遅延段階での伝達時間は遅延時
    間補償のための可変遅延時間と同一であることを特徴と
    する請求項12記載の高速位相同期方法。
JP11129673A 1998-05-14 1999-05-11 高速位相同期回路及びこれを用いた位相同期方法 Expired - Fee Related JP3143743B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR17401/1998 1998-05-14
KR1019980017401A KR100263483B1 (ko) 1998-05-14 1998-05-14 고속 위상 동기 회로 및 그를 이용한 위상 동기 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000029564A JP2000029564A (ja) 2000-01-28
JP3143743B2 true JP3143743B2 (ja) 2001-03-07

Family

ID=19537345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11129673A Expired - Fee Related JP3143743B2 (ja) 1998-05-14 1999-05-11 高速位相同期回路及びこれを用いた位相同期方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3143743B2 (ja)
KR (1) KR100263483B1 (ja)
TW (1) TW430804B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304510B2 (en) 2005-10-13 2007-12-04 Fujitsu Limited Digital phase detector improving phase detection resolution thereof

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3807593B2 (ja) * 2000-07-24 2006-08-09 株式会社ルネサステクノロジ クロック生成回路および制御方法並びに半導体記憶装置
KR100446291B1 (ko) * 2001-11-07 2004-09-01 삼성전자주식회사 카스 레이턴시를 이용하여 락킹 레졸루션 조절이 가능한지연동기 루프 회로
JP4642417B2 (ja) * 2004-09-16 2011-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
KR100728907B1 (ko) * 2006-06-26 2007-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 클럭신호 생성장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304510B2 (en) 2005-10-13 2007-12-04 Fujitsu Limited Digital phase detector improving phase detection resolution thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW430804B (en) 2001-04-21
KR100263483B1 (ko) 2000-08-01
KR19990085179A (ko) 1999-12-06
JP2000029564A (ja) 2000-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6593786B2 (en) Register controlled DLL reducing current consumption
US7733140B2 (en) Delay locked loop in semiconductor memory device
US6342796B2 (en) Delay locked loop having fast locking time
JP4812981B2 (ja) リングレジスタ制御型遅延固定ループ及びその制御方法
US6853226B2 (en) Register controlled delay locked loop having an acceleration mode
US7676686B2 (en) Delay locked loop circuit and synchronous memory device including the same
KR101046227B1 (ko) Dll 회로
JP4533599B2 (ja) ディレイロックループにおけるクロック分周器及びクロック分周方法
US8295120B2 (en) Read command triggered synchronization circuitry
GB2434930A (en) Delay-locked loop circuits
US8164370B2 (en) Clock control circuit and semiconductor device including the same
USRE38482E1 (en) Delay stage circuitry for a ring oscillator
KR100505657B1 (ko) 서로 다른 단위 지연 시간을 가지는 지연소자를 구비하는지연 시간 보상 회로
US7212055B2 (en) Open-loop digital duty cycle correction circuit without DLL
US7279944B2 (en) Clock signal generator with self-calibrating mode
KR100525096B1 (ko) Dll 회로
US20010022745A1 (en) Delay locked loop for use in semiconductor memory device
JP3143743B2 (ja) 高速位相同期回路及びこれを用いた位相同期方法
US7230495B2 (en) Phase-locked loop circuits with reduced lock time
US20080094115A1 (en) DLL circuit
JP3982934B2 (ja) 入力回路および該入力回路を有する半導体集積回路
KR20030049303A (ko) 레지스터 제어형 지연고정루프회로
US20240161808A1 (en) Ddr phy critical clock switching and gating architecture
KR20040037797A (ko) 가속화 모드를 구비한 레지스터 제어 지연고정루프
KR100685613B1 (ko) 고속 동작을 위한 dll 회로

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080105

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees