JP3143538B2 - Processing equipment for semiconductor devices - Google Patents

Processing equipment for semiconductor devices

Info

Publication number
JP3143538B2
JP3143538B2 JP05012679A JP1267993A JP3143538B2 JP 3143538 B2 JP3143538 B2 JP 3143538B2 JP 05012679 A JP05012679 A JP 05012679A JP 1267993 A JP1267993 A JP 1267993A JP 3143538 B2 JP3143538 B2 JP 3143538B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dam bar
processing
semiconductor device
drive system
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP05012679A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH06224344A (en
Inventor
信彦 多田
直毅 三柳
義昭 下村
茂行 桜井
義也 長野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Construction Machinery Co Ltd filed Critical Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority to JP05012679A priority Critical patent/JP3143538B2/en
Publication of JPH06224344A publication Critical patent/JPH06224344A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3143538B2 publication Critical patent/JP3143538B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ダムバー加工に好適な
半導体装置の加工装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device processing apparatus suitable for dam bar processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の樹脂モールド時の樹脂のリ
ードフレームへの流出を防止するために、リードフレー
ムを連結するようにしてダムバーが形成されている。樹
脂モールド終了後にあっては、このダムバーの除去をは
かる。リードフレームが4辺それぞれから外方向に導出
されているQFP形の半導体装置は、リードフレームの
高密度化をはかる半導体装置として知られている。QF
P形の半導体装置でのダムバー除去には、ダムバーピッ
チが狭いことからレーザ光が使われることが多い。例え
ば、特開平3−294077号がある。この従来例は、
QFP形の半導体装置のダムバー除去をレーザ光で行う
と共に、その加工制御は、加工軌跡に沿うようなプログ
ラムを用意しておき、このプログラムを走らせてダムバ
ー除去をはかるやり方をとる。
2. Description of the Related Art In order to prevent resin from flowing into a lead frame during resin molding of a semiconductor device, a dam bar is formed so as to connect the lead frames. After completion of the resin mold, the dam bar is removed. A QFP-type semiconductor device in which a lead frame is led outward from each of four sides is known as a semiconductor device for increasing the density of a lead frame. QF
Laser beams are often used to remove dam bars in a P-type semiconductor device because the dam bar pitch is narrow. For example, there is JP-A-3-294077. This conventional example,
The dam bar of the QFP type semiconductor device is removed by a laser beam, and the processing is controlled by preparing a program along a processing locus and running the program to remove the dam bar.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】特開平3−29407
7号は、ダムバー除去のための、半導体装置の移動制御
についての記載はない。特に、複数の生産ラインを持
ち、これらの各生産ライン上で同時並行的にダムバー除
去をはかる記載はない。半導体装置を大量に生産してゆ
くためには、複数の生産ラインを持ち、各生産ライン上
では1個ではなく複数の半導体装置を搭載してこれらの
複数の半導体装置についての一連のダムバーを連続的に
除去してゆくことが要求される。これによって、大量の
半導体装置が少ない生産ラインで生産できることにな
る。
Problems to be Solved by the Invention
No. 7 does not describe movement control of a semiconductor device for dam bar removal. In particular, there is no description of having a plurality of production lines and simultaneously removing dam bars on each of these production lines. In order to mass-produce semiconductor devices, it is necessary to have multiple production lines, mount multiple semiconductor devices on each production line instead of one, and continue a series of dam bars for these multiple semiconductor devices. Removal is required. As a result, a large number of semiconductor devices can be produced on a small production line.

【0004】また、レーザ光源が1台数百万円と高額な
ため、少ない数のレーザ光源で数多くの半導体装置を同
時に並行的に加工できることが望ましい。一方、QFP
形の半導体装置は、4辺が規則的であり、且つダムバー
の配列も規則的であり、複数の半導体装置の同時並行的
なダムバー加工には、こうした規則性を利用すべきであ
る。
In addition, since the number of laser light sources is as high as one million yen, it is desirable that a large number of semiconductor devices can be simultaneously processed in parallel with a small number of laser light sources. On the other hand, QFP
The semiconductor device of the shape has regular four sides and the arrangement of the dam bars is also regular, and such a regularity should be utilized for dam bar processing of a plurality of semiconductor devices at the same time.

【0005】本発明の目的は、ダムバーの加工のための
半導体装置の移動制御に際し、その移動制御用の駆動系
の重点化と簡略化をはかる半導体装置の加工装置を提供
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device processing apparatus for emphasizing and simplifying a drive system for controlling the movement of a semiconductor device for dam bar processing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置を
搭載したホルダーと、該ホルダーを直交する2つの方向
x、yに独立して移動可能にするx駆動系及びy駆動系
と、上記ホルダーを回転可能にする回転駆動系と、より
成ると共に、連結する各辺の一連の、レーザによる、ダ
ムバー除去のためのダムバーに沿う加工経路は上記x駆
動系のみの駆動によって行い、各辺の先頭ダムバーへの
位置決めはy駆動系、回転駆動系を利用し又はx駆動系
を組合せて行うようにした(請求項1)。更にこれをQ
FP形への適用とした(請求項2)。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a holder on which a semiconductor device is mounted, an x drive system and a y drive system for enabling the holder to move independently in two orthogonal directions x and y. A rotary drive system that enables the holder to rotate, and a series of laser processing paths along the dam bar for dam bar removal on each side to be connected is performed by driving only the x drive system. Positioning to the leading dam bar is performed by using a y drive system, a rotary drive system, or a combination of an x drive system. Furthermore, this is Q
Application to FP type (Claim 2).

【0007】更に本発明は、複数個のQFP形半導体装
置を縦横規則的に配置したホルダーを次々に供給し加工
用のテーブル上に搭載する複数個の半導体生産ライン
と、上記テーブルを半導体装置の縦横に沿う方向に独立
に駆動可能にするx駆動系、y駆動系と、上記テーブル
を回転可能にする回転駆動系と、各生産ライン毎にレー
ザによりダムバー加工を行うダムバー加工手段と、より
成ると共に、連結する各辺を結ぶ一連のダムバー除去の
ためのダムバーに沿う加工経路は上記x駆動系のみの駆
動によって行い、各辺を結ぶ一連のダムバーの先頭ダム
バーへの位置決めはy駆動系、回転駆動系を利用し又は
x駆動系を組合せて行うようにした(請求項3)。
Further, the present invention provides a plurality of semiconductor production lines in which a plurality of QFP type semiconductor devices are sequentially supplied with holders in which the plurality of QFP type semiconductor devices are regularly arranged and mounted on a processing table. An x drive system and a y drive system that can be driven independently in the vertical and horizontal directions, a rotation drive system that can rotate the table, and dam bar processing means that performs dam bar processing by laser for each production line. At the same time, the machining path along the dam bar for removing a series of dam bars connecting the connected sides is performed by driving only the x drive system, and the positioning of the series of dam bars connecting the sides to the top dam bar is performed by the y drive system and the rotation. The drive system is used or the x drive system is combined (claim 3).

【0008】更に本発明は、上記加工経路中にあって
は、y駆動系、回転駆動系に係る可動部分を拘束させる
ようにした(請求項4)。
Further, according to the present invention, in the machining path, a movable portion relating to the y drive system and the rotary drive system is restrained (claim 4).

【0009】更に本発明は、上記レーザの光源は、複数
の生産ラインを通じて単一のものとし、切替ミラーを切
替えることにより各生産ラインに時分割で且つシーケン
シャルにダムバー加工用に照射することとした(請求項
5)。
Further, according to the present invention, the laser light source is made to be a single light source through a plurality of production lines, and each of the production lines is irradiated in a time division manner and sequentially for dam bar processing by switching a switching mirror. (Claim 5).

【0010】更に本発明は、上記ダムバー加工用のレー
ザ光は、リードフレームの長手方向に長軸を持つ矩形形
状とする(請求項6)。
Further, in the present invention, the laser beam for dam bar processing has a rectangular shape having a major axis in a longitudinal direction of the lead frame.

【0011】[0011]

【作用】本発明によれば、連結する各辺の一連のダムバ
ー除去のためのダムバーに沿う加工経路は1つの駆動系
であるx駆動系のみの駆動によって行うため、3つの駆
動系の役割分担を明確にできる(請求項1、2、4)。
更に、このx駆動系のみで全辺のダムバー除去が可能に
なり、他の2つの駆動系は位置決めのためにのみ使用す
ればよい(請求項1、2)。更に、x駆動系のみが高精
度であればよく、他の2つの駆動系はそれ程の高精度は
要求されず、駆動系の省力化、簡素化、高速化にもつな
がる(請求項1、2)。
According to the present invention, since the machining path along the dam bar for removing a series of dam bars on each side to be connected is performed by driving only one driving system, the x driving system, the roles of the three driving systems are divided. Can be clarified (claims 1, 2, 4).
Further, dam bars can be removed from all sides only by the x drive system, and the other two drive systems may be used only for positioning (claims 1 and 2). Furthermore, only the x drive system needs to have high accuracy, and the other two drive systems do not require such high accuracy, which leads to labor saving, simplification, and high speed of the drive system. ).

【0012】更に本発明によれば、複数個のQFP形半
導体装置を縦横規則的に配列したホルダーを各生産ライ
ンのテーブル上に搭載し、各生産ライン毎にレーザによ
りダムバー加工を行う(請求項3)。更に、各生産ライ
ンにあっては、各辺を結ぶ一連のダムバー除去のための
ダムバーに沿う加工経路は、x駆動系のみによって行う
(請求項3)。
Further, according to the present invention, a holder in which a plurality of QFP type semiconductor devices are regularly arranged vertically and horizontally is mounted on a table of each production line, and dam bar processing is performed by laser for each production line. 3). Further, in each production line, a machining path along a dam bar for removing a series of dam bars connecting each side is performed only by the x drive system (claim 3).

【0013】更に本発明によれば、複数の生産ラインに
対するレーザ光のレーザ源は単一のものとし、これを切
替ミラーの切替えにより時分割でシーケンシャルに各生
産ラインに照射するようにし、これにより単一のレーザ
源で複数生産ライン上に沿ってのダムバー加工を実現で
きる(請求項5)。また、レーザ光の形状は、リードフ
レームの長手方向に長軸を持つ矩形形状とし、これによ
りリードフレームの長手方向(y軸方向)での位置ずれ
が生じてもダムバー加工を確実に達成できる(請求項
6)。
Further, according to the present invention, a single laser beam source is used for a plurality of production lines, and the laser light is sequentially radiated to each production line in a time-sharing manner by switching a switching mirror. Dam bar processing along a plurality of production lines can be realized with a single laser source (claim 5). Further, the shape of the laser beam is a rectangular shape having a major axis in the longitudinal direction of the lead frame, whereby dam bar processing can be surely achieved even if a displacement occurs in the longitudinal direction (y-axis direction) of the lead frame ( Claim 6).

【0014】[0014]

【実施例】図2は本発明の光学装置を半導体装置の加工
装置に適用した実施例図である。4つの搬送生産ライン
(作業ライン)1〜4は、送給装置17を構成し、この
各ライン1〜4上には、前工程での作業完了後の半導体
装置9(実際にはこの半導体装置9を複数個縦横配列し
たホルダー32)が搭載され、ロボット16が、ハンド
によりホルダー32を把持し、加工テーブル10の上に
乗せて固定され、このホルダー32上の半導体装置9が
加工対象となる。
FIG. 2 is a diagram showing an embodiment in which the optical device of the present invention is applied to a processing device for a semiconductor device. The four transport production lines (work lines) 1 to 4 constitute a feeding device 17. On each of the lines 1 to 4, a semiconductor device 9 (actually, The robot 16 holds the holder 32 with a hand and is fixed on the processing table 10. The semiconductor device 9 on the holder 32 is to be processed. .

【0015】レーザ源1は4つの搬送生産ライン1〜4
用の単一のレーザ発生源である。レーザビーム切替ユニ
ット2は、チョッパ形式でレーザ源1からのレーザビー
ムを時分割的に分配して、4つの搬送ライン上の4つの
加工テーブルのホルダー上の半導体装置を同時併行的に
加工するために設けてある。この切替ユニット2は、少
なくとも、3つの切替ミラー3A、3B、3C、及び反
射用のベンディングミラー5、集光レンズ12、加工ヘ
ッド13、及び監視用のTVカメラ14より成る。レー
ザ源1からのレーザビーム励起は、事前に設定されたタ
イミングで行う。TVカメラ14は、レンズ15を介し
てホルダー及びその上に固定した半導体装置及びダムバ
ーの位置決めのための監視であり、画像処理装置20が
その撮像信号を取り込み、必要な画像解析を行い位置合
わせ制御に供する。
The laser source 1 has four transport production lines 1-4.
A single laser source. The laser beam switching unit 2 distributes the laser beam from the laser source 1 in a time-division manner in the form of a chopper, and simultaneously and concurrently processes the semiconductor devices on the holders of the four processing tables on the four transport lines. It is provided in. The switching unit 2 includes at least three switching mirrors 3A, 3B, and 3C, a bending mirror 5 for reflection, a condenser lens 12, a processing head 13, and a TV camera 14 for monitoring. Excitation of the laser beam from the laser source 1 is performed at a preset timing. The TV camera 14 is a monitor for positioning the holder and the semiconductor device and the dam bar fixed thereon via the lens 15, and the image processing device 20 captures the imaging signal, performs necessary image analysis, and performs positioning control. To serve.

【0016】切替ユニット2からのレーザビームが固定
位置から与えられるものであるため、加工テーブル10
は、QFPの4辺及び各辺の切断用ダムバー位置にレー
ザビームが正確に照射できるように、移動可能になって
いる。
Since the laser beam from the switching unit 2 is provided from a fixed position, the processing table 10
Are movable so that the laser beam can be accurately irradiated on the four sides of the QFP and the cutting dam bar positions on each side.

【0017】ダムバー切断完了後、別のロボット18が
半導体装置を搭載したホルダー32を加工テーブル上か
ら取りはずし、搬出ライン19に乗せ次工程のために送
り出す。単一のレーザ源1のレーザビームは切替ユニッ
ト2で分配して供給し、併行的に4つのホルダー32上
の半導体装置9の加工を行うが、この切替ユニットでの
動作を以下説明する。
After dam bar cutting is completed, another robot 18 removes the holder 32 on which the semiconductor device is mounted from the processing table, puts it on the carry-out line 19, and sends it out for the next process. The laser beam from the single laser source 1 is distributed and supplied by the switching unit 2, and the semiconductor devices 9 on the four holders 32 are processed in parallel. The operation of this switching unit will be described below.

【0018】図3(イ)は、加工ユニット2内の切替ミ
ラーを示す図である。チョッパ形式の切替ミラー3A、
3B、3Cは図(ロ)に示すように、円板形状体であ
り、円周方向に全反射部(1)、透過部(0)とを持
つ。図(ロ)では、全反射部(1)は、円周方向の中の
1/4区分(即ち、1/4象限分)を占め、残りが透過
部(0)である。切替ミラー3A、3B、3Cは、単一
のレーザ源1から放出されるレーザビーム6が通過する
光軸方向に直線状に配置してある。即ち、光軸に一致す
るように配置してある。最後尾に、反射ミラーとなるベ
ンディングミラー5を設置する。
FIG. 3A is a view showing a switching mirror in the processing unit 2. Chopper type switching mirror 3A,
3B and 3C, as shown in FIG. 2B, are disk-shaped bodies having a total reflection part (1) and a transmission part (0) in the circumferential direction. In FIG. 2B, the total reflection portion (1) occupies a quarter section (that is, a quarter quadrant) in the circumferential direction, and the remainder is a transmission portion (0). The switching mirrors 3A, 3B and 3C are arranged linearly in the optical axis direction through which the laser beam 6 emitted from the single laser source 1 passes. That is, they are arranged so as to coincide with the optical axis. At the end, a bending mirror 5 serving as a reflection mirror is installed.

【0019】切替ミラー3A、3B、3Cは支持部4
A、4B、4Cで支持されており、この支持部4A、4
B、4Cが、コントローラ8の制御を受けたドライバー
7によって円周方向に回転する。この回転を行うこと
で、レーザビーム6は、切替ミラー3A、3B、3Cの
いずれかの全反射部(1)で次々に反射を受け、レーザ
ビームa、b、cとしてシーケンシャルに分配される。
切替ミラー3A、3B、3Cのいずれもがレーザビーム
に対して透過(即ち透過部が対応していること)であれ
ば、最後尾のベンディングミラー5で反射を受けレーザ
ビームdとして分配される。
The switching mirrors 3A, 3B, 3C are
A, 4B and 4C.
B and 4C are rotated in the circumferential direction by the driver 7 under the control of the controller 8. By performing this rotation, the laser beam 6 is successively reflected by one of the total reflection portions (1) of the switching mirrors 3A, 3B, and 3C, and is sequentially distributed as laser beams a, b, and c.
If all of the switching mirrors 3A, 3B, and 3C transmit the laser beam (that is, the transmitting portions correspond), the laser beam is reflected by the last bending mirror 5 and distributed as the laser beam d.

【0020】このような切替ミラー3A、3B、3Cに
よるレーザビームの分配を達成するためには、切替ミラ
ー3A、3B、3Cの回転方向配置及び回転制御は以下
の如くする。先ず、初期配置としては、図(ロ)に示す
ように、レーザビーム6の通過光軸(これを第1象限と
呼ぶ)上に切替ミラー3Aの全反射部(1)が存在する
ようにし、切替ミラー3Bの全反射部(1)は第4象限
の位置とし、切替ミラー3Cの全反射部(1)は第3象
限の位置としておく。
In order to achieve the distribution of the laser beam by the switching mirrors 3A, 3B and 3C, the rotation direction arrangement and the rotation control of the switching mirrors 3A, 3B and 3C are as follows. First, as an initial arrangement, as shown in FIG. 2B, the total reflection part (1) of the switching mirror 3A is present on the optical axis of the laser beam 6 (this is called the first quadrant). The total reflection portion (1) of the switching mirror 3B is located at the position of the fourth quadrant, and the total reflection portion (1) of the switching mirror 3C is located at the position of the third quadrant.

【0021】(1)、この初期位置のもとでは、レーザ
ビーム6は、切替ミラー3Aの全反射部(1)でのみ全
反射を受け、直角方向のレーザビームaとして放出でき
る。切替ミラー3B、3C、反射ミラー5へのレーザビ
ームの放出はない。 (2)、次に、レーザビームaに代わってレーザビーム
bを放出するには、ドライバー7によって切替ミラー3
A、3B、3Cのすべてを1/4象限分だけ反時計方向
に回転させる。これによって、切替ミラー3Aの全反射
部(1)は第2象限に移動し、切替ミラー3Bの全反射
部(1)は第1象限に移動し、切替ミラー3Cの全反射
部(1)は第4象限に移動する。かくして、切替ミラー
3Aはレーザビーム6を透過させることになり、切替ミ
ラー3Bの全反射部(1)で全反射し、レーザビームb
の放出が可能になる。
(1) Under this initial position, the laser beam 6 undergoes total reflection only at the total reflection portion (1) of the switching mirror 3A, and can be emitted as a laser beam a in a right angle direction. No laser beam is emitted to the switching mirrors 3B, 3C and the reflecting mirror 5. (2) Next, to emit the laser beam b instead of the laser beam a, the driver 7 switches the switching mirror 3
A, 3B, and 3C are all rotated counterclockwise by 1/4 quadrant. Thereby, the total reflection portion (1) of the switching mirror 3A moves to the second quadrant, the total reflection portion (1) of the switching mirror 3B moves to the first quadrant, and the total reflection portion (1) of the switching mirror 3C changes. Move to the fourth quadrant. Thus, the switching mirror 3A transmits the laser beam 6, is totally reflected by the total reflection portion (1) of the switching mirror 3B, and the laser beam b
Can be released.

【0022】(3)、レーザビームbに代わってレーザ
ビームcを放出するには、同様にして、ドライバー7で
1/4象限分各切替ミラー3A、3B、3Cを回転させ
ると、切替ミラー3Cのみがレーザビーム6を全反射す
る位置となりレーザビームcの放出が可能になる。 (4)、最後に更に1/4象限分各切替ミラー3A、3
B、3Cを回転させると、全切替ミラー3A、3B、3
Cは透過状態となり、ベンディングミラー5にレーザビ
ーム6が当り、レーザビームdの放出が可能となる。
(3) In order to emit the laser beam c instead of the laser beam b, similarly, when each of the switching mirrors 3A, 3B and 3C is rotated by 1 / quadrant by the driver 7, the switching mirror 3C Only the position is where the laser beam 6 is totally reflected, and the laser beam c can be emitted. (4) Finally, each switching mirror 3A, 3/4
When B and 3C are rotated, all the switching mirrors 3A, 3B and 3
C is in a transmitting state, the laser beam 6 hits the bending mirror 5, and the laser beam d can be emitted.

【0023】このように、ドライバー7で1/4象限ず
つ切替ミラー3A、3B、3Cを回転させることで、a
→b→c→dなる時分割によるレーザビーム分配が可能
となる。そこで、a、b、c、dの放出方向に4つの生
産ラインの加工テーブルを配置しておくことで、ダムバ
ーの除去が可能になる。また、上記切替シーケンスを繰
り返すことで、4辺のダムバーの除去が達成できる。
As described above, the switching mirrors 3A, 3B, and 3C are rotated by the driver 7 in quarter quadrants, whereby a
Laser beam distribution can be performed in a time division manner of → b → c → d. Therefore, dam bars can be removed by arranging the processing tables of the four production lines in the discharge directions of a, b, c, and d. Further, by repeating the above switching sequence, the removal of the dam bars on the four sides can be achieved.

【0024】QFP形の半導体装置、特に3つの半導体
装置を連結した3連式半導体装置を図4、図5に示す。
図4は、本実施例の加工対象となる樹脂モールド後の3
連式半導体装置の平面図である。3連式半導体装置は、
#1〜#3の3つの半導体装置をリードフレーム部20
で連続した状態の装置である。その全体例を図5に示
す。リードフレーム部20は、半導体部21A、21
B、21Cと各リードフレーム26、30、31より成
り、図4ではこの中で半導体部21Aのみを特に示して
ある。半導体部21A、21B、21Cは、樹脂モール
ドずみであり、本実施例の工程ではダムバー切断に入
り、その後の工程で折り曲げ工程に入るのが一般的であ
る。
FIGS. 4 and 5 show a QFP type semiconductor device, particularly a triple semiconductor device in which three semiconductor devices are connected.
FIG. 4 is a view showing a state after the resin mold to be processed in this embodiment.
FIG. 3 is a plan view of a continuous semiconductor device. The triple type semiconductor device is
The three semiconductor devices # 1 to # 3 are connected to the lead frame unit 20.
In a continuous state. FIG. 5 shows an overall example thereof. The lead frame section 20 includes the semiconductor sections 21A and 21A.
B, 21C and each of the lead frames 26, 30, 31. In FIG. 4, only the semiconductor portion 21A is particularly shown. The semiconductor portions 21A, 21B, and 21C are already resin-molded, and generally start dam bar cutting in the process of the present embodiment and then bend in the subsequent process.

【0025】図4で、各半導体装置#1、#2、#3
は、四角形の半導体部21A、21B、21Cを有し、
且つその4つの各辺から直交する方向にリードフレーム
26、30、31が導出している。これはQFP(4辺
形フラットパッケージ装置)と呼ばれている。#1と#
2、及び#2と#3との間は、孔24、25で区切られ
ている。この3連式の他に、直列に6連構成の6連式、
3連式を並列にした並列6連式などがある。
In FIG. 4, each of the semiconductor devices # 1, # 2, # 3
Has square semiconductor portions 21A, 21B, 21C,
In addition, lead frames 26, 30, and 31 are derived from the four sides in a direction orthogonal to each other. This is called a QFP (quadrilateral flat package device). # 1 and #
2, and # 2 and # 3 are separated by holes 24 and 25. In addition to this three-unit type, a six-unit type with six units in series,
There is a parallel 6-series system in which the triple system is arranged in parallel.

【0026】図4の半導体装置#2は、周囲に樹脂モー
ルドされた半導体部21Aの4辺より、リードフレーム
26A、26B、26C、26Dがその辺に直交する方
向に導出している。各リードフレーム26A、26B、
26C、26Dは、リードフレーム22A、22B、2
2C、22Dと、各リードフレーム本体に直交方向で結
合するダムバー23A、23B、23C、23Dとより
成る。ダムバー23A〜23Dが、半導体部21Aへの
樹脂モールド時の樹脂のリードフレームへの流出の防止
部材となる。
In the semiconductor device # 2 shown in FIG. 4, lead frames 26A, 26B, 26C and 26D are led out from four sides of a semiconductor portion 21A resin-molded therearound in a direction orthogonal to the sides. Each lead frame 26A, 26B,
26C, 26D are the lead frames 22A, 22B, 2
2C and 22D, and dam bars 23A, 23B, 23C and 23D which are connected to the respective lead frame main bodies in the orthogonal direction. The dam bars 23A to 23D serve as members for preventing the resin from flowing into the lead frame when the resin is molded into the semiconductor portion 21A.

【0027】この樹脂封止後に、ダムバー23A〜23
Dを切断し、各リードフレーム本体を電気的に独立した
ものとする。ダムバー23A〜23Dを除去し、且つ周
辺の各辺の不要リードフレーム部材を除去した様子を図
6に示す。これは図4の点線部27に示した部分に相当
する。除去したダムバー23A〜23Dの様子を図6で
は点線で示してある。
After the resin sealing, the dam bars 23A to 23A
D is cut to make each lead frame body electrically independent. FIG. 6 shows a state in which the dam bars 23A to 23D have been removed and unnecessary lead frame members on the peripheral sides have been removed. This corresponds to the portion shown by the dotted line portion 27 in FIG. The removed dam bars 23A to 23D are shown by dotted lines in FIG.

【0028】1つの加工テーブル10へのホルダー32
の搭載を説明する。加工テーブル10は、図2に示した
ように、作業ライン上に設けられており、ロボット16
でライン上のホルダー32をこの加工テーブル10上に
載せた上でテーブル上に固定する。半導体装置9をライ
ン上に直接に載せたり、テーブル上に直接に載せたりす
ることは、半導体装置自体を傷つけたりするため好まし
くない。また、テーブル10上での加工時の損傷も考え
られる。そこで、半導体装置9をホルダー32に載せて
固定し、このホルダー32をライン上に載せて送り、ロ
ボット16がホルダー32を把持し、加工テーブル10
に載せた上でテーブル上にチャック等で固定し、その上
で半導体装置のダムバー除去をはかる。
Holder 32 to one processing table 10
The mounting of will be described. The processing table 10 is provided on a work line as shown in FIG.
Then, the holder 32 on the line is placed on the processing table 10 and fixed on the table. Placing the semiconductor device 9 directly on a line or directly on a table is not preferable because it damages the semiconductor device itself. Further, damage during processing on the table 10 is also conceivable. Therefore, the semiconductor device 9 is mounted on the holder 32 and fixed, and the holder 32 is mounted on a line and sent. The robot 16 grasps the holder 32 and the processing table 10.
And fix it on a table with a chuck or the like, and then remove the dam bar of the semiconductor device.

【0029】図7には、半導体装置を固定した1つのホ
ルダー32の例を示す。ホルダー32には、3個の3連
式半導体装置(図5)36A、36B、36Cを搭載し
て固定してある。図面上では、複雑化をさけるためにダ
ムバー等は省略してあるが、加工前にあってはダムバー
は当然に存在する。各3連式半導体装置36A、36
B、36Cはそれぞれ固定枠34に保持されたものであ
り、この固定枠34がホルダー32のベース33に固定
される。各ベース33の4つの隅には、固定ピン35を
設けて、この固定ピンで多連式半導体装置36A〜36
Cをベース33に固定してある。
FIG. 7 shows an example of one holder 32 to which a semiconductor device is fixed. On the holder 32, three triple semiconductor devices (FIG. 5) 36A, 36B, 36C are mounted and fixed. In the drawings, dam bars and the like are omitted to avoid complication, but the dam bars naturally exist before processing. Each triple type semiconductor device 36A, 36
B and 36C are respectively held by a fixed frame 34, and the fixed frame 34 is fixed to the base 33 of the holder 32. At each of the four corners of each base 33, fixing pins 35 are provided, and the fixing pins are used to connect the multiple semiconductor devices 36A to 36A.
C is fixed to the base 33.

【0030】ホルダー32を固定した加工テーブル10
は、その水平面の座標系x−y上で、x及びy方向に移
動可能であり、且つこの座標系内での回転も可能になっ
ている。これはテーブル10の駆動系(後述の図1)で
行う。更に、図7の紙面に垂直(即ち、Z軸方向)にも
動けるようになっている。これらの移動及び回転は、レ
ーザビームを目的とするダムバーに位置決めするために
必要な動作である。
Processing table 10 to which holder 32 is fixed
Is movable in the x and y directions on a horizontal coordinate system xy, and is also rotatable in this coordinate system. This is performed by the drive system of the table 10 (FIG. 1 described later). Further, it can also be moved perpendicularly to the paper surface of FIG. 7 (that is, in the Z-axis direction). These movements and rotations are necessary operations for positioning the laser beam on a target dam bar.

【0031】図7のホルダー32は、1つの加工テーブ
ル10に固定されるものであるが、1つの加工テーブル
10には、1つのレーザビームが照射されるものであ
り、且つそのレーザビームの照射位置は固定としてい
る。従って、図7に示す如き9個の半導体装置のダムバ
ーを除去するには、ホルダー自体を動かすこと、即ちホ
ルダー32を固定したテーブルを移動することが必要と
なる。こうした、レーザビームを所定のダムバー位置に
合わせるために、x、y方向への移動及び回転、及びz
方向への移動(z方向は、レーザビームとダムバーとの
間の距離調整)が必要となる。
The holder 32 shown in FIG. 7 is fixed to one processing table 10. One processing table 10 is irradiated with one laser beam, and the irradiation of the laser beam is performed. The position is fixed. Therefore, to remove the dam bars of the nine semiconductor devices as shown in FIG. 7, it is necessary to move the holder itself, that is, to move the table on which the holder 32 is fixed. To move the laser beam to a predetermined dam bar position, the movement and rotation in the x and y directions and z
A movement in the direction (adjustment of the distance between the laser beam and the dam bar in the z direction) is required.

【0032】図1は、加工テーブル10の実施例図であ
る。加工テーブル10は、x駆動軸10A、y駆動軸1
0B、回転駆動軸(但し、図では回転テーブルをもって
便宜的に示しているが、本来的には回転駆動軸とはこの
回転部を回転させる軸を云う)10Cの3つの駆動軸で
x、y及び回転(z軸まわりの回転)がなされるように
なっている。この他に、z軸方向の駆動軸もあるが省略
してある。回転駆動軸の円形テーブル100上にホルダ
ー32が搭載されチャックされ固定される。各駆動軸1
0A、10B、10Cはそれぞれ独立に駆動可能になっ
ている。x駆動軸10Aが、各辺の一連の連続するダム
バーを除去するための加工経路を与える。この経路は、
一連のダムバーの中央位置に沿う経路であり、この移動
中にあっては、x駆動軸10Aは等速移動を行う。等速
移動を行うことで、ダムバーのピッチの出現が等時間間
隔となり、その等時間間隔でレーザビームを照射するこ
とで、ダムバーのみを確実に除去する。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the processing table 10. The processing table 10 has an x drive shaft 10A, a y drive shaft 1
0B, three drive shafts 10C of the rotary drive shaft 10C (however, in the figure, a rotary table is shown for convenience for convenience, but the rotary drive shaft is originally referred to as a shaft for rotating this rotary unit). And rotation (rotation about the z-axis). In addition, there is a drive axis in the z-axis direction, but it is omitted. The holder 32 is mounted on the circular table 100 of the rotary drive shaft, chucked and fixed. Each drive shaft 1
0A, 10B, and 10C can be independently driven. The x drive shaft 10A provides a machining path for removing a series of successive dam bars on each side. This route is
This is a path along the center position of a series of dam bars. During this movement, the x drive shaft 10A moves at a constant speed. By performing the movement at a constant speed, the appearance of the pitch of the dam bar becomes an equal time interval. By irradiating the laser beam at the equal time interval, only the dam bar is reliably removed.

【0033】一方、y駆動軸10B、及び回転駆動軸1
0Cは、各辺の一連のダムバー加工のための先頭ダムバ
ーへの位置決めのための駆動軸として使う。勿論、先頭
ダムバーへの位置決めは、x駆動軸10Aを併せて利用
してもよいが、x駆動軸10Aの主要な機能は、ダムバ
ー切断のための加工経路の設定である。
On the other hand, the y drive shaft 10B and the rotary drive shaft 1
0C is used as a drive shaft for positioning on the leading dam bar for processing a series of dam bars on each side. Of course, the positioning to the leading dam bar may be performed using the x drive shaft 10A, but the main function of the x drive shaft 10A is to set a machining path for dam bar cutting.

【0034】図8は、図7に示した1つのホルダー32
に3連式が3組搭載されている際の加工制御のための移
動経路を説明する図である。横方向をx軸、縦方向をy
軸とし、x軸方向の移動はx駆動軸10Aで行い、y軸
方向の移動はy駆動軸10Bで行う。ホルダー32の回
転(90゜回転)は、回転駆動軸10Cで行う。図で、
a→b→…→k→mまでの経路R1が辺Q1とQ3とを
加工するための移動経路、a′→…→m′までの経路R
2が辺Q2とQ4とを加工するための移動経路である。
ここで、当然のことながら、レーザ光は必ず固定位置に
照射されるものであり、レーザ光の光路は固定であり、
上記経路R1、R2を移動するとは、テーブル10を移動
させること、即ち、駆動軸10A、10B、10Cを駆
動することで実現する。
FIG. 8 shows one holder 32 shown in FIG.
FIG. 6 is a diagram for explaining a movement path for processing control when three sets of three triples are mounted on the cradle. X-axis in horizontal direction, y in vertical direction
The movement in the x-axis direction is performed by the x drive shaft 10A, and the movement in the y-axis direction is performed by the y drive shaft 10B. The rotation (90 ° rotation) of the holder 32 is performed by the rotation drive shaft 10C. In the figure,
a → b → ... → k → movement path for the route R 1 to m are processed and edges Q1 and Q3, route R to a '→ ... → m'
2 is a moving path for processing the edges Q2 and Q4.
Here, needless to say, the laser light is always applied to the fixed position, and the optical path of the laser light is fixed,
Moving the paths R 1 and R 2 is realized by moving the table 10, that is, by driving the drive shafts 10A, 10B and 10C.

【0035】図8において経路R1について、位置a〜
mは、以下のように設定する。 位置a…(x1、y1)、位置b…(x2、y1) 位置c…(x2、y2)、位置d…(x1、y2) 位置e…(x1、y3)、位置f…(x2、y3) 位置g…(x2、y4)、位置h…(x1、y4) 位置i…(x1、y5)、位置j…(x2、y5) 位置k…(x2、y6)、位置m…(x1、y6) これらのa〜mの位置の中で、a、c、e、g、i、k
がダムバー加工のための先頭位置となる。このa、c、
e、g、i、kへの位置決めは、y駆動軸10Bのみ、
又はy駆動軸10Bとx駆動軸10Aとの組合せで実現
できる。更に、b、d、f、h、j、mがダムバー加工
後の停止位置であり、これから駆動軸10B、又は10
Bと10Aとを利用することで上記先頭位置c、e、
g、i、kへの位置決めが行える。
In FIG. 8, for the route R 1 , the positions a to
m is set as follows. Position a ... (x 1, y 1 ), position b ... (x 2, y 1 ) position c ... (x 2, y 2 ), position d ... (x 1, y 2 ) position e ... (x 1, y 3), the position f ... (x 2, y 3 ) position g ... (x 2, y 4 ), the position h ... (x 1, y 4 ) located i ... (x 1, y 5 ), the position j ... (x 2 , y 5 ) Position k (x 2 , y 6 ), Position m (x 1 , y 6 ) Among these a to m, a, c, e, g, i, k
Is the top position for dam bar processing. This a, c,
Positioning to e, g, i, k is performed only on the y drive shaft 10B.
Alternatively, it can be realized by a combination of the y drive shaft 10B and the x drive shaft 10A. Further, b, d, f, h, j, and m are stop positions after dam bar processing, and the drive shaft 10B or 10
By using B and 10A, the head positions c, e,
Positioning to g, i, and k can be performed.

【0036】一方、a→b、c→d、e→f、g→h、
i→j、k→mの各経路が加工経路である。この加工経
路を与えるのがx駆動軸10Aである。この加工経路中
にあっては、x駆動軸10Aのみが作動し、y駆動軸1
0B及び回転駆動軸10Cは作動しない。このx駆動軸
10Aを作動させることで、加工経路が形成され、ダム
バーの出現位置に同期してレーザ光を照射することで、
その加工経路上に存在する一連のダムバーを除去する。
On the other hand, a → b, c → d, e → f, g → h,
Each path i → j, k → m is a processing path. The x drive shaft 10A provides this machining path. During this machining path, only the x drive shaft 10A operates and the y drive shaft 1
0B and the rotary drive shaft 10C do not operate. By operating the x drive shaft 10A, a machining path is formed, and by irradiating a laser beam in synchronization with the appearance position of the dam bar,
A series of dam bars existing on the machining path are removed.

【0037】一方、a′→m′に至る移動経路は、辺Q
2、Q4のダムバー加工に利用する経路である。この経
路に従って辺Q2、Q4のダムバーを加工するために
は、y駆動軸10Bを作動させることで可能であるが、
そのためには、y駆動軸10Bもx駆動軸10Aと同じ
様な機能をもたせる必要がある。しかし、R1での加工
経路を達成するためには、x駆動軸10Aはダムバー出
現位置を正確な時間タイミングで通過してゆくような高
精度の駆動系で制御することが必要であり、こうした機
能をもy駆動軸に持たせることが必要となる。しかしホ
ルダー32の90゜回転を行う回転駆動軸10Cを使え
ば、x駆動軸10Aによって経路R2上での加工経路を
与えることが可能であり、y駆動軸10Bを加工経路の
形成に利用することは不要となる。
On the other hand, the moving route from a 'to m'
2. This route is used for dam bar processing of Q4. In order to machine the dam bars on the sides Q2 and Q4 according to this route, it is possible to operate the y drive shaft 10B.
For that purpose, the y drive shaft 10B needs to have the same function as the x drive shaft 10A. However, in order to achieve a machining path by R 1, x drive shaft 10A is necessary to control with high precision of the drive system, such as slide into passing the dam bars appearing position at the correct time timing, these It is necessary that the y drive shaft also has a function. But With rotary drive shaft 10C which performs 90 ° rotation of the holder 32, it is possible to provide a machining path on the route R 2 by the x drive shaft 10A, utilizing the y drive shaft 10B to form the machining path It becomes unnecessary.

【0038】そのために、図8において、Q1、Q3の
加工のための最後の終了点mに至った時点で、回転駆動
軸10Cによって反時計まわりにホルダー32を90゜
回転する。この90゜回転によって、レーザ光の光路は
結果的にa′の位置に移る。そして、この位置からのQ
2、Q4とのダムバー加工経路は、x駆動軸10Aのみ
の移動によって形成でき、Q2、Q4とのダムバー加工
経路は、x駆動軸10Aのみの移動によって形成でき、
Q2、Q4のダムバーが経路R2に従って除去できる。
For this purpose, in FIG. 8, when the final end point m for machining Q1 and Q3 is reached, the holder 32 is rotated counterclockwise by 90 ° by the rotary drive shaft 10C. Due to this 90 ° rotation, the optical path of the laser light is eventually shifted to the position a ′. And Q from this position
2, the dam bar machining path with Q4 can be formed by moving only the x drive shaft 10A, the dam bar machining path with Q2, Q4 can be formed by moving only the x drive shaft 10A,
Dam bars of Q2, Q4 can be removed according to the route R 2.

【0039】以上の経路R1、及び90゜回転の反時計
まわりの回転、経路R2の様子を図9に示す。図9
(イ)が経路R1のもとでの加工(長手方向の加工)時
のホルダー32の配置、図9(ロ)が90゜の反時計ま
わりの回転の様子、図9(ハ)がその90゜回転後にあ
っての経路R2のもとでの加工(幅方向の加工)時のホ
ルダー32の配置を示す。
FIG. 9 shows the path R 1 , the counterclockwise rotation of 90 °, and the path R 2 . FIG.
Arrangement of the holder 32 when the processing of (b) is under the path R 1 (longitudinal direction of the processing), 9 (b) a state of rotating counterclockwise 90 °, Fig. 9 (c) is its shows the arrangement of the holder 32 when the processing (the processing in the width direction) in the original path R 2 which are in the later 90 ° rotation.

【0040】加工経路にあっては、x駆動軸10Aのみ
を作動させるが、この際、y駆動軸10B、回転駆動軸
10Cは作動させない。この作動させないことと併せ
て、加工経路中にあってはy駆動軸10B、回転駆動軸
10Cが微動しないように機械的又は電気的な拘束を行
っておく。機械的な拘束法としては、駆動軸10B、1
0Cや各軸で駆動される移動台を、機械的に押さえた
り、ストッパーで動かないようにしたりするやり方があ
る。また、機械的な方法は、固定部にピストンを埋込ん
でおき、必要な時、ピストンを突出させて可動部を拘束
する方法が簡単かつ確実である。また、モータ軸を電磁
クラッチで固定するとか、逆にモータ軸に半割りのクラ
ンプ治具を、可動中はマグネットで強制的に開き軸の回
転を可能にし、拘束時及び使用しない時にはマグネット
の電気を切るとバネ力によって自動的に拘束されるよう
な構造もある。電気的な拘束法としては、例えば駆動軸
10B、10Cの移動台が動かないように拘束させるべ
く、モータの端子間を短絡することによりモータの回転
軸を固定するというやり方、または同一位置に保持する
ように位置制御するやり方もある。
In the machining path, only the x drive shaft 10A is operated, but at this time, the y drive shaft 10B and the rotary drive shaft 10C are not operated. In addition to this non-operation, mechanical or electrical restraint is performed so that the y drive shaft 10B and the rotary drive shaft 10C do not slightly move during the machining path. As the mechanical restraining method, the drive shaft 10B, 1
There is a method of mechanically pressing a movable table driven by 0C or each axis or preventing a movable table from being moved by a stopper. The mechanical method is simple and reliable in that a piston is embedded in a fixed portion and the movable portion is restrained by protruding the piston when necessary. Also, the motor shaft can be fixed with an electromagnetic clutch, or conversely, a clamp jig that is half-split on the motor shaft can be forcibly opened with a magnet while moving and the shaft can be rotated. There is also a structure that is automatically restrained by the spring force when it is cut. As an electrical restraining method, for example, in order to restrain the moving base of the drive shafts 10B and 10C from moving, a method of fixing the rotating shaft of the motor by short-circuiting the terminals of the motor, or holding the motor at the same position There is also a way to control the position so that

【0041】図10は、x駆動軸10Aのタイムシーケ
ンスを示す図である。図(イ)がx駆動軸10Aの速度
シーケンスであり、区間1が加工経路の開始位置(図9
のa、c等を指す)にテーブル10が存在している状態
を示し、この区間1ではx駆動軸10Aは停止状態であ
る。この状態から区間2でx駆動軸10Aは駆動開始さ
れ、区間3で加速され、区間4、5を経て減速し、定速
区間6に至る。定速区間は区間6〜8までである。この
定速移動区間が実際にダムバーを加工するための区間と
なる。
FIG. 10 is a diagram showing a time sequence of the x drive axis 10A. FIG. 9A shows the speed sequence of the x drive shaft 10A, and the section 1 is the start position of the machining path (FIG. 9).
(A, c, etc. of FIG. 1) shows a state in which the table 10 is present. In this section 1, the x drive shaft 10A is in a stopped state. From this state, the x drive shaft 10A starts driving in section 2, accelerates in section 3, decelerates through sections 4 and 5, and reaches constant speed section 6. The constant speed section is from section 6 to section 8. This constant speed moving section is a section for actually processing the dam bar.

【0042】即ち、区間1〜5までによってx駆動軸1
0Aで駆動されたテーブルは図8の位置aから実際のダ
ムバーの存在位置P1(先頭ダムバー位置相当)まで移
動する。この位置からは、リードフレームピッチは一定
でありダムバーはそのピッチで定まる位置毎に出現す
る。そこで、先頭ダムバー位置からは、その移動速度と
ピッチとで定まる定周期でレーザを照射し、ダムバーを
次々に除去する。位置aから位置bまでには、3つのダ
ムバー存在辺があり、第1の辺と第2の辺との間P2
第2の辺と第3の辺との間P3には、それぞれのダムバ
ーの存在しない個所がある。従って、この辺と辺とを結
ぶダムバーの存在しない個所(位置とその長さ)P2
3を事前にデータ化しておくことで、その間でのレー
ザ照射は行わなくする。
That is, the x drive shaft 1 is defined by the sections 1 to 5.
The table driven at 0A moves from the position a in FIG. 8 to the actual dam bar existing position P 1 (corresponding to the head dam bar position). From this position, the lead frame pitch is constant, and the dam bar appears at each position determined by the pitch. Therefore, a laser beam is radiated from the leading dam bar position at a fixed period determined by the moving speed and the pitch, and the dam bars are removed one after another. From position a to position b, there are three dam bar existing sides, P 2 between the first side and the second side,
The between P 3 and a second side and the third side, there is a nonexistent location of each dam bar. Therefore, a portion (position and length) P 2 where a dam bar connecting these sides does not exist,
By converting P 3 into data in advance, laser irradiation during that period is not performed.

【0043】区間9〜11までが最後の3つ目の辺のダ
ムバー除去完了から、x駆動軸10Aの停止までの区間
4を示す。この区間では、定速度から減速し、やがて
速度0となって停止する。区間12が停止状態を示す。
この停止位置は、例えば図8の位置bとなる。ついで、
b→cへの移動がなされ、位置cからdまでは、図10
(イ)の如き速度パターンでx駆動軸10Aが動く。
[0043] From until section 9 to 11 dam bar removal completion of the last third of the sides, showing a section P 4 to the stop of x driving shaft 10A. In this section, the vehicle decelerates from the constant speed, and eventually reaches the speed 0 and stops. Section 12 shows the stopped state.
This stop position is, for example, a position b in FIG. Then
The movement from b to c is performed, and from position c to d, FIG.
The x drive shaft 10A moves in a speed pattern as shown in FIG.

【0044】図10(ロ)は、x駆動軸10Aの加速度
のパターンであり、図10(ハ)はバックラッシュパタ
ーン、図10(ニ)はダムバー加工タイミング区間を示
す。図10(ニ)の加工タイミング区間が定速度移動区
間である。この区間中、バックラッシュは一定であり位
置決めに誤差として悪影響を与えることはない。
FIG. 10B shows an acceleration pattern of the x drive shaft 10A, FIG. 10C shows a backlash pattern, and FIG. 10D shows a dam bar machining timing section. The machining timing section in FIG. 10D is the constant speed movement section. During this interval, the backlash is constant and does not adversely affect positioning.

【0045】以上は1つのホルダー32の全ダムバーを
除去する例である。このようにした場合での4つのライ
ン1〜4に対する加工シーケンスを図11に示す。先ず
ライン1について、ホルダー32A(各ラインのホルダ
ー32を32A〜32Dと表記する)上の3×3個の半
導体装置の全ダムバーをa→m、a′→m′の移動経路
を利用して除去する(F1)。これは図8に示した通り
である。このライン1の加工中にライン2についてホル
ダー32Bのテーブルへの搭載及びチャックによる固
定、及びテーブルの位置決めを行う。次にライン2のダ
ムバー除去のために、切替ミラーの切替えを行ってライ
ン2のダムバー除去用にレーザビーム経路を切替える
(図2、図3)。そして、図8に示したやり方によって
このホルダー32B上の3×3個の半導体装置の全ダム
バー除去を行う(F2)。以後同じようなシーケンスで
ライン3、4の半導体装置のダムバー除去を行う(F
3、F4)。4つのライン1〜4が終了すると、再びラ
イン1に戻る。
The above is an example in which all the dam bars of one holder 32 are removed. FIG. 11 shows a processing sequence for the four lines 1 to 4 in such a case. First, for the line 1, all the dam bars of the 3 × 3 semiconductor devices on the holders 32A (the holders 32 of each line are described as 32A to 32D) are moved by using the moving path of a → m and a ′ → m ′. It is removed (F1). This is as shown in FIG. During the processing of the line 1, the line 2 is mounted on the table of the holder 32B, fixed by the chuck, and positioned. Next, in order to remove the dam bar of the line 2, the switching mirror is switched to switch the laser beam path for removing the dam bar of the line 2 (FIGS. 2 and 3). Then, all the dam bars of the 3 × 3 semiconductor devices on the holder 32B are removed by the method shown in FIG. 8 (F2). Thereafter, dam bars are removed from the semiconductor devices on lines 3 and 4 in a similar sequence (F
3, F4). When the four lines 1 to 4 are completed, the process returns to line 1 again.

【0046】4つのラインに対する他の移動及び加工の
シーケンスには、ライン1の一部のダムバー除去→ライ
ン2の一部のダムバー除去→ライン3の一部のダムバー
除去→ライン4の一部のダムバー除去を→ライン1の一
部のダムバー除去→ライン2の一部のダムバー除去→…
という具合いの除去法もある。この例を図12(イ)〜
(ト)′に示す。
Other movement and machining sequences for the four lines include removal of some of the dam bars on line 1 → removal of some of the dam bars on line 2 → removal of some of the dam bars on line 3 → removal of some of the lines on line 4. Dambar removal → removal of some dambars on line 1 → removal of some dambars on line 2 → ...
There is also a removal method. This example is shown in FIGS.
(G) '.

【0047】(イ)、先ず、ホルダー32Aに属する半
導体装置36Aの第1辺Q1(図7参照)の先頭ダムバ
ーにレーザビームaが照射できるように加工テーブル1
0を位置決めする。この位置決めと併せて、切替ミラー
3Aからレーザビームaが照射できるように切替ミラー
3A〜3Cをドライバ7で制御する。この直後にホルダ
ー32Aを載せたテーブル10をx方向に移動させ、先
頭ダムバーを含む一連のダムバーに対して、次々にレー
ザビームaを照射してダムバーの除去をはかる。ここ
で、一連のダムバーとは、図7に示す3連式半導体装置
36Aの#1、#2、#3を通じての第1辺Q1であ
る。ここで、リードフレームピッチ(又はダムバーピッ
チ)が規定されており、且つ#1と#2との間のQ1間
のスペース距離、#2と#3との間のQ1間のスペース
距離もわかっており、且つテーブルのx方向の移動速度
もわかっててることから、レーザビームを励起するタイ
ミングも自動的に決定できる。この決定処理は、コンピ
ュータ(図示せず)で行う。
(A) First, the processing table 1 is set so that the first dam bar of the first side Q1 (see FIG. 7) of the semiconductor device 36A belonging to the holder 32A can be irradiated with the laser beam a.
Position 0. In conjunction with this positioning, the driver 7 controls the switching mirrors 3A to 3C so that the laser beam a can be emitted from the switching mirror 3A. Immediately after this, the table 10 on which the holder 32A is placed is moved in the x direction, and a series of dam bars including the leading dam bar are successively irradiated with the laser beam a to remove the dam bars. Here, the series of dam bars is the first side Q1 through # 1, # 2, and # 3 of the triple semiconductor device 36A shown in FIG. Here, the lead frame pitch (or dam bar pitch) is defined, and the space distance between Q1 between # 1 and # 2 and the space distance between Q1 between # 2 and # 3 are also known. Since the moving speed of the table in the x direction is also known, the timing for exciting the laser beam can be automatically determined. This determination process is performed by a computer (not shown).

【0048】以上の動作中に、次のホルダー32Bに属
する半導体装置36Aの第1辺Q1の先頭ダムバーにレ
ーザビームbが照射可能なようにこのホルダー32Bを
指示する加工テーブル10の位置決めを行う。この位置
決め完了後、ホルダー32Aの第1辺Q1のすべてのダ
ムバーの除去完了を待って、切替ミラー3Bからレーザ
ビームbが照射可能なように切替ミラー3A〜3Bをド
ライバー7で制御する。切替ミラー3A〜3Bの制御が
完了した後で、ホルダー32Bを支持する加工テーブル
10をx方向に移動させて、先頭ダムバーを含む一連の
ホルダー32Bに所属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の除去を、レーザビームbをダムバー対応に照射する
ことで行う。
During the above operation, the processing table 10 for pointing the holder 32B is positioned so that the laser beam b can be irradiated on the first dam bar of the first side Q1 of the semiconductor device 36A belonging to the next holder 32B. After the completion of the positioning, the removal of all the dam bars on the first side Q1 of the holder 32A is waited, and the switching mirrors 3A to 3B are controlled by the driver 7 so that the switching mirror 3B can emit the laser beam b. After the control of the switching mirrors 3A to 3B is completed, the processing table 10 supporting the holder 32B is moved in the x direction, and the first side Q of the semiconductor device 36A belonging to the series of holders 32B including the top dam bar is moved.
The removal of 1 is performed by irradiating the laser beam b corresponding to the dam bar.

【0049】同様にして、この動作中にホルダー32C
に属する半導体装置36Aに対して位置決めを行い、更
にホルダー32Bに属する半導体装置36Aの全ダムバ
ー除去後に切替ミラー3A〜3Cを切替て、レーザビー
ムCが放出できるようにする。そして、ホルダー32C
に属する半導体装置36Aの第1辺Q1のダムバー除去
をはかる。ホルダー32Dについても同様である。
Similarly, during this operation, the holder 32C
And the switching mirrors 3A to 3C are switched after all the dam bars of the semiconductor device 36A belonging to the holder 32B are removed so that the laser beam C can be emitted. And holder 32C
Of the first side Q1 of the semiconductor device 36A belonging to. The same applies to the holder 32D.

【0050】この一連の動作により、ホルダー32A〜
32Dのそれぞれに属する半導体装置36Aの第1辺Q
1の全ダムバーの除去がなされる。
By this series of operations, holders 32A-32
32D. First side Q of semiconductor device 36A belonging to each of 32D
One removal of all dam bars is performed.

【0051】(ロ)、次にホルダー32Aの移動に移る
が、(イ)でのホルダー32Aのダムバー除去以後から
ホルダー32Dのダムバー除去完了までには相当の空き
時間がある。そこで、この空き時間を利用して、ホルダ
ー32Aの属する加工テーブルをy方向に移動して、こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺Q
3にレーザビームaが照射可能なような位置決めを行
う。同様にしてホルダー32B、32C、32Dのそれ
ぞれも、それぞれで定まる空き時間を利用して位置決め
を行う。従って、図では、32A〜32Dで同時にy方
向に移動するようにみえるが、32A→32B→32C
→32Dの順にy方向移動と位置合わせがなされること
になる。
(B) Next, the process moves to the movement of the holder 32A. There is a considerable free time after the removal of the dam bar of the holder 32A in (a) until the removal of the dam bar of the holder 32D. Therefore, by utilizing the vacant time, the processing table to which the holder 32A belongs is moved in the y direction, and the third side Q of the semiconductor device 36A to which the holder 32A belongs is moved.
3 is positioned so that the laser beam a can be irradiated. Similarly, each of the holders 32B, 32C, and 32D performs positioning by using the idle time determined respectively. Therefore, in the figure, it seems that the light beams move simultaneously in the y direction at 32A to 32D, but they move at 32A → 32B → 32C.
→ The movement in the y direction and the positioning are performed in the order of 32D.

【0052】(ハ)、ホルダー32Aの半導体装置36
Aの第3辺Q3のダムバーの加工を行う。この加工には
テーブルの移動、レーザビームaの切断ダムバー出現毎
の照射が必要であり、(イ)で説明した通りである。こ
のホルダー32Aに属する半導体装置36Aの第3辺の
全ダムバー切断完後、レーザビームaに代わってレーザ
ビームbの選択が行われ、以後、ホルダー32Dに属す
る半導体装置36Aの第3辺Q3の全ダムバー切断が
(イ)と同様に行われる。
(C) The semiconductor device 36 of the holder 32A
The dam bar on the third side Q3 of A is processed. This processing requires movement of the table and irradiation of the laser beam a each time the cutting dam bar appears, as described in (a). After the cutting of all dam bars on the third side of the semiconductor device 36A belonging to the holder 32A is completed, a laser beam b is selected instead of the laser beam a, and thereafter, all the third sides Q3 of the semiconductor device 36A belonging to the holder 32D are removed. Dam bar cutting is performed in the same manner as in (a).

【0053】(ハ)′、以上は、半導体装置36Aの第
1辺Q1、第3辺Q3の切断であったが、半導体装置3
6B、36Cについても(イ)〜(ハ)が繰り返され
る。即ち、半導体装置36Aでの(ハ)の動作完了後
に、適当な空白時間を利用してy方向移動が行われ、半
導体装置36Bの第1辺Q1になるような位置決めを行
い、そして(イ)に従って加工し、次に(ロ)に従って
y方向に移動し第3辺Q3になるように位置決めし
(ハ)に従って加工する。これを半導体装置36Cにつ
いても行う。
(C) ′ The above is the cutting of the first side Q1 and the third side Q3 of the semiconductor device 36A.
(B) to (C) are repeated for 6B and 36C. That is, after the operation (c) in the semiconductor device 36A is completed, the semiconductor device 36B is moved in the y direction by using an appropriate blank time, and is positioned so as to be the first side Q1 of the semiconductor device 36B. Then, it is moved in the y-direction according to (b) and positioned so as to be the third side Q3, and is processed according to (c). This is also performed for the semiconductor device 36C.

【0054】以上の(イ)〜(ハ)′を行うことで、3
6A〜36Cの第1辺Q1、第3辺Q3の全てのダムバ
ーの除去がなされる。
By performing the above (a) to (c) ′, 3
All dam bars on the first side Q1 and the third side Q3 of 6A to 36C are removed.

【0055】(ニ)、次に、ホルダー32を90゜回転
させる。これにより、レーザビームaに対してホルダー
32Aの半導体装置36Aの第2辺Q2がダムバー加工
対象となる。そして、第2辺Q2の先頭ダムバーがレー
ザビームaの照射位置になるように位置決めを行う。こ
のホルダー32Aの90゜回転及び先頭ダムバーの位置
決めは、他のホルダー32B、32C、32Dでのダム
バー加工中の空き時間に行う。従って、この場合でも3
2A→32B→32C→32Dの順に90゜回転及び位
置決めが、それぞれの空き時間を利用して行われる。
(D) Next, the holder 32 is rotated by 90 °. As a result, the second side Q2 of the semiconductor device 36A of the holder 32A with respect to the laser beam a is subjected to dam bar processing. Then, positioning is performed such that the head dam bar on the second side Q2 is at the irradiation position of the laser beam a. This 90 ° rotation of the holder 32A and the positioning of the leading dam bar are performed during idle time during dam bar processing in the other holders 32B, 32C and 32D. Therefore, even in this case, 3
Rotation and positioning by 90 ° in the order of 2A → 32B → 32C → 32D are performed using the respective idle times.

【0056】(ホ)、(ヘ)、(ト)この動作は、Q2
とQ4についての動作であり、(イ)〜(ハ)と同じ様
な動作である。 (ト)′、この(ホ)〜(ト)は半導体装置36AのQ
2、Q4の例であり、半導体装置36B、36Cについ
ても(ホ)〜(ト)を繰り返す。
(E), (f), (g) This operation is performed in Q2
And Q4, which are the same operations as (a) to (c). (G) ′, (e) to (g) indicate the Q of the semiconductor device 36A.
2, Q4, and (E) to (G) are repeated for the semiconductor devices 36B and 36C.

【0057】かくして、3連式の半導体装置を搭載した
ホルダー32A〜32Dの全ての辺Q1、Q2、Q3、
Q4のダムバーの除去がなされる。
Thus, all sides Q1, Q2, Q3, and Q3 of the holders 32A to 32D on which the triple semiconductor device is mounted
The dam bar of Q4 is removed.

【0058】これらの(イ)〜(ト)′の一連の動作の
過程にあって、ホルダー32A→32B→32C→32
Dの順に次々にダムバー除去が可能となる。そこで、ホ
ルダー32Aのダムバー除去が完了すると、空き時間を
利用してロボット18がこのホルダー32Aをテーブル
10からはずして、送給ライン19へ送り、次工程へと
運ばせる。一方、新しいホルダーが受給ライン1に送ら
れてきていることから、この新しいホルダーをロボット
16が把持して加工テーブル10上に搭載固定する。同
様に、32B、32C、32Dについてもダムバー除去
後は、送りだし、新しいホルダーにとって代わる。
In the course of the series of operations (a) to (g) ', the holders 32A → 32B → 32C → 32
Dam bars can be removed one after another in the order of D. Therefore, when the removal of the dam bar from the holder 32A is completed, the robot 18 removes the holder 32A from the table 10 using the idle time, sends the holder 32A to the feed line 19, and transports it to the next process. On the other hand, since a new holder has been sent to the receiving line 1, the new holder is gripped by the robot 16 and mounted and fixed on the processing table 10. Similarly, 32B, 32C, and 32D are sent out after the dam bar is removed and replaced with a new holder.

【0059】このようにして、4つのライン1〜4に運
ばれてくる半導体装置を搭載したホルダーは、次々に加
工テーブルに載せられて加工されてゆく。そして、この
間、単一のレーザビームを時分割で分配し、ダムバーの
時分割除去を行う。この間にあっては、他のホルダー作
業中、それ以外のホルダーの移動や回転を空時間を利用
して行うことにしているため、時分割のレーザ分配の効
率的な運用と、複数作業ラインの同時加工的な作業が行
えることになった。
In this way, the holders on which the semiconductor devices carried on the four lines 1 to 4 are mounted on the processing table one after another and processed. During this time, a single laser beam is distributed in a time-division manner, and the dam bar is removed in a time-division manner. In the meantime, during the work on other holders, the other holders are moved and rotated using idle time, so that efficient operation of time-division laser distribution and simultaneous operation of multiple work lines are performed. Processing work can be done.

【0060】図13は、本実施例の制御装置の実施例図
である。ホストコンピュータ50は、加工ライン及びミ
ラー切替、レーザ励起の各制御を統括するコンピュータ
であり、図3のコントローラ8に相当する。このコンピ
ュータ50には、図12の如き移動モードによる移動軌
跡を記憶するメモリを持ち、このメモリの内容に従っ
て、加工ライン制御系51、ミラー制御系52は、レー
ザ制御系53によりライン、ミラー、レーザの各制御を
行う。ここで、加工ライン制御系51とは、ライン1〜
4におけるロボット16によるホルダーの把持、テーブ
ルへの搭載と固定、テーブルの移動及び回転、ダムバー
除去後のロボット18によるホルダーの排出の各制御を
行うものである。ミラー制御系52とは、図3のドライ
バ7を含むものであり切替ミラー3A〜3Cの切替制御
を行うものである。レーザ制御系53とは、図2のレー
ザ源1のレーザ放出のタイミング制御をはかるものであ
り、これは電子回路により実現可能である。
FIG. 13 is a diagram showing an embodiment of the control device according to this embodiment. The host computer 50 is a computer that controls each control of a processing line, mirror switching, and laser excitation, and corresponds to the controller 8 in FIG. The computer 50 has a memory for storing the movement trajectory in the movement mode as shown in FIG. 12. According to the contents of this memory, the processing line control system 51 and the mirror control system 52 control the line, mirror, laser Is performed. Here, the processing line control system 51 refers to lines 1 to
In step 4, the robot 16 controls the holding of the holder, mounting and fixing to the table, movement and rotation of the table, and discharge of the holder by the robot 18 after dam bar removal. The mirror control system 52 includes the driver 7 of FIG. 3 and controls switching of the switching mirrors 3A to 3C. The laser control system 53 controls the laser emission timing of the laser source 1 in FIG. 2, and can be realized by an electronic circuit.

【0061】図14は、図13の加工ライン制御系51
の詳細実施例図である。加工ライン制御系51は、ロボ
ット駆動系51A、x駆動系51B、y駆動系51C、
回転駆動系51D、及び図1に示したx駆動軸10A、
y駆動軸10B、回転駆動軸10Cより成る。駆動系5
1B、51C、51Dはステッピングモータ等の動力系
より成り、ホストコンピュータ50の指令によってON
/OFF制御されて、駆動軸10A、10B、10Cを
動かしたり、停止させたりする。
FIG. 14 shows the machining line control system 51 of FIG.
FIG. The machining line control system 51 includes a robot drive system 51A, an x drive system 51B, a y drive system 51C,
A rotary drive system 51D, and the x drive shaft 10A shown in FIG.
It comprises a y drive shaft 10B and a rotary drive shaft 10C. Drive system 5
1B, 51C, and 51D are composed of a power system such as a stepping motor, and are turned on by a command from the host computer 50.
/ OFF control to move or stop the drive shafts 10A, 10B, and 10C.

【0062】図15、図16は、レーザビームの形状に
係る本発明の実施例を示す図である。 ビームの垂直断
面は本来円形に近い形状であり、これをダムバーに当て
てのダムバー除去は可能である。しかし、レーザビーム
のエネルギーを高めるためには集束レンズによる絞り込
みを行うことが必要であり、この絞り込んだビームでダ
ムバーを確実に除去できれば好ましい。しかし、絞り込
みすぎると口径が小さくなりダムバーの一部に未切断部
分が残る恐れがあり、絞りすぎないとダムバーに連結す
るフレームの一部まで除去してしまう恐れもある。特に
QFPの半導体装置では、リードフレームピッチ(ダム
バーピッチ)が狭いため、レーザビームの口径は、確実
にダムバーの除去がはかれると同時にリードフレームの
一部の除去を絶対に回避できるような、大きさであるこ
とが必要である。そこで、この観点に立った実施例が図
15、図16に示したものである。
FIGS. 15 and 16 are diagrams showing an embodiment of the present invention relating to the shape of a laser beam. The vertical cross section of the beam is essentially circular in shape, and it is possible to remove the dam bar by applying it to the dam bar. However, in order to increase the energy of the laser beam, it is necessary to narrow down by a focusing lens, and it is preferable if the dam bar can be reliably removed by the narrowed down beam. However, if the aperture is narrowed down too much, the diameter becomes small and uncut portions may remain in a part of the dam bar. If the aperture is not narrowed down too much, a part of the frame connected to the dam bar may be removed. In particular, in a QFP semiconductor device, the lead frame pitch (dam bar pitch) is narrow, so that the diameter of the laser beam is so large that the dam bar can be reliably removed and at the same time the removal of a part of the lead frame can be absolutely avoided. It is necessary to be. Therefore, an embodiment from this viewpoint is shown in FIGS.

【0063】図15で、レーザビーム57は、口径が円
形であり、これをシリンドリカルレンズ56で、矩形形
状に変換する。矩形の長軸方向は、リードフレーム26
に沿う方向である。短軸の大きさは、ダムバー23の幅
方向の大きさ相当、又はそれよりも若干小さい値にす
る。この矩形状化したレーザビーム55をダムバーに照
射することで、ダムバーの確実な除去がはかれ、併せて
隣接するリードフレームの一部を除去してしまうという
ことをなくすことができる。図16には、ダムバー除去
の前後の様子を示しており、点線部57が除去したダム
バーの部分を示している。
In FIG. 15, the laser beam 57 has a circular aperture and is converted into a rectangular shape by a cylindrical lens 56. The long axis direction of the rectangle is the lead frame 26
It is the direction along. The size of the short axis is set to a value corresponding to the size of the dam bar 23 in the width direction or a value slightly smaller than the size. By irradiating the rectangular shaped laser beam 55 to the dam bar, the dam bar can be reliably removed, and at the same time, a part of the adjacent lead frame can be prevented from being removed. FIG. 16 shows a state before and after the dam bar is removed, and a broken line portion 57 shows a portion of the removed dam bar.

【0064】尚、加工テーブルの位置制御にあっては、
基準点を設けておき、この基準点の動きを監視すること
で、テーブルの目標位置への位置決めが容易となる。そ
のためには、例えば、ホルダーの一部やリードフレーム
の一部に基準穴を設けておき、この基準穴を監視すれば
よい。又、基準穴は、ホルダーの4隅やリードフレーム
の4隅に設けておけば、移動だけでなく、回転をも監視
可能である。
In the position control of the machining table,
By providing a reference point and monitoring the movement of the reference point, the table can be easily positioned at the target position. For this purpose, for example, a reference hole may be provided in a part of the holder or a part of the lead frame, and the reference hole may be monitored. If the reference holes are provided at the four corners of the holder or the four corners of the lead frame, not only movement but also rotation can be monitored.

【0065】本実施例では、1ホルダーに3連式を3個
搭載した例としたが、1ホルダーに3連式1個の搭載、
1ホルダーに1個の半導体装置の搭載の例もありうる。
こうした搭載構成によって、ダムバー除去のためのホル
ダーの移動軌跡(回転軌跡をも含む)も種々可能であ
る。又、図12以外の移動手順があることは云うまでも
ない。
In this embodiment, three triple units are mounted on one holder, but one triple unit is mounted on one holder.
There may be an example in which one semiconductor device is mounted on one holder.
With such a mounting configuration, the movement locus (including the rotation locus) of the holder for dam bar removal can be variously changed. Needless to say, there is a movement procedure other than that shown in FIG.

【0066】以上は半導体装置のダムバー除去の例であ
ったが、この他に、リードフレームの切断や外周リード
フレームの切断等の、半導体装置に対しての他の切断例
にも本発明の光学装置は適用できる。又、半導体装置以
外の材料加工等の作業にも適用できる。更に、QFP形
以外への適用も可能であり、また、x、yの駆動系は、
QFP形の対向する2辺の方向としたが、この対向する
2辺以外の直交座標系x、yの取り方もありうる。
The above is an example of removing a dam bar from a semiconductor device. In addition to this, the optical device of the present invention can be applied to other examples of cutting a semiconductor device, such as cutting of a lead frame and cutting of an outer lead frame. The device is applicable. Further, the present invention can be applied to work such as material processing other than the semiconductor device. Furthermore, application to other than the QFP type is also possible, and the drive system of x and y is
Although the direction of the two opposite sides of the QFP type is set, the orthogonal coordinate system x and y other than the two opposite sides may be taken.

【0067】[0067]

【発明の効果】(1)、高速、高精度でダムバーを加工
できる。 (2)、加工に必要なダムバー列方向の送り動作を一定
速度且つ高精度送り動作が可能な駆動装置に限定し、こ
れを用いることにより、高精度、高信頼位置決め動作が
可能となる。 (3)、加工に必要でない、他の方向の駆動装置の駆動
部分を適宜に拘束、固定することにより、位置決め精度
をさらに向上する。 (4)、加工時の駆動装置を限定することにより、リー
ドフレームの検出装置を簡単且つ必要な数を減らすこと
ができる。 (5)、以上の効果により、加工装置を簡単且つ安価に
できる。
(1) The dam bar can be machined with high speed and high accuracy. (2) The feed operation in the dam bar row direction required for processing is limited to a drive device capable of performing a constant-speed and high-accuracy feed operation, and by using this, a highly accurate and highly reliable positioning operation can be performed. (3) The positioning accuracy is further improved by appropriately restraining and fixing the driving parts of the driving device in other directions that are not necessary for processing. (4) By limiting the number of driving devices at the time of processing, the number of lead frame detecting devices can be simplified and the required number can be reduced. (5) Due to the above effects, the processing device can be made simple and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の駆動系の実施例図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a drive system according to the present invention.

【図2】4つの生産ラインを持った半導体加工装置の実
施例図である。
FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor processing apparatus having four production lines.

【図3】レーザビームの切替装置の実施例図である。FIG. 3 is an embodiment of a laser beam switching device.

【図4】3連式半導体装置の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a triple semiconductor device.

【図5】3連式半導体装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a triple semiconductor device.

【図6】QFP形半導体装置によるダムバー配置例を示
す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of dam bar arrangement by a QFP type semiconductor device.

【図7】3連式半導体装置を3組搭載したホルダー上で
の平面図である。
FIG. 7 is a plan view on a holder on which three sets of triple semiconductor devices are mounted.

【図8】図7のホルダーに対する加工のための移動軌跡
例図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a movement trajectory for processing the holder of FIG. 7;

【図9】図8の移動軌跡を得るためのホルダー制御例図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of holder control for obtaining the movement locus of FIG. 8;

【図10】加工軌跡を得るためのx軸駆動系のタイムチ
ャートを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a time chart of an x-axis drive system for obtaining a processing locus.

【図11】4つのライン1〜4のダムバー加工のフロー
チャートである。
FIG. 11 is a flowchart of dam bar processing of four lines 1 to 4;

【図12】4つのライン1〜4の他の移動軌跡の説明図
である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of another movement locus of four lines 1 to 4;

【図13】本発明の制御装置の実施例図である。FIG. 13 is an embodiment diagram of the control device of the present invention.

【図14】本発明の加工ライン制御系の実施例図であ
る。
FIG. 14 is an embodiment diagram of a processing line control system of the present invention.

【図15】本発明の矩形状レーザビームの実施例図であ
る。
FIG. 15 is a view showing an embodiment of a rectangular laser beam according to the present invention.

【図16】本発明の矩形状レーザビームによるダムバー
切断を示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing dam bar cutting by the rectangular laser beam of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ源 2 切替ユニット 3(3A〜3C) 切替ミラー 6 レーザ光(ビーム) 9 半導体装置 10 テーブル 10A x駆動軸 10B y駆動軸 10C 回転駆動軸 16、18 ロボット 32 ホルダー Reference Signs List 1 laser source 2 switching unit 3 (3A to 3C) switching mirror 6 laser beam (beam) 9 semiconductor device 10 table 10A x drive shaft 10B y drive shaft 10C rotation drive shaft 16, 18 robot 32 holder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機 株式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機 株式会社土浦工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50 B23K 26/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shigeyuki Sakurai 650 Kandamachi, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura Works (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 B23K 26/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置を搭載したホルダーと、該ホ
ルダーを直交する2つの方向x、yに独立して移動可能
にするx駆動系及びy駆動系と、上記ホルダーを回転可
能にする回転駆動系と、より成ると共に、連結する各辺
の一連の、レーザによる、ダムバー除去のためのダムバ
ーに沿う加工経路は上記x駆動系のみの駆動によって行
い、各辺の先頭ダムバーへの位置決めはy駆動系、回転
駆動系を利用し又はx軸駆動系を組合せて行うようにし
た半導体装置の加工装置。
1. A holder on which a semiconductor device is mounted, an x drive system and a y drive system for independently moving the holder in two orthogonal directions x and y, and a rotary drive for rotating the holder. A series of laser-based machining paths along the dam bar for removing the dam bar on each side to be connected and connected along the dam bar are performed by driving only the x drive system, and the positioning of each side to the first dam bar is performed by the y drive. A processing apparatus for a semiconductor device, wherein the processing is performed using a system, a rotary drive system, or a combination of an x-axis drive system.
【請求項2】 上記半導体装置は、QFP形の半導体装
置とし、上記直交する方向x、yとはQFP形の半導体
装置の直交する2つの辺の方向とする請求項1の半導体
装置の加工装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor device is a QFP type semiconductor device, and the orthogonal directions x and y are directions of two orthogonal sides of the QFP type semiconductor device. .
【請求項3】 複数個のQFP形半導体装置を縦横規則
的に配置したホルダーを次々に供給し加工用のテーブル
上に搭載する複数個の半導体生産ラインと、上記テーブ
ルを半導体装置の縦横に沿う方向に独立に駆動可能にす
るx駆動系、y駆動系と、上記テーブルを回転可能にす
る回転駆動系と、各生産ライン毎にレーザによりダムバ
ー加工を行うダムバー加工手段と、より成ると共に、連
結する各辺を結ぶ一連のダムバー除去のためのダムバー
に沿う加工経路は上記x駆動系のみの駆動によって行
い、各辺を結ぶ一連のダムバーの先頭ダムバーへの位置
決めはy駆動系、回転駆動系を利用し又はx軸駆動系を
組合せて行うようにした半導体装置の加工装置。
3. A plurality of semiconductor production lines in which a plurality of QFP semiconductor devices are sequentially supplied with holders in which the plurality of QFP type semiconductor devices are regularly arranged and mounted on a processing table, and the table extends along the length and width of the semiconductor device. An x drive system and a y drive system that can be independently driven in directions, a rotation drive system that can rotate the table, and dam bar processing means that performs dam bar processing by laser for each production line, and are connected. The machining path along the dam bar for removing a series of dam bars connecting each side is performed by driving only the x drive system, and the positioning of the series of dam bars connecting each side to the first dam bar is performed by the y drive system and the rotary drive system. An apparatus for processing a semiconductor device using or combining an x-axis drive system.
【請求項4】 上記加工経路中にあっては、y駆動系、
回転駆動系に係る可動部分を拘束させるようにした請求
項1又は2又は3記載の半導体装置の加工装置。
4. In the machining path, a y drive system,
4. The apparatus for processing a semiconductor device according to claim 1, wherein the movable portion related to the rotary drive system is restrained.
【請求項5】 上記レーザの光源は、複数の生産ライン
を通じて単一のものとし、切替ミラーを切替えることに
より各生産ラインに時分割で且つシーケンシャルにダム
バー加工用に照射することとした請求項3の半導体装置
の加工装置。
5. A single laser light source through a plurality of production lines, and a switching mirror is switched to irradiate each production line in a time-division manner and sequentially for dam bar processing. Semiconductor device processing equipment.
【請求項6】 上記ダムバー加工用のレーザ光は、リー
ドフレームの長手方向に長軸を持つ矩形形状とする請求
項1又は3又は5記載の半導体装置の加工装置。
6. The semiconductor device processing apparatus according to claim 1, wherein the laser beam for dam bar processing has a rectangular shape having a major axis in a longitudinal direction of the lead frame.
JP05012679A 1993-01-28 1993-01-28 Processing equipment for semiconductor devices Expired - Fee Related JP3143538B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05012679A JP3143538B2 (en) 1993-01-28 1993-01-28 Processing equipment for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05012679A JP3143538B2 (en) 1993-01-28 1993-01-28 Processing equipment for semiconductor devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06224344A JPH06224344A (en) 1994-08-12
JP3143538B2 true JP3143538B2 (en) 2001-03-07

Family

ID=11812071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05012679A Expired - Fee Related JP3143538B2 (en) 1993-01-28 1993-01-28 Processing equipment for semiconductor devices

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3143538B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10200137A (en) * 1997-01-10 1998-07-31 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Integrated thin-film photoelectric converter and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06224344A (en) 1994-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4979290A (en) Method for soldering electronic component
US6239406B1 (en) Laser beam machining apparatus
US6467383B1 (en) Machine for punching panels
CN109509602B (en) Laser resistance-adjusting machine
CN104203482A (en) Machining control device, laser machining device, and laser control method
EP0083836A2 (en) Method and apparatus for displaying movement in numerically controlled machines
JP2000114787A (en) Electronic part mounter and mounting method
CN112017991A (en) Manufacturing system of semiconductor device and marking method using the same
JP3143538B2 (en) Processing equipment for semiconductor devices
JPH06181354A (en) Laser optical device
JPH02192885A (en) Laser beam processor
JPS635891A (en) Laser trimming device
JP2004066323A (en) Positioning working method and positioning working apparatus
JPH11347756A (en) Device and method for removing burr
JP2942804B2 (en) Laser processing apparatus and laser beam control method for laser processing apparatus
JPH06179089A (en) Device for working semiconductor device
JPH0620685B2 (en) Parts mounting method for automatic assembly equipment
JP2004172497A (en) Electronic circuit assembling method and component mounting program generating program
JP2853252B2 (en) Alignment method and apparatus
JPH0970679A (en) Method for controlling laser beam machine
JPH106049A (en) Laser beam machining apparatus and method thereof
JP2823750B2 (en) Laser marking device
JPH11245061A (en) Laser beam control method of laser processing device
KR970007972B1 (en) Repair apparatus of double laser
JPH1080783A (en) Method and device for cutting circular hole in thermal cutter

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees